Fsica de Dispositivos Semiconductores Pedro Gonzlez de la Rosa

Unin PN En la Figura B.a se muestran dos materiales semiconductores, uno tipo N y el otro tipo P. En dichos materiales el nivel de Fermi se encuentra cerca de la banda de conduccin para la muestra tipo N y cerca de la banda de valencia para el material tipo P. Es importane mencionar que la concentracin de electrones (portador mayoritario) es mucho mayor que la de huecos en el material tipo N, en el caso del material tipo P la concentracin de huecos (portador mayoritario) es mucho mayor que la de electrones.

Figura A (a) Semiconductores tipo P y tipo N uniformemente dopados antes de la unin. (b) Campo elctrico en la regin de carga espacial y diagrama de bandas de la unin en equilibrio trmico.

Cuando estos dos materiales se unen, se obtiene una unin PN, el hecho de unir ambos tipos de materiales provoca un elevado gradiente de concentracin de portadores en las proximidades de la unin, lo que genera corrientes de difusin que hacen que los electrones de la regin N y los huecos de la regin P fluyan hasta la regin de conductividad opuesta, dejando la regin cercana a la unin vacia de portadores mayoritarios. El flujo de portadores por difusin no puede continuar indefinidamente, debido a que en la unin hay deficiencia de portadores moviles. Las cargas de los iones fijos donadores y aceptores ya no estan balanceadas por los portadores mviles (huecos y electrones) que se encontraban all inicialmente, de modo que se establece un campo elctrico. (Figura A.b). En determinado momento la magnitud de este campo elctrico es tal que contrarresta la tendencia de los portadores mayoritarios a difundise, esto establece una condicin de equilibrio dinmico en la que la regin cercana a la unin queda vaci de portadores mayoritarios, esto forma fuertes capas de carga espacial, iones negativos en el lado P y iones positivos en el lado N, por lo que la configuracin de carga espacial es una capa

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dipolar elctrica, entre los dos lmites extremos de la capa dipolar se produce una diferencia de potencial, esto produce un doblamiento de bandas de energa tanto en la regin N como la regin P se presenta un desnivel de valor q*Vbi (Figura B), donde Vbi es llamado el potencial de contacto o potencial qumico que esta formado por la diferencia de los potenciales en los bordes de la regin de carga espacial y .

-Xp

X=0

Xn

Figura B. Diagrama de bandas de unin PN en equilibrio trmico.

Los potenciales en los bordes se pueden calcular utilizando las siguientes ecuaciones:    

Auque las bandas Ec, Ev y Ei presentan un doblamiento en la unin, el nivel de Fermi EF permanece constante en condiciones de equilibrio trmico. Los potenciales lejos de la regin de carga espacial permanecen constantes porque no existe una densidad de carga, en pocas palabras las regiones lejos de la uinin son electricamente neutras. Sin embargo el potencial dentro de la regin de carga espacial no es constante y se puede encontrar a partir de la ecuacin de Poisson. Para el caso en que la densidad de carga varia solo en la direccin x, la ecuacin de Poisson se puede escribir como:

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Como el sistema se encuentra en equilibrio trmico, el nivel de Fermi permanece constante, tomando en cuenta esta condicin la cual indica que el voltaje de polarizacon en la unin es cero, la ecuacin (4) se modifica y se obtiene la siguiente ecuacin: 

La ecuacin (5) es la ecuacin diferencial fundamental que debe resolverse para obtener el potencial . Para una unin abrupa se tiene:





Por lo tanto se obtienen dos ecuaciones, una para el potencial en la regin (x<0) de la forma:




Y otra ecuacin para el potencial en la regin (x>0) de la siguiente forma:



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Estas ecuaciones se deben resolver utilizando condiciones de frontera apropiadas, utilizando mtodos numricos o mtodos fsicos aproximados.

Tarea Para una unin PN con las siguientes caracteristicas, encontrar los potenciales para x>0 y para x<0 dentro de la unin de carga espacial:

  

     



Para poder resolver las ecuaciones (6) y (7), primero se van a calcular las condiciones de frontera las cuales las obtienen de las ecuaciones (1), (2).

   

Suponiendo que la unin es abrupta, es posible determinar la distancia de las regin de carga espacial extendida en la regin N y la regin P de la unin metalurgica, al sumar ambas distancias se obtiene el ancho de la regin de carga espacial, dichas distancias se calcularon con las siguientes ecuaciones: 

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Ya obtenidas los potenciales y las distancias de la regin de carga espacial en cada una de las regiones. Se utilizo un programa (Maple 14) para obtener las soluciones de las ecuaciones (6) y (7). El mtodo que utiliza el software para obtener la solucin de dichas ecuaciones es el mtodo de Rungge Kutta de cuarto orden. La solucin de la ecuacin (6) se muestra en la Figura C. Las condiciones de frontera para la solucin de esta ecuacin son las siguientes: 

Figura C. Solucin de la ecuacin (6) obtenida en Maple

La solucin de la ecuacin (7) se muestra en la Figura D. Las condiciones de frontera para las solucin de esta ecuacin son las siguientes:



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Figura D. Solucin de la ecuacin (7) obtenida en Maple

La Figura E muestra la grfica del potencial a travs de la unin, dicha grfica es la unin de los grficos de las Figuras D y C.

-Xp

Xn

Figura E. Potencial elctrico a travs de la regin de carga espacial de la unin PN.

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Al multiplicar el grfico que se observa en la Figura E por q (-1.602E-20) y teniendo en cuenta que el ancho de banda de energa prohibida para el silicio es de 1.1 eV, se puede obtener el grfico del diagrama de bandas (Figura F) de la unin PN con las caractersticas mencionadas anteriormente.

ECP

q*Vbi

ECN

EVP

EVN

g
-Xp X=0 Xn

Figura F. Diagrama de bandas.

Para obtener el grfico de la banda de conduccin se sumo (8.81E-20 = q*0.55 eV) al grfico del potencial multiplicado por q [ ]. Por otro lado para obtener el grfico de la banda de valencia se resto 8.81E-20 al grfico . Tomando en cuenta las energas que se muestran en la Figura F podemos calcular el potencial de contacto con la siguiente ecuacin: