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Exercice 1 :
Déterminer les indices de Miller des plans réticulaires définis par les ensembles de 3
noeuds de coordonnées :
1
a) noeud 1: 00 noeud 2: 0 3 0 noeud 3: 0 0 4
2
1
b) 200 0 0 001
3
c) 100 010 le plan est parallèle à [001]
Exercice 2 :
Représenter quelques rangées et plans réticulaires du système cubique.
Les rangées : [100], [110] , [111], [-1-11], [013], [323], [101], [310] [210],
Les plans : (100), (110), (101), (111), (-1-11), (111), (222), (200), (020), (021).
Exercice 3 :
Dans un cristal cubique.
a) Montre que le plan réticulaire (110) contient les rangées d’atomes [001], [110] et [111].
b) Calculer l’angle entre les directions [001] et [111].
Exercice 4 :
Donner les caractéristiques de la maille élémentaire du réseau cubique centré (c c) et du
réseau cubique à faces centrées (c f c).
Exercice 5 :
Calculer la densité réticulaire "hkl" dans les plans (100), (110) et (111) pour un réseau
cubique centré (cc) et pour un réseau cubique à faces centrées (cfc).
En déduire le plan de clivage potentiel pour chacun de ces réseaux.
Exercice 7 :
En assimilant les atomes d'un élément à des sphères dures de rayon r, calculer le taux
maximal de remplissage "" atteint quand cet élément cristallise dans une structure:
a) cubique simple b) cubique centré c) cubique à faces centrées
d) diamant e) hexagonale compacte (on calculera au préalable le rapport c/a
optimal)