18/09/2018

Université Hassan 1er

Faculté des Sciences et Techniques
Settat
1

Electronique Numérique
Cycle Ingénieur & LST
Les Familles Logiques TTL et CMOS

Pr. Abdelmajid FARCHI

Famille des circuits Logiques

Les circuits intégrés (logique) sont classés suivant leur caractéristiques et performances électriques et leur technologies de fabrication

 La technologie de fabrication
 Les niveaux logiques en entrée et en sortie
 Les courants en entrée et en sortie
 La tension d’alimentation,
 La consommation
 La vitesse de fonctionnement
• Technologie Bipolaire
• Technologie CMOS
• BiCMOS

1
 18/09/2018

Nomenclature Commerciale

La nomenclature commerciale doit permettre (facilement) de déterminer la

famille logique du circuit. Les constructeurs de circuit logiques ont
finalement commencé à utiliser une nomenclature unifiée
1 2 3 7 8

SN 74 LS 76 N

1 – Circuit normal ou ayant une spécification particulière.

SN=normal
2 – Série (température), 74=civile[0,70°], 54=militaire[-55,125°]
3 – Famille (Ici : Low power Schottky)
4,5,6 – On peut s’en passer pour le moment
7 – La référence du circuit : 76 = 2 bascules JK
8 – Boîtier : N = dual in line plastique

Suffixe pour différents boîtiers (package)

2
 18/09/2018

Exemples de boîtiers

SOP QFP
SSOP TQFP DIP
QSOP LQFP PDIP
MSOP MQFP CDIP
TSOP PQFP

Famille TTL : Transistor Transistor Logique

 Utilise des transistors bipolaires.

 S’alimente par 5V
 constituée de plusieurs variantes :

 74 : TTL Standard, Obsolète , (10ns, 10 mW)

 74 H : High Speed, Obsolète , (6ns, 22 mW)
 74 L : Low Power, Obsolète , (33ns, 1 mW)
 74 S : Schottky, remplacée par AS , (3ns, 19 mW)
 74 LS : Low Power Schottky, fortement utilisée pendant longtemps,
elle est maintenant en perte de vitesse (9.5ns, 2 mW)
 74 AS : Advanced Schottky , (1.5ns, 8 mW)
 74 ALS : Advanced Low Powe Schottky , (4ns, 1 mW)
 74 F : Fast , rare (3.7ns, 5.5 mW)

3
 18/09/2018

Porte TTL élémentaire 7400

7

 Le transistor Q1 ne fonctionne pas en

transistor mais seulement comme trois
diodes reliée par leurs anodes
 Vi1=Vi2=0  VB1 = 0.7V
 Q2 et Q4 bloqués
 Q3 conduit et la sortie est de l’ordre
de 3.8 à 4 Volts
 Vi1 = Vi2 = 5V, si les jonctions B1-Ei
conduisent  VB1=5.7V c’est trop
pour les 3 jonctions en série
 Les jonctions B1-C1, B2-E2 et
B4-E4 conduisent  VB1= 2.1V 
les jonction d’entrée bloquées
 Q2,Q4 saturé, VB3=0.9V  Q3
bloqué  la sortie est de l’ordre
de 0.2V

Caractéristique de transfert
8

Si on fait varier la tensions d’entrée entre 0 et

Vo
4
5V. On obtient la caractéristique de la porte.
D’après cette courbe on peut essayer de
déterminer les niveaux logiques :
3

 Tension de Transition: 1.3V

2
 Niveau bas en entrée : [0V-1.2V]
1  Niveau Haut en entrée : [1.3V-5V]
0.4
 Niveau bas en sortie : 0.2V
1 2 3 4 Vi
 Niveau haut en sortie : [2.8V – 4V]

4
 18/09/2018

Dans la pratique
9

Si on trace cette caractéristique

• Pour plusieurs circuits 7400,
• Pour le même Circuit mais à différentes températures
• Pour le même Circuit mais à différentes charges
On obtient une dispersion des courbes

Il faut donc prendre une

MARGE de sécurité

Niveau logique TTL en entrée

C’est nous qui appliquons les tensions d’entrée,
C’est à nous d’éviter la zone de transition qui peut introduire des erreurs
Vo
4

3
VILmax = 0.8 V

2 VIHmin = 2 V
1

0.4

1 3 4 5 Vi
Bas 2
Haut
VILmax VIHmin

5
 18/09/2018

Les niveaux de sortie

La tension de SORTIE est générée par le circuit

Elle dépend aussi de la charge branchée à la sortie :

Si on injecte trop de courant à une

sortie au niveau bas, alors la
L VOH Vcc tension de sortie monte

Faible Faible
charge charge
Si on demande trop de courant à IOH VOL
H
une sortie au niveau haut, alors la
tension de sortie baisse IOL

Quelques courbes

VOH VOL

6
 18/09/2018

Niveau logique TTL en Sortie

Vo
VOLmax = 0.4 V
4
Haut VOHmin = 2.4 V
3
VOHmin
2.4
2

Zone interdite
1

VOLmax 0.4
Bas
1 3 4 5 Vi
2

Niveaux logique de la famille TTL 5V (récap)

5 5

haut
haut

2.4
2

0.8
Bas 0.4
0 Bas
0

7
 18/09/2018

Immunité au bruit
15

Les signaux issus de la porte A doivent être

interprétés correctement par la porte B

Immunité au bruit : VN = 0.4 V

Autre façon de Voir l’immunité au bruit

2.4
2
VIHmin

0.8
0.4 VILmax
t

8
 18/09/2018

Les courants d’entrée

17

Les courants de SORTIE

18

9
 18/09/2018

Les courants de sortie

19

Courants de Sortie de la famille TTL

Les constructeurs garantissent que dans le cas le plus

défavorable :

 Niveau Bas : la tension de sortie VOL reste inférieure à

VOLmax = 0.4 V tant que le courant de sortie IOL (injécté
dans la porte) reste inférieur à 16 mA

 Niveau Haut : la tension de sortie VOH reste supérieure

à VOHmin = 2.4 V tant que le courant de sortie IOH
(fourni par la porte) reste inférieur à 0.4 mA

10
 18/09/2018

Les courants de la famille TTL

21

Sortance
22

La SORTANCE représente le nombre max de

portes que l’on peut brancher à la sortie d’une autre
porte sans (trop) dégrader les niveaux logiques

11
 18/09/2018

Puissance Dissipée

La porte ne consomme pas le même courant quand

sa sortie est au niveau haut et au niveau bas
5V

Icc
ICCHtyp = 1mA ICCLtyp = 3mA

1mA  3mA
Pd typ   5V  10 mW
2
La consommation augmente légèrement avec la fréquence. On peut
considérer la valeur de 10 mW valable jusqu’à une fréquence de 1 MHz

Comportement dynamique
24

TPHLtyp = 8ns TPLHtyp = 12ns

1 1
Fmax    50MHz
TPLH  TPHL 20ns

12
 18/09/2018

Porte collecteur Ouvert

25

Si la majorité des circuit TTL ont des sortie totem-pole

Certains circuits ont des sorties Collecteur Ouvert
La partie haute du totem-pôle a été supprimée

 Si Q4 est conducteur, la sortie est au

niveau bas
 Si Q4 est bloqué, la sortie est
déconnectée. Le niveau haut, peut être
obtenu par une résistante externe

Avantage des portes collecteur ouvert

26

 La tension Vc peut aller jusqu’à 30v et le courant absorbé par la

porte peut aller jusqu’à 40 mA. Cela permet par exemple
d’interfacer un circuit TTL avec un circuit ayant des niveaux logiques
différents.
 On peur connecter deux sorties pour faire un ET câblé : Pour que la
sortie soit H, il faut que les deux sorties soit H

13
 18/09/2018

Porte à Sortie 3 états (Tristate)

27

3 niveaux logiques :
 Niveau Bas (L)
 Niveau Haut (H)
 Niveau Haute Impédance (HZ)

 ComHZ = 1 : fonctionnement normal : sortie 2 états

 ComHZ = 0 : 2 transistors bloqués, sortie déconnectée
= haute impédance

TTL : Sorties 3 états (2)

28

14
 18/09/2018

Utilisation des circuits tristate

HZ Circuit 1
Seul le circuit qui est
sélectionné pour écrire
dans le bus doit être en
HZ Circuit 1
basse impédance, tous les
autres doivent être
HZ
déconnectés c.a.d en haute
Circuit 1
impédance

BUS

Tristate, Circuit de lecture écriture

30

15
 18/09/2018

Porte avec entrée Trigger de Schmitt

La caractéristique de transfert
comporte un hystérésis. Le seuil de
basculement H-L n’est pas le même
que le seuil de basculement L-H
Vo
4

2  Mise en forme des signaux,

1  retardateur d'impulsions,
Vi  élargisseur d'impulsions,
0.4 0.8 1.2 1.6 2  oscillateurs

Oscillateur à Trigger de Schmitt

32

Analyser le montage, dessiner l’allure des tensions aux points (1) et (2).
Calculer la période du signal obtenu
On commence le raisonnement avec le condensateur vide.
Pour la tension de sortie on prend VOL=0V, VOH=4V
Les seuils de transition sont: VTL=0.8V, VTH=1.7V

16
 18/09/2018

Mise en forme des signaux

33

Trigger de Schmitt, Mise en forme des signaux

34

17
 18/09/2018

Trigger de Schmitt, Mise en forme des signaux

TTL Schottky et Low Power Schottky

Vcc=5V Vcc=5V

R2 R6 R1 R2 R3
  20K 8K 
R1
2.8K Q3
Q3 74LS00
Q4
74S00 Q4
Q1 D1
Q2 R7 4k
R5 Vi1
3.5k Vo Q1
Vi1 Vi2
R4 Vo
D2 Q5
Vi2 Q6
12k
R3 R4 R5 R6
  D4 1.5k 3k
D1 D2 D3
Q5 Q2

Ces technologies utilise des diodes et des transistors Schottky qui on la

particularité de ne pas se saturer et de commuter plus rapidement. En
baissant la valeur des résistance sur la 74S, on accélère la commutation mais
on augmente la consommation

18
 18/09/2018

Tableau comparatif

74 74S 74LS 74AS 74ALS

VILmax 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8
VIHmin 2 2 2 2 2
VOLmax 0.4 0.5 0.5 0.5 0.5
VOHmin 2.4 2.7 2.7 2.7 2.5
Tp (ns) 10 3 9.5 1.5 4
Pd (mW) 10 19 2 8.5 1
IILmax (mA) 1.6 2 0.4 0.5 0.2
IIHmax (µA) 40 50 20 20 20
IOLmax (mA) 16 20 8 8 8
IOHmax (mA) 0.4 1 0.4 2 0.4
Fmax (Mhz) 35 125 40 200 70

37

Famille CMOS (MOS Complémentaire)

 Fabriquée avec des MOS à enrichissement canal N et canal P
 Consommation quasi nulle en basse fréquence
 A l’origine très lente (série 4000), aujourd’hui, on sait fabriquer des circuit CMOS rapide
 Souplesse d’alimentation 3V  Us=Vdd-Vss  18V
 Meilleure immunité au bruit

ID ID
D D

G B G B
V GB
S
V GB S
VTH =1V VTH = -1V

VG`B < VTH OFF , R =1010  V GB > VTH OFF , R =1010 

VGB >> VTH ON , R = qq 100enes 

V GB << VTH
ON , R = qq 100enes 

19
 18/09/2018

Structure de la porte élémentaire

VDD Vo

Vdd
Q1
P
Vi Vo

Q2
n
Vss Vi
Vss VT Vdd
VSS
V  V SS
VT  DD
 Vss = 0 pour simplifier 2
 Vi=0, VGS1=-Vdd, VGS2=0,
Q1:ON, Q2:OFF, Vo=Vdd

 Vi=Vdd, VGS1=0, VGS2=Vdd,

Q1:OFF, Q2:ON, Vo=0

Portes logiques
VDD VDD

Q1
Vi1
Vi1 Q1 Q2
Vo Q2
Vi2
Vi2
Q3 Vo

Q3 Q4
Q4

VSS VSS

Donner la fonction
logique des deux
circuits

20
 18/09/2018

Niveaux logiques
41

 Io  1µA : Voh  Vdd

 Io > 1 µA : voir courbes

 ∆Vi = 30% US

Courants de la famille CMOS

42
VDD
 Le courant d’entrée est nul car on attaque sur des grilles isolées
 Le courant de sortie circule à travers la résistance RDSON du MOS conducteur. Q1
 La chute de tension dans cette résistance fait que VO dépend fortement de IO
Vi Vo

Q2

VSS

21
 18/09/2018

Niveaux logique de la famille CMOS-B

Vo
Vdd
Vdd

30% haut

30% Bas

Vss Io
Vss

Immunité au bruit
44

22
 18/09/2018

Sortance

 La sortance n’est pas limitée par les courants puisque le

courant d’entrée des portes CMOS est nul.
 Mais chaque porte branchée ajoute sa capacité (7.5 pF) qui
augmente la capacité de charge ce qui détériore le temps
de propagation
 Dans la pratique, on évite de dépasser une sortance de 50

Comportement dynamique

 Le temps de propagation dépend du circuit RC constitué de RDS et de la

capacité de charge
 A chaque basculement, il faut charger ou décharger C à travers la
résistance RDS. ( = RDS C)
 Il faut Diminuer C et augmenter VDD (pour diminuer RDS)
t p(ns)
200
T=25°C

1
5V
RDS 
100
10V
K ( VGS  Vth )
15V
C L(pF)
100 200

23
 18/09/2018

Consommation
47

 En statique la porte ne consomme rien un des deux transistors est

bloqué
 Quand Vi = VT (basculement), les deux transistors conduisent
simultanément et un courant circule entre Vdd et la masse
 En haute fréquence, on a beaucoup de basculement, donc la
consommation augmente

Quelques Variantes de la famille CMOS

Serie 4000 : CMOS standard (l'ancêtre)

74C : série 4000 avec brochage TTL
74AC : advanced CMOS
74ACT : advanced CMOS compatible TTL
74HC : High-Speed CMOS Logic
74HCT : High-Speed CMOS Logic compatible TTL
74AHC : Advanced High-Speed CMOS Logic
74AHCT : Advances High-Speed CMOS Logic compatible TTL
74BCT : BiCMOS technology
74ABT : Advanced BiCMOS
74LV : Low Voltage HCMOS Technology
74LVC : Low Voltage CMOS
74ALVC : Advanced Low Voltage CMOS
74LVT : Low Voltage Technology
74ALVT : Advanced Low Voltage Technology
74ALB : Advanced Low voltage BiCMOS
74CBTLV : Low Voltage Bus Switches (Crossbar technology)

24
 18/09/2018

Pin out de la famille 74C

Les circuit la famille 74C sont les mêmes que les

circuit de la série 4000 sauf qu’il ont le même
brochage que la famille TTL
Vcc Vcc

14 13 12 11 10 9 8 14 13 12 11 10 9 8

1 2 3 4 5 6 7 1 2 3 4 5 6 7

GND GND

7400 CD 4011
74C00
74xx00

49

Les famille High Speed Cmos et Advanved CMOS

HC, HCT, AHC, AHCT, AC, ACT

 Même structure que la famille CMOS

 Transistors à grille silicium
 Technologie de fabrication plus avancée 3, 2 et 1 µm
 Capacité de grille plus faible  rapidité
 Faible consommation comme la CMOS
 Plus rapide, similaire TTL
 Courant de sortie plus important  driving capability
 Alimentation max ramenée à 6V

25
 18/09/2018

Famille BiCMOS : BCT, ABT …

Vcc Vcc
D1
D1
chute de
tension R1
Q1
R2

Q2
p
Vi Q3
M1

n contre
inverseur
réaction
Vo
d'entrée

 Avantages de CMOS : Faible consommation, courant d’entrée nul

 Avantage de Bipolaire : Courant de sortie important (Driving capability)

Interface TTL-CMOS-TTL
52

 CMOS  TLL
 Aucune interface n’est nécessaire

 TTL  CMOS
 VOH garanti par TTL = 2.4V insuffisant
pour CMOS
 La résistance de pull up garanti
 Niveau haut > 4.6V
 Niveau bas < 0.4V

26