Microscop de Efecto Tunel (STM) a

24 de julio de 2011

Fundamento F sico. Con el nombre de efecto t nel se designa un fenmeno genuinamente cuntico, seg n el u o a u cual una part cula posee una probabilidad no nula de atravesar una barrera de potencial cuya energ es superior a la suya propia. Dicha probabilidad es extraordinariamente sensible a a la anchura y altura de la barrera. Consideremos el caso en el que la barrera de potencial es el vac que separa dos electrodos metlicos, entre los cuales se ha establecido una peque a o a n diferencia de potencial. Si estos electrodos se aproximan lo suciente, algunos electrones sern capaces de pasar de uno a otro atravesando la barrera por efecto t nel, y darn lugar a u a a una peque a corriente. Este fenmeno fue estudiado tericamente en la dcada de los n o o e treinta [1], pero no fue hasta mediados de los setenta cuando se veric experimentalmente o [2]. Basndose en el mismo, G.Binning y H.Rohrer desarrollaron en 1981 el microscopio a de efecto t nel (STM, Scanning Tunneling Microscope) [3, 4]. En un STM el papel de los u electrodos es desempe ado por una muestra, metlica o semiconductora, y una alada punta n a metlica que se sit a sobre esta a una distancia muy pequea (5 ). La punta puede a u n A desplazarse sobre la supercie de la muestra y tambin en direccin perpendicular a esta e o utilizando un dispositivo de barrido constituido por materiales piezoelctricos. Los voltajes e de polarizacin punta-muestra utilizados suelen oscilar entre 0.1 y 4 V aproximadamente. o Como se explicar posteriormente, empleando la corriente t nel entre punta y muestra se a u pueden obtener imgenes tridimensionales de la supercie con resolucin horizontal de hasta a o 2 y vertical de hasta 0.01 adems de informacin electrnica y composicional de la A A a o o misma. Una ventaja a adida a esta alt n sima resolucin es la falta de contacto entre punta y o muestra, que unida a la baja intensidad de la corriente t nel (del orden de nA) hace del STM u una tcnica de caracterizacin no destructiva. El STM puede considerarse el primer miembro e o de la familia de las llamadas microscop de campo cercano o de barrido de sonda (SPM, as Scanning Probe Microscopies), entre las que se incluye la microscop de fuerza atmica a o (AFM, Atomic Force Microscopy), la microscop ptica de campo cercano (NSOM, Neara o eld Scanning Optical Microscopy), etc. Han sido numerosos los estudios tericos realizados con objeto de calcular la corriente o t nel producida en un STM. En primera aproximacin y suponiendo una unin t nel unidiu o o u mensional entre dos electrodos planos [5], la corriente tnel puede expresarse como: u

 I(nA) (V /s)exp(1.0251/2 s)

(1)

donde s es la anchura de la barrera al nivel de Fermi expresada en V el voltaje de A polarizacin en voltios, y la altura promedio de la barrera, tambin expresado en voltios. La o e expresin anterior es vlida en el rango de peque os voltajes o rgimen t nel, cuando eV . o a n e u En ella queda reejada la dependencia de la corriente t nel de los parmetros estructurales, u a composicionales, y electrnicos de la muestra, a travs de s, , y (V/s) respectivamente. o e La dependencia exponencial de la corriente con la distancia s es la clave que explica la alta pica de 4 eV, un cambio en s de 1 producir resolucin alcanzable con el STM. Para una t o A a una variacin en la corriente t nel de un orden de magnitud aproximadamente. o u Mediante un clculo ms realista, que hace uso de la teor de perturbaciones a primer a a a orden [6] y supone una punta con simetr local esfrica, puede obtenerse sta expresin para a e e o la corriente t nel [7]: u

I V np (EF )exp(2R)

| (r0 )|2 (E EF )

(2)

donde EF es la energ de Fermi, np la densidad de estados de la punta, R su radio a efectivo y r0 el vector de posicin de su centro de curvatura. = o
4m h

es la llamada

tasa de decaimiento y la altura local de la barrera de potencial efectiva. designa la funcin de onda que describe un estado electrnico de la supercie de la muestra, y E su o o energ La suma que aparece en () puede identicarse con la densidad local de estados de la a. supercie al nivel de Fermi, la cual depende del voltaje t nel (Vt ) aplicado. Para un Vt dado, u solamente los estados electrnicos comprendidos entre los niveles de Fermi de la punta y la o muestra pueden contribuir a la corriente t nel. La dependencia de esta densidad de estados u de V1 es especialmente acusada en el caso de materiales semiconductores. Dependiendo de la polaridad del Vt aplicado a la muestra, las correspondientes imgenes reejarn o bien la a a distribucin espacial de los estados electrnicos asociados a la banda de valencia, o bien la o o de los asociados a la de conduccin. o

Modos de operacin del STM. o Topograf a. Existen dos modos de obtener imgenes que reejen la topograf de la muestra, el modo a a de corriente constante y el modo de altura constante. En ambos casos el voltaje de polarizacin punta-muestra o voltaje de t nel (Vt ) permanece tambin invariable. En el primer o u e modo de operacin, que es el llamado genricamente modo de topograf la corriente t nel o e a, u se mantiene constante con ayuda de un circuito electrnico de realimentacin (feedback). o o Las variaciones momentneas de corriente registradas con este dispositivo son compensadas a suministrando al piezoelctrico que controla el movimiento vertical de la punta el voltaje e adecuado para que acerque o aleje esta de la muestra. De este modo el recorrido de la punta reproduce la topograf de la muestra seg n barre su supercie, proporcionando adems a u a informacin tridimensional cuantitativa sobre la misma por estar calibrados los movimientos o de los piezoelctricos. Este es el modo utilizado normalmente para obtener imgenes de reas e a a grandes o de muestras con elevada corrugacin topogrca. o a En el modo de altura constante, tambin llamado modo de corriente, se registran las e variaciones de la corriente t nel producidas al barrer la punta una rea de la muestra manteu a niendo constante la distancia perpendicular a esta. En la prctica este modo de operacin es a o util solo en condiciones de ultra alto vac (UHV) y cuando se barren reas muy peque as de o a n muestras muy planas. Esto es debido a la extrema sensibilidad de la corriente t nel a la sepau racin entre punta y muestra, que hace que la probabilidad de contacto entre ambas sea muy o elevada por m nima que sea la corrugacin de la supercie. En cualquier caso es importante o resaltar que las imgenes adquiridas en ambos modos de operacin no estn relacionadas a o a exclusivamente con la topograf de la supercie, debido a la inuencia en la corriente t nel a u de la densidad de estados de punta y muestra.

Bibliograf a
[1] Frenkel. Phys. Rev. 36, 1104 (1930). [2] Thompson y S.F. Hanrahan. Rey. Sci. Instrum. 47, 1303 (1976). [3] G. Bining y H. Rohrer. Helv. Phys. Acta 55, 726 (1982). [4] G. Bining, 11. Rohrer, Ch. Gerber y E. Weibel. Phys. Rey. Lett. 49, 57 (1982). [5] J. G. Simmons. J. Appl. Phys. 34, 1793 (1963). [6] J. Bardeen. Phys. Rey. Lett. 6, 57 (1961). [7] J. Terso y D.R. Hamann. Phys. Rey. B. 31, 805 (1985).