Le transistor bipolaire

1) Structure interne
2) Fonctionnement du composant
3) Symboles
4) Formules de base
5) Caractéristiques et limites de fonctionnement
6) Analyse de la polarisation standard
FLP - 2020
 Structure du transistor bipolaire
Points communs avec la diode
Diode Transistor NPN Transistor PNP
Collecteur Emetteur
Anode

N P
P Base Base
P N
N
N P
Cathode

Emetteur Collecteur

La diode comporte une jonction alors que le transistor en comporte deux.

 Fonctionnement du transistor bipolaire
Emetteur Base Collecteur
La zone base est de
N P N dimensions très réduites,
afin de permettre le bon
fonctionnement du
Electrons transistor.
R
U
+

La zone émetteur se rempli de charge électrique, jusqu’à atteindre la conduction de

la jonction base émetteur.
Ensuite, la zone base se rempli jusqu’à être saturée.
Rien ne se passe jusqu’à ce qu’un électron soit extrait de la base par l’alimentation.
 Fonctionnement du transistor bipolaire
Emetteur Base Collecteur

N P N
Les électrons libres de
l’émetteurs sont attirés
par le trou laissé à la base
Electrons Electrons par l’électron qui c’est
Electrons R
U déplacé vers le plus de
l’alimentation.
+

Une fois le trou rempli par un électron, les autres électrons ne peuvent s’arrêter dans la
base et vont continuer à se déplacer en direction du collecteur, attirés par le pôle
positif de l’alimentation. Il s’agit de l’effet transistor.
Le nombre d’électrons sortant du collecteur dépend du nombre d’électrons sortant de la
base. Le rapport entre les deux s’appelle le gain du transistor.
 Symbole du transistor bipolaire
Lien entre structure interne et symbole
Transistor NPN Transistor PNP
Collecteur Emetteur

N C
P E
IC IE
Base B Base B
P Q N Q
IB IB
IE IC
N E P C

Emetteur Collecteur

La flèche du symbole représente la jonction (diode) base-émetteur.

 Formules de base liées au transistor bipolaire
Le transistor bipolaire fonctionne comme un "amplificateur de courant".
Il pilote un "grand" courant IC à partir d’un "petit" courant IB.

Transistor NPN Transistor PNP

IE = IB + IC
IC IE
IE = IB ∙ βCC + 1
Q Q
IB IB
IE IC IC βCC
αCC = αCC =
IE βCC + 1
Gain du transistor
IC
βCC = hFE = IC = IB ∙ βCC = IB ∙ hFE
IB
 Caractéristiques du transistor bipolaire
Caractéristique IC en fonction de UCE
Zone de saturation : Dans cette région,
l’énergie électrique au collecteur n’est
pas suffisante pour satisfaire la
«demande» de la base (IC < βCC ∙ IB).

Zone d’amplification : Le transistor

régule le courant de collecteur IC, en
fonction du courant de base IB
(IC = βCC ∙ IB).

Zone de claquage : La tension UCE

atteint un seuil qui détruit le transistor,
Zone de Zone active ou Zone de celui-ci ne pouvant plus limiter le
saturation d’amplification claquage courant.
 Caractéristiques du transistor bipolaire
Variation du gain en courant βCC ou hFE

Variation du βCC ou HFE

Le gain du transistor varie en fonction :
• Du courant de collecteur IC
• De la température du composant.
Le βCC diminue si la température
diminue.

BC107
 Caractéristiques du transistor bipolaire
Limitations liées aux valeurs maximales
IC
[mA]
Icmax
100mA

Ptot = UCE ∙ IC
UCE [V] IC [mA]

Ptot 3 100
IC = 10 30
UCE
20 15 UCE
UCEmax [V]
Ptot 30 10
UCE = Zone de travail 45V
IC 45 6,7
restante
 Polarisation du transistor bipolaire

VCC URB = VBB − UBE

URB
RC IB =
URC RB

URB IC IC = IB ∙ βCC
VBB RB
Q UCE IE = IB + IC
IB
UBE URC = R C ∙ IC
IE
UCE = VCC − URC
 Polarisation du transistor bipolaire
VCC IC [mA]
ICmax
RC URC

URB IC
VBB RB
Q UCE
IB
UBE
IE UCE
VCC [V]
Saturation Blocage
UCEmin = UCEsat ≅ 0V IC = 0A
URCmax VCC − UCEsat VCC UCEmax = VCC
ICmax = = ≅
RC RC RC
 Polarisation du transistor bipolaire
Respect des limitations liées aux valeurs maximales
IC
[mA] Lors de la polarisation d’un transistor
Icmax bipolaire, il faut s’assurer que la droite
de charge soit à l’intérieur des limites
fixées par les valeurs maximales liées au
composant.
Saturation
La droite de charge doit respecter ces
limites sur l’entier de son
fonctionnement.
UCE (cas particulier : la commutation)
Blocage UCEmax [V]
 Polarisation du transistor bipolaire – Exemple 1

URB = VBB − UBE = 5 − 0,7 = 4,3V

VCC 12V
URB 4,3
RC IB = = = 430μA
URC RB 10 ∙ 103
120Ω 5,21V
URB 4,3V IC 43mA IC = IB ∙ βCC = 430 ∙ 10−6 ∙ 100 = 43mA

VBB RB IB UCE
Q IE = IB + IC = 430 ∙ 10−6 + 43 ∙ 10−3 = 43,4mA
5V 430μA 6,79V
10kΩ
UBE URC = R C ∙ IC = 120 ∙ 43,4 ∙ 10−3 = 5,21V
0,7V IE 43,4mA
UCE = VCC − URC = 12 − 5,21 = 6,79V
βCC = 100
 Polarisation du transistor bipolaire – Exemple 1
VCC 12V IC [mA]
100mA
RC
URC
120Ω
URB IC Q Point de repos
43mA
VBB RB
Q UCE
5V 10kΩ IB
UBE
IE UCE
6,79V 12V [V]
Saturation Blocage
UCEmin ≅ 0V IC = 0A
12 UCEmax = VCC = 12V
ICmax ≅ = 100mA
120
 Polarisation du transistor bipolaire – Exemple 2

VCC 15V URB = VCC − VBB − UBE = 15 − 11 − 0,7 = 3,3V

URB 3,3
UEB IE 33,3mA IB = = 3
= 275μA
0,7V RB 12 ∙ 10
12kΩ IB 14,3V
VBB UEC
Q 7,74V IC = IB ∙ βCC = 275 ∙ 10−6 ∙ 120 = 33mA
11V RB 275μA 7,26V
URB 3,3V IC 33mA IE = IB + IC = 275 ∙ 10−6 + 33 ∙ 10−3 = 33,3mA
220Ω URC
7,26V URC = R C ∙ IC = 220 ∙ 33 ∙ 10−3 = 7,26V
RC

βCC = 120 UEC = VCC − URC = 15 − 7,26 = 7,74V

 Polarisation du transistor bipolaire – Exemple 2
VCC 15V IC [mA]
68,2mA
UEB IE
12kΩ IB
VBB UEC
Q Q Point de repos
11V RB 33mA
URB IC

220Ω URC
RC UEC
7,74V 15V [V]
Saturation Blocage
UECmin ≅ 0V IC = 0A
15 UECmax = VCC = 15V
ICmax ≅ = 68,2mA
220
Résumé 1/2

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Résumé 2/2

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