Réalisé par : Bouaicha

Soufiane

Année universitaire : 2021/2022

1
 Introduction :

La cellule solaire, élément unitaire d’un module photovoltaïque, est aussi

l’élément actif dans lequel se produit l’effet photovoltaïque. Celui-ci permet au
matériau de cellule de capter l’énergie lumineuse (photons) et de la transformer en
énergie électrique caractérisée par un déplacement de charges, positives et
négatives.
La caractéristique commune à toutes les technologies photovoltaïques est la
mise en présence dans le matériau de la cellule d’un donneur et d’un accepteur
d’électrons pour permettre ce déplacement de charges. Une fois transféré dans un
circuit électrique extérieur, celui-ci prend la forme d’un courant électrique continu.

le PC1D à une réputation internationale dans la recherche photovoltaïque, il

a été développé à l’université « New South Wales de Sydney » en Australie ; il
est l’un des pionniers dans ces domaines. Son utilisation est très pratique, il
permet de simuler n’importe qu’elle structure photovoltaïque, selon les matériaux
disponibles en fichiers data, en jouant sur les paramètres variables (largeur,
surface, dopage, etc....). Les résultats de la simulation, sont très proches des
résultats expérimentaux, donc c’est un gain de temps et d’argent.

2
Contents
TP1 : Prise en main du logiciel et premières simulations : ...................................................... 4
I. Objectif du TP : ............................................................................................................. 4
II. Partie pratique : ............................................................................................................. 4
1. Caractéristique I_V sous différentes intensité d’illumination et de l’obscurité: ....... 4
2. Evolution de ISC et VOC en fonction de la puissance excitatrice : .............................. 6
3. Effet du dopage du substrat sur la tension de sortie : ................................................ 8
TP2 : Efficacité quantique et couche antirelectives : ............................................................... 9
I. Objectif du TP : ............................................................................................................. 9
II. Partie pratique : ............................................................................................................. 9
1. Détermination de la valeur de l’énergie du gap du matériau de la cellule solaire : ... 9
2. Couches anti-réflective : .......................................................................................... 11

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TP1 : Prise en main du logiciel et premières
simulations :

I. Objectif du TP :

Ce TP consiste à simuler la conception d’une solaire. Les paramètres importants à faire

dans ce TP sont :
 Les niveaux de dopage du substrat.
 L’indice de réfraction et l’épaisseur de la couche anti-réflexion de la cellule.
On explorera ensuite les caractéristiques courant-tension (I-V), les courbes de puissance
et les spectres des efficacités quantiques interne et externe et de la réflectance. On utilisera
pour cela le simulateur PC1D.

II. Partie pratique :

1. Caractéristique I_V sous différentes intensité d’illumination et de

l’obscurité:

On a pris une surface de 100 cm³ avec une épaisseur de la couche externe de 1000 nm.
On a pris le silicium comme matériau de notre cellule avec une épaisseur typique des
couches de silicium monocristallin de 300 µm.
On a donné une concentration de type P 5×1016/cm3 et un pique de dopage de 1019 /cm3 sur
une profondeur de 2µm et un profile uniforme. On a défini la durée de vie des porteurs τn
et τp à 10µs.
On a choisi un soleil (one-Sun), le spectre solaire AM1.5 et une valeur d’excitation de
0.1W/cm2.
On a mis toutes les résistances à 0, le voltage à -0.2V en régime permanent et entre -0.7 et
0.7V en régime transitoire.
On a tourné le programme et tracée la courbe I-V en PC1D, voici notre courbe obtenue :

4
 Après copier les donner, on les a exporté vers un fichier Excel pour tracer les courbes
de courant I-V et de puissance P-V pour l’illumination et l’obscurité.
Pour comparer la courbe I-V sous illumination à celle de l’obscurité, on doit changer
l’excitation à 10-9 W/cm2.

2.5 1.4

1.2
2
1

1.5
COURANT A

0.8

Puissance W
0.6
1

0.4
0.5
0.2

0 0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
TENSION V

courant_ puissance

Courbe caractéristique I_V et P_V

On a trouvé les mêmes valeurs de VOC, ICC et Pm que celles de données sur le programme.

 Calcul de rendement :
Pm
ŋ= avec E : l’irradiation ; S: la surface et Pm : la puissance max
E×S
1.21
ŋ= = 12.1%
0.1×100

5
 I-v_illimin- I_obscurité

4.5

3.5

2.5
Courant (A)

1.5

0.5

-0.75 -0.5 -0.25 -0.5 0 0.25 0.5 0.75

-1.5

-2.5
Tension (V)

Caractéristique I_V sous différentes intensité d’illumination et de l’obscurité

 On constate que la tension dans la courbe d’obscurité est toujours positive car on ne
produit pas de l’énergie dans la nuit.

2. Evolution de ISC et VOC en fonction de la puissance excitatrice :

On a changé la puissance excitatrice pour voir l’évolution de ISC et VOC.

On obtient les résultats ci-dessous :

Puissance excitatrice Isc(A) Voc(V)

1.00E-07 -1.74E-07 0.0972
1.00E-06 -2.22E-06 0.2136
1.00E-05 -2.27E-05 0.3092
1.00E-04 -2.27E-04 0.3892
1.00E-03 -2.27E-03 0.4561
1.00E-02 -0.0227 0.5179
1.00E-01 -0.2274 0.5776
1.00E+00 -2.275 0.6373

6
 courant
2.50E+00

2.00E+00

1.50E+00

1.00E+00

5.00E-01

0.00E+00
0.00E+00 2.00E-01 4.00E-01 6.00E-01 8.00E-01 1.00E+00 1.20E+00

Caractéristique I_P sous différentes la puissance excitatrice

On remarque que le courant de court-circuit augmente avec l’augmentation de la puissance

excitatrice.

tension
0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
1.00E-08 1.00E-07 1.00E-06 1.00E-05 1.00E-04 1.00E-03 1.00E-02 1.00E-01 1.00E+00

Caractéristique V_P sous différentes la puissance excitatrice

On remarque que la tension de court-circuit diminue avec l’augmentation de la puissance

excitatrice.

7
 3. Effet du dopage du substrat sur la tension de sortie :

On prend une puissance excitatrice de la cellule à 0.1 (W/cm3 ) et on fait varier le dopage de
substrat.

Puissance excitatrice 0.1 (w/cm3) Column1 Column2 Column3

Dopage Isc(A) Voc(V) Pm(w)
1.00E+17 -2.258 0.6532 1.236
5.00E+16 -2.275 0.6373 1.21
1.00E+16 -2.311 0.5961 1.137
5.00E+15 -2.324 0.5779 1.102
1.00E+15 -2.343 0.5367 1.007
5.00E+14 -2.362 0.5199 0.9621
1.00E+14 -2.439 0.4892 0.7963

2.46 1.4
2.44
1.2
2.42
2.4 1
2.38
2.36 0.8

2.34 0.6
2.32
2.3 0.4
2.28
0.2
2.26
2.24 0
1.00E+14 1.00E+15 1.00E+16 1.00E+17

Courant Tension Puissance max

L’évolution de ISC, VOC et PMAXV_P en fonction du dopage

8
TP2 : Efficacité quantique et couche antirelectives :

I. Objectif du TP :
Déterminer le gap du matériau utilisé à partir des courbes de l’efficacité quantique externe,
interne et de la réflectivité.

II. Partie pratique :

1. Détermination de la valeur de l’énergie du gap du matériau de la
cellule solaire :

Le terme de gap apparait dans le cadre de la physique des semi-conducteurs lorsqu'on

considère la bande de valence et la bande de conduction de ceux-ci. Entre les deux bandes se
trouve un intervalle d'énergie dans lequel un porteur de charge ne peut pas se retrouver, il
s'agit d'une bande interdite. L'intervalle d'énergie entre les deux bandes est ce qu'on appelle
le gap.
Les efficacités quantiques sont données par :
 Efficacité quantique externe (EQE) :

Nombre de paires électrons − trous générés

𝐸𝑄𝐸 = × 100
𝑁𝑜𝑚𝑏𝑟𝑒 𝑑𝑒 𝑝ℎ𝑜𝑡𝑜𝑛𝑠 𝑖𝑛𝑐𝑖𝑑𝑒𝑛𝑡𝑠

 Efficacité quantique Interne (IQE) :

Nombre de paires électrons − trous générés
𝐼𝑄𝐸 = × 100
𝑁𝑜𝑚𝑏𝑟𝑒 𝑑𝑒 𝑝ℎ𝑜𝑡𝑜𝑛𝑠 𝑎𝑏𝑠𝑜𝑟𝑏é𝑠 𝑝𝑎𝑟 𝑙𝑒 𝑚𝑎𝑡é𝑟𝑖𝑎𝑢
La réflectance (RFL) est donnée en fonction des indices de réfraction des milieux par :

n1 − n2
𝑅𝐹𝐿 = ⦗ ⦘²
n1 + n2
A. Efficacités quantiques et réflectance :

 On a mis un dopage substrat à 5×1016 /cm3, l’excitation « SCAN-QE » pour faire

varier la longueur d’onde et on a choisi un intervalle de longueur l’onde entre 300
nm et 1250 nm car elles sont les longueurs des radiations visibles par l’œil humain.
 On fait tourner le programme et tracer les courbes EQE, IQE, RFL et l’indice de
réfraction du matériau nsi dans EXEL.

9
999+

100 9
90 8
80 7
70
6
60
5
50
4
40
3
30
20 2

10 1
0 0
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300
IQE EQE RFL Indice-SI

Caractéristique EQE, IQE, RFL et nsi sous différentes longueur d’onde

 Le calcul de l’énergie de gap :

h×C
𝐸=
𝜆
Avec : h : constante de Plank = 6.63×10-34 J.s et c=3×108 m/s
En projetant la droite sur l’axe des longueurs d’onde, on trouve λ=1080 nm.

Donc E=1.841×10-19 J.

10
  La relation qui relie EQE, IQE et RFL avec les énergies supérieures au gap des
matériaux :

𝑅𝐹𝐿
𝐸𝑄𝐸 = 𝐼𝑄𝐸 × (1 − )
100

2. Couches anti-réflective :
On a rajouté une couche pour minimiser les réflexions et augmenter l’efficacité quantique
externe.
On choisit un indice de réflexion et une épaisseur par les relations suivantes :
𝜆0
𝑛𝐴𝑅 = √𝑛𝑎𝑖𝑟 × 𝑛𝑠𝑖 ; 𝑒𝐴𝑅 =
4×𝑛𝐴𝑅

J’ai choisie 𝜆0 = 520 𝑛𝑚 correspond à la couleur verte qui a un indice de réflexion nAR=
2.049371 et une épaisseur eAR= 63.25112 nm.

100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300

IQE EQE RFL

Caractéristique EQE, IQE et RFL sous différentes longueur d’onde

 On constate la diminution de la réflexion par rapport à celle qui n’a pas de couche
anti réflective.
 La couleur de cellule solaire va prendre la couleur de la couche, pour moi va prendre
la couleur verte.

11
  On remet l’excitation à 1 soleil, pour trouver l’efficacité de la cellule.

Longueur d’onde
(nm) puissance crête rendement(%)
λ =400 (Violet) 1.606 16.06
λ=470 (bleu) 1.708 17.08
λ =520 (vert) 1.744 17.44
λ =580 (jaune) 1.763 17.63
λ =600 (orange) 1.764 17.64
λ=630 (rouge) 1.761 17.61
λ =650 (rouge) 1.756 17.56

 On constate que la couleur orange qui a le meilleur rendement.

 On va présenter pour chaque longueur d’onde l’EQE, IQE et RFL :

 λ =400 (Violet) :

IQE EQE RFL

100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300

12
 λ =470 (Bleu) :

IQE EQE RFL

100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300

 λ =520 (vert) :

100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300

IQE EQE RFL

13
 λ =580 (jaune) ::

IQE EQE RFL

100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300

 λ =600 (orange) :
IQE EQE RFL

100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300

14
 λ=630 (rouge) :

IQE EQE RFL

100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300

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