La Integracin De Circuitos

John Anders Murillo Seplveda

Universidad Francisco De Paula Santander San Jos De Ccuta, Colombia
thebadcoty@hotmail.com

This document presents an overview about importance of integrated circuits, the advantages that they offer us since they were made and some applications where integrated circuits are useful. In addition, this document presents us a brief description about different ways and steps used during their fabrication. I. INTRODUCCIN

La integracin de circuitos permite la creacin de circuitos complejos que consisten en muchos miles de transistores, resistencias, capacitores y diodos incluidos en un chip semiconductor, esto es, la circuitera sofisticada puede ser miniaturizada para su uso en vehculos, computadores y otras aplicaciones donde una gran coleccin de dispositivos discretos sera poco conveniente. Por tal razn, este documento te dar a conocer pautas importantes sobre los circuitos integrados desde su fabricacin hasta su uso en diferentes aplicaciones.

A diferencia de los circuitos con transistores individuales y otros componentes cuyas uniones se hacen mediante cableado o que son puestos en una protoboard, los circuitos integrados permiten la presencia de muchos componentes extra y que pueden ser incluidos econmicamente. Las ventajas de los circuitos integrados en trminos de la miniaturizacin son obvias, desde que muchos circuitos funcionales pueden ser empaquetados en un espacio ms pequeo, hasta que equipos electrnicos muy complejos puedan ser empleados en muchas aplicaciones en donde el peso y espacio son importantes como en los vehculos. En computadores por ejemplo, ahora es posible no slo reducir la medida de la unidad en general, sino tambin, facilitar el mantenimiento para permitir el reemplazo de circuitos enteros rpida y fcilmente. Algunas de las ventajas ms importantes de la miniaturizacin tienen que ver con la respuesta en el tiempo y la rapidez en la transferencia de seal entre circuitos, por ejemplo, en circuitos de alta frecuencia es necesario hacer corta la separacin de varios componentes para reducir el atraso de tiempo de seales. As mismo, en muchos computadores de alta velocidad es importante que los circuitos de almacenamiento de informacin sean situados lo ms cercanamente posible. Adems del ofrecimiento de ventajas debidas a la miniaturizacin, la fabricacin simultnea de muchos circuitos integrados en una oblea de semiconductor reduce ampliamente el costo e incrementa la

II.

INTEGRACIN DE CIRCUITOS

A. Ventajas
As como el transistor revolucion la electrnica por el ofrecimiento de ms flexibilidad, conveniencia y confiabilidad que el tubo de vaco, el circuito integrado permite nuevas aplicaciones a la electrnica que anteriormente no eran posibles con los dispositivos discretos

confiabilidad de los circuitos finales. Ciertamente los componentes discretos han jugado un papel muy importante en el desarrollo de los circuitos electrnicos, muchos circuitos son ahora fabricados en una oblea de semiconductor y no en una coleccin de componentes individuales.

B. Tipos de circuitos integrados

Existen formas de categorizar los circuitos integrados ya sea por su uso (Linear y digital) o por su mtodo de fabricacin (Monoltico e Hbrido). 1) Los circuitos integrados lineares son aquellos que realizan operaciones entre seales (tales como la amplificacin). Algunos ejemplos de circuitos integrados lineares son los amplificadores simples, amplificadores operacionales y circuitos de comunicacin anlogos. 2) Los circuitos integrados digitales funcionan con base en la lgica digital o lgebra de Boole, donde cada operacin de esta lgica, es representada en electrnica digital por una compuerta. La complejidad de un Circuito integrado puede medirse por el nmero de puertas lgicas que contiene. Los mtodos de fabricacin actuales de fabricacin permiten construir Circuitos integrados cuya complejidad est en el rango de una a 105 o ms puertas por pastilla. Segn esto los Circuitos integrados se clasifican en los siguientes niveles o escalas de integracin : y y y y SSI (pequea escala ): menor de 10 puertas. MSI (media escala): entre 10 y 100 puertas. LSI (alta escala): entre 100 y 10.000 puertas. VLSI (muy alta escala): a partir de 10.000 puertas.

circuitos monolticos. La palabra monoltico literalmente significa una piedra pues se deriva de las palabras mono que significa nica y lithos que significa piedra e implica que un circuito entero est contenido en una nica pieza de semiconductor. El circuito monoltico es el tipo ms comn de circuito integrado, ya que desde su intervencin, los fabricantes han estado produciendo los CI monolticos para llevar a cabo todo tipo de funciones. Los tipos comercialmente disponibles se pueden utilizar como amplificadores, reguladores, conmutadores, receptores de AM, circuito de televisin y de computadores. Pero tienen lmites de potencia, ya que la mayora de ellos son del tamao de un transistor discreto de seal pequea, generalmente tiene un ndice de mxima potencia menor que un vatio (1W). 4) Los circuitos hbridos pueden contener uno o ms circuitos monolticos o transistores individuales unidos a un sustrato aislante con resistores, capacitores u otros elementos de circuito con interconexiones apropiadas. Los CI hbridos se pueden dividir en dos grupos, CI hibrido de capa fina o de capa gruesa. CI hbrido de capa fina: Son similares a los monolticos, pero adems, contienen componentes difciles de fabricar con tecnologa monoltica. Muchos conversores A/D y D/A se fabricaron en tecnologa hbrida hasta que progresos en la tecnologa permitieron fabricar resistencias precisas. CI hbrido de capa gruesa: Se apartan bastante de los circuitos monolticos. De hecho suelen contener circuitos monolticos sin cpsula, transistores, diodos, etc., sobre un sustrato dielctrico, interconectados con pistas conductoras. Los resistores se depositan por serigrafa y se ajustan hacindoles cortes con lser. Todo ello se encapsula, en cpsulas plsticas o metlicas, dependiendo de la disipacin de energa calrica requerida. En muchos casos, la

3) Los circuitos integrados que son incluidos ampliamente en una nica pastilla de semiconductor (que usualmente es Silicio, pero tambin existen en Germanio, Arseniuro de Galio o Silicio-Germanio) son llamados

cpsula no est "moldeada", sino que simplemente se cubre el circuito con una resina epoxi para protegerlo. En el mercado se encuentran circuitos hbridos para aplicaciones en mdulos de radio frecuencia (RF), fuentes de alimentacin, circuitos de encendido para automvil, etc. Los circuitos monolticos tienen la ventaja de que todos los componentes son contenidos en una estructura rgida, la cual, puede ser fabricada por el mtodo batch, esto es, cientos de circuitos idnticos pueden ser fabricados simultneamente en una oblea de semiconductor. Por otro lado, los circuitos hbridos ofrecen excelente aislamiento entre componentes y permiten el uso de resistencias y capacitores con ms precisin. Cuando las resistencias y los capacitores son fabricados fuera de la oblea monoltica de Si, bsicamente dos tipos de tecnologa son usados, los elementos pasivos son fabricados e interconectados por el mtodo de pelcula gruesa o de pelcula delgada. Los procesos utilizados en estos mtodos son muy diferentes. En los circuitos de pelcula gruesa las resistencias y los patrones de interconexin son impresos en un sustrato cermico ya sea por serigrafa o procesos similares, los pliegues conductivos y resistivos consisten de polvo de metal en aglutinantes orgnicos que son impresos sobre el sustrato y curados en un horno. Una ventaja de este proceso es que las resistencias pueden ser fabricadas con valores por debajo de los valores comerciales y entonces recortadas por abrasin o por procesos de evaporacin selectiva usando un laser pulsado. La tecnologa de pelcula delgada permite una mejor precisin y miniaturizacin, tambin es preferida cuando el espacio es una limitacin importante. Los patrones de interconexin y los resistores pueden ser depositados al vaco sobre un sustrato cermico satinado. Las pelculas resistivas son normalmente hechas a partir de

tantalio u otro metal resistivo y las interconexiones a partir de aluminio u oro.

C. Fabricacin de circuitos integrados

El elemento ms importante de la tecnologa de CI es la oblea monoltica, la cual, puede contener varios miles de millones de transistores individuales, todos propiamente interconectados. Como los circuitos monolticos son fabricados por el mtodo batch en una oblea de semiconductor de seis u ocho pulgadas de dimetro, cada oblea puede contener cientos de circuitos. Estos circuitos son separados por sierras en obleas ms pequeas, ya sean cuadradas o rectangulares, cada una contiene un circuito individual. Cada circuito es montado en un sustrato apropiado, contactado y empacado. Los procesos para la fabricacin de circuitos monolticos son: crecimiento del cristal del sustrato, crecimiento epitaxial, oxidacin, fotolitografa y grabado qumico, difusin, implantacin de iones, metalizacin. y Crecimiento del cristal del sustrato: Un fino cristal de silicio se sujeta a una varilla y se introduce en un crisol con silicio fundido al que se han aadido impurezas aceptadoras. Se retira muy lentamente en condiciones muy controladas la varilla del silicio fundido. A medida que se va extrayendo se va formando un lingote de cristal tipo p de unos 10 cm de dimetro y 50 cm de longitud. Esta tcnica se conoce como proceso CZOCHRALSKI o simplemente CZ. Se corta el lingote en obleas circulares de un espesor aproximado de 0,2 mm que formaran el sustrato sobre el que se fabricaran todos los componentes integrados. Una de las caras de la oblea se lapida y pule para eliminar las imperfecciones superficiales antes de proseguir con el siguiente paso.

Crecimiento epitaxial: En la fabricacin de CI se emplea el proceso epitaxial para crecer una capa de silicio como ampliacin de la existente en la oblea del mismo material. Este crecimiento se lleva a cabo en un horno especial llamado reactor donde se introducen las obleas de silicio calentndolas hasta 900 a 1.000C. En la tecnologa corriente, como origen del silicio a recrecer se emplea la reduccin de los gases SiH4 SiCl4. El primero de estos tiene la ventaja de necesitar menos temperatura y tener un crecimiento ms rpido que con el segundo. La reaccin qumica para la reduccin del SiCl4 es:

obleas se colocan en un soporte de grafito y ste se introduce en el reactor calentando el grafito hasta unos 1200C. Un puesto de control introduce y elimina los gases requeridos para acrecentar debidamente las capas epitaxiales. Con esto se puede formar una unin abrupta p-n semejante a la de la figura 1.

1200C

SiCl4 + 2H2 Y para el SiH4 es:

H2 atmosfera 1000C

Si + 4HCl

Figura 1. Representacin esquemtica de una unin p-n.

SiH4

Si + 2H2
Una capa epitaxial de tipo n normalmente de 5 a 25 m (1 m = 10 metros) de espesor se crece sobre un sustrato de resistividad aproximada de 10 cm, lo que corresponde a NA = 1,4 x 10 tomos / cm . El proceso epitaxial descrito indica que se puede escoger la resistividad de la capa epitaxial de tipo n independientemente de la del sustrato. Para la capa tipo n se toman valores de 0,1 a 0,5 cm. Puesto que es necesario producir capas epitaxiales con una concentracin dada de impurezas, hay que introducir impurezas tales como PH3 para el dopado tipo n, B2H6 para el tipo p en los vapores de SiCl4 hidrgeno. Existe un aparato para el control preciso y fcil de impurezas que consiste en un tubo largo de cuarzo envuelto por una bobina de induccin a radiofrecuencia. Las
3 15 -6

Oxidacin: Para el xito de la tecnologa del silicio se requiere habilidad para depositar una capa de oxido sobre la superficie del silicio. Las caractersticas sobresalientes del SiO2 (dixido de silicio) como pasivador son: - Puede eliminarse con cido fluorhdrico HF al que la capa de silicio es resistente. - Las impurezas empleadas para el dopado del silicio no penetran en el dixido SiO2. As cuando se emplean tcnicas de enmascaramiento se puede lograr un dopado selectivo de zonas especficas del chip. La oxidacin trmica del silicio se lleva a cabo en presencia de vapor de agua. La reaccin qumica es:

Si + 2H2O

SiO2 + 2H2

El espesor de las capas de oxido esta generalmente comprendida entre 0,02 y 2 m, y el valor que se elija depende de la barrera para evitar la penetracin del

dopante. En el espesor de la capa de SiO2 influyen varios factores tales como la temperatura del proceso, la concentracin de impurezas y el tiempo de procesado. A menudo se emplea como pasivador se emplea el nitruro de silicio Si3N4, debido a sus propiedades para el enmascarado. Es frecuente emplearlo como separador entre dos capas de SiO2. El nitruro impide la penetracin dopante en la capa subyacente de SiO2 (esencial en los MOS). La capa exterior de dixido de silicio obtenida por deposicin qumica de vapor recubre completamente el chip al que sirve de proteccin contra roces y daos mecnicos. y Fotolitografa: La tcnica monoltica requiere la eliminacin selectiva del SiO2 para formar aberturas por donde puedan difundirse las impurezas. El proceso empleado para esta eliminacin es el fotocorrosin. Durante el proceso fotolitogrfico se recubre la oblea con una pelcula uniforme de una emulsin fotosensible. Se dibuja una representacin amplia en blanco y negro de las zonas que han de quedar abiertas y cerradas, reducindose fotogrficamente. El negativo ya reducido a la dimensin adecuada se coloca a manera de mscara sobre la emulsin. Sometiendo la emulsin a los rayos ultravioleta a travs de la mscara se polimeriza la fotorresina bajo las zonas transparentes de la mscara. Se retira luego dicha mascara y se revela la oblea mediante un producto qumico como el tricloroetileno que disuelve las partes no expuestas o polimerizadas de la emulsin dejando la superficie. La emulsin que no se ha eliminado con el revelado se fija para que resulte resistente a los productos corrosivos que se emplearan a continuacin. El chip se sumerge en una solucin corrosiva de cido fluorhdrico que eliminara el oxido de las zonas a travs de las que deber difundirse el dopante. Las porciones de SiO2 protegidas por la pelcula no quedan

afectadas por el cido. Una vez difundidas las impurezas, la mscara restante se elimina mediante un disolvente qumico como el H2SO4 caliente y por abrasin mecnica. En el proceso descrito se emplea una fotorresina negativa, aunque tambin se emplea la positiva en la que las partes del polmetro expuestas son eliminadas con lo que se retiene el material no expuesto. Los siguientes pasos del proceso son independientes del tipo de fotorresina empleada. La confeccin de la mscara fotogrfica es una cuestin complicada y costosa. Una vez determinada la disposicin del circuito se prepara un dibujo en escala de tamao grande en el que figure la localizacin de las aberturas en las que deber eliminarse el SiO2 para un determinado paso del proceso. La disposicin del chip se obtiene con la ayuda de un ordenador. El dibujo se hace a escala de alrededor de 500:1 quedando de un tamao ms fcilmente manejable para el dibujante. Esta tcnica permite controlar 1 m en el proceso de produccin, con una resolucin entre lneas adyacentes de 2 m. El dibujo del circuito se subdivide en varios niveles, denominados niveles de enmascarado, que se usan en la fabricacin del chip. Por ejemplo en un dispositivo MOS la disposicin de puertas esta en un nivel, las ventanas de contacto de fuente y drenaje en otro, etc. Por medio de procedimientos pticos manejados por ordenador se convierte el dibujo en informacin digital y se transfiere a una lmina fotosensible. Esta lamina, en la que el modelo queda reducido unas 100 veces, puede usarse directamente sobre el chip o en combinacin con una cmara para una segunda reduccin de tamao de 5 a 10 veces. Las imgenes bidimensionales en las varias lminas constituyen las dems caras empleadas para cada uno de los pasos siguientes en la fabricacin de los CI. Los menores detalles que se pueden obtener con el proceso fotolitogrfico descrito quedan limitados por la longitud de onda mucho

ms corta que las radiaciones pticas y son capaces de definir zonas mucho ms pequeas. Actualmente para la preparacin de mascaras se emplea la litografa con haces de electrones. Un haz muy fino de electrones barre una mscara recubierta con una resina sensible a los electrones. De esta manera el diseo queda impreso en la mscara. Esta forma de preparar las mascaras posee ventajas que consisten en una mayor precisin, la supresin de dos etapas de reduccin fotogrfica y la reduccin de tiempo. En la produccin industrial, el mayor costo de los equipos necesarios queda compensado por las ventajas que aporta. y Difusin: La introduccin de impurezas con concentraciones controladas se llevan a cabo en un horno de difusin a unos 1000C y durante 1 2 horas. Un horno de difusin aloja normalmente 20 obleas en un soporte de cuarzo dentro de un tubo tambin de cuarzo. La temperatura debe regularse cuidadosamente de forma que sea uniforme en toda la zona. Las fuentes de impurezas pueden ser gases, lquidos o slidos puestos en contacto con las superficies de silicio en el interior del horno. Como impurezas gaseosas generalmente se utilizan Hidruros de Boro, Arsnico, y Fsforo. Un gas inerte nitrgeno conduce los tomos de impurezas hasta la superficie de las obleas desde donde se difunde en el silicio. En un transistor bipolar BJT se emplean dos difusiones de impurezas. Para un dispositivo npn la primera es la difusin de la base tipo p en el colector recrecido epitaxialmente de tipo n. Y la segunda es la regin emisor de tipo n en la base tipo p. La difusin de emisor Fsforo parte con una concentracin superficial mucho ms alta, prxima a la solubilidad slida de unos 10
3 21

mientras que la de base-colector se considera como linealmente gradual debido a la variacin ms lenta de la concentracin en funcin de la distancia. y Implantacin de iones: La implantacin de iones es un segundo procedimiento para introducir impurezas. Un haz de iones de Boro para el tipo p y Fsforo para el tipo n, se aceleran con energa entre los 30 y 200 K electrn V. La profundidad de penetracin se determina por la energa de aceleracin y por la concentracin de iones dopantes. Este procedimiento se emplea frecuentemente donde se requieran capas finas de finas la implantacin de iones permite controlar mejor la concentracin de dopado que el procedimiento de difusin. La capa de SiO2 pasivada forma una verdadera barrera frente a los iones implantados con lo que solo quedan dopadas las zonas definidas fotolitogrficamente. Tambin es ventajosa la implantacin de iones porque se realiza a baja temperatura. En consecuencia, las regiones previamente difundidas o implantadas tienen menos tendencia a extenderse lateralmente. Otra particularidad del proceso de implantacin de iones es que el potencial de aceleracin y la concentracin de iones dopantes se regulan elctricamente desde fuera del aparato en que se produce la implantacin. Por el contrario, en el proceso de difusin debe controlarse la temperatura sobre toda la superficie dentro del horno. Todas estas ventajas han hecho que la implantacin de iones se convierta en el principal procedimiento en la fabricacin de circuitos integrados. Metalizacin: La mentalizacin se emplea para formar las interconexiones entre los componentes de un chip. Estas conexiones se forman depositando una tenue capa de aluminio sobre toda la superficie del chip. La deposicin se consigue por evaporacin en alto vaco en el interior de un recipiente. Se calienta el aluminio hasta que se vaporice. Las molculas gaseosas formadas irradian

tomos/cm y penetra hasta 2 m en donde se forma la unin de emisor. Puede verse que el espesor de la base de este transistor monoltico es de 0,7 m. Normalmente se trata la unin emisor-base como abrupta,

uniformemente en todas direcciones y cubren completamente la superficie de la oblea. Las trayectorias de las conexiones se definen con una mscara eliminando por corrosin el aluminio sobrante. La deposicin en vaco requiere un vaco del orden de 10 a 10 TORR y se usa para vaporizar una amplia gama de materiales por ejemplo: plata, oro, cromo, aluminio, aleaciones de ferronquel, "Cermets" (CrSiO) y dielctricos tales como monxido de silicio, anhdrido silcico y fluoruro de magnesio. En una configuracin tpica usada para deposicin en el vaco, la fuente calefactora evapora el material, que sube a travs de la mscara o plantilla y se deposita segn el molde prefijado sobre un sustrato aislante o activo. Se muestran en la figura 10 algunas configuraciones de canoas, canastas y filamentos usados como recipientes y calefactores de los materiales. Estos recipientes se consiguen comercialmente o pueden fabricarse fcilmente con hojas de metal refractario o alambre. En la mayora de los casos el calentamiento por can electrnico es superior al calentamiento por resistencia ya que provoca el calentamiento directo del material en el lugar de conduccin del calor desde un dispositivo calentado por resistencias. El can electrnico proporciona un mtodo de calentamiento limpio, concentrado y exacto. Adems se pueden cargar y evaporar mayores cantidades de material en una sola pasada. La deposicin en el vaco provee un mtodo conveniente para evaporar fcilmente una amplia gama de materiales. D. Integracin de otros elementos de circuito Uno de los ms revolucionarios desarrollos de la tecnologa de circuitos integrados es el hecho de que los transistores integrados son ms baratos para fabricar que otros elementos
-4 -6

como las resistencias y los capacitores. Sin embargo, hay numerosas aplicaciones necesitando diodos, resistencias y capacitores en forma integrada. Aqu, una breve descripcin sobre cmo se pueden fabricar diodos y resistencias en forma integrada. y Diodos: Es fcil construir una diodo de unin p-n en un circuito monoltico. Es tambin una prctica comn utilizar transistores para realizar funciones de diodo. Desde que muchos transistores son incluidos en un circuito monoltico, procesos de difusiones no tan especiales son requeridas para fabricar elementos. Existen un nmero de formas en las cuales un transistor puede ser conectado como un diodo. Tal vez el mtodo ms comn es usar la salida emisor, con el colector y la base en cortocircuito. sta configuracin es la estructura bsica del diodo, el cual, tiene una alta rapidez de cambio con un pequeo almacenamiento de carga. Desde que los transistores pueden ser fabricados simultneamente, las conexiones propias pueden ser incluidas en los procesos de metalizacin para convertir algunos de los transistores en diodos. Resistencias: En los circuitos integrados monolticos se obtienen las resistencias utilizando la resistividad de volumen de una de las regiones del transistor. La tcnica ms corriente es usar la regin difundida o implantada de tipo P del transistor bipolar. Aunque tambin puede usarse la capa epitaxial y la regin n+ del emisor. Con la tecnologa MOS a veces se emplea la capa de polisilicio. Tambin se emplea para formar resistencias el sustrato tipo N del transistor PMOS en la fabricacin del CMOS. La tcnica de deposicin de una fina pelcula es completamente distinta, y con ella se fabrican resistencias integradas.

Resistencia pelicular: Las capas semiconductoras empleadas para formar resistencias son muy tenues, y por ello conviene introducir una magnitud llamada Resistencia Pelicular.

una resistencia de 1000 cuya resistencia laminar sea de 100 /cuadro:

Figura 2. Esquema representativo de una resistencia pelicular

Se entiende como 10:1. El valor de resistencia deseado seria proporcionado por una superficie de 0,3 x 0,03 mm. Como el sustrato esta a potencial ms negativo, la capa N debera mantenerse al potencial ms positivo del circuito. A

Si en la figura 2 el ancho W es igual a la longitud L tendremos un cuadro L x L de resistividad , espesor t y seccin recta A = L . t. La resistencia de este cuadro es:

Obsrvese que RS es independiente del tamao del cuadro. Normalmente la resistencia pelicular de las difusiones de base y de emisor son de 200 y 5 respectivamente. Resistencias difundidas: La figura 3 representan la fabricacin de una resistencia difusa de base, y el valor puede calcularse por:

C
Figura 3. (A) Seccin Transversal; (B) Vista Superior de una Resistencia Difundida tipo p; (C) Procedimiento para Aumentar la Longitud de la Resistencia.

III.
En donde L y W son la longitud y el ancho del rea difusa como se puede observar en la vista superior. Para

CONCLUSIONES

La integracin de circuitos (despus de la invencin del transistor que reemplazara los tubos de vaco) es un paso importante en la

electrnica, ya que gracias a la integracin, la construccin de un circuito se torna ms econmica, sutil y conveniente, ya sea por la reduccin de espacio y/o peso del circuito o por las facilidades ofrecidas cuando es necesario el mantenimiento del circuito. Adems la integracin de circuitos permiti la creacin de circuitos ms complejos que seran imposibles de construir a partir de dispositivos discretos. Aunque los procesos usados para la fabricacin de obleas de semiconductor son costosos debido a la cantidad de cuidados que deben tenerse en cuenta, el costo de cada una es indirectamente proporcional a la alta demanda de las mismas. REFERENCIAS [1]http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de _uni%C3%B3n_bipolar#Historia [2]http://www.monografias.com/trabajos14/ci rcuidigital/circuidigital.shtml [3]http://es.wikipedia.org/wiki/Circuito_integ rado#Tipos [4]http://www.edutecne.utn.edu.ar/microelect ronica/02FABRICACION%20DE%20CIRCUITOS%2 0INTEGRADOS.pdf [5]http://www.edutecne.utn.edu.ar/microelect ronica/05%20RESITENCIAS%20INTEGRA DAS.pdf