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http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_fam_tiristores/familia_tiristores.htm http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/enica_pot.htm http://www.areaelectronica.com/semiconductores-comunes/funcionamiento-tiristores.html http://www.monografias.com/trabajos78/dispositivos-control/dispositivos-control2.shtml http://www.metahuman.com.mx/tutoriales/diodo/diodo_schtky.shtml http://www.areaelectronica.com/semiconductores-comunes/funcionamiento-tiristores.

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TIRISTORES

Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn), que se utilizan para controlar grandes cantidades de corriente mediante circuitos electrnicos de bajo consumo de potencia. La palabra tiristor, procedente del griego, significa puerta. El nombre es fiel reflejo de la funcin que efecta este componente: una puerta que permite o impide el paso de la corriente a travs de ella. As como los transistores pueden operar en cualquier punto entre corte y saturacin, los tiristores en cambio slo conmutan entre dos estados: corte y conduccin. Dentro de la familia de los tiristores, trataremos en este tutorial los tipos ms significativos: Diodo Shockley, SCR (Silicon Controlled Rectifier), GCS (Gate Controlled Switch), SCS (Silicon Controlled Switch), Diac y Triac.

1- EL TIRISTOR DIODO (DIODO SHOCKLEY)

Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales: nodo y ctodo. Est constituido por cuatro capas semiconductoras que forman una estructura pnpn. Acta como un interruptor: est abierto hasta que la tensin directa aplicada alcanza un cierto valor, entonce se cierra y s permite la conduccin. La conduccin contina hasta que la corriente se reduce por debajo de un valor especfico (IH). Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor. La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A). Vrb es la tensin inversa de avalancha. Este dispositivo fue desarrollado por W. Shockley tras abandonar los Laboratorios Bell y fundar Shockley Semiconductor. Fueron fabricados por Clevite-Shockley.

Figura 1: Construccin bsica y smbolo del diodo Shockley

Figura 2: Caracterstica I -V del diodo Shockley

1.1

CARACTERISTICA TENSION-INTENSIDAD

Para comprender mejor la explicacin dada hasta este momento sobre el funcionamiento del tiristor, ser conveniente que veamos la curva caracterstica de este componente, al igual que hicimos en la seccin del diodo con dicho semiconductor, ya que esta curva nos va a aclarar posibles dudas sobre el modo de comportarse el tiristor. Esta curva la podemos ver en el grfico como un tiristor imaginario, que podemos comparar, para la mejor comprensin, con la curva caracterstica del diodo. Ahora, vemos representadas en primer lugar las caractersticas que presenta el tiristor en estado de paso de corriente directa. Hay inicialmente, una caracterstica de bloqueo en el momento del paso de la corriente en sentido directo, que viene representado por toda la lnea A. Aqu crece la tensin directa sin que el tiristor permita el paso de la corriente. Pero cuando esta alcanza un determinado punto conocido con el nombre de tensin de operacin, el tiristor permite el paso de la corriente en sentido directo, lo que se representa por la lnea ascendente B. Ahora la corriente de paso directo es elevada. Cuando la corriente directa desciende de valor se mantiene hasta la llamada corriente de retencin o corriente de mantenimiento (C), por debajo de la cual se interrumpe el paso de la corriente en sentido directo. En el sentido inverso, el tiristor se comporta como un diodo normal, es decir, impidiendo el paso de la corriente, aunque posee, al igual que el diodo Zener, un acodamiento en la curva caracterstica a la cual, no obstante y en servicio normal, no suele llegarse.

De acuerdo con lo dicho, vemos que el tiristor de u modo parecido a un diodo normal si no fuera por la 'falla' que se produce en su curva caracterstica los puntos O-C-D, como se ve en el segundo grfico en donde la corriente debe sufrir como un disparo para conseguir el paso en el sentido directo. En realidad, cuando la tensin entre nodo y ctodo crece a partir de cero (ahora nos referimos a una tensin nula entre electrodo de gobierno y ctodo) el punto representativo se desplaza por la curva O-C hasta obtener el valor V2 de la tensin con un valor de intensidad muy dbil. En el momento de llegar a V2 la conduccin en sentido directo aparece bruscamente, de modo instantneo, entre C-D de forma que aqu se mantiene la misma intensidad, pero para una tensin muy inferior. Si la tensin aumenta el paso de la corriente aumenta tambin pero muy rpidamente a travs de la curva D-B, con fuertes intensidades para tensiones muy pequeas. Para un mejor conocimiento final del tiristor vamos a hacer un resumen de su manera de actuar, para ello vamos a considerar las tres posibilidades que se le presentan y que son:

a) sin tensin en el electrodo de gobierno. b) con tensin alterna entre nodo y ctodo. c) con tensin positiva aplicada al electrodo de gobierno. a) El funcionamiento es el explicado anteriormente y corresponde al trazo grueso de la curva del ltimo grfico. En resumen podemos decir: Si el valor de la tensin se mantiene a la izquierda del punto V1 existe una avalancha tipo Zener en sentido inverso; pero si la tensin se mantiene entre V1 y O solamente puede existir una ligera corriente de fuga en sentido inverso de valor despreciable. Entre O y V2 no hay corriente de paso directo (salvo una despreciable corriente de fuga). En el punto V2 se produce el cebado y el tiristor permite el paso de grandes corrientes por D-B. Para que el paso de la corriente se interrumpa se precisa que la intensidad baje por debajo de los valores de la corriente de mantenimiento (I1) que corresponde a los puntos D-C. En este momento el tiristor se bloquea instantneamente. b) El tiristor es ante todo es un diodo rectificador de modo que se utiliza tambin formando parte de puentes de diodos rectificadores en los alternadores. Dadas las caractersticas expuestas hasta ahora cabe preguntarse: Cmo acta este elemento frente a una corriente alterna que aplica, por consiguiente una tensin alterna entre nodo y ctodo en donde las tensiones estn comprendidas entre V1 y V2? La respuesta es sencilla. Se comporta como un diodo normal porque al llegar la tensin a V2 cierra el circuito y se hace pasante. c) Si la tensin positiva se aplica al electrodo de electrodo el circuito O-C-D queda sustituido por O-C1-D1, de modo que se modifica sus caractersticas de disparo a la corriente directa. Pero segn el valor de las tensiones sobre el electrodo de disparo se tendran valores como O C2-D2 o bien O-C3-D3, etc. De ello se deduce que el cebado producido para el paso de la corriente directa es permitido o facilitado por la existencia de una tensin e el electrodo de gobierno. Esta nueva faceta del tiristor ser tambin de gran inters ara muchas de sus aplicaciones.

2- EL DIAC (TIRISTOR DIODO BIDIMENSIONAL)


DIAC (Diode Alternative Current). Diodo de disparo bidireccional Control potencia en corriente alterna (AC) de

Definicin:
El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin). Tiene dos terminales: MT1 y MT2. Ver el diagrama.

El DIAC se comporta como dos diodos Zener conectados en serie, pero orientados en formas opuestas. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de tensin del Zener que est conectado en sentido opuesto. El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. La conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza. Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de fase. El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras haberse superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una tensin de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lmpara de nen. Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra clase de tiristor. Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y ctodo. Acta como un interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts segn la referencia. Existen dos tipos de DIAC:
y

DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la unin del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, producindose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones.

DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo, lo que le da la caracterstica bidireccional.

DIAC (Diodo Inte tor de Corriente Alterna : Este es un dis ositivo controlado por voltaje el cual se comporta como dos diodos zener puestos en contraparalelo, como ya lo dijimos: cuando el voltaje de cualquier polaridad entre sus dos terminales e cede el valor especificado, entra en avalanc a y disminuye su resistencia interna a un valor muy bajo. Esto significa que, si es colocado en paralelo con la salida de una fuente de corriente alterna podr recortar todos los picos positivos y negativos que pasen del voltaje del umbral del diac. Si es puesto en serie, solamente dejar pasar corriente cuando lleve ms tensin que la del gatillado para triacs en circuitos de corriente alterna. El dispositivo tiene un rango simtrico de conmutacin(en ambos sentidos) de 20 a 40 voltios, tensin que usualmente e cede el punto de umbral del gate de los triacs, de tal forma que estos trabajan siempre en un nivel seguro. Si bien es cierto que el SCR se puede acondicionar para el manejo de cargas alimentadas con corriente alterna, es un hecho que tal cosa no es del todo prctica ni econmica. Si se colocan 2 SCR en contraparalelo se necesitan dos circuitos de control independientes para el manejo de sus compuertas, lo cual le resta precisin al dise o y por ende, aumenta los riesgos de fallas. El dise o de los primeros TRIACs fue la respuesta a la necesidad industrial de dispositivos tiristores que pudieran controlar en fase todo el ciclo de una onda de corriente alterna, incorporando las funciones de 2 SCRs dentro de una sola pastilla semiconductora, y ambos controlados por un solo gate. Las caractersticas de compuerta(gate) del TRIAC son muy diferentes de aquellas para dos SCR en contraparalelo, para los SCR, se debe aplicar una se al positiva de control entre el Gate 1 y el terminal principal 1 cuando el terminal Principal 1 es negativo, y entre el Gate 2 y el terminal Principal 2 sea negativo. Este mtodo de operacin requiere de dos circuitos separados de compuerta.

Diodo Z n El diodo Zener es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas, recibe ese nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener. El diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura. Son mal llamados a veces diodos de avalancha, pues presentan comportamientos similares a estos, pero los mecanismos involucrados son diferentes. Caract rsticas Si a un diodo Zener se le aplica una corriente elctrica de nodo al Ctodo toma las caractersticas de un diodo rectificador bsico. Pero si se le suministra una corriente inversa, el diodo solo dejara pasar un voltaje constante. En conclusin: el diodo Zener debe ser polarizado al revs para que adopte su caracterstica de regulador de tensin.y su simbolo es como un diodo normal pero tiene 2 terminales a los lados. Este diodo no se comporta como un diodo convencional en condiciones de alta corriente, porque cuando recibe demasiada corriente este no se quema sino que se apaga
Tipo Semiconductor Smbolo electrnico Configuracin nodo y Ctodo (se polariza inversamente, con respecto al diodo convencional)

La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin

En la curva caracterstica se observa que cuando - +V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un circuito abierto - +V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un cortocircuito Sus principales caractersticas son: - Tensin de disparo - Corriente de disparo - Tensin de simetra (ver grafico anterior) - Tensin de recuperacin - Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5 a 1 watt.)

2.

ESTRUCTURA.



Figur 2 : Estru tur bsi


  

del DIAC.

En la curva caracterstica tensin-corriente se observa que: - V(+ -) < Vb0 , el elemento se comporta como un circuito abierto. - V(+ -) > Vb0 , el elemento se comporta como un cortocircuito. Hasta que la tensin aplicada entre sus extremos supera la tensin de disparo Vb0; la intensidad que circula por el componente es muy pequea. Al superar dicha tensin la corriente aumenta bruscamente, disminuyendo como consecuencia la tensin.

4. CARACTERSTICAS GENERALES Y APLICACIONES.


Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del triac, de forma que solo se aplica tensin a la carga durante una fraccin de ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminacin con intensidad variable, calefaccin elctrica con regulacin de temperatura y algunos controles de velocidad de motores. La forma ms simple de utilizar estos controles es empleando el circuito representado en la Figura 3, en que la resistencia variable R carga el condensador C hasta que se alcanza la tensin de disparo del DIAC, producindose a travs de l la descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en conduccin. Este mecanismo se produce una vez en el semiciclo positivo y otra en el negativo. El momento del disparo podr ser ajustado con el valor de R variando como consecuencia el tiempo de conduccin del TRIAC y, por tanto, el valor de la tensin media aplicada a la carga, obtenindose un simple pero eficaz control de potencia.

Figura 3: Disparo de TRIAC mediante un DIAC.

http://www.i ele.ufr .cl/bmonteci/semic/applets/pag_diac/diac.htm#1.%20%20 %20%20DEFINICI%C3%93N.

El diac no es realmente un semiconductor de potencia, ya que no aguanta grandes corrientes ni tensiones. Es un componente de dos terminales que permite la conduccin en ambos sentidos una vez que se ha sobrepasado cierto umbral de tensin entre los terminales A1 y A2. La figura 3.37 muestra la estructura, smbolo y curva caracterstica del Diac

Figura 8.2. Estructura, smbolo y curva caracterstica de un diac.

La tensin e intensidad de ruptura son del orden de 30 V y 100 mA respectivamente. Adems, su gran simetra hace que no exista una diferencia mayor de 2 V entre la tensin directa de rupura y la inversa.

El diac es un dispositivo especialmente indicado para su empleo en los circuitos de disparo de los tiristores. Casi todos los circuitos que lo emplean descargan un condensador sobre la puerta del componente a disparar a travs del diac.
http://www.uma.es/investigadores/grupos/electronica_potencia/index.p hp?option=com_content&view=article&catid=14%3Abloque -1semiconductores&id=38%3A82-el-diac&Itemid=73

3- EL TIRISTOR DIODO (TIRISTOR) SCR


SCR (Rectificador controlado de silicio) http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_scr/pag_scr.htm

1. DEFINICIN.
Tiristor es un elemento semiconductor muy utilizado para controlar la cantidad de potencia que se entrega a una carga. El SCR (Rectificador controlado de silicio) es un dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal. El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn (Figura 2). Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

Analizando los diagramas: A = nodo, G = compuerta o Gate y C = K = ctodo

Figura 1: Smbolo del SCR.

2.

ESTRUCTURA.

Figura 2 : Estructura bsica del SCR.

Funcionamiento bsico del SCR El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su funcionamiento. Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y...... Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR. Los parmetros del SCR son:

- VRDM: Mximo voljaje inverso de cebado (VG = 0) - VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0) - IF: Mxima corriente directa permitida. - PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo. - VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado - IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR - dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado. - di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR. Nota: dv/dt, di/dt: Ver parmetros del SCR en SCR en corriente continua
http://www.unicrom.com/Tut_scr.asp http://www.unicrom.com/Tut_scr-alterna.asp http://ccpot.galeon.com/productos1737084.html

Curva caracterstica del SCR

En la figura inferior de muestra la dependencia entre el voltaje de conmutacin y la corriente de compuerta. Cuando el SCR est polarizado en inversa se comporta como un diodo comn (ver la corriente de fuga caracterstica que se muestra en el grfico). En la regin de polarizacin en directo el SCR se comporta tambin como un diodo comn, siempre que el SCR ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y E. Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de nodo a ctodo es menor (VC).

Si la IG disminuye, el voltaje nodo-ctodo aumenta. (ver el punto B y A, y el voltaje anodo-ctodo VB y VA). Concluyendo, al disminuir la corriente de compuerta IG, el voltaje nodo-ctodo tender a aumentar antes de que el SCR conduzca (se ponga en On / est activo)

http://www.unicrom.com/Tut_scr_curva_caracteristica.asp

4- EL TIRISTOR TRIODO BIDIRECCIONAL (TRIAC)


http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_triac/triac.htm

1. DEFINICIN.

El TRIAC (Triode for Alternative Current) es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El TRIAC puede ser disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa.

Figura 1: Smbolo del TRIAC.

En la Figura 1 se muestra el smbolo esquemtico e identificacin de las terminales de un triac, la nomenclatura nodo 2 (A2) y nodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por Terminal Principal 2 (T2) y Terminal Principal 1 (T1) respectivamente.

2. ESTRUCTURA.

Figura 2 : Estructura bsica del TRIAC.

La estructura contiene seis capas como se indica en la Figura 2, aunque funciona siempre como un tiristor de cuatro capas. En sentido T2-T1 conduce a travs de P1N1P2N2 y en sentido T1-T2 a travs de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. La complicacin de su estructura lo hace ms delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre intensidades. Se fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 (A) eficaces y desde 400 a 1000 (V) de tensin de pico repetitivo. Los TRIAC son fabricados para funcionar a frecuencias bajas; los fabricados para trabajar a frecuencias medias son denominados alternistores.

El TRIAC acta como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en paralelo Figura 3, este dispositivo es equivalente a dos "latchs"( transistores conectados con realimentacin positiva, donde la seal de retorno aumenta el efecto de la seal de entrada).

Figura 3.

La diferencia ms importante que se encuentra entre el funcionamiento de un triac y el de dos tiristores es que en este ltimo caso cada uno de los dispositivos conducir durante medio ciclo si se le dispara adecuadamente, bloquendose cuando la corriente cambia de polaridad, dando como resultado una conduccin completa de la corriente alterna. ElTRIAC, sin embargo, se bloquea durante el breve instante en que la corriente de carga pasa por el valor cero, hasta que se alcanza el valor mnimo de tensin entre T2 y T1, para volver de nuevo a conducir, suponiendo que la excitacin de la puerta sea la adecuada. Esto implica la perdida de un pequeo ngulo de conduccin, que en el caso de cargas resistivas, en las que la corriente esta en fase con la tensin, no supone ningn problema. En el caso de cargas reactivas se debe tener en cuenta, en el diseo del circuito, que en el momento en que la corriente pasa por cero no coincide con la misma situacin de la tensin aplicada, apareciendo en este momento unos impulsos de tensin entre los dos terminales del componente.

http://www.uma.es/investigadores/grupos/electronica_potencia/laborat orio/index.php?option=com_content&view=artic le&id=62&Itemid=103