Exercice 1

Exercice N˚1
1) Pour un E-NMOSFET préciser les signes de VGS , VDS et VT.
2) Donner les expressions de la résistance équivalent d’un E-NMOSFET selon son régime de
fonctionnement.
3) Comparer les deux résistances déterminées ci-dessus.
4) Donner les expressions de la pente d’un E-NMOSFET selon son régime de
fonctionnement.
5) Comparer les deux pentes déterminées ci-dessus et déterminer le régime convenable pour
un fonctionnement du E-NMOSFET en amplificateur.
6) Est-ce qu’un D-NMOSFET peut fonctionner en régime d’enrichissement? Si oui, préciser
dans quel cas?
7) Reprendre la question 6) pour le cas d’un D-PMOSFET

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Exercice 2

Exercice N˚2

1) Pour un D-MOSFET fonctionnant en régime d’appauvrissement, A quoi correspond la

tension VT ? Précisez son signe pour un D-NMOSFET et un D-PMOSFET.
2) Pour un E-MOSFET, A quoi correspond la tension VT ? Précisez son signe pour un E-
NMOSFET et un E-PMOSFET.
3) Pour un D-MOSFET fonctionnant en régime d’appauvrissement pour quelle tension VGS le
courant ID est t-il maximal? Ce courant est appelé IDSS. Donner son expression en fonction
de k et VT.

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Exercice 3

Exercice N˚3:
Soit le schéma ci-dessous.
1) Quel est le type de transistor utilisé dans le montage?
2) Pour un D-NMOSFET préciser les signes de VGS et. VDS.
3) On suppose que les équations du MOSFET données pour le cas d’un E-NMOSFET
sont valables. On suppose que VGSoff-= -2V, IDSS=4mA et gm0=2000𝜇𝑆. Déterminer
les coordonnées de points de fonctionnement.
4) Déterminer les paramètres dynamiques du Montage.
+VDD
15V

RD ID0
2 KΩ
Vout

Vi RG RL
1MΩ 10 KΩ

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