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Master :

Epreuve : Physique des Semi- Durée


conducteurs
1h30

Faculté des Sciences

Exercice 1 : La structure de bande d'un semi-conducteur est illustrée ci-dessous.


1- Décrivez comment vous pourriez déterminer la masse effective des trous à
partir de ce diagramme.
2- Ce semi-conducteur a-t-il une bande interdite directe ou indirecte ?
3- De quelle fréquence un photon aurait-il besoin pour générer une paire
électron-trou dans ce semi-conducteur ?

Exercice 2 : Un morceau de silicium de type p est uniformément dopée avec du bore


avec une concentration de NA=1015 cm-3. Un dopage linéaire de type n est alors
introduit avec un profil de concentration ND=1017(1-x3x10-6) cm-3. Avec x est la
distance de la surface de la plaquette mesurée en mètres où x=0 est la surface de la
plaquette. Le dopage donneur s'annule à une profondeur de 3 microns et reste nul pour
x>3μm.
(a) Esquissez la concentration de donneurs, d'accepteurs, d'électrons et de trous (ND(x),
NA(x), n(x), p(x)).
(b) Quelle est la concentration de trous à x=1 μm ?
(c) Quelle est la concentration d'électrons à x=5 μm ?
(d) Dessinez le diagramme de bande (bande de valence, bande de conduction, énergie
de Fermi) en supposant qu'aucune polarisation de tension n'est appliquée.
(e) Dessinez le champ électrique en fonction de x.
Pour le silicium : Eg=1.12 eV, Nc=2.78×1019Nc=2.78×1019 1/cm-3,
Nv=9.84×1018 1/cm-³, et ni=1.5×1010 cm-3.
Exercice 3 : On considère une jonction pn à base de silicium.
(a) Dessinez le diagramme de bande indiquant la bande de valence, la bande
de conduction, l'énergie de Fermi et le potentiel de diffusion, Vbi en supposant
qu'aucune tension n'est appliquée à travers la jonction. Indiquez sur ce
diagramme approximativement où se situerait la région d'appauvrissement.
(b) Le dopage est ND = 3×1016 cm-³ et NA = 3×1016 cm-³. A 300 K, quelle est la
concentration de trous côté p et la concentration de trous (porteurs
minoritaires) côté n ? Pour le silicium, ni = 1,5×1010 cm-³.
(c) Expliquez ce qu'est le courant de diffusion et dans quel sens il circule pour
la polarisation directe et la polarisation inverse.
Exercice 4 : Un échantillon de silicium intrinsèque est dopé avec des accepteurs d'un
côté tel que NA=N0e-ax.
(a) Dessinez le diagramme de bande (bande de conduction, bande de valence, énergie
de Fermi) en fonction de x. Il n'y a pas de courant qui circule donc l'énergie de Fermi
doit être constante.
(b) Dessinez les concentrations d'électrons et de trous (n et p) et le champ électrique en
fonction de x. Expliquez pourquoi ces quantités ont la forme que vous avez dessinée.
Exercice 5 : Prenons une diode électroluminescente verte.
(a) Dessinez la relation de dispersion électronique E vs. k. Indiquez la valeur de la
bande interdite Eg.
(b) Dessinez une coupe transversale d'une plaquette avec une LED. Inclure les contacts
dans le dessin.
(c) Décrivez les problèmes associés au couplage de la lumière hors de la diode.
(d) Que faudrait-il faire pour transformer cette LED en diode laser ?
Exercice 6 : Les diodes électroluminescentes infrarouges sont utilisées dans les
télécommandes Quelle est la longueur d'onde la plus longue pouvant être produite avec
une LED infrarouge ?.
Quantité Symbole Valeur Unités
charge électronique e 1.60217733 × 10-19 C

vitesse de la lumière c 2.99792458 × 108 m/s

Constante de Planck h 6.6260755 × 10-34 Js

constante de Planck réduite ℏ 1.05457266 × 10-34 Js

Constante de Boltzmann kB 1.380658 × 10-23 J/K

masse électronique me 9.1093897 × 10-31 kg

Constante de Stefan-Boltzmann σ 5.67051 × 10-8 W m-2 K-4

Rayon de Bohr a0 0.529177249 × 10-10 m

constante de masse atomique mu 1.6605402 × 10-27 kg

perméabilité du vide μ0 4π × 10-7 N A-2

permittivité du vide ε0 8.854187817 × 10-12 F m-1

Constante d'Avogadro NA 6.0221367 × 1023 mol-1

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