Chapitre II : Transistor à effet de champ « JFET »

Chapitre II : Transistor à effet de champ « JFET »

Plan :
Chapitre II : Transistor à effet de champ « JFET » ................................... Error! Bookmark not defined.
I. Généralités sur le transistor à effet de champ ........................................................................ 2
I.1 Définition ............................................................................................................................ 2
I.2 Symbole du JFET .............................................................................................................. 2
I.3 Type de JFET..................................................................................................................... 2
I.4 Principe de fonctionnement du JFET .............................................................................. 3
I.5 Réseau de caractéristique du JFET à canal N ................................................................ 4
II. Polarisation du JFET ............................................................................................................ 7
III. JFET EN régime dynamique ................................................................................................ 8
III.1 Schéma équivalent en régime variable ............................................................................ 8
III.2 Montages fondamentaux ................................................................................................. 10
IIII.2 Etude du montage Source Commune « SC » ............................................................ 10
a. Schéma équivalent en dynamique ...................................................................................... 11
b. Calcul du gain en tension .................................................................................................... 11
c. Calcul de l’impédance d’entrée .......................................................................................... 12
d. Calcul de l’impédance de sortie.......................................................................................... 12
IV.3 Etude du montage Drain Commun « DC » ................................................................... 13
a. Schéma équivalent en dynamique du montage DC .......................................................... 13
b. Calcul du gain en tension du montage DC ........................................................................ 13
c. Calcul de l’impédance d’entrée du montage DC .............................................................. 14
d. Calcul de l’impédance de sortie du montage DC .............................................................. 14
II.4 Etude du montage grille commune « GC » ................................................................... 15
a. Schéma équivalent en dynamique du montage GC .......................................................... 15
b. Calcul du gain en tension du montage BC ........................................................................ 16
c. Calcul de l’impédance d’entrée du montage GC .............................................................. 16
d. Calcul de l’impédance de sortie du montage GC.............................................................. 17
II.5 Comparaison des montages ............................................................................................ 17
II.6 Comparaison entre JFET et Transistor bipolaire ........................................................ 18
IV. Etude du JFET en basse fréquence .................................................................................... 18
IV.1. Influence de la capacité de liaison à l’entrée ............................................................. 19
V. JFET en haute fréquence ........................................................................................................ 22
VI. JFET en commutation analogique ..................................................................................... 26

1 Cours d’Electronique Analogique

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I. Généralités sur le transistor à effet de champ

I.1 Définition
Dans un Transistor à Effet de Champ à jonctions (TEC), le courant est créé par le déplacement
d'un seul type de porteurs soit les électrons (e), soit les trous (p). C’est un composant
unipolaire

I.2 Symbole du JFET

Le transistor à effet de champ à jonctions (Junction Field Effect Transistor : JFET) comporte
trois électrode :

Figure 1: Symbole du JFET

 Une électrode qui injecte les porteurs dans la structure : la Source (S).
 Une électrode qui recueille les porteurs : le Drain (D).
 Une électrode ou est appliquée la tension de commande : la Grille (G) appelée aussi
GATE.
I.3 Type de JFET
Il existe deux type de structure des Transistors JFET:
 JFET à canal N « NFET » les porteurs des charges majoritaires sont les électrons (é).

Figure 2: JFET à canal N

La grille et le canal forment une jonction PN ; la flèche correspondante est orientée dans le sens
passant de cette jonction.

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 JFET à canal P « PFET » les porteurs des charges majoritaires sont les trous (p).

Figure 3: JFET à canal N

I.4 Principe de fonctionnement du JFET

Le fonctionnement normal du JFET nécessite:
 𝑽𝑮𝑺 < 0 la jonction Grille – Source est polarisée en Inverse produisant ainsi deux
zones de déplétion autour des jonctions. Ces zones ne contiennent pas des porteurs et
leur épaisseur augmente avec 𝑉𝐺𝑆 et aussi avec 𝑉𝐷𝑆 . Les électrons, qui sont les porteurs
mobiles de charge circulent dans le canal dont la largeur est contrôlée par la tension
𝑉𝐺𝑆 <0.

S
Si la tension 𝑽𝑫𝑺 > 0 , un courant 𝑰𝑫 circule dans le canal dans le sens Drain vers la Source.
Si la grille est au même potentiel que la source 𝑽𝑮𝑺 = 0 , le courant 𝑰𝑫 qui passe dans le canal
est maximal et prend la valeur particulière notée 𝑰𝑫𝑺𝑺 (courant de saturation du tansistor)
Plus la valeur de |𝑽𝑮𝑺 | augmente, plus la zone de déplétion dépourvue d’électrons augmente
plus la résistance de canal 𝑹𝑫𝑺 augmente, par conséquence le courant 𝑰𝑫 diminue.

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Quand 𝑽𝑮𝑺 = 𝑽𝑷 , le canal est complètement pincé est donc le courant 𝑰𝑫 = 0, (𝑽𝑷 est appelée
tension de pincement ).
Remarque
Pour le même type de transistor à effet de champs on a une dispersion importante des
paramètres: -8V ≤ 𝑽𝑷 ≤ -2V et 4mA ≤ 𝑰𝑫𝑺𝑺 ≤ 16mA
Sachant que 0 ≤ 𝑽𝑮𝑺 ≤ 𝑽𝑷 et 𝑰𝑫𝑺𝑺 ≥ 𝑰𝑫 ≥ 𝟎
Les paramètres 𝑰𝑫𝑺𝑺 et 𝑽𝑷 sont des caractéristiques des JFET.

I.5 Réseau de caractéristique du JFET à canal N

On procède au relevé des caractéristiques en utilisant le montage de la figure 4.

Figure 4 : Montage du relevé des caractéristiques

En fonctionnement normal la jonction grille–canal est polarisée en inverse : le courant d’entrée

𝑰𝑮 est très faible et les courants drain et source sont identiques.
La figure 5 représente les caractéristiques de transfert:

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Figure 5: Réseau de caractéristiques du JFET

a. Caractéristique de sortie 𝑰𝑫 = f(𝑽𝑫𝑺 ) :

Dans le réseau des caractéristiques de sortie on observe quatre zones différentes.

Figure 6: Caractéristique de sortie

 zone linéaire dite résistive (O) : Le transistor JFET se comporte comme une résistance
ohmique variable contrôlée par 𝑽𝑮𝑺 obtenue pour des valeurs de 𝑽𝑫𝑺 faibles < 𝑽𝑷 .

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 Coude (C) : Cette zone est due au début de pincement du canal.

 Zone de saturation : dans cette zone le courant 𝑰𝑫 est maximal et reste constant. le
transistor est équivalent à un générateur de courant commandé par tension 𝑽𝑮𝑺

𝒈𝒎 et 𝑅𝐷𝑆 sont des paramètres du transistor.

 Zone d’avalanche : Elle résulte d'un claquage inverse de la jonction drain-grille. Ce
claquage est destructeur du dispositif si rien ne limite le courant drain.

b. caractéristiques d’entrée 𝑰𝑫 = f(𝑽𝑮𝑺 )

Figure 7: caractéristique d'entrée

Pour une tension 𝑽𝑫𝑺 donnée, le courant de drain 𝑰𝑫 varie en fonction de la tension 𝑽𝑮𝑺 selon
l’équation suivante :
𝟐
𝑽𝑮𝑺
𝑰𝑫 =𝑰𝑫𝑺𝑺 (𝟏 − 𝑽 )
𝑮𝑺𝒐𝒇𝒇

Avec 𝑽𝑮𝑺𝒐𝒇𝒇 : tension de blocage (𝑰𝑫 = 0, ∀ 𝑽𝑫𝑺 ),

𝐕𝐆𝐒𝐨𝐟𝐟 = -𝐕𝐏 ( 𝐕𝐏 est la tension du pincement)

REMARQUE:

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La tension 𝑽𝑮𝑺 est toujours négative la jonction Grille-Source est polarisée en inverse donc
𝑰𝑮 ≈ 0 et la résistance entre G et la S est infini (circuit ouvert)
le Transistor à effet de champs est commandée par tension 𝑽𝑮𝑺 :
 à 𝑽𝑮𝑺 = 0 , le courant 𝑰𝑫 qui passe dans le canal est maximal donc 𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 =
courant de saturation du tansistor)
 Quand 𝑽𝑮𝑺 = 𝑽𝑷 , le canal est complètement pincé est donc 𝑰𝑫 = 0, 𝑽𝑷 est appelée
tension de pincement

Les paramètres 𝑰𝑫𝑺𝑺 et 𝑽𝑷 sont des caractéristiques des JFET.

 𝑽𝑷 ≤ 𝑽𝑮𝑺 ≤𝟎 Et 0 ≤ 𝑰𝑫 ≤ 𝑰𝑫𝑺𝑺
 Pour le même type de transistor à effet de champs on a une dispersion importante des
paramètres : -8V ≤ 𝑽𝑷 ≤ -2V et 4mA ≤ 𝑰𝑫𝑺𝑺 ≤ 16mA

II. Polarisation du JFET

Polariser un JFET revient à l’insérer dans un montage de sorte que son point de fonctionnement,
en régime continu, soit situé dans sa zone de fonctionnement linéaire. Pour un JFET, il faudra
que : –𝑽𝑷 < 𝑽𝑮𝑺 ≤ 0 et 𝑽𝑫𝑺 ≥ 0

Figure 8

La grille est reliée à la masse par une résistance RG de forte valeur. Donc le courant grille est
nul (𝑰𝑮 = 0), le potentiel de grille est nul. (la tension aux bornes de 𝑹𝑮 est sensiblement nulle)
En utilisant loi des nœuds on a
𝐼𝑆 + 𝐼𝐺 = 𝐼𝐷 𝐼𝑆 = 𝐼𝐷 , 𝑐𝑎𝑟 𝐼𝐺 = 0

En utilisant loi des mailles on a

𝑹𝑺 𝑰𝑺 + 𝑽𝑮𝑺 = 𝑹𝑮 𝑰𝑮 = 0 𝑽𝑮𝑺 = −𝑹𝑺 𝑰𝑫 < 0

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Le montage crée donc sa propre polarisation en utilisant la tension aux bornes de 𝑅𝑆 pour
polariser la grille en inverse.
𝑅𝐺 permet de réaliser une polarisation automatique.

 Droite de charge statique 𝑰𝑫 = f(𝑽𝑫𝑺 )

𝑽𝑫𝑺 𝑬𝑫
A partir de la figure 3 on a ED=R D ID + VDS + R S ID ID = − R +R
D +R𝑆 D +R𝑆

Pour tracer cette droite on prend deux points :

𝑬𝑫
A (ID = 0, 𝑽𝑫𝑺 = 𝑬𝑫 ) et B ( ID = R , 𝑽𝑫𝑺 = 𝟎)
D +R𝑆

Figure 9: droite de charge statique

Le point de fonctionnement est l’intersection entre la droite de charge et la caractéristique de

sortie à 𝑉𝐺𝑆 = cte. Ce point doit être placer dans la zone linéaire de la caractéristique.
Dans la figure 9, nous avons tracer le point de fonctionnement à 𝑉𝐺𝑆 =0. La meilleure position
de ce point est :
𝑬 𝑫 − 𝑽𝑷
𝐕𝐃𝐒𝟎 = + 𝑽𝑷
𝟐

III. JFET EN régime dynamique

III.1 Schéma équivalent en régime variable
En régime variable le transistor à effet de champ est équivalent à un quadripôle comme le
montre la figure 9.
Cette étude consiste à analyser le fonctionnement d'un transistor
polarisé en zone de
saturation lorsqu'on applique de petites variations à l'une des
grandeurs électriques.

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Figure 10

i 1
Y11 = vG |vDS=0 = R : Admittance d’entrée du transistor
GS GS

i
Y12 =v G |vGS=0 ≈ 0
DS

i
Y21 =vD |vDS=0 = g m : La transconductance
GS

i 1
Y22 =v D |vGS=0 = R : Admittance de sortie du transistor
DS DS

En régime variable le transistor à effet de champ est traduit schématiquement la relation

générale :
1
𝑰𝑮 = 𝑹 𝑽𝑮𝑺
𝑮𝑺

1
𝑰𝑫 = 𝒈𝒎 𝑽𝑮𝑺 + 𝑽
𝑹𝑫𝑺 𝑫𝑺

Le schéma équivalent de JFET est représenté sur la fig. 11

Figure 11 : Schéma équivalent du JFET en dynamique

9 Cours d’Electronique Analogique

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Or : 𝑹𝑮𝑺 →∞ et dans la plupart des cas 𝑹𝑫𝑺 →∞, donc le schéma équivalent simplifié devient:

Figure 12: schéma équivalent du transistor quand 𝑹𝑫𝑺 →∞,

En entrée, on applique une tension VGS et le courant consommé est nul. En sortie le FET se
comporte comme un générateur de courant d’intensité 𝒈𝒎 𝑽𝑮𝑺.
III.2 Montages fondamentaux
Comme pour les transistors bipolaires, il existe 3 montages fondamentaux du transistor à effet
de champ. Le nom du circuit indique quelle borne du transistor est commune à l’entrée et à la
sortie du montage. Ces circuits sont présentés brièvement ci-dessous.
Transistor JFET Transistor Bipolaire

Type entrée sortie Type entrée sortie

Source commune Grille Drain Emetteur commun Base Collecteur

Drain commun Grille Source Collecteur commun Base Emetteur

Grille commune Source Collecteur Base commune Emetteur Collecteur

IIII.2 Etude du montage Source Commune « SC »

On considère le transistor monté en Source commune (l’entrée : Grille ; la sortie : Drain)
comme le montre la figure13.

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Figure 13: Montage source commune

a. Schéma équivalent en dynamique

Pour obtenir le schéma en régime variable de faible signaux il faut :

 Relier toutes les sources de tension continue à la masse (potentiel nul):
 En moyenne fréquence, remplacer tous les condensateurs de liaison et de découplage
par un fil. Leurs impédances sont supposées négligeables vis-à-vis des résistances du
montage
 Remplacer les transistors par leurs schémas équivalents
Donc le schéma équivalent du montage source commune en régime dynamique, sachant que
𝑹𝑫𝑺 →∞, devient :

Figure 14: Montage Source commune, schéma équivalent en régime dynamique

b. Calcul du gain en tension

𝑣
Gain en tension : 𝐆𝐯 ou 𝑨𝐯 = 𝑣𝑠
𝑒

En utilisant la maille d’entrée on a 𝒗𝒆 = 𝑽𝑮𝑺

En utilisant la maille de sortie on a 𝒗𝒔 = −(𝑹𝑫 // 𝑹𝑼 ) 𝒈𝒎 𝑽𝑮𝑺

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(𝑹𝑫 // 𝑹𝑼) 𝒈𝒎 𝑽𝑮𝑺

D’où : 𝑨𝒗 = − = −(𝑹𝑫 // 𝑹𝑼 ) 𝒈𝒎
𝑽𝑮𝑺

Le signe «-» indique que 𝑣𝑒 et 𝑣𝑠 sont en opposition de phase.

c. Calcul de l’impédance d’entrée

L’impédance d’entrée 𝑍𝑒 est l’impédance du circuit vue de l’extérieur en « regardant vers

l’entrée »
Pour calculer l’impédance d’entrée en utilisant la méthode directe, nous devons se placer au
niveau de la tension d’entrée 𝑉𝑒

Figure 15: la méthode directe de calcul de 𝑍𝑒

En se reportant à la figure 15, nous voyons que : 𝐙𝐞 =𝐑 𝐆

d. Calcul de l’impédance de sortie

𝒗𝒔
L’impédance de sortie 𝒁𝒔 = |𝒆𝒈=0, à vide
𝒊𝒔

En utilisant la méthode directe, nous devons se placer au niveau de la tension d’entrée 𝑉𝑠 .

D’après la figure , nous voyons que 𝒁𝒔 = 𝑹𝑫

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IV.3 Etude du montage Drain Commun « DC »

Dans ce cas, le Drain est commun à l’entrée et à la sortie. Le transistor est attaqué par la grille,
et la charge est placée entre la source et la masse.

Figure 16: Montage Drain commun

a. Schéma équivalent en dynamique du montage DC

En remplaçant les condensateurs par des fils et en court-circuitant le +Vcc. Le schéma

équivalent en régime dynamique devient :

Figure 17: Montage Drain commun, schéma équivalent en régime dynamique

b. Calcul du gain en tension du montage DC

𝑣
Gain en tension : 𝐆𝐯 ou 𝑨𝐯 = 𝑣𝑠
𝑒

13 Cours d’Electronique Analogique

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En se reportant à la figure ci-dessus, on a 𝒗𝒔 = (R S // R U ) g m VGS (1)

Et 𝒗𝒆 = 𝒗𝒔 + 𝑽𝑮𝑺
Donc 𝑽𝑮𝑺 = 𝒗𝒆 - 𝒗𝒔 (2)
Remplaçons (2) dans (1) on trouve
𝒗𝒔 = (𝑹𝑺 // 𝑹𝑼 ) 𝒈𝒎 (𝒗𝒆 - 𝒗𝒔 )
𝒗𝒔 + (𝑹𝑺 // 𝑹𝑼 ) 𝒈𝒎 𝒗𝒔 =(𝑹𝑺 // 𝑹𝑼 ) 𝒈𝒎 𝒗𝒆
𝒗𝒔 (𝑹𝑺 // 𝑹𝑼 ) 𝒈𝒎
𝑨𝐯 = =
𝒗𝒆 𝟏 + (𝑹𝑺 // 𝑹𝑼 ) 𝒈𝒎
c. Calcul de l’impédance d’entrée du montage DC

Pour calculer facilement la résistance d’entrée du montage, nous utilisons la méthode directe,
nous devons se placer au niveau de la tension d’entrée 𝑉𝑒

Nous voyons que : 𝑍𝑒 =𝑅𝐺 .

d. Calcul de l’impédance de sortie du montage DC

Pour calculer Zs on doit court-circuiter le générateur de tension variable et débrancher la charge

14 Cours d’Electronique Analogique

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En utilisant la méthode directe, nous devons se placer au niveau de la tension d’entrée 𝑉𝑠 .

Nous voyons que : 𝑍𝑠 =𝑅𝑆 //𝑍′𝑠 . Où 𝑍′𝑠 défini l’impédance du reste de circuit
𝑣𝑠 𝑣𝑠
𝒁′𝒔 = =
𝒊 -𝒈𝒎 𝑽𝑮𝑺
Or on a 𝒗𝒔 = 𝒗𝒆 − 𝑽𝑮𝑺 = 𝑹𝑮 ∗ 𝒊𝒆 − 𝑽𝑮𝑺
On sait que 𝒆𝒈 = 𝟎 𝑽 𝒅𝒐𝒏𝒄 𝒊𝒆 =0A

Donc 𝒗𝒔 = −𝑽𝑮𝑺
𝒗𝒔 −𝑽𝑮𝑺 𝟏
L’expression de 𝒁′𝒔 devient : 𝒁′𝒔 = -𝒈 =-𝒈 =𝒈
𝒎 𝑽𝑮𝑺 𝒎 𝑽𝑮𝑺 𝒎

𝟏
alors la résistance de sortie du montage CC est 𝒁𝒔 = 𝑹𝑺 // 𝒁′𝒔 = 𝑹𝑬 // 𝒈
𝒎

II.4 Etude du montage grille commune « GC »

Dans ce cas, la grille est commune à l’entrée et à la sortie. Le transistor est attaqué par la source,
et la charge est placée entre le drain et la masse.

Figure 18: Montage grille commune

a. Schéma équivalent en dynamique du montage GC

15 Cours d’Electronique Analogique

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En remplaçant les condensateurs par des fils et en court-circuitant le +Vcc. Le schéma

équivalent en régime dynamique devient :

Figure 19: Montage grille commune, schéma équivalent en régime dynamique

b. Calcul du gain en tension du montage BC

𝑣
Gain en tension : 𝐆𝐯 ou 𝑨𝐯 = 𝑣𝑠
𝑒

En se reportant à la figure ci-dessus, on a 𝒗𝒆 = −𝑽𝑮𝑺

Et 𝒗𝒔 = −(𝑹𝑫 // 𝑹𝑼 ) 𝒈𝒎 𝑽𝑮𝑺
𝑣 −(𝑹𝑫 // 𝑹𝑼 ) 𝒈𝒎 ∗𝑽𝑮𝑺
alors le gain du montage BC est 𝑨𝐯 = 𝑣𝑠 = =(𝑹𝑫 // 𝑹𝑼 ) 𝒈𝒎
𝑒 −𝑽𝑮𝑺

c. Calcul de l’impédance d’entrée du montage GC

Pour calculer l’impédance d’entrée en utilisant la méthode directe, nous devons se placer au
niveau de la tension d’entrée 𝑉𝑒

Nous voyons que : 𝑍𝑒 =𝑅𝑆 // 𝑍 ′ 𝑒

Où 𝑍′𝑒 défini l’impédance du reste de circuit

16 Cours d’Electronique Analogique

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𝑣𝑒 𝑣𝑒 −𝑉𝐺𝑆
𝒁′ 𝒆 = = =
𝒊 -𝒈𝒎 𝑽𝑮𝑺 -𝒈𝒎 𝑽𝑮𝑺
1
𝒁′𝒆 =
𝒈𝒎
𝟏
Alors l’impédance d’entrée du montage BC est 𝒁𝒆 =𝑹𝑺 // 𝒁′𝒆 = 𝑹𝑺 // 𝒈
𝒎

d. Calcul de l’impédance de sortie du montage GC

Pour calculer Zs on doit court-circuiter le générateur de tension variable et débrancher la charge

En utilisant la méthode directe, nous devons se placer au niveau de la tension d’entrée 𝑉′𝑠 .
Nous voyons que : 𝑍𝑠 =𝑅𝐷 //𝑍′𝑠 .
𝑣𝑠
Où 𝑍′𝑠 défini l’impédance du reste de circuit 𝒁′𝒔 = 𝒈
𝒎 𝑽𝑮𝑺

Or on a : 𝑽𝑮𝑺 = 𝟎

𝑣𝑠
D’où 𝒁′𝒔 = 𝒈 →∞
𝒎 𝑽𝑮𝑺

Alors l’impédance de sortie du montage GC est 𝒁𝒔 =𝑹𝑫

II.5 Comparaison des montages
Le tableau 1 résume le fonctionnement des amplificateurs à source commune (SC), à drain
commun (DC) et à grille commune (GC).

17 Cours d’Electronique Analogique

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Source commune Drain commun Grille commune

(Montage inverseur) (Montage suiveur) (Montage non
inverseur)

Gain en tension 𝑨𝐯 (𝑹 // 𝑹𝑼 ) 𝒈𝒎 𝑨𝐯
𝑨𝐯 = 𝟏+(𝑹𝑺 ≈
// 𝑹𝑼 ) 𝒈𝒎
= −(𝑹𝑫 // 𝑹𝑼 ) 𝒈𝒎 𝑺 = (𝑹𝑫 // 𝑹𝑼 ) 𝒈𝒎
1
Impédance d’entrée Très Elevée Elevée Faible
𝐙𝐞 = 𝐑 𝑮 𝐙𝐞 = 𝐑 𝑮 1
𝐙𝐞 = R S //
𝒈𝒎
Impédance de sortie Assez élevée Très faible Moyenne
𝒁𝒔 = 𝑹 𝑫 1 𝒁𝒔 = 𝑹𝑫
R S //
𝒈𝒎
Utilisation Amplificateur Adaptateur Rarement utilisé (à
De tension d’impédance cause de son Ze

Tableau1 : Tableau comparatif des différents montages

II.6 Comparaison entre JFET et Transistor bipolaire

Transistor Bipolaire Transistor à effet de champ

Son fonctionnement repose sur deux types de Son fonctionnement repose sur un seul type
porteurs les trous et les électrons de porteurs les trous ou les électrons:
Transistor unipolaire

Contrôler par Courant 𝒊𝒃 Contrôler par tension 𝑽𝑮𝑺

Possède 3 montages fondamentaux Possède 3 montages fondamentaux

Impédance d’entrée faible (vue le montage Impédance d’entrée très forte (vue le
base commune) montage grille commune)

Tableau2 : Tableau comparatif entre Transistor bipolaire et JFET

IV. Etude du JFET en basse fréquence

Tout amplificateur possède une plage d’utilisation limitée en fréquence due principalement aux
condensateurs (interne ou externe)

18 Cours d’Electronique Analogique

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Figure 20: le gain G en fonction de la fréquence:

Les condensateur externes (condensateurs de liaisons et de découplage) présente une impédance

non négligeable (donc ne joue pas le rôle d’un fil).
Les condensateurs externes imposent au circuit une fréquence basse limite 𝐟𝐁 en dessous de
laquelle le signal diminue.

Le schéma équivalent du transistor en basse fréquence est identique à celui utilisé en moyenne
fréquence.

Or : 𝑹𝑮𝑺 →∞ et dans la plupart des cas 𝑹𝑫𝑺 →∞, donc le schéma équivalent simplifié devient:

IV.1. Influence de la capacité de liaison à l’entrée

19 Cours d’Electronique Analogique

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Nous prendrons comme exemple le montage Source commune. On néglige l’influence des
condensateurs de liaison 𝐶2 et de découplage 𝐶𝑆

Figure 21: Influence de la capacité de liaison

On pose 𝑹′=𝑹𝑫 //𝑹𝑼

 Calcul du Gain en tension 𝑨𝒗 (𝝎)

𝒗 𝒗 𝒗′ 𝒆
𝑨𝒗 = 𝒗𝒔 = 𝒗′𝒔 ∗ (a)
𝒆 𝒆 𝒗𝒆
𝑣
 calcul de 𝑣′𝑠
𝑒
𝒐𝒏 𝒂 𝒗𝒔 = -R’𝒈𝒎 𝑽𝑮𝑺 𝑬𝒕 𝒗′𝒆 = -𝑽𝑮𝑺

𝒗 𝑹′𝒈𝒎 𝑽𝑮𝑺
Donc 𝒗′𝒔 = − = −𝑹′𝒈
𝒆 𝑽𝑮𝑺 𝒎

𝑣
 calcul de 𝑣′𝑒
𝑒
En appliquant le diviseur de tension au niveau de la maille d’entrée on a :
𝑹𝑮 𝑣′𝑒 𝑅𝐺 𝑗𝑅𝐺 𝑪𝟏 𝝎
𝒗′𝒆 = 𝒗𝒆 donc = 1 =
𝑹𝑮 +𝒁𝑪 𝑣𝑒 𝑅𝐺 + 𝑗𝑅𝐺 𝑪𝟏 𝝎+1
𝒋𝑪𝟏 𝝎

𝟏
On pose ω0 =
RG 𝐂𝟏

20 Cours d’Electronique Analogique

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𝛚
𝑣′𝑒 j
𝛚0
l’expression devient = 𝛚
𝑣𝑒 1+j
𝛚0

𝝎
𝒗𝒔 𝒗′ 𝒆 𝒋
𝝎𝟎
D’où l’expression du gain en tension est 𝑨𝒗 (𝝎)=𝒗′ ∗ = 𝑨𝒗 (𝝎)=−𝑹′𝒈𝒎 ∗ 𝝎
𝒆 𝒗𝒆 𝟏+𝒋
𝝎𝟎

Or on a 𝑨𝒗 (𝑴𝑭) = −𝑹′𝒈𝒎
𝝎
𝑗 𝛚𝟎
𝝎0
Donc 𝑨𝒗 (𝝎)=𝑨𝒗 (𝑴𝑭) ∗ 𝝎 avec 𝐟𝐁 =
1+𝑗 𝟐𝛑
𝝎0

Le système se comporte comme un filtre passe-haut dont la fréquence de coupure est fB .

Maintenant, nous pouvons faire l’étude du montage en basse fréquence, nous avons trouvé que
L’amplificateur SC en basses fréquences se comporte comme un filtre passe haut :
𝝎
𝑗
𝝎0
𝑨𝒗 (𝝎)=𝑨𝒗 (𝑴𝑭) ∗ 𝝎 .
1+𝑗
𝝎0

décade

21 Cours d’Electronique Analogique

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Après le tracé nous devons faire sortir les caractéristiques du filtre :

 Gain maximal : 𝐺𝑑𝑏𝑚𝑎𝑥 = 20log10 (|𝐴vc (𝑀𝐹|)

 Fréquence de coupure : elle correspond à 𝐺(𝑑𝑏)𝑚𝑎𝑥 − 3𝑑𝑏
 Bande passant : [𝑓𝑐 , ∞]
𝑓
𝐺𝑑𝑏( 𝑓𝑐 )−𝐺𝑑𝑏 ( 𝑐 )
10
 Pente en décibel = 𝑓 =20db/décade
𝑓𝑐 − 𝑐
10

V. JFET en haute fréquence

Lorsque la fréquence augmente, il faut prendre en compte les capacités parasites. Toute jonction
PN polarisée en inverse constitue un condensateur
Pour le JFET, on considère deux condensateurs parasites, l'un entre grille et source, l'autre
entre grille et drain.

Figure 22: structure de JFET en haute fréquence

22 Cours d’Electronique Analogique

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a. Montage Source commune en HF

Soit le schéma suivant :

Les condensateurs de liaison et de découplage sont considérés comme des fils en haute
1
fréquence. Car 𝑍𝐶 = 𝐣𝐂𝛚 →0

Si on néglige la résistance de contact 𝑹𝐷𝑆 Le schéma équivalent du transistor JFET est donné
par:

Le schéma équivalent total du montage est le suivant

Figure 23: Le schéma équivalent total du montage SC en haute fréquence

On pose 𝑹′=𝑹𝑫 //𝑹𝑼

23 Cours d’Electronique Analogique

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Dans ce cas précis, il convient d'appliquer le théorème de Miller qui permet de répartir la
capacité 𝐶𝐺𝐷 entre l'entrée G et la sortie D de l'amplificateur. Pour cela, nous devons d'abord
calculer le gain miller de l'étage (gain maximum dans la bande passante, sans les capacités).
En débranchant les capacités 𝐶GD et 𝐶GS le schéma équivalent devient

Le gain miller du montage source commune est donné par la relation :

𝒗 −𝒈𝒎 𝒗𝑮𝑺 ∗𝑹′
𝑨𝐯𝟎 = 𝒗 𝒔 = =−𝒈𝐦 ∗ 𝑅′
𝒆 𝒗𝑮𝑺

En utilisant Miller la capacité 𝑪GD peut se décomposer en deux capacités 𝑪𝑒𝑚 à l’entrée de
l’amplificateur et 𝑪𝑠𝑚 à la sortie de l’amplificateur suivant les deux relations suivants:
1
𝑍𝐺𝐷 1 𝑗𝜔𝐶𝐺𝐷
 Zem = ==𝑗𝜔𝐶 = 1−𝐴 donc 𝑪𝒆𝒎 = 𝑪𝑮𝑫 (𝟏 − 𝑨𝒗𝟎 )
1−𝐴𝑣0 𝑒𝑚 𝑣0

1
𝑍𝐺𝐷 ∗𝐴𝑣0 1 ∗Av0
jωC𝐺𝐷
 Zsm = = ==jωC = donc 𝑪𝒔𝒎 ≈ 𝑪𝑮𝑫
𝐴𝑣0 −1 sm Av0 −1

L’effet Miller est déterminer par la grande capacité donc par la capacité d’entrée (Car 𝑪𝒆𝒎 =
𝐂𝐺𝐷 (1 + Av0 ) > 𝑪𝒔𝒎 = 𝐂𝐺𝐷 )
En négligeant l’effet de la capacité de sortie 𝑪𝒔𝒎 , on a

Figure 23: Le schéma équivalent total du montage EC en haute fréquence en appliquant MILLER

On pose Ce = Cem //CGS

24 Cours d’Electronique Analogique

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En calculant le gain en tension composite on trouve :

𝒗𝒔 𝒗𝒔 𝒗𝒆
𝑨𝐯𝐜 (HF) = = ∗
𝒆𝒈 𝒗𝒆 𝒆𝒈

Or on a 𝒗 𝒆 = 𝒗𝑮𝑺
𝐄𝐓 𝐯𝐬 = −𝐠 𝐦 𝐯𝐆𝐒 ∗ 𝑹′
𝐯𝐬
donc =−g m ∗ R′
𝐯𝐞
𝒗
 calcul de 𝒆 𝒆
𝒈
On pose 𝐙𝐞𝐦 = 𝐑 𝐆 // 𝐙𝐂 le schéma équivalent devient :

Zem
En appliquant le diviseur de tension au niveau de la maille d’entrée on a : 𝐯𝐞 = e
Zem +𝑅 g
1
RG ∗ R
jCe ω
avec Zem = 𝑅𝐺 // 𝑍𝐶 = 1 = 1+jRG C
RG + G eω
jCe ω

RG
ve 1+jRG Ce ω RG RG 1
Donc = RG = = ∗ R ∗𝑅
eg +𝑅 𝑅+j(RG ∗𝑅)Ce ω+RG RG +𝑅 1+j G Ce ω
1+jRG Ce ω RG +𝑅

𝑅∗R
On pose R T =𝑅//R G = 𝑅+RG
G

Alors l’expression du gain composite en haute fréquence est :

RG 1
Avc (HF)= − g m R′ ∗ R ∗ 1+jR
G +R T Ce ω

RG 𝟏
On pose G0 =−g m R′ ∗ R et ωH =
G +R 𝐑 𝐓 Ce

1
L’expression du gain devient : 𝑨𝒗𝒄 (𝑯𝑭)= 𝑮𝟎 ∗ 𝝎
𝟏+𝒋
𝝎𝑯

Le système se comporte comme un filtre passe-bas dont la fréquence de coupure est

𝟏
𝐟𝐂𝐇 = .
𝟐𝝅𝑹𝑻 Ce

25 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre II : Transistor à effet de champ « JFET »

 Le tracé du diagramme de Bode de cette fonction de transfert

VI. JFET en commutation analogique

Sur le même principe qu’un transistor bipolaire utilisé en commutation, le transistor à effet de
champ peut se comporter comme un interrupteur commandé en tension.
On utilise le JFET comme un interrupteur. Pour obtenir ce mode de fonctionnement, la tensio
n 𝑽𝑮𝑺 prend seulement deux valeur : zéro ou une valeur inférieure à 𝑽𝑮𝑺𝒐𝒇𝒇 = -𝑽𝑷 .

26 Cours d’Electronique Analogique

Chapitre II : Transistor à effet de champ « JFET »

27 Cours d’Electronique Analogique

Chapitre II : Transistor à effet de champ « JFET »

28 Cours d’Electronique Analogique