L’objectif de ce Module est :

Réaliser des circuits électroniques à régulateurs

monolithiques et des circuits d’amplification simples.
Les éléments de cours
1. Le transformateur d’alimentation et le
redressement
2. Le filtrage
3. Les régulateurs intégrés
4. L’amplificateur opérationnel
5. Le transistor
6. Des amplificateurs transistorisés complets
Plan
IV. Le transistor
1.
1. Rôle du transistor
2. Type de transistor
3. Symboles, tensions et courants du transistor :
4. Montage non-inverseur
5. Montage inverseur
6. Montage suiveur
7. Le montage mélangeur
8. L'amplificateur de différence
 Le transistor :
1. Rôle du transistor:
Le courant maximal de
sortie d'un amplificateur
opérationnel typique est
limité. Pour un 741C, par
exemple, il est de 20 mA.
Si la charge exige un
courant plus élevé, il faut
ajouter un élément
"amplificateur de courant"
à la sortie.
Le transistor :
2. Type du transistor :
Un transistor est constitué de 2 jonctions PN (ou diodes)
montées en sens inverse. Selon le sens de montage de
ces diodes on obtient 2 types de transistors :
Le transistor :
2. Type du transistor :
 Le transistor possède trois broches: le collecteur, la
base et l'émetteur.
Le transistor :
3. Symboles, tensions et courants du transistor :

IC
IB
--

IE

Remarque : Vbe = 0,7v

Loi de Kirchhoff appliquée au transistor bipolaire : IE = IC + IB (1)
Le transistor :
3. Symboles, tensions et courants du transistor :

il existe une relation entre courant de base et courant collecteur due à

l'effet transistor. Cette relation s'écrit :

IC = ß . IB
ß = gain en courant du transistor)

En régle générale ß varie de 30 à 300 avec pour valeur courante :

- Transistors dit "Petit signaux" : 100 < ß < 300
- Transistors dit de "Puissance" : 30 < ß < 100

REM : Ce coefficient ß est souvent noté Hfe dans les catalogues

constructeurs. Il est parfois aussi appelé coefficient d'amplification
statique en courant.
Le transistor :
3. Symboles, tensions et courants du transistor :
- La relation (1) peut alors s'écrire :
IE = ß . IB + IB soit IE = (ß + 1) . IB

REM : Si ß. IB est grand devant IB (ce qui est le cas pour les transistors "Petits
signaux")

- on peut alors écrire :

IE = IC et ß + 1 = ß
Le transistor :
3. Symboles, tensions et courants du transistor :

On a alors 2 états de fonctionnement :

Le transistor :
3. Symboles, tensions et courants du transistor :

Question: IB = 20uA Question:

 = 100
 = 60
IC = ? IB = ?
IE = ? IC = ? IE = 915uA

Question: 2mA
IB = ? Question: IB IC
 = 80 IB = ?  = 250
IE = ?
IC = ? IE = 5,02mA
Le transistor :
3. Symboles, tensions et courants du transistor :
 MONTAGE DARLINGTON:
On peut grouper des transistors ensemble. On fait
ceci dans le but d'avoir un gain en courant plus
grand. En effet, on se sert du courant amplifié de
l'un (IET1) pour commander la base de l'autre (IBT2)

T1 T1
T2 T2
Le transistor :
3. Symboles, tensions et courants du transistor :
 MONTAGE DARLINGTON:
 Exemple:

Trouver: IC1, IE1, IB2, IC2, IE2, IT, IT / IB1

et est-ce que IB1 + IT = IE2?
20uA
IT
T1
T2
 1= 100 2= 75
Le transistor :
3. Symboles, tensions et courants du transistor :
 MONTAGE ALPHA (darlington complémentaire).

 Exemple: T2

 Trouver: IC1, IE1, IB2, IT

2 = 50 T1
 IC2, IE2, IT.
 1 = 75

10uA
Le transistor :
4. Ajout d'un transistor à un amplificateur opérationel:
270R
1W
18V
Trouver : IC
IB
IB? 1N4733
+ TIP31
741
 = 100
IE 5,1V
-
IE
IC
1A 12V
Is
68k 1k
+
12V 12R
51k
-
Le transistor :
4. Ajout d'un transistor à un amplificateur opérationel:
- 12,9 + 47,8mA 1,06A
18V
270R 11,6mA 990mA
1W
1N4733 9,9mA
TIP31
741
+
5,1V
 = 100
- 12,7V + 0,7V -

1,7mA 1A

5,1V 12V
- 6,8V + - 0,1V + 1A

68k 1k 100uA
100uA +
12V 12R
51k -

 1.7mA est le courant d'alimentation du 741. On retrouve cette

spécification dans les caractéristiques. C'est le courant qu'il
demande pour rendre opérationnels ses composantes internes.
 Le transistor :
5. Caractéristiques des transistors :
 IC vs VCE : IC
IB +
En variant UBB on variera de UCE
UCC
(=UCE)
même IB : UBB RB -
IB=(UBB - UBE)/Rb
IC UCEsat = 0.1 à 1V
En variant UCC on varie par le
12mA IB=120µA
fait même UCE
Ucc=Uce 10mA IB=100µA

8mA IB=80µA
Pour différentes valeurs de IB
6mA IB=60µA
fixes et en variant UCE on
retrouve le graphique : 4mA IB=40µA

2mA IB=20µA
IB=0A*

UCE
Zone de Zone d'opération
saturation *causé par Is
Le transistor :
5. Caractéristiques des transistors :
IC vs VCE:
 zone de saturation : pour des tensions Vce < 1V ; dans cette
zone, Ic dépend à la fois de Vce et de Ib ;
IC UCEsat = 0.1 à 1V

12mA IB=120µA

10mA IB=100µA

8mA IB=80µA

6mA IB=60µA

4mA IB=40µA

2mA IB=20µA
IB=0A*

UCE
Zone de Zone d'opération
saturation *causé par Is
Le transistor :
5. Caractéristiques des transistors :
 IC vs VCE:
 zone linéaire:
- Le courant collecteur est quasi indépendant de Vce, il ne
dépend que de Ib.
- Le collecteur du transistor
IC UCEsat = 0.1 à 1V
se comporte comme 12mA IB=120µA

un générateur de courant 10mA IB=100µA

contrôlé par le courant IB 8mA IB=80µA

6mA IB=60µA

4mA IB=40µA

2mA IB=20µA
IB=0A*

UCE
Zone de Zone d'opération
saturation *causé par Is
Le transistor :
5. Caractéristiques des transistors :
IC vs VCE:


 zone de coupure (Ic=0)

Le transistor atteint la coupure lorsque IC = 0 A. Ce qui revient à dire que le
transistor se comporte comme un circuit ouvert (coupé).
On retrouve alors à ses bornes la tension de l'alimentation, c'est-à-dire que UCE =
UCC. IC UCEsat = 0.1 à 1V

12mA IB=120µA

10mA IB=100µA

8mA IB=80µA

6mA IB=60µA

4mA IB=40µA

2mA IB=20µA
IB=0A*

UCE
Zone de Zone d'opération
saturation *causé par Is
Le transistor :
5. Caractéristiques des transistors :
 En bref
Ce qu'il faut retenir d'essentiel dans le transistor ,
c'est que :
- c'est un amplificateur de courant
- c'est un générateur de (fort) courant (en sortie)
piloté par un (faible) courant (en entrée).
Le transistor :
5. Caractéristiques des transistors :
 Limites d'utilisation.
Ce domaine d’utilisation est limité par trois
paramètres :
 le courant collecteur maxi ICMax. Le dépassement
n'est pas immédiatement destructif, mais le gain en
courant  va chuter fortement, ce qui rend le transistor
peu intéressant dans cette zone.
 la tension de claquage VCEMax : au delà de cette
tension, le courant de collecteur croît très rapidement
s'il n'est pas limité à l'extérieur du transistor.
 la puissance maxi c’est la puissance que le transistor
peut dissiper, P=Ic x Uce < Pmaxi
Le transistor :
5. Caractéristiques des transistors :
 Limites d'utilisation.
Toute la zone hachurée sur la caractéristique de sortie du
transistor (Fig. 9.) est donc interdite.
Le transistor :
5. Caractéristiques des transistors :
 Paramètres essentiels des transistors.
Le choix d'un transistor (au premier ordre) se fera en
considérant les paramètre suivants :
1. Le VCEMax que peut supporter le transistor.
2. Le courant de collecteur maxi ICMax.
3. La puissance maxi que le transistor aura à dissiper
(ne pas oublier le radiateur !).
4. Le gain en courant ß
Le transistor :
5. Caractéristiques des transistors :
 Caractéristique d'entrée:
 La caractéristique d'entrée du transistor est donnée
par la relation IB = f (VBE) et VCE = cte.

• La tension VBE est d'environ 0,7V

pour une polarisation normale du
transistor .
• Cette valeur est donc légèrement
supérieure à celle d'une jonction
de diode.
Le transistor :
5. Caractéristiques des transistors :
 Caractéristique de transfert:
 La caractéristique de transfert est définie par la
relation IC = f (IB) tel que : VCE = cte.

• Si on considère le courant de fuite

ICEo, la caractéristique ne passe
pas par l'origine, car IC = ICEo
pour IB = 0.
Le transistor :
5. Réseau de caractéristiques:
 Caractéristique de transfert:
Le transistor :
6. Polarisation du transistor:
 On reconnaît deux jonctions
PN que l'on peut considérer
comme deux diodes lorsque le
transistor n'est pas polarisé.

Pour polariser correctement un

transistor, il faut que :
➢la jonction entre B et E soit
polarisée dans le sens direct,
➢la jonction entre C et B soit
polarisée dans le sens inverse.
Le transistor :
6. Polarisation du transistor:
 0 < V1 < Vseuil de la jonction PN
V1>0: La jonction BE est
polarisée en directe mais n'est pas
passante ⇒ IB = 0 .
Il faut que V2 > V1 pour polariser
correctement le transistor.
 ⇒ la jonction BC est polarisée en
inverse,
 ⇒ IC = courant inverse = ICEo≈0.
Le transistor :
6. Polarisation du transistor:
 V1 > Vseuil de la jonction PN
La jonction BE est passante
⇒ IB > 0, et VBE ≈ 0,6 V.

Il faut que V2 > V1 pour polariser

correctement le transistor.

 Il en résulte un courant positif

IC de valeur bien supérieure à IB.
Le transistor :
6. Polarisation du transistor:

Lorsque le transistor est polarisé

correctement, on peut définir
plusieurs rapports de courants
statiques (courants continus),
notamment :
Le transistor :
6. polarisation du transistor:
- Droite de charge statique :
 Soit le circuit représenté:
La tension d'alimentation VCC
polarise en inverse la diode
collecteur via RB.
La tension entre les bornes de RC
égale VCC - VCE Donc, le courant
qui la traverse égale :

Cette relation est l'équation de la droite

de charge statique.
Le transistor :
6. polarisation du transistor:
- Droite de charge statique :

 les fluctuations du courant et de la

tension ne doivent pas saturer le
transistor ni le bloquer.
 il faut déterminer un point Q de
fonctionnement près du point
milieu de la droite de charge
statique :
UCEQ = Vcc / 2 et ICQ = ICsat / 2

 Nous étudierons les diverses façons

de polariser un transistor pour qu'il
fonctionne linéairement.
Le transistor :
6. polarisation du transistor:
- Polarisation de base:
 On utilise surtout la polarisation de base dans les circuits numériques.
Dans ces circuits, le transistor commute entre le blocage et la saturation.
 Le courant Ic dépend directement du ß

Vcc Vcc
Le transistor :
6. polarisation du transistor:
- Polarisation de base:
 Calculer :
1. IB ?
Ucc = 15V
2. IC ? RB RC
2M 10k
3. URC ? Entrée
+ +
Sortie
4. VC ? C1 C2

ß = 100
VBE = 0,7V
Le transistor :
6. polarisation du transistor:
- Polarisation par réaction d’émetteur :
 On augmente la stabilité en faisant l'ajout d'une résistance
à l'émetteur :
 Vcc = VRE + VBE + VRB
 Vcc = IE x RE + VBE + IB x RB
 Vcc = IE x RE + VBE + IE / (ß+1) x RB
 IE = (Vcc - UBE) / (RE + RB / (ß+1))
→VBE + REIE – VCC + RBIB = 0

→Le courant Ic subit un peu de variation en fonction de

variation de ß
Le transistor :
6. polarisation du transistor:
- Polarisation par réaction d’émetteur :
Calculer :

1. IE ? RB RC
Ucc = 15V

2. IC? 2,2M 10k

3. UE? Entrée + +
Sortie
4. UC? C1 C2
5. UCE?
6. UB ? ß = 100
VBE = 0,7V
7. ICsat ? RE
8. UCEcoup ? 1k
Le transistor :
6. polarisation du transistor:
- Polarisation Polarisation en h
La polarisation par courant de base,
même avec une résistance à l'émetteur,
reste cependant une configuration peu
fiable. La raison vient toujours du fait
que le ß tient un rôle trop important.
Voici le circuit en h la plus utilisée dans
les circuits linéaires :
Le transistor :
6. polarisation du transistor:
- Polarisation Polarisation en h
 L'application du théorème de Thévenin au
réseau donne le circuit équivalent
représenté ci-dessous:


 On a :

ß+1
 Le terme RTH / (ß+1) est petit comparé à
RE; il peut même être négligé.
Le transistor :
6. polarisation du transistor:
- Polarisation Polarisation en h
 Calcul précis et aproximatif:
Ucc = 15V
 IB ? RC
R1=100k 10k
 IC ? ICQ
+
 IE ?
UCEQ
 UE ?
-
 UC ? R2=10k RE β= 100
1k VBE=0,7 V
 UCE ?
 UB ?
Le transistor :
6. polarisation du transistor:
- Polarisation Polarisation en h
 Calcul précis et aproximatif: Ucc = 20V
R1 RC
 a) UB = ? 240k 22k
 b) UE = ? + +
Entrée Sortie
 c) IC = ? C1 C2
 d) UC = ? 5µF 5µF

 e) UCE = ? VBE = 0,7V

ß = 150
R2 RE
22k 2,2k