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TP N°2 

: Transistor bipolaire:
Introduction :
Le transistor bipolaire : C’est le composant électronique à base de semi-
conducteur le plus utilisé à nos jours dans les rôles d'amplificateur et
d'interrupteur. Il constitué de deux jonctions , placées en série , ils
proches l’une de l’autre et de polarités opposées. On distingue le
transistor NPN et le transistor PNP . On’a 3 tensions VBE. VCE et Vbc , et
3 courants Ib, Ic et Ie ,qui caractérisé le transistor bipolaire.

Les trois pattes constituant le transistor bipolaire sont les suivants :


 La base (B) qui permet de commander le passage du courant à travers
le composant .
 Le collecteur (C) est la broche par laquelle le courant entre dans le
transistor bipolaire.
 L'émetteur (E) est la broche par laquelle le courant sort du composant,
ainsi que le signal de sortie.
Régimes de fonctionnements : Le transistor bipolaire peut fonctionner en
deux régimes ou modes différents :
 Le régime linéaire (mode amplification) : dans ce mode, le transistor
permet de laisser plus ou moins passer le courant.
 Le régime de saturation (mode de commutation) : dans ce cas, le
transistor possède 2 états : soit bloqué, soit saturé (ou passant). A l’'état
bloqué le courant ne parcours plus le composant. Quant à l'état de
saturé, le transistor passe un courant du collecteur vers l'émetteur.
II-Objectifs du TP :
Le but de ce TP est de permettre de :
- Relever la caractéristique d’entrée Ib = f(Vbe) d’une diode à jonction
dans le sens directe et inverse.
- Relever la caractéristique de sortie I = f(V) d’une diode de Zener dans
le sens direct et inverse.
– Déterminer le gain β.

III-Manipulation 1 : caractéristique d’entrée :


1- Etude théorique :
La caractéristique d'entrée du transistor est donnée par la relation I B = f
(VBE) á VCE = cte .
En fait, le circuit d'entrée est la jonction base émetteur du transistor, soit
une jonction diode.
Cette caractéristique va dépendre très peu de la tension collecteur
émetteur : on la donne en général pour une seule valeur de V CE. La
courbe est la suivante :

La tension VBE est d'environ 0,7V pour une


polarisation normale du transistor (courant de
base inférieur au mA). Cette valeur est donc
légèrement supérieure à celle d'une jonction
de diode.
2-Montage :
En variant la tension VBB, ,et on
fixe VCE . on mesure la tension
VBE pour différentes valeurs de
IB ;
En variant la tension VBB, ,et on
fixe VCE . on mesure la tension
VBE pour différentes valeurs de
IB .

3- Tableau de valeurs :
IB (µA) 0 0 19 30 23
VBE(V) 0 0.49 0.65 0.66 0.65

4-courbe :

5-interpretation :
 la valeur de Ib à partir de laquelle VBE peut être considérée
comme égale à 0,6 V est Ib=19 µA.
 la résistance d’entrée Re = (ΔVbe /ΔIb) á Vce=cte
Re=8.42 KOhm .

V-Manipulation 3: caractéristique de sortie :


1- Etude théorique :
Dans le schéma ci- dessus, on doit tout d’abord fixé un courant de base
pour qu’il y ait existence d’un courant de collecteur. C’est le rôle de la
source de tension VBEo. Dans un deuxième temps, on fait varier VCE
avec une source de tension réglable, puis pour chaque valeur de VCE
on relève le courant IC correspondant. On retranscrit les mesure sur un
graphe ce
qui donne :

Sur cette

caractéristique, on peut remarquer que le courant collecteur croit très


rapidement pour se stabiliser autour de la valeur βIb.

2-Montage :
 Fixer IB
 En variant la tension Vcc, et on mesure Ic pour différentes valeurs
de VCE.

2- Tableau de valeurs :

IB = 15µA IC(mA) 0 3.55 3.7


VCE(V) 0 2 5
IB = 27 µA IC(mA) 0 6.45 6.66
VCE(V) 0 1.13 2.5

4-courbe :

5-interpretation :
 le coefficient d’amplification en courant β = (ΔIc/ΔIb) á Vce=cte

on’a pour Ib=43 µA , Ic=4.9 mA donc β=(4.9-0) /(43-0)


d’où : β=113.9
Conclusion :
Dans les deux manipulations qu’on a traités, on’a étudié et tracé des
réseaux de caractéristiques d’un transistor bipolaire et leur exploitation
dans la détermination de ces différents paramètres.

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