La différence entre les RDIMM et LR DIMM

Aujourd'hui, en utilisant des RDIMM, un système de serveur typique peut accueillir jusqu'à
trois RDIMM à quatre rangs de 16 Go par processeur. Cependant, ce même système peut
prendre en charge jusqu'à neuf modules LRDIMM de 16 Go à quatre rangées par processeur,
ce qui fait passer la capacité de mémoire de 48 Go à 144 Go.
LRDIMM, ou Load Reduced DIMM, est un module de mémoire double en ligne à faible
charge. En ce qui concerne les modules RDIMM et LRDIMM, ces derniers n'utilisent pas de
registres mais sont simplement mis en mémoire tampon. La mise en mémoire tampon réduit la
charge énergétique de la carte mère sous-jacente mais a peu d'effet sur les performances de la
mémoire. La mémoire LRDIMM remplace la puce de registre de la mémoire RDIMM par une
puce de tampon d'isolation de la mémoire iMB (isolation Memory Buffer). L'avantage direct
est de réduire la charge du bus mémoire du serveur et d'augmenter encore la capacité de
support de la RAM du serveur.
En fait, LRDIMM peut remplacer RDIMM. Cela permet non seulement de réduire la charge
et la consommation d'énergie du bus mémoire, mais aussi de fournir la capacité maximale
prise en charge par la RAM du serveur. La consommation d'énergie du LRDIMM est
relativement faible, et il est également populaire dans le domaine des serveurs de réseau.

Que représente LR pour les mémoires DIMM

La mémoire DIMM à charge réduite (LRDIMM) est une autre nouvelle technologie de
mémoire en cours de développement. Conçu avec une puce (ou des puces) tampon pour
remplacer le registre afin de minimiser le chargement, le LRDIMM vise à augmenter la
capacité et la vitesse globales de la mémoire du système de serveur en utilisant une ou
plusieurs puces mémoire tampon par opposition à un registre.
 Le LRDIMM (Load Reduced DIMM) fonctionne de manière très similaire à un DIMM
enregistré. Il met en mémoire tampon les signaux d'adresse et de commande via la logique de
registre. Il relance l'horloge via Phase Lock Loop. La différence est qu'il met également en
mémoire tampon les lignes de données via des pilotes bidirectionnels. De cette façon, toutes
les lignes de signal sont véritablement "entièrement tamponnées" de manière parallèle.
Grâce à la mise en mémoire tampon complète de tous les signaux, vous pouvez doubler le
nombre de modules DIMM dans un système à l'aide de la méthode de réactivation
LRDIMM. Avec l'ajout des nouveaux modules à 4 rangées et de la puce à double puce, vous
pouvez atteindre jusqu'à 16 Go par canal avec LRDIMM dans le système actuel. Avec la
nouvelle construction du système à 4 canaux, 8 modules et 64 Go de mémoire au total
peuvent être atteints. Depuis que la série approchée est abandonnée, le problème de
dissipation de chaleur et de puissance n'existe plus.
 
Cependant, je vois un manque à gagner sur LRDIMM. La latence de la ligne de données
augmenterait. Un délai d'écriture/lecture sera nécessaire. Il y aura un système avec une latence
pratique de 2T et 3T. Heureusement, la plupart des applications du système serveur sont des
lectures consécutives où l'écriture n'est pas très fréquente et n'affecterait donc pas les
performances moyennes du système.

Les signaux envoyées et reçues par le contrôleur mémoires vers et depuis la

barrette DIMM
Le composant central des LRDIMM est un tampon de mémoire d’isolation (iMB), qui
fonctionne comme une mémoire Registered DIMM classique.
L’iMB prend en charge les lignes d’adresses, les signaux de contrôle et les lignes de données
proprement dites à partir du pont nord du système serveur. Grâce à cette technologie, un
LRDIMM charge beaucoup moins le serveur qu’un RDIMM

DDR3 Write and Read Leveling

DDR3 Write and Read Leveling permet à un certain mécanisme permettant au contrôleur de
mémoire d'ajuster le DQS interne afin de compenser le chargement déséquilibré sur la carte
pour les opérations d'écriture et de lecture. Cela ne compensera pas sur une base par bit,
uniquement sur une base d'octet ou DQS