Electronique Analogique

Chap III : Le transistor bipolaire

Structure et principe de fonctionnement

Le transistor bipolaire en régime statique

Le transistor bipolaire en régime dynamique

Dr S. KONE
Ingénieur R&D – Electronique - Energies Renouvelables et Développement Durable
 Le transistor bipolaire
1 – Structure et principe de fonctionnement
1.1. Description et symbole
Le transistor bipolaire est constitué de deux jonctions réalisées dans un même monocristal
semi-conducteur. Il comporte ainsi trois régions semi-conductrices de dopage alterné dont deux
régions de même type de dopage (p ou n) appelées Emetteur (E ) et Collecteur (C ) séparées par
une région très mince faiblement dopée de type opposé appelée Base (B).
Il existe deux types de transistor bipolaire selon le dopage de l’Emetteur et du Collecteur :
- Le transistor NPN (le courant est dû à un flux d’électrons)
- Le transistor PNP (le courant est dû à un flux de trous)

C C

n p NB:
B B
p n  Le transistor est dit bipolaire car son fonctionnement fait

p intervenir deux types de porteurs de charge.

n
 La flèche indique le sens réel du courant dans l’Emetteur.
NPN E PNP E
 Le principe de fonctionnement est identique pour les deux
types de transistor.

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 Le transistor bipolaire
1 – Structure et principe de fonctionnement
1.2. Représentation des grandeurs courants et tensions
Les tensions de polarisation (VBE et VCE) et les courants (IB et IC) du transistor bipolaire
sont des grandeurs continues. Pour un fonctionnement normal et un même sens de référence,
les courants et tensions sont positifs pour le transistor NPN et négatifs pour le PNP.

Grandeurs positives Grandeurs négatives

D’après la Loi de Kirchhoff pour les nœuds: I = I + I

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 Le transistor bipolaire
1 – Structure et principe de fonctionnement
1.3. Modes de fonctionnement
Jonction EB Jonction CB
D1 D2
E
n p n
C
⟺ E C
B
B
Le transistor bipolaire comporte deux jonctions EB et CB que l'on peut considérer comme
deux diodes pn montées tête-bêche. Selon la polarisation des jonctions EB et CB, on distingue
trois modes de fonctionnement du transistor :

Jonction EB Jonction CB Mode ou régime

En direct En inverse Actif ou normal
En direct En direct Saturé
En inverse En inverse Bloqué

Exple : Polarisation du transistor NPN en mode actif

E C
E C
n p n
Diode DBE en direct
VE < VB < VC
Diode DBC en inverse
B B
V BE > 0 V BC< 0 V BE> 0 V BC< 0

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 Le transistor bipolaire
1 – Structure et principe de fonctionnement
1.4. Principe de fonctionnement: Effet transistor
On considère le transistor NPN en mode actif.

n + - p - + n
EBE E
IE + - - + BC IC C
E
Electrons + - Electrons -
diffusés
+ Electrons
Injectés ou émis collectés
+ - - +
+ - - + recombinés
Electrons
EB CB
IB

VBE > 0
B
VBC< 0

 Jonction EB polarisée en direct (VBE > 0): La barrière de potentiel est abaissée pour favoriser
le passage des porteurs majoritaires de E vers B et inversement. Mais la région d’Emetteur
étant fortement dopée par rapport à la Base, le courant (IE) dans la jonction EB est
essentiellement dû au passage des électrons de E vers B.

 Les électrons arrivent dans la Base de type p, très mince et faiblement dopée. Ils subissent
donc très peu de recombinaison. Le courant résultant de ce faible taux de recombinaison,
appelé courant de base IB, est logiquement très faible devant IE.

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 Le transistor bipolaire
1 – Structure et principe de fonctionnement
1.4. Principe de fonctionnement: Effet transistor (suite)
 Majorité des électrons issus de l’Emetteur atteignent donc la jonction CB. Celle-ci étant
polarisée en inverse, il y règne un champ intense EBC. Les électrons y sont donc accélérés puis
déversés dans la région du Collecteur. Le courant résultant est le courant de Collecteur IC qui
représente une fraction de IE (IC = 𝛼.IE avec 0,95 ≤ 𝛼 ≤ 0,99). On constate que IC ≈ IE malgré
la polarisation de la jonction CB en inverse. Ce phénomène est appelé Effet Transistor.

Le principe de l'effet transistor consiste à moduler le courant inverse de la jonction

base-collecteur (BC) polarisée en inverse, par une injection de porteurs minoritaires dans la
base à partir de la jonction émetteur-base (EB) polarisée en direct. Il confère au Transistor
la possibilité d’amplifier des signaux.

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 Le transistor bipolaire
1 – Structure et principe de fonctionnement
1.5. Relations entre les courants IE, IB et IC
D’après la loi de Kirchhoff et le rapport courants Emeteur-Colletcteur, on peut définir les
relations suivantes : C
IC

n (1) I = I + I
B IB
p (2) I = αI
n (3) I = I = βI Avec 𝛽 =
IE
E
On définit donc:
 Alpha statique:

𝛼= ≈ 1: Gain en courant du transistor à tension VBC = cste.

 0,95 < 𝛼 < 0,99
 Beta statique:

𝛽= : Gain en courant ou coefficient d’ amplification du transistor.

 100 < 𝛽 < 200 pour les transistors classiques.

 20 < 𝛽< 100 pour les transistors de puissance.

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 Le transistor bipolaire
1 – Structure et principe de fonctionnement
1.6. Les montages du transistor sous forme de quadripôle
Le transistor étant un composant à trois électrodes utilisé en tant que quadripôle
amplificateur, l'une des électrodes est commune à l'entrée et à la sortie. Il en résulte donc trois
montages principaux:
Entrée Sortie Montage
Base Collecteur Emetteur commun
Base Emetteur Collecteur commun
Emetteur Collecteur Base commune

NB: Les montages correspondant à une permutation entrée-sortie sont sans intérêt car ne
permettent pas de gain.

Exple: Les différents montages avec le transistor NPN, tel que IB + IC + IE = 0 (convention
des courants rentrants). Dans ce cas, IE est orienté vers l’intérieur.

IC IE
C E IE
E IC C
IB IB
B B
VCE VEC VEB VCB
VBE VBC
IE IB
IC
E C B
Montage EC Montage CC Montage BC

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 Le transistor bipolaire
2 - Le transistor bipolaire en régime statique
2.1. Expressions des courants (équations d’Ebers-Moll)
On considère le transistor NPN pour un fonctionnement en mode actif.
Jonction EB Jonction CB
D1 D2
E
n p n
C
⟺ E C
B
B
 Soit I1 le courant de la jonction émetteur-base (diode 1) polarisée par la tension VBE.

I = I [e − 1] Avec Is1, le courant de saturation de la jonction émetteur-base.

 Soit I2, le courant de la jonction collecteur-base (diode 2) polarisée par la tension VBC.
( )
I = I [e −1] Avec Is2, le courant de saturation de la jonction base-collecteur.

I =I −αI
On a établit que : (Equations d’Ebers-Moll)
I = αI + I
𝛼=( ) : Gain statique en courant à VBC constante
Avec
𝛼 = (− ) : Gain statique en courant à VBE constante

 Pour un fonctionnement en mode actif: 𝑉 >0⇒e >> 1 et 𝑉 <0⇒e ≪1

I =I e
D’où (Equations d’Ebers-Moll pour le transistor NPN en mode actif)
I = αI = αI e
I =𝐼 −𝐼
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 Le transistor bipolaire
2 - Le transistor bipolaire en régime statique
2.2. Réseau de caractéristiques statiques
On considère le transistor NPN et le montage EC qui est le plus utilisé dans les applications.
2.2.1. Montage des mesures
IC
mA

C
IB B RC  RB, RC: Résistances de protection
mA
V
VCE  EB, EC: Sources continues variables
RB E
V VBE EC
EB IE

Grandeurs d’entrée: VBE, IB

Pour le montage EC, on a:
Grandeurs de sortie: VCE, IC

Ainsi, on définit le réseau de caractéristiques du transistor à l’aide des relations reliant les
grandeurs d’entrée (VBE, IB), les grandeurs de sortie (VCE, IC), les courants (IB, IC) et les
tensions (VBE,VCE).

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 Le transistor bipolaire
2 - Le transistor bipolaire en régime statique
2.2. Réseau de caractéristiques statiques
2.2.2. Réseau de caractéristiques

Saturé Linéaire
VBE < V seuil
Jonction EB passante

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 Le transistor bipolaire
2 - Le transistor bipolaire en régime statique
2.2. Réseau de caractéristiques statiques
2.2.3. Caractéristiques de sortie IC = f(VCE) à IB = Cte
 Quadrant I
 Les courbes IC = f (VCE) sont des droites de faibles pente et parallèles dans une zone appelée
zone linéaire (zone de fonctionnement normal du transistor). Dans cette zone, IC pratiquement
indépendant de VCE (IC = 𝛽IB).

 Pour des valeurs VCE très faibles (proche de l’axe des courants IC), on a une zone de saturation
où un très faible courant circule entre l’Emetteur et le Collecteur (IC indépendant de IB). Cette
zone correspond au cas où les deux jonctions sont polarisées en direct. Le transistor
fonctionne en mode saturation (interrupteur fermé) donc équivalent à sa résistance interne RS.

NB: Pour un courant de base IB nul, le courant IC devient très faible dans la zone linéaire
(proche de l’axe des tensions VCE). Le transistor fonctionne en mode bloqué (interrupteur
ouvert).

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 Le transistor bipolaire
2 - Le transistor bipolaire en régime statique
2.2. Réseau de caractéristiques statiques
2.2.4. Caractéristiques de transfert en courant IC = f(IB) à VCE = Cte
 Quadrant II
D’après la relation: I = βI , la courbe IC = f (IB) est une droite de pente 𝛽 aux températures
usuelles. Elle ne passe pas toute à fait par l’origine, mais par une valeur ICE0 très proche. Aussi,
elle présente une légère courbure pour des valeurs IC très faibles et une saturation pour des
valeurs IC assez élevés. En réalité, le gain en courant 𝛽 croit légèrement avec la tension VCE.

2.2.5. Caractéristiques d’entrée IB = f(VBE) à VCE = Cte

 Quadrant III
La caractéristique d’entrée IB=f(VBE) correspond à la courbe I/V de la jonction EB (diode pn) en
direct. Elle a donc une allure exponentielle dès que la tension VBE dépasse 0,7 V (Vseuil).

𝐼 ≈ I = βI ⇒ I = e

Le réseau d’entrée IB = f (VBE) se réduit dans la pratique à une seule courbe, toutes les courbes
étant confondues.

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 Le transistor bipolaire
2 - Le transistor bipolaire en régime statique
2.2. Réseau de caractéristiques statiques
2.2.6. Caractéristiques de transfert inverse en tension VBE = f(VCE) à IB = Cte
 Quadrant IV
Les caractéristiques VBE = f (VCE) présentent peu d’intérêt et se présentent sous forme de
droites pratiquement horizontales. La tension VBE ne dépend pratiquement pas de la tension VCE
dès que cette tension dépasse 1 V.

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 Le transistor bipolaire
2 - Le transistor bipolaire en régime statique
2.2. Réseau de caractéristiques statiques
2.2.7. Droite de charge statique et point de fonctionnement
Pour que le transistor soit capable de fournir une réponse (sortie) à un signal d’entrée
(excitation) qui lui est appliqué, il faut d’abord lui fournir une énergie continue. On parle alors
de polarisation du transistor. Le fonctionnement dynamique du transistor dépend fortement de
la polarisation car elle définit le point de fonctionnement (ou point de repos).
Exple: IB IC  Pour le réseau d’entrée IB = f(VBE), le montage est décrit par l’équation:
RB RC
C 𝐸 =𝑉 +𝑅 𝐼 ⇒𝐼 = − .𝑉 (1)
EC
B VCE  Pour le réseau de sortie IC = f(VCE), le montage est décrit par l’équation:
VBE E
IE 𝐸 =𝑉 +𝑅 𝐼 ⇒ 𝐼 = − .𝑉 (2)

Dans les graphes IB = f(VBE) et IC = f(VCE), les équations (1) et (2) sont celles d’une droite,
appelée droite de charge (d.d.c). Dans le réseau d’entrée, la ddc passe par les points

d’intersection A (V = 0 V;I = ) et B (V = 𝐸 ; I = 0 mA) respectivement avec l’axe des

courants et l’axe des tensions. De même dans le réseau de sortie, elle passe par C (V = 0 V; I =

) et D (V = 𝐸 ; I = 0 mA). On a donc sur la figure suivante:

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 Le transistor bipolaire
2 - Le transistor bipolaire en régime statique
2.2. Réseau de caractéristiques statiques
2.2.7. Droite de charge statique et point de fonctionnement (suite)

Les points d’intersection entre la d.d.c et le réseau de

sortie donnent les points de fonctionnement (ou de
repos). Pour un point Q (IB0 ; VBE0) choisi, correspond le
point de repos P0 (VCE0 ; IC0).

 Les points de repos proche de C ont une valeur VCE ≈ 0V. Ils imposent donc au transistor un
fonctionnement en mode saturation (interrupteur fermé VCE = 0; IC ↗).
 Les points de repos proche de D ont une valeur IC ≈ 0V. Ils imposent donc un fonctionnement en mode
bloqué (interrupteur ouvert VCE↗; IC = 0).
 Seuls les points de repos situés vers le milieu de la ddc offrent un fonctionnement en mode
normal (actif ou linéaire).
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 Le transistor bipolaire
2 - Le transistor bipolaire en régime statique
2.2. Réseau de caractéristiques statiques
2.2.8. Hyperbole de dissipation maximale
Le fabricant donne la puissance maximale Pmax que peut supporter la transistor. Dans son
fonctionnement le transistor reçoit une puissance: 𝑃 = 𝑉 . 𝐼 + 𝑉 . 𝐼 ≈ 𝑉 . 𝐼
Cette puissance doit toujours rester inférieure à Pmax, ce qui permet d’établir l’équation limite:

𝐼 = Dans le graphe IC = f(VCE), cette équation est celle d’une hyperbole dite de

dissipation maximale. Elle délimite la zone de fonctionnement autorisée pour le transistor.

NB: La puissance est limitée à cause de l’échauffement du transistor (effet Joule).

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 Le transistor bipolaire
2 - Le transistor bipolaire en régime statique
2.3. Polarisation du transistor
Nous avons vu que pour utiliser le transistor en tant que composant actif (amplificateur de
signal) il est indispensable de déterminer son point de fonctionnement (ou de repos). Pour cela,
le transistor doit être polarisé c-à-d qu’on doit lui fournir les tensions (VBE0, VCE0) et courants
(IB0, IC0) nécessaires.
Une fois déterminé, le point de repos doit rester stable afin d’éviter toute distorsion de la
réponse du transistor. Or, ce point est soumis à l’influence de plusieurs facteurs tel que:
- Les dérives thermiques (le gain 𝛽 peut doubler entre 20°C et 100°C).
- Les fluctuations des tensions continues d’alimentation.
- Les dispersions des composants passifs associés au transistor.
Pour limiter la variation du courant IC, et donc du point de repos, à la suite d’une variation du
gain 𝛽, on utilise des montages de polarisation. Nous en étudierons ici deux exemples.

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 Le transistor bipolaire
2 - Le transistor bipolaire en régime statique
2.3. Polarisation du transistor
2.3.1. Polarisation par résistance de base
Il existe deux montages, mais le montage 1 est très peu utilisé car nécessite deux sources
d’alimentation. On considérera donc le montage 2.
D’après la loi des mailles à l’entrée et à la sortie:
IC IB IC
RC RC
RB (E) E = R I + V E −V
C C
I =
IB RB EC R
EC (S) E = R I + V
VCE B VCE V =𝐸 −R I
EB VBE E
IE VBE E I = βI
E −V
IE I =β
Montage 1 R
Montage 2
Exemple:
I 15
On donne EC = 15 V, RC = 500 𝛀, VBE0 = 0,7 V, IC0 =15 mA 1) On a : I = = = 0,2 mA
β 75
1) Calculer IB0 et RB pour 𝛽 = 𝛽0 = 75 𝐸 −𝑉 15 − 0,7
R = = = 71,5 kΩ
2) sachant que RC et RB sont inchangées, calculer IC pour 𝐼 0,2
une variation de 𝛽 en température de 𝛽0 = 75 à 𝛽1=150,
2) On a : I = β1I = 150 x 0,2 = 30 mA = 2I

 Le point de repos passe ainsi de P0 (IC0, 𝛽0) à P1 (IC1, 𝛽1)

 Ce montage n’est donc pas stable en température car si T ↗, 𝛽↗ et IC ↗

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 Le transistor bipolaire
2 - Le transistor bipolaire en régime statique
2.3. Polarisation du transistor
2.3.2. Polarisation par pont de base et résistance d’émetteur

I1 IC Aux températures usuelles, I = βI . Pour que Ic reste quasi-stable,

R1 RC et donc le point de repos, il faut qu’une variation de 𝛽 soit

C compensée par des variations inverses de IB de sorte que 𝛽IB ≈ cte.
IB
B VCE EC On suppose: I = I + I ≈ I car I << I
I2 E C B C B C

VBE E  D’après Thévenin au pont de base (à l’entrée):

R2
RE R R R
E = E et R =
IE R +R R +R
M
 D’après la loi de maille de base BEM:
⟹

E =V +V +V
IC
RC =𝑅 𝐼 +V +𝑅 𝐼 Or IE ≈ IC et IC = 𝛽IB
C 𝐼
EC =𝑅 +V +𝑅 𝐼
IB 𝛽
VCE
RTH VBE E 𝐸 −𝑉
IE 𝐼 =
ETH D’où 𝑅
𝑅 +
RE 𝛽
M

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 Le transistor bipolaire
2 - Le transistor bipolaire en régime statique
2.3. Polarisation du transistor
2.3.2. Polarisation par pont de base et résistance d’émetteur (suite)

Exemple:
On donne EC = 15 V, R1 = 10 k𝛀, R2 = 1,5 k𝛀, RE = 100 𝛀, VBE0 = 0,7 V
1) Calculer IC0 pour 𝛽 = 𝛽0 = 50
2) Calculer IC1 pour 𝛽 = 𝛽1 = 150. Conclusion ?

On a : V 1,5 1,5x10
= . 15 = 1,96 V et E = = 1,304 kΩ
1,5 + 10 1,5 + 10

1,96 − 0,7
1) Pour 𝛽 = 𝛽0 = 50, on a: I =
1304
≈ 10 mA
100 +
50
1,96 − 0,7
2) Pour 𝛽 = 𝛽1 = 150, on a: I = ≈ 11,6 mA
1304
100 +
150
 Pour une augmentation de 200% de 𝛽 (𝛽1=3 𝛽0), on constate une augmentation de 16% de IC
seulement (IC1 = 1,16.IC0), ce qui est négligeable.
 Ce montage rend le courant IC plus stable et donc le point de repos. C’est le montage utilisé
pour la polarisation du transistor dans la plupart des applications pratiques.

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 Le transistor bipolaire
3 - Le transistor bipolaire en régime dynamique
3.1. Le régime dynamique
Après fixation du point de fonctionnement (ou de repos) du transistor, on peut lui appliquer
un signal d’entrée pour étudier sa réaction; le transistor fonctionne alors en régime dynamique.
Comme on utilise les signaux de faible amplitude, on dit qu’on est en régime dynamique petits
signaux. Dans ce cas, le comportement du transistor peut être considéré comme linaire et les
caractéristiques dynamiques peuvent être analysées à l’aide de la théorie des quadripôles
(paramètres et schémas équivalents). La matrice la plus utilisée pour l’étude du fonctionnement
du transistor en basse fréquence (B.F) est la matrice hybride H.

𝑣 𝑖 𝑣 =ℎ 𝑖 +ℎ 𝑣
 Rappel: 𝑖 = 𝐻
𝑣 𝑖 =ℎ 𝑖 +ℎ 𝑣

𝑣
ℎ =
𝑖 ⟹ Impédance d’entrée (sortie en CC)
𝑣
ℎ = ⟹ gain (Rapport) inverse en tension ( entrée en CO)
⟺

𝑣
i1 h11 i2
𝑖
ℎ = ⟹ Gain (Rapport) en courant (sortie en CC)
1/h22 𝑖
v1 v2
h12.v2 h21.i1
𝑖
ℎ = ⟹ Admittance de sortie (entrée CO)
𝑣
Q

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 Le transistor bipolaire
3 - Le transistor bipolaire en régime dynamique
3.2. Application au montage émetteur commun (EC)

iC
C  Equations
ib  Ordres de grandeurs
B
h11 ≈ 103 Ω ; h12 = 10-4 négligeable
vce
vbe h21 ≥ 50 ; h22 ≈ 10-8 Ω-1 négligeable

On déduit donc le schéma équivalent du transistor en régime dynamique BF

i
B b
ic C

vbe h11 h21.ib 1/h22 vce

23
Le transistor bipolaire

Fin