L

R=ρ
S
Si VA et VB désignent les potentiels de deux points A et B distant de L dans le conducteur,
la norme du champ électrique est égale à E = (VA – VB)/L.
j I V − VB
E = = ρ. j = ρ. = A
Chapitre 1: Lois de l’électrocinétique σ S L
On peut écrire cette relation sous la forme plus habituelle suivante (loi d’Ohm) :
VA − VB = R.I
1 – Courant électrique
Les tensions s’expriment en volts (V), les intensités en ampères (A) et les résistances en
1.1 – Notion de courant ohms (Ω).
Un conducteur est un matériau contenant des charges libres capables de se déplacer. Dans
les électrolytes les charges mobiles sont des ions. Dans les autres conducteurs, les charges sont La loi d’Ohm traduit la dépendance de l’effet (le courant ou déplacement des charges) à la
des électrons. Un courant électrique existe quand une charge q est transférée d’un point à cause (le champ électrique E auquel correspond une différence de potentiel ou tension) en
un autre du conducteur. L’intensité du courant, à l’instant t, est représentée par le débit des fonction du matériau caractérisé par sa résistance.
charges.
Cette dépendance est rarement linéaire. Pour de nombreux composants

✐
dQ ( coulomb) électroniques, les caractéristiques (courbes du courant en fonction de la tension) ne
I (ampère) =
dt (seconde) sont pas des droites. Pour les métaux et les semi-conducteurs, la résistance est
fonction de la température.
Pour des raisons historiques, le sens conventionnel d’un courant positif est celui du dépla-
cement de charges positives. Il est donc opposé à la direction de déplacements des électrons.
La résistivité s’exprime en ohm.mètre (Ω.m).
➲
1.2 – Vecteur densité de courant
La gamme de résistivité des matériaux est très grande :
E Le courant peut s’exprimer en fonction de la
vitesse des charges mobiles. On considère un Métaux Semi-conducteurs (300K) Isolants
–8 10 14
conducteur de section dS. Soit n le nombre de Argent : 1,47.10 Ω.m Silicium : 2400 Ω.m Verre : 10 à 10 Ω.m
& –8
Cuivre : 1,72.10 Ω.m Germanium : 0,5 Ω.m
11 15
Mica : 10 à 10 Ω.m
dS charges mobiles par unité de volume et v leur
–8 5
vitesse. Pendant la durée dt, la charge dQ qui Aluminium : 2,63.10 Ω.m Eau : 0,1 à 10 Ω.m
traverse la section dS est égale à :
& & & & 1.4 – Vitesse des électrons dans un conducteur
dQ = n.e.v.dt.dS = ρ.v.dt.dS
Vdt On considère un fil de cuivre de section 10 mm² parcouru par un courant de 30 A. Comme
28
& & chaque atome de cuivre possède deux électrons mobiles, il y a environ n = 8.5 10 électrons
On définit le vecteur densité de courant par : j = ρ.v 3 5
libres par m . La densité de courant j = n.e.v vaut 30.10 A/m². La valeur de la vitesse de
L’intensité du courant à travers un conducteur de section totale A s’écrit donc : déplacement des électrons est donc voisine de 210 µm/s.
Cette vitesse étant très faible, l’amplitude des déplacements des électrons pour un courant
dQ ⌠ & & alternatif est elle aussi très petite.
I= = ⎮ j.dS
dt ⌡( A)
2 – Lois fondamentales de l’électrocinétique
1.3 – Loi d’Ohm
Dans un conducteur, on constate que la densité de courant est reliée au champ électrique
2.1 – Régimes permanents et quasi-permanents
Le régime permanent est celui qui existe après la fin des phénomènes transitoires qui se
par la relation :
& & produisent lors de la mise sous tension d’un circuit.
j = σ.E Si une grandeur électrique G est fonction du temps, il existe a priori des phénomènes de
La constante σ, fonction de la nature du matériau, est la conductivité. On utilise plutôt propagation dans le circuit et G est en fait une fonction du temps et de l’espace : G = f(t, x).
1 E Mais si les dimensions du circuit sont négligeables devant la longueur d’onde associée au
pour caractériser le matériau sa résistivité ρ = = . phénomène, on peut négliger la propagation. Par exemple, pour une fréquence de 1 MHz, la
σ I/S
longueur d’onde associée (λ = c/f) est voisine de 300 m. Ce n’est que pour des fréquences
Pour un conducteur de longueur L, de section constante S, on définit la résistance R par : supérieures à 1 GHz que la dimension des circuits devient comparable à celle de la longueur
d’onde.

1 2
 Dans l’approximation, dite des états quasi-permanents, on admet que G est seulement Dans la représentation U = f (I), on met en avant la loi des mailles et les générateurs de
fonction du temps. Il n’y a pas accumulation des charges dans certains points du circuit : à un tension. Dans la représentation I = g(U), on met en avant la loi des nœuds et les générateurs
instant donné, l’intensité est la même en tous les points d’un conducteur donné. de courant.
2.2 – Lois de Kirchhoff 1 3.4 – Classification des dipôles
Dans l’approximation des états quasi-permanents, on peut formuler les deux lois suivantes : ˆ Dipôles actifs et passifs
♦ Aux bifurcations (nœuds) d’un circuit, il y a conservation de la charge électrique et donc de
Un dipôle passif consomme de l’énergie. Sa caractéristique passe par l’origine. (I = 0 si U = 0).
la somme algébrique des intensités : Un dipôle actif fournit de l’énergie au circuit dans lequel il est connecté.
∑ I=0 Le dipôle 1 est actif, 2 et 3 sont passifs.
I
♦ Dans une chaîne de conducteurs il y a additivité des différences de potentiels : ˆ Dipôles symétriques
3
La caractéristique est symétrique par rapport à l’origine.
UAC = UAB + UBC Un dipôle symétrique est toujours passif. Son
2
fonctionnement n’est pas modifié si on inverse le sens du
Ces deux lois, appelées aussi loi des nœuds et loi des mailles, sont les lois fondamentales de courant : il n’est pas polarisé. Sur la figure 2, le dipôle n°
l’électrocinétique et elles permettent (en principe) l’étude de tous les circuits électriques 2 est symétrique. 1
constitués de dipôles.
ˆ Dipôles linéaires Fig. 2
U
La caractéristique est une droite d’équation :
3 – Dipôles électriques
U = a.I + b ou I = p.U + q
3.1 – Définition
En électronique, on utilise de nombreux dipôles non linéaires. Les circuits qui contiennent ces
I C’est un conducteur qui possède une borne d’entrée et une borne dipôles ne peuvent, en général, pas être étudiés avec des méthodes analytiques rigoureuses. La
A B
D ip ô le de sortie du courant. connaissance des caractéristiques permet alors l’analyse de ces circuits avec des méthodes
Il est caractérisé par deux grandeurs algébriques : l’intensité qui le graphiques.
UAB
traverse I et la tension entre ses bornes UAB = UA – UB
3.5 – Dipôles linéaires idéaux
3.2 – Conventions de signe 2
ˆ Résistance (Fig. 3-a).
La principale difficulté rencontrée par les néophytes est l’écriture correcte des signes.
La loi d’Ohm qui traduit la dépendance entre courant et tension, s’écrit :
Par convention on pose que dans un circuit orienté, le courant est positif si des charges
positives se déplacent dans le sens positif. U = R.I ⇔ I = G.U
Pour les différences de potentiel, il existe deux possibilités de choix. Nous utiliserons la R est la résistance dont la valeur s’exprime en ohms (Ω).
convention dite convention récepteur qui est la plus intuitive car avec cette convention, un G est la conductance dont la valeur s’exprime en siemens (S).
courant positif provoque une chute de tension dans le dipôle placé entre A et B. Si la valeur de la résistance est fonction du courant, elle est non linéaire. C’est le cas pour les
On représente les tensions par une flèche orientée des potentiels faibles vers les potentiels résistances métalliques, les varistances, les photorésistances…
élevés. Ainsi sur la figure, on a UA > UB.
Avec cette convention, l’expression de la loi d’Ohm est UA – UB = R.I ; (avec l’autre I
convention, la loi d’Ohm s’écrit UA – UB = – R.I). A B A E B A J B
En cas doute dans la mise en œuvre, retenez que :
UAB UAB I
Dans un récepteur, les charges s’écoulent des potentiels élevés vers les potentiels

☞
I I I
faibles : les flèches représentatives de la tension et du courant sont de sens J
contraires.
E
Dans un générateur, la situation est inversée et les flèches représentatives du courant et de la
tension sont alors de même sens. U U U
Fig 3-a Fig 3-b Fig 3-c
3.3 – Caractéristique d’un dipôle
Dans un dipôle, courant et tension sont liés par les relations réciproques : ˆ Source de tension idéale (Fig. 3-b).
La tension U entre ses bornes, égale à E (force électromotrice du générateur), est
U = f (I) et I = g(U)
indépendante du courant qu’elle délivre. Pour les sources réelles, la tension de sortie diminue
Les graphes correspondants dans les plans (U, I) et (I, U) sont les caractéristiques du dipôle.

2
En français le même mot (résistance) désigne l’objet et sa valeur. Certains auteurs nomment l’objet un
1
Gustav Kirchhoff (physicien allemand) 1824-1887 « résistor » ou « résisteur ».

3 4
si le courant débité augmente. Les accumulateurs au plomb, les alimentations stabilisées de J est le courant de court-circuit, c’est-à-dire le courant qui circule dans un conducteur de
laboratoire sont de bonnes approximations des sources de tension idéales. résistance nulle placé entre A et B.
Une pile électrochimique usagée présente une forte résistance interne : sa tension diminue En électronique de nombreux dispositifs se comportent comme des générateurs de courant,
dès qu’elle débite dans une charge. on privilégie alors la représentation I = g(U).
ˆ Résistances statiques et dynamiques
ˆ Source de courant idéale (Fig. 3-c).
Le courant de sortie I, égal à J le courant électromoteur du générateur, est indépendant de Pour un dipôle non linéaire, on peut définir en chaque point
I
la tension entre les bornes de la source. La résistance interne est infinie. Il n’existe pas dans la de sa caractéristique :
vie courante de modèle de source de courant. Il est possible de simuler une source de courant ⎛U⎞
P une résistance statique R StP = ⎜ ⎟ (en bleu) et
en plaçant en série une source de tension et une résistance beaucoup plus grande que la ⎝ I ⎠P
charge. Des circuits électroniques simples permettent de réaliser des sources de courant qui
débitent un courant pratiquement indépendant de la charge. ⎛ dU ⎞
une résistance dynamique R PDy = ⎜ ⎟ (en vert)
U ⎝ dI ⎠ P
Un générateur idéal doit se comporter comme un récepteur idéal quand on inverse le Fig. 6

☞ sens du courant qui le traverse. Les générateurs réels ne sont en général pas
réversibles. On risque de faire exploser une pile en essayant de la « recharger » !
Dans les régions linéaires de la caractéristique, la résistance dynamique du dipôle est
constante.
ˆ Modélisation d’un dipôle linéaire quelconque
La modélisation d’un dipôle consiste à le remplacer par un circuit équivalent (répondant aux
3.6 – Point de fonctionnement d’un circuit
mêmes équations) constitué de dipôles idéaux. On associe un dipôle récepteur D à un générateur et on veut déterminer quel est le courant qui
L’équation de la caractéristique d’un dipôle linéaire est de circule dans ce dipôle.
I Fig 7
I0 la forme :
U = a.I + b ou I = a’.U + b’ I J
I I
Cette caractéristique coupe les axes aux points : R R Pf
(U0, 0) et (0, I0). U
U Dr
U0 U Si le dipôle est passif alors U et I sont nuls. oit
0 0 ed
Fig. 4 E J ec
D D ha
rge
Pour un générateur, U0 est la tension à vide (courant débité nul) et I0 est le courant de court-
circuit. E U
ˆ Modélisation d’un générateur linéaire La caractéristique du générateur U = E – RI (ou I = J – G.U) est une droite (en noir) que l’on
On peut utiliser les deux modèles équivalents suivants : nomme droite de charge. L’intersection de la caractéristique (en rouge) du dipôle D [U = f(I)
ou I = g(U)] avec la droite de charge définit le point de fonctionnement.
Modèle source de tension Modèle source de courant
Ses coordonnées sont U (tension aux bornes de D) et I (courant qui le traverse).
On pose E = U0 et R = U0/I0 et donc : On pose J = I0 et G = I0/U0 et donc : Cette construction graphique est bien sûr inutile si le dipôle D est linéaire car alors :
U = E − R.I I = J − G. U U = E −R.I = D.I

On peut remplacer le dipôle par une source On peut remplacer le dipôle par une source de 4 – Association de dipôles
de tension idéale de f.e.m. E en série avec courant idéale d’intensité J en parallèle avec
une résistance R. une résistance R. On se propose de déterminer le dipôle équivalent à l’association de plusieurs dipôles
I I élémentaires. On doit envisager les deux types d’association suivants :
A
A
R
4.1 – Association série
J G.U Le courant qui traverse les dipôles associés est le même ; il y I
E UAB
a additivité des tensions aux bornes des dipôles. Pour des A B C
B D1 D2
B résistances linéaires, on a :
Fig. 5-a Fig. 5-b U = ∑ U k = ∑ R k .I UAB U BC

Ces deux représentations sont duales : La résistance du dipôle équivalent est donc égale à la somme U AC
G = 1/R J = E/R ⇔ R = 1/G E = R.J des résistances en série : I
D1 D2 Déq
Si les dipôles ainsi modélisés sont des générateurs purs, la résistance R se nomme la
R = ∑ Rk
résistance interne du générateur. Elle est nulle pour un générateur de tension idéal et infinie
pour un générateur de courant idéal. E est la force électromotrice (f.e.m.) à vide c’est-à-dire Avec des dipôles non linéaires, on peut construire point par
sans charge entre A et B. point la caractéristique du dipôle équivalent en utilisant
U
5 6
l’additivité des tensions aux bornes des deux dipôles. UAC = UAB + UBC

4.2 – Association parallèle

La tension U aux bornes des k dipôles associés est la même et il y a I1
additivité des courants qui traversent ces dipôles.
Pour des résistances linéaires, on peut écrire :
A
I2
B
Chapitre 2: Réseaux linéaires
I = ∑ Ik = ∑ G k . U G = ∑ Gk
UAB
1 – Définitions
La résistance équivalente à deux résistances en parallèle est donc telle que : Un réseau électrique linéaire est un ensemble de dipôles linéaires, reliés par des
1 1 1 R .R conducteurs de résistance négligeable. On suppose que le réseau contient au moins un
= + ⇒ R= 1 2
R R1 R 2 R1 + R 2 générateur. Un réseau est constitué de b « branches » connectées par n « nœuds » et formant m
La résistance équivalente à des résistances en parallèle est donc plus petite que la plus petite « mailles ».
des résistances associées. ˆ Un nœud est un point de jonction de plusieurs conducteurs.
L’utilisation de résistances en parallèle est à l’origine de nombreuses erreurs de calcul. ˆ Une branche est une portion de circuit entre deux nœuds.
ˆ Une maille est un parcours fermé, constitué de branches et ne passant qu’une seule fois
par un nœud donné.
Pour des dipôles non linéaires, on peut construire point par point la caractéristique du dipôle A B A E B A E F B B
équivalent en utilisant l’additivité des courants dans les deux dipôles.
A C
4.3 – Diviseur de tension idéal
Vcc R1 R2 Si le courant i qui est dérivé en A est négligeable devant le D
A D D G C D G C e
courant I qui circule dans la résistance R1, on peut écrire que : C
Fig 1-a Fig 1-b Fig 1-c Fig 1-d
I i I-i VA = R2(I – i) ≈ R2.I EXEMPLES.
1-a Pour ce réseau, on a b = 1, n = 0, m = 1.
De la relation VCC = R1.I + R2(I – i) ≈ (R1 + R2).I 1-b : b = 3, EADG, EG, EBCG.
On tire : n = 2, E et G.
R2 m = 3, AEGDA, EBCGE, ABCDA.
VA = VCC 1-c : b = 5, EADG, EF, EG, FG, FBCG.
R1 + R 2 n = 3, E, F, G.
m = 6, AEGDA, EFGE, FBCGF, AFGDA, EBCGE, ABCD.
Ce circuit très simple est d’usage fréquent en électronique. Un potentiomètre non chargé 1-d : b = 6, AB, BC, CD, DA, BD, AeC.
constitue un diviseur de tension idéal. n = 4, A, B, C, D.
m = 7, ABDA, BCDB, ABCDA, ABCeA, ADCeA, ABDCeA, ADBCeA.

2 – Réseaux en régime permanent

Connaissant les f.e.m. des générateurs et les résistances du réseau, résoudre celui-ci c’est
déterminer l’intensité du courant qui circule dans chacune des branches.

2.1 – Méthode générale de résolution

Il existe b branches dans le réseau donc b courants inconnus. Les n nœuds et les m mailles
donnent a priori n + m équations. Comme en général n + m > b, il faut trouver un système
complet de b équations linéairement indépendantes.
Comme il existe n – 1 nœuds indépendants, il faut étudier M = b – n + 1 mailles.

ˆ Équations pour les nœuds

Le nœud d’indice k est la jonction de p branches (d’indice j) parcourues par des courants I kj .

7 8
La loi de conservation de l’électricité (première loi de Kirchhoff) s’écrit sous la forme [R −1 ].[R ].(I) = [R −1 ].(V) = [G ].( U)
algébrique suivante : (I) = [G ].( U)
p
∑ I kj = 0 (1) La dimension des éléments de [G] est celle d’une conductance. La valeur du courant dans
j=1 la branche j est donc :
M
ˆ Équations des mailles I j = ∑ G ij . U i (6)
La maille d’indice k contient q branches. La différence de potentiel entre les extrémités de i =1
la branche j s’écrit Ukj .
ˆ Il est aussi possible d’utiliser la méthode de Kramer pour la résolution du système. Si Δ est
Comme la maille constitue un parcours fermé, on a (seconde loi de Kirchhoff) : le déterminant de la matrice [R], Δj le déterminant de la matrice obtenue en remplaçant la je
q colonne de [R] par la colonne (V), on a :
∑ Ukj = 0 (2) Δj
j=1 Ij =
Δ
En procédant uniquement à des regroupements en série, on peut transformer toute branche j de ˆ Si M = 2, il est plus simple d’utiliser la méthode de substitution pour résoudre le système.
la maille k en un générateur de f.e.m. E kj en série avec une résistance R kj parcourue par le ˆ Dès que M est supérieur à 3, la résolution manuelle du système est fastidieuse. On cherche
courant I kj . (Si la branche ne contient pas de générateur alors E kj = 0). La loi des mailles peut alors à mettre en oeuvre les méthodes de simplification des réseaux qui permettent de
donc aussi s’écrire sous la forme : n’étudier que les branches pertinentes.
q q

∑E
j =1
k
j − ∑ R kj . I kj = 0
j =1
(3) 2.3 – Loi de Pouillet 2
Dans le cas où le réseau ne comporte qu’une maille, il est
Les sommes sont des sommes algébriques et l’écriture correcte des signes des différences
possible de transformer le circuit initial en un circuit ne I
de potentiel constitue la seule difficulté du problème. R
comportant qu’un seul générateur, dont la f.e.m. est la somme
La méthode la plus rationnelle consiste à faire le choix d’un sens de parcours sur la algébrique des f.e.m. des générateurs de la maille ( E = ∑k E k ) E
maille étudiée (choix arbitraire) et à choisir pour chaque branche un sens pour le
courant. La f.e.m. d’un générateur est comptée avec le signe de la borne par laquelle et une seule résistance R = ∑k R k . Fig. 2

☞ ∑
on entre dans celui-ci. Les d.d.p. aux bornes des résistances sont positives si le Ek
courant dans la branche a le même sens que le sens de parcours et négatives dans le E
L’intensité dans le circuit est donc : I = =
cas contraire. On écrit que la somme des tensions est nulle. Si à l’issue du calcul, on R ∑ Rk
obtient pour le courant d’une branche une valeur négative, c’est que le courant réel
de cette branche circule dans le sens opposé à celui qui a été choisi1.. Cette relation constitue la loi de Pouillet.
On obtient un système linéaire de M équations à M inconnues de la forme :
2.4 – Exemples
R 11 .I1 + R 12 .I 2 +  + R 1M .I M = E 1
a – Méthode générale
R 12 .I1 + R 22 .I 2 +  + R M
2 .I M = E 2 (4) On cherche les courants dans toutes les branches du circuit de la figure 3.
Le choix du sens des courants dans les 5 branches est arbitraire. Il y a pour cet exemple trois
R 1M .I1 + R 2M .I 2 +  + R M
M .I M = E M courants à calculer I1, I2 et I3 car la loi des nœuds en B et C donne : I4 = I1 – I2 et I5 = I2 – I3
qui peut s’écrire sous la forme matricielle suivante :
[R].(I) = (V) (5) +

[R] est une M×M matrice dont la dimension des éléments est celle d’une résistance. (I) et
(V) sont des vecteurs colonnes à M éléments.

2.2 – Résolution du système

ˆ En multipliant à gauche la matrice [R] par son inverse, on tire :
Fig. 3

1 Si la branche contient un récepteur polarisé, il faut faire l'étude pour les deux sens du courant. Selon celui-ci, le
«récepteur» se comporte soit comme un récepteur soit comme un générateur. 2 Claude Pouillet (physicien français) 1790-1868

9 10
Les flèches en pointillés violets indiquent les sens de parcours, choisis arbitrairement, des 3 3 – Théorème de Millman 3
mailles étudiées.
On considère un nœud A auquel aboutissent k branches ; les
Pour la maille ABFGA, on obtient : Vk V1
I1
potentiels Vi des extrémités des branches sont tous définis par
(VA – VB) + (VB – VF) + (VF – VG) + (VG – VA) = 0 Rk rapport à un même potentiel de référence Vref ;
Soit : – 4 + 6.(I1 – I2) + 1 + 2.(I1) = 0 R1 Ri est la résistance de la branche i et Gi sa conductance.
De même : – 6.(I1 – I2) + 3.(I2) + 7.(I2 – I3) = 0 (maille FBCEF) Ik
La loi des nœuds s’écrit :
– 7(I2 – I3) + 4.(I3) – 6 = 0 (maille ECDE) R3 I2 k

– D’ou la représentation matricielle du système :

VA
∑I
i =1
i = I1 + I 2 +  + I k = 0
I3 R2 V2
⎡ 8 −6 0⎤ ⎡ I1 ⎤ ⎡3⎤ V3 Vref V1 − VA V2 − VA V − VA
+ ++ k =0
⎢− 6 16 − 7⎥.⎢I ⎥ = ⎢0⎥ R1 R2 Rk
⎢ ⎥ ⎢ 2⎥ ⎢ ⎥ fig.5
⎢⎣ 0 − 7 11⎥⎦ ⎢⎣ I 3 ⎥⎦ ⎢⎣6⎥⎦ (V1 − VA ).G 1 + (V2 − VA ).G 2 +  + (Vk − VA ).G k = 0
Pour résoudre ce système linéaire, il suffit d’inverser la matrice : on la transpose, puis on VA .∑ G i = ∑ Vi .G i
remplace dans la transposée chaque terme par son cofacteur(attention au signe) divisé par le
Le potentiel du point A par rapport à celui de la référence commune est donc :
déterminant. On peut aussi utiliser un logiciel spécialisé.

VA =
∑ V .G
i i i
(8)
∑G i i
⎡ I1 ⎤ ⎡127 66 42⎤ ⎡3⎤
⎢I ⎥ = 1 ⎢ 66 88 56⎥.⎢0⎥ EXEMPLE : Sur le schéma de la figure 4, on prend le point M comme origine des potentiels. On
⎢ ⎥ 620 ⎢
2 ⎥⎢ ⎥ a donc VB = 12 V, VC = – 20 V, VM = 0.
⎢⎣ I 3 ⎥⎦ ⎢⎣ 42 56 92⎥⎦ ⎢⎣6⎥⎦
VB VC VM
+ +
– Résolution par la méthode de Kramer : (pour obtenir la variable k, on divise le déterminant VAM = VA = 10 15 10 = − 0, 5 V
de la matrice obtenue en remplaçant la ke colonne par la colonne des constantes par le 1 1 1
+ +
déterminant de la matrice initiale. 10 15 10
Remarques :
3 −6 0
• Soit Ik le courant dans la branche k. Il peut être intéressant d’écrire le théorème de Millman
0 16 − 7 sous la forme suivante :
6 − 7 11 633 534 678 I k + ∑ Vi .G i
I1 = = = 1,021 A; I2 = = 0,861 A; I 3 = = 1,093 A i≠k
8 −6 0 620 620 620 VA =
− 6 16 − 7 ∑Gi
i≠k
0 − 7 11 • Le théorème de Millman (qui est une autre façon d’écrire la loi des nœuds) permet dans de
nombreux cas de résoudre rapidement un réseau mais il faut l’appliquer correctement :
REMARQUE : Comme I5 = –0,232 A est négatif, le courant dans la branche CE circule dans le

☞
sens contraire à celui de la flèche de la figure 3. Les courants réels I2 et I3 circulent dans le Lors de la mise en œuvre, ne pas oublier de faire figurer au dénominateur les
sens contraire des flèches. branches dont le potentiel de l’extrémité est nul !

b – Méthode par substitutions 4 – Théorème de superposition

On cherche à déterminer VAM
Mise en équation :
I3 = I1 + I2
maille BAMB : 20.I1 + 10.I2 = 12
maille CMAC : 10.I1 + 25.I2 = –20
Résolution :
Ce théorème découle directement de la linéarité des équations de Kirchhoff : un dipôle
constitué de dipôles linéaires est un dipôle linéaire. Dans un réseau linéaire, il est possible de
remplacer un ensemble de dipôles par un dipôle équivalent. La relation (6) montre que le
(a) courant Ij dans une branche est la somme de termes de la forme G kj . Uk , les G kj ayant la
(b) dimension d’une conductance.
L’intensité du courant dans une branche d’un réseau comprenant plusieurs

☞
De la différence (a) – 2.(b), on tire :
40.I2 = – 52 soit I2 = – 1,3 A. générateurs est la somme des intensités, que ferait passer, dans cette branche,
VAM = RAM.I3 = – 0,5 V. chaque générateur considéré isolément comme actif, les autres générateurs du
et donc : I1 = 1,25 A et I3 = – 0,05 réseau étant alors passifs.
fig. 4
3 Jacob Millman (physicien américain) contemporain

11 12
 Rendre passif un générateur, c’est le remplacer par sa résistance interne.
EXEMPLE : Sur le schéma de la figure 4, on remplace successivement chaque générateur par un
court-circuit.

Fig. 7

Un réseau linéaire, vu entre deux bornes A et B, peut être remplacé par un

Si E2 = 0 la résistance équivalente entre A et
M est (15 Ω // 10 Ω) = 6 Ω
U1 est la tension aux bornes d’une résistance
de 6 Ω dans un circuit de résistance totale
égale à 16 Ω alimenté par une tension E1.
U1 = 12.6/(10 + 6) = 4,5 V
On en déduit : VAM = U1 + U2 = – 0,5 V
Si E1 = 0 la résistance équivalente entre A et
M est (10 Ω // 10 Ω) = 5 Ω
La tension U2 induite entre A et M par le
seul générateur E2 est égale à :
U2 = – 20.5/(15 + 5) = – 5 V
☞
générateur de tension de f.e.m. ET et de résistance interne RT.
– ET est la d.d.p. mesurée à vide entre A et B.
– RT est la résistance mesurée entre A et B quand D est retiré du circuit et que
tous les générateurs du réseau sont remplacés par leurs résistances internes.
5.2 – Théorème de Norton
C’est la transformation duale de celle de Thévenin. La source de tension (ET, RT) est
remplacée par une source de courant (IN, RN).

5 – Circuits équivalents Fig. 8

Si on remplace D par un court-circuit, le courant qui circule entre A et B est :
5.1 – Théorème de Thévenin 4 IN = ET/RT = ET/RN = ET.GN
On considère un réseau comprenant des dipôles actifs et passifs et on s’intéresse au RN est la résistance entre A et B quand les générateurs du réseau sont passivés.
fonctionnement d’un dipôle D particulier. Il est traversé par un courant I et la d.d.p. entre ses
bornes est U. L’équation du circuit équivalent est donc : I = I N − G N .U
Supposons que D soit isolé du reste du réseau. Si ce reste de réseau est actif, la f.e.m.
mesurée entre A et B vaut ET : c’est la tension en circuit ouvert. S’il est rendu passif c’est-à- Un réseau linéaire, vu entre deux bornes A et B, peut être remplacé par une source
dire si les générateurs sont remplacés par leurs résistances internes, la résistance mesurée entre de courant d’intensité IN et de résistance interne RN.
A et B vaut RT. On remplace D par une source de tension idéale de f.e.m. U. D’après le
théorème de superposition, le fonctionnement du circuit est inchangé. Le courant I est la
superposition d’un courant IP correspondant à la passivation de toutes les sources autres que U
☞ – IN est le courant de court-circuit entre A et B.
– RT est la résistance mesurée entre A et B quand D est retiré du circuit et que
tous les générateurs du réseau sont remplacés par leurs résistances internes.
et d’un courant IA où seule la source U est passivée : I = IP + IA
La connaissance d’un modèle équivalent permet la déduction immédiate du modèle dual
A IP – Si le générateur qui remplace D est seul à être actif le reste du car RT = RN
réseau est équivalent à RT : IP = – U/RT E T = R T .I N
Réseau
U Dipôle Les paramètres des générateurs équivalents sont reliés par :
passivé
activé – Si on passive ce générateur, il est équivalent à une résistance
Quand on étudie un dipôle particulier d’un réseau, les méthodes de Thévenin et de Norton
B nulle : le reste du réseau débite dans ce fil le courant IA = ET/RT
sont très efficaces car elles permettent de remplacer un circuit complexe par un circuit
A IA Ce courant est le courant de court-circuit entre A et B.
élémentaire dans lequel les calculs sont immédiats.
Réseau I = IA + IP = ET/RT – U/RT
activé Dipôle
passivé
L’équation du circuit équivalent est donc : 5.3 – Exemples d’application
B
On cherche, en utilisant des équivalents Thévenin et Norton du circuit de la figure 4, à
Fig. 6 U = ET − RT .I déterminer U = VAM
Cette équation est celle d’un générateur de tension que l’on nomme le générateur de Thévenin – Équivalent Thévenin
du circuit. Les deux circuits de la figure 7 sont équivalents et l’application de la loi de Pouillet La partie du circuit située à droite de AM (maille ACMA) est remplacée par le générateur ET,
au circuit de droite donne de façon triviale : ET = (RT + D).I RT. La résistance RT est celle qui est vue entre A et M quand E2 est remplacé par un court-
circuit : RT = (10 Ω // 15 Ω) = 6 Ω.
4 Louis Thévenin (physicien français) 1857-1926

13 14
La tension ET est la d.d.p. entre A et M quand la partie gauche du circuit est débranchée. C’est On tire les trois égalités suivantes :
la chute de tension dans la résistance RAM qui est alimentée par le générateur E2 en série avec R R + R13R 23 R R + R13R12 R R + R13R 23
RAC : ET = – 20.{10/(10+15)} = – 8 V. R 2 + R 3 = 12 23 ; R 2 + R1 = 12 23 ; R1 + R 3 = 12 13
R12 + R 23 + R13 R12 + R 23 + R13 R12 + R 23 + R13
On forme ainsi une maille unique dans laquelle le courant est égal à :
I = (12 + 8) / (10 + 6) = 1,25 A. En sommant les 2 premières égalités et en retranchant la 3e, on déduit :
R 12 .R 13 R 12 .R 23 R 23 .R 13
R1 = R2 = R3 =
R 12 + R 12 + R 23 R 12 + R 12 + R 23 R 12 + R 12 + R 23

Pour la transformation inverse, on relie B et C : la conductance entre A et B-C s’écrit alors :

1 1 1 R2 + R3
= + = ( Za = R12 // R13 ou R1 + (R2 // R3)
Z a R 12 R 13 R 1R 2 + R 2 R 3 + R 1R 3
Fig. 8
On calcule de même 1/Zb et 1/Zc et l’on calcule 1/Za + 1/Zb – 1/Zc
On en déduit VAM = VAB + VBM = – 10.1,25 + 12 = – 0,5 V
2 2R 2 R R + R 2 R 3 + R 3R1
Il vient : = soit : R 13 = 1 2 ...
R 13 R 1R 2 + R 2 R 3 + R 3 R 1 R2
– Équivalent Norton
On remplace le générateur E1 et la résistance entre BA par le générateur de Norton équivalent On peut aussi écrire que :
(I1 = 12/10 = 1,2 A et R1 = 10 Ω). On fait de même pour le générateur E2 : I2 = – 20/15 = – R 12 R 13 R 23 S
4/3 A et R2 = 15 Ω. L’ensemble est équivalent à un générateur de courant I = I1 + I2 qui débite S = R 1R 2 + R 2 R 3 + R 3 R 1 = . Mais comme : = R 23
R 12 + R 13 + R 23 R1
dans une résistance R0 équivalente à (10 Ω // 15 Ω // 10 Ω) soit 30/8 Ω. La d.d.p. entre A et M
est donc : R0.I = – 0,5 V. R1R 2 + R 2 R 3 + R 3R1
On peut noter sur cet exemple la complète analogie entre les théorèmes de Norton et de on déduit : R 23 = ...
R1
Millman.
G 2G 3
Les relations réciproques sont équivalentes à : G 23 = 
G1 + G 2 + G 3

6 – Théorème de Kennelly 5
7 – Conclusion
La transformation suivante est parfois utilisée pour la simplification de circuits comportant
des dérivations. Les différentes méthodes étudiées sont équivalentes mais pour l’étude d’un réseau
particulier certaines sont mieux adaptées que d’autres. La principale difficulté de ce type de
Équivalence étoile-triangle problèmes est de trouver la méthode la plus pertinente. La méthode de Millman, souvent très
Les deux circuits de la figure 11 sont équivalents si les valeurs de leurs résistances sont liées efficace, n’est pas la panacée et la méthode de Thévenin doit être utilisée aussi souvent que
par les relations indiquées ci-dessous. possible car elle permet de transformer des circuits complexes en des circuits types
élémentaires. La mise en œuvre simultanée de plusieurs méthodes peut aussi s’avérer utile.

Fig. 11
Le passage de la structure triangle (ABC) à la structure étoile (OABC) s’obtient par les
relations :
Si on déconnecte le point A, il doit y avoir égalité des impédances entre B et C.
Z23 = R2 + R3 = R23 // (R12 + R13).

5 Arthur Kennelly (physicien américain) 1861-1939

15 16
 3 – Systèmes du premier ordre
3.1 – Charge et décharge d’un condensateur
ˆ Charge
IG On se place dans le cas le plus général : RE est une
Chapitre 3: Dipôles en régime transitoire résistance qui tient compte de la résistance de fuite
RG IE I du condensateur RF et de la résistance de charge
C
éventuelle RU . (RE = RU // RF).
RU
Le générateur utilisé pour la charge est modélisé par
1 – Relations courant tension RE
V
un générateur idéal de f.e.m. E et de résistance
E interne RG .
S’il existe une relation linéaire entre la tension u(t) et le courant i(t) dans un dipôle, celui- Fig 1
ci est « linéaire ». Rappelons les relations entre u(t) et i(t) pour les dipôles passifs usuels. Méthode des mailles
ˆ – Résistances IG = I + IE = I + V/RE
La loi d’Ohm donne : U(t) = R.I(t) R en ohms (Ω) I = dQ/dt = C.dV/dt
ˆ – Inductances E = V + RG.IG = V + RG.C.dV/dt + V.RG /RE
dI( t ) 1⌠ ⎛ R + RG ⎞ dV
De la loi de Lenz, on tire : U( t ) = L I( t ) = ⎮ U( t )dt L en henrys (H) E = V.⎜⎜ E ⎟⎟ + R G .C.
dt L⎮
⌡ ⎝ RE ⎠ dt
E.R E R G .R E dV
ˆ – Condensateurs =V+ C
RE + RG R E + R G dt
dU( t ) 1⌠
De dQ(t) = C.dU(t), on tire : I( t ) = C U( t ) = ⎮ I( t )dt C en farads (F) 1 1 1 R dV
dt C⎮ Donc en posant : = + , on tire : E = RC +V
⌡ R RG RE RG dt
Méthode de Thévenin
2 – Dipôles passifs linéaires en régime variable Le générateur équivalent qui est relié au condensateur est caractérisé
RT V par :
Soit un circuit constitué de dipôles passifs linéaires soumis à une tension de commande
ET C ET = E.RE /(RE + RG) R = RT = RE.RG /(RE + RG)
V(t) et la variable y(t) dont la nature (intensité, charge…) est fonction du problème considéré.
On peut écrire, pour ce circuit, une équation différentielle dont tous les coefficients ai sont ET = V + RT.I
constants et dont la forme générale est :
R dV
a0.y + a1.y’ + a2.y” + ... + an.y(n) = k.V(t) E = V + R.C (1)
RG dt
On montre en analyse que la solution de cette équation est du type :
ˆ – La solution générale de l’équation sans second membre est :
y(t) = y1(t) + y2(t) 0 = V + R.C.dV/dt
y1(t) est la solution générale de l’équation sans second membre. dV/V = –1/R.C. dt
Si A désigne une constante arbitraire, la solution de cette équation (1er ordre) est :
y2(t) est une solution particulière de l’équation avec second membre. V = A.exp( − t / RC) (2)
Physiquement, y1(t) correspond au régime libre c’est-à-dire au fonctionnement du Comme une quantité d’électricité est le produit d’une capacité par une tension, en utilisant les

☞ circuit sans contraintes extérieures. équations dites « aux dimensions » , on tire :

y2(t) correspond au régime forcé dont la nature est la même que celle de [Q] = [C].[V] = [ I ].[T] [C].[R].[ I ] = [ I ].[T] [R].[C] =[T]
l’excitation V(t) qui est imposée au circuit. RC qui a la dimension d’un temps est la « constante de temps » τ du circuit.
Après un régime transitoire dont la durée est fonction des constantes de temps du ˆ – Solution particulière de l’équation avec second membre :
circuit, on obtient le régime permanent. Si V est constant alors dV/dt = 0.
Le système est dit du premier ordre si l’équation différentielle obtenue est du premier V = E.R/RG est donc une solution. Elle correspond au régime permanent : la charge du
degré, du second ordre si elle est du second degré ... condensateur est alors terminée.
ˆ – Solution complète de l’équation différentielle : V(t) = A exp(–t/RC) + E.R/RG (3)
17 18
ˆ – Solution physique de l’équation différentielle : 3.2 – Établissement du courant dans une inductance
Pour obtenir la solution du problème physique, il faut préciser les conditions initiales de
1 R
I Selon la position de l’inverseur, on aura soit le
celui-ci. Si l’on suppose le condensateur totalement déchargé lors de la mise sous tension du régime libre (position 2) soit le régime forcé
2 VR
montage : en t = 0, on a alors V = 0. (position 1). Avec les notations de la figure 4, on a :
La valeur de la constante A est donc : A = –E.R/RG . On en déduit : E = VR + VL
E VL L
E.R ⎛ t
⎞ dI
− Soit : E = R. I + L
V= ⎜ 1 − e RC ⎟ (4) Fig 4 dt
RG ⎝ ⎠
La durée nécessaire à la charge totale est donc infinie. En pratique, cherchons au bout de REGIME LIBRE (E = 0)
combien de temps la charge atteint sa valeur finale à un millième près : dI R dI dt L
On obtient dans ce cas : + I=0 ⇒ =− avec : τ =
si (V∞ – V)/V∞ = 10–3 alors : exp(–t/RC) = 1/1000. dt L I τ R
t/RC = Ln 1000 t ≈ 6,9.RC Exercice : Montrer que la constante τ a la dimension d’un temps.
Au bout de t ≈ 7.τ , la charge ne diffère de la charge finale que de 0,001. On peut considérer la La solution du régime libre est : I(t) = A.exp( – t/τ)
charge du condensateur terminée.
La condition initiale est : I(t = 0) = I(0) = U0/R. Donc :
t
− dI L. I0 − τt −
t
I ( t ) = I0 . e τ
et VL ( t ) = L =− e = − RI0 . e τ
Graphes de la tension V et des divers courants : dt τ
V
ER/R G IE = V/RE I V
Io = U o /R
E. R ⎛ ⎞−
t
E ⎛ ⎞ −
t τ= L / R t
IE = ⎜1 − e ⎟ =τ
⎜1 − e ⎟ τ
RE .RG ⎝ ⎠ RE + RG ⎝ ⎠

dV E. − τt E.R ⎛ R E − τt ⎞ t
I=C = e = ⎜ e ⎟
dt RG RE .RG ⎝ R ⎠ – R .I o
τ= R C t τ = L /R
I Fig. 5
E/R G
E. R ⎛ R E − τt ⎞
IG = I + IE = ⎜1 + e ⎟ Bien noter que si la fonction I(t) est continue, la fonction VL(t) est discontinue.
RE .RG ⎝ RG ⎠
E iG
R G+ R E iE Bien noter sur ces graphiques les valeurs limites REGIME FORCE (E ≠ 0)
des tensions et courants et les valeurs des pentes des Si I(t = 0) = 0, on obtient (inverseur en position 1) :
i
tangentes à l’origine.
E⎛ − ⎞
t
−
t
τ= R C t I( t ) = ⎜1 − e τ ⎟ et VL = E.e τ
R⎝ ⎠

☞
Un condensateur déchargé se comporte au début de la charge comme un court-
circuit pour l’alimentation. Seule la résistance RG limite alors la valeur du courant.. Le courant dans le circuit tend vers E/R ; la tension aux bornes de l’inductance tend vers zéro.

ˆ Décharge 3.3 – Particularités des systèmes du premier ordre

Le condensateur est isolé du générateur et se décharge dans sa résistance Ces systèmes satisfont à une équation différentielle du premier ordre à coefficients constants
I de fuite RF et dans la résistance de charge RU. On pose RE = RU // RF de la forme :
RE.I – V = 0 dG ( t ) G ( t )
RE + =H
V C I = – dQ/dt (Le condensateur se décharge : dQ est négatif !) dt τ
V = – REC.dV/dt ⇒ V = A.exp(–t/REC) Pour le régime libre, H est nul et en régime forcé continu H est constant.
Fig. 3 La solution est de la forme :
En t = 0, on a : V = V0 t
−
La solution de l’équation est donc : G ( t ) = G ( 0). e τ + H. τ
V = V0 . exp(− t / R E C)

☞
Cette solution dépend d’une constante G(0) fonction des conditions initiales et
d’un paramètre τ (la constante de temps), caractéristique du circuit.

19 20
4 – Systèmes du second ordre Comme Ω2 − λ2 = α − λ2 = − ω 20 , on obtient :

4.1 – Le circuit R, L, C série ω 20 − λt Ωt −Ωt

I( t ) = −q0 e e −e
Le condensateur C du circuit R, L, C suivant est chargé par un générateur auxiliaire qui est 2Ω
ensuite déconnecté par K1. Ce régime de fonctionnement est le régime apériodique. Le système revient à son état
I d’équilibre (q = 0, i = 0) sans oscillations.
R La charge initiale du condensateur est :
K1 K2 q I
VR q0 = C.E

V Si K2 est fermé et K1 ouvert, on a : To t

E C C VL L
– VC + VL + VR = 0
On obtient l’équation : t
Fig. 6
Fig. 7
q dI d 2q dq q
− + L + R.I = 0⇔ L 2 + R. + = 0 1 ⎛ λ + Ω⎞
C dt dt dt C EXERCICE : Montrer que T0 = ln⎜ ⎟
On pose : 2Ω ⎝ λ − Ω ⎠
R Lω 0 R ω0
LCω 20 = 1 ; λ = ; Q= ⇔ = = 2λ ˆ α = 0 (Q = ½) (amortissement critique)
2L R L Q
Il y a une racine double r = – λ
Q est le facteur de qualité et λ le facteur d’amortissement.
L’équation devient : La solution générale est de la forme :
d2q ω 0 dq q ( t ) = ( A1. + t . A 2 ). e
rt
+ . + ω 20 . q = 0
dt 2 Q dt
Avec les conditions initiales précédentes, on obtient :
En cherchant des solutions de la forme q(t) = A.ert, on obtient l’équation dite « équation
q ( t ) = q 0 (1 + λt ). e − λt I( t ) = − q 0 . λ2 t. e − λt
caractéristique » suivante :
ω Le régime de fonctionnement est apériodique et critique. C’est un régime limite qui est
r 2 + 0 . r + ω 20 = 0
Q obtenu en diminuant la valeur de R jusqu’à la valeur R C = 2 CL .
Ses racines sont :
ω ω R
r1,2 = − 0 ± 0 1 − 4Q2 = − ± α = −λ ± α ˆ α < 0 (Q > ½ ou R < 2 L ) (amortissement faible)
2Q 2Q 2L C
2
La solution générale de l’équation est de la forme : On pose ω = ω 20 2
− λ . Les deux racines sont imaginaires conjuguées et valent :

q ( t ) = A1 .e r1t + A 2 .e r2 t = e − λt .(A1 .e α .t + A 2 .e − α .t ) r1,2 = − λ ± j ω 20 − λ2 = − λ ± jω

La constante de temps est ici : τ = 1/λ = 2L/R. Il faut connaître deux conditions initiales. Toujours avec les mêmes conditions initiales (q(t = 0) = q0, i(t = 0) = 0), on obtient :
Selon le signe de α, la nature des solutions diffère.
e − λt
ˆ α > 0 (Q < ½ ou R > 2 L ) (amortissement fort) q(t ) = q 0 [(λ + jω).e jωt + (−λ + jω).e − jωt ]
C 2 jω
q
Les deux racines sont réelles. On pose :
q
1
0
q0.exp(-λt)
Ω = α = ω0 1 − = λ2 − ω 20
4Q2
t
Les conditions initiales sont q(t = 0) = q0 et I(t = 0) = 0 1 /λ
q 0 = A 1 + A 2 0 = r1 .A 1 + r2 .A 2 ⇔ (−λ + Ω).A 1 = (λ + Ω).A 2
On tire : T
Fig. 8
q 0 − λt ⎡ ⎤
q(t ) = e ⎢(λ + Ω).e Ωt + (−λ + Ω).e −Ωt ⎥ Et en posant tg ϕ = λ/ω et donc cos ϕ = ω/ω0 (car 1 + tg²ϕ = 1/cos²ϕ), on a :
2Ω ⎣ ⎦

21 22
 e − λt ω
q(t ) = q 0 cos(ωt − ϕ) = q 0 0 e −λt . cos(ωt − ϕ)
2 jω ω
On obtient un régime oscillant amorti « pseudopériodique » (à cause de l’amortissement le
phénomène n’est pas exactement répètitif) caractérisé par une pseudopériode T = 2π/ω et par
le terme d’amortissement λ. Chapitre 4: Dipôles en régime sinusoïdal
ˆ R = 0 (amortissement nul)
L’équation se résume à : 1 – Pourquoi privilégier les courants sinusoïdaux ?
d 2q 1.1 – Fonctions périodiques et fonctions sinusoïdales
+ ω 20 . q = 0 ⇔ q ( t ) = q 0 cos ω 0t
dt 2
On démontre que toute fonction f(t), périodique de période T et satisfaisant à certaines
Le régime est sinusoïdal (périodique, non amorti). La période est : T = 2π/ω0. conditions de continuité et de dérivabilité, peut se décomposer en une somme de fonctions
sinusoïdales dite « série de FOURIER 1 » :
∞
2 πnt 2 πnt
f ( t ) = a 0 + ∑ ( a n cos + b n sin )
n =1 T T
4.2 – Régime forcé du système
T
1⌠ 2 ⌠T 2 πnt 2 ⌠T 2 πnt
La solution est la somme du régime propre et d’une solution particulière du régime forcé. avec : a 0 = ⎮ f ( t ).dt an = ⎮ f ( t ). cos dt bn = ⎮ f ( t ). sin dt
En régime forcé, la puissance fournie par le générateur est répartie dans les trois dipôles : T ⌡0 T ⌡0 T T ⌡0 T

d ⎛1 q2 ⎞ A titre d’exemple, on a représenté les trois premiers

P = E.I( t ) = R. I( t ) 2 + I( t ). (VL + VC ) = R. I 2 + ⎜ 2 L. I 2 + 21 ⎟ termes du développement en série de Fourier d’une
dt ⎝ C⎠
fonction triangle :
En régime propre, E = 0 ; l’énergie est emmagasinée de façon successive dans l’inductance ∞
(−1) n
et dans le condensateur. f (t ) = ∑ sin( 2 n + 1) π.t
n =0 ( 2n + 1)
2

4.3 – Particularités des systèmes du second ordre La convergence est assez rapide. Pour la fonction
créneau, représentée par :
Ces systèmes satisfont à une équation différentielle du second ordre à coefficients constants ∞
1
de la forme : f (t ) = ∑ sin( 2n + 1) π.t
n =0 ( 2n + 1)
d 2G ( t ) dG ( t ) Fig. 1
+ 2λ + ω 20 . G ( t ) = H la convergence est par contre très lente.
dt 2 dt
La réponse d’un système linéaire à une fonction périodique est la somme des réponses aux
Pour le régime libre H est nul et en régime forcé continu, H est constant. fonctions sinusoïdales constituant le développement en série de Fourier de cette fonction. En
conséquence, on peut privilégier l’étude de la réponse des circuits à une excitation
Cette solution dépend de deux conditions initiales et de deux paramètres λ et ω0
☞
sinusoïdale. La réponse à une fonction périodique sera obtenue en faisant la somme des
caractéristiques du circuit. réponses du circuit aux différents termes (nommés harmoniques) de sa décomposition en série
de Fourier.
Selon les valeurs relatives de ω0 et de λ, on obtient différents régimes de fonctionnement :
– Régime apériodique si l’amortissement est fort.
D’autre part, pour des raisons économiques et pratiques, l’énergie électrique est distribuée
– Régime critique pour une valeur limite de l’amortissement. sous la forme de courants sinusoïdaux (de fréquence 50 Hz). En effet, les pertes liées au
– Régime pseudopériodique si l’amortissement est faible. transport sont proportionnelles au carré de l’intensité : pour les diminuer il faut donc, à
puissance constante, augmenter la tension. Or il existe un dispositif, le transformateur, qui
– Régime périodique si l’amortissement est nul. permet de modifier avec des pertes faibles la tension d’un courant variable dans le temps.
Dans les centrales électriques, on utilise comme générateurs des alternateurs (machines
tournantes) qui délivrent une tension sinusoïdale. Des transformateurs élèvent la tension de
transport à quelques centaines de milliers de volts. Au voisinage des utilisateurs, d’autres
transformateurs abaissent la tension à des valeurs permettant une exploitation sans danger.

1 Joseph Fourier (mathématicien français) 1769-1830

23 24
 Pour les applications qui nécessitent une tension continue, on procède à la transformation
du courant alternatif en un courant continu.
1.2 – Régime permanent sinusoïdal
Dans le chapitre précédent, on a étudié la réponse des circuits du premier ordre et du
second ordre en régime libre et en régime forcé continu. Dans le cas d’une excitation
sinusoïdale, la solution sera encore la somme d’une solution correspondant au régime libre et
d’une solution correspondant au régime forcé. Après une certaine durée, fonction des
constantes de temps du circuit, le régime libre est complètement amorti et le régime transitoire
cède la place au régime permanent.
2.2 – Représentation de Fresnel
A la grandeur scalaire m(t) = M.cos(ωt), on associe le vecteur OM
de module M qui tourne autour de O avec la vitesse ωt. m(t) est la
ϕ projection de OM sur l’axe Ox.
A une seconde grandeur p(t) = P.cos(ωt + ϕ) est associé un vecteur
OP déphasé de ϕ par rapport au vecteur OM .
Fig. 3
Dans cette représentation, on associe donc des vecteurs tournants aux
grandeurs électriques sinusoïdales (courants et tensions). On utilise les propriétés géomé-
triques de la figure obtenue pour la résolution du problème.
Par exemple, pour effectuer la somme de deux tensions, on fait la somme vectorielle de
leurs vecteurs représentatifs. La tension résultante est la projection du vecteur obtenu sur
l’axe Ox. Cette construction donne aussi les phases relatives des diverses grandeurs.

☞ Dans ce qui suit, seul le régime permanent est pris en compte. La représentation de Fresnel, très utilisée en optique physique, n’est facilement exploitable
en électricité que pour des circuits très simples.

2.3 – Représentation complexe

2 – Représentation des grandeurs sinusoïdales L’analogie entre le plan de Fresnel et le plan complexe conduit naturellement à représenter
2.1 – Définitions les vecteurs tournants associés aux grandeurs électriques sinusoïdales par des grandeurs
imaginaires.
ω t + ϕ)
Soit la grandeur sinusoïdale h(t) = H.sin(ω
– Sa valeur instantanée est h(t). NOTATIONS :
Une grandeur complexe G sera notée G* et son complexe conjugué G *.
– Sa valeur maximum ou valeur crête est H.
Les intensités étant souvent nommées avec la lettre i, pour éviter toute confusion le symbole
– Sa pulsation est ω. La période est T = 2π/ω. La fréquence est f = 1/T= ω/2π. des imaginaires est noté en électricité avec un j : j2 = – 1 ; j = e jπ/2
– ϕ est sa phase. La partie réelle de G* est notée ℜ(G*), la partie imaginaire est notée : ℑ(G*)
– La valeur moyenne <G> d’une grandeur périodique g(t) est définie par :
T Au vecteur OG du plan xOy, on associe le nombre complexe G*
1⌠
g(t ) = ⎮ g( t ).dt G* = ℜ(G*) + j.ℑ(G*)
T ⌡0
Ainsi à l’intensité i(t) = I.cos(ωt), on fait correspondre i(t)* = I.exp(jωt)
La valeur moyenne est donc le premier terme de la série de Fourier. Pour une grandeur
sinusoïdale, la valeur moyenne <H> est nulle. A la tension v(t) = V cos(ωt + ϕ), on fait correspondre v(t)* = V.exp(jωt + ϕ)
– La valeur efficace Geff d’une grandeur g(t) est définie par : Dans la suite, nous prendrons l’intensité comme origine des phases.

☞
Geff = g2 ( t ) La grandeur physique est la partie réelle de la grandeur complexe associée.
C’est la valeur que devrait avoir un signal continu pour produire les mêmes effets
thermiques que le signal considéré.
En effet : i(t) = I.cos(ωt) = ℜ(i*) = ℜ(I.exp(jωt))
Pour une grandeur sinusoïdale, on a :
De même : v(t) = V.cos(ωt + ϕ) = ℜ(v*) = ℜ(V.exp{j(ωt + ϕ)})
1 ⌠T 2 H 2 ⌠ T1 − cos 2(ωt + ϕ) H ˆ – Amplitude complexe
H eff = ⎮ H . s in (ωt + ϕ).dt =
2
⎮ dt =
T ⌡0 T ⌡0 2 2 Soit v(t)* = V.exp(jωt + ϕ). On pose V*.exp(jωt) = V.exp(jωt + ϕ)
On définit ainsi l’amplitude complexe V* = V.exp(jϕ) = V.cos(ϕ) + j.V.sin(ϕ)
La phase est définie par rapport à une référence
ϕ arbitraire. ˆ – Impédance complexe
Dans le cas de plusieurs signaux de même fréquence, Par analogie avec la loi d’OHM, on définit l’impédance complexe Z*, d’un dipôle, comme
l’un d’eux est utilisé comme origine pour les phases. étant le quotient de v(t)* par i(t)* :
T Une période entière correspond à un déphasage de 2π. Z* = v*/ i* =V.exp(j(ωt + ϕ)) / I.exp(jωt) = Z.exp(jϕ)
Fig. 2
ϕ) + j.Z.sin(ϕ
Z* = Z.cos(ϕ ϕ) = R + j.X

25 26
R = Z.cos(ϕ) est une résistance ; X = Z.sin(ϕ) est une réactance. L’isolement du diélectrique d’un condensateur n’est jamais parfait : la légère conduction
induite est représentée par une résistance R, placée en parallèle sur un condensateur idéal.
Le module de l’impédance est Z = Z*. Z * ; la phase de l’impédance est ϕ.
X & & Y* = 1/R + jCω = Y.exp(jϕ) = Y.cosϕ + jY.sinϕ
On a également : Z = R + X2 2
et tgϕ = avec ϕ = ( I , V ) I2 I1
R U Y* = (1 + jRCω) / R ; Y * = (1 − jRCω) / R
ˆ – Admittance complexe 2
Par analogie avec la conductance G = 1/R, on définit l’admittance complexe Y = Y *.Y *
1 1
Y* = = e − jϕ = G + j.B (G est une conductance et B une susceptance). On a : Fig. 4
Y.cosϕ = 1/R Y.sinϕ = Cω tgϕ = RCω
Z* Z
1 R − jX R −X On peut aussi utiliser la représentation de Fresnel. Le courant I1 dans la résistance est en
Y* = = ⇒ G= 2 et B = 2 phase avec la tension V, par contre, le courant I2 est en avance de π/2 sur V.
R + jX R 2 + X 2 R + X2 R + X2
Le courant total est : I = I1 + I2
2.4 – Réseaux linéaires en régime sinusoïdal On en déduit le graphe ci-contre.
d * d On peut poser :

I = VjCω
La représentation complexe étant linéaire, on a : (H ) = ( He jωt ) = jωH *
dt dt tgδ = 1/RCω

A une dérivation par rapport au temps, on associe un produit par jω. De même si le δ est l’angle de perte du condensateur. Pour un

☞ temps est la variable, à une intégration, on associe une division par jω.
condensateur de bonne qualité et ayant donc une
très grande résistance de fuite, cet angle est très
petit.
Les lois de Kirchhoff et celles qui en découlent s’appliquent aux représentations complexes :
Il suffit de remplacer dans l’étude des réseaux alimentés par un signal sinusoïdal les Fig. 5
résistances, condensateurs, inductances (domaine temporel : variable t) par leurs impédances
(domaine fréquentiel : variable ω). Le circuit parallèle sera utilisé pour modéliser les
L’équation différentielle associée au circuit est remplacée par une équation polynomiale en ω condensateurs ayant de faibles pertes.
beaucoup plus simple à étudier. Pour les condensateurs de qualité médiocre, on utilisera par
Les lois d’association établies pour les résistances s’appliquent aux impédances : il y a contre un modèle série.
additivité des impédances en série et des admittances en parallèle. EXERCICE :
Fig. 6
Calculer R’ et C’ en fonction de R et C.
3 – Dipôles passifs linéaires en régime sinusoïdal ˆ ASSOCIATION DE CONDENSATEURS
3.1 – Résistances En série : L’impédance du condensateur équivalent est :
C1 . C2
v(t) = R.i(t) donc v* = R.i* or v* = Z*.i* Donc : Z* = R = Z ZEq = Z1 + Z2 = 1/C1ω + 1/C2ω = 1/CEqω ⇒ C Eq =
C1 + C2
L’impédance d’une résistance pure est égale à sa résistance. Le courant est en phase avec En parallèle : YEq = Y1 + Y2 ⇒ CEq = C1 + C2
la tension. On retrouve ainsi les résultats classiques établis en électrostatique.
Une résistance réelle peut présenter une composante inductive en série (cas des résistances
bobinées) et une petite composante capacitive en parallèle. Les effets de cette dernière seront 3.3 – Inductances
sensibles uniquement aux hautes fréquences. ˆ INDUCTANCE IDEALE
3.2 – Condensateurs Aux bornes d’une inductance, tension et courant sont liés par : v(t) = L.di(t)/dt
ˆ CONDENSATEUR IDEAL v* = Ldi*/dt = jLω.i*. On en déduit l’expression de l’impédance complexe :
Par définition de l’intensité, on a : i(t) = dQ(t)/dt = C.dV(t)/dt Z*L = jLω = Lω.ejπ/2
La représentation complexe donne : v* = V.exp(jωt) ⇒ dv*/dt = jωV.exp(jωt)

☞
π
1 1 −j2 Dans une inductance pure, le courant est en retard de π/2 sur la tension.
Soit : i* = jCωv* = v*.Cω.exp(jπ/2) ⇒ Z*C = = e
jCω Cω
ˆ INDUCTANCE REELLE

☞ Dans un condensateur idéal le courant est en avance de π/2 sur la tension. Le bobinage d’une inductance présente toujours une résistance et une capacité parasites.
Pour diminuer cette dernière, on est amené à effectuer des bobinages « nid d’abeille » dont les
spires sont perpendiculaires. L’effet de peau augmente la résistance du bobinage en haute
ˆ CONDENSATEUR REEL :

27 28
fréquence. Pour en limiter les conséquences, on réalise des bobinages en utilisant du fil 1⌠
T
1⌠
T

multibrins ou fil de Linz. P = ⎮ p.dt = ⎮ ( p A + p R ).dt

T ⌡0 T ⌡0
On représente en général une inductance réelle par une inductance idéale en série avec
T T
une résistance, mais un schéma parallèle peut aussi être utilisé. 1⌠ 1 ⌠
PR = ⎮ p R .dt = − ⎮ X.I sin 2ωt.dt = 0
2
EXERCICE : T ⌡0 2T ⌡0
Calculer R’ et L’ du modèle parallèle en fonction de R et L du modèle série. T T
1⌠ 1 ⌠
PA = ⎮ p A .dt = R .I 2 .(1 + cos 2ωt).dt
3.4 – Conclusions T ⌡0 2T ⎮
⌡0
L’étude du régime permanent sinusoïdal est grandement facilitée par la représentation < P > = 12 .R .I 2 = 12 V.I. cos ϕ = PA
complexe. Il n’est plus nécessaire d’écrire les équations différentielles des mailles. Il suffit de
considérer les chutes de tension dans les diverses impédances écrites sous leur forme En régime sinusoïdal, même si la puissance réactive dissipée dans un dipôle est nulle,
complexe. Par exemple, pour le circuit R, L, C série du chapitre précédent alimenté par une l’intensité du courant qui circule dans les fils d’alimentation ne l’est pas. Il y a donc des pertes
tension sinusoïdale, on aura : en ligne induites. C’est pourquoi les distributeurs pénalisent les consommateurs dont
1⌠ di( t ) i* l’installation présente une faible valeur du cosϕ.
Ri( t ) + ⎮ i( t )dt + L = V cos ωt ⇔ Ri * + + jLωi* = v *
C⌡ dt jCω
4.3 – Puissances complexes
On définit la puissance complexe par : p* = 21 v*. i *
L’étude des régimes transitoires dans les circuits électriques linéaires est facilitée par p* = ½.V.I.e jϕ = ½V.I.cosϕ + ½.j.V.I.sinϕ = PA – j.PR
l’utilisation du calcul symbolique (transformation de Laplace) qui fait aussi correspondre à
une équation différentielle une équation polynomiale. Cette transformation suppose des Donc : p * = PA + j. PR
développements mathématiques qui sortent du cadre fixé pour ce cours et ne sera pas étudiée. PA = 12 ( p * + p*) = 14 ( v * .i * + v * .i*)
PR = 12 (p * − p*) = 1
4j ( v * .i * − v * .i*)
4 – Puissance dissipée dans les dipôles passifs
4.1 – Définitions 4.4 – Adaptation d’impédance en puissance
On définit la puissance instantanée par : p(t) = v(t).i(t) On recherche les conditions de transmission optimale de la puissance entre un générateur
Soit un dipôle d’impédance complexe Z* = Z.e jϕ = R + jX. modélisé par un générateur idéal en série avec une impédance ZS et une charge d’impédance
ZU.
Le courant dans le dipôle est : i(t) = I.cos(ωt) ⇒ i* = I.e jωt
La tension entre ses bornes est : v* = Z*.i* ⇒ v* = Z.e j ϕ .I.e jωt I * = E * / ( Z*S + Z *U )

v* = Z.I.e j (ωt + ϕ) = (R + jX).I.e jωt V * = E * . Z*U / ( Z S* + Z *U )

La puissance active est donc :
v(t) = ℜ(v*) = R.I.cos ωt – X.I.sin ωt
La puissance dissipée dans le dipôle étant p(t) = v(t).i(t) , on a : PA = 14 ( v * .i * + v * .i*)
Fig. 7
p(t) = R.I².cos²ωt – X.I².sin ωt.cos ωt 1 2 Z *U + Z *U
PA = E
p(t) = ½.R.I².(1 + cos 2ωt) – ½.X.I².sin 2.ωt 4 ( ZS + Z*U ).( ZS* + Z *U )
*

On définit : E2 2.R U
PA =
– la puissance active : pA = + ½.R.I².(1 + cos 2.ωt) 4 (R S + jX S + R U + jX U )(R S − jX S + R U − jX U )
– la puissance réactive : pR = – ½.X.I².sin 2.ωt
E2 RU
p(t) = pA + pR PA =
2 (R S + R U ) 2 + (X S + X U ) 2
pA = PA.(1 + cos 2.ωt) avec PA = + ½.R.I² = + ½.V.I.cos ϕ
pR = PR.sin 2.ωt avec PR = – ½.X.I² = – ½.V.I.sin ϕ La puissance est maximale si le dénominateur est minimal.
Ceci est obtenu en faisant : XU = – XS. On rappelle que si une résistance est toujours positive,
4.2 – Puissance moyenne dans un dipôle une réactance peut être positive ou négative.
Contrairement à la tension moyenne, la puissance moyenne dissipée en régime sinusoïdal L’expression de la puissance est alors uniquement fonction de RU et RS. La puissance sera
n’est pas nulle : dPa
maximale si : = 0.
dR U

29 30
 dPa E 2 ⎧ (R S + R U ) − 2. R U (R U + R S ) ⎫ E 2 ⎧ R S − R U ⎫
2

= ⎨ ⎬= ⎨ ⎬
dR U 2 ⎩ (R S + R U ) 4 ⎭ 2 ⎩ (R S + R U ) 3 ⎭
Cette dérivée s’annule si RU = RS. En tenant compte de la condition sur les réactances, on
obtient donc une transmission de puissance optimale si l’impédance de la charge est le Chapitre 5: Quadripôles électriques
complexe conjugué de celle de la source. Quand cette condition est réalisée, il y a adaptation
des impédances en puissance.
Pour un circuit alimenté en courant continu les impédances sont réelles et la transmission 1 – Définition des quadripôles
de puissance est optimale quand la résistance du récepteur est égale à celle de la source. De nombreux circuits peuvent être représentés par une « boîte » munie de deux bornes
On peut noter que lorsque les impédances sont adaptées, la puissance perdue dans d’entrée et de deux bornes de sortie, que l’on nomme quadripôle1.
l’impédance de source est égale à la puissance utilisable dans la charge. I1 I2 Il est souvent possible de décomposer un dispositif
REMARQUE : électrique ou électronique complexe en un ensemble de
La condition obtenue correspond à une adaptation des puissances. Si l’on souhaite par modules fonctionnels qui sont des quadripôles. Ces modules
U1 U2
contre obtenir une tension maximale entre les bornes de la charge, puisque sont ensuite associés en cascade : les grandeurs de sortie de
VU = E.ZU/(ZU + ZS), il faut évidemment que l’impédance de cette charge soit la plus grande l’un constituent les grandeurs d’entrée du suivant.
possible et que l’impédance de la source soit la plus petite possible. On réalise alors une Fig. 1
adaptation d’impédance en tension. L’étude des quadripôles linéaires est facilitée par l’usage du calcul matriciel. Cette
représentation des circuits est également bien adaptée aux méthodes de calcul numérique
modernes.
Quatre grandeurs électriques caractérisent un quadripôle : le courant I1 et la tension U1
d’entrée, le courant I2 et la tension U2 de sortie. Par convention, on donne le sens positif aux
courants qui pénètrent dans le quadripôle.
Relations de phase pour les dipôles idéaux
CAS PARTICULIER : Le tripôle
U I U U
I
I t t t I1 I2 Une borne d’entrée est alors commune avec une borne de sortie.
Les transistors sont modélisables par des tripôles.

U1 U2 Fig. 2

2 – Exemples de quadripôles
ˆ – Quadripôle série
I1 I2 Il contient une seule impédance. La loi des mailles donne :
V2 = V1 – Z.I1 et I2 = – I1
Z Soit sous forme matricielle :
V1 V2
⎡ V2 ⎤ ⎡1 Z⎤ ⎡ V1 ⎤
⎢ I ⎥ = ⎢0 1 ⎥. ⎢ − I ⎥
Fig. 3 ⎣ 2⎦ ⎣ ⎦ ⎣ 1⎦
On peut noter que pour ce quadripôle, le déterminant de la matrice liant les grandeurs d’entrée
aux grandeurs de sortie est égal à 1.
ˆ – Quadripôle parallèle
V2 = V1 ; I1 + I2 = I ; I2 = V1/Z – I1
I1 I I2
Soit sous forme matricielle :
Z
V1 V2
⎡ V2 ⎤ ⎡ 1 0⎤ ⎡ V1 ⎤
⎢ I ⎥ = ⎢ 1 1⎥. ⎢− I ⎥
Fig. 4 ⎣ 2 ⎦ ⎣Z ⎦ ⎣ 1⎦
Ici encore, le déterminant de la matrice est égal à 1.

1 Ne pas confondre avec les quadrupôles de l’électrostatique.

31 32
ˆ – Transformateur idéal en régime sinusoïdal (cf § 8) I1 Is Ie I2
On néglige toutes les pertes (résistives et dues aux courants de Foucault).
V1 = L1.dI1/dt + M.dI2/dt E E
I1 M I2
V2 = M.dI1/dt + L2.dI2/dt
L1 L2 V1 = jL1.ω.I1 + jM.ω.I2 Fig. 7
⎡ V2 ⎤ ⎡ L1 M ⎤ ⎡I1⎤
V1 V2
⎢ V ⎥ = jω. ⎢ M Les relations entrée ⇔ sortie pour la matrice de transfert s’écrivent :
L 2 ⎥⎦ ⎢⎣I 2 ⎥⎦
V2 = jM.ω.I1 + jL2.ω.I2 .
⎣ 1⎦ ⎣ V2 = T11 V1 − T12 I 1
Fig. 5
I 2 = T21 V1 − T22 I 1
3 – Matrices représentatives des quadripôles Sortie en court-circuit : Entrée en court-circuit :
Pour les quadripôles ne contenant que des dipôles linéaires les 0 = T11E − T12 I1 E = 0 − T12 I E
I1 I2
4 grandeurs fondamentales V1, V2, I1 et I2 sont liées par des I S = T21E − T22 I1 I 2 = 0 − T22I E
équations linéaires.
V1 V2 L’égalité IE = IS implique que : Δ(T) = T11.T22 – T12.T21 = 1.
Plusieurs représentations matricielles sont possibles et le choix
de l’une de celles-ci sera fait en fonction du problème étudié. Des calculs analogues montrent que pour un quadripôle passif on a aussi :
Fig. 6
Z21 = Z12 et H21 = – H12
ˆ Matrice impédance
⎡ V1 ⎤ ⎡ Z11 Z12 ⎤ ⎡ I 1 ⎤ On exprime les tensions en fonction des courants. Les éléments 4 – Associations de quadripôles
⎢V ⎥ = ⎢Z Z 22 ⎥⎦ ⎢⎣I 2 ⎥⎦
. de la matrice ont la dimension d’impédances.
⎣ 2 ⎦ ⎣ 21 ˆ Association en cascade
ˆ Matrice admittance Les deux sorties du premier sont reliées aux deux entrées du second. On utilise les matrices de
transfert [T1] et [T2] des deux quadripôles associés.
⎡I 1 ⎤ ⎡Y11 Y12 ⎤ ⎡ V1 ⎤ On exprime les courants en fonction des tensions. Les éléments I1 I0 I'1 I2 I1 I2
⎢I ⎥ = ⎢Y Y22 ⎥⎦ ⎢⎣ V2 ⎥⎦
. de la matrice ont la dimension d’admittances.
⎣ 2⎦ ⎣ 21
ˆ Matrice de transfert V1 Q1 V'1 Q2 V2 V1 Q V2
V0

⎡ V2 ⎤ ⎡ T11 T12 ⎤ ⎡ V1 ⎤ On exprime les grandeurs de sortie en fonction des grandeurs

⎢ I ⎥ = ⎢T T22 ⎥⎦ ⎢⎣ − I 1 ⎥⎦
. d’entrée. T11 est un nombre, T12 est une impédance, T21 une Fig. 8
⎣ 2 ⎦ ⎣ 21 admittance et T22 un nombre.
⎡ V0 ⎤ ⎡ V1 ⎤ ⎡V2 ⎤ ⎡ V'1 ⎤
☞ Bien noter dans cette représentation le signe moins affecté à I1. [ ]
⎢ I ⎥ = T1 . ⎢− I ⎥ [ ]
⎢ I ⎥ = T2 . ⎢− I ' ⎥
⎣ ⎦0 ⎣ 1⎦ ⎣ ⎦2 ⎣ 1⎦
La matrice inverse de la matrice de transfert donne les paramètres d’entrée en fonction des
paramètres de sortie. V’1 = V0 I’1 = – I0
⎡ V2 ⎤ ⎡ V1 ⎤
ˆ Matrice hybride [ ][ ]
⎢ I ⎥ = T2 . T1 . ⎢− I ⎥ ⇒ [T ] = [T ]. [T ]
Eq 2 1
⎡ V1 ⎤ ⎡ H 11 H 12 ⎤ ⎡ I 1 ⎤ L’intérêt de cette représentation apparaît lors de l’étude des ⎣ ⎦2 ⎣ 1⎦
⎢ I ⎥ = ⎢H ⎥. ⎢ V ⎥ transistors. La matrice de transfert du quadripôle équivalent est donc égale au produit de la seconde
⎣ 2 ⎦ ⎣ 21 H 22 ⎦ ⎣ 2 ⎦
matrice de transfert par la première. Attention car ce produit n’est pas commutatif !
H11 est une impédance, H12 est un nombre, H21 un nombre et H22 une admittance.
On utilise parfois la matrice [G] = [H]–1 APPLICATIONS :
Les relations étant linéaires, il est facile de déduire les coefficients d’une représentation à ♦ Quadripôle en T
partir de ceux d’une autre. On considère l’association de trois quadripôles en cascade et on recherche la matrice de
ˆ Caractéristiques des quadripôles passifs transfert équivalente.
Ce sont les réseaux de courbes qui représentent les variations des tensions en fonction des
[TEq] = [T3].[T2].[T1] (Attention à l’ordre !)
courants. Par exemple, pour le réseau V1 = g(I1), on prendra I2 ou V2 comme paramètre :
I1 Z1 Z3 I2
[T ] = ⎡⎢10 Z1 ⎤
[T ] = ⎡⎢ 1 0⎤
chaque courbe de ce réseau est tracée pour une valeur donnée et constante de I2 (ou de V2).
ˆ Propriété des quadripôles passifs U1
Z2
U2 1
⎣ 1 ⎥⎦
2
⎣
1
Z2 1⎥⎦
Soit un quadripôle passif dont la tension d’entrée est E et le courant de court-circuit en
sortie est IS. D’après le théorème de réciprocité, le courant dans l’entrée en court-circuit est T1 T2 T3
IE = IS si la tension de sortie est E. Fig. 9

33 34
 ⎡ Z3 Z1Z 3 ⎤ ˆ Impédance de sortie
⎢1 + Z Z1 + Z 3 +
Z2 ⎥ C’est l’impédance ZS = VS /IS vue à la sortie quand l’entrée est fermée par une impédance ZG
[TEq ] =⎢ 2
Z1
⎥ qui est l’impédance du générateur.
⎢ 1 1+ ⎥
⎢⎣ Z 2 Z2 ⎥⎦ I1 I2 Un calcul analogue au précédent donne :

♦ Quadripôle en Π Zg V1 V2 Z 12. Z 21
[TEq] = [T3].[T2].[T1] Z S = Z 22 −
Z 11 + Z G
I1 Z2 I2
[T ] = ⎡⎢ 1
1 1
0⎤
1 ⎥⎦
[T ] = ⎡⎢10
2
Z2 ⎤
1 ⎥⎦
Fig. 14
Z1 Z3 ⎣ Z1 ⎣
U1 U2 ˆ Gain en tension
⎡ Z ⎤
⎢ 1+ 2 Z2 ⎥ C’est le quotient de la tension de sortie par la tension d’entrée : AV = V2 / V1
T1 T2 T3
[TEq ] =⎢
Z1
⎥ V2 = T11.V1 – T12.I1
Fig. 10 ⎢ 1 + 1 + Z2 Z
1+ 2 ⎥ I2 = T21.V1 – T22.I1 Or : V2 = – ZU.I2
⎢⎣ Z 3 Z1 Z1 Z3 Z 3 ⎥⎦ T22.I1 = T21.V1 – I2 = T21.V1 + V2/ ZU
ˆ Association en série V2 = T11.V1 – (T12.T21 / T22).V1 – T12.V2 / T22.ZU
Dans ce cas, il y a additivité des tensions aux bornes des quadripôles ; les courants sont Cas particulier : les quadripôles passifs
identiques. On en déduit simplement la matrice impédance équivalente. On a alors : Δ(T) = 1
Q' [V’] = [Z’].[I’]
V' ⎛ T12 ⎞ ⎛ T .T − T12 .T21 ⎞ V1
[V’’] = [Z”].[I”] V2 ⎜⎜ 1 + ⎟⎟ = V1 ⎜⎜ 11 22 ⎟⎟ =
V
[V] = [V’] + [V”] ⎝ T22 .Z U ⎠ ⎝ T22 ⎠ T22
V'' Q'' [I] = [I’] = [I”] ZU
Av =
Fig. 11 [Z] = [Z’] + [Z”] Z U .T22 + T12
ˆ Association en parallèle Si ZU = ∞ (quadripôle non chargé) alors : AV = 1 / T22.
Q' Il y a additivité des courants et identité des tensions :
I I' la matrice admittance du quadripôle équivalent est 6 – Schémas équivalents des quadripôles linéaires
I'' la somme des matrices admittance des 2
quadripôles : On remplace le quadripôle étudié par un circuit équivalent (dont les équations sont les
Q''
Fig. 12 [Y] = [Y’] + [Y”] mêmes que celles du circuit étudié), mais dans lequel entrée et sortie sont séparées. Plusieurs
schémas de quadripôles équivalents sont utilisés :

5 – Grandeurs fondamentales des quadripôles ˆ Paramètres « impédances »

I1 Z 11 Z 22 I2 Le circuit équivalent comporte des impédances et des
Il est possible de définir pour un quadripôle des grandeurs caractéristiques comme les
générateurs de tension.
impédances d’entrée et de sortie, et les gains en tension, courant et puissance.
V1 V2 V1 = Z11.I1 + Z12.I2
ˆ Impédance d’entrée Z 12.I 2 Z21.I 1
C’est l’impédance ZE = VE /IE vue à l’entrée quand la sortie est chargée par une impédance ZU.
On utilise la matrice impédance du quadripôle. V2 = Z21.I1 + Z22.I2
Fig. 15
I1 I2 V1 = Z11.I1 + Z12.I2
ˆ Paramètres « admittances »
V2 = Z21.I1 + Z22.I2 = – ZU.I2
I1 I2 Le circuit équivalent comporte des admittances et des
V1 V2 Zu I2(ZU + Z22) = – Z21.I1
générateurs de courant.
I2 = – Z21.I1/(Z22 + ZU) Y11 Y22
V1 V2 I1 = Y11.V1 + Y12.V2
Fig. 13 V1 = I1.{Z11 - Z12.Z21/(Z22 + ZU)} Y12.V 2 Y21.V 1
I2 = Y21.V1 + Y22.V2
Z12 . Z 21 Fig. 16
Z E = Z11 −
Z 22 + Z U
ˆ Paramètres « hybrides »

35 36
I1 H 11 I2 Pour le modèle hybride, on obtient : ⎧v 1 = z11 .i 1 + z 12 .i 2
⎨
1/H 22
V1 = H11.I1 + H12.V2 ⎩v 2 = z 21 .i1 + z 22 .i 2
V1 V2 I2 = H21.I1 + H22.V2 Dans une région où les caractéristiques sont linéaires, ce modèle permet une représentation
H12.V 2 H 21.I 1 correcte des propriétés du quadripôle. Il est également possible de modéliser le quadripôle par
Attention aux dimensions des paramètres :
un circuit linéaire équivalent dont les valeurs sont celles du quadripôle au voisinage du point
H11 = Impédance, H12 = Nombre…
Fig. 17 de fonctionnement. Ainsi pour le modèle hybride, on obtient (comparer avec la figure 17) :
i1 h 11 i2
ˆ Modèle amplificateur d’un quadripôle linéaire v1 = h11.i1 + h12.v2
I1 I2 Dans ce modèle, le circuit d’entrée est réduit à 1/h 22 i2 = h21.i1 + h22.v2
Zs l’impédance d’entrée ZE. Celui de sortie comporte un v1 v2
générateur de tension de f.e.m. AV.VE en série avec h 12.v
V1 V2 2 h 21.i 1 Ne pas confondre les Hij et les hij.
Ze Av.V1 l’impédance de sortie ZS.
V1 = ZE.I1 Fig. 20
Fig. 18
V2 = AV.V1 + ZS.I2
8 – Exemple de quadripôle : le transformateur idéal
7 – Schémas équivalents des quadripôles non linéaires On admet que les inductances sont des solénoïdes de section S ayant N1 et N2 spires, des
Les composants utilisés en électronique sont très souvent non linéaires et une étude longueurs "1 et "2 et que les pertes sont négligeables. Si Φ1 est le flux d’induction à travers
analytique rigoureuse du circuit est alors impossible. Pour étudier le comportement du circuit, l’enroulement primaire, on a :
on peut utiliser des méthodes graphiques. μN1I1 μN2I 2
Φ1 = L1I1 + MI2 = N1B1S + N1B2S ; B1 = ; B2 =
Supposons connues les caractéristiques d’un quadripôle non linéaire : ce sont les réseaux de " "
courbes V1 = f(I1, I2) et V2 = g(I1, I2). Par exemple dans le plan V1, I1 on trace le réseau des μSN 12 μSN 1 N 2
courbes V1 = f(I1) en prenant la valeur du courant I2 comme paramètre. De même dans le plan L1 = ; M= ; ⇒ L1 = k. N 1 M = k. N 1 N 2 = L1 L 2
2

" "
V1, I2 , on trace le réseau des courbes V1 = g(I2) en prenant la valeur de I1 comme paramètre.
On impose à l’entrée les valeurs de V1 et de I1 ; les valeurs de sortie sont V2 et I2. Ces 4 Avec ces hypothèses, on obtient en régime sinusoïdal :
valeurs définissent le point de repos ou point de fonctionnement. Comment évolue ce point si V1 = jL1.ω.I1 + jM.ω.I2
I1 M I2
I1 varie de dI1 ?
V2 = jM.ω.I1 + jL2.ω.I2
Au voisinage du point de repos, on peut écrire les variation L1 L2 Zu
V1 des valeurs « statiques » : ⎡ V2 ⎤ ⎡ L1 M ⎤ ⎡I1⎤
⎢ V ⎥ = jω. ⎢ M
U1 U2
L 2 ⎥⎦ ⎢⎣I 2 ⎥⎦
v1 .
V ⎛ ∂V ⎞ ⎛ ∂V ⎞ ⎣ 1⎦ ⎣
PF
i1
dV1 = ⎜⎜ 1 ⎟⎟ .dI1 + ⎜⎜ 1 ⎟⎟ .dI 2
I2 = cte ⎝ ∂I 1 ⎠ I 2 =C ⎝ ∂I 2 ⎠ I1 =C A partir de l’expression de la matrice Z du transformateur, on détermine l’expression de
l’impédance vue à l’entrée quand le transformateur est chargé par une impédance Zu.
⎛ ∂V ⎞ ⎛ ∂V ⎞
I I1 dV2 = ⎜⎜ 2 ⎟⎟ .dI 1 + ⎜⎜ 2 ⎟⎟ .dI 2 Z Z M2ω 2 jL1ωZu
⎝ ∂ I ⎠ I2 =C ⎝ ∂I 2 ⎠ I 1 = C ZE = Z11 − 12 21 = jL1ω + . Soit : ZE =
Fig. 19 1
Z22 + Zu jL2ω + Zu Zu + jL2ω
⎛ ∂V ⎞
Les dérivées partielles ⎜⎜ i ⎟⎟ sont les pentes des tangentes aux caractéristiques au voisinage Cette impédance est équivalente à une impédance Zu.L1/L2 en parallèle avec une
⎝ ∂I i ⎠ PF impédance jL1ω. Si le produit L1ω est assez grand, l’impédance présentée par le
du point de repos et ont la dimension d’une impédance : transformateur chargé est donc Zu.L1/L2 = Zu.(N1/N2)2 = Zu.n2. (n = N1/N2 est le rapport de
⎧dV1 = z 11 .dI 1 + z 12 .dI 2 transformation).
⎨ Le transformateur permet donc l’adaptation en puissance des impédances entre une source
⎩dV2 = z 21 .dI 1 + z 22 .dI 2 d’impédance Zs et une charge d’impédance Zu. Il suffit d’utiliser un transformateur de rapport
Les paramètres zij sont les dérivées des paramètres « statiques » Zij au voisinage du point de n2 = Zs/Zu.
repos : ce sont des paramètres « dynamiques ». Cette notation des différentielles est
REMARQUE : Comme on néglige les pertes, ce quadripôle passif possède un gain en puissance
rigoureuse mais lourde à utiliser.
égal à 1. Le gain en tension peut être supérieur ou inférieur à 1 (transformateur élévateur ou
☞
En électronique, on note la différentielle dA de la grandeur A avec la lettre abaisseur de tension).
minuscule a.
La minuscule a correspond à la variation de la grandeur statique représentée par A.
Ainsi, en posant v1 = dV1 ; i1 = dI1 … , on obtient pour la matrice impédance :

37 38

Chapitre 6: Filtres passifs
1 – Les diagrammes de Bode
1.1 – Fonction de transfert
De nombreux circuits électriques peuvent être représentés par des quadripôles. Une
caractéristique importante d’un quadripôle est sa réponse en fréquence. Un circuit dont la
réponse en fonction de la fréquence n’est pas constante est un filtre. En régime sinusoïdal, on
le caractérise par sa fonction de transfert complexe qui est le quotient de la tension de sortie
vS* par la tension d’entrée vE* :
H*(jω) = vS* /vE* H*(jω) = G(ω).ejϕ(ω)
G est la norme du gain en tension : G(ω) = ⏐vS⏐/ ⏐vE⏐
ϕ est le déphasage : ϕ(ω) = Arg(vS*) – Arg(vE*)
Un filtre passif réel dissipe toujours de l’énergie et la puissance disponible à la sortie est
toujours inférieure à la puissance appliquée à l’entrée.
1.3 – Fréquence de coupure
On définit la fréquence de coupure ω C d’un système comme étant celle pour laquelle le
gain maximum en tension est divisé par 2 .
G(ω C) = GMax / 2
Or Log( 2 ) = 0,1505 ≈ 3/20. On peut donc aussi définir la fréquence de coupure comme la
fréquence qui correspond à une diminution de 3 dB du gain maximum.
G’(ω C) = G’Max – 3 dB
1.4 – Diagrammes de Bode
La gamme des fréquences appliquées aux montages électriques étant très large, lors du
tracé des fonctions de transfert, on utilise une échelle logarithmique pour l’axe des
fréquences. Soit f0 une fréquence caractéristique d’un système (par exemple une fréquence de
coupure). Les diagrammes de Bode de ce système sont les courbes du gain (en dB) et de la
phase de la fonction de transfert, en fonction de Log(f/f0) = Log(ω/ω 0).
La représentation de Bode utilise donc pour les abscisses une échelle logarithmique en
coordonnées réduites et pour les ordonnées une échelle en décibels.
Le tracé rigoureux d’une fonction de transfert est souvent une opération fastidieuse et dans
de nombreux cas une représentation approximative est suffisante. Les courbes sont en général
tracées sous leur forme asymptotique.

1.2 – Décibels
En acoustique physiologique, on constate que la sensation est proportionnelle au 0
logarithme de la pression acoustique. Ceci a conduit à la définition d’échelles logarithmiques 1
pour la mesure des gains. Les gains en décibels sont définis par : Fig. 1
ˆ Gain en tension : G(ω)dB = 20.Log10(G(ω)). Les diagrammes de Bode présentent également un autre intérêt. Partant d’une fonction de
ˆ Gain en puissance : transfert donnée, on la modifie pour l’écrire sous la forme du produit H(jω) = A.H1(jω).H2(jω)…
P(ω)dB = 10.Log10(P(ω)).
dans lequel A est une constante et H1(jω), H2(jω) des fonctions simples dont le graphe de Bode
VALEURS REMARQUABLES : est connu. Les expressions du gain et de la phase deviennent :
Soit G un gain en puissance égal à 2. Le gain G’ correspondant en décibels est : G( dB) = Log( A ) + G1(dB) + G 2( dB) + ...
G’ = 10.Log10(2) = 3,01 dB ≈ 3 dB. ϕ = ϕA + ϕ1 + ϕ2 + ...
Si G = 4, G’ = 6,02 dB ≈6dB. Le terme général étant la somme des termes de la décomposition, il suffit pour obtenir le
Si G = ½, G’ = – 3 dB graphe du système étudié d’effectuer la somme des divers graphes qui correspondent à ces
Une multiplication du gain par 2 correspond à une augmentation de 3 dB. termes. Comme dans beaucoup de cas, il est possible de décomposer la fonction de transfert
Une division du gain par 2 correspond à une diminution de 3 dB. du système en un produit de fonctions de transfert du premier ordre, nous allons examiner
Soit G un gain en puissance égal à 10. G’ = 10.Log10(10) = 10 dB. celles-ci en détail.
6
Si G = 10 , G’ = 60 dB.
–3
Si G = 10 , G’ = – 30 dB... 2 – Fonctions de transfert du premier ordre
Pour les tensions, une multiplication du gain par 2 correspond à + 6 dB. 2.1 – Filtres élémentaires
– Filtres passe-bas
INTERET :
Pour le circuit non chargé, la résistance et le condensateur se
♦ Les gains en tension sont souvent très petits et l’utilisation des décibels permet de
comportent comme un diviseur de tension idéal et :
manipuler des nombres plus grands.
Vs 1
♦ Soient deux étages en cascade de gains G1 = P1/P0 et G2 = P2/P1 ; le gain total G = P2/P0 S =
Ve 1 + jRCω
E
est donc égal au produit G1.G2 des gains des étages. Si les gains sont exprimés en décibels,
le gain total est la somme des gains : On pose ω C = 1/RC et x = ω/ω C.
Fig. 2
G’ = G1’ + G2’ La fonction de transfert du quadripôle devient :
39 40
 VS 1 1 – Filtre passe-bas
= = Si x = ω/ω c la fonction de transfert est :
VE 1 + j(ω / ω C ) 1 + jx
1
On retrouve rapidement ce résultat en remarquant que pour une fréquence nulle le H( jω) = H( jx ) =
1 + jx
condensateur a une impédance infinie : le gain vaut 1. Pour une fréquence infinie, son
impédance est nulle : le gain vaut 0. Pour x << 1 ⇒ G(x) = 1.
Pour x >> 1 ⇒ G(x) = 1/x.
Vs 1 Le diagramme asymptotique se limite à deux droites
G= = . Si x = 1 alors G = 1 / 2
Ve 1 + x2 de pentes 0 et – 20 dB par décade.
La phase varie de 0 pour x = 0,1 à – 90° pour x = 10.
fc = 1/2πRC est donc la fréquence de coupure de ce circuit Elle est égale à – 45° pour la fréquence de coupure.
qui atténue les hautes fréquences.
ϕ = – ArcTg(x). Si x = 1 alors ϕ = – 45° Fig 5
Pour x = 0,1, ϕ = – 6° – Filtre passe-haut
Pour x = 10, ϕ = – 84°
Pour le diagramme asymptotique, on considère que la phase En posant x = ω/ω c , la fonction de transfert s’écrit :
varie de 0 à –90° sur deux décades. jx 1
H( jω) = H( jx ) = =
1 + jx 1 − j / x
Fig 3
En remplaçant la résistance par une inductance L, le condensateur par une résistance et en Pour x << 1 ⇒ G(x) = x
posant ω c = R/L, on obtient la même fonction de transfert. Pour x >> 1 ⇒ G(x) = 1.
– Filtres passe-haut
Fig 6
Pour le circuit non chargé, on a : Le diagramme asymptotique se limite à deux droites de pentes 0 et + 20 dB par décade. La
Vs jRCω phase varie de 90° pour x = 0,1 à 0 pour x = 10. Elle est égale à 45° pour la fréquence de
=
Ve 1 + jRCω coupure.
On pose ω c = 1/RC et x = ω/ω c.
Fig 4
3 – Fonctions de transfert du second ordre
Pour les systèmes du second ordre, la fonction de transfert contient des termes en ω². On
VS j( ω / ωC ) jx 1 trouve trois fonctions fondamentales :
La fonction de transfert devient : = = =
VE 1 + j(ω / ω C ) 1 + jx 1 − j / x 1
– La fonction passe-bas : H b ( jω) = A
1 + jx / Q + ( jx) 2
En remplaçant la résistance par une inductance L, le condensateur par une résistance R et en
posant ω c = R/L, on obtient la même fonction de transfert. ( jx) 2
– La fonction passe-haut : H h ( jω) = A
On obtient cette fois un filtre qui atténue les basses fréquences. A fréquence nulle 1 + jx / Q + ( jx ) 2
l’impédance du condensateur est infinie : le gain est nul. Il est égal à 1 pour une fréquence
jx / Q
infinie. – La fonction passe-bande : H B ( jω) = A
1 + jx / Q + ( jx ) 2
2.2 – Fonctions de transfert du premier ordre Q est le coefficient de surtension et x = ω/ω 0 avec ω 0 la pulsation propre.
Un système est dit du premier ordre si sa fonction de transfert ne contient que des
constantes et la première puissance de ω. Pour caractériser l’axe des fréquences, on utilise Un phénomène de résonance apparaît, d’autant plus marqué que Q est grand et les courbes
soit la décade soit l’octave. de gain peuvent s’écarter sensiblement des formes asymptotiques au voisinage de ω = ω 0.
Une décade correspond à une multiplication de la fréquence par 10. Ainsi pour le filtre passe-bas (Fig 7), la forme asymptotique n’est utilisable que pour les
Une octave correspond à un doublement de la fréquence. valeurs de Q inférieures à 0,5. Dans ce cas, on a :
pour x << 1, G(x) ≈ A (0 dB si A = 1)
– Rampe
pour x >> 1, G(x) ≈ –A/x² (pente de – 40dB/décade).
C’est la plus simple des fonctions de transfert du premier :
La phase vaut –90° pour x = 1 et varie de 0° pour x= 0 à –180° pour x infini.
H(jω) = jω/ω C ⇒ G = ω/ω c et ϕ = π/2. Pour les amortissements très forts, H(jω) peut se décomposer en un produit de fonctions de
Son diagramme de Bode est une droite dont la pente est 20 dB par décade. transfert du premier ordre. Le système se comporte comme une cascade de cellules du
En effet si ω ⇒ 10ω alors G10ω = Gω + 20 dB. premier ordre ayant des fréquences de coupures différentes.
Cette pente vaut aussi 6 dB par octave (G2ω = Gω + 6 dB).
41 42
 Si cette méthode est particulièrement bien adaptée au calcul numérique des filtres, elle est
souvent très lourde à mettre en œuvre pour la détermination de la forme littérale de la fonction
Q = 0,05 de transfert et on préfère souvent utiliser les méthodes utilisées pour l’étude des réseaux.
4.2 – Exemple : filtres en treillis
Q=1 On va montrer que ces deux structures de filtres sont équivalentes en calculant leurs matrices
impédances.
I1 A B I2 I1 A Z1 B I2
Z1 Z1
Z2 – Z1 Z2 Z2
Fig 7
V1 2 V2 V1 V2
La courbe de réponse du filtre passe-haut est symétrique de la courbe du passe-bas par C D C Z1 D
rapport à la droite x = 1. A titre d’exercice, tracer la courbe asymptotique du gain pour un
filtre passe-bande du second ordre quand Q est petit et vérifier que les asymptotes ont des fig 9
pentes de +20 dB et –20 dB. Circuit en T :
Le courant qui circule dans l’impédance ½(Z2 – Z1) est I1 + I2.
Filtre passe-bande à bande large
Dans le circuit d’entrée, on a : V1 = Z1I1 + ½(Z2 – Z1).( I1 + I2)
Pour de nombreux systèmes, la fonction de transfert peut s’écrire sous la forme :
Dans le circuit de sortie, on a : V2 = Z1I2 + ½(Z2 – Z1).( I1 + I2)
jω ωM
H ( jω ) = A 1 ⎡ Z1 + Z 2 Z 2 − Z1 ⎤
On tire : [Z] = ⎢
.
ω m + jω ω M + jω ⎥
2 ⎣ Z 2 − Z1 Z1 + Z 2 ⎦
jω / ω m 1 Treillis
H ( jω ) = A .
1 + jω / ω m 1 + jω / ω M er
1 méthode.
La fonction de transfert est le produit de trois Pour ce quadripôle I1 = I2 et – V1 + Z2.I1 – V2 + Z2.I1 = 0
I1 I2
fonctions. Soit I1 = (V1 + V2)/2Z2.
Z2 Z2
– Le gain moyen A (constant).
– Un passe-haut (coupure ω m).
V1 V2 ⎛ I1 ⎞ 1 ⎡1 1⎤ ⎛ V1 ⎞
Et donc : ⎜⎜ ⎟⎟ = ⎢ ⎥ ⎜⎜ ⎟⎟
– Un passe-bas (coupure ω M). ⎝ I 2 ⎠ 2 Z 2 ⎣1 1⎦ ⎝ V2 ⎠
La bande passante est donc : ω M – ω m
Pour le second quadripôle, on a :
I1 Z1 I2 I1 = – I2 et – V1 + Z1.I1 + V2 + Z1.I1 = 0
L’expression de sa matrice admittance est :
Fig. 8
V1 V2
Le diagramme asymptotique est construit par addition de trois droites de pentes + 20 dB ⎛ I1 ⎞ 1 ⎡ 1 − 1⎤ ⎛ V1 ⎞
Z1 ⎜⎜ ⎟⎟ = ⎢ ⎜ ⎟
par décade, 0 et – 20 dB par décade. La partie horizontale du diagramme correspond au gain ⎝ I 2 ⎠ 2 Z1 ⎣ − 1 1⎥⎦ ⎜⎝ V2 ⎟⎠
moyen qui vaut 20.Log(A).
fig 10
Si la fréquence de coupure haute ω M est beaucoup plus grande que la fréquence de coupure
basse ω m alors la bande passante est égale à ω M. En reliant les deux quadripôles en parallèle, on obtient le treillis. La matrice admittance du
treillis est dont égale à la somme des matrices admittances des deux quadripôles associés soit :
4 – Méthodes d’études des filtres ⎡1 1 1 1 ⎤
+ −
4.1 – Méthode générale 1 ⎢ Z1 Z 2 Z 2 Z1 ⎥ Z1 + Z 2 Z 2 − Z1 ⎤
[Y ] = ⎢ 1 1 ⎥ ⇒ [Z] = [Y]−1 = 1 ⎡⎢
Un certain nombre de filtres peuvent se décomposer en quadripôles élémentaires mis en
2⎢ −
1
+
1 ⎥ 2 ⎣ Z 2 − Z1 Z1 + Z 2 ⎥⎦
cascade : il est alors possible de calculer la matrice de transfert (T) du filtre et d’en déduire la ⎢⎣ Z 2 Z1 Z1 Z 2 ⎥⎦
fonction de transfert. Pour les quadripôles passifs, on a Δ(T) = 1. La fonction de transfert du
1 ⎡ Z 22 ΔZ ⎤
Vérifier que l’expression de la matrice de transfert est : [T ] =
filtre chargé par l’impédance ZU est alors donnée par :
⎢ Z11 ⎥⎦
Z12 ⎣ 1
ZU
H= On peut voir sur cet exemple que la méthode matricielle est lourde à utiliser.
Z U .T22 + T12
e
2 méthode.
Si ZU = ∞ (quadripôle non chargé) alors : H = 1 / T22.
On redessine le treillis sous la forme d’un pont.

43 44
 Si I3 est le courant entre A et B, le courant entre A et C est – un passe-bas et un passe-haut : on obtient un passe-bande. Dans ce cas montrer que l’ordre
I1 A (I1 – I3), le courant entre Cet D est (I1 – I3 – I2). des deux filtres n’est pas indifférent.
Z1 Z2 Entre B et D le courant est I3 + I2 . Vérifier que pour le double L, la matrice de transfert est :
I3 La ddp entre A et D s’écrit :
B I2 C I1 Z1 Z3 I2 ⎡ Z Z1 Z3 ⎤
(en passant par C) V1 = Z2. (I1 – I3) + Z1.(I1 – I3 – I2)
⎢ 1+ 3 Z1 + Z 3 + ⎥
V1 V2 (en passant par B) V1 = Z1.I3 + Z2.(I3 + I2)
On tire : 2.I3 = I1 – I2
U1 Z2 Z4 U2 [TEq ] =⎢
⎢ 1 1
Z2
1 Z1 ⎛
Z2
Z ⎞⎛ Z ⎞ ⎥
⎥
Z2 Z1 ⎢Z + Z + Z Z + ⎜⎜1 + 1 ⎟⎟⎜⎜1 + 3 ⎟⎟ ⎥
Et : V1 = ½(Z1 + Z2).I1 + ½(Z2 –Z1).I2 Fig. 14 Z 4 ⎝ Z 2 ⎠⎝ Z 4 ⎠ ⎦
D ⎣ 2 4 2 4
V2 = VB – VC = (VB – VA) + (VA – VC) =
–Z1.I3 + Z2.(I1 – I3) Il est souvent plus simple de faire le calcul direct de la fonction de transfert.
fig 11 Etudier pour des filtres non chargés les cas suivants :
V2 = – ½.Z1.( I1 – I2) + ½.Z2.( I1 + I2) ⇒ V2 = ½.(Z2 – Z1).I1 + ½.(Z1 + Z2).I2 Z1 = R, Z2 = C1, Z3 = C2, Z4 = R.
Les deux quadripôles ayant la même matrice impédance sont équivalents. Z1 = C1, Z2 = R, Z3 = R, Z4 = C2.
Envisager les deux cas si C1 = C2, C1 >> C2 et C1 << C2.
4.3 – Filtres en T
L’application de la méthode générale donne ici : On peut aussi envisager de mettre en cascade N =2, 3, … cellules en L identiques. On obtient
alors des filtres d’ordre N.
I1 Z1 Z3 I2 [T ] = ⎡⎢10
1
Z1 ⎤
1 ⎥⎦
[T ] = ⎡⎢ 1
2 1
0⎤
1⎥⎦
Par exemple on considère N cellules passe-bas identiques du premier ordre en cascade. On
⎣ ⎣ Z2 pose x = RCω. La fonction de transfert de chaque cellule est H = 1/(1 + jx). La fonction de
N N
U1 U2 transfert total est HN = 1/(1 + jx) . On en déduit que G² = 1/(1 + x²) . La fréquence de
Z2 ⎡ Z3 ZZ ⎤
⎢1 + Z Z1 + Z 3 + 1 3 ⎥ coupure de l’ensemble se produit pour x = 21 N − 1 .
T1 T2 T3 TEq = ⎢ [ ] 2
Z1
Z2
⎥
Fig. 12 ⎢ 1 1+ ⎥ 4.6 – Filtres en T ponté
⎢⎣ Z 2 Z2 ⎥⎦
Avec le théorème de Kennelly, on peut transformer le triangle Z1, Z3, Z4 en étoile (fig 15-b)
Il faut noter que pour un filtre en T non chargé, la valeur et la nature de Z3 est sans effet. En posant Z0 = Z1 + Z2 + Z4, on trouve :
Si Z1 et Z3 sont des condensateurs et Z2 une résistance, le filtre est un passe-haut.
Z1 Z 4 Z3 Z4 Z1Z 3
Si Z1 et Z3 sont des résistances et Z2 un condensateur, le filtre est un passe-bas. ZA = ZB = ZC =
Z0 Z0 Z0
On peut aussi transformer l’étoile Z1, Z2, Z3 en triangle (fig 15-c).
4.4 – Filtres en Pi
On retrouve soit la configuration en T soit celle en Pi.
I1 Z2 I2 [T ] = ⎡⎢ 1
1 1
0⎤
1 ⎥⎦
[T ] = ⎡⎢10
2
Z2 ⎤
1 ⎥⎦
A
I2
⎣ Z1 ⎣ Z4 I1 za zb C I2 I1 Z4
Z1 Z3 I1 I2 zc
⎡ Z ⎤ Z1 Z3
U1 zb
U1 U2
⎢ 1+ 2 Z2 ⎥ U2 za zc

T1 T2 T3
[TEq ] =⎢
1 1
Z1
Z Z
⎥ U1 a Z2 U2 b Z2 U1 c U2
⎢ + + 2 1+ 2 ⎥ B
Fig. 13 ⎢⎣ Z 3 Z1 Z1 Z3 Z 3 ⎥⎦
Fig. 15
Remarques :
Montrer que la configuration ou que Z4 est une inductance (L,r) ; Z1 et Z3 sont des
– Le théorème de Kennelly permet de transformer le circuit en T (étoile) en Pi (triangle) et condensateurs et Z2 est une résistance donne un filtre coupe bande. (faire l’étude pour le filtre
réciproquement. non chargé).
– Si Z1 est infinie, on obtient un filtre en L.
On considère le filtre de la figure 15-b chargé par une impédance ZU. Pour calculer le gain en
⎡ 1 Z2 ⎤
[ ]
tension, on peut utiliser le théorème de Thévenin. Pour obtenir la fem du générateur, on
Vérifier que la matrice de transfert d’un filtre en L est égale à : TEq = ⎢ 1 Z ⎥
Z2 + ZC
⎢ 1+ 2 ⎥
Z Z3 ⎦ déconnecte ZU. On tire : E Th = U1 . L’impédance du générateur est donnée
⎣ 3 Z A + Z2 + ZC
4.5 – Filtres en double L Z .(Z + Z C ) ZU
On associe en cascade deux cellules du premier ordre : par : Z Th = Z B + A 2 . La tension de sortie est donc : U 2 = E Th
ZA + Z2 + ZC Z U + Z Th
– deux passe-bas : on obtient un passe-bas du second ordre.
– deux passe-haut : on obtient un passe-haut du second ordre.

45 46
4.7 – Filtres en double T ponté
ze
z4 z5 I2
I1 I2 I1

U1
z1
z2 z6
z3
U2 U1 zd za
zb
zc zf
Chapitre 7: Les ponts de mesure
U2

Les ponts ont été très utilisés pour la mesure des résistances, inductances et capacités voire
Fig. 16
des fréquences jusque dans les années 1975. Les progrès de l’électronique les ont rendus peu
Avec le théorème de Kennelly, on peut transformer l’étoile Z1, Z2, Z3 en un triangle ZD, ZE,ZF
à peu obsolètes pour les applications de métrologie. Toutefois la structure en pont reste
puis transformer l’étoile Z4, Z5, Z6 en un triangle ZA, ZB,ZC. En remplaçant les paires ZA-ZD,
utilisée dans de nombreux montages et son étude présente également un intérêt pédagogique.
ZB-ZE, ZC-ZF par les impédances équivalentes, on obtient finalement un Pi simple.
4.8 – Filtres de structure Hartley-Colpitts 1 – Pont de Wheatstone
Dans les deux cas Z1 est une résistance. 1.1 – Pont à l’équilibre
I1 Z1 Z3
Pour I2le filtre de Colpitts, Z2 est une inductance L, Z3 et Z4 C On associe quatre résistances R1 à R4 selon le schéma ci-contre.
deux condensateurs de capacités C1 et C2. R1 R2
RC est la résistance d’un détecteur placé entre C et D (diagonale
U1 Z2 Z4 U2 On pose : i1 i2 du pont).Le pont est alimenté entre A et B par un générateur de
A Rc
C = C1C2/(C1 + C2), K = C/C2, ω 0 = 1/LC, Q = RCω 0. i3
B f.e.m. E.
i4
Fig. 17 K On dit que le pont est équilibré quand la différence de potentiel
Vérifier que : H = R3 R4 entre les nœuds C et D est nulle. Quand cette condition est
1 + jQ(ω / ω0 − ω 0 / ω) D
réalisée, il ne circule aucun courant dans la branche CD. Les
Pour le filtre de Hartley, Z2 est une capacité C, Z3 et Z4 deux inductances L1 et L2. courants i1 et i2 d’une part et i3 et i4 d’autre part sont égaux.
On pose :
E E = (R1 + R2 )i1 = (R3 + R4 )i3
L = L1 + L2, K = L2/L, ω 0 = 1/LC, Q = RCω 0. Vérifier que l’expression de la fonction de
transfert est identique à celle du filtre de Colpitts. A l’équilibre : VAC = VAD = R1 .i1 = R3 .i3
4.9 – Filtre de structure Wien R 1E R 3E
= ⇒ R1 R 4 = R 2 R 3
On pose : x = RCω. Montrer que la fonction de transfert est : R1 + R 2 R 3 + R 4
I1 jx jx
R I2 H= = L’équilibre du pont est réalisé quand les produits en croix des résistances sont égaux.
C
1 + 3 jx − x 2 (1 + jk1 x )(1 + jk 2 x )
U1 C R U2 En pratique, on place la résistance inconnue en R1 . R2 est une résistance connue ajustable et
on a : k1k2 = 1 = P et k1 + k2 = 3 = S. R3 et R4 sont des résistances fixes dont on connaît le rapport (K = R3 /R4 ). Le détecteur est un
Fig. 18 k1 et k2 sont solution de l’équation u² - Su +P = 0. galvanomètre ou un comparateur électronique. A l’équilibre, R1 = K.R2 .
( )
On tire : k1 = 1 2 3 + 5 , k 2 = 1 2 3 − 5 ( )
On peut décomposer la fonction de transfert de ce filtre (passe-bande du second ordre) 1.2 – Pont déséquilibré
comme le produit d’une fonction passe-bas 1/(1 + jk1x) par une fonction passe-haut jx/(1 +
jk2x). Les fréquences de coupures basse et haute sont données par 1/k1RC et 1/k2RC. La méthode la plus simple pour étudier le pont hors équilibre est de chercher l’équivalent
Thévenin du circuit entre les bornes Cet D.
On retire RC : VCB = E.R2 /(R1 + R2 ) ; VDB = E.R4 /(R3 + R4 ) . La f.e.m. du générateur de
⎛ R2 R4 ⎞
Thévenin est dont égale à : E T = VCD = E⎜⎜ − ⎟⎟
⎝ 1
R + R 2 R 3 + R4 ⎠
Si la résistance interne du générateur E est négligeable, la résistance du générateur équivalent
est égale à (R1 // R2 ) en série avec (R3 // R4 ) :
R 1R 2 R 3R 4
RT = +
R1 + R 2 R 3 + R 4
Dans beaucoup d’asservissements utilisant des capteurs résistifs, on utilise cette structure en
pont. Le capteur est placé dans une branche, les trois autres branches sont réalisées avec des
résistances fixes. Le signal d’erreur est la tension de déséquilibre du pont.

(Etudier le circuit n° 3)
47 48
2 – Ponts en courant alternatif
A la place du générateur continu, on utilise un générateur basse fréquence et on remplace les
résistances par des impédances. Les calculs réalisés pour le pont de Wheatstone restent
valides à condition de remplacer les résistances par des impédances complexes.
L’équilibre du pont est réalisé quand les produits en croix des impédances sont égaux.
En général, deux dipôles seront des résistances pures de précision. Le troisième sera
l’impédance inconnue et le quatrième sera constitué de condensateurs de précision associé à
des résistances des précision. On évite de travailler avec des inductances car leur valeur varie
avec la fréquence. Les possibilités d’associations sont assez nombreuses et nous allons
examiner les plus utilisées.
A l’équilibre, on obtient RX = R comme dans un pont de Wheatstone classique. Sans modifier
R, on alimente ensuite le pont en alternatif et on modifie C pour obtenir l’équilibre.
Le pont de Hay.
Dans ce pont, on utilise le modèle parallèle pour l’inductance (inductances ayant un bon
facteur de qualité). Z3 est un condensateur ajustable en série avec une résistance ajustable.
Montrer que les conditions d’équilibre sont les mêmes que celles du pont de Maxwell.
Selon le modèle utilisé pour l’inductance, les valeurs de L sont pratiquement identiques mais
par contre les valeurs de la résistance sont très différentes (faibles pour le modèle série et très
grandes pour le modèle parallèle).

2.1 – Ponts P/Q 2.3 – Ponts P.C (ponts de Owen)

Dans les ponts « P/Q », Z3 et Z4 sont des résistances pures.
Rx R R
Z1 = RX + jXX est l’impédance inconnue, Z2 = R + jX est une
Cx C impédance variable et connue.
D L’égalité des parties réelles implique : P.R = Q.RX.
Celle des parties imaginaires implique P.X = Q.XX.
P Q Soit :
RX = R.P/Q et XX = X.P/Q.
E XX et X sont de même signe : ce sont donc des impédances de
même nature.
Le pont de Sauty.
Avec des condensateurs de bonne qualité (résistance série du condensateur RX négligeable), il
est souvent inutile d’utiliser une résistance R avec le condensateur étalon. L’équilibre est
obtenu en modifiant le rapport P/Q et alors CX = C.Q/P
Rx Dans les ponts «P.C », Z3 = P est une résistance pure ;
Cv
Lx Z4 est un condensateur idéal.
D Z1 = RX + jωLX (modèle série) ou Z1 = (RX // jωLX)
(modèle parallèle) est une inductance inconnue, Z2 est
C
P une impédance variable.
Si on utilise le modèle série pour l’inductance, Z2 est un
E condensateur variable CV en série avec une résistance
ajustable R. Si on utilise le modèle parallèle pour
l’inductance, Z2 est un condensateur variable CV en
parallèle avec une résistance ajustable R.
Montrer que dans les deux cas, on a :
RX = P.C/C V et LX = P.C.R
Ici encore, les ordres de grandeur des valeurs de RX sont très différentes selon le modèle
choisi.

Le pont de Nernst. 2.4 – Ponts P/C (ponts de Schéring)

Rx
Avec des condensateurs présentant des fuites importantes, on utilise un pont P/Q parallèle. Z2 C Dans les ponts «P/C », Z3 = P est une résistance pure ;
est un condensateur étalon en parallèle avec une résistance R. Pour le condensateur à étudier, Cx Z2 est un condensateur idéal.
on utilise le modèle parallèle. D Cv
Z1 = RX + 1/jωCX (modèle série) ou Z1 = (RX // 1/jωCX)
Exercice : montrer que RX = R.P/Q et que CX = C.Q/P (mêmes relations que pour le pont de (modèle parallèle) est un condensateur inconnue, Z4 est
Sauty). P
une impédance variable.
R Si on utilise le modèle série pour le condensateur, Z4 est
2.2 – Ponts P.Q E
un condensateur variable CV en parallèle avec une
Dans les ponts « P.Q », Z3 = P et Z4 = Q sont des résistances pures. résistance ajustable R. Si on utilise le modèle parallèle
Z1 = RX + jXX est l’impédance inconnue, Z2 = R + jX est une impédance variable et connue. pour le condensateur, Z4 est un condensateur variable
On a donc : P.Q = (RX + jXX)( R + jX) = R.RX – X.XX + j(R.XX + RX.X) CV en série avec une résistance ajustable R.
Donc P.Q = R.RX – X.XX et RX/R = – XX/X : Z1 et Z3 sont des dipôles de nature différentes. Montrer que dans les deux cas, on a :
Le pont de Maxwell. RX = CV.P/C et CX = R.P/C
Z1 est une inductance inconnue ayant un facteur de 2.5 – Pont de Robinson)
Q
P = 2Q
Rx Q qualité Q = Lω/R médiocre : on utilise donc le modèle On considère un pont de Nernst dans lequel on fait
série. Z3 est un condensateur ajustable en parallèle D C P = 2Q et CX = C. Les deux résistances R sont couplées
Lx C
D
avec une résistance ajustable. et possèdent une commande unique.
A l’équilibre, on a : RX = P.Q/R et LX = P.Q.C. R Montrer qu’à l’équilibre, on a : ω = 1/RC
C Il est souvent difficile d’équilibrer un tel pont et on R L’appareil peut être gradué directement en fréquence.
P E
procède souvent en deux étapes.
R On commence par alimenter le pont en continu. Le
E
condensateur possède alors une impédance infinie et
l’inductance une impédance nulle.
49 50

Chapitre 8: Les semi-conducteurs
1 – Conduction électrique
Dans le modèle classique, un corps est isolant s’il ne contient pas d’électrons mobiles. Dans un
conducteur, des électrons sont peu liés aux noyaux et peuvent se déplacer dans le réseau cristallin.
Si n est la densité des électrons libres, v leur vitesse moyenne, dans une barre de longueur L, de
section S avec une tension V entre les extrémités, la densité de courant J = I/S est égale à J = n.e.v.
La vitesse des électrons est proportionnelle à la force à laquelle ils sont soumis donc au champ
électrique E = V/L. Si µ désigne la mobilité, on a : v = µ.E
J = n.e.µ.E = σ.E = E/ρ
Le modèle classique a été remplacé par le modèle quantique des bandes d’énergie. Dans l’atome
isolé les électrons occupent des niveaux d’énergie discrets. Dans un cristal, par suite des interactions
entre les atomes, ces niveaux discrets s’élargissent et les électrons occupent des bandes d’énergie
permises séparées par des bandes interdites. La répartition des électrons dans les niveaux obéit
aux lois de la thermodynamique statistique. Au zéro absolu, seuls sont peuplés les niveaux de plus
basse énergie.
Dans les isolants, les bandes d’énergie les plus faibles sont entièrement pleines. La hauteur de la
bande interdite est grande (≈ 5 eV). Il n’y a pas de niveaux d’énergie accessibles et pas de
conduction. Par exemple, la résistivité du diamant est ρ = 1.1012 Ω.m et celle du mica varie entre
1010 Ω.m et 1015 Ω.m.
Dans les conducteurs, la dernière bande occupée est partiellement remplie : il existe beaucoup
de niveaux disponibles et la conduction est grande. Pour des métaux bons conducteurs, on obtient :
ρAg = 1,6.10–8 Ω.m ; ρCu = 1,7.10–8 Ω.m ; ρAl = 2,8.10–8 Ω.m
Pour les semi-conducteurs, le taux de remplissage de la dernière bande occupée est soit très
faible soit très important. La hauteur de la bande interdite est faible (≈ 1 eV). La conduction est
faible et varie beaucoup avec la température. Pour le silicium et le germanium, on mesure à 300 K :
ρSi = 2400 Ω.m ; ρGe = 0,5 Ω.m
Bande interdite
Energie
Isolant Conducteur Semi-conducteurs
Fig. 1
51
2 – Semi-conducteurs
2.1 – Structure des semi-conducteurs
La structure du silicium et du germanium est la même que celle du
diamant (cubique Fd3m). Chaque atome est lié à 4 voisins placés
aux sommets d’un tétraèdre par une liaison covalente : Ces
éléments sont « tétravalent ».
La figure 3 correspond à une représentation sur un plan de la
structure. Les traits figurent les électrons de valence.
La théorie des bandes appliquée aux semi-conducteurs amène à
Fig. 2 Diamant considérer une bande de valence entièrement pleine qui est
séparée d’une bande de conduction par une bande interdite
distante de l’énergie ΔE.
Si on apporte une énergie thermique ou lumineuse suffisante à un
électron, il peut passer de la bande de valence à la bande de
conduction avec une probabilité P proportionnelle à :
Ρ ∝ exp(–ΔE / kT)
ΔE est l’écart en énergie séparant les deux bandes.
T la température absolue.
k = 1,38.10–23 JK -1 est la constante de Boltzmann.
Pour T = 300 K , kT = 0,0025 eV
Fig 3
Diamant ΔE = 7 eV ; Silicium ΔE = 1,12 eV ; Germanium ΔE = 0,7 eV.
Dans un semi-conducteur, ΔE est assez faible pour autoriser, à température ambiante, le passage
d’un petit nombre d’électrons de la bande de valence vers la bande de conduction.
2.2 – Conduction par électron et par trou
Si une liaison de valence est brisée (agitation thermique,
photon ...) l’électron devient mobile : il laisse un excès de charge
positive le « trou » (symbolisé par un + dans un carré). Cette lacune
va être comblée par un électron voisin libéré par agitation thermique
et qui va à son tour laisser un trou : ceux-ci semblent se déplacer
dans le réseau. Aux électrons (masse positive, charge négative)
correspondent des trous (masse négative, charge positive). Le
déplacement des trous étant un processus à deux étapes, leur
mobilité dans le réseau est plus faible que celle des électrons.
Fig. 4
Trous et électrons constituent les porteurs libres intrinsèques dont le nombre est fonction de la
température. La neutralité électrique du matériau impose que les trous et les électrons soient en
nombres identiques (ni et pi).
Pour le silicium pur à 300 K, on mesure : ni = pi = 1,5.10 10.cm–3. Ce nombre est très faible si on le
compare au nombre des atomes.
Toujours pour le silicium pur à 300 K, les mobilités sont :
µn = 12.10 6.m²V–1s–1 et µp = 5.10 6.m²V–1s–1 .
La conductivité intrinsèque du matériau σ = e(ni.µn + pi.µp ) est très faible.
52
2.3 – Semi-conducteurs dopés ou extrinsèques 3 – La jonction P-N
Dans un matériau pur, on introduit des impuretés par dopage. Pour que celui-ci soit contrôlable, il
faut que le degré de pureté initial global soit supérieur au taux du dopage. Les taux de dopage utilisés
3.1 – Jonction non polarisée
sont de l’ordre de 10–8 à 10–11. Une mole de silicium (28 g) correspond à 6,023.10 23 atomes et la Une jonction est constituée par la réunion de deux morceaux de semi-conducteurs dopés P et N
densité du silicium est voisine de 7 : 1 cm3 de silicium contient donc environ 1,5.10 23 atomes. Avec (jonction P-N). Les connexions avec le milieu extérieur sont réalisées par des contacts métalliques.
un taux de dopage de l’ordre 10–10, il y a environ 1,5.10 13 atomes d’impureté par cm3. Par construction, les jonctions entre métal et semi-conducteur sont purement ohmiques (non
redresseuses).
 – Dopage de type N
En pratique, on part d’une plaque de silicium dopée N sur laquelle on crée en général par
On introduit dans la matrice de silicium des atomes d’impuretés
diffusion une zone dopée P. On sait donner à la zone de séparation entre les deux matériaux nommée
pentavalents tels que le phosphore P, l’arsenic As et l’antimoine
la zone de transition, une épaisseur très faible (typiquement 0,5 µm). Dans cette zone, les taux de
Si Sb.
dopages et donc le nombre de porteurs libres varient avec la distance.
Chaque atome d’impureté amène un électron de valence
supplémentaire. Cet électron est peu lié au noyau (E ≈ 0,01 eV) et  Dans la zone P les porteurs majoritaires sont les trous.
As passe aisément dans la bande de conduction. La conductivité du Les atomes accepteurs constituent un réseau d’ions négatifs.
matériau (conductivité extrinsèque) devient à cause du taux de De même dans la zone N les porteurs majoritaires sont les
dopage, très supérieure à celle du matériau pur. Les atomes électrons. Les atomes donneurs constituent un réseau d’ions
pentavalents ou donneurs deviennent des ions positifs après le positifs.
Concentration
Fig. 5 passage des électrons excédentaires dans la bande de conduction. Les trous ont tendance à gagner la zone N où ils se
Trous
Les données numériques précédentes montrent que le nombre des électrons dans le matériau, Electrons recombinent avec des électrons. De même des électrons de
fonction du taux de dopage, est supérieur au nombre des trous, fonction de la température, d’un la zone N vont combler des trous de la zone P.
facteur supérieur à 103. La conduction dite de type N (négative) est assurée par des électrons. Les Dans la zone de transition existe une charge d’espace due
électrons sont les porteurs majoritaires. aux charges non compensées des noyaux des impuretés. En
 – Type P l’absence d’une polarisation externe, existe un champ
Densité de charge électrique interne qui s’oppose au mouvement des
On introduit dans le réseau une impureté trivalente : bore B, aluminium Al, gallium Ga, indium
In. Il manque à l’impureté un électron de valence pour assurer les 4 liaisons avec les atomes de porteurs majoritaires mais qui accélère les minoritaires. Il
silicium voisins. Un faible apport d’énergie (≈ 0,05 eV) suffit pour qu’un électron d’un silicium voisin existe au niveau de la jonction une barrière de potentiel dont
soit capté par l’impureté : il y a formation d’un trou peu lié et donc mobile. Les atomes trivalents la hauteur est la différence entre les niveaux d’énergie des
(accepteurs) deviennent des ions négatifs par capture d’un électron. Compte tenu des taux de accepteurs et des donneurs.
dopage, ces trous sont beaucoup plus nombreux que les porteurs intrinsèques du cristal pur. La Les porteurs minoritaires induisent le courant de
conduction de type P (positive) est assurée par des trous.
Champ électrique diffusion ; les porteurs majoritaires créent le courant
Les trous sont les porteurs majoritaires. de saturation. En l’absence de polarisation, ces deux
courants sont égaux.
2.4 – Bandes d’énergie des semi-conducteurs dopés
Type N Type P  La diode se comporte comme un condensateur dont le
Bande de Bande de Fig. 6 pôle – est la zone P et le pôle + est la zone N. La zone de
conduction conduction transition ne contenant pas de porteurs mobiles constitue le
Donneurs diélectrique de ce condensateur.
Accepteurs
3.2 – Jonction P-N polarisée en inverse
Bande de Eext Dans cette situation, le champ électrique externe créé par le
valence Bande de
valence
Eint générateur de f.e.m. Vinv s’ajoute au champ interne de la jonction : la
hauteur de la barrière de potentiel augmente. On montre que
P N
T=0K T = 300 K T=0K T = 300 K l’épaisseur d de la zone de transition est proportionnelle à Vinv .
Seul un courant de minoritaires est possible à travers la jonction.
Les atomes de pentavalents (donneurs) introduisent Les atomes de trivalents (accepteurs), introduisent des
des charges positives dans le réseau, charges qui trous dans la bande de valence. Si on élève la C’est le courant inverse ou courant de fuite.
attirent les électrons en créant ainsi de nouveaux température, ces trous se comportent comme des Fig. 7
niveaux dont l’énergie est légèrement inférieure à charges positives libres.
A température ambiante, ce courant est très faible (100 nA). Comme il dépend du nombre des
ceux de la bande de conduction du matériau pur. Si
on élève la température, ces électrons peuvent minoritaires, il est fonction de la température : pour le silicium, il est négligeable en dessous de 110°C
passer dans la bande de conduction.
53 54
mais il devient si important au-dessus de 175°C qu’il interdit le fonctionnement de la jonction en le courant, il y a destruction de la jonction par emballement thermique. La tension inverse admissible
diode. Pour le germanium le fonctionnement est impossible au-dessus de 85°C. varie selon les diodes entre 50 V et 2000 V.

3.3 – Jonction P-N polarisée en direct 3.5 – Claquage inverse Zener

Eext Pour des diodes très fortement dopées et dont la zone de transition est très mince, le champ
Dans cette situation le champ externe créé par le générateur
Eint électrique peut provoquer la rupture directe de liaisons covalentes et le passage d’électrons de la
s’oppose au champ interne. Dès que le champ externe dépasse le
bande de valence dans la bande de conduction. Pour des champs de l’ordre de 2.107 V.cm–1, la
champ interne, un courant des majoritaires s’établit à travers la
P N tension de claquage est de l’ordre de 6 V pour des diodes très dopées. Le courant inverse croît
jonction. Il existe pour une jonction P-N une tension de seuil qui
alors brutalement. L’effet est réversible et non destructif. La jonction présente après le claquage
est caractéristique du matériau :
une résistance dynamique très faible.
Si : Vs ≈ 0,55 V
Les diodes Zener ont un dopage important et en agissant sur l’épaisseur de la zone de transition,
Ge : Vs ≈ 0,15 V
Fig. 8 on peut ajuster la valeur de la tension (dite tension de Zener) au-delà de laquelle se produit le
claquage entre 3 V et 200 V.
Pour des raisons historiques liées aux analogies entre les diodes et les redresseurs à vide et
i à gaz, on nomme la zone P « anode » et la zone N « cathode »..
3.6 – Limites d’utilisation des diodes
La puissance dissipée dans une diode est égale au produit I.VAK. L’échauffement
3.4 – Caractéristiques courant-tension
correspondant produit par l’effet Joule ne doit pas amener la température de la jonction au-dessus
Caractéristique directe d’une valeur limite, fonction de la nature du matériau, afin que le courant inverse ne dépasse pas des
En dessous du seuil VS le courant est très faible. Au-delà, valeurs inacceptables. Pour le silicium cette température est de l’ordre de 185°C.
on montre que le courant diode est lié au courant de La tension inverse doit rester inférieure à la tension de claquage. Les diodes de redressement
saturation par : sont peu dopées pour avoir une bonne tenue en inverse.
⎛ eV ⎞ Le courant direct maximum admissible est conditionné par la puissance maximum que peut
I D = I Sat ⎜ e kT − 1⎟ dissiper la diode. Selon la surface de la jonction, le courant direct admissible peut varier entre
⎝ ⎠
quelques milliampères pour une diode de signal et quelques dizaines d’ampères pour une diode de
Le courant ISat est appelé courant inverse car si la diode puissance.
est polarisée en inverse (V < 0) ID = – ISat . Ce courant
résulte du débit des charges (trous thermogénérés et
électrons) qui traversent la jonction sous l’action du
Fig. 9 champ électrique. Pour une jonction de surface S, le
courant de saturation est donné par :
ΔW
−
ISat = A.S. e kT
(A est une constante fonction du dopage).
Pour une diode de signal au silicium, à 300 K, ISat est de l’ordre de 10 nA.
Toujours à 300 K, ψ = k.T / e ≈ 26 mV.
Au-delà de la tension de seuil, on a : ID ≈ ISat .exp(V / ψ).
La résistance dynamique de la diode est alors donnée par :
V
1 dI 1 I 26
= = I .e ψ = ⇒ r(Ω ) =
r dV ψ Sat ψ I ( mA )

Caractéristique inverse
Si la température est faible, la caractéristique est pratiquement confondue avec l’axe I = 0. Le
courant inverse IInv étant un courant de minoritaires croît avec la température.
Au-delà d’une certaine valeur de VInv, il y a claquage de la jonction par effet d’avalanche .
L’épaisseur de la jonction étant très faible, même avec des potentiels peu élevés, le champ électrique
au niveau de la jonction peut être très grand. Sous l’effet de ces champs intenses (E > 105 V.cm–1),
il y a ionisation des atomes et production d’électrons, qui sont eux-mêmes accélérés et qui
provoquent de nouvelles ionisations (avalanche) qui rendent la jonction conductrice : si rien ne limite
55 56
 I
R I R
RD
Pf
Vo U Vo
D VS
Chapitre 9: La diode U
4-b : Circuit équivalent
Fig. 4 Vo

V0 – R.I = VAK = U
1 – La diode : un dipôle non linéaire
1.5 – Modélisation des diodes réelles
1.1 – Diode idéale I I I Plusieurs modèles sont utilisables pour les diodes à jonction
I C’est un dipôle électrique unidirectionnel dont les bornes sont P-N. Dans tous ces modèles on suppose la résistance
I Anode 1/Rd
l’anode (A) et la cathode (K). dynamique de la diode constante et égale à RD.
En polarisation directe c’est-à-dire si UA > UK la résistance de la
U Cathode
diode est nulle. Elle se comporte alors comme un interrupteur fermé.
Vs Vs On peut prendre RD = 0 et VS ≠ 0, RD ≠ 0 et VS = 0, RD ≠ 0
U
En polarisation inverse (UA < UK), on a: R = ∞ . La diode est Fig. 5 et VS ≠ 0. (Voir fig. 4-b)
équivalente à un interrupteur ouvert.
Fig. 1
Une diode idéale ne dissipe donc aucune puissance. 2 – Redressement du courant alternatif
1.2 – Diode réelle à semi-conducteur 2.1 – Redressement simple alternance
La diode, présentant une résistance pratiquement infinie lorsqu’elle est polarisée en inverse, peut être
I mA L’anode est la zone P d’une jonction P-N. La zone de type N est la utilisée pour obtenir un courant unidirectionnel à partir d’un courant alternatif tel que le courant
cathode. En polarisation inverse, le courant inverse est très faible sinusoï dal.
P mais il croît rapidement avec la température de la jonction.
U
En polarisation directe, au-delà de la tension de seuil (VS ≈ 0,6 V
U pour le silicium), la diode est conductrice. On peut définir en chaque R D
V moyen
VS t
nA U seuil point P de la caractéristique une résistance statique (trait bleu) : e = Vsin ωt U
Fig. 2 RS = V/I et une résistance dynamique (trait vert) : rD = dV/dI.
Ru
Au-delà de la tension de seuil, la résistance dynamique est sensiblement constante.
Fig. 6

1.3 – Association de diodes Dans le circuit de la figure 6, la diode est passante quand le potentiel de son anode est supérieur
de 0,6 V à celui de sa cathode. Si on néglige les effets dus à la tension de seuil, la charge Ru est
 – En série : la caractéristique du dipôle équivalent s’obtient graphiquement en considérant que la
traversée par du courant uniquement pendant les alternances positives.
tension aux bornes de l’ensemble est la somme des tensions aux bornes des deux diodes. (Fig. 3)
On peut aussi utiliser cette construction pour étudier l’association d’une diode avec un autre On pose : RT = Rdiode + Rgéné
dipôle passif comme par exemple une résistance pure. e = V.sinωt = RT .I + U
Or : e = (RT + RU).I
I
D Si e > 0 Rdiode ≈ 0 donc U = e.RU /(RU + RT )
D1
Si e < 0 Rdiode ≈ ∞ donc U = 0
D2
Pour une tension sinusoï dale dont une seule alternance est redressée, la valeur moyenne de la
Deq
tension est égale à:
Fig. 3
U T /2 T/ 2
1⌠ V ⎡ ⎤ 2V V
U = ⎮ V. sin ωt .dt = − cos ωt ⎥ = =
 – En parallèle : on peut utiliser une construction analogue en considérant cette fois qu’il y a T ⌡0 Tω ⎢⎣ ⎦0 2π π
T
additivité des courants dans les deux dipôles. L’association en parallèle des deux diodes ne présente T
aucun intérêt pratique car tout le courant traverse la diode dont la tension de seuil est la plus faible. 2.2 – Redressement double alternance
 – Avec 2 diodes
1.4 – Point de fonctionnement d’une diode
Pour procéder au redressement des deux alternances, il faut utiliser un transformateur ayant deux
On utilise la droite de charge du générateur. L’intersection de cette droite avec la caractéristique enroulements secondaires identiques reliés en série et qui délivre deux tensions opposées : e1 = V.sin
de la diode donne le point de fonctionnement. ωt et e2 = – e1. Le point commun aux deux enroulements sert de référence de potentiel.
57 58
 D1 résistance de la charge est assez grande pour pouvoir négliger le courant de décharge dans RU
U
V moyen devant le courant de charge.
e1
I t
e2 Décharge du condensateur :
Ru U Dès que VA < VK , le générateur est isolé de la charge par la
D2 U diode qui est bloquée. Le condensateur se décharge dans RU
Fig. 7 avec une constante de temps RU.C.
t
La qualité du filtrage est d’autant meilleure que le courant de
Si e1 > 0 alors e2 < 0 : la diode D1 conduit et la diode D2 est bloquée. Lors de la demi- décharge est faible : il faut utiliser des condensateurs de capacité
alternance suivante, la situation est inversée. Le courant dans la charge Ru est unidirectionnel. Dans élevée pour obtenir une constante de temps de décharge aussi
ce montage, la tension inverse maximum supportée par chaque diode est 2V. (la tension inverse élevée que possible.
supportée par la diode bloquée est e1 + e2)
2V 2
En régime sinusoï dal on a : U = =2 VEff
π π Ondulation résiduelle :
Le calcul rigoureux de l’amplitude des variations de la tension de sortie est souvent impossible.
Puisque I(t) = C.dV(t)/dt, on a, en supposant I(t) constant :
 – Avec 4 diodes
La méthode précédente ne nécessite que deux diodes mais impose l’utilisation d’un dV = (I / C).dt
transformateur spécial à point milieu. L’utilisation de 4 diodes permet l’emploi d’un transformateur Comme valeur de dt, on peut prendre la période du phénomène. Cette estimation est pessimiste car
conventionnel. Ce montage constitue le pont de Graëtz. Il est commercialisé sous la forme d’un la charge du condensateur débute avant la fin de la période. L’ordre de grandeur de la tension
dispositif compact muni de 4 bornes. Pendant chaque alternance 2 diodes sont conductrices : la I
d’ondulation est donc VOnd = pour un redressement simple alternance d’une tension de
chute de tension dans le pont vaut 2 fois la tension seuil. C. f
fréquence f. L’ondulation est nulle si la charge est infinie car le condensateur reste alors chargé à la
Mais dans ce cas, chaque diode n’est soumise en inverse
tension crête. Il est possible d’améliorer le « lissage » de la tension de sortie en utilisant un
qu’à la tension V.
redressement double alternance et en utilisant un filtre plus complexe (cellules en PI, en T, en L
– + Il n’est pas indispensable d’utiliser un transformateur mais
comportant également des résistances ou des inductances) ou en faisant suivre les cellules de
alors il n’y a plus d’isolation galvanique entre le secteur et
redressement et de filtrage par une cellule active nommée « régulateur de tension ».
le reste du montage.
Ru Sur la figure, le trait en grisé indique le parcours du courant pendant les
U 2.4 – Doubleurs de tension
alternances positives.
Les flèches en pointillés correspondent aux alternances négatives. Il existe différents dispositifs utilisant des diodes et qui permettent d’obtenir une tension redressée
Fig. 8
d’amplitude supérieure à la valeur maximum de la tension d’alimentation sinusoï dale. Comme
exemple, décrivons le doubleur Latour.
Le condensateur supérieur se charge pendant les alternances
2.3 – Filtrage U
positives et le condensateur inférieur pendant les alternances
La tension obtenue après redressement est unidirectionnelle mais elle n’est pas continue. Le négatives. En sortie, la tension est de l’ordre de deux fois la tension
signal obtenu est périodique ; il contient une composante continue (la valeur moyenne du signal) et d’alimentation. En prenant, comme potentiel de référence, le point
U
des harmoniques que l’on désire annuler : on fait suivre la cellule de redressement par un filtre qui commun aux deux condensateurs, on dispose d’une alimentation
supprime les hautes fréquences. symétrique ± U
Le filtrage le plus simple fait appel à un seul condensateur placé en parallèle sur la charge et qui Fig. 10
se comporte comme un réservoir d’énergie.
Période de charge du condensateur :
3 – Autres applications des diodes
Dès que VA > VK la diode est passante : le La liste suivante qui n’est pas limitative donne un aperçu des nombreuses applications des diodes
R D Ru condensateur se charge rapidement car la résistance dans les montages électroniques.
e = Vsin ωt de la diode est très inférieure à celle de la charge. On  Détection (Fig. 11a)
C U peut définir la constante de temps de charge τ La diode transmet en sortie les tensions positives supérieures à sa tension de seuil. A cause de cet
c = C.Rdiode. La tension crête atteinte aux bornes du effet de seuil, les diodes sont rarement utilisées seules dans les circuits détecteurs. On peut ajouter au
fig 9 condensateur est égale à V– VAK : on admet que la signal étudié une composante continue qui placera la zone de travail de la diode au-delà du seuil.

59 60
 Alim.
5V
n’y a pas de minoritaires dans un métal). On peut donner à la jonction une surface importante ce qui
autorise le passage de courants intenses.

Charge
E S
E
+12 V 4.4 – Diodes varicaps
Accu 3,6 V
a b c d La zone vide de porteurs d’une jonction polarisée en inverse voit son épaisseur augmenter si on
Fig. 11 augmente la tension inverse. Cette zone joue le rôle du diélectrique d’un condensateur. Si l’épaisseur
 Porte logique (Fig. 11b) de cette zone augmente la capacité diminue car C= ε.S/e. On obtient un condensateur dont la
En cas de coupure de l’alimentation principale, un accumulateur de sauvegarde prend C1
capacité est fonction de la tension inverse appliquée selon une loi du type : C = C0 +
automatiquement le relais et alimente la charge. 1 + 2 Vinv
 Ecrêteur (Fig. 11c) Si on insère une telle diode dans un circuit oscillant, on peut régler la fréquence de résonance du
La charge du montage figure le circuit d’entrée d’un amplificateur dont la tension d’entrée doit circuit en agissant sur la tension de commande de la diode au lieu d’agir mécaniquement sur un
impérativement rester inférieure à 1 V. Tant que la tension d’entrée reste inférieure à la tension de condensateur variable.
seuil, les diodes présentent une impédance infinie. Si la tension de seuil est dépassée une des deux
diodes entre en conduction et protège ainsi des surcharges l’entrée de l’amplificateur.
4.5 – Diodes Zener
 Protection de contact (Fig. 11d)  – Caractéristiques
L’ouverture d’un circuit inductif pose le problème du courant de rupture qui dégrade les contacts Si l’épaisseur de la jonction est faible et si le taux de dopage est important, on obtient des diodes
à cause de la création d’un arc entre ceux-ci. La diode montée en parallèle sur la bobine permet la qui présentent un courant inverse intense au-delà d’une valeur VZ de la tension inverse qui est la
dissipation de l’énergie emmagasinée dans celle-ci et protège ainsi les contacts. tension de coude ou de Zener.
Le claquage inverse de la jonction résulte soit d’un claquage
par avalanche par ionisations dans la zone de déplétion par les
4 – Diodes spéciales porteurs, soit d’un claquage par effet Zener qui correspond au
4.1 – Diodes à faible capacité passage des électrons de la bande de valence à la bande de
La jonction P-N polarisée en inverse se comporte comme une capacité. Cette capacité parasite de conduction sous l’effet du champ électrique.
la diode perturbe son fonctionnement en haute fréquence. Pour réduire la capacité on diminue la Si la construction de la diode permet la dissipation de la
surface de la jonction (diodes à pointe d’or ou à microjonction). La capacité ainsi obtenue est une puissance dégagée, le claquage est réversible. On obtient
fraction de picofarad. alors une diode Zener. Sa caractéristique directe est identique
à celle d’une diode classique.
4.2 – Diodes de commutation Pour les diodes Zener avec VZ ≈ 6 V, la résistance
dynamique est voisine de quelques ohms et le coude très
Pour une diode polarisée, il y a concentration des porteurs minoritaires de part et d’autre de la Fig. 12
brutal. (claquage par avalanche). Pour VZ < 6 V le coude est
jonction. Les concentrations sont différentes pour une polarisation en direct ou en inverse. Lors
arrondi car il y a claquage par effet Zener. Si VZ est très supérieur à 6 V la résistance dynamique
d’une transition, les porteurs en excès doivent retraverser la jonction (temps de déstockage). Puis le
augmente. Selon le courant débité, la tension aux bornes de la diode sera d’autant plus stable que la
passage d’un état à l’autre nécessite le temps que les nouveaux minoritaires mettent à diffuser à
résistance dynamique de celle-ci sera faible. Les diodes tunnels sont des diodes Zener dont le
travers la jonction (temps de transition). La durée totale de l’inversion (temps de recouvrement tR)
dopage est si grand que la tension inverse est nulle. Leur caractéristique présentant une zone de
peut atteindre 1 µs pour les diodes de puissance. Pour les diodes de commutation rapide (tR ≈ 1 ns),
pente négative ces diodes sont utilisées dans des circuits oscillateurs.
on utilise de l’or comme dopant afin de diminuer la durée des temps de recombinaison des porteurs
de charges.  – Stabilisation de tension
Il est possible de réaliser un stabilisateur de tension en utilisant une diode Zener. On suppose que le
4.3 – Diodes Schottky courant inverse IZ dans la diode est tel que le point de fonctionnement est situé dans la partie linéaire
Les fils de connexion avec la jonction de la diode doivent former des liaisons non directionnelles de la caractéristique. Il est alors possible de modéliser la diode par l’association d’une source de
(ohmiques). Ceci est réalisé en créant une zone très dopée (N + ou P+) au voisinage du conducteur tension VZ en série avec une résistance RZ (résistance dynamique inverse de la diode).
métallique. Dans les diodes Schottky, la jonction P-N est remplacée par la
jonction d’un métal avec un semi-conducteur peu dopé (de type N car les Iu
R Iz R Iz Iu
porteurs sont plus mobiles). Si le métal (anode) est positif par rapport à la zone Rz
N (cathode) la jonction est conductrice. Cette diode qui ne fait intervenir qu’un E U E
seul type de porteurs, présente une capacité beaucoup plus faible que les diodes classiques. Ces Dz U
Ru Vz Ru
diodes ont une faible tension de seuil (≈ 0,25V) et elles ont des temps de recouvrement très brefs (il
Fig. 13 Fig. 14

61 62
Remplaçons le générateur (tension E et résistance R) et la résistance de charge par leur équivalent
Ru R. Ru
Thévenin
I : ET = E ; RT = .
R + Ru R + Ru
RZ = 0 RZ > 0

PF Le point de fonctionnement de la diode est obtenu en cherchant Chapitre 10: Le transistor bipolaire
U l’intersection de sa caractéristique U = VZ + RZ.IZ avec la droite de
VZ ET charge d’équation U = ET – RT .IZ.
On retrouve graphiquement le fait que le système ne fonctionne que
si ET > VZ.
1 – Généralités
1.1 – Structure d’un transistor
Fig 15 La juxtaposition de deux jonctions P-N conduit au transistor 1 (de l’anglais transfert resistor)
Rz = 0. Si la charge varie, (stabilisation amont) les courants dans la charge et dans la diode varient à jonctions dans lequel interviennent les deux types de porteurs d'où l’appellation de transistor
bipolaire. D’autres types de transistors (transistor à effet de champ, transistor unijonction)
mais U reste constant car la pente de la droite de charge varie. De même si la tension du générateur
seront étudiés ultérieurement.
varie (stabilisation aval) U reste également constant car la droite de charge se déplace parallèlement à
On doit envisager les configurations NPN et PNP. Les trois
elle-même. Collecteur électrodes d’un transistor bipolaire se nomment : émetteur,
N P

Rz ≠ 0. U varie avec les paramètres extérieurs. Pour la stabilisation aval (variation ΔE = e de E), on Base base et collecteur. Pour un NPN on a :
peut déterminer u= ΔU en recherchant les intersections de la caractéristique avec les droites de – un émetteur (zone N) fortement dopé,
charge qui correspondent aux valeurs extrêmes de E. Il est plus efficace d’étudier le schéma Emetteur
– une base (zone P) très mince et faiblement dopée,
équivalent au montage en régime de petits signaux. Le générateur est remplacé par un générateur de – un collecteur (zone N) peu dopé.
f.e.m. ΔE = e, la diode par sa résistance RZ puisque VZ est constant. NPN PNP
La structure réelle est très différente du schéma de principe et
C C
u = ΔU = r.i B B dépend de la méthode de fabrication du transistor (alliage,
R avec r = Ru.RZ /(Ru + RZ) et i = e/(R + r) diffusion, épitaxie).
E Du fait des différences de dopage entre l’émetteur et le
e u Comme RZ est petit, r ≈ RZ. On en déduit : E
Fig. 1 collecteur, le transistor ne fonctionne pas comme deux diodes
Rz Ru u = e.RZ /(R + RZ)
montées tête-bêche.
La stabilisation est d’autant meilleure que RZ est petite. Sur le schéma électrique du transistor une flèche marque la jonction base-émetteur. Cette
Fig 16 flèche est orientée dans le sens où la jonction base-émetteur est passante.
REMARQUES : 1.2 – Courants à travers les jonctions
La puissance (PZ = UZ.IZ) dissipée dans la diode doit toujours rester inférieure à la puissance
maximale autorisée. VZ varie avec la température et pour certaines applications, il est nécessaire On mesure les courants entre deux électrodes reliées à un
d’en tenir compte. générateur quand la troisième est déconnectée.
I be I eb0
Jonction Base-Emetteur.
Il est possible d’obtenir une stabilisation beaucoup plus efficace en utilisant des montages à
En polarisation directe, IBE est intense. Par contre en
transistors ou des régulateurs tripodes intégrés.
polarisation inverse IEB0 est très faible.
Jonction Base-Collecteur.
En polarisation directe, IBC est intense. En polarisation inverse
I bc I cb0 ICB0 est très très faible.
En effet, le dopage du collecteur étant faible celui-ci contient
I ec0 I ce0 peu de porteurs libres.
Espace Emetteur-Collecteur.
Si la jonction BE est polarisée en inverse, IEC0 est très faible
Fig. 2
mais on a : IEC0 > IEB0
Si la jonction BE est polarisée en direct, on mesure un ICE0 très
faible avec :
ICE0 > IEB0 >> ICB0

1 Inventé en 1948 par Bardeen, Brattain et Shockley (Prix Nobel en 1956)

63 64
 2.3 – Relations fondamentales
)
Le transistor ne fonctionne donc pas de manière symétrique. Le collecteur et
l’émetteur ayant des taux de dopage très différents ne peuvent pas être permutés.
Avec les notations de la figure 4, le courant de collecteur s’écrit :
IC = – α.IE + ICB0
2 – Effet transistor α = 1 – ε (ε petit). Pour le transistor de l’exemple du § 2.1, α = 0,99
2.1 – Etude expérimentale De plus : IC + IB + IE = 0
Par convention on considère les courants qui pénètrent dans le transistor comme étant positifs. IC = α(IC + IB) + ICB0 ⇒ IC(1 – α) = α.IB + ICB0
La conservation de la charge donne : α 1 α 1
IC = IB + ICB0 On pose : β = donc : β + 1 =
IC + IB + IE = 0 1− α 1− α 1− α 1− α
Ic
On utilise un transistor NPN dont on polarise les électrodes pour I C = β.I B + (β + 1).I CB0 ≈ β.I B
faire en sorte que : VE < VB < VC
La jonction BE est donc polarisée en direct et la jonction BC en
inverse. Pour un transistor, on a mesuré :
) Le courant collecteur est sensiblement égal à β fois le courant de base.

Ib Si IB = 0 alors IC = (β + 1).ICB0 = ICE0. Le courant ICB0 résulte d’un courant de minoritaires

IE = – 100 mA, IC = 99 mA IB = 1 mA
qui se recombinent au niveau de la base et du courant inverse de la jonction CB. Il varie
Fig. 3 fortement avec la température : pour le silicium il double tous les 10°C. Mais comme il vaut
seulement quelques nanoampères à la température ambiante ces transistors sont utilisables
⇒ Le courant d’émetteur traverse presque totalement la base et la jonction BC, pourtant
jusqu’à environ 200°C.
polarisée en inverse, pour parvenir au collecteur.
REMARQUE : Pour un transistor PNP, il faut inverser tous les sens des courants et la polarité 3 – Réseaux de caractéristiques
des générateurs pour obtenir VE > VB > VC
Pour caractériser complètement le fonctionnement d’un transistor, il faut déterminer 6
2.2 – Interprétation du fonctionnement grandeurs : IC, IB, IE et VCE, VBE, VBC.
Emetteur N Base P Collecteur N Les relations : IC + IB + IE = 0 et VCE + VBE + VBC = 0 font qu’en fait quatre de ces grandeurs
sont indépendantes.
On considère le transistor comme un quadripôle dont une électrode est commune à l’entrée et
α Ie Ie la sortie. Trois montages sont donc à envisager :
Ie – Base commune utilisé en haute fréquence et qui ne sera pas étudié ici
Electrons
– Collecteur commun utilisé en adaptation d’impédance
Icb0 – Emetteur commun utilisé en amplification et le plus commun.
(1−α) Ie
Trous
(minoritaires)
Recombinaisons 3.1 – Le montage émetteur commun
Créations Les bornes d'entrée du tripôle sont la base et l’émetteur ; les
Ib de paires grandeurs d’entrée sont : IB et VBE.
IC La sortie se fait entre le collecteur et l’émetteur ; les grandeurs
Fig 4 IB correspondantes sont : IC et VCE.
Par construction la base est très mince et faiblement dopée. Par contre l’émetteur est très VCE On utilise les paramètres hybrides dont l’intérêt sera justifié après
dopé et contient donc beaucoup de porteurs majoritaires. VBE la description des caractéristiques.
La jonction BE est polarisée en direct : il y a diffusion d’électrons de l’émetteur vers la base et
diffusion de trous dans le sens inverse. Il y a des recombinaisons électrons-trous dans la base ⎡VBE ⎤ ⎡ H 11 H 12 ⎤ ⎡ I B ⎤
Fig. 6 ⎢ I ⎥ = ⎢H H 22 ⎥⎦ ⎢⎣ VCE ⎥⎦
.
mais comme le nombre d’électrons injectés est très supérieur au nombre de trous et comme la ⎣ C ⎦ ⎣ 21
base est très mince (e < 1 µm), beaucoup d’électrons échappent aux recombinaisons, sont
accélérés par le champ interne de la jonction base-collecteur et traversent cette jonction.
3.2 – Montage pour le relevé des caractéristiques
champ
A côté du courant de majoritaires existe un courant beaucoup
interne plus faible de minoritaires (ICB0) qui est fonction de la Pour procéder au relevé des caractéristiques, on utilise le montage ci-dessous. Les
température. La largeur de la zone appauvrie en porteurs de la paramètres d’entrée IB et VBE sont maintenus constants et on mesure IC lorsque VCE varie. On
électrons
injectés électrons jonction BC qui est polarisée en inverse diminue si VBE restant constate avec ce montage l’influence de la température sur les valeurs mesurées. Pour limiter
(émis) collectés l'auto-échauffement du transistor par le courant du collecteur, il ne faut appliquer les tensions
constant la valeur de VCE augmente.
jonction Fig. 5
que pendant la durée de la mesure.
N P B-C
N
65 66
 IC
En pratique, on utilisera la relation simplifiée : IC = β.IB
IB mA
Rp R β est le gain en courant du transistor. Suivant le type des transistors et les conditions de
μA fabrication, sa valeur varie entre 20 et 500. Le gain des transistors de puissance est faible. Des
V
transistors de même référence peuvent avoir des gains très différents. Le gain varie avec le
mV VBE VCE courant collecteur, la tension VCE et la température (terme ICE0). La diminution de la largeur
G1 = 5 V G2 de base utile quand VCE croît limite les possibilités de recombinaisons électron-trou et fait
croître très légèrement α. Mais si par exemple α varie de 0,995 à 0,996 alors β varie de 200 à
Fig 7
250.
3.3 – Réseaux des caractéristiques La valeur élevée de β justifie les deux approximations suivantes souvent utilisées dans les
On étudie un transistor au silicium de faible puissance. Pour les transistors au silicium la calculs : IB << IC ⇒ IE ≈ – IC
tension de seuil de la jonction émetteur-base est voisine de 0,6 V. IB étant β fois plus faible que IC , on peut considérer en première approximation que la
puissance dissipée dans le transistor est : P = VCE.IC.
ˆ – Réseau de sortie
Si la température augmente ICE0 croît et tout le réseau se translate vers les IC croissants. IC
C’est le réseau IC = f(VCE) avec IB comme paramètre (coefficient H22).
augmentant, la puissance dissipée au niveau du collecteur croît et la température du transistor
Dans ce réseau (tracé en rouge), on distingue 3 zones : augmente : si on ne limite pas ce phénomène cumulatif, le transistor peut être détruit par
™ VCE < 0,25 V VCB = VCE – VEB = 0,25 V – 0,65 V = – 0,4 V emballement thermique.
La jonction BC est polarisée en direct : IC varie linéairement avec VCE.
ˆ – Réseau de transfert en courant
™ VCE grand : il y a claquage inverse de la jonction et croissance du courant par avalanche. Il
C’est le réseau IC = f(IB) avec VCE comme paramètre (coefficient H21).
est souvent destructif ! Sur le schéma seule la première caractéristique a été prolongée
Ce réseau est constitué par un éventail de courbes presque linéaires passant par le point
jusqu’au claquage. Selon les transistors la tension de claquage varie de 30 V à 250 V.
IB = 0 et IC = ICE0. (IC = β.IB + ICE0).
™ VCE intermédiaires : le courant collecteur est donné par la relation :
ˆ – Réseau d’entrée
IC = β.IB + ICE0 + k.VCE C’est le réseau IB = f(VBE) avec VCE comme paramètre (coefficient H11-1).
Il y a une légère croissance du courant avec VCE. Plus cette tension croît et plus la zone où les Dès que VCE est supérieur à 0,65 V, toutes les courbes sont pratiquement confondues car
recombinaisons électrons-trous se produisent est étroite. Cette dépendance du courant l’influence de la tension de sortie sur le courant d’entrée est négligeable. La courbe est
collecteur avec la tension de sortie se nomme l’effet Early. Les prolongements des parties identique à la caractéristique d’une diode qui est constituée par la jonction base émetteur.
rectilignes des caractéristiques vers les VCE négatifs coupent l’axe IC = 0 au point VCE = VEarly Pour un transistor au silicium, VBE varie très peu et reste voisin de la tension de seuil de la
(≈ –50 à –100 V) jonction base-émetteur soit 0,65 V.
ˆ – Réseau de transfert en tension
I C (mA)
C’est le réseau VBE = f(VCE) avec IB comme paramètre (coefficient H12).
VCE = 8 V On constate que les variations de la tension de sortie sont sans effet sur la tension d’entrée.

VCE = 0 4 – Paramètres en h, circuit équivalent

10 4.1 – Définition des paramètres
I B = 60 µA L’examen des caractéristiques du transistor montre qu’il existe des zones où son
comportement est pratiquement linéaire. Si l’on choisit le point de fonctionnement dans ces
zones linéaires, on peut écrire que les variations des grandeurs d’entrée et de sortie (notées
avec des minuscules !) sont reliées par les relations :
I CE0 I B = 20 µA
⎡v BE ⎤ ⎡ h 11 h12 ⎤ ⎡ i B ⎤
⎢ i ⎥ = ⎢h h 22 ⎥⎦ ⎢⎣ v CE ⎥⎦
.
⎣ C ⎦ ⎣ 21
5
I B (µA) VCE (V) Les paramètres hij de cette matrice hybride sont les dérivés des paramètres Hij au voisinage
du point de fonctionnement étudié.
VCE = 0
500 4.2 – Interprétation des paramètres
VCE > 0,65 V VBE (mV) I B = 60 µA ˆ h11 = vBE / iB à VCE = Constante.
C’est la résistance d’entrée du transistor. C’est aussi la pente de la caractéristique
Fig 8 : à partir des valeurs de deux grandeurs, on peut déduire celles des deux autres
d’entrée.
67 68
 On a vu que pour une diode le courant direct est : IB ≈ ISat.exp(e.VBE / kT). iC h
s= ≈ 21
Donc h11 = dVBE /dIB = (kT/e).(1/ IB). Comme IC ≈ β.IB, on en déduit la relation suivante v BE h11
valable à température ambiante pour tous les transistors.
En effet, dans le modèle simplifié, on a : iC = h21.iB et vBE = h11.iB
β
h11 ≈ 26 ( h11 en Ω , IC en mA) De plus h11 = kT/e.IB. Donc : s = h21/(kT/e.IB) = h21.IB/(kT/e) = e.IC/kT
IC
A température ambiante, la pente d’un transistor quelconque est :
ˆ h21 = iC / iB à VCE = Constante.
s( mA / V) = 38. IC ( mA )
C’est le gain en courant du transistor. Il est très voisin de β qui est la pente de la
caractéristique de transfert en courant. L’inverse de la pente est le quotient vBE /iE = h11.iB /h21.iB. Il correspond donc à la
résistance dynamique de la diode d’entrée et il est noté rE = h11 / h21.
ˆ h22 = iC / vCE à IB = Constante.
Sa valeur à 300 K est rE = 26 Ω.
C’est l’admittance de sortie du transistor. Elle est en général faible et correspond à la
−1
pente des caractéristiques du réseau de sortie ; h22 est fonction du courant collecteur ; h22
est de l’ordre de 20 kΩ pour des courants collecteurs de l’ordre de quelques milliampères. 5 – Conclusions
ˆ h12 = vBE / vCE à IB = Constante. Pour un transistor bipolaire polarisé correctement (VE < VB < VC pour un NPN), les
C’est la pente des caractéristiques du réseau de transfert en tension. Ce paramètre étant courants base et collecteur sont reliés par la relation : IC = β.IB ; les variations des courants
voisin de zéro (typiquement 10–5 à 10–6) sera toujours négligé. base et collecteur sont reliées par : iC = h21.iB . Les valeurs statique β et dynamique h21 du gain
en courant sont voisines.
4.3 – Schéma équivalent simplifié Le gain varie avec le courant collecteur et avec la température (dans un rapport pouvant
atteindre 5 ou 6 dans les cas défavorables).
En fait, il existe des capacités entre les électrodes d’un transistor. Ces capacités sont faibles
La résistance d’entrée diminue avec le courant collecteur. De l’ordre de 1 kΩ pour un
et présentent en basse fréquence des impédances si grandes que l’on peut négliger leurs effets.
transistor « petits signaux » elle est seulement de l’ordre de la dizaine d’ohms pour les
Par contre en haute fréquence, les impédances de ces capacités parasites modifient le
fonctionnement du transistor. transistors de puissance. La résistance de sortie est relativement grande (≈ 20 kΩ) et on peut
souvent la négliger dans les calculs sans commettre une erreur importante.
iB iC Si on néglige les capacités entre les électrodes, Les relations IC = β.IB et IB ≈ ISat.exp(e.VBE / kT) donnent la dépendance entre le courant
B C on obtient le schéma équivalent suivant, valable collecteur et la tension d’entrée.
h11 uniquement en basse fréquence, qui est la Quand VBE croît de 60 mV, IC est multiplié par un facteur 10 !
traduction graphique du modèle hybride du

)
transistor. Il relie donc les variations des grandeurs Au voisinage du point de fonctionnement, on peut considérer la tension base-
vBE vCE
h21 .iB 1 d’entrée et de sortie. émetteur comme constante et égale à un « seuil de diode » soit 0,65 V pour un
h12 .vCE h22 transistor au silicium.
On suppose que le transistor est placé à son point de
E E fonctionnement, dans la zone linéaire des A cause de la dispersion importante des valeurs du gain en courant et de ses possibles
iB iC
caractéristiques, par application de potentiels variations en cours de fonctionnement, les montages calculés pour une valeur particulière du
continus convenables sur les trois électrodes. gain sont de mauvais montages : le remplacement du transistor impose également celui des
h11 Cette opération se nomme la polarisation du composants périphériques utilisés pour le polariser correctement.
vCE
vBE transistor. Isolement p+ Emetteur n+ Contact (Al)
h21 .iB Comme h12 est voisin de 0 et que h22 est petit, on
iB iE iC peut encore simplifier le schéma. Dans ce modèle, le
transistor se ramène à un circuit d’entrée qui est la Base p (0,7µm)
Fig. 9 résistance h11 et à un circuit de sortie constitué par
Collecteur n
un générateur de courant iC = βiB.
Les variations du courant de sortie sont égales à β fois celles du courant d’entrée. Substrat p

) Le transistor bipolaire est un amplificateur de courant.. Coupe transversale d'un transistor de type
"planar" réalisé par diffusion
transistor
petits signaux
transistor
de puissance

4.4 – Pente d’un transistor

On définit la pente s d’un transistor par le rapport dIC / dVBE

69 70
  La connaissance du point d’entrée (IBF, VBEF ) permet la détermination, via le réseau de transfert en
courant, du courant de sortie ICF.
 En sortie, l’équation de la droite de charge du générateur UC qui débite dans RC et dans l’espace
collecteur émetteur du transistor est :
VCE = UC – RC.IC
Chapitre 11: Montage émetteur commun L’intersection de la caractéristique de sortie du transistor (correspondant au courant IBF d’entrée) avec
la droite de charge de ce générateur définit le point de repos en sortie caractérisé par ICF et VCEF
1 – Polarisation d’un transistor 1.3 – Réalisations pratiques de la polarisation
Le montage de la figure 1 est fonctionnel, mais il nécessite deux sources de tension. En pratique, les
1.1 – Rôle de la polarisation montages utilisent un seul générateur continu.
La polarisation a pour rôle de placer le point de fonctionnement du transistor dans une zone où ses – Polarisation par résistance de base
caractéristiques sont linéaires. Si ce montage est très simple, il est aussi sensible à la dérive thermique. En effet : IC = βIB + ICE0. Un
Pour cela, on applique sur les trois électrodes du transistor des accroissement du courant IC entraîne une élévation de température de la jonction BC et un
Rc potentiels continus de valeurs convenables. accroissement de ICE0 et par suite de IC.
Rg Nous allons étudier les montages dans lesquels l’électrode Ce type de polarisation ne devrait jamais être employé pour un transistor utilisé en amplificateur. Nous
Uc commune est l’émetteur. verrons ultérieurement qu’il est tolérable pour un transistor utilisé en commutation.
Ub En entrée, on impose IB et VBE et en sortie, on déduit IC et VCE.
La loi des mailles permet d’écrire :
Fig 1 Rb Rc VBE = E – RB.IB (avec VBE ≈ 0,65 V)
C E IB = (E – VBE)/RB ≈ E/RB
1.2 – Point de fonctionnement B
Pour le circuit de sortie, on peut écrire :
E
A partir des réseaux de caractéristiques, il est aisé de déterminer le point de fonctionnement. M
VCE = E – RC.IC
IC Fig 3

– Polarisation par réaction d’émetteur

dr
o it
ed L’introduction d’une résistance entre l’émetteur et la masse est une
ec
ha
rg e Rb Ic Rc
façon de compenser les variations de β. Si le gain augmente, IC et donc
s ta IE augmentent. Le potentiel d’émetteur (VEM = RE.IC) croît ainsi que le
I CF tiq
ue
E potentiel de base (VBE ≈ 0,65 V) ce qui diminue ainsi le courant base
2 puisque IB = (E – VBM)/RB.
Le mot «réaction » signifie qu’une grandeur de sortie (IC) fait varier
IB Re
Ie une grandeur d’entrée (IB).
I BF VCEF VCE M
dr

L’élément de réaction (commun à l’entrée et à la sortie) est ici la

oi t
ed

Fig 4 résistance d’émetteur.

'a t
taq

– Polarisation par réaction de collecteur

ue

VBEF
st a
tiq

1 Si le gain augmente, IC augmente donc VCE diminue (en effet VCE = E –

ue

VBE Ic Rc
Fig 2 Rb RC.IC) ainsi que la différence de potentiel aux bornes de la résistance de
E
base. Le courant base diminue et contrebalance l’accroissement du gain.
La connaissance du point de repos à l’entrée  permet de déduire, via la caractéristique de transfert
Cette méthode, bien que meilleure que la précédente, n’est pas très
en courant, la valeur du courant de sortie et donc de déterminer le point de repos en sortie .
M satisfaisante.
 En entrée, le générateur UB débite dans la résistance RG et dans la jonction base-émetteur du Fig. 5
transistor. Comme les caractéristiques d’entrée sont confondues dès que VCE > 0,65 V, le point
d’entrée est défini par l’intersection de la caractéristique d’entrée du transistor avec la droite de charge – Par pont de base et résistance d’émetteur
de ce générateur. L’équation de cette droite, dite « droite d’attaque » est : VBE = UB – RB.IB Pour rendre indépendant le courant collecteur des variations du gain, on utilise un diviseur de tension
nommé « pont de base ».

71 72
 Le pont diviseur maintient constant VBM à condition que les variations du impédance infinie en continu. CD est un condensateur de découplage. Ce montage est nommé
R1 IC RC
courant base puissent être négligées devant le courant I1 qui circule dans « émetteur commun découplé ».
les résistances du pont de base. VBM = R2.I1 La tension de repos entre le collecteur et l’émetteur est choisie pour obtenir VCEF = E/2. Ce choix
E
VBM = VBE + VEM et VBE ≈ (0,65 V). sera justifié ultérieurement.
I1 Les valeurs des résistances du montage sont calculées pour obtenir le point de fonctionnement choisi.
IB IE = – VEM/RE = – (R2.I1 – 0,65)/RE
La valeur du courant de collecteur ICF est choisie en fonction de l’application envisagée (et des étages
IE RE Mais comme IB << IC on a : IC ≈ – IE qui peuvent suivre).
R2
M La valeur de IC est indépendante du gain. Pour la droite de charge, on a : VCE = E – RC.IC + RE.IE. Comme IB << IC, cette relation s’écrit :
Fig. 6 VCE = E – (RC + RE).IC
Expérimentalement, on constate que la stabilisation thermique du montage est satisfaisante quand le
potentiel d’émetteur est tel que : E/10 < VEM < E/4. Cette condition permet de choisir RE et d’en
 En imposant le potentiel de la base, on impose le potentiel de l’émetteur donc le courant
d’émetteur et donc le courant de collecteur.
déduire la valeur de RC.
La résistance totale R1 + R2 du pont diviseur de la base est choisie pour que le courant base soit
REMARQUE : négligeable devant celui qui traverse le pont (I1). Comme d’autre part on a : VEM = – RE.IE = RE.IC et
En remplaçant R1 et R2 par le générateur de Thévenin VBM = VBE + VEM avec VBE ≈ 0,65 V, on en déduit la valeur de R2.
Ic Rc équivalent, on tire : Le choix du courant dans le pont diviseur résulte d’un compromis. I1 doit être grand devant IB ce qui
suppose d’utiliser des résistances R1 et R2 faibles, mais comme on le verra par la suite on diminue alors
Rt R2 R 1 .R 2
ET = E ; RT = l’impédance d’entrée du montage. Enfin l’énergie prélevée au générateur pour la polarisation n’est pas
E
R1 + R 2 R1 + R 2 de l’énergie « utile » et il faut la limiter au maximum en augmentant R1 et R2.
Ib Soit : VBM = ET – RT .IB 2.2 – Droite d’attaque instantanée
Et Re
Fig. 7 Si IB << I1 alors VBM = ET On applique à l’entrée, donc entre la base et l’émetteur, une tension g(t) qui est le signal que l’on
souhaite amplifier.
On peut remplacer les résistances du pont de base par
2 – Transistor en régime variable RP = R1.R2/(R1 + R2) et déterminer ensuite g’(t) et R’ du
D’après le principe de superposition, il est possible de séparer l’étude du régime continu Rg R’ générateur de Thévenin équivalent. Un tel modèle est
(polarisation) de celle du régime variable. valable en régime variable car l’impédance des
g ve g’ ve
Le transistor est placé, par la polarisation, dans une zone où ses caractéristiques sont linéaires (IBF, condensateurs est alors négligeable.
Rp
VBEF , ICF et VCEF ). On applique sur sa base un signal variable qui va provoquer des variations iB du Fig. 9
courant base IBF. Ces variations sont amplifiées par le transistor et son courant de sortie IC présente des IC L’équation de la droite d’attaque est donc :
iB
variations iC par rapport à la valeur au repos ICF. Le générateur continu E permet la polarisation. C’est vBE(t) = g’(t) – R’.iB(t)
aussi lui qui fournira l’énergie nécessaire à l’amplification du signal.
Le point de fonctionnement instantané est
2.1 – Schéma du montage utilisé défini par l’intersection de la droite d’attaque
On utilise une polarisation par pont de base et résistance IB avec la caractéristique d’entrée. Cette droite
E
d’émetteur. d’attaque se déplace au cours du temps.
Dr
R1 Ic Rc CE et CS sont des condensateurs de liaison. Leur rôle est oit Elle possède une pente constante –R’ et passe
I1 e d 'a
de permettre le passage des signaux d’entrée et de sortie t ta par le point VBE(t) = g’(t).
Ce Cs qu
e vBE
sans que les potentiels continus présents sur la base et le i ns On en déduit graphiquement les variations de
ta n
vs collecteur du transistor influent sur le fonctionnement du
ta n
ée
vBE et de iB en fonction du temps. Si la
générateur et de l’étage suivant. Leur impédance infinie en t caractéristique d’entrée n’est pas linéaire et si
continu doit être très faible en régime variable. On utilise des on applique une tension g(t) sinusoï dale, la
ve R2 Ie Re
Cd ent ré e tension vBE(t) n’est pas sinusoï dale. Il y a
condensateurs polarisés de forte valeur (> 50µF) pour que st iq u e d '
Car act éri distorsion du signal.
M leurs impédances restent très faibles même pour les basses
g(t)
Fig. 8 fréquences. Fig.10
VBE
La résistance d’émetteur RE est nécessaire pour polariser correctement le transistor, mais sa
présence diminue beaucoup le gain en régime variable. On place, en parallèle à cette résistance, un
condensateur de forte valeur (C D) qui se comporte comme un court-circuit en alternatif et comme une
73 74
2.3 – Attaque en courant, attaque en tension En accord avec le principe de superposition, nous avons séparé l’étude des signaux continus
Si R’ est faible alors vBE ≈ g’(courbes 1). On fait une attaque en tension. correspondant à la polarisation du transistor de celle des signaux variables avec le temps et qui
Le risque de distorsion du signal est important car la droite d’attaque contiennent l’information utile.
IB passera au cours du fonctionnement dans la zone du coude de la Pour modéliser l’amplificateur, on utilisera deux schémas différents. Pour établir le premier (Fig. 14)
1 caractéristique. qui correspond au régime continu, on doit remplacer les condensateurs par des impédances infinies.
Si R’ est grand (courbes 2) alors : IB ≈ g’/R’. Pour le schéma aux « variations » les condensateurs étant de forte valeur seront remplacés par des
On fait une attaque en courant. La droite d’attaque est presque verticale et courts-circuits. Conformément au principe de superposition les générateurs de tension continue seront
2 VBE remplacés par leurs résistances internes (Fig 15). Le circuit équivalent final (Fig. 16) est obtenu en
les risques de distorsion sont plus faibles.
Fig 11 remplaçant le transistor par son circuit équivalent simplifié. On symbolise par RU l’impédance de charge
du montage qui peut être l’impédance d’entrée de l’étage suivant.
2.4 – Etude graphique du fonctionnement
E E
L’équation de la droite de charge est : VCE = E – (RC + RE).IC. Pour le régime variable, la résistance R1 Rc R1 Rc
RE est mise en court-circuit par le condensateur de découplage. La droite de charge pour les signaux
Cs
variables nommée droite de charge dynamique a donc pour équation :
Ce
vCE = U – RC.iC
Elle passe par le point de fonctionnement (VCEF, ICF). On a donc : U = VCEF + RC.ICF vs
Le point d’entrée instantané étant connu (cf. § 2.2), le point de sortie instantané dans le réseau de sortie R2 Re R2 Re
se déduit à partir du réseau de transfert en courant. Cd

IC
Fig 13 : Schéma théorique de l’amplificateur Fig 14 : Schéma simplifié en continu

Ce circuit simplifié permet de décrire le

Blocage R1 Rc fonctionnement du montage en régime variable.
VCE
ICF Les valeurs h11, h21 et h22 retenues pour la
modélisation du transistor correspondent au
vs point de repos du montage imposé par la
polarisation du circuit.
IB R2 Re Ce schéma présente l’intérêt de séparer les
I BF VCEF VCE grandeurs d’entrée et de sortie.

IC Fig 15 : Schéma simplifié en régime variable

VBEF
Saturation ig iB iC iS
Distorsions
par écrêtage B C vS
VBE Rg
Fig. 12
ve
Il faut noter que les tensions d’entrée et de sortie sont en opposition de phase. La tension de sortie est 1
comprise entre 0 et U. Si l’amplitude du signal d’entrée est trop importante, il y aura un écrétage du R1 R2 h11 h21 .iB h22 Rc Ru
signal de sortie. Pour obtenir la plus grande plage possible de variation de la tension de sortie sans
déformation du signal, il faut donc choisir le point de polarisation sensiblement au milieu de la droite de E Fig 16
charge. Ceci justifie le choix initial de VCEF = ½E.
 Ce schéma correspond uniquement au régime variable. Son utilisation pour l’étude en
régime continu est à exclure.

REMARQUE : Le choix du point de polarisation du montage de la figure 12 est incorrect. Du fait de la

petitesse du courant de repos, la droite d’attaque coupe la caractéristique d’entrée dans sa partie
coudée. Il en résulte une distorsion importante du signal de sortie.
2.5 – Schémas équivalents
3 – Paramètres de l’amplificateur
Le schéma équivalent permet de modéliser l’amplificateur par le quadripôle de la figure 17. Pour
déterminer ses paramètres fondamentaux, on peut donc utiliser les formules générales du chapitre 5. Le
calcul direct est plus simple. On distinguera les paramètres du transistor de ceux du montage.
– Résistance d’entrée

75 76
 – Transistor seul RE = vE /iB RE = h11
 – Montage RE = vE /iG RE = (R1 // R2 // h11)
La résistance d’entrée RE est donc inférieure à h11.
De plus on voit que les résistances du pont de polarisation diminuent encore l’impédance d’entrée : leurs
valeurs ne doivent pas être trop petites.
ie ze zs is Chapitre 12: Principes de la réaction
Av .ve zs
ve ve
Av .ve vs ze
1 – Structure d’un montage à réaction
Fig 17 Il est possible de modifier les performances d’un système en superposant au signal d’entrée
tout ou partie du signal de sortie. On constitue ainsi un montage à « réaction ». Si le signal
Dans le montage émetteur commun découplé, RE est de l’ordre du kΩ. ramené sur l’entrée a le même signe, la réaction est positive ; sinon, on a une réaction négative
– Résistance de sortie ou contre-réaction ou rétroaction (en anglais feed-back). Dans un montage à réaction, on
 – Transistor seul RS = vS /iC. RS = h22-1 distingue trois parties :
 – Montage RS = vS /iS RS = (RU // RC // h22-1) e ε s – une chaîne d’action qui commande la charge ; elle
+ Action H
est en général peu fidèle et sensible aux perturba-
La résistance de sortie RS est inférieure à la résistance de collecteur RC. –
tions. Sa fonction de transfert est H.
Dans le montage émetteur commun découplé, RS est de l’ordre du kΩ.
e r = K.s – la chaîne de réaction de gain K.
– Gain en tension Réaction K – le mélangeur.
AV = vS /vE L’ensemble forme un circuit bouclé.
Fig. 1
vS = – Ru.iS = – RS.iC = – h21.Rs.iB. De plus : vE = h11.iB
h21. Rs
AV = − = − s. RS 2 – Formule de Black
h11
On se limitera ici à l’étude des signaux sinusoïdaux. Toutes les grandeurs sont complexes
AV est donc du même ordre de grandeur que h21. et fonction de ω (s = s(jω)…). La tension à la sortie du mélangeur est :
AV est négatif : la tension de sortie est en opposition de phase avec la tension d’entrée. ε = e – eR.
Soit H la fonction de transfert ou gain en « boucle ouverte » de la chaîne d’action.
 Un étage amplificateur à émetteur commun découplé est caractérisé par des résistances
d’entrée et de sortie moyennes et par un gain en tension important et négatif. La tension de sortie est : s = H.ε
S’il n’y a pas de réaction : eR = 0 s = H.e
REMARQUES S’il y a réaction : eR = K.s s = H.ε = H(e – eR) = H.(e – K.s)
– Le gain du montage non chargé (RS = RC) est indépendant du courant IC de polarisation quand le On en déduit : s = e.H/(1 + HK).
montage est polarisé à VCC/2. En effet dans ce cas RC.IC = VCC/2 et : Si l’on pose s/e = H’, on tire la relation connue sous le nom de formule de Black1.
h .R h .R .I
AV = − 21 C = − 21 C C . H
h11 h11 . β. I B H' =
1 + K.H
A température ambiante h11.IB ≈ 25 mV, h21 ≈ β et donc : AV ≈ – 20 VCC
ˆ Si 1 + KH < 1 ⇒ H’ > H. La réaction est positive.
– Le quotient h11 / h21 est la résistance dynamique de la diode d’entrée rE. On peut considérer que le Un système à réaction positive est instable : quand le signal d’entrée croît, la croissance du
circuit de sortie (de résistance RS) et le circuit d’entrée (de résistance rE) sont parcourus par le même signal de sortie induit une nouvelle augmentation du signal d’entrée : le signal de sortie di-
courant (iC). Le gain en tension est donc égal au rapport de ces résistances. verge jusqu'à ce que la saturation ou le blocage viennent limiter son amplitude.
CAS PARTICULIER : 1 + H.K = 0
H’ est alors infini : on obtient un système oscillateur qui fournit un signal de sortie en
l’absence de signal d’entrée. Pour obtenir un oscillateur stable, il faut trouver une méthode

1 Quand en 1928 S. A. Black a voulu faire breveter le principe de la réaction négative, sa demande a été rejetée,
car son idée estimée sans intérêt !

77 78
 qui rende le produit H.K rigoureusement égal à – 1 une fois que les oscillations sont dé- H0
H 1− jf1 / f H0
clenchées. Cette condition est nommée « critère de Barkhausen ». H' = = =
1 + KH 1 + K. H 0 1 + KH 0 − jf1 / f
1− jf / f
ˆ Si 1 + K.H > 1 ⇒ H’ < H. La réaction est négative. A priori il n’y a pas de problèmes de 1

stabilité. Nous allons examiner les conséquences de la contre-réaction sur le fonctionne- G (dB) Sans CR Si on pose :
ment des circuits.
H0
CAS PARTICULIER : K.H >> 1 H'0 = < H0

de
1 + KH 0

ca
Le gain du système bouclé devient alors H’ ≈ 1/K. Le gain ne dépend plus de la chaîne

dé
Avec CR

B/
f1

0d
d’action mais seulement de la chaîne de contre-réaction. Si la réponse de celle-ci est li- f '1 = < f1

+2
néaire, la réponse du système bouclé est linéaire. 1 + KH0
H'0
On peut écrire : H' =
f '1
3 – Améliorations induites par la contre-réaction f1 ' f1 f2 Log(f) 1− j
Fig. 2 f
La contre-réaction permet d’améliorer les performances globales d’un système. Elle permet
On obtient à nouveau un système du premier ordre mais dont la fréquence de coupure est
d’assurer la constance du gain à une valeur indépendante des constituants de la chaîne
plus petite. Le gain du système bouclé est diminué.
d’action, elle réduit les distorsions et améliore la bande passante.
En effectuant le même calcul en haute fréquence, on tire :
3.1 – Distorsion d’amplitude H'0 H0
H' = avec H'0 = < H0 et f '2 = f2 (1 + KH 0 ) > f2
C’est la variation du gain avec ω. Elle est caractérisée par le rapport dH/H. 1+ j
f 1 + KH0
En boucle fermée et si K est indépendant de ω, on peut écrire : f '2
Cette fois la fréquence de coupure augmente.
dH' dH d(1 + KH) dH KdH
= − = −
H' H 1 + KH H 1 + KH ) La contre-réaction diminue le gain mais augmente la bande passante.
dH' 1 + KH − KH dH 1 dH ˆ REMARQUE :
= =
H' 1 + KH H 1 + KH H En général on a : f1 << f2. Soit GB le produit du gain par la bande passante.
Dans le cas d’une contre-réaction, on a : (1 + KH) > 1 : Sans la contre-réaction : GB = H0.(f2 – f1) ≈ H0.f2
Avec la contre-réaction : GB ≈ H0’.f2’ = H0.f2
) La contre-réaction diminue la distorsion d’amplitude..
) Pour les systèmes bouclés du premier ordre, le produit gain-bande passante est prati-
quement indépendant du taux de contre-réaction
3.2 – Distorsion de phase
Si le déphasage entre les signaux d’entrée et de sortie varie avec ω, il y a distorsion de phase. 3.4 – Autres effets de la contre-réaction
La réaction négative diminue également la distorsion harmonique. Celle-ci résulte de la
On suppose que H = a + jb = A.exp(j.ϕ) = A.cos ϕ + j.A.sin ϕ et que K est réel. Sans contre-
présence, dans le signal de sortie, de fréquences qui ne sont pas présentes dans le signal
réaction, on a : ϕ = arctg(b/a).
d’entrée. Cet effet provient du comportement non linéaire de certains composants du système.
H a + jb Supposons par exemple que le courant collecteur d’un transistor soit relié à la tension d’entrée
H' = =
1 + KH 1 + Ka + jKb par une relation du type :
iC = A.vBE + B.vBE2 + ... Si la tension d’entrée est de la forme vBE = Vcosωt, le courant de
Donc : ϕ’ = arctg(b/a) – arctg(Kb/(1 + Ka)) sortie va contenir des termes en ω2 donc de pulsation 2ω.
Si le terme b varie avec ω, ϕ’ varie moins vite que ϕ : En règle générale, la tension de sortie s peut s’exprimer comme la somme d’une tension utile
) La contre-réaction diminue la distorsion de phase. H.(e – K.s) et d’une tension de « défauts » d. On en déduit que :
H. e d
s= +
3.3 – Bande passante 1 + K. H 1 + K. H
L’étude sera faite dans le cas d’un système du second ordre ayant une fréquence de coupure La rétroaction diminue la tension parasite en sortie.
basse f1 et une fréquence de coupure haute f2 suffisamment distinctes pour que l’on puisse
écrire la fonction de transfert sous la forme d’un produit de fonctions du premier ordre. Les 4 – Les différents types de contre-réaction
expressions des fonctions de transfert en boucle ouverte, c’est-à-dire sans contre-réaction, sont
donc: On peut envisager de réaliser la contre-réaction en tension ou en courant avec un couplage
H0 H0 parallèle ou série. On aboutit aux quatre montages suivants :
passe − haut : H BF = ; passe − bas : H HF =
1 − jf 1 / f 1 + j.f / f 2
Avec contre-réaction, en basse fréquence, on a :
79 80
 Amplifi- Or : VS = H.V1 + ZS.IS = H.(VE – K.VS) + ZS.IS
Ve V1 Vs Ie I1 Amplifi- Vs
cateur cateur H ZS
VS = VE + I S = H'.VE + Z'S .I S
Vr Ir 1 + K.H 1 + K.H
Réaction Réaction Le schéma équivalent du système bouclé est donc :

IE Z'S IS
Avec ce type de contre-réaction, le gain en tension décroît,
Fig. 3-a : Tension-série Fig. 3-b : Tension-parallèle l’impédance d’entrée augmente et l’impédance de sortie
VS diminue.
VE
Ve V1 Amplifi-
Is Amplifi- H'.VE
cateur Ie I1 cateur
Is Z'E ZU Ce montage réalise donc une adaptation d’impédance
entre l’entrée et la sortie.
Vr Ir Fig 6
Réaction Réaction
4.2 – Autres montages
Fig. 3-c : Courant-série Fig. 3-d : Courant-parallèle Comme exercice, on pourra reprendre le calcul précédent pour les trois autres types de
On peut aussi envisager des configurations plus complexes avec plusieurs étages montage. En utilisant pour les gains H et K les expressions du tableau, montrer que le gain du
d’amplification et des boucles de réaction partielles, totales ou mixtes dont l’analyse peut se système bouclé est toujours H/(1 + K.H) et retrouver les valeurs des impédances d’entrée et de
révéler délicate. Globalement les avantages apportés par la contre-réaction compensent sortie.
largement la diminution du gain. Système résultant
Couplage ZEntrée ZSortie H K
4.1 – Le montage tension-série Tension-série ZE(1 + K.H) ZS/(1 + K.H) VS/V1 VR/VS Amplificateur de tension
Convertisseur
Ce mode de contre-réaction étant très souvent utilisé dans les amplificateurs sera étudié Tension // ZE/(1 + K.H) ZS/(1 + K.H) VS/I1 IR/VS courant-tension
plus en détail afin de montrer comment ce type de couplage modifie les performances du sys- Convertisseur
Courant-série ZE(1 + K.H) ZS(1 + K.H) IS/V1 VR/IS tension-courant
tème.
Courant // ZE/(1 + K.H) ZS(1 + K.H) IS/I1 IR/IS Amplificateur de courant
4.1.1 – Amplificateur sans réaction
ZS L’amplificateur est modélisé par une impédance
IE IS
d’entrée ZE et en sortie par un générateur de gain H
VS et d’impédance ZS :
VE H.VE
ZE ZU VE = ZE.IE
VS = H.VE + ZS.IS
Fig. 4
4.1.2 – Amplificateur avec réaction
On suppose que le courant prélevé par la chaîne de réaction est négligeable.
ZS IS
VS = H.V1 + ZS.(IS – I0) ≈ H.V1 + ZS.IS
IE
VS = – ZU.IS ⇒ IS = – VS/ZU
VE VS VS = H.V1 – ZS.VS/ZU
H.V1
ZE Z U On pose : ε = ZS/ZU
V1
VR VS = H.V1/(1 + ε)
K
VR = K.VS = K.HV1/(1 + ε)
I0
VE = V1 + VR = V1.{1 + K.H/(1 + ε)}
Fig 5 VE = Z’E.IE or V1 = ZE.IE

L’impédance d’entrée vaut : Z 'E = ⎛⎜ 1 +

K. H ⎞
⎟Z
⎝ 1+ ε⎠ E
♦ ε = ZS/ZU vaut un pour un système adapté en puissance et zéro pour un système adapté en
tension.
V1 = VE – VR = VE – K.VS.

81 82
 gain en courant du transistor h21. AV est négatif : la tension de sortie est en opposition de
phase avec la tension d’entrée. L’impédance d’entrée est inférieure à h11. Le produit IC.h11
étant sensiblement constant, l’impédance d’entrée du montage émetteur commun découplé se-
ra toujours inférieure à 1 kΩ.
Le gain est important mais la résistance d’entrée est moyenne ou faible.
Chapitre 13: Amplificateurs à un étage 1.2 – Emetteur non découplé
ˆ – Montage
1 – Les montages à émetteur commun E Ce montage diffère du précédent par la suppression du
R1 RC condensateur de découplage de la résistance d’émetteur.
1.1 – Emetteur découplé Pour les signaux variables, il n’est plus possible de
CS
ˆ – Schéma de principe CE considérer que l’émetteur est au potentiel de la masse. La
Ce montage a déjà été étudié dans le chapitre 9. La résistance d’émetteur, parcourue par le courant iC + iB,
E
résistance d’émetteur RE introduit une contre-réaction RU vS
R1 RC introduit dans le circuit une contre-réaction en tension qui
CS
en courant continu pour la stabilisation thermique du R2 RE modifie complètement les performances de l’étage.
vS transistor. Un condensateur de découplage CD est placé
CE en parallèle sur la résistance d’émetteur RE et permet
RU
de rendre l’influence de celle-ci négligeable pour les Fig. 3
CD
signaux variables.
R2 RE ˆ – Circuit équivalent

ig La modélisation du transistor, conduit au

fig. 1
B iB iC iS schéma équivalent suivant. Il permet, en
C étudiant le circuit d’entrée puis celui de
ˆ – Schéma équivalent du montage
sortie, le calcul direct des paramètres de
ig Pour obtenir le schéma équivalent en ré- Rg l’amplificateur.
iB iC iS 1
gime de petits signaux variables, on rem- La tension d’entrée est cette fois :
h11 h21 .iB h22
Rg B C vS place les générateurs continus par leurs vE = vBE + vCR
résistances internes et les condensateurs R1 R2 Rc Ru
ve de forte valeur par un court-circuit. On ve
1 peut ensuite redessiner le circuit pour vCR
h11 vS
R1 R2 h21 .iB h22 Rc Ru iE
mieux faire apparaître les éléments
E
d’entrée et de sortie et faciliter le calcul Fig. 4
des paramètres de l’amplificateur
Fig 2 ˆ – Paramètres de l’amplificateur
vE = h11.iB + RE.(iB + iC) = h11.iB + RE.(h21 + 1).iB
Dans ce montage, l’émetteur est à la masse pour les signaux variables.
♦ Impédance d’entrée
ˆ – Paramètres de l’amplificateur – Transistor seul : ZTE = vE /iE = h11 + RE.(h21 + 1) ⇒ ZTE >> h11
♦ Impédance d’entrée – Montage : ZM T
E = ZE // (R1 // R2)
Comme vE = h11.iB, la résistance du transistor seul est : ZE = h11. L’examen du schéma équi- La résistance d’entrée est inférieure à la plus petite de ces 3 résistances.
valent montre que celle du montage est ZE = (R1 // R2 // h11). Par suite : ZE < h11 ♦ Impédance de sortie
♦ Impédance de sortie – Pour le montage, on a : ZS = vS/iS ; ZS = {RU // RC // (RE + h22–1)}
La tension de sortie est : vS = – RU.iS = – ZS.iC = – ZS.h21.iB . ♦ Gain en tension :
La résistance du transistor seul est ZS = h22–1 et celle du montage ZS = vS/iS AV = vS/vE
ZS = (RU // RC // h22–1) vS = – RU.iS = – ZS.iC = – ZS.h21.iB
♦ Gain en tension
ZS . h 21 Z
v h .Z AV = − ≈− S
Le gain en tension est égal à : A V = S = − 21 S = −s.Z S h11 + R E .( h 21 + 1) RE
vE h 11
REMARQUES
Pour les transistors bipolaires et pour un courant collecteur de l’ordre de 10 mA, h11 est de ♦ La tension de contre-réaction vCR = RE.(h21 + 1).iB est proportionnelle à la tension de
l’ordre de 1 kΩ ainsi que ZS. Le gain en tension est donc du même ordre de grandeur que le sortie (vCR/vS ≈ – RE/ZS).

83 84
 ♦ RE.h21 est beaucoup plus grand que h11. Donc : AV ≈ – ZS/RE. Pour un amplificateur non ♦ Gain en tension
chargé ZS = RC et AV ≈ – RC/RE. Le gain du montage ne dépend plus du gain du transis- AV = vS /vE ; vS = – RC.iC = – RC.h21.iB
tor mais seulement des composants périphériques. R C . h 21 R
♦ L’impédance d’entrée est très supérieure à h11. Av = − ≈− C
h11 + R E .( h 21 + 1) RE
♦ Pour obtenir une stabilisation thermique satisfaisante RE sera au minimum égale à
RC/10. Le gain de l’étage sera donc de l’ordre de la dizaine. Le montage bootstrap permet d’éliminer l’influence des résistances du pont de polarisation et
On retrouve les résultats généraux établis pour la contre-réaction tension-série. La d’obtenir à la fois une résistance d’entrée importante et un gain en tension de l’ordre de 10.
comparaison de ces résultats avec ceux obtenus pour le montage émetteur commun non
découplé montre bien l’influence du condensateur de découplage et de la contre-réaction qui 2 – Le montage collecteur commun
permet de réaliser un montage dont les performances deviennent indépendantes des 2.1 – Schéma de principe
composants actifs utilisés. L’électrode commune est le collecteur.
IE
) Le gain AV est bien plus petit que pour le circuit à résistance d'émetteur découplée.
Par contre la résistance d'entrée est beaucoup plus grande. Elle est toutefois limitée
IB Les grandeurs d’entrée sont : VBC et IB , celles de sortie
sont : VEC et IE.
VEC Avant d’envisager la réalisation pratique du montage,
par la présence des résistances de polarisation.. VBC
examinons les deux circuits représentés par les figures 7-a
et 7-b.
1.3 – Le montage bootstrap Fig. 6

Pour remédier à la diminution de la résistance d’entrée du montage par le pont de M

polarisation, on peut utiliser le montage « bootstrap1 ». Dans ce montage, la résistance RB est
de l’ordre de 30 à 100 kΩ. U U
VE Vs
E
B Ic
R1 RC Vs
CS
VE M
RB
A vE
CE Fig. 7-a Fig. 7-b
RB h 11
vS E vS Pour le montage 7-a, on a : vE = ΔVBC ; vS = ΔVEC
A
CB RC VBC = VBM + VMC = VBM – U vE = ΔVBC = ΔVBM (U est constant).
R2 RE R1 R2 RE VEC = VEM + VMC = VEM – U vS = ΔVEM
et pour le montage 7-b : vE = ΔVBM ; vS = ΔVEM
Fig. 5-a : Schéma du montage Fig. 5-b : Schéma équivalent (1e étape) Pour les deux montages, il y a identité des variations des tensions d’entrée et de sortie. Le
second qui utilise le pôle moins du générateur (cas des NPN) comme référence des potentiels
Sur le circuit équivalent, on note que RB est en parallèle avec h11. Or RB >> h11, la résistance
sera le seul utilisé.
équivalente est de l’ordre de h11. On obtient le schéma de l’étape 2.
Comme RE << (R1 // R2), on peut encore simplifier le schéma équivalent pour aboutir au 2.2 – Polarisation
schéma simplifié 5-d. A partir de celui-ci, on peut écrire : U
RC Comme pour le montage émetteur commun, on
vE = h11.iB + RE.(iB + iC) = h11.iB + RE.(h21 + 1).iB
impose le potentiel de la base pour stabiliser le po-
IC IC R1
B
h 11
tentiel de l’émetteur donc le courant d’émetteur et
B E C Ce
Cs par suite le courant de collecteur.
h11 Si le courant de base peut être négligé devant le
vE
RG
vE courant dans le pont de base, on a : VBM ≈
E RC vS R'E RC vS R2 RE vs
E.R2/(R1 + R2) et : VEM = VBM – VBE.
RU
Pour un transistor au silicium VBE ≈ 0,65 V. On en
R1 R2 RE
Fig 8 déduit : IE = VEM/RE

Fig. 5-c : Schéma équivalent (2e étape) Fig. 5-d : Schéma équivalent (3e étape) 2.3 – Circuits équivalents
♦ Résistance d’entrée du montage Pour établir le schéma équivalent du montage, on procède en deux étapes. Le schéma équi-
ZE = vE /iE = h11 + RE.(h21 + 1). Cette fois, on a ZE >> h11 ! valent habituel du transistor est modifié pour tenir compte du fait que dans ce montage, pour
le régime variable, le collecteur est au potentiel de la masse.
1
Bootstrap : mot anglais dont la traduction est tire-botte. Allusion à l’utopie qui consiste à se décoller du sol en
tirant sur la tige de ses bottes.

85 86
 B iB iC C v S0 v T . h 21 . R E R 0 + h11 R 0 + h11
IB IE ZS = = = / / h 21 . R E
B E i cc R 0 + h11 + h 21 . R E h 21 . v T h 21
1 h 11
Rg R2 h22
L’impédance de sortie est donc faible car ZS << h11 et ZS < RE
h11 ρ Dans ce cas, il y a une contre-réaction totale car VCR = VS.
h21 .iB E

R1
vE Re Ru
ve R1 R 2
Vc-r C
RE RU vs
) Le montage collecteur commun est caractérisé par un gain en tension positif , légè-
rement inférieur à l’unité , par une impédance d’entrée grande et par une impédance
iE vS
de sortie faible. C’est un adaptateur d’impédance.
Fig 9-a : 1e étape Fig 9-b : 2e étape Ce montage est appelé « suiveur » car la tension de sortie reproduit exactement les
variations de la tension d’entrée. Il peut être placé entre un générateur de tension incapable à
On posera, si nécessaire et pour tenir compte des résistances de sortie du transistor et de cause de son impédance interne de débiter du courant et une charge de basse impédance. Si le
charge du montage, ρE = (RE // h22–1 // RU). La résistance de sortie étant commune à l’entrée et gain en tension est unitaire, les gains en courant et en puissance, voisins du rapport entre les
à la sortie du circuit introduit une contre-réaction. impédances d’entrée et de sortie, sont grands.

2.4 – Paramètres du montage

3 – Bande passante des amplificateurs
On supposera que RG l’impédance interne du générateur est négligeable devant les autres
résistances. ˆ– Réponse en basse fréquence
♦ Impédances d’entrée Les condensateurs de liaison et de découplage de l’amplificateur limitent sa réponse aux
vE = {h11 + (h21+ 1).ρE}.iB basses fréquences. Il est possible de modéliser l’amplificateur par le schéma suivant qui inclut
les condensateurs de liaison d’entrée et de sortie. Le circuit d’entrée se comporte comme un
Pour le transistor seul, on a : ZE = h11 + (h21 + 1).ρE ≈ h21ρE
filtre RC passe-haut dont la fonction de transfert est :
Pour le montage, on a donc : ZE = (h11 + (h21 + 1).ρE) // R1 // R2
♦ Gain en tension ve Re ω
vS = (h21+ 1). ρE.iB =
vg R e + R g 2 2
AV = vS /vE = (h21 + 1).ρE /(h11 + (h21 + 1).ρE) ω + 1 / ( Re + R g ) C1
Le gain en tension est positif et légèrement inférieur à l’unité. La contre-réaction est ici
particulièrement énergique ! ω1 ω2
G ω
AV = 1 – ε Rg Rs
C1 C2 dB
Si l’on tient compte des résistances de polarisation, il faut remplacer h21ρE par (h21ρE // R1 20
vg ve vS Ru
// R2). L’expression du gain devient :

dB
A.v e
Re

40
AV = (h21ρE // R1 // R2)/{RG + h11 + (h21ρE // R1 // R2)}
♦ Impédance de sortie
Pour faire un calcul rigoureux, il faut écrire que cette résistance est le Fig 12-a : Circuit équivalent Fig12-b : Courbe de gain
ZS quotient de la tension de sortie à vide par le courant de court-circuit.
Entrée vS
En effet, on peut modéliser le circuit de l’amplificateur par un géné- En posant K1 = REC1ω1 et en utilisant la pulsation de coupure ω1 = 1 / ( R g + Re ) C1, on ob-
I C-C
Av .v e rateur de tension de valeur AV.vE en série avec une impédance ZS. Si tient :
la tension de sortie à vide (sans charge) est VS0 et le courant de court- K1. ω K1
Fig. 10 H (ω ) = =
circuit est iCC , alors : Z S = VS0 / i CC 2
ω + ω1 2
1 + (ω1 / ω )2
L’équivalent Thévenin du circuit d’entrée est un générateur de fem vT en série avec la résis- Si les circuits d’entrée et de sortie se comportent comme des filtres indépendants, en posant
tance R0 = (RG // R1 // R2) ω 2 = 1 / ( RS + R U ) C2 et K2 = RSC2ω2, on obtient :
Si la sortie est en court-circuit, on a :
K1. K2
R0 h 11 iCC = iC = h21.iB = h21.vT/(R0 + h11) H (ω ) =
1 + (ω1 / ω )2 1 + ( ω 2 / ω )2
RE

vT ve I CC La tension de sortie à vide (RU déconnectée) est la tension L’impédance d’entrée étant en général beaucoup plus grande que celle de sortie, on a
vs
aux bornes de RE pour un circuit comportant un générateur vT ω2 > ω1. Le système se comporte comme un filtre passe-haut dont la fréquence de coupure est
Fig. 11 qui débite dans la série de résistances R0, h11 et h21.RE ω2 . De même pour le montage émetteur commun découplé, les condensateurs de découplages
Donc : vS0 = vT. h21.RE /(R0 + h11 + h21.RE) CD introduisent une fréquence de coupure basse supplémentaire ω3 = 1/RDCD.

87 88
 Pour obtenir une fréquence de coupure basse assez petite, on est conduit à utiliser des
condensateurs de liaison et de découplage de capacités comprises entre 1 µF et 100 µF. Ceci
suppose l’utilisation de condensateurs électrolytiques au tantale ou en aluminium.
ˆ– Réponse aux fréquences intermédiaires
Pour les fréquences intermédiaires l’influence des condensateurs de liaison et de décou-
plage est négligeable. Le gain est constant et l’amplificateur est dit non sélectif. Chapitre 14: Montages à plusieurs transistors
ˆ– Réponse en haute fréquence
En haute fréquence l’effet des capacités parasites présentes entre les électrodes du
transistor n’est plus négligeable. Les circuits équivalents aux circuits d’entrée et de sortie sont 1 – Amplificateurs à plusieurs étages
des filtres passe-bas. Une étude analogue à celle faite pour les basses fréquences permet de
définir une fréquence de coupure haute. Dans de nombreux amplificateurs, on cherche à obtenir un grand gain, une impédance
ˆ– Bande passante d’entrée élevée (afin de ne pas perturber la source du signal) et une impédance de sortie faible
C’est la différence entre les fréquences de coupures hautes et basses. Lors de la mise en pour agir sur l’actionneur final (haut-parleur, moteur d’asservissement ...). Un amplificateur à
cascade de plusieurs étages, il faut noter que la bande passante résultante est inférieure à la un seul étage ne permet pas, en général, de réaliser ces objectifs. On sera amené à associer
plus petite des bandes passantes individuelles. La contre-réaction est une méthode efficace plusieurs étages en cascade.
pour accroître la bande passante globale. Par exemple, la réalisation d’un amplificateur à grand gain et de grande bande passante BP
est délicate. Il est assez simple, par contre, de fabriquer un amplificateur de gain faible A0
Les amplificateurs étudiés dans ce chapitre se comportent sensiblement comme des filtres ayant la bande passante BP. La mise en cascade de deux de ces amplificateurs permet
passe-bande du 1e ordre. Pour ces montages, le taux de contre-réaction étant indépendant de la d’obtenir un système dont le gain sera A1 = A 20 et dont la bande passante sera légèrement infé-
fréquence la courbe de réponse est plate. Si l’on souhaite obtenir une réponse sélective, pour
rieure à BP.
compenser par exemple celle du capteur d’entrée, il faut utiliser un terme de rétroaction fonc-
Le principal problème rencontré lors de l’association d’étages amplificateurs est celui de
tion de la fréquence.
l’adaptation de leurs impédances. Ainsi dans le cas d’une amplification en tension, il faut que
ˆ– Réponse à un échelon de tension l’impédance d’entrée de l’étage soit beaucoup plus grande que l’impédance de sortie de
On considère un amplificateur de gain A dont la fréquence de coupure haute est fH et pou- l’étage précédent. Pour une amplification de puissance, il faut que l’impédance de sortie de
Vs/A.Ve
vant Ve
être assimilé0,91 à un filtre passe-bas du 1e ordre dont la constante de temps est égale à 1/ωH. l’étage soit voisine de celle de la charge. La liaison entre les étages successifs pose également
Sa réponse à un échelon de tension Ve est donc égale des difficultés.
à : Vs = A.Ve(1 − e − ωH t ) .
(En pratique on utilise un signal rectangulaire pour effectuer la 1.1 – Amplificateurs à liaison directe
t T t
0,1 mesure.)
Fig. 13 Relier directement la sortie d’un étage à l’entrée du suivant est a priori la méthode la plus
On caractérise le temps de montée par la durée T que
simple pour effectuer la liaison. En fait, ce mode de liaison pose de nombreux problèmes.
met la sortie pour passer de la valeur 0,1.A.Ve à la valeur
Examinons le schéma 1-a. Le potentiel continu du point A est voisin de ½.VCC. Par contre,
0,9.A.Ve.
celui de B est voisin de 0,65 V. La réunion de A et B provoque un court-circuit de l’espace
Pour déterminer la valeur de T, on peut écrire :
émetteur collecteur du premier transistor qui cesse alors de fonctionner correctement.
0,1.A.Ve = A.Ve.(1 − e − ωH t ) ⇒ 0,9 = exp(−ω H t ) ⎫
⎬ ω H T = ln 9
0,9.A.Ve = A.Ve.(1 − e − ωH ( t + T ) ) ⇒ 0,1 = exp(−ω H ( t + T) ⎭ VCC VCC
R1
2,2 2,2 0,35
Soit : T= = = ⇒ f H ≈ 0,35 / T A ? A B
ω H 2πf H fF B
R2
Pour ce type d’amplificateur, la simple mesure du temps de montée permet de déterminer
la fréquence de coupure haute et donc la valeur de la bande passante. On constate que cette Fig 1-a Fig 1-b
relation donne un ordre de grandeur correct de la bande passante pour tous les types
d’amplificateurs. Ceci résulte du fait qu’un signal rectangulaire étant très riche en Le schéma 1-b donne une méthode pour faire fonctionner le montage :
harmoniques d’ordres élevés permet de tester les performances des amplificateurs en haute Un pont de résistance permet de polariser l’émetteur du second transistor à un potentiel
fréquence. égal à celui du collecteur du premier. A et B peuvent alors être reliés sans problème.
Le principal avantage des montages à liaison directe est qu’ils offrent la possibilité
d’amplifier les tensions continues. Mais ils sont de ce fait très sensibles à la dérive thermique
des transistors : la dérive des premiers étages est amplifiée par les étages suivants au même ti-
tre que le signal.

89 90
EXERCICE : Il est évident que ce mode de liaison ne permet pas l’amplification des tensions continues.
20 V La fréquence de coupure inférieure est fonction des valeurs des condensateurs, la fréquence de
4,3 k coupure haute est limitée par les capacités parasites.
9,1 k
9,1 k 10 V
4,2 V 1.3 – Liaison par transformateur
100 k
3,5 V
La liaison par transformateur a été très employée dans les amplificateurs à tubes et au début
0V 0V de l’utilisation des transistors car elle permet une adaptation aisée des impédances. Les pro-
1,3 V
1,5 k blèmes de bande passante, d’encombrement et de coût des transformateurs font que ce mode
– 0,7 V 750
100 k de liaison est devenu obsolète.
4,7 k Nous avons montré que l’impédance vue à l’entrée d’un transformateur chargé par une ré-
– 10 V
sistance ZU est égale à ZE = (j.L1.ω // ZU.L1/L2). Si n désigne le rapport entre les nombres des
Fig 2. Vérifier à partir du schéma les valeurs des potentiels continus et montrer que le gain de spires du primaire et du secondaire du transformateur, on a : n² = L1/L2. Pour des fréquences
l’ensemble est voisin de 35. (Le pont diviseur ajustable en sortie permet de fixer le potentiel de assez grandes, on peut considérer que l’impédance d’entrée du transformateur est ZE = n².ZU.
sortie à 0V en l’absence de signal sur l’entrée). Comme exemple, envisageons l’étage final d’un amplificateur à transformateur en classe A.
Supposons que l’impédance de la charge est ZU = 5 Ω et que la tension d’alimentation VCC est
1.2 – Liaison par condensateur entre deux étages 20 V. Si la charge est introduite directement dans le collecteur du transistor, le courant de re-
Selon le mode de polarisation retenu, différents montages sont possibles. Comme exemple, pos de celui-ci sera voisin de ½VCC/.ZU soit 2 A.
étudions rapidement le schéma de la figure 3-a qui associe deux étages à émetteur commun Vcc
non découplé. Pour les fréquences intermédiaires, le schéma équivalent du montage (3-b) est
très simple : n1 n2
Zu
R C1 R C2 VCC
h11 h 11

Fig 4-a Fig 4-b

Si L1ω est grand devant n².ZU, on peut considérer que le transistor débite dans une impé-
C1

Vs B1 B2
C C2
dance n².ZU. On désire utiliser un transistor de faible puissance avec un courant de repos égal
V1 E1 E2
Ve à 10 mA, l’impédance vue par le transistor doit être 1000 Ω. Le rapport de transformation doit
RE1 R E2
Fig 3-b
donc valoir n² = 1000/5 = 200 (n ≈ 14).
Fig 3-a
Le pont de base des deux étages est choisi pour obtenir un point de fonctionnement au mi-
2 – Montage Darlington
lieu de la droite de charge. On suppose que les deux transistors sont identiques et que 2.1 – Principe
RB1 = R1 // R2. Comme la charge d’un étage dépend de l’impédance d’entrée de l’étage sui-
C Ce montage est constitué par l’association de deux transis-
vant, il est conseillé de commencer l’étude par le dernier étage et de remonter vers le généra-
teur d’entrée. L’impédance de sortie du 2e étage est RC2. Son impédance d’entrée est égale à : tors T1 et T2 de même type (deux PNP ou deux NPN). T2 est
B T2 un transistor de puissance donc de gain en courant petit et
(RB2 // (h11 + (h21 + 1).RE2) ≈ (RB2 // h21.RE2).
dont l’impédance d’entrée h’11 pour le courant nominal est
− h 21 R C 2 R T1
Son gain en tension est égal à : A V 2 = ≈ − C2 . faible ; T1 est un transistor d’usage général de gain normal.
h 11 + (h 21 + 1).R E 2 R E2 La base du transistor T2 est reliée à l’émetteur de T1 et les
E Fig 5
L’impédance de sortie du premier étage est donc RS1 = (RC1 // RB2 // h21.RE2). Son gain est deux collecteurs sont reliés.
AV1 ≈ – RS1/RE1 et son impédance d’entrée est : (RB1 // h21.RE1).
L’ensemble est un dispositif à trois électrodes équivalent à un transistor unique dont on va dé-
L’ensemble est donc équivalent à un amplificateur de gain AV = AV1.AV2 . terminer les paramètres.
EXERCICE :
Reprendre cette étude en envisageant les trois cas suivants : 2.2 – Schéma équivalent
♦ RE1 est découplée par un condensateur.
♦ Gain en courant du transistor équivalent
♦ RE2 est découplée par un condensateur.
Pour le transistor T1 : iC = h21.iB ⇒ iE = (h21 + 1).iB
♦ RE1 et RE2 sont découplées.
Pour le transistor T2 : i’B = iE = (h21 + 1).iB
Pour le 2e cas, on notera que le découplage de la résistance RE2 diminue beaucoup
i’C = h’21.i’B = h’21.(h21 + 1).iB
l’impédance de sortie du premier étage qui voit alors son gain s’effondrer.

91 92
 i’C ≈ h’21. h21.iB E VBM = VZ
RZ IC
RC VEM = VEB + VBM = VZ – VBE
Le gain du transistor équivalent est égal au produit des gains
des deux transistors. VEM ≈ VZ – 0,65 V (transistor silicium)
B VEM = RE.IE
♦ Impédance d’entrée E
IE = (VZ – 0,65)/RE.
IE
VBE = h11.iB + h’11.i’B = {h11 + h’11(h21 + 1)}.iB Z RE Mais IC = IE + IB ≈ IE. La constance de IE implique celle de IC.
Comme h21 >> 1 on obtient : ZEnt = VBE/iB ≈ h11 + h21.h’11 M
h11 = h21.kT/e.IC ; h’11 = h’21.kT/e.I’C ; I’C = h’21.I’B ≈ h’21.IC
h’11 = h’21.kT/e.h’21.IC = h11/h21 ⇒ ZEnt ≈ 2.h11
) Le courant qui circule dans la résistance RC de collecteur est donc constant et indé-
pendant de la valeur de celle-ci.
L’impédance d’entrée du transistor équivalent est sensiblement égale au double de celle du
transistor T1. Elle est beaucoup plus grande que celle d’un transistor de puissance. DOMAINE DE VALIDITE :
L’équation de la droite de charge du générateur s’écrit : VCE = E – (RC.IC + RE.IC)
AVANTAGES : Le montage Darlington permet d’obtenir un transistor équivalent ayant un grand Si RC augmente, VCE diminue mais ne peut devenir négatif. Le courant dans RC ne reste cons-
gain, une impédance d’entrée normale et capable de dissiper la même puissance que le transis- tant que si RC reste inférieure à une valeur maximale RCMax qui correspond à la saturation du
tor T2. transistor. Par contre RC peut être nulle.
INCONVENIENTS : La tension d’entrée correspond à deux seuils de diodes. Le courant inverse
du transistor équivalent est beaucoup plus grand que celui des transistors utilisés puisque
I’’CE0 = β’.ICE0 + I’CE0. AUTRES REALISATIONS DE GENERATEURS DE COURANT CONSTANT :
Dans le circuit de gauche de la figure 9, on utilise simplement un pont diviseur à résistan-
Les constructeurs fournissent des « Darlington » intégrés dans un boîtier unique lors de la fa-
ces. La stabilisation est moins bonne qu’avec une diode Zener.
brication et dont le gain en courant est typiquement de l’ordre de 2000.
E E Dans le montage de droite, on utilise 3 diodes en série
R2 Rc Rc pour polariser la base dont le potentiel est : E –
2.3 – Pseudo-Darlington (paire de Sziklai) 3.0,65 V.
La fabrication des transistors de puissance PNP est plus complexe que celle des NPN. En re- L’emploi d’un transistor PNP permet de connecter la
liant un transistor PNP de faible puissance à un transistor de puissance NPN selon le montage R1 R1 charge entre le collecteur et la masse. Pour ce mon-
du pseudo-Darlington, on constitue un système équivalent à un PNP de puissance. Re Re tage, le courant collecteur vaut donc : IC ≈ 1,3/RE
IC Fig 9
C E C E
T2
3.2 – Miroir de courant
B Le courant du montage précédent est légèrement sensible aux variations de température du
IB transistor et de la diode Zener. Pour minimiser cet effet, il faut trier les composants afin que
T1
leurs dérives en température soient les mêmes.
B Il est plus simple d’utiliser le circuit ci-contre qui utilise deux
Fig 7 E
Rc transistors identiques. On utilise uniquement la jonction base-
Ru
EXERCICE : émetteur du premier transistor.
Vérifier que la polarisation des deux transistors est correcte et justifier le nom des électrodes Les deux VBE sont identiques donc :
I1 I2
du transistor équivalent. VEM = RE1.I1 = RE.I2
I2/I1 = RE1/RE
Re1 Re
3 – Générateur de courant constant Si de plus les résistances d’émetteur sont identiques, on a :
I2 = I1.
3.1 – Principe du montage Fig 10

Dans la vie courante, on rencontre de nombreux générateurs de tension. Les générateurs de On appelle ce montage un miroir de courant.
courant apparaissent beaucoup plus abstraits. Il est cependant très simple de réaliser ce type de
générateur avec un transistor et une diode Zener. 4 – Principe des amplificateurs différentiels
Le potentiel de la base du transistor est égal à VZ (tension de Zener de la diode qui est polari-
sée par la résistance de limitation RZ). 4.1 – Principe
Si le principe des amplificateurs différentiels est connu depuis longtemps, ils ne sont utili-
sés de manière courante que depuis l’apparition de l’électronique intégrée qui permet de

93 94
 fabriquer facilement des transistors identiques et dont la dé- Sortie entre S1 et la masse
rive thermique au cours du fonctionnement est la même. Un U US1 = U – RC.h21.i1
amplificateur différentiel comporte deux entrées et une ou Rc Rc UPM = h21.RE.(i1 + i2)
E1 S1 S2
deux sorties. Il amplifie la différence de potentiel qui existe i C1 u1 + u2 = h11.(i1 + i2 ) + 2.UPM
VS entre les deux entrées. Pour un amplificateur idéal, on a : i1
E1 E2 Comme les courants dans les bases sont beaucoup
E2 VS = A.(e2 – e1) P
h 11
plus petits que les courants des émetteurs, on a :
Re u2
u1 u S1
M
u1 + u2 ≈ 2.UPM = 2.h21.RE.(i1 + i2)
4.2 – Modes de l’amplificateur
La tension de sortie d’un amplificateur différentiel réel est également fonction de la somme Fig 13
E1 i 1 E2 On tire :
des tensions d’entrée et en fait, il faut écrire que : P

VS = AD.(e2 – e1) + ½.AC.(e2 + e1) h 11 h 11 i1 + i2 = (u1 + u2)/2.h21.RE

i C1
i1 – i2 = (u1 – u2)/h11
AD est le gain différentiel et AC le gain de mode commun. u1 S1 S2 u2
RE
Soient e1 et e2 les signaux « utiles » présents sur les deux entrées de l’amplificateur (l’un Donc :
des deux peut être nul). S’ils sont parasités par le même bruit X, celui-ci n’est pas amplifié par u S1 RC RC
M
2.i1 = (u1 - u2)/h11 + (u1 + u2)/2.h21.RE
un amplificateur idéal.
Par contre, si le gain de mode commun n’est pas nul, ce signal parasite se retrouve dans le Fig 14 : Schéma aux variations Et par suite :
signal de sortie qui est alors :
US1 = U – RC.h21.i1 = U – RC.h21.(u1 – u2)/2.h11 – ½.RC(u1 + u2)/2.RE
VS = AD.(e2 – e1) + ½.AC.(e2 + e1 + 2.X) La tension d’alimentation étant constante, on en déduit les valeurs des gains :
On s’efforce donc pour les amplificateurs différentiels à rendre le rapport AD/AC qui est appe- 1 h21 . R C 1 RC
lé rapport de rejection du mode commun, aussi grand que possible. AD = − AC = −
2 h11 2 RE

4.3 – Amplificateur à couplage d’émetteur Le gain différentiel est moitié plus faible que si la sortie est faite entre S1 et S2 et le mode
commun est ici important.
On utilise deux transistors identiques (on les dit appariés ou appairés) montés en émet-
Le montage avec la sortie entre S1 et S2 est a priori séduisant mais il est délicat à mettre en
teur commun. La résistance d’émetteur est commune aux deux transistors. Le montage pos-
œuvre. Aucune des sorties n’étant au potentiel de la masse, cet étage est difficile à coupler di-
sède deux entrées (E1 et E2) et deux sorties (S1 et S2).
rectement avec les étages suivants. Il faut, par exemple, utiliser un couplage par un transfor-
Les schémas équivalents qui seront utilisés ici ne sont pas des « schémas aux variations »
mateur dont le primaire est connecté entre S1 et S2 et dont une borne du secondaire est reliée à
car les grandeurs d’entrée peuvent être continues. Le générateur d’alimentation ne doit donc
la masse.
pas être remplacé par sa résistance interne.
ˆ Calcul des gains différentiel et de mode commun : 4.4 – Amplificateur à source de courant constant
Sortie entre S1 et S2 Dans le montage précédent, le mode commun résulte du couplage des deux transistors par
U Le point M est pris comme origine des potentiels. la résistance d’émetteur. Pour éliminer ce couplage, on utilise un transistor monté en généra-
Rc Rc Avec les notations de la figure 13, on a : teur de courant constant pour alimenter les émetteurs.
S1 S2 u1 = h11.i1 + UPM U
E1 E2 U
P
u2 = h11.i2 + UPM Rc Rc
Rc Rc
u1 – u2 = h11.(i1 – i2) (1) S1 S2 S2
S1
US1 = U – RC.iC1 = U – RC.h21.i1 E1 E2
u1 Re u2 i1
P E2
M
US2 = U – RC.h21.i2 E1 P
US1 – US2 = – RC.h21.(i1 – i2 ) (2) h 11
u1 u2 u1 u2
Fig 12
M
Si la tension de sortie est prélevée entre les points S1 et S2, le gain de mode commun est nul. Re
Le gain différentiel est égal au quotient (US1 – US2)/(u1 – u2).
Fig 15-a Fig 15-b
h21 . R C
AD = − AC = 0
h11 Soit I0 ce courant. I0 = – (IE1 + IE2) ≈ (IC1 + IC2)
♦ Calcul de la tension de sortie entre les points S1 et S2 :

95 96
 u1 = h11.i1 + UPM R2 R
u2 = h11.i2 + UPM vS = (VH − VK ) = 2 .A D .v1 = K.v1 .v 2
R1 R1
u1 – u2 = h11.(i1 – i2)
Soit : i1 – i2 = (u1 – u2)/h11 (a) VCC
Le générateur de courant constant fournit le courant I0 : Rc Rc
h21.(i1 + i2) = I0. K R1 R2
i1 + i2 = I0/h21 (b) v1 Rb H
–
US1 = U – RC.h21.i1 T1 T2
R1 +
US2 = U – RC.h21.i2
Rb Vs
US1 – US2 = – h21.RC .(i1 – i2) v2 R R2
On en déduit les valeurs des gains différentiel et de mode commun :
T3 T4
h .R v1 Vs = Kv1.v 2
A D = − 21 C ; AC = 0 -VEE v2
X
h 11 K
Pour une utilisation entre les deux sorties le mode commun est nul.
La tension de sortie est donc proportionnelle au produit des tensions d’entrée. Ce montage
♦ Calcul de la tension de sortie entre S1 et la masse : ne fonctionne que si v2 est supérieure à la tension de seuil de T3. Pour pouvoir effectuer le
La somme des équations (a) et (b) donne : produit de tensions quelconques, il faut utiliser des montages plus élaborés appelés
2.i1 = (u1 – u2)/h11 + I0/h21 multiplicateurs quatre quadrants. Des multiplicateurs totalement intégrés sont maintenant
Leur différence donne : disponibles.
2.i2 = – (u1 – u2)/h11 + I0/h21
US1 = U – RC.h21.i1 4.6 – Régulateur de tension
US2 = U – RC.h21.i2
US1 = U – ½.RC.h21.(u1 – u2)/.h11 – ½.RC.I0 Pour améliorer la qualité du filtrage d’une alimentation et pour stabiliser sa tension de sor-
US2 = U + ½.RC.h21.(u1 – u2)/.h11 – ½.RC.I0 tie, on peut utiliser le montage suivant :
L’expression des gains est donc :
I R1
1 h 21 .R C Rz Rz
AD = ± ; AC = 0 Ve

Charge

2 h 11
L’utilisation d’une source de courant constant permet de remplacer la résistance d’émetteur
par la résistance interne du générateur de courant, c’est-à-dire par une résistance très grande ce
qui annule pratiquement la composante de mode commun. Les amplificateurs différentiels
dont le mode commun est négligeable permettent l’amplification de signaux faibles (continus
ou variables) même en présence de bruits importants. Les calculs qui ont été effectués suppo-
sent l’identité parfaite des deux transistors. La réalisation de ce type d’amplificateurs à partir
de composants discrets est délicate. Il faut faire un tri très soigné des transistors et assurer leur
couplage thermique afin de limiter les effets des dérives en température. L’utilisation des
composants intégrés a permis la banalisation de ce type d’amplificateurs qui constituent le
cœur des amplificateurs opérationnels.
4.5 – Application : multiplieur à deux cadrans
On considère un amplificateur différentiel (T1, T2) alimenté par un miroir de courant formé
par T3 et T4. Le courant d’émetteur de la paire T1, T2 est donc proportionnel à la tension v2.
Comme le gain différentiel est AD = − h21RC/h11 = − s.RC et comme la pente (Chapitre 8, §4.4)
d’un transistor est proportionnelle au courant collecteur, on a donc : AD = k1.IE = k2.v2 . Le si-
gnal récupéré entre les collecteurs de la paire T1, T2 est appliqué à un amplificateur opération-
nel monté en amplificateur différentiel (voir le chapitre 14, §6) afin de minimiser l’effet des
composantes de mode commun. Le signal de sortie est donc égal à :
Charge
Vs +
Vz
Dz
R2
Fig. 17
La tension non régulée VE alimente le circuit. La diode Zener DZ polarisée par la résistance
RZ impose le potentiel de base d’un transistor T nommé « ballast ». Le potentiel d’émetteur de
T est donc égal à VS = VZ – VBE et devient indépendant de la valeur de la charge. Le transistor
T dissipe une puissance égale à I.(VE – VS).
Dans ce montage simple VS dépend des variations de VBE avec la température.
On peut améliorer la qualité de la régulation en utilisant un amplificateur différentiel de gain
A. Sa tension de sortie est V’S = A(VZ – R2.VS/(R1 + R2)).
On pose β = R2 /(R1 + R2). Donc : VS ≈ V’S = A.VZ – AβVS ⇒ VS = AVZ/(1 + βA)
Comme le produit βA est très supérieur à un, on a VS ≈ VZ/β.
Ce type de régulateur est disponible sous forme de circuits monolithiques nommés
régulateurs tripodes qui sont dotés en plus de protections contre les surcharges thermiques et
électriques.

97 98
 On peut utiliser le schéma équivalent de la figure 1 qui met en évidence l’amplificateur
différentiel d’entrée et ses résistances.
+U (Alim) Vs +U (Alim)
+ Re(MC) +VSat

Chapitre 15: L’amplificateur opérationnel v+

Ve Re
µ.Ve
Rs –ε +ε
Ve
Vs
1 – Généralités – –VSat
v– –U
Les amplificateurs opérationnels ont été conçus initialement pour la résolution analogique –U
fig. 1 fig. 2
de problèmes numériques tels que l’étude d'équations différentielles dont les solutions
analytiques sont inconnues. Le développement des calculateurs numériques a rendu caduc La tension de sortie d’un amplificateur différentiel est donnée par :
l’usage de ces calculateurs analogiques. VS = µD.(v + – v –) + ½µMC.(v + + v – )
Les amplificateurs opérationnels ont d’abord été réalisés avec des composants discrets. Ces amplificateurs sont conçus pour avoir un gain de mode commun µMC aussi faible que
L'électronique intégrée permet actuellement la fabrication d’amplificateurs dont les possible afin de ne pas amplifier les signaux présents sur les deux entrées à la fois (mode
performances sont excellentes, la mise en œuvre aisée et le coût modique1. Ils ne nécessitent commun) et qui correspondent en général à un bruit parasite.
que peu de composants périphériques et les problèmes délicats de polarisation des ˆ Saturation des amplificateurs opérationnels
amplificateurs réalisés avec des composants discrets sont éliminés. Ils sont maintenant utilisés La tension de sortie peut varier entre les valeurs extrêmes +VSat et –VSat (tensions de
dans de nombreux domaines de l’électronique analogique. saturation) qui sont légèrement inférieures aux tensions d’alimentation. Le gain étant très
grand, la saturation de la sortie est obtenue pour des tensions d’entrée très faibles. Avec
ˆ
Caractéristiques des amplificateurs opérationnels VSat = 12 V et µ = 105, ε = v + – v – = 0,12 mV.
Pratiquement tous les amplificateurs opérationnels ont la même structure interne : ce sont
des circuits monolithiques dont une « puce » de silicium constitue le substrat commun. Ils
comportent en entrée un amplificateur différentiel suivi d’un étage adaptateur d’impédance ;
) Dans les montages amplificateurs, l’amplificateur opérationnel ne sera jamais utilisé
en boucle ouverte afin de ne pas atteindre la saturation.
l’amplificateur de sortie, de type push-pull, fonctionne en classe B. Toutes les liaisons sont
directes.
2 – Amplificateur opérationnel et contre-réaction
Ce sont des amplificateurs différentiels qui sont caractérisés par : ˆ
Contre-réaction en tension
♦ Un gain en tension très important : µD = µ ≈ 105 à 107. Le signal est appliqué sur l’entrée +. Sur l’entrée inverseuse, et donc en opposition de phase
♦ Une impédance d’entrée très grande : RE ≈ 105 à 1012 Ω.
avec le signal d’entrée, on envoie la fraction β.VS du signal de sortie. Avec un réseau de
♦ Une impédance d’entrée de mode commun très grande : REMC ≈ 108 à 1012 Ω.
réaction passif, on a : VS = µ.vE = µ.(VE –β.VS) ⇒ VS = µ.VE /(1 + µ.β)
♦ Une impédance de sortie faible : RS ≈ 10 à 500 Ω.
Si µ est très grand devant β, la fonction de transfert devient :
♦ La rejection du mode commun (µD/µMC) est très grande.
♦ La réponse en fréquence va du continu jusqu’à des fréquences assez élevées : le produit VS/VE = 1/β
β
gain-bande passante peut dépasser 100 MHz. Si le gain en boucle ouverte est très supérieur à celui de la
♦ Ils possèdent deux entrées notées + (l’entrée non inverseuse) et – (l’entrée inverseuse) mais – boucle de contre-réaction, alors le gain en tension du système
µ
ont une seule sortie. + bouclé ne dépend que du gain de cette boucle de rétroaction.
♦ Ils utilisent, sauf exception, deux alimentations + U et – U, symétriques par rapport à la Ve Vs Les performances du système bouclé deviennent alors
masse. Ces alimentations seront omises sur les schémas. indépendantes de celles de l’amplificateur.
Fig. 3
ˆ Caractéristiques d’amplificateurs d’usage courant ˆ
Contre-réaction en courant
Ce sont des circuits à moyenne intégration. Le circuit équivalent du µA 741 contient 24
transistors, 11 résistances et un condensateur. R1 i R2
La sortie est bouclée sur l’entrée inverseuse par une résistance
R2 : VS = µ.(VE2 – VA)
µA 741C TL 081C A
– Le courant d’entrée en A dans l’amplificateur opérationnel
Gain en tension (boucle ouverte) 200000 200000 Ve1 µ
Courant d’entrée 80 nA 30 pA + étant très faible (< 1 µA) est négligeable devant celui qui
Vs circule dans R1 et R2.
Résistance d’entrée 2.106Ω 1012Ω Ve2
Fréquence avec gain = 1 1 MHz 3 MHz VA – VE1 = R1.i = R1.(VS – VE1)/(R1 + R2)
Vitesse de réponse (Slew rate) 0,5 V/µs 13 V/µs Fig. 4 On pose : β = R1/(R1 + R2)
Etage d’entrée bipolaire TEC à jonction VA – VE1 = β.(VS – VE1) ⇒ VA = β.VS + (1 – β).VE1
ˆ
Modélisation d’un amplificateur opérationnel Or VS = µ.(VE2 – VA)
VS = µ.VE2 – µ β.VS – µ.(1 – β).VE1
1
Le premier amplificateur intégré (le µA 709) a été commercialisé en 1965 par Fairchild.
99 100
 μ A cause des imperfections des amplificateurs opérationnels, la tension de sortie n’est pas
VS = ((VE 2 − VE1 (1 − β)) (1) nulle quand les deux entrées sont au même potentiel. Si ce phénomène présente un
1 + μβ
inconvénient, on peut le corriger en introduisant un déséquilibre de l’amplificateur, ajustable
Si le gain µ est infini, l’expression de la tension de sortie devient : de l’extérieur, afin d’obtenir une tension nulle en sortie lorsque les deux entrées sont placées
VS = [VE2 – VE1.(1 – β)] /β au même potentiel.
ˆ Problèmes d’offset liés aux courants d’entrée
3 – Fonctionnement des amplificateurs opérationnels En fait les courants d’entrée IB1 et IB2 ne sont pas nuls et de plus ils ne sont pas identiques
pour les deux entrées. Considérons le circuit de la figure 5 ; si l’amplificateur opérationnel est
3.1 –L’amplificateur opérationnel idéal idéal, sa tension de sortie est nulle.
Soit VS la tension de sortie de l’amplificateur réel. V+ = – R3.IB2 ; I1 = I0 + IB1 , donc :
Un amplificateur est considéré comme idéal si l’on peut admettre que son gain est infini,
(VS – V–)/R2 = V–/R1 + IB1
que ses impédances d’entrée sont infinies et que sa résistance de sortie est nulle. (µ = ∞, A I1
R1 R2 VS.R1 – V–.R1 – V–.R2 = IB1.R1.R2
ZE = ∞, ZEMC = ∞, ZS = 0)
Vs = IB1.R2 + V–.(R1 + R2)/R1
CONSEQUENCES I0 –
µ Mais pour l’amplificateur on a : V+ = V–
♦ La tension de sortie étant finie, la tension d’entrée e doit être nulle. Ib1 +
VS = IB1.R2 – {(R1 + R2)/R1}.R3.IB2
♦ Les impédances d’entrée étant infinies, les courants d’entrée sont nuls. Vs On peut minimiser la valeur de la tension de sortie parasite VS
Ib2 R3
) V+ − V− = e = 0 en faisant : R3 = R1.R2/(R1 + R2).
(2) R3 = (R1 // R2). C’est également l’impédance vue par l’entrée –
I+ = I− = 0
de l’amplificateur.
Fig. 5
♦ Si la tension d’entrée e n’est pas nulle, la tension de sortie prend sa valeur maximale qui
est la tension de saturation de l’amplificateur. ) Pour minimiser l’influence des courants d’offset, il faut placer des impédances
VS = + VSat si e > 0 ; VS = – VSat si e < 0 identiques sur chaque entrée.
Un amplificateur opérationnel idéal utilisé avec une réaction négative fonctionne en ˆ Réponse en fréquence

) régime amplificateur. Ses deux entrées sont alors au même potentiel. Si on l’utilise
avec une réaction positive, il fonctionne en régime de saturation. Les potentiels des
entrées peuvent être différents.
3.2 – L’amplificateur opérationnel réel
♦ Le gain de l’amplificateur opérationnel est fini et fonction de la fréquence du signal. Le
gain du système ne dépend pas uniquement de la boucle de réaction.
♦ L’amplificateur contient des générateurs de tension et de courant parasites qui modifient la
tension de sortie.
♦ La bande passante est limitée et dépend du gain du système bouclé.
♦ L’amplificateur ne peut délivrer en sortie qu’une puissance limitée.
Du fait de ces imperfections, le fonctionnement d’un amplificateur réel diffère de celui d’un
amplificateur idéal dans un certain nombre de domaines.
ˆ
Problèmes liés à la valeur finie du gain
μ Le modèle de l’amplificateur idéal est satisfaisant tant que la valeur du gain en boucle
L’expression du gain est donnée par : VS = ((VE 2 − VE1 (1 − β))
1 + μβ
Si on suppose que : µ = ∞ ⇒ VS = {VE2 – VE1.(1 – β)}/β.
On introduit ainsi une erreur relative : ε = (V’S – VS)/VS = 1/µ.β
EXEMPLE : On utilise le multiplicateur inverseur de la figure 7. (VE2 = 0)
On prend : R1 = 10 kΩ et R2 = 100 kΩ.
Dans le modèle idéal, on a : AV = VS /VE1 = – 10 et β = 1/11.
Si µ = 1000, on comment une erreur ε = 1/µ.β = 11. 10–3 = 1,1%
ˆ
Problèmes liés aux tensions d’offset 2
2
En électronique offset peut se traduire par « décalage »
101
On peut, en première approximation, considérer que les amplificateurs opérationnels réels se
comportent comme des systèmes du premier ordre ayant une fréquence de coupure
inférieure voisine de 10 Hz et dont le produit GB gain-bande passante en système bouclé
est constant.
G (dB) En première approximation, le gain s’écrit :
A
A
μ= (3)
1 + j.f / f C
A est le gain en continu et fC la fréquence de coupure. Au-delà
de fC, le gain diminue de 20 dB par décade. Il est égal à 1 pour
une fréquence fT dont la valeur correspond au produit GB. Pour
certains amplificateurs opérationnels le comportement en
fC fT
fréquence peut être amélioré en ajoutant des composants
externes. Une grandeur à prendre également en compte est le temps de montée (Slew rate en
anglais) qui caractérise la rapidité de la réponse en sortie à une variation brutale de la tension
d’entrée. Il s’exprime en V/µs.
ouverte reste très supérieur à celui de la boucle de rétroaction, c’est-à-dire aux basses
fréquences. Quand cette condition n’est plus réalisée, il faut reprendre l’étude du circuit en
utilisant la valeur du gain donnée par la relation (3).
Nous allons examiner diverses possibilités d’utilisation des amplificateurs opérationnels en
utilisant le modèle idéal. Pour déterminer la fonction de transfert, on peut utiliser la relation
générale (1) mais le calcul direct est souvent plus rapide.
4 – Utilisation de l’entrée non inverseuse
‰ Multiplicateur
Le signal à amplifier est appliqué sur l’entrée +. Pour diminuer l’influence des courants
d’entrée, on ajoute sur cette entrée une résistance R0 = R1 // R2. Avec un amplificateur idéal, il
102
est inutile de la prendre en compte puisque le courant qui la traverse est nul. On a donc : R1 R0 On pose : IS = (VS – VA)/R0
V+ = VE. R2 – IS I1 = (V1 – VA)/R1 I2 = (V2 – VA)/R2
Comme la réaction est négative, on peut écrire que : V+ = V– =VA. A Or : ΣIA = 0 et VA = 0
I2 +
Le courant d’entrée étant négligeable, l’application du théorème
VS/R0 = – (V1/R1 + V2/R2)
 V + V 
de Millman au point A donne : VS
+ V1 V2 RP
R0 V / R 2 + 0 / R1
VA = S = VE VS = − R 0 .
R R 
1 2
A –
1/ R 2 + 1/ R1
 R
Fig. 10 1 2
R2
On en déduit : V =  1 +  . V
Ve

 R
2 En choisissant R1 = R2 = R0, on obtient VS = – (V1 + V2).
S E
Vs 1 Toujours pour compenser les effets des courants d’entrée, il est conseillé de relier l’entrée non
R1
Le gain est positif et toujours supérieur à 1. inverseuse à la masse par une résistance RP = (R0 // R1 // R2).
Avec un amplificateur opérationnel idéal l’impédance d’entrée Ce montage est souvent utilisé comme « mélangeur » de signaux.
Fig.7
du montage est infinie.
♦ Si la tension d’entrée VE est trop grande, il y aura saturation de la sortie : la relation
précédente n’est valable que si VS < VSat.
♦ La fréquence du signal d’entrée doit être inférieure à une fréquence limite qui est fonction 5.3 – Intégrateur idéal
du gain. Par exemple avec un amplificateur de produit gain-bande passante égal à 20 MHz, et Le signal d’entrée est VE(t). Dans le modèle idéal, VA = 0 ; donc : i(t) = VE(t)/R
un rapport R2/R1 égal à 100, la fréquence de coupure sera voisine de 200 kHz. Le courant dans le condensateur est :
R'
i(t) = – C.dVS/dt
R C
dVS 1
‰ Circuit suiveur A
u(t) =− VE
– dt RC
La sortie est reliée à l’entrée inverseuse. Comme ε = V+ – V– = 0, VE = V+ = V– i(t)
+ Par intégration, on tire :
+
VS = VE : le gain est unitaire. Ve(t)
Vs 1
t
+,
VS = K −
-
VE (θ). dθ
En première analyse ce montage ne présente aucun intérêt mais on
Ve – constate que son impédance d’entrée ZE est très grande et son Fig. 11 RC 0
Vs impédance de sortie ZS très faible. La sortie ne prélevant aucune En fait, ce montage ne fonctionne pas correctement : le faible courant d’entrée de
puissance sur le circuit d’entrée ne perturbe pas celui-ci. l’amplificateur produit dans R une chute de tension qui est elle aussi intégrée : la sortie se
Ce montage constitue un adaptateur d’impédance de gain unité. sature car le condensateur reste chargé. Pour obtenir une intégration satisfaisante, on peut
Fig. 8
placer une résistance R’ en parallèle sur C afin de permettre l’écoulement de son courant de
5 – Utilisation de l’entrée inverseuse décharge. Cette résistance doit être assez grande pour ne pas perturber l’intégrateur mais pas
trop pour pouvoir jouer son rôle. En pratique on prend R’ ≈ 10.R.
5.1 – Multiplicateur
Pour compenser les effets des courants d’entrée, on relie l’entrée non inverseuse à la masse 5.4 – Dérivateur idéal
par une résistance R3 = R1 // R2. Le courant qui circule dans cette résistance étant très faible, Par permutation du condensateur et de la résistance, on obtient un dérivateur.
le potentiel de l’entrée + est celui de la masse. Le potentiel du point A est également nul car Le courant dans le condensateur est :
C A
V+ = V– , mais l’impédance entre le point A et la masse n’est pas nulle. On dit que ce point est R' R i(t) = dQ(t)/dt = C.dVE(t)/dt
une masse virtuelle. i(t) – C’est aussi le courant qui circule dans la résistance R :
I1 I1 = (VA – VS)/R2 I0 = (VE – VA)/R1 VS(t) = –R.i(t)
A +
R1 R2 Le courant vers l’entrée – est nul donc : I0 = I1 Ve(t) dV ( t )
Comme VA = V+ = 0, on tire : Vs Donc :VS ( t ) = − RC. E
I0 – dt
R Fig. 12
+ I0 = VE/R1 = – VS/R2 ⇒ VS = − 2 VE
Ve R1 La tension de sortie est proportionnelle à la dérivée de la tension d’entrée. En pratique, R
Vs Le gain est négatif. Il y a un déphasage de π entre l’entrée
R3
et C sont choisis en fonction de la fréquence du signal pour obtenir un gain compris entre 0,1
et la sortie en régime sinusoïdal. et 10. Ce montage est insensible à la dérive mais il a tendance à osciller en haute fréquence.
Fig. 9
Le courant d’entrée du montage étant I0, l’impédance Pour y remédier, on peut placer une résistance R’ en série avec le condensateur (R’ < R/10)
d’entrée est égale à R1. qui limitera le gain aux fréquences élevées et donc les possibilités d’oscillation.

5.5 – Convertisseur tension-courant

On utilise le fait que les courants qui circulent dans la résistance R et dans une charge,
5.2 – Sommateur placée entre A et la sortie, sont identiques. VA = 0 ⇒ I = VE /R
Si l’amplificateur opérationnel est idéal le courant dans RP est nul et V– = V+ = 0
103 104
 Ce courant est donc indépendant de la nature et de la capteur, ce dispositif permet de commander en mode tout ou rien un actionneur relié à la
A I
R Charge valeur de l’impédance de la charge. Le montage est sortie de l’amplificateur.
équivalent à un générateur de courant commandé par Des amplificateurs opérationnels sont conçus de manière spécifique pour cette application
–
une tension. La réalisation pratique d’un tel qui nécessite des temps de montée aussi petits que possible.
+ convertisseur s’écarte souvent de ce schéma de principe
Ve Vs
car le courant de sortie de l’amplificateur opérationnel 7.2 – Comparateur à hystérésis ou trigger3 de Schmitt
Fig. 13
est limité. VRef est un potentiel constant qui sert de référence. La sortie est reliée à l’entrée non
R R inverseuse par la résistance R2 : la réaction est donc positive.
Ve Pour ce montage, nommé source de Howland, montrer
– I I = (VS – VRef)/(R1 + R2)
que si les 4 résistances R sont égales, le courant dans la R1 R2
+ A VA = VRef + R1.I
charge est égal à : VRef
R R + VA = VRef + (VS – VRef).R1 /(R1 + R2)
Charge I = – VE /R
On fait croître VE à partir d’une valeur très négative. Au
Fig. 14 R3 –
B départ, on a donc : VS = + U
Vs
V+ = VA = VRef + (U – VRef).R1 /(R1 + R2).
5.6 – Convertisseur courant-tension Ve
Quand le potentiel de B devient supérieur à celui de A, la
R On relie le point A à un générateur de courant Fig. 18 tension de sortie devient – U.
I A
d’intensité I. On a donc :
– Il existe donc une tension de seuil V1 au-delà de laquelle le système change d’état.
VS = – R.I
+ V1 = VRef + (U – VRef).R1/(R1 + R2). On fait ensuite décroître VE à partir d’une valeur positive.
Vs Le montage se comporte en générateur de tension
Initialement, on a : VS = – U.
Fig. 15 commandé par un courant. VS +U Comme précédemment, on a basculement du système pour
Un tel montage peut être utilisé pour amplifier le courant d’une photodiode. une tension de seuil V2 ≠ V1 telle que :
6 – Amplificateur différentiel VE V2 = VRef – (U + VRef).R1 /(R1 + R2).
A cause des problèmes de saturation il est impossible d’utiliser directement un amplificateur V2 V1 Les valeurs des deux tensions de basculement étant
opérationnel comme amplificateur différentiel. On utilise souvent le montage de la figure 16. –U différentes, on dit que le système présente un hystérésis.
Comme il n’y a pas de courant prélevé par l’entrée non Fig. 19
R1 R2
A inverseuse, R1 et R2 constituent un diviseur de tension idéal
V1 – pour la tension V2 : I0 = V2 /(R1 + R2).
On tire :V+ = V2.R2 /(R1 + R2). De même, on a :
R1 +
ˆ
APPLICATIONS
I = (VS – V–) /R2 = (V– – V1)/R1
Vs ♦ Avec un comparateur simple, si la tension d’entrée fluctue, le système bascule un
V2 R2 VS /R2 = V–/R2 + V–/R1 – V1/R1
Ve
fig. 16 VS R1 + R 2 R2 V R2 Seuil haut
= .V2 . − 1 ⇒ VS = (V2 − V1 ) V1
R2 R1.R 2 R1 + R 2 R1 R1 Seuil unique

Les impédances vues par les deux générateurs sont égales à R1 + R2. Seuil bas
V2
7 – L’amplificateur opérationnel en régime de saturation t
7.1 – Comparateur simple Fig. 20
Envisageons un amplificateur dont l’entrée – est au potentiel V0. certain nombre de fois avant de se figer dans un état. Avec un comparateur à hystérésis, le
On sait que VS = µ.(v + – v –) système n’oscille pas si l’écart entre les seuils est supérieur à l’amplitude des fluctuations
+
Le gain est très grand (µ > 105) du signal d’entrée.
Pour un écart très faible entre les potentiels Ve –
♦ Si la tension d’entrée est un signal sinusoïdal d’amplitude suffisante, la tension de
des deux entrées, on aboutit à la saturation V0 Vs
sortie est un signal rectangulaire d’amplitude 2U.
de la sortie. Fig. 17
Si V+ > V– ⇒ VS = + VSat ≈ +U et si V+ < V– ⇒ VS = – VSat ≈ –U 7.3 – Multivibrateur astable
Si les entrées ne sont pas à des potentiels très voisins la sortie est saturée.
L’écart entre les tensions de saturation positive et négative est fonction de la structure interne On réalise le circuit de la figure 21 dans lequel R2 introduit une réaction positive.
de l’amplificateur opérationnel utilisé. Cet écart, qui est en général faible, sera dans la suite L’amplificateur fonctionne donc en régime de saturation.
négligé.
Selon que la tension VE est supérieure ou inférieure à la tension de consigne V0 , le
potentiel de la sortie est ± U. Le comparateur est utilisé dans de nombreux montages en
particulier dans les asservissements. Si le signal d’entrée est une tension générée par un 3
Trigger : gachette, détente, déclencheur. Ce montage s’appelle également bascule de Schmitt.
105 106
 I R.I = VE – VS = VE – 2.VE = – VE
R1 R2 On en déduit : VE = – R.I
A
+ VA L’impédance présentée par le circuit correspond à une résistance de valeur – R.
VB Ceci traduit le fait que le circuit fournit de l’énergie au montage auquel il est connecté. Une
–
B résistance positive consomme de l’énergie.
C Vs
R3
I' Fig. 21 8.2 – Multiplicateur de capacité
On suppose que l’amplificateur opérationnel est idéal.
ˆ
Principe du fonctionnement
Si VA > VB , on a : VS = + U. Le condensateur C se charge à travers R3. Le potentiel du R2
VA = VB = 0
point B croît jusqu’à la valeur VA (R1 et R2 forment un pont diviseur), puis le montage I I–i VE = i/jC ω VS = – R1.i
C
bascule et alors VS = – U. R1 VS = – jR1.C ω.VE
A
Le potentiel de A devient négatif et donc : VA < VB. Le condensateur se décharge à travers –
De plus : VE – VS = R2.(I – i)
i
R3. VB décroît jusqu'à ce qu’il devienne inférieur à VA et le montage bascule à nouveau. Le La valeur du courant d’entrée est donc :
Ve
système oscille indéfiniment entre ces deux états (astable) avec une période fonction des B + I = i + (I – i) = jCωVE + (VE – VS)/R2
valeurs des éléments du circuit. Vs I = jCωVE + VE/R2 + jR1.C ωVE/R2
Fig. 23

 1 + jCω1 + R  
ˆCalcul de la période
On suppose que initialement VS = + U
I = VE .  R  R  1

 
2 2

VA = VS.R1/(R1 + R2) (a) 1 R

R3.I’ = VS – VB = R3.C.d(VB)/dt (b)
On en déduit la valeur de l’admittance d’entrée :YE =
R2
+ jCω. 1 + 1
R2  
La solution générale de l’équation (b) est : VB = K.exp(– t/τ) avec τ = R3C
Une solution particulière est : VB = VS = +U
) Ce circuit est équivalent à une résistance R 2 en parallèle avec un condensateur dont la
capacité vaut C' = C.(1 + R1/R2). Il permet de simuler une capacité de grande valeur.
La solution générale est donc : VB = +U + K.exp(– t/τ)
On prend comme origine des temps, l’instant où le système a basculé ; en t = 0 on a : 8.3 – Simulateur d’inductance
VB(0) = – VA = – U.R1/(R1 + R2) Par rapport au montage précédent, on permute C et R1
K = VB(0) – U = – U.[1 + R1/(R1 + +R2)] = – U.(2.R1 + R2)/(R1 + R2) VA = VB = 0
2 R + R 2 − τt R2 I = i + (I – i)
I I–i
VB = U − U 1 e C VE = R1.i VS = – i/jCω
R1 + R 2 R1
A
En t = 0 : VB = – U.R1/(R1 + R2) ; VB croit jusqu’à t = t1= T/2 pour atteindre la valeur VS = – VE/jC.ω.R1
i – VE – VS = R2.(I – i)
VB = + U.R1/(R1 + R2)
Ve I = i + (I – i). = VE/R1 + (VE – VS)/R2
U.R1/(R1 + R2) = U – U.[(2.R1 + R2)/(R1 + R2)].exp(– t1/τ) B +
On en déduit la valeur du courant I.
[(2.R1 + R2)/(R1 + R2)].exp(– t1/τ) = R2 /(R1 + R2)
(2.R1 + R2).exp(– t1/τ) = R2 ⇒ exp(t1/τ) = 1 + 2.R1/R2
Vs
 1 + 1 + 1 
t1 = τ.Ln(1 + 2.R1/R2) Fig. 24
I = VE .
 R R jCωR R 
 
1 2 1 2

2R 1 1 1 1 1
L’expression de la période est donc : T = 2 R 3C. Ln 1 + 1
R2   La valeur de l’admittance équivalente est :Ye = + + = +
R1 R 2 jCωR1R 2 r jLω
Ce circuit constitue un oscillateur et génère une tension rectangulaire. Ici encore il importe
d’utiliser un amplificateur opérationnel dont le temps de montée est le plus petit possible. ) Ce circuit est équivalent à une résistance r = (R // R ) en parallèle avec une inductance
1 2
L = C.R1.R2. Il permet de simuler une inductance de grande valeur en utilisant un
8 – Simulation d’impédances condensateur.
8.1 – Résistance négative
Dans le circuit, R1 introduit une réaction négative et 9 – Oscillateur sinusoïdal
I'
R1 R1 R une réaction positive. Dans un amplificateur de gain H soumis à une réaction positive d’amplitude K, la fonction
A Soient VE et I les tension et courant d’entrée.
– de transfert est (formule de Black) H’ = H/(1 – KH). Si KH = 1 alors H’ est infini. La tension
I B
VE – VS = R.I de sortie n’est pas nulle même si la tension d’entrée l’est.
+ VE = V+ = V– = R1.I’ On peut aussi considérer que : VS = VE = KHVS
Vs
Ve R Or VS = 2.R1.I’ Cette équation admet comme solutions :
Fig. 22 Donc VS = 2 VE VS = 0 ou KH = 1.
107 108
Si cette condition n’est satisfaite pour une seule fréquence, on obtient un oscillateur On pose H0 = –R2/R1 et ωc= 1/R2.C
sinusoïdal. Le gain doit être ajusté pour que l’on obtienne la compensation exacte des pertes R2 H = H0/(1 + jω/ ωc) = H0/(1 + jx)
introduites par la cellule de réaction. Un gain plus élevé entraînerait la saturation de
l’amplificateur et un gain plus faible l’arrêt des oscillations. R1 Ce circuit constitue un filtre passe-bas dont le gain est :
A C
– H0
ˆ Oscillateur à pont de Wien G= H =
L’impédance présentée par C en parallèle avec R est : Z = R/(1 + jR.C.ω) + 1 + ( ω / ωC )2
Ve(t)
V1 = R2.I V2 = (R1 + R2).I ⇒ V2/V1 = (R1 + R2)/R2 Vs Sa fréquence de coupure (H = H0/ 2 ) est ωC. Si la résistance R2
On suppose qu’une tension sinusoïdale apparaît dans le circuit. Aux bornes du quadripôle de est trop grande, le montage se comporte alors en intégrateur
réaction, on a alors : (cf § 5.3).
A
+ ˆEXEMPLE DE FILTRE DU SECOND ORDRE (SALLEN ET KEY)
R
– C L’amplificateur est monté en suiveur : VA = VS
B
I' L’application du théorème de Millman en A et B donne :
 
C
R1 R R R + Vs VB 1 1
 
Fig. 25
V1 V2 C V1 B
A = VS + et
I – R R ZC
 2 + 1  = V + V + V
R2
Ve(t) C

R Z  R R Z
E S S
VB
 1 + R  .I'
V = R +
R. I ' C C
2
 jCω 1 + jRCω  V1 =
1 + jCωR
On en déduit :
Fig. 27
VS
=
1
. En posant ω0 = 1/RC et x = ω/ω0, on tire :
1 R 1 + jCωR R VE 2R R2
R+ + + 1+ + 2
V2 jCω 1 + jCωR jCω 1 + jCωR ZC ZC
= =
V1 R R 1 1
H( jω) = soit : H =
1 + jCωR 1 + jCωR (1 + jx ) 2 1 + x2
V2 1 − R 2C2ω 2 + 3 jRCω C’est donc un filtre passe-bas du second ordre dont les deux pôles sont identiques. En
= permutant les deux résistances et les deux condensateurs on obtient un passe-haut. En
V1 jRCω
permutant un condensateur et une résistance on obtient un passe-bande. Pour obtenir des
Il y aura apparition d’oscillations si : filtres d’ordre plus élevés, on met plusieurs cellules (dont les fréquences de coupure sont
R 2 + R1 1 − R 2C2ω 2 + 3 jRCω 1 − R 2 C2 ω 2 différentes) en cascade.
= = 3+
R2 jRCω jRCω Cliquez ici pour visualiser le fonctionnement du circuit.
En identifiant les parties réelles et imaginaires, on tire : On peut donner un gain à ce filtre en modifiant la rétroaction.
R1 = 2.R2 et (1 – R²C²ω²) = 0 On pose k = (R1 + R2)/R2. Un calcul analogue au
Si la 1e condition est satisfaite, le système oscille avec la pulsation ω = 1/RC. C
précédent donne, pour la fonction de transfert,
Si le gain est insuffisant l’oscillation cesse ; s’il est trop grand, il y a saturation. En R R + Vs l’expression :
pratique, on utilise pour la résistance R2 un élément non linéaire dont la résistance croît avec – k
le courant qui la traverse afin de stabiliser le gain. Si V2 croît, le courant i croît ainsi que R2 ce Ve(t) C
R1 H( jω) =
1 − x ² + j.x (3 − k )
qui induit une diminution de V2. R2
Selon la valeur de k le comportement du filtre est
10 – Filtres actifs modifié.
Fig. 28
Les filtres réalisés à partir de dipôles passifs introduisent une atténuation du signal. – Si k = 1,586, on a la même réponse (plate avant la coupure) que pour le circuit
L’emploi des amplificateurs opérationnels permet de réaliser simplement des filtres RC actifs précédent. (type Butterworth)
dont les caractéristiques sont équivalentes à celles des filtres LC passifs. Il existe un nombre – Si k < 1,586, le déphasage varie linéairement avec ω. (type Bessel)
considérable de filtres actifs différents classés selon la forme de leur fonction de transfert en – Si k > 1,586, la coupure est plus marquée mais il y a des oscillations avant celle-ci.
filtres de Butterworth, de Tchebychev, de Bessel ... Des ouvrages entiers sont consacrés à leur (type Tchebychev)
étude. Nous examinerons seulement quelques exemples simples.
ˆEXEMPLE DE FILTRE DU PREMIER ORDRE 11 – Générateur de fonctions
Soient ZC l’impédance complexe du condensateur et Z2 l’impédance qui relie le point A et la De nombreux circuits peuvent être considérés comme des blocs fonctionnels associables en
sortie : Z2 =R2ZC/(R2 + ZC) = R2/(1 + jR2C ω) cascade. Comme exemple examinons le principe des générateurs de fonctions qui sont des
La fonction de transfert est donc (cf § 5.1) : H = – R2/R1(1 + jR2C ω) montages produisant au moins deux formes d’ondes différentes.
109 110
 V1 +U d’exercice l’étudiant est invité à reprendre les démonstrations en utilisant d’autres méthodes
R2
que celles qui ont été utilisées.
R1 C Toutefois le modèle de l’amplificateur idéal connaît des limites principalement pour les
A + –U
R – hautes fréquences. Il faut alors utiliser les formules générales et les calculs deviennent souvent
– u+
V V1 + complexes même pour des montages simples.
Vs
VS u– THEOREME DE MILLMAN ET AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS
Fig. 29
Le premier amplificateur monté en bascule de Schmitt produit une tension rectangulaire et L’utilisation du théorème de Millman permet souvent d’obtenir rapidement la solution des
problèmes relatifs aux amplificateurs idéaux. Il convient toutefois de l’appliquer correctement !
le second, monté en intégrateur génère une tension triangulaire.
R1 R2
La tension de sortie V1 de la bascule est ± U. Il circule dans les résistances R1 et R2 un courant
I = (V1 – V)/(R1 + R2). La chute de tension dans la résistance R1 est donc : VA – V = R1.(V1 – R R
V)/(R1 + R2). La bascule change d’état quand le potentiel de A s’annule donc pour des
valeurs V = u + = U.R1/R2 et V = u – = – U.R1/R2. B A R1 C
Lorsque la sortie de la bascule est au niveau bas (– U), l’intégrateur délivre une rampe linéaire V1 Is
VS
croissante. Quand la tension atteint la valeur u +, elle provoque le basculement du trigger qui
voit sa sortie passer au niveau haut. L’intégrateur génère une rampe décroissante jusqu'à la
Fig 32
valeur u – où un nouveau basculement se produit.
V1 / R + VA / R
Au point B, il est légitime d’écrire que VB = car les courants d’entrée dans
12 – Amplificateur d’instrumentation 2/R
Les constructeurs proposent maintenant des amplificateurs monolithiques intégrés dont la l’amplificateur sont négligeables.
structure interne est donnée par la figure 30. Par contre, il ne faut pas oublier de tenir compte du courant de sortie qui lui n’est pas négligeable.
Ce sont des amplificateurs différentiels qui Ainsi l’écriture correcte du théorème au point A est :
E1 + R0 R0
présentent l’avantage d’avoir une impédance V / R + VC / R1 + Is
–
VA = B
R1 d’entrée très grande. On pourra comparer avec le 1 / R + 1 / R1
montage du § 6. L’utilisation du théorème de Millman à la sortie d’un amplificateur opérationnel ne donnera en
–
RG général aucune information exploitable car le courant de sortie n’est pas connu à ce stade du calcul.
Montrer que la tension de sortie est donnée par la
+ S
relation suivante :
–
R2 R0 R0
 R1 + R 2  1E − E 6
E2 +
Fig 30 
VS = 1 +
RG  2 1

13 – Redresseur sans seuil

Considérons le montage de la figure 31. Si la diode est polarisée en inverse, sa résistance
est si grande que l’amplificateur fonctionne en boucle ouverte : si la tension d’entrée est
négative, la tension de sortie est négative et égale à –Vsat. Dès que la tension d’entrée devient
positive, la tension de sortie tend vers +Vsat
Vs Lorsque que sa tension de seuil est dépassée,
R1 R2 la diode conduit et sa résistance devient
– petite : le montage se comporte alors comme
Ve
un amplificateur de gain égal à : 1 + R2/R1.
Ve +
Vs La fonction de transfert totale du système
–Vsat (courbe grisée) est celle d’un redresseur
Fig. 31
simple alternance avec gain mais sans seuil :
la tension de seuil de la diode est en effet divisée par le gain en boucle ouverte de
l’amplificateur.

Conclusions
Nous avons présenté une liste non limitative d’applications des amplificateurs
opérationnels. Avec le modèle de l’amplificateur idéal les calculs sont simples. A titre

111 112
 Ic
E
Rc (Charge)
Polarisation E/2Rc A
Chapitre 16: L’amplification de puissance et signal

E/2 E
Vce
Fig. 3
1 – Puissance, rendement
ˆ Puissance utile dissipée dans la charge
La finalité des amplificateurs est la commande d’un actionneur (haut-parleur, moteur, in-
En régime sinusoïdal, la tension v(t) et le courant i(t) de sortie s’écrivent :
ductance, résistance ...) sans déformation du signal appliqué en entrée.
v(t) = E/2 + VS.sin ωt ; i(t) = E/2.RC + VS/RC.sin ωt
Dans l’étude d’un amplificateur de puissance, il faudra souvent faire des compromis entre
La puissance dissipée dans la charge est donc :
la recherche de la qualité de la reproduction et des considérations économiques (coût,
T
1 ⌠ ⎛E ⎞⎛ E ⎞
T
rendement). Dans cette présentation des principes de l’amplification de puissance, nous nous 1⌠ V
limiterons à l’étude de charges ohmiques pures. Pu = ⎮ v( t ).i( t ).dt = ⎮ ⎜ + VS . sin ωt ⎟⎜⎜ + S sin ωt ⎟⎟dt
T ⌡0 T ⌡0 ⎝ 2 ⎠⎝ 2R C R C ⎠
ˆ Rendement d’un amplificateur PU = E²/4.RC + VS²/2.RC
L’alimentation du montage fournit une puissance totale PF qui se répartit entre la puissance
utile PU dissipée dans la charge et PD dissipée, en pure perte, dans l’amplificateur. La Le premier terme est constant et seul le second terme contient une information. L’expression
puissance PC, fournie par le circuit de commande, est en général négligeable devant celle de la puissance utile est donc :
provenant de l’alimentation. V2
Pu = S
On peut définir : 2. R C
Alimentation
– La puissance moyenne utile : ˆ Puissance fournie par l’alimentation
Pf T
1 ⌠T
Pu = ⌠
1 Le courant délivré par l’alimentation est le courant de sortie i(t).
Pc ⎮ pu ( t ).dt = ⎮ v.i.dt
T ⌡0
T
Commande Amplificateur Pu Utilisation T ⌡0 1⌠
T
1⌠ ⎛ E V ⎞ E2
– Le gain en puissance : Gp = PU/PC Pf = ⎮ E.i( t ).dt = ⎮ E⎜⎜ + S sin ωt ⎟⎟dt =
Pd T ⌡0 T ⌡0 ⎝ 2R C R C ⎠ 2 RC
– Le rendement : η = PU /(PC + PF)
Fig. 1 ˆ Puissance dissipée dans le transistor
η ≈ PU /PF
C’est la différence entre la puissance fournie par le générateur et la puissance dissipée dans
2 – Classes de fonctionnement la charge.
PT = PF – PU = E²/2RC – VS²/2.RC
Soient un transistor et sa droite de charge. Selon la position du point de repos, on définit On constate que la puissance dissipée dans le transistor est maximale en l’absence de signal.
des classes de fonctionnement différentes.
ˆ Rendement utile
Ic Classe A : Lors du fonctionnement, il n’y a ni saturation ni C’est le quotient de la puissance utile par la puissance fournie par l’alimentation.
blocage. Le point de repos idéal est le point A situé au milieu
η = VS²/E²
de la droite de charge.
A Classe B : Le transistor est conducteur pendant exactement Or l’amplitude maximale de la tension de sortie est VS = E/2. Pour éviter la distorsion en
une demi-période. Le point de repos idéal est le point B tel que sortie, il faut toujours rester en deçà de cette valeur. Donc pour ce type d’amplificateur on a :
B IC = 0 et VCE = E. η ≤ 25%
AB
Classe AB : En pratique, il est difficile d’obtenir un fonction- La conception des amplificateurs classe A est simple et leurs performances sont excellentes
Vce
nement en classe B, c’est-à-dire avec un courant de repos ri- surtout au niveau de la linéarité et de la distorsion mais leur rendement est très mauvais.
Fig. 2 goureusement nul. Il est plus simple de polariser le transistor L’utilisation d’un transformateur de sortie permet de doubler le rendement car il n’y a plus de
en maintenant un léger courant collecteur au repos (point AB). signal continu dans la charge mais introduit d’autres problèmes (bande passante, saturation du
Classe C : Dans cette classe de fonctionnement, le transistor est conducteur pendant moins transformateur).
d’une demi-période.
4 – La classe B
3 – La classe A avec une charge résistive 4.1 – Principe
Avec un montage émetteur commun et une charge purement ohmique, le point de fonc- On utilise une paire de transistors complémentaires, c’est-à-dire un transistor de type NPN
tionnement idéal est situé au milieu de la droite de charge. et un de type PNP de même gain, en montage collecteur commun. On se limite ici à l’étude de
Le courant de repos est I = E/2.RC et la tension de repos est VCE = E/2.

113 114
l’étage final de l’amplificateur. L’amplification en tension du signal initial est assurée par des Si I1 et I2 sont les courants de collecteur des deux transistors, la puissance fournie par
étages situés en amont. l’alimentation est : PF = E.I1 – E.I2

1 ⎧⎪⌠ 2 VS ⎫⎪ E.VS 2 2. E.VS

T
T1 Ic T
⌠ VS
E Transistor T1 PF = ⎨⎮ E. sin ωt. dt −⎮T E. sin ωt. dt ⎬ = =
T ⎪⎩⌡0 R ⌡2 R ⎪⎭ R. T ω π. R
Ru
RG Le rendement est donc égal a :
E Ib Vce VS2 π. R π. VS
EG T2 η= =
B 2. R 2. E. VS 4. E
Il est maximal lorsque VS atteint sa valeur maximale VS = E
Fig. 4 Vbe Le rendement maximal en classe B est donc : η = π/4 ≈ 78,5 %
Les deux transistors sont polarisés, par le dernier étage amont, pour obtenir un courant de A puissance de sortie égale, ce montage permet d’utiliser des transistors moins puissants
repos nul (point B). Chaque transistor est donc bloqué pendant une demi-période : T1 n’est que ceux nécessités par un montage en classe A.
conducteur que pendant les alternances positives de la tension d’entrée. Il est donc nécessaire
d’utiliser deux transistors complémentaires avec deux alimentations continues symétriques par 4.3 – Distorsion de croisement
rapport à la masse. Le courant qui circule dans la charge est fourni alternativement par les
deux transistors. Vs Les jonctions émetteur base ne sont passantes que
+E
Ce montage est connu sous le nom de « push-pull1 ». si la tension d’entrée est supérieure à leur tension de
seuil.
Pour augmenter le gain en puissance, on peut utiliser une paire de transistors Darlington Transistor T1 En réalité, la caractéristique de transfert VS = f (eG)
complémentaires. présente un palier. VS est nul pour les tensions
Vs Soient β1 et β2 les gains en courant des deux transis- Transistor T2
d’entrée inférieures à la tension de seuil. En sortie, il y
Saturation
+E tors. Classe C
a une déformation importante du signal car au
T1 est conducteur quand eG est > 0. Il est bloqué pour voisinage du point de repos, le système fonctionne en
–E Fig. 6
les tensions d’entrée négatives et saturé si VS > E. classe C. Ceci correspond à la distorsion de
Transistor T1
Blocage IC = β1.IB et VS = RU.IS ≈ RU.IC croisement. Compte tenu de la valeur de la tension de seuil (≈ 0,7 V), la distorsion est très
Transistor T2 t eg V S = RU.(β 1 + 1).IB importante, ce qui interdit un fonctionnement en classe B pure.
n
ére En entrée, on a :
diff
Ga
in – eG + RG.IB + VBE + RU.IS = 0 R1 T1 Le montage ci-dessous donne le principe d’un autre mode de
–E Fig. 5 En négligeant VBE, on tire : polarisation qui permet de supprimer ce type de distorsion. On
– eG + RG.IB + RU.(β + 1).IB = 0 E utilise deux diodes dont les tensions de seuil V0 sont égales à la
Ru tension de seuil VBE0 des transistors. Les résistances R1 et R2
IB ≈ eG/(Ru.β1 + RG)
VS = eG – RG.IB ont des valeurs assez petites pour que les diodes soient
Le montage étant un collecteur commun, on a pour les alternances positives : polarisées par un courant important, ce qui place leur point de
E fonctionnement dans la zone linéaire et cela pour toute valeur
β1R U R2 T2
VS ≈ eG Fig. 7 de la tension d’entrée comprise entre ± E.
β1R U + R G
Les diodes restent en effet conductrices si le courant qui les
T2 est conducteur pendant les alternances négatives (eG < 0). On tire de même : traverse reste positif. On modifie ainsi le point de polarisation des transistors qui conduisent
β2 R U pour une tension d’entrée pratiquement nulle.
VS ≈ eG
β2 R U + R G Ces conditions de fonctionnement sont difficiles à ob-
E tenir et, en pratique, on utilise des diodes dont la tension
Les deux transistors doivent avoir le même gain β pour que les caractéristiques de transfert de seuil est supérieure à celle des transistors. Ceux-ci sont
aient la même pente et que l’amplification des deux alternances soit symétrique. Si cette T1 Ru donc toujours passants et présentent un faible courant de
condition est effectivement réalisée, le signal d’entrée est reproduit sans distorsion. + repos I0 (fonctionnement en classe AB). Dans la charge,
VS ces courants sont opposés et on doit ajuster R1 pour que le
4.2 – Rendement en classe B VE E courant de repos dans RU soit nul.
T2
Le courant dans la charge est : IS = VS/RU Fig. 8 Une autre méthode utilisée pour annuler les effets de la
La puissance utile est donc : PU = VS²/2.RU distorsion de croisement consiste à utiliser un amplificateur opérationnel avec une contre-
réaction totale.
1
To push : pousser ; to pull : tirer. Evoque un mouvement de balancement.

115 116
 Dans ce montage, le gain s’ajuste pour maintenir l’égalité des tensions d’entrée et de sortie
et cela même pour des tensions d’entrée très faibles. Cette contre-réaction énergique de
l’amplificateur opérationnel permet une réduction pratiquement complète de la distorsion de
croisement.
Chapitre 17: Le transistor en commutation
4.4 – Montage à condensateur
Les montages précédents utilisent tous une alimentation
1 – Principe
R1 T1 double. Ce mode d’alimentation n’est pas toujours possible et On considère un transistor branché en émetteur commun avec une polarisation par
d’un point de vue économique il est plus avantageux de résistance de base RB. Un inverseur (figure 1-a) permet de relier la résistance RB soit au
travailler avec une alimentation unique. Le montage suivant générateur E soit à la masse.
Ru
C qui utilise un condensateur en série avec la charge est très
E utilisé. En effet, si on place un condensateur de forte valeur en
série avec la charge, celui-ci se comporte pendant les Ic
alternances positives comme un récepteur de tension et se Rc E E

E/Rc
R2 T2 B
charge à la tension E/2. Pendant les alternances négatives du
C C
signal ce condensateur restitue l’énergie emmagasinée et se B E E 0
Fig. 9 comporte comme un générateur de tension de f.e.m. E/2. Vs
Rb
E M A Vce
4.5 – Amplificateurs intégrés Fig. 1 Fig. 2 E Fig. 3

Les fabricants offrent un large choix d’amplificateurs de puissance intégrés dont les
performances sont très satisfaisantes et dont la mise en œuvre est simple car seul un petit
nombre de composants périphériques est nécessaire.
14 V A titre d’exemple, la figure 10 reproduit un schéma
100 µF d’application du circuit TDA 1020 qui permet de fournir
10 k
Les équations des droites d’attaque et de charge (figure 1-b) sont :
VBE = E – RB.IB (≈ 0,6 V) ⇒ IB = (E – VBE)/RB ≈ E/RB et VCE = E – RC.IC
On peut en déduire la position du point de fonctionnement du montage en fonction de
l’intensité du courant base. La tension de sortie est VCE = VS.
ˆ En régime amplificateur, on place le point de fonctionnement au milieu de la droite de

– 1 mF
une puissance de 7 W dans une charge de 4 Ω. La structure
4 Ω interne de l’étage final correspond à celle décrite au § 4.4.
+ 2,7 Ω
Les condensateurs de 0,1 µF et de 100 µF sont des
0,1 µF 0,1 µF condensateurs de découplage en basse fréquence et la
Fig. 10 chaîne 2,7 Ω - 0,1 µF est un réseau de compensation en
fréquence.
REMARQUES
♦ Les circuits réels sont en général plus complexes que les schémas de principe qui ont été
décrits ici. Ainsi on ajoute souvent des circuits électroniques de protection car un court-circuit
au niveau de la charge entraîne la destruction immédiate des transistors de puissance par
emballement thermique. Une protection par fusible est illusoire car la durée nécessaire à sa
coupure est trop grande pour empêcher la destruction du transistor.
♦ Dans les circuits de puissance, il faut maintenir la température des jonctions des transistors
de l’étage final à des valeurs inférieures à 180°C. Lors de la fabrication le collecteur est placé
en contact thermique étroit par brasure avec le boîtier métallique du transistor. De plus les
transistors de puissance sont fixés sur des radiateurs qui sont refroidis par convection naturelle
ou forcée.
charge (point C). La relation IC ≈ β.IB permet de déduire le courant collecteur de la valeur
du courant base et 0 < VS < E.
ˆ Si le courant base est nul, le courant collecteur est nul (IC ≈ β.IB) et VS = E (point A). Le
transistor est bloqué.
– La base contient alors un excès de porteurs minoritaires.
ˆ Si le courant base est très intense, le courant collecteur est élevé mais il ne peut dépasser la
valeur ICMax = E/RC : quand on fait croître IB au-delà de la valeur IBMax = E/β.RC , la tension
VCE devient très faible (point B). Elle est comprise entre 20 mV et 200 mV selon l’intensité
du courant base.
– La base est alors saturée en porteurs majoritaires et la relation IC ≈ β.IB n’est plus valide.
La jonction base collecteur est alors polarisée en direct (VBC = VBE + VEC est voisin
de 0,6 V – 0,2V = 0,4 V). On dit que le transistor est saturé.
Cette condition est satisfaite quand la valeur de la résistance de base RB est inférieure à
β.RC. Pour un transistor saturé, on a :
RB < β.RC VS ≈ 0 IC ≈ E/RC
Un transistor fonctionne en régime de commutation quand son courant base est soit très
faible (transistor bloqué) soit très intense (transistor saturé). Vis-à-vis du générateur et de la
résistance de collecteur, le transistor saturé se comporte comme un interrupteur fermé et le
transistor bloqué comme un interrupteur ouvert (voir la figure 2). Dans ce type de
fonctionnement, la puissance P = VCE.IC dissipée dans le transistor est toujours faible.
La durée de la commutation entre les deux états dépend du temps nécessaire à l’écoulement
des porteurs en excès dans la base. Les transistors utilisés en commutation sont conçus pour
que cette durée soit la plus faible possible.

117 118
INVERSEUR LOGIQUE : Si l’entrée du montage (résistance RB) est reliée à E, la tension de sortie
VS est nulle. Si l’entrée est reliée à la masse, VS = E. Si l’on convient de désigner par « 0 »
une tension nulle et par « 1 » une tension égale à E, on constate que le montage étudié
constitue un inverseur logique.
Nous allons étudier plusieurs fonctions de base de l’électronique réalisées avec des
transistors fonctionnant en régime de commutation. Ces montages qui ont deux étages couplés
par réaction positive possèdent deux états. Selon la nature du couplage, on distingue :
♦ Le bistable ou bascule : les deux états sont stables.
♦ Le multivibrateur astable : les deux états sont instables.
♦ Le monostable : seul un état est stable.
Aujourd’hui, ces fonctions sont réalisées par des circuits intégrés spécifiques et l’objectif
de cette étude sera surtout didactique. Nous commencerons par rappeler le fonctionnement du
circuit dérivateur.
2 – Circuit dérivateur
On utilise un circuit RC alimenté par une tension en créneaux UE(t).
ˆ Etude analytique
Soient u(t) la tension aux bornes du condensateur et i(t) le courant dans la résistance. On
considère que l’impédance de la charge est infinie.
u(t) Ue – UE + u + R.i = 0
E
C I = dQ/dt = C.du/dt
u + R.C.du/dt = UE
Ue i(t) Us
Us On pose RC = τ. La solution est :
R
u = UE + A.exp(– t/τ)
Fig. 3
US = R.I = R.C.A[ – 1/RC.exp(– t/τ)] ⇒ US(t) = – A.exp(– t/τ)
Pour obtenir la solution générale, on utilise la condition initiale : u(0) = UE + A
♦ La tension d’entrée UE passe de 0 à E.
u(0) = 0 = E + A ; donc : A = – E et US(t) = E.exp(– t/τ)
Après la transition, la tension de sortie décroît de E à 0 avec une constante de temps
τ = R.C
♦ La tension d’entrée UE passe de E à 0
u(0) = E = A ; donc A = E et US(t) = – E.exp(– t/τ)
Après la transition, la tension de sortie croît de – E à 0 avec une constante de temps
τ = R.C.
Pour que le signal de sortie US soit la dérivée du signal d’entrée, il faudrait que ce soit une
impulsion de largeur nulle (pic de Dirac). On s’approche de cette condition en choisissant R et
C pour que le produit R.C soit très inférieur à la période du signal rectangulaire d’entrée. Le
montage donne des impulsions positives sur les fronts montants du signal d’entrée et
négatives pour les fronts descendants.
ˆ Etude qualitative
Pour comprendre le fonctionnement du circuit, il n’est pas indispensable d’effectuer ces
calculs.
♦ La tension d’entrée passe de 0 à E
L’armature d’entrée du condensateur C est au potentiel + E et comme sa charge ne varie
pas instantanément, juste après la transition du potentiel d’entrée, le potentiel de son
armature de sortie est également + E. Le condensateur se charge ensuite rapidement si
RC << T. Le courant dans la résistance s’annule et alors US = 0.
♦ La tension d’entrée passe de E à 0
Avant la transition, le condensateur est chargé. Le potentiel de l’armature d’entrée AE est E
et celui de l’armature de sortie AS est nul. Lors de la transition la charge ne varie pas. Si le
potentiel de AE s’annule, celui de AS devient égal à – E. Ensuite, le condensateur se
décharge rapidement dans R.
3 – Le circuit bistable
Ce circuit possède deux états stables et il faut une intervention extérieure pour changer
d’état. Le circuit bistable est également connu sous les noms suivants : bascule, montage
Eccles-Jordan, flip-flop.
ˆ Schéma du circuit utilisé
Les deux étages du montage de la figure 4 sont en principe identiques. La commande du
bistable peut être assurée par un générateur d’impulsions ou par un générateur rectangulaire
suivi du dérivateur décrit ci-dessus.
ˆ Fonctionnement du circuit
Dans l’état initial, T1 est saturé et T2 est bloqué. Le
U
R C1 potentiel du collecteur de T1 est pratiquement égal à son
R C2
R3 R2 potentiel d’émetteur. Par contre, le potentiel du collecteur
de T2 est égal à U. Les résistances R1 et R2 d’une part et R3
et R4 d’autre part constituent des ponts diviseurs de tension
T1 T2 qui relient la sortie d’un étage à l’entrée de l’autre avec une
Entrée
réaction positive.
Le potentiel de base du transistor T1 est donc : VB1 ≈
R1 RE R4 U.R1/(R1 + R2). Ce potentiel est supérieur au potentiel
d’émetteur VEM de T1 qui est saturé :VB2 ≈
Fig. 4 VEM.R4/(R4 + R3) < VEM
Le transistor T2 ayant le potentiel de sa base inférieur au potentiel de son émetteur est donc
bien bloqué. L’état ainsi obtenu est stable.
Les deux diodes du circuit d’entrée bloquent les signaux positifs.
BASCULEMENT : Si une impulsion négative arrive sur les deux bases, elle bloque T1 et elle est
sans effet sur T2 qui est déjà bloqué. Le potentiel VC1 du collecteur du transistor T1 croît.
Cette variation est transmise par le pont de résistances R1-R2 sur la base de T2 qui se sature. T2
étant conducteur, son potentiel de collecteur devient voisin de VE et le potentiel de la base de
T1 devient inférieur à VE : T1 se bloque et reste dans ce nouvel état même après disparition de
l’impulsion de commande. Un condensateur de découplage permet de maintenir constant le
potentiel de l’émetteur pendant les transitions. Des condensateurs peuvent être placés en
parallèle sur R2 et R3 pour améliorer la vitesse de basculement.
♦ Un bistable conserve l’information qui a été appliquée sur son entrée et constitue
donc une cellule mémoire.
Quand on applique en entrée le signal issu d’un dérivateur commandé par un signal
rectangulaire, seules les impulsions négatives provoquent le basculement du circuit. Le
potentiel de chaque collecteur va être un potentiel rectangulaire ayant une période double de
celle du signal appliqué à l’entrée.
♦ Une bascule constitue également un diviseur de fréquence.

119 120
4 – Bascules à seuil ˆ Fonctionnement
Au temps t1 – ε, on admet que T1 est bloqué et que T2 est saturé. En t1, on suppose que la base
ˆ Objet du montage
de T1 devient légèrement positive : T1 se sature et son potentiel de collecteur diminue
Ce sont des bascules qui changent d’état quand la tension de commande dépasse une
brutalement Une impulsion de tension négative est générée sur ce collecteur. Comme le
certaine valeur qui est la tension de seuil. Le modèle le plus utilisé est le trigger1 de Schmitt.
potentiel VC1 passe de U à 0, le potentiel VB2 passe de VBE (voisin de 0,6 V) à –U + VBE car la
Seule l’entrée du second étage est couplée à la sortie du premier qui reçoit les signaux de
charge Q = C1.U du condensateur n’a pas le temps de varier pendant la durée de la transition.
commande.
Le potentiel de la base de T2 devenant négatif, celui-ci se bloque.
ˆ Fonctionnement du montage U Le potentiel de son collecteur croît vers U.
RC2
Les résistances R1 et R2 constituent un pont de base pour le transistor T2. Les valeurs des R C1 RB2 RB1 Le condensateur C2 se charge à travers RC2 et l’espace base
résistances RC1, RC2 et RE sont choisies pour que T2 soit fortement saturé quand T1 est bloqué C1 C2 émetteur du transistor T1 (qui est alors saturé) avec une
U
(le potentiel de collecteur de T1 est alors voisin de U). constante de temps égale à τ2 = RC2.C2.
Dans l’état initial, qui est l’état stable du système, le T2
R C1 RC2
Le potentiel de la base de T1 reste légèrement positif ce qui
R1 transistor T1 est bloqué et T2 est saturé. La valeur de la T1 Saturé Bloqué assure le maintien de sa saturation.
T2 résistance RC1 est nettement plus petite que celles de R1 et
Entrée T1 Après le blocage de T2, le potentiel de sa base VB2 croît de – U
R2. Soit VE le potentiel commun des deux émetteurs. Fig. 7a
+ VBE à VBE avec une constante de temps τ1 = RB2.C1 car le
V
Dans cet état, la tension de sortie (collecteur de T2 qui est condensateur C1 se charge à travers RB2 et l’espace collecteur émetteur de T1 qui est saturé.
V1 S
saturé) est égale à U0 = VE avec : Quand VB2 dépasse la tension de seuil VBE le système bascule vers son autre état.
VE RE R2 U. R 2
VE = VB2 − VBE ≈ − VBE . Le système oscille en permanence entre ces deux états
R1 + R 2 VC1 U
Fig. 5 instables. La figure 8 représente l’évolution des potentiels
Quand la tension d’entrée V1 dépasse la valeur U0 + VBE, des collecteurs et des bases des deux transistors en fonction
le transistor T1 se met à conduire et le potentiel de son collecteur diminue tandis que le
1 6
potentiel des émetteurs varie jusqu’à une valeur U1 ≈ U. R E / RC1 + R E . Le potentiel de base VB1
du temps.
La saturation est très rapide mais le blocage est progressif à
du transistor T2 diminue ainsi que ses courants collecteur et émetteur. cause de la durée de charge des condensateurs à travers les
VBE
Le potentiel VE diminue ce qui contribue à augmenter la conduction de T1. Il y a un effet résistances de collecteurs.
cumulatif qui entraîne le basculement définitif du système. La diminution de la tension VC2
U Sur chaque collecteur, on obtient un signal de sortie qui est
d’entrée en-dessous de la valeur U1 + VBE produira l’effet inverse. pratiquement rectangulaire. La période et le rapport cyclique
τ2 (rapport entre les durée des états hauts et des états bas) sont
ˆ Hystérésis des fonctions des valeurs des résistances des bases et des
Par un choix convenable des résistances, il est possible d’avoir des tensions de seuil V B2 condensateurs de couplage.
différentes pour les valeurs croissantes et décroissantes de la tension d’entrée. Le système
présente alors de l’hystérésis. Les applications des bascules à seuil (mise en forme de signaux, τ1
ˆ Calcul approché de la période du multivibrateur
– U+ VBE
anti-rebonds) ont été examinées au chapitre 14.
Fig. 8 Dans ce calcul, on suppose que la tension de seuil VBE des
jonctions base émetteur et la tension de saturation des
5 – Le multivibrateur astable transistors sont nulles. On prend comme origine des temps l’instant auquel T1 se sature.
Dans le multivibrateur astable, la sortie de chaque étage est reliée à l’entrée de l’autre par U U
t = 0−ε t=0
une liaison capacitive. Ce montage étant un oscillateur ne nécessite pas de circuit de
commande. R B2 R B2 i(t)
C1 C1
ˆ Schéma du circuit utilisé
VC1= U + VB2 = 0 VC1 = 0 + VB2 = –U .
RC2 U Les deux transistors sont couplés par deux condensateurs
R C1 RB2 RB1 u(t)
qui relient le collecteur de l’un à la base de l’autre. C’est Fig. 9
C1 C2 donc un montage à réaction positive.
L’équation de la charge de C1 est : RB2.i(t) + u(t) = U
Les valeurs des résistances sont choisies pour assurer la
saturation complète des transistors. (RB1 < β.RC1). dQ du(t) du ( t ) du ( t )
T1 T2 i(t) = = C1 R B2 . C1 . + u( t ) = U τ. + u( t ) = U
En pratique, on prendra RB > 10.RC1 dt dt dt dt
t
−
Fig. 6 Les solutions générales et particulières sont : u1 ( t ) = A. e τ
et u2 ( t ) = U
 −
t

En t = 0 + ε, u(0) = – U. Donc : – U = A + U et u( t ) = U. 1 − 2. e
 
τ

1
To trigger = déclencher. Le système bascule dans l’autre état au temps t1 tel que : u(t1) = VB2= 0
121 122
On en déduit que : ½ = exp(–t1 /τ)
t1/τ = Log(2) ≈ 0,69135. Donc : t1 ≈ 0,7.τ
On calcule de même la durée de la saturation de T2. La période d’oscillation du multivibrateur
astable est donc voisine de :
T = 0,7(R B 2 .C1 + R B1 .C 2 )
Chapitre 18: Les transistors à effet de
Cette valeur est approchée car le basculement se produit en réalité quand le potentiel de
base dépasse la tension de seuil de la jonction base émetteur.
champ
6 – Le circuit monostable
Le monostable possède sensiblement la même structure que le multivibrateur astable. Il y a A – TRANSISTORS à JONCTION (JFET)
simplement remplacement d’une liaison capacitive par une liaison résistive.
Dans l’état initial, le transistor T1 est bloqué est T2 est saturé.
1 – Structure
U Le potentiel de collecteur de T1 est donc : VC1 = U et les
R C1 R B2 R C2
R B1 potentiels des armatures du condensateur C valent U et VBE . Contrairement aux transistors bipolaires dont le fonctionnement repose sur deux types de
Sortie
Si on applique une tension positive sur la base du transistor porteurs les trous et les électrons, les transistors unipolaires fonctionnent avec un seul type de
T1, il se sature et VC1 = VSAT ≈ 0. charges, les trous ou les électrons. Le transistor à effet de champ à jonction est un premier
T1 Entrée T2 Pendant la durée de la transition entre les deux états, la charge exemple de transistor unipolaire.
du condensateur C ne varie pas. L’armature dont le potentiel Sur un substrat (P+) très fortement dopé, on
Fig. 9 valait U passe à un potentiel nul. Le potentiel de l’autre Source Grille Drain
diffuse une zone dopée N : le canal. Au centre du
armature et donc VB2 passent de VBE à la valeur VBE – U ce qui bloque le transistor T2. Cet dispositif, on diffuse une grille nommée aussi
état n’est pas un état stable. Le condensateur se charge à travers RB2 et l’espace émetteur Mur porte ou gate, dopée P+ reliée au substrat et de
VB1 collecteur de T1 qui est alors passant. Le potentiel d'isolement part et d'autre de cette grille, deux îlots très
de la base de T2 croît avec une constante de temps fortement dopées N+ : la source (zone d’entrée
voisine de C.RB2. Lorsque VB2 dépasse la tension des électrons dans le dispositif) et le drain (zone
de seuil de la diode d’entrée de T2, celui-ci se P+ de sortie des charges). Il existe aussi des JFET
U
sature : la durée de l’impulsion qui apparaît sur la N+ N+
(acronyme pour Junction Field Effect Transistor)
VC2 sortie est donc uniquement fonction des valeurs de ayant un canal P qui sont complémentaires des
C et de RB2. transistors canal N.
VB2 VBE Un calcul semblable à celui qui a été effectué pour Canal N Pour ces transistors canal P, toutes les tensions et
le circuit astable montre que la durée de Fig 1 les courants sont à inverser.
U Substrat P+
l’impulsion de sortie est sensiblement égale à :
D = 0,7.RB2.C
VC1 U
Pour que le système fonctionne ainsi, il est Le symbole utilisé pour les représenter est donné ci-dessous. Le trait qui correspond au
nécessaire que D soit inférieur à la durée de la
D D canal est continu. La grille et le canal forment une jonction
Fig. 10 demi-période du signal de commande. Quand cette PN ; la flèche correspondante est orientée dans le sens passant
condition n’est pas réalisée, la tension de sortie G G de cette jonction. Sur les schémas, elle est parfois décalée du
reproduit les variations de la tension de commande. côté de la source.
REMARQUE : Avec le montage utilisé, le générateur d’entrée est chargé uniquement par la diode d’entrée du S S
transistor T1 et son fonctionnement risque d’être perturbé par cette charge qui est très faible quand la jonction est Canal N Canal P
passante. Fig. 2

Des circuits intégrés spécifiques sont maintenant utilisés pour réaliser les fonctions décrites 2 – Fonctionnement
dans ce chapitre. Le circuit NE 555 permet en particulier de réaliser très simplement des 2.1 – Etude expérimentale
multivibrateurs et des monostables avec seulement quelques composants périphériques.
On procède au relevé des caractéristiques en utilisant le montage ci-après. En
fonctionnement normal la jonction grille–canal est polarisée en inverse : le courant d’entrée IG
est très faible et les courants drain et source sont identiques.
123 124
 Dans le réseau des caractéristiques de sortie ID = f(VDS), on observe quatre zones ˆ Influence de la température
différentes. Une zone linéaire dite résistive, un coude, une zone de saturation (ID ≈ constant) et La largeur de la zone de déplétion diminue avec la température ce qui induit une croissance
une zone d’avalanche. du courant drain. Mais la mobilité des porteurs diminue avec la température. C’est le second
ID
effet qui est prépondérant pour les courants drain élevés et il n’y a pas de risque
ID I DSS Ugs = 0
RG d’emballement thermique avec les transistors à effet de champ.
Ugs = –1,5

3 – Réseaux de caractéristiques
mV V G Ugs = –3
3.1 – Réseau d'entrée
VGS VDS
Ugs = –6 U DS Ig Les transistors JFET doivent uniquement être utilisés avec des
Résis Coude Saturation Avalanche tensions VGS négatives et inférieures à la tension de claquage
Fig. 3 inverse.
La caractéristique d’entrée est celle d’une diode polarisée en
2.2 – Interprétation du fonctionnement inverse. On a donc toujours :
ˆ Zone résistive IG = 0
Fig. 6
Dans une jonction polarisée en inverse existe une zone isolante (sans porteurs libres) dont
l'épaisseur e est fonction de la tension inverse (e ≈ k VGS ). Cette zone isolante qui
correspond aux jonctions grille-canal et substrat-canal diminue la largeur effective du canal.
3.2 – Réseau de sortie
Id Idss Ugs = 0 C’est le réseau des courbes ID = f(VDS) avec
-1V -3V VGS = Constante.
S G D S G D Ugs = –1,5 Ce réseau est caractérisé par trois régions utiles :
N+ P+ N+ N+ P+ N+ la région ohmique,
N N
Ugs = –3
la zone de coude,
la zone de saturation.
P+ Substrat Fig. 4-a P+ Substrat Fig. 4-b Dans cette zone, on note une légère croissance de
–6 Ugs = –6 ID avec VDS car la longueur effective du canal
Pour les tensions VDS faibles, le canal se comporte comme une résistance ohmique dont la diminue.
Ugs Up Uds
valeur est fonction de sa section et donc de la tension inverse entre la grille et la source. Le
Fig. 7
JFET est alors équivalent à une résistance commandée par une tension. Pour une valeur VP
suffisamment négative de VGS, la conduction s’annule. On dit que le canal est « pincé » et que
3.3– Réseau de transfert ou de transconductance
VP est la tension de pincement.
Ce réseau correspond aux courbes ID = f(VGS) pour VDS = Constante.
ˆ Zone du coude
Les caractéristiques sont des droites pour la partie ohmique. Dans la zone de saturation
0 1 2 La largeur de la zone isolante est également influencée par la pour les valeurs supérieures de VDS, la caractéristique est parabolique et on peut écrire en
5
tension entre le drain et la source. Du côté de la source sa largeur première approximation que :
S G D
est : e1 = k VGS . 2
N+ P+ N+
⎛ V ⎞
N Du côté du drain, elle est : e2 = k VGD . Quand VDS augmente, la I D = I DSS ⎜⎜1 − GS ⎟⎟
valeur du courant drain résulte de deux phénomènes compétitifs : ⎝ VP ⎠
P+ Substrat une croissance liée au caractère ohmique du canal et une Les JFET sont caractérisés par une grande dispersion des valeurs des paramètres. Pour un
Fig. 5 diminution liée au pincement progressif de ce canal. même type, le courant drain maximum IDSS et la tension VGS de pincement VP peuvent varier
d’un facteur 4 à 5. Ainsi pour un 2N 5459, on note les valeurs suivantes :
ˆ Zone de saturation 4 mA < IDSS < 16 mA et – 2 V > VP > – 8 V.
Dans cette zone tout accroissement de VDS qui augmenterait le courant ID augmente aussi le
pincement. Quand le canal se pince, la densité du courant augmente jusqu'à ce que les porteurs 4 – Polarisation des transistors à effet de champ
atteignent leur vitesse limite : le courant drain reste constant et le transistor est dit saturé. La
valeur maximum de ID pour VGS = 0, qui correspond au pincement du canal est notée IDSS. A cause de cette dispersion des paramètres, il est impossible de régler le point de
fonctionnement en imposant le potentiel de grille car ID peut varier de manière trop importante
ˆ Zone d'avalanche pour un VGS donné.
Elle résulte d'un claquage inverse de la jonction drain-grille. Ce claquage est destructeur du EXERCICE : en utilisant l’expression de ID en fonction des valeurs de IDSS et de VP montrer que
dispositif si rien ne limite le courant drain. pour un 2N 5459, on a : 1ma < ID < 12 mA si on choisit VGS = – 1 V.

125 126
4.1– Polarisation automatique G iD D 
VGS −1  
Id Idss
Ugs = 0

s = 2.I DSS . 1 −
VP
.
VP  
RD vGS vDS RD Pour les transistors petits signaux les valeurs
ρS typiques de la pente et de la résistance interne
s.vGS
R E –1,5
S sont :
s ≈ quelques mA/V ρ ≈ 10 kΩ à 100 kΩ
RG Fig. 10
VS –3
RS En entrée, on applique une tension VGS et le courant consommé est nul. En sortie le FET se
–6 Ugs = –6
comporte comme un générateur de courant d’intensité s.vGS en parallèle avec une résistance ρ.
Ugs Uds
Ce schéma simplifié permet d’interpréter le fonctionnement des JFET montés en
Fig. 8
amplificateur.
La grille est reliée à la masse par une résistance RG de forte valeur. Comme le courant grille La caractéristique de transconductance étant parabolique les FET déforment les signaux de
est nul, le potentiel de grille est nul. Le courant drain produit dans la résistance de source une grande amplitude. Il faut satisfaire la condition iD << ID pour limiter la distorsion du signal.
chute de tension égale à RS.ID . La tension grille-source vaut donc : VGS = VGM – VSM = – On prend souvent iD ≈ ID /10.
RS.ID . La grille est bien négative par rapport à la source.
Comme pour les transistors bipolaires trois montages peuvent être envisagés. Le montage
L’équation de la droite d’attaque est : VGS = – RS.ID
grille commune ne sera pas étudié car il n’est pratiquement pas utilisé.
et celle de la droite de charge est : VDS = E – (RS + RD).ID
L'intersection de ID = – VGS/RS avec la caractéristique de transfert définit la tension VGS et la
valeur de ID. L’intersection de la droite de charge et de la caractéristique qui correspond à VGS 6 – Montage source commune
donne la valeur de VDS. Avec une polarisation automatique ou par pont de grille, il faut introduire une résistance de
Si le courant drain augmente, la chute de tension dans la résistance de source augmente ce source dont la présence diminue le gain de l’étage. Il est possible de placer en parallèle sur la
qui diminue la conduction du canal et donc le courant drain. Il y a une contre-réaction qui résistance RS un condensateur de découplage. Pour les signaux variables la source est alors au
stabilise le point de fonctionnement. potentiel de la masse.
Le schéma équivalent du montage est alors le même
4.2– Polarisation par pont diviseur RD
que celui du transistor. La résistance de sortie est :
On utilise comme pour les transistors bipolaires une polarisation par pont de base et ROUT = ρDS // RD // RU
résistance de source. R La tension d’entrée est vE = vGS
V DD Le potentiel appliqué à la grille est : RG Le gain en tension est donc :
R1 RD VGM = R2/(R1 + R2) RS VS vS = – ROUT.iD = –s.ROUT.vGS
Le potentiel de la source est VSM = RS.ID. Comme VSM = VGM –
VGS, la valeur du courant drain est donc : ID = (VGM – VGS)/RS. AV = – s.ROUT
Si l’on prend VGM beaucoup plus grand que VGS, la stabilisation Fig. 11
R2 sera assurée.
RS Ce montage est donc caractérisé par une très grande impédance d’entrée, une impédance de
Si l’on souhaite une stabilisation parfaite, il est possible d’utiliser
sortie moyenne et un gain en tension moyen et négatif : il existe un déphasage de 180° entre
un transistor bipolaire monté en source de courant constant dont la
Fig. 9 l’entrée et la sortie.
charge sera constituée par le transistor à effet de champ.
MONTAGE NON DECOUPLE :
5 – Schéma équivalent en petits signaux Soit rS la partie non découplée de la résistance de source (RS = R’S + rS). La tension d’entrée
est alors : vE = s.vGS + rS.iD = s.vGS + rS. s.vGS = vGS(1 + s.rS).
L’examen des caractéristiques d’un JFET polarisé dans la zone de saturation montre que
les équations qui régissent le fonctionnement sont : Le gain en tension devient : AV = – s.RD/(1 + s.rS) ≈ – RD/rS
En entrée : iG = 0 L’utilisation de la notion de transconductance ou pente permet de mettre en évidence
En sortie : iD = sS.vGS + 1/ρ.vDS. l’analogie qui existe entre les montages source commune et les montages émetteur commun.

ΔI D i  
On définit la pente ou transconductance par : s =
ΔVGS
= D
vGS  VDS = Const
7 – Montage drain commun

 
Le signal de sortie est prélevé aux bornes de la résistance de source.
ΔVDS v L’impédance de sortie est : ρS = RS // ρDS //RU
et la résistance interne par : ρ =
ΔI D  
= DS
iD VGS = Const
La tension de sortie est : vS = s.vGS
En entrée, on a : vGS = vGM – vSM = vE – vS
En utilisant la relation ID = IDSS.(1 – VGS/VP)², on obtient l’expression suivante pour la valeur
de la pente :
vS = s.ρS(vE – vS) ⇒ vS(1 + s.ρS) = s.ρS..vE

127 128
 G S d’une centaine d’ohms. Si la tension aux bornes de RDS est inférieure à 100 mV, le FET peut
s.vGS être utilisé avec des tensions alternatives. On peut utiliser cette résistance commandée en
R tension pour stabiliser le taux de réaction dans un oscillateur.
ve vS
RG
VS
ˆRésistance non linéaire
RG R DS RS RU
RS D Un transistor dont la grille est reliée au drain se comporte comme une résistance non linéaire
Fig. 12 dont la caractéristique est le lieu des points tels que VDS = VGS.
s. ρS
La valeur du gain en tension est donc : AV = < 1 ˆ Source de courant
(1 + s . ρS )
On trouve dans les catalogues des constructeurs des diodes à courant constant qui sont en fait
L’impédance d'entrée est : ZE = RG des transistors à effet de champ dont la grille est reliée à la source.
I = I DSS
Le calcul de l’impédance de sortie est un peu plus délicat. Par définition, celle-ci est égale Cette « diode » se comporte comme un générateur de courant
au quotient de la tension de sortie à vide par le courant de court-circuit : constant égal à IDSS (gamme 0,2 à 5 mA) et de résistance interne R
V A .v (gamme 20 MΩ à 200 kΩ). La chute de tension dans la diode doit
ZS = S = V E et iCC = s.vGS = s.(vE – vS).
iCC iCC rester inférieure à la tension de claquage du transistor.
Si la sortie est en court-circuit, la tension de sortie est nulle et donc icc = s.vE
 s. ρ  .v 9 – Comparaison avec les transistors bipolaires
 1+ s. ρ 
S
E Il existe beaucoup d’analogies entre les montages amplificateurs réalisés soit avec des FET
ρS
ZS = S
= < ρS soit avec des transistors à jonction. Les montages source commune se comportent comme les
s.v E 1 + s. ρS montages à émetteur commun et les montages drain commun comme les montages à
Ce montage est caractérisé par un gain en tension légèrement inférieur à l’unité, une très collecteur commun.
grande impédance d’entrée et une impédance de sortie faible. C’est un montage adaptateur ˆ
Les avantages des FET sont :
d'impédance. – une grande résistance d’entrée
– le faible niveau de bruit lié au fait qu’il n’y a qu’un seul type de porteurs et donc pas de
8 – Applications spécifiques des FET recombinaisons.
ˆ
Interrupteur analogique ˆ
Les inconvénients des FET sont :
On considère un FET dont la source est à la masse. Pour une – une faible pente
Id Vgs = 0
tension VGS nulle, le transistor étant saturé présente une – le manque de linéarité
– la grande dispersion des caractéristiques
résistance RDS faible (≈ 100 Ω). Si par contre VGS est très
– la polarité opposée des tensions VDS et VGS qui interdit les liaisons directes entre étages.
négatif il est bloqué et la résistance RDS est très grande. Cette
propriété est très utilisée dans les interrupteurs analogiques Dans les montages amplificateurs, les FET seront principalement utilisés dans l’étage
Saturation Vds
qui permettent la commutation de signaux alternatifs. d’entrée. On profite de leur grande impédance d’entrée qui permet de ne pas perturber la
Blocage
Fig. 13 On utilise soit la connexion « shunt » soit la connexion source. Dans ce premier étage l’amplitude des signaux est petite et de ce fait l’influence de la
« série ». Dans les deux cas l’interrupteur n’est pas parfait et non linéarité du transistor est minime si la polarisation est correcte. Pour les étages suivants,
présente une résistance RDS. on utilisera des transistors bipolaires qui autorisent une plus grande dynamique au niveau de
Le modèle série peut être utilisé comme « hacheur » de signal : les signaux lentement l’amplitude des signaux.
variables avec le temps sont difficiles à amplifier. On
Entrée Sortie applique sur la grille une tension de commande B – TRANSISTORS METAL OXYDE (MOSFET)
rectangulaire variant entre 0 et la tension de blocage du
Comm FET. On transforme ainsi le signal d’entrée continu en
un signal alternatif rectangulaire dont la fréquence est
1 – Structure
Entrée Sortie
celle du générateur de commande. Il est alors possible MOSFET est un acronyme pour « Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ».
d’utiliser un amplificateur alternatif conventionnel pour Les MOSFET ou transistors MOS sont des transistors à effet de champ dont la grille
Comm amplifier le signal. On effectue ensuite un redressement métallique est totalement isolée du canal par une mince couche isolante d’oxyde de silicium
pour obtenir l’image amplifiée du signal original. (SiO2) d’épaisseur voisine de 0,1 µm.
Fig. 14
La grille, la couche de silice et le canal constituent un condensateur dont la polarisation
peut modifier la conductivité du canal. Le changement peut résulter soit d’une modification de
ˆ Résistance commandée par une tension
la concentration en porteurs majoritaires et l’on a des MOS à canal diffusé ou à déplétion,
Dans la région ohmique, la résistance drain-source RDS est fonction de la valeur de VGS. Plus soit d’une modification de la concentration en porteurs minoritaires et l’on a alors des MOS à
cette tension est négative et plus RDS est grand. Pour VGS nul, la valeur de RDS est voisine
canal induit ou à enrichissement.
129 130
 Pour ce type de transistors le courant d’entrée est nul puisque que la grille est isolée. La grille à la masse (VGS = 0). On peut également utiliser les mêmes méthodes de polarisation
résistance d’entrée est toujours supérieure à 1010 Ω. que pour les JFET. Les applications de ce type de transistor sont les mêmes que celles des
transistors à effet de champ à jonction.
2 – MOS à canal diffusé
3 – MOS à canal induit
2.1 – Structure et fonctionnement
3.1 – Structure et fonctionnement
Source Grille Drain
Silice Métal Sur un substrat (B) dopé P sont diffusées deux zones très
dopées N+ formant le drain et la source reliées par un canal dopé D
N+ N Canal N+
N. Il existe également des MOS avec un canal P et qui D
Substrat N+ P G
P fonctionnent avec des tensions et des courants opposés à ceux
G B
ayant un canal N. Canal S
D D induit
Sur le symbole utilisé pour la représentation des MOS à canal D

G
B G diffusé, le canal est représenté par un trait continu. Une flèche N+
G
figure la jonction substrat-canal, elle est orientée dans le sens S
S passant de la diode. Les quatre électrodes peuvent être S
S
Fig. 15 accessibles mais le substrat et la source peuvent être reliés en
interne. Fig. 18

Vgs = 0 Vgs < 0 Vgs > 0

Pour ce type de transistor il n’y a pas de canal créé lors de la fabrication. Pour les tensions
D Id < Id0 Id > Id0
de grille VGB négatives, la jonction drain-substrat est bloquée et le courant drain ID est nul. Les
seuls porteurs libres dans la zone P sont des électrons d’origine thermique. Si VGB est assez
G B positif, les charges négatives du matériau P se regroupent au voisinage de la grille et forment
P une couche conductrice entre le drain et la source. Cette couche se comporte comme une zone
S N qui est induite dans la zone P par inversion de la population des porteurs.
N
La tension de seuil minimale pour induire un canal est notée Vth (th est mis pour threshold
= seuil). Si VGB croît au-delà du seuil, la section du canal augmente et ID croît. Par
construction le substrat est souvent relié à la source et VGB est alors égal à VGS. Sur le symbole
Fig.16 des MOS à canal induit, le canal est représenté par un trait discontinu. Une flèche indique le
sens pour lequel la jonction substrat-canal est passante. Il existe également des transistors
Pour un potentiel VGS nul et sous l’action de la tension drain-source, un courant drain ID complémentaires dans lesquels le canal induit est de type P.
circule dans le canal. Sa section diminue quand on se rapproche du drain. Si VGS est négatif,
on induit par effet capacitif des charges positives dans le canal et donc des recombinaisons : la 3.2 – Caractéristiques
population en électrons diminue et la conduction du canal diminue. Le potentiel du canal est
d'autant plus positif que l'on se rapproche du drain. Au contraire, si VGS est positif la zone Id Les caractéristiques de sortie de ce type de transistor ont
Ugs +8V l’aspect habituel de celles des transistors à effet de
appauvrie en porteurs régresse dans le canal et le courant drain augmente. Selon la valeur de la
+6V champ.
tension grille-source, le canal est plus ou moins conducteur.
+4V La caractéristique de transconductance est parabolique et
2.2 – Caractéristiques son équation est de la forme :
+2V ID = K(VGS – Vth)².
Pour les tensions VGS positives, il y a un accroissement
Id Les tensions de commande et de sortie ont cette fois le
Ugs +4V du nombre de porteurs libres dans le canal Mos canal N induit (enrichissement) Uds
(enrichissement) et pour les tensions VGS négatives, on a même signe : la liaison directe est possible entre les
+2V Fig. 19
un appauvrissement. L’expression du courant drain est étages successifs.
+0V comme pour un JFET donnée par :
 VGS  2 4 – Utilisations des transistors MOS
 
–2V
I D = I DSS 1 −
–4V VP 4.1 – Généralités
mais cette fois VGS peut être positif ou négatif. La couche de silice qui isole la grille de commande est tellement mince qu’elle sera
Mos canal N diffusé (appauvrissement) Uds
Fig. 17 La polarisation de ce type de transistor est détruite par une tension grille-source excessive. Le simple fait d’apporter des charges statiques
particulièrement simple car on peut le polariser avec la sur la grille peut provoquer la destruction du dispositif. En effet la capacité du condensateur
grille-silice-canal est si petite que même des quantités minimes d’électricité peuvent créer des
champs électriques supérieurs au seuil de claquage de l’isolant. Ce claquage est irréversible et
destructeur.

131 132
 La manipulation des transistors MOS suppose quelques précautions telles que la mise à la On réalise ainsi un inverseur logique. En dehors des périodes de transition un seul
masse des opérateurs, l’usage de conditionnements conducteurs, l’emploi de plans de travail transistor est passant et de ce fait aucun courant ne circule entre VDD et VBB.
conducteurs, l’utilisation d’anneaux conducteurs reliant les électrodes qui sont retirés après Uem Vdd
0V C’est pour cette raison que la consommation des circuits est
soudure du composant sur le circuit. Ces transistors sont souvent protégés par une diode Zener
aussi faible.
incorporée lors de la fabrication entre la source et la grille. L’inconvénient de cette protection Usm
Lors des périodes de transition, il apparaît une impulsion de
très efficace est qu’elle diminue beaucoup la résistance d’entrée.
courant entre VDD et VBB. Elle est due à la charge des
‰ Avantages des transistors MOS Id1 condensateurs équivalents aux entrées des transistors suivants.
♦ Leur principal avantage est la résistance d'entrée qui est très grande Re ≈ 1012 ΩPour un Si la consommation est pratiquement nulle en basse fréquence
transistor à effet de champ à jonction, la résistance d’entrée est de l’ordre de 108 Ω. Id2 (fractions de mW), elle croît avec la vitesse de fonctionnement
♦ Le bruit intrinsèque est toujours très faible. Fig. 22
du circuit. En haute fréquence, la consommation peut devenir
♦ Ce type de transistor est simple à fabriquer et par suite peu onéreux. comparable à celle de circuits réalisés avec des transistors
♦ La densité d’intégration autorisée par ce type de composant est très importante : on dépasse +Vdd
bipolaires.
(P)
aujourd’hui le nombre de 107 transistors sur une seule puce. Potentiel de
polarisation
Q1 Il est aussi possible de constituer des amplificateurs avec une paire
‰ Inconvénients des transistors MOS de CMOS ; le transistor de type P est polarisé par un potentiel
♦ La vitesse de commutation est plus faible que celle des transistors bipolaires. Sortie
continu constant appliqué sur sa grille. Il se comporte alors comme
♦ La pente est faible. Entrée du une résistance qui constitue la résistance de charge du transistor de
♦ La dispersion des paramètres est élevée. signal
Q2 type N.
♦ Il est nécessaire de prévoir une protection des entrées. La surface occupée sur une puce par un transistor est bien plus faible
–Vbb (N)
que celle occupée par une résistance d’où l’intérêt du montage.
4.2 – Utilisations des transistors MOS
Ce sont les mêmes que celles des JFET : ils sont utilisés en amplification et en Fig. 23
commutation. Avec des MOS dont les quatre électrodes sont accessibles on peut réaliser des
commutateurs « série » performants.
Commande Si UGB = VBB ≤ 0 le MOS est bloqué. La résistance RDS est
10 6 – Transistors
S V-MOS
supérieure à 10 Ω ce qui correspond à un circuit ouvert. G
+Vdd S D Si UGB = VDD > 0 est grand, le MOS est conducteur et RDS vaut Silice
Entrée Sortie Dans ce type de transistor à structure verticale, le
B quelques ohms. N+ substrat joue le rôle du drain. Quand la tension VGS est
–Vbb Le transistor constitue un relais statique dont la puissance de P supérieure à la tension de seuil, un large canal N est
Fig. 20 +
commande est négligeable. – + induit dans la zone P de la rainure du V par inversion
Canal induit – + de population. Pour ce type de transistor le courant
Ces commutateurs sont beaucoup utilisés dans les hacheurs de signaux et dans les –
multiplexeurs (circuits qui permettent de relier successivement plusieurs signaux à l’entrée drain peut atteindre plusieurs ampères et contrairement
N (épitaxie) aux MOS conventionnels la pente est constante et
d’un même dispositif).
Les transistors MOS sont aussi très utilisés en commutation logique pour la réalisation de voisine de 0,25 A/V.
N+ De plus ils ont l’avantage d’avoir une dérive
portes. Ils sont simples à fabriquer. La dissipation thermique et la consommation sont très
faibles ce qui autorise une très forte intégration et la réalisation de systèmes alimentés avec thermique faible. Quand la température augmente leur
des piles miniatures. Toutefois pour les applications de commutation, on préfère utiliser des D courant drain diminue. Il n’y a donc aucun risque
paires de transistors complémentaires dites « CMOS ». (Le C correspond à Complementary) Fig. 24 d’emballement thermique avec ce type de transistor.
Leur temps de commutation est bref et comme les
5 – Transistors CMOS capacités internes sont petites ils sont utilisables
Le circuit de base de cette technologie est l’inverseur CMOS. jusqu’à plus de 500 MHz.
+Vdd
(P) Si l’entrée est au niveau logique 1 (E = + VDD) le transistor Q1
Q1 (canal P) est bloqué et le transistor Q2 (canal N) est saturé. Le
Entrée
potentiel de la sortie S est donc égal à – VBB qui correspond au niveau
Sortie
logique 0.
A contrario quand l’entrée est au niveau logique 0 (E = – VBB) le
Q2 transistor Q1 est saturé et le transistor Q2 est bloqué. La sortie S est au
(N) potentiel + VDD.
–Vbb

Fig. 21
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