‫الجمهورية الجزائرية الديمقراطية الشعبية‬

RÉPUBLIQUE ALGÉRIENNE DÉMOCRATIQUE ET POPULAIRE

‫وزارة التعليم العالي والبحث العلمي‬
Ministère de l’Enseignement supérieur et la recherche scientifique

Université M’hamed Bougara Boumerdes

Faculté du Technologie / Département de Génie électrique

Spécialité : Génie Électronique / Groupe A / Licence 2 / S4

EXPOSÉ
DE MODULE TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUE

THÈMES

1- LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
2- LES CIRCUITS INTÉGRÉS

Réalisé par :

LAKHDARI Islam 202031029755

BOUNAIM Nadjib 202031039388
TSELKIM Louay 202031025975

Encadré par : MME BELKACEM

L’année universitaire : 2021 – 2022

 THÈME 1 / TRANSISTOR BIPOLAIRE

Tables des matières

Introduction .......................................................................................... 1

Qu'est-ce qu'un transistor bipolaire ? .................................................. 1

L’histoire d’invention du transistor.....................................................2

Le symbole du BJT .............................................................................. 2

La construction de BJT ...................................................................... 4

Les types du transistor bipolaire ........................................................ 4

Sens du courant et polarités de tension pour les BJT npn et pnp ...... 5

Fonctionnement du transistor et courbes i-v caractéristiques .......... 5

Les configurations de BJT ............................................................... 7

Les applications du BJT ....................................................................9

Les avantages des transistors bipolaires .......................................... 10

Les inconvénients des transistors bipolaires ...................................10

Conclusion........................................................................................ 10

La bibliographie ................................................................................. 11
 THÈME 1 / LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
Introduction :

On dit que les inventions les plus importantes du XXe siècle étaient les transistors, ce
qui est un fait, et cela peut aller plus loin si quelqu’un dit que les transistors sont
l’une des inventions les plus importantes qui aient jamais vu le jour, je suis tout à fait
d’accord avec lui.
Le transistor n’est pas un composant électronique de nombreux composants
électroniques. Je le considère comme le parrain de l’ingénierie électronique. C’est ce
que soulignent le physicien Michael Riordan et la physicienne Lillian Hoddeson dans
leur livre Crystal Fire : The Birth of the Information Age ", quand ils ont dit que les
trois scientifiques William Shockley, Walter Brattin et John Barden ont été impliqués
dans la découverte du transistor pour être un vrai père de la Silicon Valley , mais
plutôt la raison pour laquelle il a existé depuis la fondation même qu’il était la raison
de tous les progrès technologiques que nous faisons maintenant.
Convenons ensemble que le transistor est devenu une partie importante de notre vie
quotidienne que nous utilisons en tout, c’est comme des cellules dans le corps, parce
que nous n’y pensons pas mais c’est le fondement de nos vies maintenant... La base
de chaque dispositif sur lequel nous travaillons, et la raison de chaque progrès
technologique atteint ou sera atteint par la science , est comment cette composante a
changé le monde, comment elle fonctionne, et qui a contribué à son développement ?

1- Qu'est-ce qu'un transistor bipolaire ?

Un transistor de jonction bipolaire est un dispositif semi-conducteur à trois bornes

composé de deux jonctions p-n capables d’amplifier ou d’agrandir un signal. C’est un
dispositif à courant contrôlé. Les trois terminaux du BJT sont la base, le collecteur et
l’émetteur. Un signal d’une faible amplitude appliqué à la base est disponible sous
forme amplifiée au niveau du collecteur du transistor. Il s’agit de l’amplification
fournie par le BJT. Notez qu’il nécessite une source externe d’alimentation CC pour
effectuer le processus d’amplification.1

Figure 01 -
La figure illustre la découpe
d'un transistor
2N3904 TO-92 avec ces bornes

1
Les transistors sont scellés hermétiquement et placés dans un boîtier en plastique ou en
métal avec trois bornes (Figure 2 )

Figure 02 -
Comparaison de tailles
et variété de types de
boîtiers populaires.

2- L’histoire d’invention du transistor bipolaire :

Avant l’existence du transistor il y avait des valves radio, inventé par Sir Fleming qui
a aidé Marconi dans ses premières expériences.
Sa première valve a été produite en 1904, quand il a découvert que s’il avait un tuyau
vidant deux pôles chauds et un froid, les ondes radio pourraient être détectées. En
1906 à Vienne, Robert von Leben, sur la question des signaux téléphoniques, a ajouté
un troisième pôle et a constaté que cela rendrait les signaux faibles beaucoup plus
forte et plus élevée.
L’Américain Lee du Forrest était destiné à améliorer cela.
D’autre part, le transistor fonctionne toutes les vannes radio, mais il est plus fiable,
plus fort, plus petit et ne nécessite qu’une partie de l’électricité requise par les
vannes. Les premiers
transistors ont été démontrés par William Shockley, John Bardin et Walter
Brattain aux Laboratoires Bell Téléphone aux États-Unis d’Amérique en 1948 .
Ces inventeurs ont découvert que des matériaux comme le silicium et le germanium
ne fournissent pas d’électricité et n’agissent pas comme résistance.
Et en fait, c’est la moitié - des vecteurs. Le silicium est un élément commun dans le
monde, trouvé dans des matériaux tels que le sable, les plateaux et le quartz.
Shockley a découvert qu’en ajoutant de petites quantités d’autres matériaux au
silicium, il pourrait montrer comment le silicium réagit à l’électricité qui le traverse.
Cette découverte a conduit à l’évolution de tous les circuits microélectriques
modernes , Ces inventeurs ont découvert que des matériaux comme le silicium et le
germanium ne fournissent pas d’électricité et n’agissent pas comme résistance.
Et en fait, il est (semi-conducteurs) ,

2
Le silicone est un élément commun dans le monde, où il se trouve dans des matériaux
tels que le sable, le silex et le quartz.
Shockley a découvert qu’en ajoutant de petites quantités d’une autre substance au
silicium, il peut montrer comment le silicium réagit au passage de l’électricité.
Cette découverte a conduit à l’évolution de tous les circuits micro-électriques
modernes, et ils ont reçu le prix Nobel en 1956 .2

Figure 3 - John Bardin,

William Shockley et Walter
Brattain chez Bell Labs en
1948 Figure 4- Réplique du premier
transistor fonctionnel

3- Le symbole du transistor bipolaire :

Figure 5- Le symbole du transistor bipolaire

Sachant que :
E : Émetteur , B : Base , C : Collecteur

3
4- La construction de BJT :

Les transistors bipolaires sont fabriqués en deux types, PNP et NPN, et sont
disponibles sous forme de composants séparés, généralement en grandes quantités.
L'utilisation ou la fonction principale de ce type de transistor est d'amplifier le
courant. Cela les rend utiles comme commutateurs ou amplificateurs. Ils ont une large
application dans les appareils électroniques tels que les téléphones mobiles, les
téléviseurs, les émetteurs radio et le contrôle industriel.

Figure 6 – La construction des transistors bipolaires

5- Les types de transistor bipolaire :

Un transistor bipolaire est constitué d'un cristal semi-conducteur qui a trois régions
activées différemment
Soit deux régions de type N séparées par une région P forment un transistor NPN ,
ou deux régions de type P séparées par une région N forment un transistor PNP .3

Figure 7 – Les types des BJTs

4
6- Sens du courant et polarités de tension pour les BJT npn et
pnp :

Figure 8- Sens du courant et polarités de tension pour les BJT npn et pnp

7- Fonctionnement du transistor et courbes i-v caractéristiques :

Les trois bornes des transistors et les deux jonctions, nous présentent de multiples
régimes de fonctionnement. Afin de distinguer ces régimes, nous devons examiner les
caractéristiques i-v de l'appareil.
La caractéristique la plus importante du BJT est le tracé du courant de collecteur, Ic,
en fonction de la tension collecteur-émetteur, , pour différentes valeurs du courant de
base IB, comme indiqué sur le circuit de la figure 9.

Figure 9 - Circuit BJT à émetteur commun pour déterminer les caractéristiques de

sortie
5
la figure 10 montre les courbes caractéristiques qualitatives d'un BJT . Le graphe
indique les quatre régions de fonctionnement : la saturation, la coupure, l'actif et le
claquage. Chaque famille de courbes est dessinée pour un courant de base différent et
dans ce graphe IB4 >IB3 >IB2 >IB1

Figure 10 - Courbe des caractéristique de BJT

Les caractéristiques de chaque région de fonctionnement sont résumées ci-dessous :

1. région de coupure :
La jonction base-émetteur est polarisée en inverse, pas de flux de courant .

2. région de saturation :
La jonction base-émetteur polarisée en direct la jonction collecteur-base est polarisée
en direct Ic atteint un maximum qui est indépendant de IB et β , Aucun contrôle .
VCE < VBE
3. région active :
La jonction base-émetteur polarisée en direct la jonction collecteur-base est polarisée
en inverse Contrôle , IC=β.IB (comme on peut le voir sur la figure 10 , il y a une petite
pente de IC avec VCE .

4. région de panne:
IC et VCC dépasse les spécifications endommageant le transistor . 4

6
8- Les configurations de BJT :

Un transistor à jonction bipolaire comprend un dispositif à trois bornes de sorte qu'il

peut être connecté à un circuit de trois manières possibles grâce à une borne
commune entre les autres, ce qui signifie qu'une borne entre l'entrée et la sortie est
commune. Chaque connexion répond simplement d'une manière différente au signal
d'entrée.
Configuration de base commune :
Dans la configuration CB du transistor, la borne de base est commune aux signaux
d'entrée et de sortie. Ici, le signal d'entrée peut être donné entre les deux bornes
comme la base et l'émetteur tandis que la sortie peut être obtenue entre les deux
bornes comme la base et le collecteur. A la borne du collecteur, le signal de sortie est
faible par rapport au signal d'entrée à la borne de l'émetteur.

Figure 11-Configuration de base commune

Ainsi, son gain est inférieur à 1, donc, il atténue le signal. Cette sortie de cette
configuration est non inverseuse, donc les deux entrées, ainsi que les signaux de
sortie, seront en phase. Cette configuration de base commune n'est pas couramment
utilisée en raison de son gain de tension élevé. En raison de sa réponse en fréquence
extrêmement élevée, ce type de configuration n'est utilisé que pour un amplificateur
monophasé. Ces amplificateurs monophasés peuvent être utilisés comme
amplificateurs RF et préamplificateurs de microphone.
7Gains de la configuration CB
Gain de tension = Av = Vout/Vin = Ic x RL/IE X RIN
Gain courant = Ic/ie
Gain de résistance = RL/Rin

7
Configuration d’émetteur commun :
Dans cette configuration, le terminal émetteur est commun entre l'entrée et la sortie.
L'entrée est donnée entre les deux bornes comme la base et l'émetteur tandis que la
sortie peut être obtenue entre les bornes du collecteur et de l'émetteur.
Il peut être identifié simplement en observant le circuit. Lorsque la borne de
l'émetteur est connectée à GND, l'entrée et la sortie sont obtenues respectivement à
partir des bornes de base et de collecteur. La configuration CE inclut le gain de
courant et de puissance maximal entre tous les types de configurations.

Figure 12- Configuration d’émetteur commun

La raison principale est due à l'entrée à la jonction de la polarisation de transmission,

de sorte que son impédance d'entrée est extrêmement inférieure alors que la sortie
peut être reçue de la jonction de polarisation inverse. Ainsi, son impédance de sortie
est extrêmement élevée. Dans la configuration CE, le courant d'émetteur est
équivalent à la quantité de courants de base et de collecteur. Donc l'équation est
Ie = Ic + Ib
D'après l'équation ci-dessus, "Ie" est le courant de l'émetteur. Ainsi, cette
configuration a un gain de courant maximal comme Ic/Ib car la résistance de charge
peut être connectée en série via la borne du collecteur.
On peut observer à partir de l'équation ci-dessus qu'une petite augmentation dans le
courant de base aura un effet sur un courant très élevé dans la région de sortie.
Cette configuration CE fonctionne comme un amplificateur inverseur partout où le
signal de sortie est totalement opposé dans la polarité vers le signal d'entrée. Ainsi, le
signal de sortie peut être décalé de 180° par rapport à son signal d'entrée.

Configuration du collecteur commun :

La configuration CC est également appelée suiveur d'émetteur ou suiveur de tension
qui comprend un collecteur mis à la terre. En configuration CC, la connexion de la
borne du collecteur peut se faire à la masse vers l'alimentation.

8
 Figure 12- Configuration du collecteur commun

Pour l'entrée et la sortie, la borne du collecteur est commune. La sortie est obtenue à
partir de l'émetteur via une charge qui est connectée en série tandis que l'entrée est
fournie directement vers la borne de base. Cette configuration comprend une entrée
élevée ainsi qu'une impédance de sortie.
Cela lui permet de fonctionner comme un adaptateur d'impédance. Ainsi, ce type de
configuration est extrêmement utile dans le cadre de la méthode d'adaptation .5
d'impédance.

9- Les applications du BJT :

- Commutation
- Amplification
- Convertisseurs
- Commutateur automatique
- Capteurs de température
- Commutateurs électroniques
- Amplificateurs
- Capacité de conduite élevée
- Circuits de détection
- Fonctionnement à haute fréquence
- Démodulateur et modulateur
- Commutateur numérique
- Tondeuses
- Circuit oscillant

9
10- Les avantages des transistors bipolaires :

Les principaux avantages des transistors à jonction bipolaire sont les suivants :
- Capacité de conduite élevée
- Fonctionnement à haute fréquence
- La famille de logique numérique a une logique couplée à l'émetteur utilisée dans les
BJT comme commutateur numérique .
- Il a une bande passante à gain élevé
- Il donne de bonnes performances à haute fréquence
- Le gain de tension est bon
- Il fonctionne dans des applications à faible puissance ou à forte puissance
- Il inclut la densité de courant maximale.
- La chute de tension directe est faible

11- Les inconvénients des transistors bipolaires :

Les principaux inconvénients des transistors à jonction bipolaire sont les suivants.
- La stabilité thermique est moindre
- Il génère plus de bruit
- Le BJT est plus un effet de rayonnement.
- Moins de fréquence de commutation
- Le contrôle de base est complexe et nécessite donc une manipulation habile.
- Le temps nécessaire à la commutation n'est pas rapide par rapport à une fréquence
de clignotement élevée de la tension et du courant.6

Conclusion :

Au terme de notre recherche, qui porte sur le sujet du transistor bipolaire, sa

définition, son histoire, ses caractéristiques, son mécanisme d'action, ses avantages et
ses inconvénients... Le considérant comme le parrain des ordinateurs qui existent
aujourd'hui, sans oublier qu'il se développe jour après jour et sa taille ne cesse de se
réduire pour s'adapter au développement technologique continu, notamment dans le
monde des processeurs, des circuits intégrés et des puces numériques.
Bien sûr, il y a beaucoup d'aspects physiques et chimiques du transistor que nous
n'avons pas mentionnés, et c'est parce que c'est loin de notre spécialité, les
spécialistes sont chargés de les étudier dans leurs recherches.
Nous espérons que nous avons réussi à présenter et à communiquer les informations,
et nous vous remercions

10
 LA BIBLIOGRAPHIE

1- Mattaparthi,Venkat Sai . BYJU’S [en ligne] .[ consulté le 03 avril 2022] [ publié le

18 juilliet 2021] . Disponible sur l’adresse : https://byjus.com/physics/bipolar-
junction-transistor/

2 - AnySiliconBYJU’S [en ligne] .[ consulté le 03 avril 2022] [ Date du publication

introuvable ] .Disponible sur l’adresse : https://anysilicon.com/history-integrated-
circuit/

3 -Selsabil.[en ligne] .[ consulté le 03 avril 2022] [ Date du publication introuvable ]

.Disponible sur l’adresse : h/ttps://www.selsabil.com/2018/05/2018_69.html

4 - 5 – MITOPENCOURSEWAR .[ consulté le 04 avril 2022] [ Date du publication

introuvable ] .Disponible sur l’adresse : https://ocw.mit.edu/courses/6-071j-
introduction-to-electronics-signals-and-measurement-spring-2006/resources/
19_bjt_1/

6 - ELPROCUS [ consulté le 04 avril 2022] [ Date du publication

introuvable ] .Disponible sur l’adresse : https://www.elprocus.com/bipolar-junction-
transistor-working/

11
 THEME 2

Table des Matières

I. INTRODUCTION : ........................................................................ 2
II. BREF HISTORIQUE : ................................................................... 2
III. TYPES DE CIRCUITS INTÉGRÉS .................................................. 3
A. Analogiques ................................................................................................................................................................. 3
B. Numériques................................................................................................................................................................. 4
C. Microprocesseur ......................................................................................................................................................... 4
D. Circuits De Mémoire ................................................................................................................................................... 5
E. Circuit Intégré Spécifique à l'application .................................................................................................................... 6
F. Circuits Intégré Radiofréquence ................................................................................................................................. 6
G. Micro-ondes monolithiques ........................................................................................................................................ 7

IV. CONCEPTION DE CIRCUITS INTÉGRÉS........................................... 7

A. Conception Analogique ............................................................................................................................................... 7
B. Conception Numeriques ............................................................................................................................................. 8
C. Conception à signaux mixtes ...................................................................................................................................... 8

V. AVANTAGES ET INCONVÉNIENTS DU CIRCUIT INTÉGRÉS ................. 9

A. Avantages .................................................................................................................................................................... 9
B. Inconvénients .............................................................................................................................................................. 9

VI. CONCLUSION: ........................................................................... 9

VII. Bibliography .......................................................................... 10
I. INTRODUCTION :
circuit intégré (CI), également appelé circuit microélectronique, micropuce ou
puce, un ensemble de composants électroniques, fabriqués comme une seule
unité, dans laquelle miniaturisés appareils actifs (p. ex., transistors et diodes) et
appareils passifs (p. ex., condensateurs et résistances) et leurs interconnexions
sont construites sur un substrat fin de matériau semi-conducteur (typiquement
silicium). Le circuit qui en résulte est donc une petite « puce » monolithique, qui
peut être aussi petite que quelques centimètres carrés ou seulement quelques
millimètres carrés. Les composants individuels du circuit sont généralement de
taille microscopique. (Saint, 1999)

II. BREF HISTORIQUE :

Les circuits intégrés trouvent leur origine dans l’invention du transistor en 1947
par William B. Shockley et son équipe des Bell Laboratories de l’American
Telephone and Telegraph Company. L’équipe de Shockley (y compris John
Bardeen et Walter H. Brattain) a constaté que, dans les bonnes circonstances, les
électrons formeraient une barrière à la surface de certains cristaux, et ils ont
appris à contrôler le flux d’électricité à travers le cristal en manipulant cette
barrière. Le contrôle du flux d’électrons à travers un cristal a permis à l’équipe de
créer un appareil capable d’effectuer certaines opérations électriques, telles que
l’amplification des signaux, qui étaient auparavant effectuées par des tubes à
vide. Ils ont appelé ce appareil un transistor, à partir d’une combinaison des mots
transfert et résistance. L’étude des méthodes de création d’appareils
électroniques utilisant des matériaux solides est devenue connue sous le nom
d’électronique à l’état solide. Les appareils à semi-conducteurs se sont avérés
beaucoup plus robustes, plus faciles à utiliser, plus fiables, beaucoup plus petits et
moins coûteux que les tubes à vide. Utilisant les mêmes principes et matériaux,
les ingénieurs ont rapidement appris à créer d’autres composants électriques, tels
que des résistances et des condensateurs. Maintenant que les appareils électriques
pouvaient être fabriqués si petits, la plus grande partie d’un circuit était le câblage
gênant entre les appareils.

Figure 1 : Le premier transistor, inventé par les

physiciens américains John Bardeen, Walter H.
Brattain et William B. Shockley.
En 1958, Jack Kilby, de Texas Instruments, Inc., et Robert Noyce, de Fairchild
Semiconductor Corporation, ont pensé indépendamment à un moyen de réduire
davantage la taille du circuit. Ils ont posé des chemins de métal très minces
(généralement en aluminium ou en cuivre) directement sur la même pièce de
matériau que leurs appareils. Ces petits chemins servaient de fils. Avec cette
technique, un circuit complet pourrait être « intégré » sur un seul morceau de
matériau solide et un circuit intégré (CI) ainsi créé. Les CI peuvent contenir des
centaines de milliers de transistors individuels sur une seule pièce de matière de
la taille d’un pois. Travailler avec autant de tubes à vide aurait été irréalistement
gênant et coûteux. L’invention du circuit intégré a rendu possibles les
technologies de l’ère de l’information. Les CI sont maintenant largement utilisés
dans tous les domaines de la vie, des voitures aux grille-pain en passant par les
manèges. (Saint, 1999)

III. TYPES DE CIRCUITS INTÉGRÉS

A. Analogiques
Les circuits analogiques ou linéaires n’utilisent généralement que quelques
composants et font donc partie des types de circuits intégrés les plus simples. En
général, les circuits analogiques sont connectés à des appareils qui recueillent des
signaux de l’environnement ou qui envoient des signaux à l’environnement. Par
exemple, un microphone convertit des sons vocaux fluctuants en un signal
électrique de tension variable. Un circuit analogique modifie ensuite le signal
d’une manière utile, par exemple en l’amplifiant ou en le filtrant par du bruit
indésirable. Un tel signal pourrait alors être transmis à un haut-parleur, qui
reproduirait les tonalités initialement captées par le microphone. Une autre
utilisation typique pour un circuit analogique est de contrôler certains appareils
en réponse à des changements continus dans l’environnement. Par exemple, un
capteur de température envoie un signal variable à un thermostat, qui peut être
programmé pour allumer et éteindre un climatiseur, un appareil de chauffage ou
un four une fois que le signal a atteint une certaine valeur. (Saint, 1999)

Figure 2 : NE555 Minuterie, Signetics, 1971

La minuterie 555 polyvalente de Hans

Camenzind est l’un des circuits analogiques
les plus populaires et les plus volumineux
jamais réalisés.
 B. Numériques
Fonctions de circuits intégrés numériques pour gérer des signaux discrets tels que
des valeurs binaires dans lesquelles des opérations logiques « vrai/faux » sont
utilisées. Les fonctions booléennes de base telles que AND, OR, et NOT sont
essentielles dans la construction de fonctionnalités pour les systèmes numériques
modernes. Ces fonctions booléennes sont implémentées en utilisant des
transistors. Par exemple, la structure interne d’un transistor d’une porte NAND
est donnée dans la figure suivante.
Il pourrait y avoir dix milliards de transistors ou plus dans le circuit numérique
moderne. Nous avons donc besoin de circuits intégrés (CI) qui combinent un petit
ou un grand nombre de ces transistors pour atteindre une fonctionnalité
particulière. Ces circuits offrent aux étudiants des avantages, un coût très bas et
un niveau de fiabilité plus élevé. Exemples de circuits intégrés : MOS, CMOS, TTL,
etc. Les circuits intégrés CMOS sont tolérants aux pannes, réduisent le risque de
défaillance des puces, utilisent de la mousse antistatique pour le stockage et le
transport des circuits intégrés. La technologie TTL nécessite une alimentation
électrique régulée de 5 volts. (Chandu, 2019)

Figure 3 : Une implémentation possible

de la fonction logique NAND

C. Microprocesseur
Un microprocesseur est un circuit intégré (CI) qui intègre les fonctions de base de
l’unité centrale de traitement (UC) d’un ordinateur. Il s’agit d’une puce de
silicium programmable, pilotée par horloge, basée sur registre, accepte les
données binaires comme entrée et fournit une sortie après le traitement selon les
instructions stockées dans la mémoire. (Marvin, s.d.)
 Figure 4 : Puce IC à microprocesseur

D. Circuits De Mémoire
Les circuits intégrés (I/C), également appelés micropuces, sont des composants
informatiques intégrés constitués de résistances miniatures, de condensateurs et
de transistors disposés sur un semi-conducteur. Ces puces peuvent être
analogiques ou numériques, et elles peuvent être utilisées pour un certain nombre
de fonctions de calcul. Mémoire I/C utilise les changements de tension pour
stocker des données dans un ordinateur, y compris non seulement des fichiers et
des programmes, mais aussi des informations temporaires sur les états de
traitement.
Mémoire numérique I/C accomplir toutes ces fonctions via des portes logiques,
qui peut lire et exprimer seulement l’entrée binaire. La surface d’une puce de
mémoire est recouverte de réseaux de cellules de mémoire, dont chacune contient
un condensateur et un ou plusieurs transistors. Chaque cellule stocke un seul bit
de données binaires en fonction de l’état de ses circuits. Un groupe de ces cellules
définit une adresse mémoire, également appelée une ligne de mot, que
l’ordinateur accède ensemble pour stocker ou recevoir un morceau de données.
La mémoire moderne I/C peut stocker d’immenses quantités de données grâce à
la taille microscopique de leurs circuits. Une I/C numérique de la taille d’un pois
peut accueillir des centaines de milliers de transistors sur sa surface, de sorte
qu’une puce mémoire de taille standard peut facilement se vanter de millions de
circuits parallèles. (Memory Integrated Circuits, s.d.)

Figure 5 : Circuit intégré de mémoire EPROM

 E. Circuit Intégré Spécifique à l'application
Le circuit intégré spécifique à l’application (ASIC) est un circuit intégré non
standard conçu pour une utilisation ou une application spécifique. ASIC est
généralement conçu pour un produit qui aura une grande production, et il
contient une grande partie de l’électronique nécessaire sur un seul circuit intégré.
Le coût d’une conception ASIC (par ex. NRE) en conséquence est très élevé, et
donc les ASIC sont généralement utilisés pour les produits à volume élevé.
Même si le coût de conception de l’ASIC est assez élevé, il peut être rentable pour
de nombreuses applications à volume élevé, en particulier lorsqu’une partie
importante d’un énorme système peut être intégrée dans un circuit ASIC, ce qui
réduit considérablement le nombre de composants externes. ASIC a contribué à
révolutionner la technologie en réduisant la taille des produits électroniques et en
augmentant la densité des portes logiques par puce. (Ultimate Guide: ASIC
(Application Specific Integrated Circuit), s.d.)

Figure 6 : "Plan d’étage" d’un ASIC typique

F. Circuits Intégré Radiofréquence

Un circuit intégré de radiofréquence est un circuit électronique compact qui utilise
des dispositifs actifs pour les fréquences de signal dans la gamme dite des
radiofréquences (RF). Les circuits de radiofréquence comprennent des
amplificateurs, des modulateurs et des démodulateurs de faible et de grande
puissance. Les amplificateurs augmentent la tension ou le niveau de puissance des
signaux RF. Les niveaux d’entrée aux amplificateurs pourraient être très bas pour
les récepteurs, et ces niveaux faibles peuvent être aussi bas qu’une fraction d’un
millionième de volt (V). Les modulateurs sont utilisés dans les émetteurs pour
modifier une porteuse RF afin que le message ou l’information soit combiné en
une caractéristique de la porteuse, tandis que les démodulateurs extraient
l’information des porteuses modulées existantes. (Legapzi, 2022)
 Figure 7 : Distributeur de puces IC de l’émetteur-
récepteur RF

G. Micro-ondes monolithiques
(Monolithic Microwave IC) Circuit intégré utilisé dans les applications à haute
fréquence telles que les téléphones mobiles. Aussi connu sous le nom de
"monolithique micro-onde/millimètre-onde IC," MMICs combinent des
transistors et des appareils passifs (résistances, condensateurs, etc.) sur la même
puce et sont largement utilisés comme amplificateurs et filtres dans les
télécommunications. Les MMIC peuvent être analogiques seulement ou en mode
mixte analogique et numérique. (Definition of MMIC, s.d.)

Figure 8 : Circuit intégré monolithique hyperfréquence

IV. CONCEPTION DE CIRCUITS INTÉGRÉS

Toutes les CI utilisent les mêmes principes de base que la tension (V), le courant
(I) et la résistance (R). En particulier, les équations basées sur la loi d’Ohm, V = IR,
déterminent de nombreux choix de conception de circuit. Les ingénieurs
concepteurs doivent également connaître les propriétés de divers composants
électroniques nécessaires à différentes applications.

A. Conception Analogique
Comme mentionné précédemment, un circuit analogique prend une tension ou un
courant du monde réel infiniment variable et le modifie d’une manière utile. Le
signal peut être amplifié, comparé à un autre signal, mélangé avec d’autres
signaux, séparé d’autres signaux, examiné pour la valeur, ou autrement
manipulé. Pour la conception de ce type de circuit, le choix de chaque composant,
taille, emplacement et connexion est crucial. Les décisions uniques abondent —
par exemple, si une connexion doit être légèrement plus large qu’une autre, si une
résistance doit être orientée parallèlement ou perpendiculairement à une autre,
ou si un fil peut se trouver au-dessus d’une autre. Chaque petit détail affecte la
performance finale du produit final. (Saint, 1999)

B. Conception Numeriques
Puisque les circuits numériques impliquent des millions de fois plus de
composants que les circuits analogiques, une grande partie du travail de
conception est faite en copiant et en réutilisant les mêmes fonctions de circuit, en
particulier en utilisant un logiciel de conception numérique qui contient des
bibliothèques de composants de circuit pré-structurés. Les composants
disponibles dans une telle bibliothèque sont de hauteur similaire, contiennent des
points de contact dans des emplacements prédéfinis, et ont d’autres conformités
rigides de sorte qu’ils s’emboîtent indépendamment de la façon dont l’ordinateur
configure une mise en page. Alors que SPICE est parfaitement adapté à l’analyse
des circuits analogiques, avec des équations qui décrivent des composants
individuels, la complexité des circuits numériques nécessite une approche moins
détaillée. Par conséquent, le logiciel d’analyse numérique ignore les composants
individuels pour les modèles mathématiques de blocs de circuits préconfigurés
entiers (ou fonctions logiques). (Saint, 1999)

C. Conception à signaux mixtes

Pour les conceptions qui contiennent des circuits analogiques et numériques
(puces à signaux mixtes), les simulateurs analogiques et numériques standard ne
sont pas suffisants. Au lieu de cela, des simulateurs comportementaux spéciaux
sont utilisés, utilisant la même idée de simplification derrière les simulateurs
numériques pour modéliser des circuits entiers plutôt que des transistors
individuels. Les simulateurs comportementaux sont conçus principalement pour
accélérer les simulations du côté analogique d’une puce à signal mixte.
La difficulté avec la simulation comportementale est de s’assurer que le modèle
de la fonction de circuit analogique est précis. Comme chaque circuit analogique
est unique, il semble que l’on doive concevoir le système deux fois, une fois pour
concevoir le circuit et une fois pour concevoir le modèle du simulateur. (Saint,
1999)
V. AVANTAGES ET INCONVÉNIENTS DU CIRCUIT
INTÉGRÉS
A. Avantages
Les avantages des circuits intégrés (CI) comprennent:
- Il est assez petit en taille pratiquement autour de 20.000 composants
électroniques peuvent être incorporés dans un seul pouce carré de puce IC.
- De nombreux circuits complexes sont fabriqués en une seule puce, ce qui
simplifie la conception d’un circuit électronique complexe. En outre, il
améliore la performance.
- La fiabilité du CI est élevée
- Ceux-ci sont disponibles à faible coût en raison de la production en vrac.
- Les CI consomment très peu d’énergie.
- Vitesse de fonctionnement plus élevée en raison de l’absence d’effet de
capacité parasitaire.
- Très facilement remplaçable depuis le circuit mère.
(Integrated Circuits (ICs): What are the type of IC?, 2020)

B. Inconvénients
Les inconvénients des circuits intégrés (CI) comprennent :
- En raison de sa petite taille, IC est incapable de dissiper la chaleur à la
vitesse requise lorsque le courant y a augmenté. C’est pourquoi les circuits
intégrés sont souvent endommagés en raison d’un courant excessif qui les
traverse.
- Les inducteurs et les transformateurs ne peuvent pas être incorporés dans
les CI.
(Integrated Circuits (ICs): What are the type of IC?, 2020)

VI. CONCLUSION:
Alors que la majeure partie de l’industrie électronique dépend de la taille
transistors lithographiques, cette mise à l’échelle ne peut pas continuer
indéfiniment. Nano-électronique (circuits construits avec des composants à
l’échelle de 10nm) semblent être le successeur le plus prometteur des CI
lithographiques. Des dispositifs à l’échelle moléculaire, y compris des diodes, des
interrupteurs bistables, des nanotubes de carbone et des nanofils, ont été
fabriqués et caractérisés dans des laboratoires de chimie. Les techniques d’auto-
assemblage de ces dispositifs en différentes architectures ont également été
démontrées et utilisées pour construire des prototypes à petite échelle. Bien que
ces dispositifs et techniques d’assemblage conduisent à l’électronique
nanométrique, ils ont également l’inconvénient d’être sujettes à des défauts et
des défauts transitoires. Les techniques de tolérance aux pannes seront cruciales
pour l’utilisation de la nanoélectronique. Enfin, il faudra apporter des
changements aux outils logiciels qui appuient la fabrication et l’utilisation des
circuits intégrés pour les étendre à la nanoélectronique. (Haselman & Hauck)

VII. Bibliography
Chandu, Y. (2019, 02 21). Digital Integrated Circuit. Consulté le 04 05, 2022, sur TuturialsPoint:
https://www.tutorialspoint.com/digital-integrated-circuits

Definition of MMIC. (s.d.). Consulté le 04 05, 2022, sur PCMAG: https://www.pcmag.com/encyclopedia/term/mmic

Haselman, M., & Hauck, S. (s.d.). The Future of Integrated Circuits: A Survey of Nano-electronics. Consulté le 04 05, 2022,
sur University Of Washington: https://people.ece.uw.edu/hauck/publications/NanoSurvey.pdf

Integrated Circuits (ICs): What are the type of IC? (2020, 10 23). Consulté le 04 03, 2022, sur Electrical4U:
https://www.electrical4u.com/integrated-circuits-types-of-ic/

Legapzi, G. A. (2022, 03 03). What Is a Radio Frequency Integrated Circuit? Consulté le 04 05, 2022, sur wisegeek:
https://www.wise-geek.com/what-is-a-radio-frequency-integrated-circuit.htm

Marvin, R. (s.d.). Are microprocessors integrated circuits? Consulté le 05 04, 2022, sur moviecultists:
https://moviecultists.com/are-microprocessors-integrated-circuits

Memory Integrated Circuits. (s.d.). Consulté le 04 05, 2022, sur NetSource Technology:
https://www.nstechnology.com/memory-integrated-circuits/

Saint, C. (1999, July 26). Integrated Circuit. Consulté le 04 03, 2022, sur Britannica:
https://www.britannica.com/technology/integrated-circuit

Ultimate Guide: ASIC (Application Specific Integrated Circuit). (s.d.). Consulté le 04 05, 2022, sur anysilicon:
https://anysilicon.com/ultimate-guide-asic-application-specific-integrated-circuit/