0pFDQLVPHVSK\VLTXHV

GHODGpIRUPDWLRQ
Elasticité

(ODVWLFLWpHQWKDOSLTXHHW(ODVWLFLWpHQWURSLTXH

Fr F


Force de rétraction : F r = 
∂U  ∂S
∂
 − T
∂

 l  T, V  l  T, V

Deux cas limites : cristal idéal et élastomère

Elasticité

(ODVWLFLWpHQWKDOSLTXHHW(ODVWLFLWpHQWURSLTXH

Force de rétraction :

Deux cas limites

Elasticité

(ODVWLFLWpGHVpODVWRPqUHV

3k T l
Fr = 2
<l >
&DUDFWpULVWLTXHVPpFDQLTXHV

GHVVWUXFWXUHVFULVWDOOLQHV

Elasticité

Plasticité du
monocristal

Plasticité du
polycristal

Evolutions
microstructurales
Elasticité

2ULJLQHDWRPLTXHGHO¶pODVWLFLWp

Schématisation : Modèle électrostatique

Energie des liaisons = Potentiels attractifs + Potentiels répulsifs

A B
U(r) = Ua - Ur avec Ua = p et Ur = q
r r
U
r0 Ur répulsion

U = Ua - Ur
σ
r0
0 r

Ua attraction
Elasticité

2ULJLQHDWRPLTXHGHO¶pODVWLFLWp

dU
Force interatomique résultante : F =
dr
F = dU/dr

Fmax
r0

σ r0
0
rmax r
r

Rq : Contraintes résiduelles : mailles dilatées

Elasticité

(ODVWLFLWpGXFULVWDOSDUIDLW

 
sin  
th
F = dU/dr = 0
Fmax
2 0 

Estimation du module d’Young

r0 d
E=
0
rmax r
d
=0
σ

r
th
r0 1
0
≈
E 2
σ
Elasticité

(ODVWLFLWpGXFULVWDO

Pourquoi ces écarts

par rapport
aux calculs théoriques ?
 Plasticité du monocristal

3ODVWLFLWpGXPRQRFULVWDO

Monocristal de Niobium déformé :

'pIRUPDWLRQVXLYDQWGHVGLUHFWLRQVSUpFLVHVOLJQHVGHJOLVVHPHQW
 Plasticité du monocristal

2EVHUYDWLRQPLFURVFRSLTXHGHVOLJQHVGHJOLVVHPHQW

Lignes de glissement apparaissent à la surface d’un échantillon :

Marches … résultats du passage d’un grand nombre de

GLVORFDWLRQVdans un même plan cristallin
 Plasticité du monocristal

'LVORFDWLRQ&2,1

plan
supérieur

plan
inférieur

Cristal cubique
 Aspects géométriques et topologiques
d’une dislocation coin

¾ Vecteur E (= vecteur de Burgers) // au cisaillement

¾ Norme de E définie par le circuit de Burgers (ici : convention Finish-

Start-Right Hand = FSRH). Principe : circuit fermé S-->F autour de W,
orientation RH. Défaut de fermeture par rapport au cristal parfait : E = )6

¾ G = plan de glissement, formé par la ligne de dislocation (D) et par E

 Plasticité du monocristal

'pSODFHPHQWG¶XQHGLVORFDWLRQFRLQ

Déplacement d’une dislocation coin sous l’effet d’une contrainte appliquée :

Glissement induit :
 Plasticité du monocristal

'pSODFHPHQWG¶XQHGLVORFDWLRQFRLQ

Schématisation du passage d’une dislocation :

Pli sur un tapis, serpent, vague...

Passage progressif de proche en proche

Î effort bien inférieur à un glissement en bloc
 La dislocation VIS

τ ¾E // W (et non plus ⊥)

D
¾ direction de propagation de la
ligne de dislocation (D) reste ⊥ D,
mais cette fois ⊥ τ (et non plus //)
 Dislocation MIXTE
Wvariable
mouvement ⊥ W

partie mixte

partie coin

E
E

partie vis
 Plasticité du monocristal

0RXYHPHQWFROOHFWLIGHVGLVORFDWLRQV

Cinématique induite par le mouvement d’une famille de dislocations :

Formule d’Orowan : = m vb
m : densité de dislocations mobiles
v : vitesse moyenne
b : vecteur de Bürgers

Lien entre vitesse de déformation macroscopique, densité de

dislocations et vitesse de déplacement des dislocations !
Plasticité du monocristal

9LGpR0(7LQVLWX

Photo = image projetée

Lame Mince e ~200 nm

 Plasticité du monocristal

0RXYHPHQWGHVGLVORFDWLRQV

Cinématique induite par le mouvement d’une famille de dislocations :

Formule d’Orowan : = m vb
m : densité de dislocations mobiles
v : vitesse moyenne
b : vecteur de Bürgers

3RLQWFHQWUDOGHFHFRXUV

)RUFHQpFHVVDLUHSRXUGpSODFHUXQHGLVORFDWLRQ"
 Plasticité du monocristal

0RXYHPHQWGHVGLVORFDWLRQV

Point central du cours : Force nécessaire pour déplacer une dislocation ?

b
τ

L
Force par unité de longueur de dislocation : f = τ b
τ : cission critique

Théorie : τc
Grain dans la pratique
… perturbations du réseau (impuretés, autres défauts…)
… obstacles Æ durcissement (cf cours 19)
 Plasticité du monocristal

0RELOLWpGHVGLVORFDWLRQV

Toutes les dislocations ne sont pas mobiles !

Elles ne sont pas réparties de la même manière spatialement !

Deux classes de matériaux :

- dislocations peu mobiles et réparties de façon homogène
- dislocations regroupées et enchevêtrées
 Plasticité du monocristal

0RELOLWpGHVGLVORFDWLRQV

En fait : glissements dans des plans bien déterminés de la maille et

suivant des directions cristallographiques déterminées

Approche globale du mouvement d’une famille de dislocations

Définition : système de glissement = plan + direction

 Plasticité du monocristal

6\VWqPHVGHJOLVVHPHQW

G¶XQPRQRFULVWDO

Système = plan + direction

Structure Plans de Directions de Exemples de métaux

cristalline glissement glissement
cfc {111} <110> Al, Fe γ, Cu, Ni, Au, Ag
cc {110}, {112}, <111> Fe α, Nb, Mo
{123}
hc {0001}, { 10 1 0 } < 11 2 0 > Mg, Ti, Zn, Zr α, Be
cubique faces hexagonal cubique centré
centrées (CFC) compact (HC) (CC)
Polymère semi-cristallin
 Plasticité du monocristal

6\VWqPHVGHJOLVVHPHQWG¶XQPRQRFULVWDO

Polymère : domaines cristallins

Exemple : polyéthylène
(100)[010], (010)[100] et { 1 1 0 }<110>

Dans la direction des ou perpendiculaire aux

chaînes (Chain slip) chaînes (Transverse slip)
 Plasticité du monocristal

$QDO\VHFLQpPDWLTXHGXJOLVVHPHQW

Cisaillement lors de l’activation d’un système de glissement

V1( b ) = γ y
&
n
V V2 ( n ) = 0
b V3( bxn ) = 0

Gradient de vitesse :
 0 γ 0 
∂Vi  
L ij = L =  0 0 0
∂x j  0 0 0
 
 Plasticité du monocristal

$QDO\VHFLQpPDWLTXHGXJOLVVHPHQW

Vitesse de déformation :
 0 γ / 2 0 
L +Lα αT  
ε =α ε =  γ / 2 0 0 
2  0 
 0 0 
Spin :
 0 γ / 2 0 
L −L α αT  
W= W =  − γ / 2 0 0
2  0 
 0 0 
 Plasticité du monocristal

$QDO\VHFLQpPDWLTXHGXJOLVVHPHQW

 0 γ / 2 0 
 
Vitesse de déformation : ε =  γ / 2 0 0 
 0 
 0 0 
Cisaillement : trace de la déformation nulle
Î déformation plastique isochore !

 0 γ / 2 0 
 
Spin dû au glissement: W =  − γ / 2 0 0
 0 
 0 0 
Î Différence entre spin macroscopique appliqué et spin du glissement :
Rotation induite du réseau cristallin !
 Plasticité du monocristal

$QDO\VHFLQpPDWLTXHGXJOLVVHPHQW

Î Rotation induite du réseau cristallin !

Traction Compression

Anisotropie de l’écoulement plastique :

Déformation non-colinéaire à la contrainte appliquée
Plasticité du monocristal

$QDO\VHPpFDQLTXHGXJOLVVHPHQW
 Plasticité du monocristal

$QDO\VHPpFDQLTXHGXJOLVVHPHQW

Loi de Schmid :

F
= cos cos
S0

Cission résolue = cission critique ? … activation ou non du système

 Plasticité du monocristal

$QDO\VHPpFDQLTXHGXJOLVVHPHQW

F
Loi de Schmid : = cos cos
S0

Effort nécessaire pour activer un système :

f(orientation du système par rapport à l’effort)
Î Autre traduction de l’anisotropie

Généralement, plusieurs systèmes de glissement sont activables :

On peut a priori déterminer lesquels sont activés, puis leur
glissement effectif, puis la rotation du réseau
 Plasticité du monocristal

0DFODJH

Basculement d’une partie du cristal :

joints de maclage
encadrant la partie déformée

Système de maclage =
plan + direction cristallographiques

Mécanisme favorisé par :

taille des grains, vitesse de sollicitation...
 Plasticité du polycristal

0DWpULDX[SRO\FULVWDOOLQV

Sauf cas exceptionnels, un matériau cristallin est polycristallin

Chaque grain a son orientation propre
Notion de texture cristallographique : distribution d’orientations
Repères « utiles » pour une structure polycristalline
 Plasticité du polycristal

0DWpULDX[SRO\FULVWDOOLQV

Récapitulatif des différents éléments géométriques :

Systèmes de glissement
dans la maille cristalline (plan et direction)

Orientation de la maille dans la pièce

Sans oublier : morphologie des grains, voisinage

 Plasticité du polycristal

0DWpULDX[SRO\FULVWDOOLQV

Bilan sur l’analyse des mécanismes de glissement :

Î Le comportement mécanique du grain est intrinsèquement

anisotrope
Celui d’un volume polycristallin le sera également si...
la texture cristallographique (ou morphologique) n’est pas aléatoire

Î Chaque grain se comporte différemment de son voisin : σ, ε

Î La texture cristallographique (et morphologique) évolue avec la

déformation
...mais aussi en cas de recristallisation
 Plasticité du polycristal

0DWpULDX[SRO\FULVWDOOLQV

Texture marquée : Anisotropie de la maille Î Anisotropie globale

E, aimantation, résistivité électrique, dilatation, conductivité thermique
 Evolutions microstructurales

(YROXWLRQVPLFURVWUXFWXUDOHV

Densité de dislocations longueur des dislocations

ρ=
volume du cristal
Matériau recuit :
Densité de dislocations relativement faible ~ 106 cm/cm3
(10 km/cm3)

Matériau déformé :
Dislocations en grand nombre ~ 1012 cm/cm3
(107 km/cm3)

1012 cm ~ 1020 dist at 1 cm3 ~ 1023 at volume

-> fraction des atomes perturbés 10-3 – 10-13
 Evolutions microstructurales

0XOWLSOLFDWLRQGHVGLVORFDWLRQV

Différents mécanismes
Par exemple : source de Frank-Read
Forme semi-circulaire : point d’instabilité
où la contrainte est MAX
 Evolutions microstructurales

(YROXWLRQVPLFURVWUXFWXUDOHVjFKDXG

Chaud ?
T > 0,5 Tf
Agitation thermique :
mobilité des atomes et des dislocations

Principaux mécanismes responsables de la déformation à chaud,

par exemple en fluage (TD 18) :
• glissement des dislocations
• montée des dislocations
• glissement aux joints de grains
• diffusion des atomes et des lacunes
 Evolutions microstructurales

(YROXWLRQVPLFURVWUXFWXUDOHVjFKDXG

Chaud ?
T > 0,5 Tf
Agitation thermique :
mobilité des atomes et des dislocations

Sollicitations thermiques et mécaniques

Statique (métadynamique) (recuit, traitements thermiques…)
vs
Dynamique (lors de la déformation)

Deux processus différents : la restauration et la recristallisation

 Evolutions microstructurales

(YROXWLRQVPLFURVWUXFWXUDOHV

Densité de dislocations longueur des dislocations

ρ=
volume du cristal

Matériau déformé :
Dislocations en grand nombre ~ 1012 cm/cm3
(107 km/cm3)

Matériau recuit :
Densité de dislocations relativement faible ~ 106 cm/cm3
 Evolutions microstructurales

5HVWDXUDWLRQVWDWLTXH

Diminution progressive de la densité de dislocations

par annihilation réciproque et réarrangement
 Evolutions microstructurales

5HVWDXUDWLRQVWDWLTXH

Formation de sous-joints délimitant des sous-grains (polygonisation)

Peu de dislocations à l’intérieur des sous-grains
Puis éventuellement croissance-coalescence
 Evolutions microstructurales

5HFULVWDOOLVDWLRQVWDWLTXH

Formation de nouveaux grains :

"Germination" -croissance : cinétique Avrami α(t) = 1 − exp [− ktn]

Nouveaux grains d’orientations différentes

Consommation du matériau écroui

Î Permet de contrôler la taille des grains

 Evolutions microstructurales

5HFULVWDOOLVDWLRQVWDWLTXH

Température de recristallisation critique

Déformation critique Temps d’incubation

 Evolutions microstructurales

5HVWDXUDWLRQG\QDPLTXH

Si dislocations très mobiles (e.g. Al, Fe α) :

Augmentation de la densité de dislocations, puis réorganisation

en microstructure cellulaire de sous-grains
Peu d’évolutions de la texture, sauf en très grande déformation

T Ò et vitesse Ô: dsg Ò
 Evolutions microstructurales

5HFULVWDOOLVDWLRQG\QDPLTXH

Si dislocations peu mobiles (e.g. Cu, Bs, Inox γ) :

Distribution spatiale assez homogène

Après une déformation critique :

apparition de germes dans la matrice écrouie

Nouveaux grains s’écrouissent à leur tour :

cycles de RX successifs
Cycles synchronisés (d0 et vitesse faibles) ou non

Texture évolutive
Elasticité Plasticité du monocristal Plasticité du polycristal Evolutions microstructurales

&RQFOXVLRQ

'pIRUPDWLRQYHUVXV5XSWXUH

Tendances plutôt à la déformation ou à la rupture (Cours 22) :

Si microfissures initiales : propagation

Si pas de fissures initiales, risque d’en créer
si localement contrainte forte supérieure à la cission théorique

Si glissement facile (plans nombreux, etc…) : activation, sources,

rupture finale
… et si glissement bloqué au cours de la déformation, localement
contrainte forte supérieure à la cission théorique
Elasticité Plasticité du monocristal Plasticité du polycristal Evolutions microstructurales

&RQFOXVLRQ

5XSWXUHYHUVXVGpIRUPDWLRQ

7HPSVFDUDFWpULVWLTXHGHVROOLFLWDWLRQ

SDUUDSSRUW

7HPSVFDUDFWpULVWLTXHGHO¶DFWLYDWLRQ

GHVPpFDQLVPHVpOpPHQWDLUHV

Î Effet de la vitesse
+ vite + effort pour déplacer (comportement local)
Î + vite contrainte locale Ò risque de rupture Ò

Î Effet de la température
+ à chaud et/ou multipasses : bouleversements de la microstructure