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3.

Polarizacin para mxima excursin de seal simtrica

La amplificacin puede estar restringida por la amplitud y posicin de la excursin de salida sin distorsin. Los amplificadores que consisten estrictamente de transistores y resistores, pueden polarizarse de modo que el punto de reposo est en la zona media del rango de tensin de salida lineal dado por la fuente de alimentacin. Esta ubicacin del punto Q permite excursiones simtricas de la tensin de seal alrededor de un punto central: la distorsin ocurrir para excursiones de igual magnitud en la direccin positiva y negativa. Los amplificadores que tienen cargas acopladas capacitivamente o resistencias puenteadas con capacitores, en la relacin i-v de salida, no tienen el rango completo de la fuente de alimentacin para la excursin del voltaje de salida. Ubicando el punto Q en el medio o centro de la fuente de alimentacin no dar iguales excursiones de voltaje de salida lo cual limitar la utilidad del amplificador. Por lo tanto es importante ser capaz de elegir fcilmente el punto Q que dar la mxima excursin simtrica para el amplificador dadas las restricciones de diseo. Una tcnica que determina analticamente el punto Q para mxima excursin simtrica se basa en el trazado de las rectas de carga de salida del transistor. La curva de salida de un transistor (BJT o FET) viene dada normalmente como una curva i-v. Sobre esta curva se trazan las rectas de carga de DC (esttica) y AC (dinmica) como se observa en la Figura 3.7.1. Las dos lneas de carga se deben interceptar siempre en el punto de reposo: si hay cero AC, la salida debe estar en el punto Q de la lnea de carga esttica. Tambin se cumple que la magnitud, a frecuencias medias de la banda, de la pendiente de la recta de carga dinmica es siempre mayor que la esttica. El aumento en la magnitud de la pendiente de la recta de AC disminuye la excursin disponible a lo largo de la abscisa a un valor que es a menudo significativamente menor que los lmites de la fuente de alimentacin. El lmite mximo de alimentacin (S) es normalmente igual a los lmites que dan las fuentes de alimentacin. El lmite mnimo de alimentacin (C) est determinado por el borde de la regin lineal del transistor (para un BJT es la saturacin, VCEsat; para un FET es la parbola de contraccin). Para mxima excursin simtrica es necesario elegir el punto Q que permita iguales espacios de oscilacin en las direcciones positiva y negativa. Una eleccin tanto a la derecha como a la izquierda de este valor ptimo disminuir la capacidad del amplificador para una excursin de tensin simtrica. En la Figura 3.7.1 el punto Q se elige de modo que x=y Por simple geometra de la figura se obtienen las siguientes expresiones

y=

m dc [ S Q], m ac

x = QC

Igualando y resolviendo para el punto Q, m dc mdc [VCC VCEQ ] = VCEQ VCEsat [S Q] = QC o m ac mac

m Q1 + dc m ac

mdc = m S +C ac

El punto de reposo para mxima excursin simtrica queda determinado finalmente por

Q=

(mdc / mac ) S + C 1 + mdc / mac

o VCEQ =

(mdc / mac )VCC + VCEsat 1 + mdc / mac


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El punto Q ptimo puede determinarse fcilmente de la relacin de pendientes de las lneas de carga esttica y dinmica y los lmites de la tensin de salida (fuente de alimentacin y tensin mnima en el borde de la regin lineal del transistor). La Figura 3.7.1 se muestra para un transistor BJT, pero es vlida en general para otros dispositivos, solo se deber reemplazar por las variables adecuadas a cada caso. Para un BJT se tiene VCEQ dados VCC, RC, RL, RE deducible con la red de polarizacin de base. iC ICA

mac Recta de carga dinmica ic S Fuente de alimentacin C Mnimo en la regin lineal Q Punto de trabajo y Excursin de tensin positiva x Excursin de tensin negativa Q vce

ICQ

mdc Recta de carga esttica

vCE S

Figura 3.7.1

Otra manera para el BJT, a partir de ICQ: En continua se tiene en el circuito de salida del transistor: I CQ =

VCC VCEQ RC + RE

(a), que es

la recta de carga esttica, cuya pendiente negativa de valor absoluto mdc = circuito autopolarizado, en el circuito de base se tiene I BQ =

1 . En el RC + RE

VBB VBE , I CQ = hFE I BQ . R B + RE (1 + hFE ) Para alterna o seal se tiene: vce = ic R' L , siendo RL = RL//RC, por lo que, la recta de carga dinmica tendr una pendiente negativa de valor absoluto mac = 1/RL. Si queremos mxima excursin simtrica, conocido ICQ, de la grfica hacemos VCEQ VCEsat VCEQ VCEsat I CQ = I CA = 2 I CQ = I CQ + (b). Esta ltima es la ecuacin de la R' L R' L recta que pasa por VCEsat y VCEQ y pendiente mac. De (a) y (b), despejando en cada una VCEQ e igualando se tiene: I CQ R' L +VCEsat = VCC I CQ ( RC + RE ) I CQ = VCC VCEsat S C = 1 1 R ' L + RC + R E + m ac m dc
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Por ltimo, VCEQ = VCC I CQ ( RC + RE ) Dados VCC, RC, RL y RE podemos hallar el punto de reposo para mxima excursin simtrica a partir de ICQ; o, suponiendo conocido de antemano ICQ pues se tiene la red de polarizacin R1|R2, y RE se puede hallar RC y VCEQ que seran desconocidos. Para un BJT: en el proceso de diseo normalmente se partir conociendo las tensiones de fuentes de alimentacin as como la resistencia de carga RL, y la RC (de acuerdo generalmente a la ganancia necesaria) restando conocer los valores de RE y los resistores de polarizacin. La RE se puede considerar de bajo valor y poca influencia para los clculos preliminares empleando alguna tcnica como se ver en el siguiente ejemplo. Ejemplo 3.7.1: hFE = 150
15 V 2k

vo
.

vi
39 1.8k 430

E 3.7.1 15 V
.

2k

39 E 3.7.2 430
0

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2k k 39 E 3.7.3
0

1.8k

15 V 2k

36k

vi
39 9.1k 430 1.8k

vo

E 3.7.4

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3.8

Potencia

La potencia de continua entregada por la fuente se disipa en las resistencias del circuito y en el dispositivo activo. A su vez, la energa de continua es modificada por el elemento activo con la misma rapidez que impone la excitacin o entrada. Es por ello que resulta obtener una potencia de salida amplificada. Interesa calcular el rendimiento de la conversin de la potencia de continua entregada por las fuentes de alimentacin a la potencia de seal en corriente alterna entregada a la salida por el dispositivo activo. En la Figura 3.8.1 se observa una etapa simple en configuracin emisor comn. En general, la potencia media desarrollada o Vcc entregada por un elemento cualquiera es 1 P= T 1 P= 2

T 0

iC = ICQ + ic

v(t )i (t )dt
iB = IBQ + ib
.

RC + vCE = VCEQ + vce


-

2 0

v(t )i (t )dt

Figura 3.8.1 siendo i y v totales, y si hacemos en general ic = Icmsent y vce = Vcemsent con = 2/T y T = . 3.8.1 Potencia entregada por la fuente PS = PT + PRpol = 1 2
2

2 0

2 VCC (I CQ + ic (t ) )dt + I BQ R1 +

VCC R1 + R2

= VCC I CQ + I

2 BQ

V R1 + CC R1 + R2

Se podra obviar la potencia en la red de polarizacin si es pequea, por lo tanto PS VCCICQ 3.8.2 Potencia en la resistencia de carga PRC = 1 2 1 2 2 2 RC iC dt = 0 0 RC ( I CQ + ic ) dt 2 2 2 1 2 2 = 0 RC ( I CQ + 2I CQ ic + ic )dt 2 1 2 2 2 2 = 0 RC [ I CQ + 2 I CQ I cm sen t + I cm (sen t ) ]dt 2 1 2 2 1 = RC I CQ 2 + 0 + 2RC I cm 2 2
2 2 PRC = RC I CQ + ( RC I cm / 2)

3.8.3 Potencia en el transistor

PT =

1 2

2 0

vCE (t )iC (t )dt


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1 2 1 = 2

2 0 2

(VCC iC RC )iC dt =
CC CQ

1 2

2 0

(VCC iC iC RC )dt

(V
0

+ VCC ic RC [ic + I CQ ] 2 dt

= VCC I CQ + 0

1 2 2 RC I cm I CQ RC 2

Pero se tiene que PT = PS PRC que si se desprecia la polarizacin queda, PT VCCICQ RCI2CQ RCI2cm PT ICQ(VCC RCICQ) RCI2cm = VCEQ ICQ - RCI2cm La disipacin en el transistor es mxima cuando no hay seal Esta ltima se utiliza para determinar el rgimen de disipacin del transistor y para el clculo del disipador. 3.8.4 Rendimiento = PO (ac) PS (dc)

2 1 / 2 RC I cm = VCC I CQ

Para mxima excursin de seal (RL = RC //RL RC y VCEQ VCC /2) se tiene ICQ = VCC /2RC y Icm = ICQ 1 VCC RC 2 2 RC
2

=1 = 4 V VCC CC 2R C Que es el rendimiento terico mximo

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3.9

Carga acoplada a transformador


+VCC
.

Se utilizar para el anlisis el circuito de la Figura 3.9.1:

TX RL

R B = R 1 // R 2 V CC R 2 R1 + R 2 Rb resistencia primaria en el trafo Rd resistencia dinmica en el primario del trafo RG V BB =


VCC = 42 V, RB = 510//27 = 25,6 RE = 12, BD137, TA = 25 a 65 C, = 95, Rb = 8, RL = 8 RL = 288 N1 = 6N2 Las ecuaciones para la polarizacin son:
vG CA

RB +VBB RE
.

CE

Figura 3.9.1
0

I BQ =

V BB V BE R B + ( + 1) R E

I CQ = I BQ VCEQ = VCC I CQ ( R E + Rb )
Rb es muy pequea y RE puede no estar, aunque limita la corriente en el circuito y sirve para calcular los factores de estabilidad. La recta de carga esttica es (-1/(Rb + RE)), es casi vertical por las pequeas resistencias involucradas. En la Figura 3.9.2 se grafican las distintas rectas de carga
iC -1/(Rb + RE) Rectas de carga esttica

ICQ

Figura 3.9.2

Recta de carga dinmica -1/RL VCEQ vCE VCC

Como VCEQ > VCC /2 (VCEQ VCC) puede ocurrir corrida trmica, se debe verificar entonces la condicin necesaria vista para que no ocurra el escape trmico (PD/Tj < 1/).
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Para el circuito de seal se tiene: vce = - icRL Los circuitos equivalentes se observan en la Figura 3.93
i1 N1* . v1 TX * N2 v2 RL
.

i2 ic RL

vce

Figura 3.9.3

En el trafo se tiene:

v2 N 2 = v1 N1 P1 = P2 v2 .i2 = v1.i1 i2 = v1 v1 N i1 = 1 i1 v2 N2

N2 2 2 v2 N1 v1 N 2 ' N2 = RL = = RL = N i2 i N1 i1 N1 1 1 N2 N R = RL . 1 N 2
' L 2

con N1 > N 2

Donde RL es la resistencia de carga reflejada en el primario del transformador de acoplamiento, que permite trazar la recta de carga dinmica (despreciamos la resistencia dinmica propia del primario). Si N1 > N2 el transformador es reductor y RL>RL. Anlisis de las potencias involucradas: si se tiene en cuenta el grfico siguiente para el caso de mxima excursin de seal (y adems Rb y RE 0) para la potencia entregada por la fuente y la potencia de seal en la carga:

PFuente =

1 2
L

2 0

vCC .iCC dt = 2

1 2 2 =

2 0

VCC .[ I CQ + I Cm sen t ]dt = VCC .I CQ 2

PRL = PR ' = Vrms I rms =


2

VCC I CQ

VCC .I CQ

2 I CQ ' VCC 1 PRL = RL = ' 2 RL 2

VCC .I CQ / 2 VCC .I CQ

1 2

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iC

iC ICQ

Q
-1/RL

2VCC VCC VCC vCE vCE

Figura 3.9.4

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