These - Sall Version Mai 2022 Corrigee

ECOLE DOCTORALE DEVELOPPEMENT DURABLE ET SOCIETE (ED2DS)
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DOMAINE SCIENCE ET TECHNOLOGIE (SET)
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Année xxxx -N° d’ordre xxxx
THESE DE DOCTORAT UNIQUE EN PHYSIQUE
Présenté par :
M. Mamadou Sall
Maître ès Sciences
POUR OBTENIR LE GRADE DE DOCTEUR
Option : Energie solaire
Etude de la photopile bifaciale (n+/p/p+) au silicium sous éclairement

monochromatique en modulation de fréquence par face arrière (p+):
détermination de l’épaisseur optimum de la base (p) et des paramètres
électriques
Soutenu publiquement le……devant le jury composé de :

Président Grégoire SISSOKO Professeur Titulaire FST/UCAD
Habiboula Lemrabott Maitre de conferences ESMT/DAKAR
Rapporteurs Alassane DIENE Maitre de conferences EPT
Ousmane Sow Maitre de conferences IUT/UIDT/THIES
Moustapha THIAME Maitre de conferences UASZ
Examinateurs Gora Diop Dr Assistant Vac FST/UCAD
Youssou TRAORE Dr Assistant IUT/UIDT/THIES
Directeur de thèse Mamadou Wade Professeur Titulaire EPT/THIES
Dédicaces
Dédicaces
A ma chère et tendre mère OUMOUHANY SY pour avoir toujours été à mes côtés pour me
soutenir, pour tout l’amour que vous me portez, pour avoir tout donné et tout sacrifié pour vos
enfants. Puisse DIEU vous garder longtemps en vie et vous accorder une santé de fer. Je vous
aime de tout mon cœur maman et suis fière d’être votre fils.
A mon cher père BOUBACAR SALL. Depuis ma tendre enfance, tu es mon plus fort repère.
Un être unique et magnifique, le meilleur des pères. Ton amour pour moi a été une force qui
donne confiance en soi. . Merci pour ce que tu as été pour moi, un chemin de sérénité. Merci à
toi Grand Homme, le bonheur dans ma vie tu as semé. Jamais je ne pourrais oublier votre
rigueur que vous nous avez inculqué , malgré que vous soyez un illettré cous avez que nous
ne soyons pas des illettrés . Merci pour tout papa, on vous aime pour cela
A ma femme AISSATA SALL pour votre soutien et votre compréhension. Que le bonne Dieu
veille sur toi. Je t’aime de tout mon cœur. Tu es ma vie et resteras dans mon cœur pour
l’éternité.
A ma femme FATOU NDACK THIAW pour votre soutien et votre compréhension. Que le
bonne Dieu veille sur toi. Je t’aime de tout mon cœur. Tu es ma vie et resteras dans mon cœur
pour l’éternité.
A mes filles aînée OUMOUHANY SALL,AISSATA SALL . Que le bon Dieu VOUS
protègent et vous accordent santé.
A mes garcons : Elhadj Boubacar, Taha et Ibrahima SALL
A mes frères : Amadou, Atick ,Hamath, Abdoulaye, Hamidou
A mes sœurs : Fatimata, Faba, Aissata, Oumou, Kourssoum
En témoignage de mon profond amour et respect, je vous souhaite le succès dans toutes vos
entreprises et une santé de fer. Puisse DIEU nous aider à rester toujours unis dans l’amour.
A mes oncles et tantes.
A mes ami(e)s : Merci de Votre Soutien, Votre Amitié, vous êtes mes frères et sœurs de cœur
A ma belle-sœur et ses enfants.
A mon beau-frère et sa famille.
A mes cousins et cousines.
A mes belles-familles pour leur confiance envers ma personne. Que le bon Dieu vous accorde
la santé et une longue vie.
A tous mes collègues du centre d’enseignement technique et de formation professionnelle cfpt
Sénégal-japon
A l’administration du centre ,ledirecteur babacar seck et tous ces collaborateurs ,a tous mes
paires formateurs je dedie ce travail merci a tout lemonde .
Page i
Dédicaces
A Tous (tes) ceux (celles) que j’aime, qui m’aiment et me sont chers. Je vous dédie ce travail
étant le fruit de vos sacrifices, de vos aides et surtout de vos motivations qui m’ont soutenu
tout au long de mes études.
Hommage à Diaguina Diarisso et à Ibrahima Ly, une pensee pieuse à ses ulustres
professeurs.
J’ais sentis un grand vide avec votre la disparution, vous qui etaient des exemples des
références dand le cadre du travail. Que dieu vous acceuille dand son ullustre paradis .je
vous associe dans mes prieres a chaque fois .
Page ii
Remerciements
Remerciements
Je tiens à remercier :
Mr Grégoire Sissoko, Professeur Titulaire à la Faculté des Sciences et Techniques de
l’Université Cheikh Anta DIOP de Dakar (UCAD). Je tiens à exprimer ma profonde
gratitude pour votre encadrement sans faille, votre soutien financier et moral, vos conseils et
votre grande disponibilité. Merci de nous offrir une seconde famille dans votre équipe de
recherche, le GIREER. Merci de m’avoir appris à faire la recherche, à rédiger des articles.
Merci de m’avoir inoculé l’amour du travail, l’amour du travail bien fait. Merci de
m’éduquer tous les jours par vos conseils. Merci pour tout ce que vous avez fait pour moi et
pour ma famille, je suis très reconnaissant. Merci pour votre grande générosité.
Puisse Dieu le tout puissant vous rétribuer au centuple tout le bonheur que vous donnez
autour de vous. Que Dieu vous garde, vous donne une très longue vie accompagnée d’une
santé de fer. Qu’Allah vous bénisse, vous protège et répande toute sa miséricorde sur vous et
votre famille. AMEN !
Mr M. Mamadou Wade : Professeur titulaire à l’Ecole Polytechnique de Thiès
(EPT), pour sa disponibilité, son sens de l’écoute et ses qualités humaines. Vous avez co-
encadré ce travail. Vous m’avez toujours poussé à donner le meilleur de moi pour finir à
temps cette thèse. Je vous en suis très reconnaissant, merci pour l’accompagnement
professeur.
Mr M. Ousmane Sow : Maître de conferences à l’Institut Universitaire de Thiès
IUT, pour ses conseils et orientations qui m’ont servi à poursuivre les études. Je vous
renouvelle toute ma gratitude.
Mr M. Habiboula Lemrabott : Maître deconferences ESMT DAKAR, pour sa
participation danslejury. Je vous renouvelle toute ma gratitude.
Mr M. Alassane Diene : Maître deconferences à l’ecole polytechnique de Thiès ,
pour ses conseils et orientations qui m’ont servi à poursuivre les études ,ce qui me marque le
plus chez ce grand monsieur c’est sa simplicité et sa courtoisie . Je vous renouvelle toute ma
gratitude.
Mr , YOUSSOU TRAORE : DR Assistant à l’Institut Universitaire de Thiès IUT,
d’avoir accepter dexaminer ce travail.
Page iii
Remerciements
Mr , GORA DIOP : DR Assistant vaccataire à la Faculté des Sciences et Techniques

de l’Université Cheikh Anta DIOP de Dakar (UCAD),grand merci a vous d’avoir accepter
d’examiner ce travail .
Ce travail a été effectué au sein du Groupe International de Recherche en Energie
Renouvelable (GIRER) dirigé par monsieur Grégoire Sissoko, professeur titulaire de
classe exceptionnelle au département de physique (FST – UCAD)
Chevalier dans l’ordre national du lion
Page iv
Résumé
Résumé
Une étude théorique d'une photopile bifaciale éclairé par la face arrière, en régime fréquentiel
et sous éclairement monochromatique est présentée. Une étude bibliographique est présentée
pour la compréhension des résultats présentés dans ce travail. Sont rappelés des travaux
effectués par divers chercheurs sur différentes photopiles soumises à des paramètres
physiques extérieurs.
L’expression de la densité de porteurs minoritaires de charge en excès dans la base de la
photopile est déterminée en résolvant l’équation de continuité traduisant les phénomènes de
génération, de diffusion et de recombinaison au sein de la photopile sous éclairement
monochromatique en régime fréquentiel. L’étude de cette dernière a permis de déterminer
quelques grandeurs électriques de la photopile : la densité de photocourant, la phototension, la
caractéristique courant-tension. L’expression des vitesses de recombinaison à la face arrière
est déterminée en dérivant l’expression de la densité de photocourant pour les grandes valeurs
de la vitesse de recombinaison à la jonction. En appliquant la technique de l’intersection des
courbes de ces dernières ainsi obtenues, l’épaisseur optimum correspondante à une fréquence
donnée est déterminée. Cette optimisation a pour intérêt d’avoir de photopiles à haut
rendement et à bon prix. Les effets de la fréquence et de l’épaisseur optimum sur la puissance
maximale et le rendement de la photopile pour des faibles et grandes coefficients
d’absorption.
Et pour des faibles et grandes coefficients d’absorption, les paramètres électriques
macroscopiques sont étudiés sous l’influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum.
Mots clés : Photopile bifaciale au silicium, , vitesse de recombinaison, épaisseur optimum,

coefficient d’absorption, régime fréquentiel.
Page v
Liste de figures
Table des Matières

Dédicaces...............................................................................................................i
Remerciements...................................................................................................iii
Résumé.................................................................................................................v
Table des Matières.............................................................................................vi
Liste de figures.....................................................................................................x
Liste de tableaux...............................................................................................xiv
Nomenclature.....................................................................................................xv
Introduction générale.......................................................................................xvi
Bibliographie..................................................................................................xviii
Chapitre 1: Etude bibliographique....................................................................1
1.1 Introduction.......................................................................................................................1
1.2 Etude bibliographique sur la caractérisation des photopiles...........................................1
1.2.1 Electric equivalent models of intrinsic recombination velocities of a bifacial silicon
solar cell under frequency modulation and magnetic field effect [1].....................................1
1.2.2 Three-dimensional study of a polycrystalline silicon solar cell: the influence of the
applied magnetic field on the electrical parameters [2]........................................................4
1.2.3 Capacitance of Vertical Parallel Junction Silicon Solar Cell under Monochromatic
Modulated Illumination [3]....................................................................................................6
1.2.4 External Electric Field Influence on Series and Shunt Resistance Bifacial Silicon
Solar Cell [4]..........................................................................................................................9
1.2.5 Determination of the Recombination and Electrical Parameters of a Vertical
Multijunction Silicon Solar Cell [5].....................................................................................10
1.2.6 Influence of Magnetic Field on the Capacitance of a Vertical Junction Parallel Solar
Cell in Static Regime, Under Multispectral Illumination [6]...............................................11
1.2.7 Studies on the temperature dependence of I–V and C–V characteristics of electron
irradiated silicon photo-detectors [7]..................................................................................13
1.2.8 Silicon solar cell capacitance: influence of both temperature and wavelength [8]....14
1.2.9 Influence d’une onde électromagnétique sur une photopile au silicium sous
éclairement multi spectral en régime statique [9]................................................................15
1.2.10 Study of base doping rate effect on parallel vertical junction silicon solar cell under
magnetic field [10]................................................................................................................17
1.2.11 Junction Recombination Velocity Induced Open Circuit Voltage for A Silicon Solar
Cell under External Electric Field [11]................................................................................19
1.2.12 Back Surface Recombination Velocity Dependent of Absorption Coefficient as
Applied to Determine Base Optimum Thickness of an n/p/p+ Silicon Solar Cell [12]........20
Page vi
Liste de figures
1.2.13 n+-p-p+ Silicon Solar Cell Base Optimum Thickness Determination under Magnetic
Field [13]..............................................................................................................................23
1.2.14 Surface Recombination Concept as Applied to Determinate Silicon Solar Cell Base
Optimum hickness with Doping Level Effect [14]................................................................28
1.2.15 Technique de détermination de l'épaisseur optimum de la base appliquée à une
photopile n+ /p / p + au silicium sous éclairement monochromatique de courtes longueurs
d'onde [15]............................................................................................................................30
1.2.16 Base Thickness Optimization of a (n+-p-p+) Silicon Solar Cell in Static Mode under
Irradiation of Charged Particles [51]..................................................................................32
1.2.16 Electrical Parameters Determination from Base Thickness Optimization in a Solar
Cell under Influence of the Irradiation Energy Flow of Charged Particles [16]................40
1.2.17 Ac Recombination Velocity as Applied to Determine n+/p/p+ Silicon Solar Cell Base
Optimum Thickness [17].......................................................................................................47
1.2.18 Experimental determination of minority carrier lifetime in solar cell using transient
measurement [18].................................................................................................................49
1.2.19 Influence of Both Magnetic Field and Temperature on Silicon Solar Cell Base
Optimum Thickness Determination [19]..............................................................................49
1.2.20 Base thickness optimization of a vertical series junction silicon solar cell under
magnetic field by the concept of back surface recombination velocity of minority carrier
[20].......................................................................................................................................53
1.2.21 Lamella Silicon Solar Cell under Both Temperature and Magnetic Field : Width
Optimum Determination [21]...............................................................................................55
1.2.22 Surface recombination velocity concept as applied to determinate back surface
illuminated silicon solar cell base optimum thickness, under temperature and external
magnetic field effects [22]....................................................................................................58
Conclusion............................................................................................................................60
Bibliographie......................................................................................................61
Chapitre 2 : Etude de la densité de porteurs minoritaires en excès.............64
2.1. Introduction....................................................................................................................64
2.2. Présentation de la photopile..........................................................................................64
2.3. Equation de continuité...................................................................................................65
2.4. Solution de l’équation de continuité..............................................................................67
2.4.1. Equation sans second membre....................................................................................67
2.4.2. Equation avec second membre....................................................................................67
2.5. Conditions aux limites....................................................................................................68
2.6. Densité des porteurs minoritaires..................................................................................69
2.6.1. Influence de la fréquence sur la densité des porteurs en excès..................................69
2.6.1.1. Pour un coefficient d’absorption faible...................................................................69
2.6.1.2. Pour un coefficient d’absorption grand...................................................................70
2.7. Densité de photocourant................................................................................................71
Page vii
Liste de figures
2.7.1. Expression...................................................................................................................71
2.7.2. Influence de la fréquence sur la densité de photocourant..........................................71
2.7.3. Influence de l’épaisseur de la base sur la densité de photocourant...........................73
2.8. Détermination de l’épaisseur optimum de la base sous l’influence de la fréquence par
la technique de l’intersection des courbes des vitesses de recombinaison à la face arrière75
2.8.1. Pour un coefficient d’absorption faible base..............................................................76
2.8.2. Pour un coefficient d’absorption grand......................................................................79
2.9. Conclusion.....................................................................................................................82
Bibliographie......................................................................................................84
Chapitre 3 : Détermination des caractéristiques I-V, P-V, FF et η sous
l’influence de l’épaisseur optimum..................................................................86
3.1. Introduction....................................................................................................................86
3.2. Phototension..................................................................................................................86
3.2.1. Expression de la phototension....................................................................................86
3.2.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base sur la phototension
pour un coefficient d’absorption respectivement faible et grand.........................................87
3.3. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base sur la caractéristique I-
V............................................................................................................................................90
3.3.1. Pour un coefficient d’absorption faible......................................................................90
3.3.2. Pour un coefficient d’absorption grand......................................................................92
3.4. Etude de la puissance.....................................................................................................94
3.4.1 Expression de la puissance..........................................................................................95
3.4.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale de la base sur la phototension
pour un coefficient d’absorption respectivement faible et grand.........................................96
3.4.2.2.Pour un coefficient d’absorption grand....................................................................99
3.5. Facteur de forme..........................................................................................................101
3.5.1. Expression.................................................................................................................101
3.5.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale de la base sur le facteur de
forme...................................................................................................................................102
3.5.2.1. Pour un coefficient d’absorption faible.................................................................102
3.5.2.2.Pour un coefficient d’absorption grand..................................................................102
Page viii
Liste de figures
3.6. Rendement de conversion photovoltaïque...................................................................103

3.6.1. Expression.................................................................................................................103
3.6.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale sur le rendement....................103
3.6.2.2. Pour un coefficient d’absorption grand.................................................................103
3.7. Conclusion...................................................................................................................103
Chapitre 4 : Détermination de paramètres électriques macroscopiques...105
4.1. Introduction..................................................................................................................105
4.2. Résistance série............................................................................................................105
4.2.1. Expression.................................................................................................................105
4.2.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale................................................107
4.3. Résistance shunt...........................................................................................................110
4.3.1. Expression.................................................................................................................110
4.3.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale................................................112
4.4. Capacité.......................................................................................................................115
4.4.1. Expression.................................................................................................................115
4.4.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale sur la capacité.......................116
4.4.3. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale sur la capacité sous obscurité
.............................................................................................................................................117
4.4.3.1.Pour un coefficient d’absorption faible..................................................................118
4.4.3.2.Pour un coefficient d’absorption grand..................................................................119
4.5. Conclusion...................................................................................................................120
Bibliographie....................................................................................................121
Conclusion générale........................................................................................123
Page ix
Liste de figures
Liste de figures
Figure 1.1: Circuit électrique équivalent de Sfo1 sans champ magnétique appliqué.........2
Figure 1.2 : Circuit électrique équivalent de Sfo1 avec champ magnétique appliqué.......2
Figure 1.3 : Circuit électrique équivalent de Sbo1 sans champ magnétique appliqué.......3
Figure 1.4 : Circuit électrique équivalent de Sbo1 sans champ magnétique appliqué.......3
Figure 1.5 : Modèle tridimensionnel du grain de silicium polycristallin.............................4
Figure 1.6 : Module du coefficient de diffusion en fonction de la fréquence angulaire et
du champ magnétique...............................................................................................................5
Figure 1.8 : Capacité en fonction du logarithme de la fréquence pour différentes
longueurs d’onde.......................................................................................................................7
Figure 1.9 : (a) Im(Coc) en fonction de Re(Coc) pour différentes longueur d’onde en
circuit ouvert.............................................................................................................................8
Figure 1.10 : (a) Im(Csc) en fonction de Re(Csc) pour différentes longueurs d’onde en
court-circuit Sf = 6.106 cm/s, H = 0.03 cm, Lo = 0.02 cm, Do = 26 cm2/s, z = 0.0001 cm. 1:
λ = 0.44 μm; 2: λ = 0.46 μm; λ = 0.48 μm; λ = 0.50 μm (b) Im (Csc) en fonction de
Re(Csc) ) pour différentes longueurs d’onde en court-circuit Sf = 6.106 cm/s, H = 0.03
cm, Lo = 0.02 cm, Do = 26 cm²/s, z = 0.0001 cm. 1: λ = 0.58 μm; 2: λ = 0.62 μm; λ = 0.66
μm; λ = 0.70...............................................................................................................................9
Figure 1.11 : Circuit équivalent de la cellule solaire en circuit ouvert..............................10
Figure 1.12 : Résistance de shunt par rapport à la vitesse de recombinaison de jonction :
Ln: 0,01 cm; w1: 0,03 cm; Dn: 26cm2.s-1: z: 0.02cm..........................................................11
Figure 1.13 : Profil de la capacité en fonction de la vitesse de recombinaison de la
jonction et du champ magnétique.........................................................................................13
Figure 1.15 : Capacité en fonction de la température pour différentes longueurs d'onde
...................................................................................................................................................15
Figure 1.16 : Photopile monofaciale au silicium sous éclairement et soumise à l’action
d’une OEM..............................................................................................................................16
Figure 1.17 : Schéma de la photopile à jonction verticale parallèle sous champ
magnétique...............................................................................................................................17
Figure 1.18 : Profil du coefficient de diffusion en fonction du champ magnétique B et du
taux de dopage Nb: µ=1350cm².V.s-1, D=35cm².s-1...............................................................18
Figure 1.19 : Cellule solaire de type n+pp+ sous lumière polychromatique et champ
électrique de polarisation.......................................................................................................19
Figure 1.20 : Phototension de circuit ouvert et vitesse de recombinaison à la jonction
limitant le circuit ouvert en fonction du champ électrique.................................................20
Figure 1.21 : Photopile monofaciale......................................................................................21
Figure 1. 22 : Vitesses de Recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de
l’épaisseur de la base pour différentes valeurs du coefficient d’absorption......................22
Figure 1. 23 : Epaisseur optimum en fonction du coefficient d’absorption......................23
Figure 1. 24 : Photopile monofaciale.....................................................................................23
Figure 1.25 : Densité de photocourant pour différentes valeurs du champ magnétique en
fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction..........................................................24
Figure 1.26 : Vitesses de Recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de
l’épaisseur de la base pour différentes valeurs du champ magnétique..............................25
Figure 1. 27 : L’épaisseur optimum de la base en fonction du champ magnétique..........26
Figure 1. 28 : Vitesses de Recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de la
base pour différentes valeurs du champ magnétique..........................................................27
Figure 1.29 : L’épaisseur optimum de la base en fonction du champ magnétique...........27
Page x
Liste de figures
Figure 1 : Structure d'une cellule solaire de type n+-p-p+ éclairée son émetteur............28
Figure 2 : Vitesse de recombinaison à la surface arrière en fonction de l'épaisseur de la
base de la photopile.................................................................................................................29
Figure 3 : Profondeur H en fonction du coefficient de diffusion D....................................29
Figure 1.33: Photopile n+-p-p+ au silicium............................................................................30
Figure 1.34 : Vitesse de recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de la
base pour différentes grandes valeurs du coefficient d’absorption. L=0.01 cm et D=35
cm2/s..........................................................................................................................................31
Figure 4.35 : Epaisseur optimum en fonction du coefficient d’absorption.......................32
Figure 1.51: Sb1 et Sb2 en fonction de l’épaisseur de la base pour différentes valeurs de
fréquence (B = 0 T; D = 35 cm; α = 6.2 cm-1).............................................................48
Figure 1. 53 : Structure de la photopile de type n+-p-p+ type, sous champ magnétique et
sous température.....................................................................................................................50
Figure 1. 54 : Back surface recombination velocity curves versus solar cell base
thickness...................................................................................................................................51
Figure 1. 55 : Base depth H as function of logarithm of diffusion coefficient...................52
Figure 1. 56 : Base depth H as function of diffusion coefficient.........................................52
Figure 1. 57 : Photopile à jonction verticale série de type n+-p-p+ sous champ
magnétique et sous éclairement monochromatique.............................................................53
Figure 1. 58 :Vitesse de recombinaison à la face arrière Sb1 et Sb2 en fonction de
l’épaisseur de la base..............................................................................................................54
Figure 1. 59 : Epaisseur optimum de la base en fonction du coefficient de diffusion.......54
Figure 1. 60 : Epaisseur optimum de la base en fonction du champ magnétique.............55
Figure 1.61 : Photopile à jonction verticale connectée en série..........................................55
Figure 1. 62 : Cellule de la photopile (n+/p/p+) sous illumination et sous champ
magnétique externe.................................................................................................................56
Figure 1. 61 : Back surface recombination velocity Sb1 and Sb2 of excess minority
carries versus solar cell base thickness for different maximum diffusion coefficient
values........................................................................................................................................57
Figure 2.1 : Structure de la photopile...................................................................................64
Figure 2.2: Module of excess minority carriers density versus base thickness for
different frequency (D0 = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)..................................................................69
Figure 2.3: Module of excess minority carriers density versus base thickness.................70
(D0 = 35 cm2/s; α = 21000 cm-1)...............................................................................................70
Figure 2.4: Module de la densité de photocourant en fonction de la vitesse de
recombinaison à la jonction pour différentes fréquences (D0 = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)....72
Figure 2.5: Module of photocurrent density versus recombination velocity for different
frequency (D0 = 35cm2/s; α = 21000 cm-1).............................................................................73
recombinaison à la jonction pour différentes valeurs de l’épaisseur de la base...............74
(D0 = 35cm2/s; ω=105rad/s; α = 6.2 cm-1)...............................................................................74
recombinaison à la jonction pour différentes valeurs de l’épaisseur de la base...............75
(D = 35cm2/s; ω=105rad/s; α = 21000 cm-1)...........................................................................75
Figure 2.8: Sb1 et Sb2 en fonction de l’épaisseur de la base pour différentes fréquences
...................................................................................................................................................77
(D0 = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1).....................................................................................................77
Figure 2.9: Epaisseur optimale en fonction de la fréquence...............................................78
Figure 2.10: Epaisseur optimale en fonction du coefficient de diffusion...........................79
Page xi
Liste de figures
Figure 2.11: Sb1 et Sb2 en fonction del’épaisseur de la base pour différentes fréquence
pour un grand coefficient d’absorption (D0 = 35cm2/s; α = 21000 cm-1)............................80
Figure 2.12: Epaisseur optimale en fonction de la fréquence.............................................81
Figure 2.13: Epaisseur optimum en fonction du coefficient de diffusion..........................82
Figure 3.1: Module de la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison à la
jonction (D0 = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)......................................................................................87
Figure 3.2: Profil de la phototension de circuit ouvert en fonction de l’épaisseur
optimum...................................................................................................................................88
jonction (D0 = 35cm2/s; α = 21000 cm-1).................................................................................89
Figure 3.4: Profil de la phototension de circuit ouvert en fonction de l’épaisseur
optimum...................................................................................................................................90
Figure 3.5 : Caractéristique I-V (D0 = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)..............................................91
Figure 3.6: Profil du photocourant de court-circuit en fonction de l’épaisseur optimum
...................................................................................................................................................92
Figure 3.7: Caractéristique I-V (D = 35cm2/s; α = 21000 cm-1)...........................................93
Figure 3.8: Profil du photocourant de court-circuit en fonction de l’épaisseur optimale94
Figure 3.9: Modèle électrique équivalent de la photopile sous éclairement......................95
Figure 3.10: Module de la puissance en fonction de la vitesse de recombinaison à la
jonction (D = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1).......................................................................................96
Figure 3.11: Module de la puissance en fonction du module de la phototension..............97
Figure 3.12: Profil de la puissance maximale en fonction de l’épaisseur optimale...........98
jonction (D = 35cm2/s; α = 21000 cm-1)..................................................................................99
Figure 3.14: Module de la puissance en fonction du module de la phototension............100
(D = 35cm2/s; α = 21000 cm-1)...............................................................................................100
Figure 3.15: Profil de la puissance maximale en fonction de l’épaisseur optimale.........101
Figure 4. 1: Détermination de la résistance série à partir de la caractéristique I-V au
voisinage du circuit ouvert...................................................................................................106
Figure 4. 2: Schéma électrique équivalent de la photopile comme un réel générateur de
tension....................................................................................................................................107
Figure 4.3: Module de la résistance série en fonction de la vitesse de recombinaison à la
jonction (D = 35cm2 /s; α = 6.2 cm-1)....................................................................................107
Figure 4.4: Profil du photocourant de court-circuit en fonction de l’épaisseur optimale
.................................................................................................................................................108
jonction (D = 35cm2 /s; α = 21000 cm-1)...............................................................................109
Figure 4.6: Profil de la résistance série en fonction de l’épaisseur optimale...................110
Figure 4. 7: Détermination de la résistance shunt à partir de la caractéristique I-V.....111
Figure 4. 8: Circuit électrique équivalent de la photopile fonctionnant en court-circuit
.................................................................................................................................................111
Figure 4.9: Module de la résistance shunt en fonction de la vitesse de recombinaison à la
jonction (D = 35cm2 /s; α = 6.2 cm-1)....................................................................................112
.................................................................................................................................................113
Figure 4.11: Module de la résistance shunt en fonction de la vitesse de recombinaison à
la jonction (D = 35cm2 /s; α = 21000 cm-1)...........................................................................114
.................................................................................................................................................115
Page xii
Liste de figures
Figure 4.13: Module de la capacité en fonction de la vitesse de recombinaison à la

jonction...................................................................................................................................116
(D = 35cm2 /s; α = 6.2 cm-1)...................................................................................................116
Figure 4.14: Module de la capacité en fonction de la vitesse de recombinaison à la
jonction...................................................................................................................................117
(D = 35cm2 /s; α = 21000 cm-1)..............................................................................................117
Figure 4.13: Logarithme de la capacité en fonction de la phototension..........................119
(D = 35cm2 /s; α = 6.2 cm-1)...................................................................................................119
Figure 4.13: Logarithme de la capacité en fonction de la phototension..........................120
(D = 35 cm2 /s; α = 21000 cm-1).............................................................................................120
Page xiii
Liste de tableaux
Liste de tableaux
Tableau 1. 1: Epaisseur de la photopile pour différent coefficient de diffusion...............22
Tableau 1. 2: Epaisseur optimum (Hopt) pour différentes valeurs du champ magnétique
(B).............................................................................................................................................26
Tableau 1. 3: Epaisseur optimum (Hopt) pour différentes valeurs du champ magnétique
(B).............................................................................................................................................27
Tableau 1.4 : L'épaisseur de la photopile pour différentes valeurs de coefficient de
diffusion...................................................................................................................................30
Tableau 1.5 : Valeurs de l’épaisseur optimum (Hopt) en fonction du coefficient
d’absorption.............................................................................................................................31
Tableau 1.6 : Valeurs de l’épaisseur optimale de la base H, du coefficient de diffusion D,
des courants de court-circuit Jsc0 et Jsc1 correspondant à Sb0 et Sb1 pour différentes
valeurs de l’énergie d’irradiation..........................................................................................37
Tableau 1.7 : Valeurs de l’épaisseur optimale de la base H, du coefficient de diffusion D,
des courants de court-circuit Jsc0 et Jsc1 correspondant à Sb0 et Sb1 pour différentes
valeurs du coefficient de dommage.......................................................................................39
Tableau 1.8 : Les valeurs de l’épaisseur optimale obtenue pour différentes énergie
d’irradiation............................................................................................................................42
Tableau 1.9 : Paramètres conduisant au facteur de forme et au rendement
correspondant à l’épaisseur optimale pour différentes énergies d’irradiation.................43
Tableau 1.10 : Sfmax pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et de l’épaisseur
optimale....................................................................................................................................46
Tableau 1.11 : L’épaisseur optimum correspondant à une fréquence donnée.................48
Tableau 1. 11 : Base optimum thickness Value (H) for different diffusion coefficients
Dmax (B,Topt )........................................................................................................................51
Tableau 1. 12 : Base optimum thickness (Hopt) for different magnetic field B and
optimum temperature values.................................................................................................57
Tableau 1.14 : Valeurs de l’épaisseur optimum pour différentes valeurs du coefficient de
diffusion...................................................................................................................................59
Tableau 2.1: Détermination de l’épaisseur optimum de la base en fonction de la
fréquence pour un coefficient d’absorption faible...............................................................77
Tableau 2.2: Eépaisseur optimum de la base en fonction de la fréquence pour un
coefficient d’absorption grand...............................................................................................80
Tableau 3.1: Vco en fonction de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base pour
un coefficient d’absorption faible..........................................................................................88
Tableau 3.2: Vco en fonction de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base pour
un coefficient d’absorption grand.........................................................................................89
Page xiv
Nomenclature
Nomenclature
Symbole Définition Unité
α (ʎ ) Coefficient d’absorption du matériau semiconducteur cm-1
C Capacité de la photopile F
D0 Coefficient de diffusion des porteurs minoritaires dans 2
cm . s
−1
la base sans champ magnétique

Coefficient de diffusion complexe des porteurs de 2
cm . s
−1
D ( ω) charge minoritaires en excès dans la base

δ (x ,t) Densité des porteurs minoritaires en excès dans la base cm−3
G(x ) Taux de génération s
−1
H Epaisseur de la base de la photopile cm

Id Courant de diode A
J ph Densité de photocourant A . cm
−2
K Constante de Boltzmann J .T
−1
Longueur de diffusion complexe des porteurs de cm

L(ω) charge minoritaires en excès dans la base
ɳ Rendement de conversion de la photopile
P Puissance électrique de la photopile W . cm
−2
q Charge électrique élémentaire C

Rs Résistance série Ω
R sh Résistance shunt Ω
Sb Vitesse de recombinaison à la face arrière cm . s−1
Sf Vitesse de recombinaison à la jonction cm . s
−1
τ Durée de vie des porteurs minoritaires s

V ph Phototension aux bornes de la photopile V
Vco Phototension de circuit ouvert V
VT Tension thermique V
x Epaisseur de la base à partir de la jonction cm
Page xv
Introduction générale
Parmi les énergies primaires, nous pouvons distinguer les énergies épuisables (fossiles,
uranium) et les énergies inépuisables (énergies éolienne, solaire, géothermique, marémotrice,
hydroélectrique, bioénergies, …). L’énergie primaire consommée à l’heure actuelle est liée,
aujourd’hui à l’échelle mondiale, à l’utilisation des ressources fossiles carbonées. Face aux
enjeux majeurs de notre société telle que la raréfaction des gisements fossiles et la nécessité
de lutter contre le changement climatique, les recherches en énergies renouvelables sont
primordiales pour répondre à ce défi. Dans ce contexte, l’énergie solaire photovoltaïque
occupe une place très importante.
L’effet photovoltaïque traduit le phénomène de conversion directe de l’énergie lumineuse des
rayons solaires en énergie électrique. Le dispositif permettant cette conversion d’énergie est
une diode semi-conductrice (généralement au silicium) à grande surface appelée cellule
solaire photovoltaïque ou photopile.
Historiquement, l’un des précurseurs de l’effet photovoltaïque est le français Edmond
Becquerel en 1839 [1]. En 1905, Albert Einstein en propose une explication théorique avec le
concept de ''quanta d'énergie'' portés par des particules de lumières, baptisées plus tard
photons. En 1954, les premières cellules photovoltaïques apparaissent dans les laboratoires
Bell aux États-Unis avec un rendement de 4% [1]. Quatre ans plus tard, elles sont utilisées
pour alimenter un des deux émetteurs de Vanguard I le deuxième satellite américain lancé
avec succès. Depuis, l'usage spatial de modules photovoltaïques, dotés des technologies les
plus performantes, s'est imposé. Leur prix élevé est contrebalancé par des avantages
indéniables : autonomie, efficacité et longévité. C’est en 1973, après le premier choc pétrolier,
que la production à grande échelle d'électricité par des cellules photovoltaïques est envisagée
comme une alternative à l'épuisement programmé des ressources fossiles. Les recherches se
multiplient alors, avec pour objectifs d'augmenter le rendement des cellules et de faire baisser
leur prix. Dans ce contexte les chercheurs proposent de nouvelles structures de la cellule
solaire : bifaciale [2-5], jonction verticale [6-9], triple jonction [10] ou en améliorant des
structures existantes grâce à la passivation [11-13], à l’effet BSF (Back Surface Field) [14],
etc.
Les différents processus de recombinaison des porteurs minoritaires en excès photo générés
dans la photopile sont essentiellement les causes principales des faibles rendements, il s’agit
notamment des recombinaisons en volumes Shockey-Read-Hall [1,12], des recombinaisons
Page xvi
Auger radiatives [13,14] ainsi que des recombinaisons en surface elles-mêmes liés aux
imperfections du réseau cristallin.
Dans les différentes techniques de caractérisation, les paramètres les plus importants sont : le
coefficient de diffusion D, la longueur de diffusion des porteurs de charges L (c’est la
distance moyenne parcourue par les porteurs de charges avant de succomber à un processus
de recombinaison), les vitesses de recombinaison à la jonction Sf et à la durée de vie τ.
Par ailleurs, l’épaisseur (H) de la base de la photopile est un paramètre géométrique important
à tenir en compte afin de mieux collecter les porteurs de charges photogénérés.
L’objectif de cette étude est d’améliorer le rendement de la photopile bifaciale sous
éclairement monchromatique par la face arrière, en régime fréquentiel en réduisant au
maximum les pertes par recombinaison à la face arrière. Pour cela, nous optimisons
l’épaisseur de la base par la méthode de l’intersection des courbes des vitesses de
recombinaison à la face arrière sans altérer à l’efficacité de la photopile.
Dans le premier chapitre, une étude bibliographique portant sur la caractérisation des
photopiles sera présentée.
Dans le second chapitre, une étude de la densité des porteurs minoritaires de charge en excès
dans la base de la photopile sera menée.
Au troisième chapitre, une détermination des paramètres électriques phénoménologiques sera
faite.
Enfin, dans le quatrième chapitre, nous étudierons les paramètres électriques macroscopiques
et des perspectives de poursuite de ce travail seront proposées en conclusion générale.
Page xvii
Bibliographie
[1] A. RICAUD, “Photopiles solaires : De la physique de convection photovoltaïque aux
matériaux et procédé”, 16 Mai 1997
[2] S. Bau, T. Kieliba, D. Oswsolarald, and A. Hurrie, “17th European photovoltaic Solar
Energy Conference (PVSEC)”, (Munich, 2001) p 1575-1577
[3] A. Schneider, C. Gerhards, F. Huster, W. Neu, M. Spiegel, P. Fath, E. Bucher, R.J.S.
Young, A. G. Prince, J. A. raby, A. F. Carool, “17 th European photovoltaic Solar Energie
Conference (PVSEC)” ,( Munich, 2001) p. 1768 – 1771
[4] I. F. Barro, S. Mbodji, A. L. Ndiaye, S. Madougou, I. Zerbo, F. Zougmore, G. Sissoko,
“Proceeding of th 21st European photovoltaic Solar Energy Conference”, Septembre 2006,
Dresden, Germany, p. 447-450
[5] B. Terheiden, G. Hahn, P. Fath, E. Bucher, “16th European photovoltaic Solar Energy
Conference”, 15 Mai 2000, Glasgow, UK, p. 1377-1380
[6] Stephen Kaye, Pasadena, and Louis Garasi, “Solar cell configuration”, United States
Patent, 3 (1967)
[7] James F. Holt, Medway, Ohm, “hole matrix vertical junction solar cell”, United States
Patent, 4 (1983)
[8] Martin A. Green, “Silicon Solar cells, Advanced Principles and Patrice”, Centre
Photovoltaic Devices and Systems (1995), p.259
[9] G. C. Jain, S. N. Singh and R. K. Kotnala, “Diffusion length determination in n+-p-p+
structure based silicon solar cells from the intensity dependence of the short-circuit current for
illumination from the p+ side”, Solar Cells 8(1993), p.239-248
[10] M. Meusel, W. Benssch, T. Berdunde, R. Kern, V. Khorenko, W. Kostler, G. Laroche, T.
Torunski, W. Zimmermann, G. Strobl, W. Guter, M Hermle, R. Hoheisel, G Siefer, E Welser,
F. Dimroth, A. W. Bett, W. Geens, C. Baur, S. Taylor, and G. Hey, “Development and
production of European III-V multijonction Solar cells”, proceeding of the 22nd European
photovoltaic Solar Energy Conference, (2007) p.16 – 51
[11] R. Monna, A. Slaoui, A. Lachiq, J. Kopp and J. C. Muller, “13th European PVSEC and
Exhibition”, Nice (1995), p. 1605
[12] S. Berger, S. Quoizola, A. Fave, A. Ouldabbes, A. kaminski, N. E. chabane-Sari, and A.
Laugier, “17th European PVSEC”, Munich (2001), p.1772 – 1775.
Page xviii
[13] A. Kaminski, B. vandelle, A. Fave, J. P. Boyeux, and A. Laugier, “Solar Energy

Materials and Solar Cells”, 72(2002), p. 373 - 37
[14] L. M. Koschier, S. R. Wenham, M. Gross, T. Puzzer and A. B. Sproul, “Proceedings of
the 2nd World Conference on photovoltaic Solar Energy Conversion”, Vienna, Austria, (1998),
p. 1539 – 1542.
Page xix
Chapitre 1 : Etude bibliographique
Chapitre 1: Etude bibliographique
1.1 Introduction
La conversion photovoltaïque est assurée par une photopile dont le rendement de conversion
dépend de la nature et de la structure du semi-conducteur, de sa technique de fabrication et de
ses points de fonctionnement.
Pour améliorer le rendement des systèmes photovoltaïques et suivant leur utilisation, les
chercheurs ont conçu de nouveaux types de cellules photovoltaïques mais aussi élaboré
plusieurs techniques de caractérisation.
Dans ce chapitre, nous présentons en premier lieu un certain nombre d’articles relatifs aux
méthodes de détermination des structures des photopiloes à jonction verticale ensuite les
techniques de caractérisation des photopiles en régime statique et dynamique.
1.2 Etude bibliographique sur la caractérisation des photopiles

1.2.1 Electric equivalent models of intrinsic recombination velocities of a
bifacial silicon solar cell under frequency modulation and magnetic field
effect [1]
Dans ce travail, les auteurs ont étudié une cellule solaire photovoltaïque au silicium cristallin
n+/p/p+ sous éclairage polychromatique en modulation de fréquence et sous champ
magnétique. En résolvant l'équation de continuité des porteurs minoritaires de charge, ils ont
étudié la dépendance du coefficient de diffusion et de la densité du photocourant. Ensuite, ils
ont étudié les vitesses de recombinaison intrinsèques à la jonction Sfo1 et à l'arrière Sbo1 de
la photopile et donné leur modèle électrique équivalent.
Le stockage, les pertes et la réduction de la recombinaison des porteurs minoritaires en excès
à l'interface émetteur-base, peuvent être respectivement modélisés électriquement par une
capacité, une perte de résistance et une résistance série. Dans le cas d’absence de champ
magnétique, la courbe de variation de la partie imaginaire de la vitesse de recombinaison de
jonction intrinsèque en fonction de sa partie réelle peut être traduite dans un schéma
électrique tel que proposé sur la figure 1.1.
Mamadou SALL-Thèse de Doctorat en Sciences et Technologie, Energies Renouvelables ED2DS-THIES Page | 1

Figure 1.1: Circuit électrique équivalent de Sfo1 sans champ magnétique appliqué
Dans ce modèle, C caractérise l'effet de capacité de la vitesse de recombinaison de jonction

intrinsèque (phase négative); Rp est une résistance parallèle qui caractérise les pertes du
porteur dans l'interface émetteur-base et R une résistance caractérisant le ralentissement du
porteur minoritaire dans l'interface émetteur-base.
Quand on applique un champ magnétique, en plus des paramètres électriques ci-dessus, il
apparaît un effet inductif (phase positive) de la vitesse de recombinaison de jonction
intrinsèque que nous caractérisons par une inductance L. Le schéma électrique de la vitesse de
recombinaison de jonction est donné par la figure 1.2.
Figure 1.2 : Circuit électrique équivalent de Sfo1 avec champ magnétique appliqué.
Dans ce modèle, l'inductance L caractérise la capacité de l'interface émetteur-base pour

recombiner les porteurs minoritaires en excès.
La zone arrière de la cellule solaire photovoltaïque constitue une zone de forte recombinaison
des porteurs minoritaires en excès. Les auteurs proposent également un modèle électrique de

la vitesse intrinsèque de recombinaison de la surface arrière. Ainsi, quand on n'applique pas

de champ magnétique, le circuit électrique est donné par la figure 1.3.
Figure 1.3 : Circuit électrique équivalent de Sbo1 sans champ magnétique appliqué.
Où C est une capacité de recombinaison dans la zone arrière ; Rp est une résistance de vol des
transporteurs parallèles à l'interface de contact base-arrière et R une résistance qui matérialise
les porteurs minoritaires en excès qui ralentissent à cette interface.
Tout en appliquant un champ magnétique, un schéma électrique tenant compte de l'inductance
L (phase positive) est donné sur la figure 1.4.
Figure 1.4 : Circuit électrique équivalent de Sbo1 sans champ magnétique appliqué.

1.2.2 Three-dimensional study of a polycrystalline silicon solar cell: the

influence of the applied magnetic field on the electrical parameters [2]
Dans cet article, est faite une étude théorique en 3D d'une photopile au silicium polycristallin
en modulation de fréquence sous illumination polychromatique et champ magnétique
appliqué. L'influence du champ magnétique appliqué sur le courant de diode et les
caractéristiques puissance-phototension et photocourant-phototension est étudiée. Le
diagramme de Nyquist a permis aux auteurs de déterminer les paramètres électriques tels que
la résistance série Rs et résistance équivalente en parallèle Rp de la photopile. Le diagramme
de bode est utilisé pour calculer la fréquence de coupure, la capacité C et l'inductance L.
Cette étude est basée sur la modélisation suivante du grain de silicium polycristallin.
Figure 1.5 : Modèle tridimensionnel du grain de silicium polycristallin.
Pour cela, ils ont considéré que :

 Les grains ont une section carrée et leurs propriétés électriques sont homogènes. Ainsi,
nous pouvons utiliser les coordonnées cartésiennes.
 L'éclairage est uniforme, donc le taux de génération dépend uniquement de la
profondeur dans la base z.
 Les joints de grains sont perpendiculaires à la jonction et leurs vitesses de
recombinaison sont indépendantes du taux de génération sous un éclairage AM1.5.
Alors les conditions aux limites sont linéaires.
 La contribution de l'émetteur et du SCR est négligée, donc cette analyse est effectuée
uniquement dans la base de la cellule.
 Le confinement optique n'est pas pris en compte.
Les auteurs ont retrouvé l’équation du coefficient de diffusion en présence de champs

magnétique sous la forme suivante :

¿
Dn=
[1+( ω +ω ) . τ ² ]. D
2
p
2
+
[ ]
iωτ (ω 2p −ω 2 ) . τ 2 −1 . D
[ ] [ ]
2 2
1+ (ω 2p −ω 2 ) . τ 2 +4 ω 2 τ 2 1+ ( ω2p −ω2 ) . τ +4 ω 2 τ 2
(1.1)
Où ωp est la fréquence de l'électron sur son orbite en présence d'un champ magnétique. Cette
équation leur a permis de représenter la figure suivante.
Figure 1.6 : Module du coefficient de diffusion en fonction de la fréquence angulaire et du champ

magnétique
Ils observent sur cette figure 1.6 que la constante de diffusion diminue avec la fréquence de
modulation pour différentes valeurs du champ magnétique et l'existence des pics de
résonance pour les intensités de champ magnétique supérieures à 10-7 T.
Ils distinguent aussi deux zones pour des champs magnétiques très faibles.
 Une première zone (1 rad/s ; 104 rad/s) où la diffusion reste pratiquement constante
(mode quasi-statique).
 Une seconde zone (104 rad/s ; 107 rad/s) où la constante de diffusion décroît de façon
notable (forte dépendance à la fréquence angulaire).
L'application d'un champ magnétique révèle une troisième zone où l'on obtient un pic de
résonance. Ce phénomène de résonance est obtenu lorsque la fréquence de modulation est
égale à la fréquence du cyclotron. Le champ magnétique appliqué à la photopile a tendance à
ralentir les électrons provenant de la base vers la jonction, ce qui les fait dévier de leurs
trajectoires d’origine.

Le courant de diode de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison (échelle semi-

logarithmique) pour différentes valeurs du champ magnétique est présenté (figure 1.7).
Figure 1.7 : Courant de la diode en fonction du logarithme de Sfj.
Ils distinguent deux zones :

 Une première zone (de Sfj= 1 à 103 cm/s) où le courant de diode reste pratiquement
Constant;
 Une deuxième zone (de Sfj = 103 à 106 cm/s) où le courant de diode diminue de façon
notable. Si Sfj ≥ 106 cm/s, il n'y a pratiquement pas de courant.
Ils notent que le courant de diode diminue avec l'augmentation de la fréquence de modulation
et le champ magnétique à la résonance.
En modulation de fréquence, pour une valeur donnée du champ magnétique, nous nous
plaçons à la fréquence cyclotronique pour optimiser la réponse de la photopile.
Les auteurs ont montré que le photocourant diminue avec l'augmentation du champ
magnétique.
1.2.3 Capacitance of Vertical Parallel Junction Silicon Solar Cell under

Monochromatic Modulated Illumination [3]
Dans cet article, les auteurs ont pour but de montrer l'influence de la longueur d'onde sur les
paramètres électriques d'une photopile au silicium à jonction verticale parallèle en utilisant la
technique de la spectroscopie d'impédance. Les diagrammes de Bode de la capacité de
diffusion sont présentés pour différentes longueurs d'onde. Le diagramme de Nyquist de la
capacité de diffusion a montré l’extension de la zone de charge d’espace pour différentes
longueurs d’onde.

Pour déterminer l’effet de la longueur d’onde sur la capacité de la photopile en circuit ouvert
les auteurs ont représenté les profils du module et de la phase de la capacité en circuit ouvert
en fonction du logarithme de la fréquence pour différentes longueurs d'onde, aux figures 1.8
(a) à (c).
Figure 1.8 : Capacité en fonction du logarithme de la fréquence pour différentes longueurs d’onde
Les auteurs ont trouvé que l'amplitude de la capacité augmente dans l’intervalle de longueur
d’onde [0,44 µm; 0,50 µm], et décroît dans l'intervalle de longueur d'onde [0,58 µm; 0,7 µm].
Ils ont montré que lorsque la fréquence est à l'intérieur de la coupure, la photopile fonctionne
en régime quasi statique et reste insensible à la fréquence. Et elle diminue pour celles
supérieures à la fréquence de coupure.
Le diagramme de Nyquist de la capacité de la photopile en situation de circuit ouvert est
représenté par les auteurs à la figure 1.9.

Figure 1.9 : (a) Im(Coc) en fonction de Re(Coc) pour différentes longueur d’onde en circuit ouvert
Lorsque la fréquence angulaire tend vers zéro, la partie imaginaire de la capacité est nulle
alors que sa partie réelle est égale à sa valeur de circuit ouvert en régime quasi statique : elle
aura un grand stockage de porteurs minoritaires à proximité de la jonction. Par contre, lorsque
la fréquence angulaire se rapproche de l'infini, les parties imaginaire et réelle sont presque
nulles : il n'y a plus de stockage donc de porteurs minoritaires photo-générés à la jonction. Par
ceci, nous adaptons la capacité de la cellule solaire au diamètre d’un demi-cercle obtenu pour
une profondeur donnée entre les deux plages de fréquences angulaires (zéro à l’infini).
Lorsque la profondeur augmente, les courbes sont des demi-cercles de diamètres décroissants
car il y a une diminution du nombre de porteurs minoritaires photo générés à la base de la
cellule solaire et stockés à proximité de la jonction.
Les auteurs ont représenté le diagramme de Nyquist de la capacité de la cellule solaire en
fonctionnement en court-circuit à la figure 1.10.

Figure 1.10 : (a) Im(Csc) en fonction de Re(Csc) pour différentes longueurs d’onde en court-
circuit Sf = 6.106 cm/s, H = 0.03 cm, Lo = 0.02 cm, Do = 26 cm2/s, z = 0.0001 cm. 1: λ =
0.44 μm; 2: λ = 0.46 μm; λ = 0.48 μm; λ = 0.50 μm (b) Im (Csc) en fonction de Re(Csc) )
pour différentes longueurs d’onde en court-circuit Sf = 6.10 6 cm/s, H = 0.03 cm, Lo = 0.02
cm, Do = 26 cm²/s, z = 0.0001 cm. 1: λ = 0.58 μm; 2: λ = 0.62 μm; λ = 0.66 μm; λ = 0.70
Dans l'intervalle de longueur d'onde [0,44 µm; 0,50 µm], les «pseudo-diamètres» liés à la
capacité de court-circuit augmentent, diminue dans le domaine de longueur d'onde [0,58 µm;
0,7 µm].
1.2.4 External Electric Field Influence on Series and Shunt Resistance

Bifacial Silicon Solar Cell [4]
Une étude de l’effet d’un champ électrique de polarisation sur les paramètres électriques
résistance série et résistance shunt est proposée. L’étude est faite sur une photopile bifaciale
éclairée seulement par sa face avant. Le taux de génération est donc de la forme :
3
−b i . x
G( x )=∑ ai . e
i=1
(1.2)
En traçant la caractéristique I-V, les auteurs montrent que le photocourant de court-circuit

augmente avec le champ électrique alors que la phototension de circuit ouvert quant à elle
diminue.
Les paramètres électriques sont déterminés à partir de la caractéristique I-V. Elle permet de
donner les circuits électriques équivalents de la photopile en situation de circuit ouvert et en

situation de court-circuit. Et à partir des circuits électriques équivalents, les expressions des
résistances série et shunt sont déduites.
Les profils des résistances série et shunt sont enfin tracés en fonction de la vitesse de
recombinaison à la jonction pour différentes valeurs du champ électrique.
Les résultats suivants sont obtenus :
 Une diminution de la résistance série avec le champ électrique et par conséquent une
chute ohmique.
 La résistance shunt augmente avec le champ électrique.
1.2.5 Determination of the Recombination and Electrical Parameters of a

Vertical Multijunction Silicon Solar Cell [5]
Dans cet article, une étude théorique d'une photopile à jonction verticale parallèle sous
éclairement multispectrale constante a été réalisée par les auteurs. En utilisant une nouvelle
approche du taux de génération de porteurs, ils ont déterminé les paramètres électriques. La
densité de photocourant Jph est présentée comme une fonction dépendante de la longueur de
diffusion.
Les auteurs ont traité ce modèle en utilisant les hypothèses suivantes
 L'éclairage est uniforme. Nous avons alors un taux de génération dépendant
uniquement de la profondeur dans la base.
 La face avant qui reçoit le rayonnement est couvert avec un revêtement antireflet
 La contribution de l'émetteur et de la zone de charge d’espace est négligée, donc cette
analyse est seulement développée dans la région de base et nous pouvons alors utiliser
les coordonnées cartésiennes.
A la figure 1.11, les auteurs proposent un modèle électrique équivalent de la photopile comme
un générateur de courant en parallèle avec la résistance shunt.
Figure 1.11 : Circuit équivalent de la cellule solaire en circuit ouvert.

En utilisant ce circuit, l'expression des résistances de shunt peut être écrite :
Vph( Sf )
Rsh (Sf )=
J sc −J ph ( Sf ) (1.3)
La résistance de shunt expérimentale est obtenue en résolvant l’équation ci-dessous:
Jph (Sf) - Jsc = 0
(1.4)
Sa détermination graphique est illustrée à la figure 1.12.
Figure 1.12 : Résistance de shunt par rapport à la vitesse de recombinaison de jonction :

Ln: 0,01 cm; w1: 0,03 cm; Dn: 26cm2.s-1: z: 0.02cm
La valeur expérimentale de la résistance shunt est déterminée lorsque la vitesse de

recombinaison à la jonction intercepte la courbe de la résistance shunt Rsh.
1.2.6 Influence of Magnetic Field on the Capacitance of a Vertical Junction

Parallel Solar Cell in Static Regime, Under Multispectral Illumination [6]
L’étude de cet article porte sur l'influence du champ magnétique sur la capacité de la
photopile à jonction verticale parallèle en régime statique et sous illumination multispectrale.
L'équation de continuité liée à la densité des porteurs est résolue. A partir de l'expression de la
densité du porteur minoritaire, celles du photocourant, de la phototension et de la capacité de
diffusion sont déduites. Les phénomènes de génération, de diffusion et de recombinaison des
porteurs minoritaires dans la base sont régis par l'équation de continuité :

2
∂ δ ( x) δ ( x ) G ( z )
− =− ¿
∂ x 2 L¿ 2 D∗¿ (1.5)
G (z) est le taux de génération de porteurs pour l'illumination polychromatique et dont
l'expression est donnée par l'équation suivante :
3
−bi z
G( z )=n ∑ ai e
i=1 (1.6)
La solution de l'équation de continuité peut s’écrire :
3
x x −b z
δ ( x ;z ; B , Sf )= A cosh( )+E sinh ( )+∑ K i e i ¿¿
L∗¿ L∗¿ i=1 (1.7)
Les coefficients A et E sont déterminés par les conditions limites :
 En (x = 0) à la jonction émetteur-base :
∂δ (x ) Sf
|x=0 = δ( x )|x=0 ¿
∂x D∗¿ (1.8)
 En (x = H / 2), Au milieu de la base le gradient de densité du porteur est resté nul :
∂δ (x )
| =0
∂ x x= H2
(1.9)
L’expression de la capacité est donnée sous la forme :
qδ(O ,z ,B )
C=
V ph (1.10)
Avec
V ph=
KT
q [Nb
ln 1+ 2 δ( x=0, z)
No ] (1.11)
La courbe de capacitance en fonction de la vitesse de recombinaison de jonction Sf et du
champ magnétique est représentée sur la figure 1.13 :

Figure 1.13 : Profil de la capacité en fonction de la vitesse de recombinaison de la jonction et du

champ magnétique.
La capacité diminue avec la vitesse de recombinaison de jonction. La capacité augmente avec

le champ magnétique. Plus le champ magnétique est intense, plus les porteurs minoritaires
sont quasi-statiques près de la jonction, correspondant à un rétrécissement de la zone de
charge d'espace.
1.2.7 Studies on the temperature dependence of I–V and C–V

characteristics of electron irradiated silicon photo-detectors [7]
Dans cet article les mécanismes de transport actuels des photodétecteurs de silicium n +/ p
(Si) dans différentes régions de température et de polarisation avant et après irradiation avec
une dose de 350 kGy ont été étudiés et présentés par les auteurs. Des études courant-tension
d'obscurité dépendant de la température (I-V) en polarisation directe et inverse ont été
réalisées.
L’expression de la capacité de la jonction est donnée par :
(1.12)
Où A est l'aire effective de la diode, ND la concentration de porteurs, ε r la constante

diélectrique du silicium, ε 0 la permittivité du vide et Vbi le potentiel intégré.

Les auteurs ont montré que, après irradiation, une légère déviation de la linéarité est observéé.
Ceux-ci indiquent qu’un nombre considérable de niveaux de profondeur n’est pas formé dans
le dispositif même après irradiation.
Figure 1.14 : Variation de la capacité avec la température d’un photodétecteur de silicium (a) non
irradié et (b) est irradié avec des électrons de dose de 350 kGy.
1.2.8 Silicon solar cell capacitance: influence of both temperature and

wavelength [8]
Dans cet article, les auteurs ont étudié l’effet de la température sur la capacité d’une photopile
au silicium en régime statique sous éclairement monochromatique. L’expression de la
capacité est:
2
q(ni (T )) qδ( x=0 , Sf , λ ,T )
C(T , λ , Sf )= +
Nb V T VT
(1.13)
C ( T , λ , Sf )=C 0 (T )+C d (T , λ , Sf )
Posons (1.14)
q (ni (T ))2 qδ( x=0 , Sf , λ ,T )

C0 (T )= C d (T , λ , Sf )=
N bV T VT
Ou et
C0(T) est la capacité de la photopile lorsqu’elle fonctionne en court-circuit

Cd(T,,Sf) est la capacité de diffusion de la photopile à la température T, sous éclairement 
en un point de fonctionnement donné par Sf.

La figure 1.15 présente le profil de la capacité de la photopile en court-circuit en fonction de

la température pour différentes valeurs de la longueur d’onde.
Figure 1.15 : Capacité en fonction de la température pour différentes longueurs d'onde
La capacité de la photopile diminue avec la température jusqu’à une valeur minimale

Xcc(Topt, ) d’abscisse Topt(). Puis, pour les températures supérieures à Topt (), la capacité
augmente
Pour une longueur d’onde donnée, la température optimale Topt () est obtenue en projetant le
point d’intersection des deux tangentes à la courbes sur l’axe des températures.
La température optimale correspond à une condition de fonctionnement de la photopile
donnant un meilleur rendement de la capacité pour la longueur d’onde donnée.
1.2.9 Influence d’une onde électromagnétique sur une photopile au silicium

sous éclairement multi spectral en régime statique [9]
Dans cet article, les auteurs étudient l’influence d’une onde électromagnétique produite par
une source de télécommunication (antenne émettrice) de puissance donnée sur le
comportement d’une photopile en régime statique, éclairée par une lumière blanche et placée
à une certaine distance de l’antenne.
La photopile est au silicium polycristallin à champ arrière de structure n +-p-p+. Les auteurs
supposent comme l’indique la figure 1.16 que la photopile est soumise à l’action d’une onde
plane progressive monochromatique polarisée rectilignement :

Figure 1.16 : Photopile monofaciale au silicium sous éclairement et soumise à l’action d’une OEM
Les auteurs ont étudié l’influence du champ électromagnétique sur la densité des porteurs
minoritaires de charge, la densité de photocourant, la vitesse de recombinaison à la face
arrière et la phototension à partir de la variation de distance séparant la photopile de la source
de production des ondes électromagnétiques. Leur étude montre que :
 L’influence du champ magnétique de l’onde électromagnétique est négligeable et que
c’est la composante électrique du champ électromagnétique qui influence la
photopile ;
 L’influence du champ électromagnétique de l’onde électromagnétique dépend de la
distance qui sépare la photopile de la source de télécommunication (antenne
émettrice) : au-delà d’une distance de 500 m entre l’antenne et la position de la
photopile, l’effet du champ électromagnétique est négligeable ;
 le champ électromagnétique réduit les pertes de porteurs à la face arrière de la base et
améliore le mouvement des porteurs grâce au phénomène de migration. Ce
phénomène conduit à une augmentation du courant de court-circuit et à une baisse de
la tension de circuit ouvert ;
Ils ont aussi étudié l’influence du champ électromagnétique sur la puissance électrique
délivrée par la base de la photopile au circuit de charge extérieur et ont pu en déduire le
rendement de photoconversion de la photopile ; une étude qui montre que pour une distance
entre l’antenne et la position de la photopile inférieure à 500 m, la puissance électrique et le
rendement de conversion sont d’autant meilleur que la photopile est proche de l’antenne.

1.2.10 Study of base doping rate effect on parallel vertical junction silicon
solar cell under magnetic field [10]
Dans cet article, les influences d’un champ magnétique constant et du taux de dopage de la
base sur une photopile au silicium sous éclairement multispectral en régime statique sont
étudiées.
L’étude est faite sur une photopile à jonction verticale parallèle de type n +- p dont le schéma
est donné à la figure suivante:
Figure 1.17 : Schéma de la photopile à jonction verticale parallèle sous champ magnétique
Une étude sur le coefficient et la longueur de diffusion en fonction du champ magnétique B et

du taux de dopage Nb est faite.
Le profil du coefficient de diffusion en fonction du champ magnétique et du taux de dopage
de la base est donné à la figure 1.18.

Figure 1.18 : Profil du coefficient de diffusion en fonction du champ magnétique B et du taux de

dopage Nb: µ=1350cm².V.s-1, D=35cm².s-1
L’équation de continuité relative aux porteurs minoritaires de charge en excès dans la base de
la photopile est résolue en utilisant les conditions aux limites à la jonction et au milieu de la
base. Les densités de porteurs minoritaires de charge sont étudiées en fonction de la
profondeur dans la base, pour différentes valeurs du champ magnétique et du taux de dopage.
Les densités de photocourant, les phototensions, les capacités de la zone de charge d’espace
en fonction de la vitesse de recombinaison et les logarithmes de la capacité en fonction de la
phototension pour différentes valeurs du champ magnétiques et du taux de dopage sont
présentées.
Les auteurs ont obtenu les résultats suivants :
 La densité du photocourant diminue avec le champ magnétique et le taux de dopage.
 La phototension diminue lorsque le champ magnétique augmente, par contre elle
augmente avec le taux de dopage.
 La capacité diminue avec le champ magnétique et le taux de dopage de la base.
 La capacité intrinsèque dépend du taux du dopage, elle ne dépend pas du champ
magnétique.

1.2.11 Junction Recombination Velocity Induced Open Circuit Voltage for

A Silicon Solar Cell under External Electric Field [11]
L’influence d’un champ électrique sur la vitesse de recombinaison à la jonction pour une
cellule solaire au silicium en situation de circuit ouvert est étudiée.
Dans l’étude, une cellule solaire de type n+pp+ est considérée. La cellule est placée sous une
lumière polychromatique et un champ électrique externe de polarisation.
Figure 1.19 : Cellule solaire de type n+pp+ sous lumière polychromatique et champ
électrique de polarisation
L’équation de continuité des porteurs minoritaires en excès dans la base sous l’influence du
champ électrique est de la forme :
2
∂ δ( x ) μ . E ∂ δ( x ) G(x ) δ ( x )
+ . + − 2 =0
∂ x2 D ∂x D L
(1.15)
δ (x )
est la densité des porteurs minoritaires dans la base en fonction de la profondeur x dans
la base. D et L sont respectivement le coefficient de diffusion et la longueur de diffusion. µ
est la mobilité des porteurs et E est l’intensité du champ électrique.
La résolution de cette équation de continuité a permis aux auteurs de déterminer la densité des
porteurs minoritaires dans la base et de tracer son profil en fonction de la profondeur dans la

base pour différentes valeurs du champ électrique. Pour ensuite en déduire la phototension
dont le profil est donné en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction. Ils ont enfin
étudié l’influence du champ électrique sur la vitesse de recombinaison à la jonction limitant le
circuit ouvert. En traçant le profil de la vitesse de recombinaison à la jonction limitant le
circuit ouvert et la phototension de circuit ouvert en fonction du champ électrique :
Figure 1.20 : Phototension de circuit ouvert et vitesse de recombinaison à la jonction limitant le

circuit ouvert en fonction du champ électrique
Ils montrent que l’application du champ électrique diminue la phototension de circuit ouvert
mais augmente la vitesse de recombinaison à la jonction limitant le circuit ouvert. Ainsi le
champ électrique augmente le passage des porteurs minoritaires de charge à travers la
jonction. A l’intersection des deux courbes, la valeur du champ électrique limitant le circuit
ouvert est obtenue et elle est égale à 3,7 V/cm.
1.2.12 Back Surface Recombination Velocity Dependent of Absorption

Coefficient as Applied to Determine Base Optimum Thickness of an n/p/p+
Silicon Solar Cell [12]
Dans ce travail, les auteurs proposent une technique de détermination de l’épaisseur optimum
de la base d’une photopile monofaciale en fonction de faibles valeurs du coefficient
d’absorption. L’intérêt de ce travail est de proposer une méthode d’optimisation de l’épaisseur
de la base de la photopile afin de produire plus de courant. En utilisant les expressions de la
vitesse de recombinaison à la face, dépendant de l’épaisseur de la base (H) et du coefficient

d’absorption (
α λ ), ils ont tracé les intersections des courbes des vitesses de recombinaisons à
la face arrière pour différentes valeurs du coefficient d’absorption. Ils en ont déduit
l’épaisseur optimum en projetant l’intersection des courbes des vitesses de recombinaison à la
face arrière sur l’axe commun dépendant de l’épaisseur de la base.
Les auteurs ont présenté la photopile (figure 1.21), établi et résolu l’équation de continuité
régissant les phénomènes de génération, de diffusion et de recombinaison.
Figure 1.21 : Photopile monofaciale
En utilisant la loi de Fick, ils ont déterminé l’expression de la densité de photocourant donnée

par:
Jph ( Sf , α λ )) =q×D× [ B ( Sf , α λ )
L
−K ( α λ )×α λ ]
(1.16)
Ils ont déterminé les expressions des vitesses de recombinaison à la jonction en résolvant
l’équation (1.17) :
∂Jph ( Sf ,α λ )
| =0
∂ Sf Sf ≥5×10 5 cm⋅s−1
(1.17)
Les expressions des vitesses de recombinaison à la face arrière obtenues sont :

D
Sb 1 ( H , D )=− . tanh
L
H
L( )
(1.18)
Sb 2 ( H , α λ ) =D×
( ( )
α λ× ch
H
L
1
)
−exp ( −α λ⋅H ) − ×sh
L
H
L ( )
ch ( HL )−α ×L×sh( HL )−exp (−α ⋅H )
λ λ
(1.19)
Ils ont tracé la figure 1.22 pour déterminer l’épaisseur optimum de la base de la photopile
correspondant à chaque coefficient d’absorption en projetant les points d’intersection des
courbes des vitesses de recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de la base.
Figure 1. 22 : Vitesses de Recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de l’épaisseur de

la base pour différentes valeurs du coefficient d’absorption
Le tableau 1.1 donne le résumé des résultats obtenus:
Tableau 1. 1: Epaisseur de la photopile pour différent coefficient de diffusion

Ces résultats ont permis aux auteurs de représenter la variation de l’épaisseur optimum en
fonction du coefficient d’absorption (figure 1.23).
Figure 1. 23 : Epaisseur optimum en fonction du coefficient d’absorption
Cette étude montre qu’un éclairement monochromatique de grande longueur d’onde nécessite
une épaisseur de base de la photopile importante et génère plus de porteurs minoritaires de
charge à être collectés pour un meilleur rendement de la cellule solaire photovoltaïque.
1.2.13 n+-p-p+ Silicon Solar Cell Base Optimum Thickness Determination

under Magnetic Field [13]
Dans cet article, les aureurs ont déterminé l’épaisseur optimum de la base de la photopile
bifaciale éclairée par la face avant en utilisant le concept des vitesses de recombinaison à la
jonction et à la face arrière sous l’influence du champ magnétique et en régime statique.
Après avoir présenté la photopile à la figure 1.24, ils ont déterminé l’expression de la densité
des porteurs minoritaire en excès dans la base, à partir de l’équation de magnétotransport et
des conditions aux limites.

Figure 1. 24 : Photopile monofaciale
Ensuite, l’expression de la densité de photocourant est déterminée en résolvant l’équation

1.20.
Jph ( Sf , B )=q×D ( B )× [ ∂ δ ( x , B)
∂x ] x=0
(1.20)
A partir de cette équation 1.20, les auteurs ont représenté le profil de la densité de
photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction définissant le point de
fonctionnement de la photopile pour différentes valeurs du champ magnétique.
Figure 1.25 : Densité de photocourant pour différentes valeurs du champ magnétique en fonction de la
vitesse de recombinaison à la jonction
Cette figure 1.25 montre que la densité de photocourant de court-circuit, correspondant aux
grandes valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction, diminue lorsque l’intensité du

champ magnétique augmente. En effet, la force de Lorentz déviant les porteurs minoritaires
de leur trajectoire augmente avec l’intensité du champ magnétique.
Les expressions des vitesses de recombinaison à la face arrière sont obtenues en dérivant
l’expression de la densité de photocourant pour les grandes valeurs de la vitesse de
recombinaison à la jonction correspondant au photocourant de court-circuit Jsc (B, H).
[ ∂ Jph( Sf , B )
∂ Sf ] Sf ≥10 4 cm . s−1
=0
(1.21)
Les expressions des vitesses de recombinaison à la face arrière Sb1 et Sb2 obtenues en
résolvant l’équation (1.21) sont:
Sb 1 ( H , B ) =−
D ( B)
L( B)
. tanh
H
L (B ) ( )
(1.22)
Sb 2 ( H , B ) =
(1.23)
D ( B)
.∑
L ( B ) i=1
3
[ (
L ( B )⋅bi exp (−bi⋅H ) −cosh
L ( B )⋅bi⋅sinh
( L(BH ) ))−sinh ( LH( B ) )
( L(HB) )+ cosh ( LH( B ) )−exp (−bi⋅H ) ]
A la figure 1.26, ils ont représenté le profil des deux vitesses de recombinaison à la face
arrière Sb1 et Sb2 en fonction de l’épaisseur de la base pour les faibles valeurs du champ B :
−3 .75 −3 .55
10 ≤B≤10 T
. Pour chacune des valeurs du champ magnétique, l’épaisseur optimum
est déterminée en projetant sur l’axe des abscisses l’intersection des cournes de Sb1 et Sb2.

Figure 1.26 : Vitesses de Recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de l’épaisseur de

la base pour différentes valeurs du champ magnétique
Les différentes valeurs de l’épaisseur optimum sont représentées au tableau 1.2 et la figure
1.27 représente l’épaisseur optimum en fonction du champ magnétique.
Tableau 1. 2: Epaisseur optimum (Hopt) pour différentes valeurs du champ magnétique (B)
Figure 1. 27 : L’épaisseur optimum de la base en fonction du champ magnétique
Une corrélation mathématique entre l’épaisseur optimum et le champ magnétique est établie :

Hop ( cm )=u×B+ y
(1.24)
et y=0 .0634 cm
−1
Avec : u=−1. 9508 cm. T
A la figure 1.28, ils ont représenté le profil des deux vitesses de recombinaison à la face
arrière Sb1 et Sb2 en fonction de l’épaisseur de la base pour de grandes valeurs du champ B :
−3 . 45 −3 . 25
10 ≤B≤10 T
. Pour chacune des valeurs du champ magnétique, l’épaisseur optimum
est déterminée en projetant sur l’axe des abscisses l’intersection des cournes de Sb1 et Sb2.
Figure 1. 28 : Vitesses de Recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de la base pour

différentes valeurs du champ magnétique
Les différentes valeurs de l’épaisseur optimum sont représentées au tableau 1.3 et la figure
1.29 représente l’épaisseur optimum en fonction du champ magnétique.
Tableau 1. 3: Epaisseur optimum (Hopt) pour différentes valeurs du champ magnétique (B)

Figure 1.29 : L’épaisseur optimum de la base en fonction du champ magnétique
Une corrélation mathématique entre l’épaisseur optimum et le champ magnétique est établie :
Hop ( cm )=γ×B+ψ (1.25)
et y=0 .0343 cm
−1
Avec : u=−0 .581 cm. T
Les résultats obtenus en appliquant la technique de détermination de l’épaisseur optimum
montrent que l’épaisseur décroît avec le champ magnétique avec les deux intervalles de
valeurs du champ magnétique utilisés. Cela signifie que la force de Lorentz croît avec le
champ magnétique imposant une faible épaisseur pour permettre aux porteurs minoritaires de
charges de traverser la jonction et de participer au photocourant produit par la photopile.
1.2.14 Surface Recombination Concept as Applied to Determinate Silicon

Solar Cell Base Optimum hickness with Doping Level Effect [14]
Dans cette étude, de nouvelles expressions de recombinaison de surface arrière de porteurs

minoritaires en excès dans la base de silicium solaire sont exprimées en fonction à la fois de
l'épaisseur et du coefficient de diffusion qui est en relation avec le taux de dopage. Les
auteurs ont aussi déterminé l’épaisseur optimale à partir de la base de la cellule solaire ce qui
leurs a permis d'économiser de la quantité matière nécessaire à sa fabrication sans réduire son
efficacité.

Figure 1 : Structure d'une cellule solaire de type n+-p-p+ éclairée son émetteur
À partir des deux expressions des vitesses de recombinaison à la base S b1 et Sb2, ils ont tracé
leurs profils respectifs sur le même graph et ont déterminé différentes valeurs de d’épaisseurs
optimum.
(I.26)
(I.27)
Figure 2 : Vitesse de recombinaison à la surface arrière en fonction de l'épaisseur de la base de la

photopile
Les auteurs ont montré par la figure 1.32, la représentation de l'épaisseur de la base de la
photopile nécessaire pour chaque cas du coefficient de diffusion.

Figure 3 : Profondeur H en fonction du coefficient de diffusion D
Les auteurs ont résumé dans le tableau 1.4, la variation de l'épaisseur de la base des cellules
solaires pour chaque coefficient de diffusion et les courants de court-circuit respectifs Jsc1 et
Jsc2 qui restent maximaux et constants.
Tableau 1.4 : L'épaisseur de la photopile pour différentes valeurs de coefficient de diffusion
1.2.15 Technique de détermination de l'épaisseur optimum de la base

appliquée à une photopile n+ /p / p + au silicium sous éclairement
monochromatique de courtes longueurs d'onde [15]
L’étude porte sur une photopile de type n+-p-p+ éclairée par la face avant par une lumière
monochromatique, représentée par la figure 1.33.

Figure 1.33: Photopile n+-p-p+ au silicium
Sb 1 ( H )=
−D
L
×th
H
L ( )
(1.28)
Sb 2 ( H , α λ )=D ×
( ( )
αλ× ch
H
L )1
−exp (−α λ ⋅ H ) − × s h
L
H
L ( )
ch ( HL )−α × L × s h( HL )−exp (−α ⋅ H )
λ λ
(1.29)
À partir des deux expressions des vitesses de recombinaison à la base S b1 et Sb2, ils ont tracé
leurs profils respectifs sur le même graphique et ont déterminé différentes valeurs de
d’épaisseurs optimum.

1 1
Sb1
 =8800 cm^-1
 =7050 cm^-1
 =5780 cm^-1
 =4880 cm^-1
0.9 0.9
 =4140 cm^-1
 =3520 cm^-1
Sb1 relative
Sb2 relative
 =3040 cm^-1
 =2580 cm^-1
 =2210 cm^-1
0.8 0.8
0.7 0.7
0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Epaisseur de la base (cm)

Figure 1.34 : Vitesse de recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de la base pour
différentes grandes valeurs du coefficient d’absorption. L=0.01 cm et D=35 cm2/s
Le tableau 1.5 ci-dessous présente les valeurs de l’épaisseur optimum de la base obtenues
pour différentes valeurs du coefficient d’absorption, à partir de la figure 1.34.
Tableau 1.5 : Valeurs de l’épaisseur optimum (Hopt) en fonction du coefficient d’absorption

α
8800 7050 5780 4880 4140 3520 3040 2580 2210
(cm-1)
Hopt
128.82 128.96 129.14 129.29 129.47 129.73 129.87 130.2 130.56
(µm)
La figure 1.35, ci-dessous matérialise le profil de l’épaisseur optimum en fonction du

coefficient d’absorption.

131
130.5
f(x) = 4.78748633955397E-08 x² − 0.00076027467529695 x
Epaisseur optimum (µm)

130 + 131.85959865505
R² = 0.978539782219924
129.5
129
128.5
128
127.5
2000 3000 4000 5000 6000 7000 8000 9000
Coefficient d'absorption α (cm-1)
Figure 4.35 : Epaisseur optimum en fonction du coefficient d’absorption
La corrélation obtenue entre l’épaisseur optimum et le coefficient d’absorption est définie par
la relation (1.30) suivante :
2
Hopt ( cm )= χ∗α λ −β∗α λ + γ (1.30)
−8
χ =5∗1 0 cm3 β=0.0008 cm2 γ=131.86 cm
La figure 1.35 montre que l’épaisseur optimum diminue très légèrement avec l’augmentation
du coefficient d’absorption. Ce qui corrobore que les épaisseurs minces sont utilisées pour les
fortes absorptions. Ceci permettrait de choisir une épaisseur optimum adéquate pour une
photopile à partir d’un coefficient d’absorption donné, d’économiser de la matière (Si) pour la
fabrication de photopiles et minimiser le coût de fabrication et de revente.
1.2.16 Base Thickness Optimization of a (n+-p-p+) Silicon Solar Cell

in Static Mode under Irradiation of Charged Particles [51]
[51] Ba, M.L., Thiam, N., Thiame, M., Traore, Y., Diop, M.S., Ba, M., Sarr, C.T., Wade, M.
and Sissoko, G. (2019). Base Thickness Optimization of a (n+-p-p+) Silicon Solar Cell in
Static Mode under Irradiation of Charged Particles. Journal of Electromagnetic Analysis and
Applications, 11, 173-185.
Dans ce travail, une méthode de détermination de l’épaisseur optimale d’une photopile
monofaciale sous irradiation est proposée par les auteurs. Après avoir présenté la photopile à
la figure 1.36, les auteurs ont présenté l’équation de continuité régissant les phénomènes de
génération, de recombinaison et de diffusion de porteurs minoritaires en excès photogénérés
dans la base sous éclairement polychromatique.

Figure 1.36 : Structure de la photopile (n+-p-p+)
∂ 2 δ ( x , kl , φ p ) δ ( x , kl , φ p )
D ( kl , φ p ) − +G ( x )=0
∂ x2 τ
(1.31)
Où :
kl : Coefficient de dommage ;
φ p : Energie d’irradiation ;
L’expression de la densité des porteurs minoritaires en excès dans la base est obtenue par les
auteurs en résolvant cette équation :
δ ( x , kl , φ p )= A⋅cosh
[ x
L ( kl , φ p) ] [
+B⋅sinh
x
L ( kl , φ p ) ] −b ⋅x
−∑ K i⋅e i
(1.32)
Avec :
2
ai⋅[ L ( kl , φ p ) ] ⋅n
K i=−
[ 2
D ( kl , φ p ) L ( kl , φ p ) ⋅b 2 −1
i ] ( L (kl , φ p ) ⋅bi 2≠1 )
2
Les coefficients A et B sont déterminés à partir des conditions aux limites :
 A la jonction émetteur-base (x = 0)
∂ δ ( x , kl , φ p )
D ( kl , φ p ) |x =0 =S f⋅δ ( 0 , kl, φ p )
∂x
(1.33)

Sf : est la vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la jonction imposée par la charge
extérieure. Elle caractérise le point de fonctionnement choisi et varie de la position nulle
(circuit ouvert) à l’infini (court – circuit).
 A la face arrière (x = H)
∂ δ ( x ,kl ,φ p )
D ( kl , φ p ) |x =H =−Sb⋅δ ( H ,kl ,φ p )
∂x
(1.34)
Sb : est la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaire en excès à la face arrière.
Elle est la conséquence du champ électrique produit par la jonction p/p+ et caractérise le
comportement de la densité des porteurs de charges au niveau de cette interface. H est
l’épaisseur de la base de la photopile.
La détermination de l’expression de la densité des porteurs minoritaires en excès dans la base
a permis aux auteurs d’établir celle de la densité de photocourant en résolvant l’équation :
Jph=q . D ( kl , φ p ) . [ ∂ δ ( x , kl , φ p )
∂x ] x =0
(1.35)
De cette expression, les auteurs ont représenté les profils de la densité de photocourant en
fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour différentes valeurs de l’énergie
d’irradiation, du coefficient de dommage et de l’épaisseur de la base.

Figure 1.37 : Photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour différentes

valeurs d’énergie d’irradiation

valeurs du coefficient de dommage.


valeurs de l’épaisseur de la base
Ensuite, ils ont déterminé les expressions des vitesses de recombinaison à la face arrière en
résolvant l’équation :
[ ∂ Jph( Sf , kl, φ p )
∂ Sf ] Sf ≻4×10 cm . s 4 −1
=0
(1.36)
La résolution de cette équation donne les expressions suivantes :
D ( kl , φ p )
Sb 0 ( H , kl , φ p ) =−
L ( kl , φ p )
. tanh
( H
L ( kl , φ p ) )
(1.37)
Sb ( H ,kl , φ p ) =
D (kl ,φ p )
.∑
3
L(kl , φ p ).b i e
( bi. H
)) ( )
−cosh
( H
L( kl, φ p )
−sinh
H
L(kl , φ p )
( L(kl , φ ) ) ( L( kl, φ ) )−e

L(kl , φ p ) i=1 H H bi . H
−L( kl, φ ).b . sinh p i +cosh
p p
(1.38)

A la figure 1.40, les auteurs ont déterminé l’épaisseur optimale de la base tributaire de la
variation de l’énergie d’irradiation, en projetant l’intersection des courbes des vitesses de
recombinaison à la face arrière.
Figure 1.40 : Profil des vitesses de recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de la

base pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation
Ils ont résumé les variations de l’épaisseur optimale avec l’énergie d’irradiation, au tableau,
conduisant aux différentes valeurs précises du coefficient de diffusion, du courant de court-
circuit Jsc0 et Jsc1 correspondant à Sb0 et Sb1.
Tableau 1.6 : Valeurs de l’épaisseur optimale de la base H, du coefficient de diffusion D, des courants

de court-circuit Jsc0 et Jsc1 correspondant à Sb0 et Sb1 pour différentes valeurs de l’énergie
d’irradiation.
Ce tableau 1.6 a permis aux auteurs de représenter la variation de l’épaisseur optimale avec
l’énergie d’irradiation à la figure 1.41.

Figure 1.41 : Epaisseur optimale de la base en fonction de l’énergie d’irradiation
Une corrélation entre l’épaisseur optimale de la base et l’énergie d’irradiation est établie par
les auteurs à partir de cette figure 1.41.
H ( cm )=a×φ 2 −b×φ p +c
p
(1.39)
a=2×10−8 cm/Mev b=2×10−5 cm/Mev c=0,014 cm

Avec: , ,
A la figure 1.42, les auteurs ont déterminé l’épaisseur optimale de la base tributaire de la
variation du coefficient de dommage lors de l’interaction des particules avec la photopile, en
projetant l’intersection des courbes des vitesses de recombinaison à la face arrière.

Figure 1.42 : Vitesse de recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur de la base pour

différentes valeurs du coefficient de dommage
Ils ont résumé les variations de l’épaisseur optimale avec le coefficient de dommage, au
tableau, conduisant aux différentes valeurs précises du coefficient de diffusion, du courant de
court-circuit Jsc0 et Jsc1 correspondant à Sb0 et Sb1.
Tableau 1.7 : Valeurs de l’épaisseur optimale de la base H, du coefficient de diffusion D, des courants

de court-circuit Jsc0 et Jsc1 correspondant à Sb0 et Sb1 pour différentes valeurs du coefficient de
dommage
Ce tableau 1.7 a permis aux auteurs de représenter la variation de l’épaisseur optimale avec
l’énergie d’irradiation à la figure 1.43.

Figure 1.43 : Epaisseur optimale de la base en fonction du coefficient de dommage
Une corrélation entre l’épaisseur optimale de la base et le coefficient de dommage est établie
par les auteurs, à partir de cette figure 1.43.
H ( cm )=a×φ 2 −b×φ p +c
p
(1.40)
a=6×10−6 Mev . cm/cm−2 b=3×10−4 Mev . cm/cm−2 c=0,014 cm

Avec : , ,
1.2.16 Electrical Parameters Determination from Base Thickness

Optimization in a Solar Cell under Influence of the Irradiation Energy
Flow of Charged Particles [16]
Dans ce travail, les caractéristiques I-V et P-V d’une photopile de même que le facteur, la
puissance électrique correspondant à l’épaisseur optimale de la base obtenue sous irradiation
et la vitesse de recombinaison à la jonction correspondant au point de puissance maximale
sont étudiées par les auteurs. Ils ont d’abord donné la représentation de la photopile sous
irradiation. Ensuite, l’équation de continuité régissant les phénomènes de génération, de
diffusion et de recombinaison, dans la base de la photopile, est établie, puis résolue à une
dimension. L’expression de la densité de photocourant est établie en utilisant la loi de Fick
donnée par l’équation 1.41.

Figure 1.44 : Structure de la photopile monofaciale (n+-p-p+) sous irradiation
Jph ( Sf , H , kl , φ p ) =q . D ( kl , φ p ) . [ ∂ δ ( Sf , x , H , kl , φ p )
∂x ] x=0 (1.41)
De cette expression de la densité de photocourant, aux grandes valeurs de la vitesse de
recombinaison à la jonction, les auteurs ont déterminé les expressions des vitesses de
recombinaison à la jonction ont en résolvant l’équation:
∂Jph ( Sf , H ,kl , φ p )
=0
∂ Sf
(1.42)
Les expressions des vitesses de recombinaison à la face arrière obtenues, après résolution,
sont :
D ( kl , φ p )
Sb 0 ( H , kl , φ p ) =−
L ( kl , φ p )
. tanh
( H
L ( kl , φ p ) )
(1.43)
Lorsque H>>L, cette vitesse intrinsèque devient une vitesse de diffusion.
[ ( ()) ( )
]
H H
L ( kl , φ p )⋅bi exp (−bi⋅H )−cosh −sinh
D ( kl , φ p ) 3 L ( kl , φ p ) L ( kl ,φ p )
Sb 2 ( H , kl , φ p )= .∑
( )) ( ( ))
L ( kl , φ p ) i =1 H H
L ( kl , φ p )⋅bi⋅sinh +cosh −exp (−bi⋅H )
L ( kl , φ p L kl , φ p
(1.44)

De ces dernières, à la figure 1.45, les auteurs ont déterminé l’épaisseur optimale
correspondant à une irradiation donnée en appliquant la technique de l’intersection des
courbes de Sb0 et Sb1.
Figure 1.45 : Profil des vitesses de recombinaison en fonction de l’épaisseur.
Les valeurs de l’épaisseur optimale correspondant à chaque valeur de l’énergie d’irradiation

sont présentées au tableau 1.8.
Tableau 1.8 : Les valeurs de l’épaisseur optimale obtenue pour différentes énergie d’irradiation
Pour la caractérisation de la photopile sous irradiation à travers la détermination de la densité

de photocourant, la phototension et le rendement, les auteurs considèrent ces résultats décisifs.
L’expression de la phototension est déterminée par l’application de la loi de Boltzmann.
Puis, la caractéristique Jph (Sf, 𝜙p, Hop) - V (Sf, 𝜙p, Hop) pour différentes valeurs d’énergie
d’irradiation et de l’épaisseur optimale tracée. Il en est déduit qu’une augmentation de
l’énergie d’irradiation entraîne une diminution de la densité de photocourant et une légère
augmentation de la phototension.
A partir du schéma électrique équivalent de la photopile, l’expression de la puissance
électrique est établie. Cela les a permis de tracer la caractéristique P (Sf, 𝜙p, Hop) - V (Sf, 𝜙p,
Hop). Les auteurs en ont déduit une diminution de la puissance électrique avec l’augmentation

de l’énergie d’irradiation correspondant à une épaisseur optimale de la base de la photopile

monofaciale. Les expressions du facteur de forme et du rendement de conversion de la
Photopile sont déterminées. Pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation, les résultats
obtenus sont donnés au tableau…
Tableau 1.9 : Paramètres conduisant au facteur de forme et au rendement correspondant à l’épaisseur

optimale pour différentes énergies d’irradiation
A partir de ce tableau 1.9, les auteurs ont représenté à la figure le profil de la puissance en
fonction de l’énergie d’irradiation, à la figure 1.46 et à la figure 1.47, les profils de la
puissance et du rendement en fonction de l’épaisseur optimale de la base.
Figure 1.46 : Puissance en fonction de l’énergie d’irradiation
De cette figure 1.46 de la puissance en fonction de l’énergie d’irradiation, les auteurs ont
établi l’équation donnée par la relation :

2
Pmax =u×φp −w×φp+z
(1.45)
2
−7 −2 −4
Avec : u=4×10 W . cm / Mev , w=10 W . cm /Mev ,
−2
z=0,0247W /cm
Figure 1.47 : Puissance en fonction de l’épaisseur optimale
De cette figure 1.47 de la puissance en fonction de l’épaisseur optimale de la base, ils ont
établi l’équation donnée par la relation :
2
Pmax =α×H −β×H +v
(1.46)
4 3 2
Avec : α=1140,6W /cm , w=23 ,709W /cm , v=0,1346W /cm

Figure 1.48 : Rendement en fonction de l’épaisseur optimale
De cette figure 1.48 du rendement en fonction de l’épaisseur optimale de la base, ils ont établi
l’équation donnée par la relation :
2
ηmax =m×H −n×H +k
(1.47)
m=10 cm
6 −2
n=24038 cm
−1
v=136,58
Avec : , ,
Enfin, l’expression de la vitesse Sfmax à la jonction correspondant à la puissance maximale

est déterminée en résolvant l’équation :
∂P
=0
∂Sf
(1.48)
La résolution de l’équation a permis d’obtenir l’équation transcendante dépendante de la
vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la jonction donnée par:
M ( Sf ,kl , φp )=
1
Sf max L( kl ,φp) [
⋅ 1−
Sf max L( kl ,φp)
Y 1 . D( kl,φp)+Sf max L(kl , φp) ]
(1.49)

[( ][ ( ]
Γ max (0,kl,φp) 1
N ( Sf ,kl,φp )= ×
) )
2
ni Nb.Γ max (0,kl,φp)
Γ max (0,kl,φp)+ . ( Sf max .L(kl,φp)+Y 1 .D(kl,φp)) log +1
Nb ni2
(1.50)
Гmax (0,kl,ϕp) est la densité des porteurs de charges minoritaires en excès au point de
puissance maximum, son expression est donnée par la relation suivante :
Γ max( 0 , kl , φp)=K . D (kl , φp) .

[ Y 2 +Y 1−bi . L( kl , φp)
Sf max . L( kl , φp )+Y 1 . D ( kl , φp) ]
(1.51)
n. a i . L( kl , φp )2
K=
D ( kl , φp) .( L ( kl , φp) 2 . b2i +1 )
(1.52)
Y 1=
D(kl , φp)
L( kl, φp )
.sinh
( H
L(kl , φp ) )
+Sb. cosh
H
(
L(kl , φp) )
.cosh (
L(kl , φp ) )
+Sb . sinh (
L(kl , φp) )
D(kl , φp) H H
L( kl, φp )
(1.53)
( D( kl , φp) . bi−Sb ) . exp (−bi . H )
Y 2=
( ) ( )
D ( kl , φp ) H H
.cosh + Sb . sinh
L( kl, φp ) L( kl , φp ) L( kl , φp)
(1.54)
La résolution graphique de cette équation transcendante en fonction de la vitesse de

recombinaison des porteurs de charges à la jonction, pour différentes valeurs de l’énergie
d’irradiation et d’épaisseur optimale, permet d’obtenir les valeurs de SFmax par l’intersection
des deux courbes représentées par la figure 1.49.

Figure 1.49 : Représentation de l’équation transcendante
Les résultats obtenus de cette figure 1.49 correspondant aux valeurs numériques de Sfmax
sont donnés au tableau.
Tableau 1.10 : Sfmax pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et de l’épaisseur optimale
Les auteurs ont conclu que Sfmax augmente avec l’épaisseur optimale de la base de la
photopile, après avoir représenté le profil de Sfmax en fonction de ce dernier.

Figure 1.50 : Sfmax en fonction de l’épaisseur optimale
1.2.17 Ac Recombination Velocity as Applied to Determine n +/p/p+ Silicon

Solar Cell Base Optimum Thickness [17]
Dans cet article, les auteurs déterminent l’épaisseur optimum de la base d’une photopile
n+/p/p+ sous éclairement monochromatique en modulation de fréquence. Après avoir résolu
l’équation de continuité, l’expression de la densité de photocourant est établie. Les
expressions de la vitesse de recombinaison à la face arrière sont données par les équations ci-
dessous :
Sb 1 ( ω )=−
D(ω)
L ( ω)
. tanh
( )
H
L ( ω)
(1.55)
[ ( ( ) ( ))
]
H H
α ( λ )⋅L ( ω )⋅ exp (−α ( λ )⋅H ) −cosh +sinh
D (ω) L(ω ) L ( ω)
Sb 2( ω , λ)= ⋅
exp ( −α ( λ )⋅H )−cosh (
L ( ω) H
L ( ω) ) + α ( λ )⋅L ( ω )⋅sinh (
L ( ω) )
H
(1.56)
L’épaisseur optimum est déterminée en utilisant la technique d’intersection des courbes des
vitesses de recombinaison par la face arrière (figure 1.51).

Figure 1.51: Sb1 et Sb2 en fonction de l’épaisseur de la base pour différentes valeurs de fréquence
(B = 0 T; D = 35 cm; α = 6.2 cm-1)
Le tableau 1.11 représente l’épaisseur optimum correspondant à une fréquence donnée.
Tableau 1.11 : L’épaisseur optimum correspondant à une fréquence donnée
Ce tableau 1.11 les a permis de représenter l’épaisseur optimum en fonction de la fréquence, à

la figure 1.52.

Figure 1.52 : Profil de l’épaisseur optimale en fonction de la fréquence
1.2.18 Experimental determination of minority carrier lifetime in solar cell

using transient measurement [18]
Dans cet article, les auteurs s'intéressent à la détermination de la durée de vie des porteurs
minoritaires dans les cellules solaires. Ils ont étudié une modélisation permettant de discuter
de l'influence de la longueur de diffusion des porteurs et de l'épaisseur de la base.
Cette étude a conduit à un énoncé des conditions permettant une détermination correcte de la
durée de vie à partir des mesures transitoires de tension en circuit ouvert et de courant de
court-circuit.
1.2.19 Influence of Both Magnetic Field and Temperature on Silicon Solar

Cell Base Optimum Thickness Determination [19]
Dans ce travail la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires la surface arrière de la

base d'épaisseur (H) est étudiée pour la modélisation et la détermination de l'épaisseur
optimale H, de la base de la cellule solaire en silicium, placée sous champ magnétique B et
avec variation de la température T (figure 1.53).
Cette étude prend en compte le procédé Umklapp (agitation thermique) et l'effet de Lorentz
(défection) sur les porteurs minoritaires photogénérées dans la base.

Figure 1. 53 : Structure de la photopile de type n+-p-p+ type, sous champ magnétique et sous
température.
[ ∂ Jph( Sf ,n , H , T , B )
∂ Sf
=0 ]
(1.57)
Sb 1 ( H ,T , B ) =∑
3 [( (
D(T , B ). b i cosh
H
L(T , B)) b .H
−e i −
) 1
L(T , B )
.sinh
(H
L(T , B ) )]
i=1
cosh
( H
L(T , B ) )
b .H
−e i −L(T , B). bi . sinh
H
(
L(T , B)
+
)
(1.58)
Sb 2 ( H ,T , B ) =−
D (T , B)
L (T , B )
×tanh
H
(
L(T , B) )
(1.59)
La figure 1.54 donne le profil des vitesses de recombinaison des porteurs minoritaires à la
face arrière en fonction de l'épaisseur de la base de la cellule pour différentes valeurs du
coefficient de diffusion D max (B, T) des porteurs minoritaires dans la base subissant
l'Umklapp et processus de Lorent.

Figure 1. 54 : Back surface recombination velocity curves versus solar cell base thickness
L'intersection des courbes Sb1 et Sb2, a pour abscisse, l'épaisseur optimale de la base de la
cellule photovoltaïque pour chaque coefficient de diffusion D max (B, Topt).
Le tableau I.2 résume la variation de l'épaisseur optimale de la base de la cellule solaire pour
chaque coefficient de diffusion (D max (B, Topt)) et les courants de court-circuit respectifs
Jsc1 et Jsc2 qui restent maximaux et constants.
Tableau 1. 11 : Base optimum thickness Value (H) for different diffusion coefficients Dmax (B,Topt )
Les figures ci-dessous donnent la représentation de l'épaisseur de la base de la cellule

photovoltaïque nécessaire pour chaque cas du coefficient de diffusion. La corrélation entre le
coefficient de diffusion Dmax (T, B) et l'épaisseur de base optimale est ainsi établie.

Figure 1. 55 : Base depth H as function of logarithm of diffusion coefficient
Figure 1. 56 : Base depth H as function of diffusion coefficient

1.2.20 Base thickness optimization of a vertical series junction silicon solar

cell under magnetic field by the concept of back surface recombination
velocity of minority carrier [20]
Dans ce travail, les auteurs ont proposé une méthode de détermination de l’épaisseur optimum
de la base d’une photopile au silicium à jonction verticale série (figure 1.57) à partir de
l’intersection des courbes de vitesse de recombinaison à la face arrière Sb1(H, B) et Sb2(H, B)
définies aux équations (I.32) et (I.33). Ils étudièrent cette photopile sous champ magnétique
influençant le coefficient de diffusion D(B) dont sont rattachées les deux vitesses obtenues par
le dérivé de la densité de photocourant Jph par rapport à la vitesse de recombinaison à la
jonction (Sf) donnée à l’équation (I.31).
Figure 1. 57 : Photopile à jonction verticale série de type n+-p-p+ sous champ magnétique et sous
éclairement monochromatique
∂Jph (Sf , Sb , z , B , λ )
|Sf ≥10 5 cm. s−1=0
∂Sf
(1.60)
Sb 1 ( H , B )=−
D ( B ) ×sh
( LH( B ) )
[(
L ( B )× ch
H
L ( kl ,φ p ))−1
]
(I.61)
Sb 2 ( H , B )=−
D (B )
L ( B)
×th
( )
H
L( B)
(1.62)

Ils tracèrent les profils de Sb1(H, B) et Sb2(H, B) sur un biaxes (figure I.27) en fonction de
l’épaisseur de la base pour différentes valeurs du champ magnétique (B) et obtinrent des
points d’intersection des deux courbes leur permettant de déterminer en abscisse l’épaisseur
optimum de la base (Hop). Ensuite les auteurs établissent une équation de corrélation (I.34)
entre l’épaisseur optimum et le coefficient de diffusion et une autre (I.35) entre l’épaisseur
optimum et le champ magnétique à partir des figures I.28 et I.29.
Figure 1. 58 :Vitesse de recombinaison à la face arrière Sb1 et Sb2 en fonction de l’épaisseur de la

base
Figure 1. 59 : Epaisseur optimum de la base en fonction du coefficient de diffusion
L’expression de l’épaisseur optimum de la base en fonction du coefficient de diffusion est donnée

par l’équation (1.63)

−4
H ( cm )=1. 2×10 ×D+0 . 011
(1.63)
Figure 1. 60 : Epaisseur optimum de la base en fonction du champ magnétique
La relation entre l’épaisseur optimum de la base et le champ magnétique est donnée par l’équation
1.64.
3 3 2 2
H ( cm )=−6 . 8×10 ×B +5 .1×10 ×B −1 . 9×B ( T ) +0 . 015
(1.64)
1.2.21 Lamella Silicon Solar Cell under Both Temperature and Magnetic
Field : Width Optimum Determination [21]
Ce travail porte sur la détermination de l'épaisseur optimale de la plaquette lamellaire de

cellule solaire en silicium d’une photopile à jonctions multiples verticales (VMJ) qui sont
connectées en série sous éclairage polychromatique (figure 1.61).

Figure 1.61 : Photopile à jonction verticale connectée en série
Figure 1. 62 : Cellule de la photopile (n+/p/p+) sous illumination et sous champ magnétique externe.
La détermination de l'épaisseur de la plaquette prend en compte les phénomènes physiques

internes de génération-diffusion-recombinaison des porteurs minoritaires en excès dans la
base. Ces phénomènes sont étudiés sous influence des facteurs externes tels que la
température et le champ magnétique. Ensuit à partir de l’expression photocourant (équation
1.65), les expressions (équations 1.66 et 1.67) de la vitesse de recombinaison à la face arrière
sont dérivées, ainsi que le coefficient de diffusion maximal et l'épaisseur correspondante.
∂Jph (Sf , H , z , B , T , Sb )
|Sf ≥105 cm . s−1 =0
∂ Sf
(1.65)
Sb ( H , B , T ) =−
( L( B , T ) )
D ( B , T )×sh
H
[ ( L( BH, T ) )−1]
1
L ( B ,T )× ch
(1.66)
Sb 2 ( H , B ,T )=−
D (B , T )
L ( B ,T )
×th
( H
L (B , T ) )
(1.67)
Les valeurs maximales du coefficient de diffusion en fonction de la température optimale pour

différentes valeurs de champ magnétique ont été déterminées selon la relation :
−1, 58
Dmax ( B ) =2,1⋅105 ( T opt ( B ) )
(1.68)

Sur la figure 1.63, les auteurs ont représenté les profils de deux vitesses de recombinaison de
surface arrière de porteurs minoritaires en excès en fonction de l'épaisseur de la base de la
cellule pour différentes valeurs maximales de coefficient de diffusion. Ces profils montrent un
point d'interception, qui donne l'épaisseur optimale de la base de la cellule.
Figure 1. 61 : Back surface recombination velocity Sb1 and Sb2 of excess minority carries versus
solar cell base thickness for different maximum diffusion coefficient values.
Le tableau 1.13 résume la variation de l'épaisseur optimale Hopt de la base pour des valeurs
du coefficient de diffusion maximal Dmax et la température optimale pour différentes valeurs
du champ magnétique.
Tableau 1. 12 : Base optimum thickness (Hopt) for different magnetic field B and optimum
temperature values.

Figure 1.64 : Profil de l’épaisseur optimale en fonction du coefficient de diffusion maximal
1.2.22 Surface recombination velocity concept as applied to determinate

back surface illuminated silicon solar cell base optimum thickness, under
temperature and external magnetic field effects [22]
L’étude porte sur une photopile de type n+-p-p+ éclairée par la face avant par une lumière
monochromatique, représentée par la figure 1.65.
Figure 1.65 : Photopile bifaciale sous champ magnétique et sous température
Les auteurs ont déterminé l’expression de la densité de photocourant. De cette dernière, ils ont
déterminé les deux expressions des vitesses de recombinaison à la face arrière.
À partir des deux expressions des vitesses de recombinaison à la base Sb 1 et Sb2, ils ont tracé
leurs profils respectifs et ont déterminé différentes valeurs d’épaisseurs optimales.

Figure 1.66 : Détermination de l’épaisseur optimale
Le tableau 1.14 résume la variation de l’épaisseur optimum de la base de la photopile éclairée

par la face arrière sous champ magnétique et température.
Tableau 1.14 : Valeurs de l’épaisseur optimum pour différentes valeurs du coefficient de diffusion
La figure 1.66 représente la variation de l’épaisseur optimum pour chaque coefficient de

diffusion.

Figure 1.66 : Profil de l’épaisseur optimale en fonction du coefficient de diffusion
Conclusion
Dans cette étude bibliographique, nous avons fait une présentation des premières structures de
cellules solaires à jonction vertical. Ensuite des travaux d’article sur les effets des paramètres
extérieurs (température, longueur d’onde, champ magnétique), sur les paramètres
phénoménologiques (Vitesse de recombinaison intrinsèque Sf) et les paramètres électriques
(résistance série, résistance shunt, courant de diode, la puissance de la photopile et la capacité)
sont réalisés. L’innovation que nous comptons apporter à cette étude est de proposer deux
méthodes de détermination du choix de ses paramètres (température, fréquence et champ
magnétique) pour avoir une réponse optimale de la photopile.

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Chapitre 2 : Etude de la densité de porteurs minotaires en excès
Chapitre 2 : Etude de la densité de porteurs

minoritaires en excès
2.1. Introduction
La production de photocourant par la photopile est gouvernée par la densité des porteurs
minoritaires photogénérés, c’est un paramètre important à tenir en compte afin d’assurer un
meilleur rendement de la photopile à jonction verticale série. Ainsi, dans ce chapitre 2, nous
allons étudier la densité des porteurs minoritaires en excès dans la base de la photopile
bifaciale sous éclairement monochromatique par la face arrière, en régime fréquentiel, en
résolvant l’équation de continuité régissant les phénomènes de génération, de diffusion et de
recombinaison. Ensuite, une étude sur la densité photocourant sera présentée. Enfin, une
technique de détermination de l’épaisseur optimum par la technique de l’intersection des
courbes des vitesses de recombinaison à la face arrière sous l’influence de la fréquence.
2.2. Présentation de la photopile

La structure de la photopile bifaciale de type n +-p-p+ éclairée par la face arrière [1] avec une
lumière monochromatique en modulation de fréquence [2] est représentée par la figure 2.1.
Figure 2.1 : Structure de la photopile
Cette structure de la photopile est composée principalement de :

 L’émetteur de type n+ :
L’épaisseur est faible (0,5 à 1µm), fortement dopé (10 17 à 1019 atomes par cm3) en atomes
donneurs (atomes de phosphore : 5 électrons de valence) et recouverte d’une grille métallique

qui permet de collecter les charges électriques photocréés. Cette partie de la cellule est aussi
appelée face avant de la photopile et peut recevoir de la lumière incidente.
 La base de type p :
Cette partie est relativement peu dopée (1015 à 1017 atomes par cm3) en atomes accepteurs
(atomes de bore ayant 3 électrons de valence). Mais, son épaisseur est beaucoup plus
importante que celle de l’émetteur. Elle peut s’élever jusqu’à 400m. Etant de type p, cette
partie de la structure présente un défaut d’électrons (porteurs minoritaires). L’étude
caractéristique de la cellule portera essentiellement sur cette partie qui est la zone de
prédominance des phénomènes d’absorption, de génération, de recombinaison et de diffusion.
 La Zone de Charge d’Espace (ZCE) :
Entre les deux zones du semi-conducteur dopés différemment (émetteur de type n et la base
de type p), il existe une jonction où règne un champ électrique très intense. Ce champ permet
la séparation des paires électron-trou qui arrivent à la jonction.
Ainsi, un rayon lumineux qui frappe la cellule peut pénétrer dans le cristal à travers la grille
collectrice et provoquer l’apparition d’une tension électrique autour de la jonction, si le rayon
possède une énergie suffisante.
 Le BSF (Back Surface Field) de type p+ :
C’est la zone située en face arrière de la base, elle est surdopée en atomes accepteurs (10 17 à
1019 atomes par cm3) par rapport à la base. Cela induit l’existence d’un champ électrique
arrière qui permet de renvoyer vers l’interface émetteur-base les porteurs minoritaires générés
près de la face arrière.Pour relier la cellule à une charge extérieure c’est-à-dire pour la collecte
du courant résultant de l’absorption de la lumière (des photons), des électrodes sous forme de
grilles métalliques sont déposées par sérigraphie sur la face avant servant de contacts
électriques. Pour améliorer les performances de la cellule solaire photovoltaïque, les grilles
doivent laisser passer le maximum de flux lumineux incident. C’est la cause pour laquelle une
couche d’antireflet est déposée sur les électrodes pour augmenter la quantité de lumière
absorbée.
2.3. Equation de continuité
L’équation de continuité [3][4][5][6] régissant les phénomènes de génération, de diffusion et

de recombinaison des porteurs minoritaires de charges en excès dans la base de la photopile
bifacial éclairée par la face arrière, sous éclairement monochromatique, en modulation de
fréquence, est donnée par :

2
∂ δ ( x ,t ) δ ( x ,t ) ∂ δ ( x, t )
D ( ω )× − =−G ( x , ω, t )+
∂x 2 τ ∂t
(2.1)
- La densité des porteurs de charge minoritaire photogénérés dans la base à l’abscisse x et à

l’instant t est :
− jωt
δ ( x ,t )=δ ( x )⋅e
(2.2)
D ( ω)
- est le coefficient de diffusion complexe des porteurs de charge minoritaires en excès
dans la base :
D ( ω )=D 0 ×
( 1− j. ω 2 . τ 2
1+ ( ωτ )2 )
(2.3)
G ( x ,t )
- est le taux de génération, il s’écrit sous la forme :
− jωt
G ( x ,t ) =g ( x )⋅e
(2.4)
Où :
g ( x ) =α ( λ )⋅I 0 ( λ )⋅( 1−R ( λ ) )⋅e−α⋅( λ) . ( H −x )
(2.5)
α(λ)
- : coefficient d’absorption optique du matériau (cm-1)
- I 0 ( λ ) : flux de photons incidents pour une radiation monochromatique (W)
- R ( λ ) : coefficient de réflexion monochromatique à la surface de la base

x
- est l’épaisseur de la base de la photopile
- τ durée de vie des porteurs de charges minoritaires dans la base définie par la relation
Einstein suivante :
2
L (ω)
τ=
D (ω)
(2.6)
En remplaçant les équations (2.2), (2.4) et (2.6) dans l’équation (2.1), l’expression de
l’équation de continuité devient:
2
∂ δ ( x , ω ) δ ( x , ω) g(x)
− 2 =−
∂x 2
L ( ω) D ( ω)
(2.7)
L ( ω)
- :longueur de diffusion complexe des porteurs minoritaires en excès dans la base. Elle
représente aussi la distance moyenne parcourue par les porteurs minoritaires avant leur
recombinaison dans la base sous irradiation. Son expression est donnée par l’équation :
L ( ω )=
√ D (ω )τ
1+ j ωτ
(2.8)
2.4. Solution de l’équation de continuité
La solution générale de l’équation de continuité s’écrit sous la forme :
δ (x )=δ 1 ( x )+δ 2 ( x )
(2.9)
 δ 1 ( x) est la solution particulière de l’équation sans second membre;
 δ 2 ( x) la solution générale de l’équation avec second membre.
2.4.1. Equation sans second membre
L’équation de continuité sans second membre s’écrit :
∂2 δ 1 ( x ,ω , λ ) δ 1 ( x ,ω , λ )
− =0
∂ x2 L2 ( ω )
(2.10)
La solution de l’équation (2.10) est donnée par l’équation (2.11):

δ 1 ( x )= A cosh
( ) x
L ( ω)
+B sinh
( )
x
L ( ω)
(2.11)
2.4.2. Equation avec second membre
L’équation avec second membre s’écrit:
2
∂ δ2 ( x ) δ2 ( x ) g(x)
2
− 2
+ =0
∂ x L ( ω) D ( ω)
(2.12)
La solution particulière est de la forme :
δ 2 ( x )=K . e−α ( λ )⋅( H −x)
(2.13)
En remplaçant (2.13) dans (2.12), l’expression de la constante K est déterminée :

α ( λ )⋅I 0 ( λ )⋅( 1−R ( λ ) )⋅L ( ω )2
K =−
D ( ω ) ( L ( ω )2⋅α ( λ )2 −1 )
(2.14)
 Solution générale de l’équation de continuité
L’expression de la densité des porteurs est donnée par :
δ ( x , ω , λ )= A⋅cosh
( )x
L(ω )
+B⋅sinh
x
( )
L ( ω)
+K⋅e−α⋅( H −x )
(2.15)
Les coefficients A et B sont déterminés à partir des conditions aux limites.
2.5. Conditions aux limites
 A la jonction (x = 0)

∂δ ( x , λ ,ω ) δ ( x , λ ,ω )
|x=0=Sf⋅ |
∂x D ( ω ) x=0
(2.16)
 A la face arrière (x = H)
∂δ ( x , λ ,ω ) δ ( x , λ ,ω )
|x=H =−Sb⋅ |x=H
∂x D ( ω)
(2.17)
- Sf est la vitesse de recombinaison à la jonction des porteurs minoritaires en excès dans la

base et indique aussi le point de fonctionnement de la photopile [7][8].
- Sb est la vitesse de recombinaison à la face arrière des porteurs minoritaires excédentaires
[9][8].
2.6. Densité des porteurs minoritaires

2.6.1. Influence de la fréquence sur la densité des porteurs en excès
2.6.1.1. Pour un coefficient d’absorption faible
La figure 2.2 représente l’influence de la fréquence de l’onde excitatrice sur la densité des
porteurs minoritaires en excès dans la base, en situation de court-circuit, pour un coefficient
d’absorption faible.

Figure 2.2: Module of excess minority carriers density versus base thickness for different
frequency (D0 = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)
Cette figure 2.2 montre que la densité des porteurs minoritaires de charge en excès dans la
base augmente jusqu’à atteindre un maximum au point d’abscisse x0 et diminue avec
l’épaisseur de la base de la photopile bifaciale éclairée par la face arrière.
Pour une position x > x0, la figure 2.2 montre un gradient négatif de la densité des porteurs
traduisant que les porteurs minoritaires de charge en excès sont bloqués dans la base.
Pour une position x < x0, la figure 2.14 montre un gradient positif de la densité des porteurs
traduisant une traversée de la jonction pour participer au photocourant.
Ce point d’abscisse x=x0, correspondant à un gradient nul de la densité des porteurs, définit la
barrière de stockage dans la base où les porteurs minoritaires de charge en excès dans la base
s’accumulent et ne peuvent pas participer à la production de photocourant de la photopile à
jonction verticale série.
L’augmentation de la fréquence de l’éclairement constitue un blocage pour les porteurs
minoritaires photogénérés dans la base car la photopile n’a pas le temps de se relaxer [2][10].
Peu de charges franchissent la jonction pour participer au photocourant.

2.6.1.2. Pour un coefficient d’absorption grand
La figure 2.3 représente l’influence de la fréquence de l’onde excitatrice sur la densité des
porteurs minoritaires en excès dans la base, en situation de court-circuit, pour un coefficient
d’absorption grand.
Figure 2.3: Module of excess minority carriers density versus base thickness
(D0 = 35 cm2/s; α = 21000 cm-1)
Cette figure 2.3 montre que la densité des porteurs minoritaires de charge en excès dans la
base augmente avec l’épaisseur de la base de la photopile bifaciale éclairée par la face arrière.
A la jonction, la figure 2.3 montre un gradient positif de la densité des porteurs traduisant que
les porteurs minoritaires de charge en excès traversent la jonction pour participer au
photocourant.
2.7. Densité de photocourant

2.7.1. Expression
Le photocourant est dû à la diffusion de porteurs minoritaires de charges à la jonction.

Connaissant l’expression de la densité de porteurs minoritaires, nous pouvons déterminer
l’expression de la densité du photocourant en utilisant la loi de Fick. Elle est donnée par la
relation 2.18 :

∂ δ ( x ,λ ,ω )
J ph ( Sf ,ω, λ )=qD ( ω ) |x =0
∂x
(2.18)
Où q est la charge électrique de l’électron.
2.7.2. Influence de la fréquence sur la densité de photocourant

La figure 2.4 représente l’influence de la fréquence de l’onde excitatrice sur la densité de

photocourant pour un coefficient d’absorption faible.
Figure 2.4: Module de la densité de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison

à la jonction pour différentes fréquences (D0 = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)
Cette figure 2.4 montre différentes parties du profil de la densité de photocourant :

- Pour les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction (Sf<102 cm.s-1), la
densité de photocourant est nulle correspondant au fonctionnement circuit ouvert de la
photopile.
- Pour les valeurs de la vitesse de recombinaison comprises entre 10 2 et 104, la densité
de photocourant augmente rapidement.

- Pour les grandes valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction (Sf > 105 cm.s-1),
la densité de photocourant présente un plateau correspondant au courant de court-
circuit.
Au voisinage du circuit ouvert, la fréquence n’influe pratiquement pas sur le photocourant.

Contrairement en situation de court-circuit, la densité du photocourant diminue. En effet,
l’augmentation de la fréquence de l’éclairement constitue un blocage pour les porteurs
minoritaires photogénérés dans la base car la photopile n’a pas le temps de se relaxer et il y a
peu de charge qui vont franchir la jonction pour participer au photocourant.
La figure 2.5 représente l’influence de la fréquence de l’onde excitatrice sur la densité de

photocourant pour un coefficient d’absorption grand.
Figure 2.5: Module of photocurrent density versus recombination velocity for different
frequency (D0 = 35cm2/s; α = 21000 cm-1)
La densité de photocourant est presque nulle pour les faibles valeurs de la vitesse de
recombinaison à la jonction traduisant le fonctionnement de la photopile en circuit ouvert. La
diffusion des porteurs minoritaires est ralentie par les recombinaisons interfaciales émetteur-
base et les électrons n’ont pas suffisamment d’énergie leur permettant de franchir la barrière
de potentiel de la photopile. Lorsque la vitesse de recombinaison à la jonction devient grande

la densité de photocourant augmente progressivement jusqu’à une valeur maximale

correspondant au photocourant de court-circuit. Or, avec ces grandes vitesses de
recombinaison à la jonction, tous les porteurs photogénérés ou renvoyés vers la jonction ont
de très grandes chances de la traverser pour participer au photocourant. Ceci va permettre une
récupération maximale de courant. On note également que lorsque la fréquence de l’onde
excitatrice augmente, le photocourant decourt-circuit diminue.
2.7.3. Influence de l’épaisseur de la base sur la densité de photocourant

La figure 2.6 représente l’influence de l’épaisseur de la base de la photopile éclairée par la

face arrière sur la densité de photocourant pour un coefficient d’absorption faible.

à la jonction pour différentes valeurs de l’épaisseur de la base
(D0 = 35cm2/s; ω=105rad/s; α = 6.2 cm-1)
Cette figure 2.6, représentant la densité de photocourant en fonction de la vitesse de

recombinaison à la jonction, présente trois parties dont deux paliers : l’un des paliers
correspond aux faibles valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction où la densité de
photocourant est presque nulle et la deuxième partie où la densité de photocourant augmente
jusqu’à une valeur constante qui correspond au second palier avec les grandes valeurs de la

vitesse de recombinaison à la jonction. Cette valeur constante de la densité de photocourant

correspond à la valeur du photocourant de court-circuit.
Le photocourant de court-court augmente avec l’augmentation de l’épaisseur de la base.
La figure 2.7 représente l’influence de l’épaisseur de la base de la photopile éclairée par la

face arrière sur la densité de photocourant pour un coefficient d’absorption grand.

à la jonction pour différentes valeurs de l’épaisseur de la base
(D = 35cm2/s; ω=105rad/s; α = 21000 cm-1)
Cette figure 3.4, représentant la densité de photocourant en fonction de la vitesse de

recombinaison à la jonction, présente trois parties dont deux paliers :
- l’un des paliers correspond aux faibles valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction
où la densité de photocourant est presque nulle ;
- la deuxième partie où la densité de photocourant augmente jusqu’à une valeur constante qui
correspond au second palier avec les grandes valeurs de la vitesse de recombinaison à la
jonction. Cette valeur constante de la densité de photocourant correspond à la valeur du
photocourant de court-circuit.

Le photocourant de court-court croît avec l’augmentation de l’épaisseur de la base.
2.8. Détermination de l’épaisseur optimum de la base sous l’influence de la

fréquence par la technique de l’intersection des courbes des vitesses de
recombinaison à la face arrière
Cette technique de détermination de l’épaisseur de la base par la technique de l’intersection

des courbes de vitesses de recombinaison à la face arrière permet d’optimiser l’épaisseur de la
base de la photopile. La détermination de l’épaisseur optimum permet de réduire la quantité
de matériau utilisé sans altérer l’efficacité de la photopile.
Aux grandes vitesses de recombinaison des porteurs de charges à la jonction (Sf), la densité
de photocourant est constante et correspond au photocourant de court-circuit (Jphcc). Ceci
permet d’obtenir l’équation ci-dessous [8]:
∂J ph ( Sf ,ω, λ )
|Sf ≥105 cm .s−1 =0
∂ Sf
(2.19)
La résolution de l’équation permet d’obtenir deux expressions de la vitesse de recombinaison

à la face arrière [11][12] données par les équations (2.20) et (2.21).
Sb 1 ( H , ω )=−
D ( ω)
L(ω )
. tanh
H
( )
L( ω )
(2.20)
[ ( ( LH( ω) )+ sh( LH( ω) )) e

]
−α ( λ )⋅H
L ( ω )⋅α ( λ )− L ( ω )⋅α ( λ )⋅ch
D(ω )
Sb 2 ( H , λ , ω )= ⋅
(ch ( LH( ω ) )+ L ( ω )⋅α ( λ )⋅sh ( LH( ω ) ))e −1

L ( ω) −α ( λ )⋅H
(2.21)
2.8.1. Pour un coefficient d’absorption faible base
La figure 2.8 matérialise la technique de détermination de l’épaisseur optimum de la base en

fonction de la fréquence à travers les expressions de la vitesse de recombinaison à la face
arrière pour un coefficient d’absorption faible.

Figure 2.8: Sb1 et Sb2 en fonction de l’épaisseur de la base pour différentes fréquences
(D0 = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)
Le tableau 2.1 représente l’évolution de l’épaisseur optimum de la base de la photopile

éclairée par la face arrière en fonction de la fréquence pour un coefficient d’absorption faible.
Tableau 2.1: Détermination de l’épaisseur optimum de la base en fonction de la fréquence pour un

coefficient d’absorption faible
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
D(cm/s )
2
35 34.9983 34.8263 34.3203 33.5239 32.4967 31.3050 30.0123 28.6731 273305 26.0131 24.7487
Hop (cm) 0.0117 0.0117 0.0116 0.0114 0.0111 0.0106 0.0102 0.0096 0.0091 0.0086 0.0081 0.0077

Ce tableau 2.1 nous a permis de tracer la figure 2.9 donnant le profil de l’épaisseur optimum
en fonction de la fréquence pour un coefficient d’absorption faible.
Figure 2.9: Epaisseur optimale en fonction de la fréquence

Nous remarquons, à lla figure 2.9, une valeur importante de l’épaisseur optimum pour les
faibles valeurs de la fréquence. Contrairement pour les grandes valeurs de la fréquence,
l’épaisseur optimum est faible car le temps de relaxation est faible [1][13][14].
Cette figure 2.9 nous a permis d’établir une équation de corrélation entre l’épaisseur optimum
et la fréquence donnée par:
−13 2 −8
Hop=−2⋅10 ×ω −2.3⋅10 ×ω+0 .012
(2.22)
Ce tableau 2.2 nous a permis, aussi, de tracer la figure 2.10 représentant le profil de
l’épaisseur optimum en fonction du coefficient de diffusion pour un coefficient d’absorption
faible.

Figure 2.10: Epaisseur optimale en fonction du coefficient de diffusion
Cette figure 2.10 permet d’établir une équation de corrélation entre l’épaisseur optimum et le
coefficient de diffusion donnée par:
−4 −3
Hop=4⋅10 ×D−2.2⋅10
2.8.2. Pour un coefficient d’absorption grand
La figure 2.10 matérialise la technique de détermination de l’épaisseur optimum de la base en

fonction de la fréquence à travers les expressions de la vitesse de recombinaison à la face
arrière pour un coefficient d’absorption grand.

Figure 2.11: Sb1 et Sb2 en fonction del’épaisseur de la base pour différentes fréquence pour
un grand coefficient d’absorption (D0 = 35cm2/s; α = 21000 cm-1)
Le tableau 2.2 représente l’évolution de l’épaisseur optimale de la base de la photopile

éclairée par la face arrière en fonction de la fréquence pour un coefficient d’absorption grand.
Tableau 2.2: Eépaisseur optimum de la base en fonction de la fréquence pour un coefficient

d’absorption grand
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
D(cm/s2) 35 34.9983 34.8263 34.3203 33.5239 32.4967 31.3050 30.0123 28.6731 273305 26.0131 24.7487
Hop (cm) 0.0086 0.0086 0.0084 0.0079 0.0073 0.0065 0.0056 0.0048 0.004 0.0033 0.0026 0.002
Ce tableau 2.2 nous a permis de tracer la figure 2.11 représentant le profil de l’épaisseur
optimum en fonction de la fréquence pour un grand coefficient d’absorption.

Figure 2.12: Epaisseur optimale en fonction de la fréquence
La figure 2.12 montre que l’épaisseur optimum de la photopile diminue en fonction de

l’intensité de la fréquence.
Cette figure 2.12 nous a permis d’établir une équation de corrélation entre l’épaisseur
optimum et la fréquence donnée par :
Hop ( cm )=−6. 9⋅10−8 ×ω ( rad⋅s−1 ) +0 .0089 (2.23)

Ce tableau 2.2 nous a permis, aussi, de tracer la figure 2.13 représentant le profil de
l’épaisseur optimale en fonction du coefficient de diffusion pour un grand coefficient
d’absorption.
Figure 2.13: Epaisseur optimum en fonction du coefficient de diffusion
Cette figure 2.13 permet d’établir une équation de corrélation entre l’épaisseur optimum et le
coefficient de diffusion donnée par:
Hop ( cm )=6 .5⋅10−4 ×D ( cm/ s2 )−1 . 4⋅10−2
2.9. Conclusion
Dans ce chapitre 2, nous avons fait d’abord une résolution de l’équation de continuité des
porteurs minoritaires de charge dans la base de la photopile bifaciale au silicium sous
éclairement monochromatique par la face arrière en régime dynamique fréquentiel.
La résolution de l’équation de continuité nous a permis de déterminer les expressions de la
densité des porteurs minoritaires en excès dans la base et du photocourant. Ensuite, nous
avons analysé l’influence de la fréquence,et de l’épaisseur de la base sur ces différents
paramètres.
Ces études nous ont permis de tirer les résultats suivants :

- Diminution du module de la densité des porteurs de charges minoritaires dans la base

lorsqu’augmente la fréquence de l’onde excitatrice.
- Diminution de la densité de photocourant du courant de court-circuit lorsqu’augmente
la fréquence de l’onde excitatrice.
- Diminution de l’épaisseur optimum lorsque la fréquence augmente.

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Chapitre 3 : Détermination des caractéristiques I-V, P-V, FF et ɳ sous l’influence de
l’épaisseur optimum
Chapitre 3 : Détermination des caractéristiques I-V,

P-V, FF et η sous l’influence de l’épaisseur optimum
3.1. Introduction
Dans ce chapitre 3, l’accent est mis en premier lieu sur la caractéristique photocourant -
phototension. Ensuite, la puissance et le facteur de forme sont déterminés ; puis étudiés pour
différentes valeurs de la fréquence. Nous terminerons par faire l’étude du rendement de la
photopile.
3.2. Phototension
3.2.1. Expression de la phototension
L’expression de la tension est obtenue par la relation de Boltzmann donnée par l’équation
(3.1) :
Vph(Sf , ω, λ )=V T . ln
( Nb
n2i
. δ( x=0 ,ω , λ )+1
)
(3.1)
VT est la tension thermique, cette tension est définie par :
Kb
V T= T
q (3.2)
ni est la concentration intrinsèque
: Taux de dopage en atomes accepteurs dans la base

Kb: la constante de Boltzmann
T : la température absolue
q : charge élémentaire de l’électron

3.2.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base sur la

phototension pour un coefficient d’absorption respectivement faible et
grand
Le profil de la phototension sous l’influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la

base sur la phototension pour un coefficient d’absorption faible, est représenté à la figure 3.1.

jonction (D0 = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)
Cette figure 3.1 nous montre que pour les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison à la
jonction, la phototension est constante et maximale ; la photopile est en situation de circuit-
ouvert : les porteurs minoritaires de charge sont bloqués au voisinage de la jonction. Cela
entraîne, de ce fait, une phototension importante.
Par contre, lorsque la vitesse de recombinaison à la jonction augmente, la phototension
diminue et devient presque nulle en situation de court-circuit. En effet, en situation de court-
circuit, les porteurs minoritaires de charge en excès traversent la jonction pour participer au
photocourant. Ce qui entraîne une diminution de la phototension.

En utilisant les différentes valeurs de la fréquence de l’éclairement et de l’épaisseur optimum
correspondante, nous avons déterminé les valeurs de la phototension de circuit ouvert au
tableau 3.1 de la photopile éclairée par la face arrière pour un coefficient d’absorption faible.
Tableau 3.1: Vco en fonction de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base pour un coefficient
d’absorption faible
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0117 0.0117 0.0116 0.0114 0.0111 0.0106 0.0102 0.0096 0.0091 0.0086 0.0081 0.0077
Vco 0.507 0.507 0.5068 0.5063 0.5056 0.5045 0.5033 0.5019 0.5004 0.4988 0.4972 0.4956
Ce tableau 3.1 nous a permis de tracer la figure 3.2 représentant le profil de la phototension de
circuit-ouvert en fonction de l’épaisseur optimum de la base pour un coefficient d’absorption
faible.
Figure 3.2: Profil de la phototension de circuit ouvert en fonction de l’épaisseur optimum
Equation de corrélation mathématique :

Vco ( V )=2 .8×Hop ( cm) +0. 47 (3.3)

Lafigure 3.3 représente l’influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base sur la

phototension pour un coefficient d’absorption grand.

jonction (D0 = 35cm2/s; α = 21000 cm-1)
La phototension est maximale, pour les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison à la

jonction, et correspond à la phototension de circuit ouvert. Cependant, lorsque la vitesse de
recombinaison à la jonction croît, la phototension diminue progressivement pour tendre vers
une valeur nulle. La phototension diminue avec la profondeur de la base de la photopile.
Le tableau 3.2 représente l’évolution de la phototension de circuit-ouvert (Vco) en fonction de
la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base de la photopile éclairée par la face arrière
pour un coefficient d’absorption grand.
Tableau 3.2: Vco en fonction de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base pour un coefficient
d’absorption grand
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0086 0.0086 0.0084 0.0079 0.0073 0.0065 0.0056 0.0048 0.004 0.0033 0.0026 0.002
Vco 0.5685 0.5685 0.5686 0.5688 0.5691 0.5697 0.57 0.5708 0.5712 0.5717 0.5722 0.5724

Ce tableau 3.2 nous a permis de tracer la figure 3.4 représentant le profil de la phototension de
circuit-ouvert en fonction de l’épaisseur optimum de la base pour un coefficient d’absorption
grand.
Figure 3.4: Profil de la phototension de circuit ouvert en fonction de l’épaisseur optimum
Cette figure 3.4 nous a permis d’établir une corrélation mathématique entre la phototension en
circuit ouvert et la profondeur de la base de la photopile.
Vco ( V )=−0 . 62×Hop ( cm )+0. 57
(3.4)
3.3. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base sur la

caractéristique I-V
Précédemment, la densité de photocourant et la phototension sont déterminées. L’influence de

certains paramètres sur ces dernières a été étudiée. A partir de ces résultats obtenus, la
caractéristique courant-tension est étudiée.

3.3.1. Pour un coefficient d’absorption faible
La figure 3.5 représente l’influence de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base sur la

caractéristique I-V pour un coefficient d’absorption faible.
Figure 3.5 : Caractéristique I-V (D0 = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)
La figure 3.5 représente la variation de la densité de photocourant en fonction de la

phototension pour différentes valeurs de la fréquence et de l’épaisseur optimum de la base
correspondante. La densité de photocourant est maximale et constante aux faibles valeurs de
la phototension et correspond à la densité de photocourant de court-circuit. Puis, elle diminue
rapidement avant de s’annuler lorsque la phototension est maximale correspondant à la
phototension de circuit ouvert.
En outre, lorsque la fréquence augmente, la densité de photocourant de court-circuit diminue
et la phototension de circuit ouvert diminue légèrement.
Cette figure 3.5 permet de dresser le tableau 3.3 de valeurs du courant de court-circuit et de la
phototension de circuit ouvert en fonction de la fréquence et de l’épaisseur optimum.
Tableau 3. 3: Valeurs Jphcc et Vco en fonction de la fréquence et de Hop

ω(rad.s )
-1
102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop(cm) 0.0117 0.0117 0.0116 0.0114 0.0111 0.0106 0.0102 0.0096 0.0091 0.0086 0.0081 0.0077
Vco(V) 0.507 0.507 0.5068 0.5063 0.5056 0.5045 0.5033 0.5019 0.5004 0.4988 0.4972 0.4956

Jphcc(mA/cm2) 1.974 1.974 1.964 1.943 1.911 1.857 1.814 1.746 1.689 1.631 1.572 1.524
Ces valeurs obtenues confirment les résultats obtenus précédemment

Ce tableau 3.3 nous a permis de représenter la variation du photocourant de court-circuit en
fonction de l’épaisseur optimum de la base, à la figure 3.6.
Figure 3.6: Profil du photocourant de court-circuit en fonction de l’épaisseur optimum
Cette figure 3.6 nous a permis d’établir une corrélation mathématique entre le photocourant
de court- circuit et l’épaisseur optimum de la base de la photopile.
Jphcc ( A . cm−2 )=0 . 11×Hop ( cm )+6 .7⋅10−4 (3.5)
3.3.2. Pour un coefficient d’absorption grand
La figure 3.7 représente l’influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale de la base sur la

caractéristique I-V pour un coefficient d’absorption grand.

Figure 3.7: Caractéristique I-V (D = 35cm2/s; α = 21000 cm-1)
Cette figure 3.7 comparative des caractéristiques I-V obtenues permet d’affirmer que pour une
fréquence et un coefficient d’absorption grand d’une photopile éclairée par la face arrière en
régime dynamique fréquentiel sous éclairement monochromatique, montre une valeur
importante du courant et augmente lorsque la fréquence augmente, tandis que la tension est
faible mais augmente faiblement au cours du temps.
D’une autre part on note aussi une diminution légère de l’épaisseur optimale entraine aussi
une faible augmentation de la tension et une augmentation du courant.
Donc on peut tirer comme conclusion l’augmentation de la fréquence et la diminution de
l’épaisseur optimale de la base augmente le courant et la tension lorsque le coefficient de
d’absorption est grand.
Cette figure 3.43 nous a permis de dresser le tableau de valeurs du photocourant de court-
circuit et de la phototension de circuit ouvert en fonction de la profondeur de la base de la
photopile.
Tableau 3. 1: Valeurs du courant de court-circuit et de la phototension de circuit ouvert en fonction

de la profondeur de la base de la photopile
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0086 0.0086 0.0084 0.0079 0.0073 0.0065 0.0056 0.0048 0.004 0.0033 0.0026 0.002
Vco 0.5685 0.5685 0.5686 0.5688 0.5691 0.5697 0.57 0.5708 0.5712 0.5717 0.5722 0.5724

Jphcc(mA/cm2) 21.27 21.27 21.41 21.73 22.23 23.06 23.81 24.94 26 27.14 28.36 29.48
Ces valeurs obtenues confirment les résultats obtenus précédemment : l’augmentation de la

profondeur de la base entraîne une diminution du photocourant de court-circuit (Jphcc) et de
la phototension de circuit ouvert (Vco) de la photopile à jonction verticale série.
Ce tableau 3.12 nous a permis de tracer la figure 3.44.
Cette figure 3.44 nous a permis d’établir une corrélation mathématique entre la phototension
en circuit ouvert et la profondeur de la base de la photopile.
Jphcc ( A/cm 2 ) =2 .7⋅10 3 ×Hop 3 +62×Hop 2−2. 2×Hop ( cm )+3. 4⋅10−2 [7] (3.6)
3.4. Etude de la puissance
La puissance est un paramètre électrique indispensable pour caractériser une photopile. Elle
indique la capacité de la photopile à fournir de l’électricité à la charge extérieure branchée à
ses bornes. Plus elle est grande, plus la photopile est de meilleure qualité.

3.4.1 Expression de la puissance
A partir des expressions de la densité de photocourant et de la phototension, est déduite

l’expression de la puissance électrique de la photopile pour un éclairement monochromatique.
Une cellule photovoltaïque peut être représentée par son modèle électrique à la figure 3.9[8]:
Figure 3.9: Modèle électrique équivalent de la photopile sous éclairement
La loi d’ohm, appliquée à la figure 3.9, permet d’avoir l’expression de la puissance électrique
de la photopile donnée par:
P ( Sf ,B , λ )=V ph ( Sf ,B , λ ) .I
(3.7)
En appliquant la première loi de Kirchhoff au circuit de la figure, le courant I fourni à la

charge est donné par la relation suivante [20]:
I=J ph ( Sf , ω, λ ) −I d ( Sf , ω, λ )−I sh ( Sf , ω, λ )
(3.8)
I sh ( Sf , B , λ ) est le courant shunt et dans le cas d’un générateur idéal de courant Rsh tend vers
l’infini et
I sh ( Sf , B , λ ) =0.
( )
2
ni Vph ( Sf ,ω ,λ )
Id ( Sf ,ω, λ )=q×Sf 0 × ×exp
Nb VT
(3.9)

Sf 0 définit la vitesse de recombinaison associée aux pertes de porteurs de charges induites par
la résistance shunt ; elle caractérise la bonne qualité de la photopile.[10]
3.4.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale de la base sur la

phototension pour un coefficient d’absorption respectivement faible et
grand
La figure 3.10 représente l’influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale de la base sur

la phototension pour un coefficient d’absorption faible.
Le profil de la puissance électrique délivrée par la photopile en fonction de la vitesse de
recombinaison à la jonction est représenté à la figure suivente pour différentes valeurs de la
fréquence cyclotronique, du champ magnétique et de la température.

jonction (D = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)
La figure 3.47 montre que la puissance augmente avec la vitesse de recombinaison à la

jonction jusqu’à une valeur maximale appelée point de puissance maximale (MPP). Puis, elle
décroît progressivement jusqu’à s’annuler. En effet, pour les faibles valeurs de la vitesse de

recombinaison à la jonction (circuit ouvert), la puissance délivrée est nulle car le courant
photogénéré est presque nul. Et lorsque la vitesse de recombinaison à la jonction augmente, le
courant augmente lentement engendrant une augmentation de la puissance jusqu’à sa valeur
maximale. Cependant, avec les grandes valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction
(fonctionnement de la photopile en court-circuit), la phototension tend à s’annuler. Cela
provoque une diminution de la puissance.
Nous observons également que la puissance maximale décroît avec l’intensité du champ
magnétique augmente et rapproche le point de fonctionnement de la photopile vers celui du
circuit ouvert.
La figure 3.55 présente l'évolution de la puissance en fonction de la phototension pour

différentes valeurs du champ magnétique.
Figure 3.11: Module de la puissance en fonction du module de la phototension

(D = 35cm2/s; α = 6.2 cm-1)
Cette figure 3.55 montre que la puissance augmente linéairement avec la phototension jusqu’à
atteindre sa valeur maximale, puis décroît. La linéarité de la variation de la puissance de la
photopile en fonction de la phototension jusqu’à sa valeur maximale peut être expliquée par le
fait qu’au voisinage du fonctionnement de la photopile en situation de court-circuit, le
photocourant est pratiquement constant ; cependant, dès qu’on n’est pas dans cette situation

de fonctionnement de la photopile (vers le circuit ouvert) la puissance diminue jusqu’à
s’annuler lorsque la phototension tend vers sa valeur du circuit ouvert. La puissance maximale
décroît avec l’intensité du champ magnétique. En effet, le champ magnétique favorise la
recombinaison des porteurs dans la base en réduisant leur mobilité et le coefficient de
diffusion.
L’application du champ magnétique entraîne un déplacement du point de fonctionnement de
la photopile vers celui du court-circuit et une entraîne une diminution de la puissance.
Les valeurs de la puissances maximale sont données aux tableaux 3.17.
Tableau 3. 2: Valeurs de Pmax et de la phototension maximale en fonction du champ magnétique
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0117 0.0117 0.0116 0.0114 0.0111 0.0106 0.0102 0.0096 0.0091 0.0086 0.0081 0.0077
Pmax(mW) 0.8055 0.8055 0.801 0.7917 0.7775 0.7539 0.7344 0.7053 0.6803 0.6548 0.6290 0.6079
Figure 3.12: Profil de la puissance maximale en fonction de l’épaisseur optimale
La puissance maximale diminue quand l’intensité du champ magnétique augmente. Une

diminution du rendement de conversion de la photopile avec la présence du champ
magnétique est attendue.
P max ( W .cm−2 )=4 . 9⋅10−2×Hop ( cm) +2 . 4⋅10−4 [11] (3.10)
3.4.2.2.Pour un coefficient d’absorption grand
La figure 3.10 représente l’influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale de la base sur

la phototension pour un coefficient d’absorption grand.

jonction (D = 35cm2/s; α = 21000 cm-1)
Figure 3.14: Module de la puissance en fonction du module de la phototension

(D = 35cm2/s; α = 21000 cm-1)
La figure 3.56 montre que la puissance électrique augmente avec la phototension jusqu’à
Vphmax qui correspond à la phototension donnant la puissance maximale; pour décroître
jusqu’à s’annuler, ensuite. Les valeurs de la puissance maximale et de la phototension
correspondantes sont données au tableau 3.19.
Tableau 3. 3: Valeurs de Pmax et de la phototension maximale en fonction de la profondeur
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0086 0.0086 0.0084 0.0079 0.0073 0.0065 0.0056 0.0048 0.004 0.0033 0.0026 0.002
Pmax(mW) 9.919 9.919 9.991 10.14 10.38 10.79 11.15 11.7 12.22 12.77 13.36 13.9
Sur ce graphe on constate que la puissance maximale diminue lorsque la fréquence augmente
et l’épaisseur optimale de la base diminue quand le coefficient d’absorption est faible.
Donc on peut dire que la puissance est faible et diminue quand le coefficient d’absorption est
faible.
Figure 3.15: Profil de la puissance maximale en fonction de l’épaisseur optimale
Equation de corrélation mathématique :[14]
P max ( W .cm−2 )=51×Hop 2 −1. 1⋅10−2 ×Hop ( cm )+1 . 6⋅10−2

(3.11)
3.5. Facteur de forme
3.5.1. Expression
Le facteur de forme permet de relier la caractéristique I-V de la photopile réelle à celle d’une
photopile idéale qui serait un rectangle de surface Icc.Vco. Il représente l’incurvation de la
courbe courant-tension. Il représente aussi la fraction de la puissance perdue dans le matériau
semi-conducteur soit par effet de résistance soit par phénomènes de recombinaison des
porteurs de charge photo générés. Pour un facteur de forme tendant vers l'unité, la
caractéristique I-V tend à adopter une forme rectangulaire. Son expression est obtenue en
faisant le rapport entre la puissance maximale et le produit du courant de court-circuit par la
phototension de circuit ouvert :
P max
FF=
Vco×Jphcc
(3.12)
3.5.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale de la base sur le

facteur de forme
Avec la caractéristique I-V, les valeurs de la phototension de circuit ouvert (Vco) et de la

densité de photocourant de court-circuit Jphcc sont déterminées. Et cela permet de donner la
valeur du facteur de forme en fonction de l’intensité du champ magnétique au tableau 3.21.
Tableau 3. 4: Valeurs du facteur de forme en fonction du champ magnétique et de Hop
ω(rad.s )
-1
102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop(cm) 0.0117 0.0117 0.0116 0.0114 0.0111 0.0106 0.0102 0.0096 0.0091 0.0086 0.0081 0.0077
Pmax(mW) 0.8055 0.8055 0.801 0.7917 0.7775 0.7539 0.7344 0.7053 0.6803 0.6548 0.6290 0.6079
Vco(V) 0.507 0.507 0.5068 0.5063 0.5056 0.5045 0.5033 0.5019 0.5004 0.4988 0.4972 0.4956
Jphcc(mA.cm ) 2
1.974 1.974 1.964 1.943 1.911 1.857 1.814 1.746 1.689 1.631 1.572 1.524
FF 0.805 0.805 0.805 0.805 0.805 0.805 0.805 0.805 0.805 0.805 0.805 0.805
Ce tableau 3.21 montre que l’augmentation de l’intensité du champ magnétique augmente

entraîne l’accroissement du facteur de forme et nous a permis de tracer la figure 3.59.
Avec la caractéristique I-V, les valeurs de la phototension de circuit ouvert (Vco) et de la

densité de photocourant de court-circuit Jphcc sont déterminées. Et cela permet de donner la
valeur du facteur de forme en fonction de l’intensité du champ magnétique au tableau 3.21.
Tableau 3. 5: Valeurs du facteur de forme en fonction du champ magnétique et de Hop
ω(rad.s )
-1
102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0086 0.0086 0.0084 0.0079 0.0073 0.0065 0.0056 0.0048 0.004 0.0033 0.0026 0.002
Pmax(mW) 9.919 9.919 9.991 10.14 10.38 10.79 11.15 11.7 12.22 12.77 13.36 13.9
Vco 0.5685 0.5685 0.5686 0.5688 0.5691 0.5697 0.57 0.5708 0.5712 0.5717 0.5722 0.5724
Jphcc(mA/cm2) 21.27 21.27 21.41 21.73 22.23 23.06 23.81 24.94 26 27.14 28.36 29.48
FF 0.8203 0.8203 0.8207 0.8204 0.8205 0.8213 0.8216 0.8218 0.8228 0.8230 0.8232 0.8237
Ce tableau 3.21 montre que l’augmentation de l’intensité du champ magnétique augmente

entraîne l’accroissement du facteur de forme et nous a permis de tracer la figure 3.59.
3.6. Rendement de conversion photovoltaïque
3.6.1. Expression
Le rendement de conversion d’une cellule photovoltaïque est le rapport entre la puissance

maximale fournie par la photopile et la puissance lumineuse incidente absorbée, il s’écrit
comme suit :
P max
η=
Pincidente
(3.13)
Pincidente: est la puissance de la lumière incidente absorbée par le générateur photovoltaïque

avec Pincidente = 100 mW.cm-2, dans les conditions standards AM 1.5.
3.6.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale sur le rendement
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop(cm) 0.0117 0.0117 0.0116 0.0114 0.0111 0.0106 0.0102 0.0096 0.0091 0.0086 0.0081 0.0077
Pmax(mW) 0.8055 0.8055 0.801 0.7917 0.7775 0.7539 0.7344 0.7053 0.6803 0.6548 0.6290 0.6079
Pinc(mW) 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100
ɳ(%) 0.8055 0.8055 0.801 0.7917 0.7775 0.7539 0.7344 0.7053 0.6803 0.6548 0.6290 0.6079
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0086 0.0086 0.0084 0.0079 0.0073 0.0065 0.0056 0.0048 0.004 0.0033 0.0026 0.002
Pmax(mW) 9.919 9.919 9.991 10.14 10.38 10.79 11.15 11.7 12.22 12.77 13.36 13.9
Pinc(mW) 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100
ɳ(%) 9.919 9.919 9.991 10.14 10.38 10.79 11.15 11.7 12.22 12.77 13.36 13.9
3.7. Conclusion
Dans ce chapitre, une étude des paramètres électriques phénoménologiques de la photopile à

jonction verticale série sous éclairement monochromatique et sous champ magnétique a été
présentée. Il en ressort une diminution de la densité de photocourant de court-circuit avec le
champ magnétique. Cependant, la présence du champ magnétique augmente la phototension
de circuit ouvert. De plus, la présence du champ magnétique engendre une diminue de la
puissance électrique délivrée et du rendement de conversion de la photopile à jonction
verticale série. Par contre, le facteur de forme augmente avec le champ magnétique. L’étude a
montré que l’épaisseur de la base, la profondeur de la base et la longueur d’onde excitatrice
influent sur les paramètres phénoménologiques.
Chapitre 4 : Détermination de paramètres électriques macroscopiques
Chapitre 4 : Détermination de paramètres

électriques macroscopiques
4.1. Introduction
Les paramètres électriques macroscopiques comme les paramètres phénoménologiques sont

des éléments importants dans le fonctionnement d’une cellule solaire photovoltaïque.
Dans ce chapitre 4, sont déterminés les résistances série et shunt de la photopile à jonction
verticale série sous champ magnétique. Leur profil en fonction de la vitesse de recombinaison
à la jonction pour différentes valeurs de l’épaisseur optimum, de la profondeur de la base de la
photopile et de la longueur d’onde optique excitatrice est étudié. Enfin, est étudiée la capacité
de la zone de charge d’espace de la photopile en fonction de ces derniers.
4.2. Résistance série
C’est un paramètre électrique macroscopique important dans la caractérisation de la

photopile. La résistance série d'une photopile dépend des effets conjugués de la résistivité du
matériau semiconducteur, des contacts métalliques constituants les électrodes et la grille de
collecte des porteurs minoritaires de charge en excès dans la base. Elle est souvent très faible
pour les photopiles de bonne qualité.
La résistance série(Rs)joue un rôle déterminant sur la qualité de la photopile.Elle modélise les
pertes résistives au sein de la photopile (les métallisations) et est liée à l’impédance des
électrodes et du matériau. C’est un paramètre fondamental dépendant de la nature du substrat,
de la température et de la technologie utilisée. Plus cette résistance série est petite, plus la
photopile est performante.[1] .[2] .[10]
4.2.1. Expression
Sur la caractéristique I-V de la photopile, deux situations de fonctionnement caractéristiques

sont distinguées. Il s’agit du fonctionnement en mode circuit ouvert où la phototension est
maximale(le photocourant presque nulle) et en mode court-circuit où le photocourant est
maximal (la phototension presque nulle). En situation de circuit-ouvert, la caractéristique est
une droite oblique permettant la modélisation de la photopile comme une source detension
idéale. La situation de fonctionnement de la photopile en circuit ouvert est montrée à la figure
4.1.
Figure 4. 1: Détermination de la résistance série à partir de la caractéristique I-V au

voisinage du circuit ouvert
La zone encerclée correspond à la partie de la caractéristique I-V qui est presque verticale et
peu dépendante de la densité de photocourant. La photopile se présente comme une source de
tension débitant une tension électrique constante quelle que soit la valeur du courant. Cette
tension débitée correspond à la phototension de circuit ouvert de la photopile. Puisqu’une
photopile réelle n’est pas idéale, elle présentera donc des fuites de tension. Ces fuites de
tension, faibles pour les photopiles de bonne qualité, se caractérisent par la présence, dans le
circuit équivalent électrique, d’une résistance montée en série,appelée résistance série, avec la
source de tension de force électromotrice égale à la phototension de circuit ouvert de la
photopile. Ainsi, selon le théorème de Thévénin, la cellule photovoltaïque peut être modélisée
comme l’indique la figure 4.2 :
Figure 4. 2: Schéma électrique équivalent de la photopile comme un réel générateur de
tension
En appliquant la loi des mailles au circuit de la figure 4.2, on trouve l’expression de la
résistance série de la photopile:
Vco ( ω, λ )−Vph (Sf ,ω, λ )

Rs(Sf , λ,ω)=
Jph(Sf ,ω, λ)
(4.1)
Ainsi, la résistance série dépend de Vco, Vph et Jph lorsque la photopile est en mode circuit
ouvert.
4.2.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale
La figure 4.4 représente la variation de la résistance série en fonction de la vitesse de

recombinaison à la jonction pour différentes valeurs de l’intensité de champ magnétique.

jonction (D = 35cm2 /s; α = 6.2 cm-1)
La figure 4.4 montre que la résistance série dépend de la vitesse de recombinaison à la
jonction et augmente avec cette dernière. L’augmentation de la vitesse de recombinaison à la
jonction correspond à une augmentation du nombre d’électrons traversant la jonction
conduisant à l’échauffement du métal conducteur de la photopile.
Une augmentation de la résistance série avec l’intensité du champ magnétique est constatée.
Cette figure 4.4 permet de dresser le tableau 4.1 ci-dessous.
Tableau 4.1: Valeurs de la résistance série en fonction du champ B et Hop
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0117 0.0117 0.0116 0.0114 0.0111 0.0106 0.0102 0.0096 0.0091 0.0086 0.0081 0.0077
Rs(Ω/cm ) 2
13.11 13.11 13.18 13.32 13.54 13.94 14.27 14.82 15.32 15.87 16.47 16.98
Ce tableau 4.1 nous a permis de tracer les figures 4.5.
Rs ( Ω. cm −2 ) =7 . 9⋅10 4 ×Hop 2 −2 .5⋅103 ×Hop ( cm ) +32 (4.2)

jonction (D = 35cm2 /s; α = 21000 cm-1)
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0086 0.0086 0.0084 0.0079 0.0073 0.0065 0.0056 0.0048 0.004 0.0033 0.0026 0.002
Rs(Ω/cm ) 2
1.217 1.217 1.209 1.191 1.165 1.123 1.087 1.038 0.9953 0.9535 0.9125 0.8779
Figure 4.6: Profil de la résistance série en fonction de l’épaisseur optimale
Rs ( Ω/cm2 ) =52×Hop ( cm ) +0 . 79
(4.3)
4.3. Résistance shunt
C’est un paramètre électrique macroscopique important dans la caractérisation de la photopile

à jonction verticale série, sous champ magnétique. Elle est due au courant de fuite au niveau
de la jonction émetteur-base de la photopile. La résistance shunt représente l’ensemble des
courants de fuites au sein de la photopile. Elle modélise les imperfections dans la zone de
charge d’espace et au bord de la photopile. La résistance shunt est très élevée au sein des
photopiles de bonne qualité [3]. [4]. [5].
4.3.1. Expression
Pour déterminer la résistance shunt de la photopile à jonction verticale série, les faibles
valeurs de la phototension de la caractéristique I-V sont considérées. Cette partie de la courbe
correspond à la situation de court-circuit. Les caractéristiques que la photopile présente dans
ces circonstances correspondent à celles d’une source de courant débitant un courant
électrique constant quelle que soit la valeur de la tension. Ce courant débité correspond à la
densité de photocourant de court-circuit de notre photopile à jonction verticale série. Et
comme une photopile n’est pas idéale, elle présentera donc des fuites de courant. Ces courants
de fuite, généralement faibles pour les photopiles de bonne qualité, se caractérisent par la
présence d’une charge interne dans la photopile qu’on appelle résistance de fuite ou
résistance shunt [6] [7]..
Figure 4. 7: Détermination de la résistance shunt à partir de la caractéristique I-V
La figure 4.11représente le schéma électrique équivalent de la photopile en mode court-

circuit :
Figure 4. 8: Circuit électrique équivalent de la photopile fonctionnant en court-circuit
En appliquant la loi des nœuds au circuit électrique équivalent de la photopile fonctionnant en
court-circuit, nous obtenons l’expression de la résistance shunt par l’équation :
Vph(Sf ,ω, λ)
Rsh( Sf ,ω,λ)=
Jphcc ( ω,λ ) −Jph(Sf ,ω, λ)
(4.4)
La résistance shunt RSh dépend de la phototension (Vph), du photocourant (Jph) et du courant

de court-circuit pour Sf>105 cm/s correspondant au mode de fonctionnementcourt-circuit.
4.3.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale
La figure 4.13 présente les effets du champ magnétique sur la variation de la résistance shunt
de la photopile à jonction verticale série en fonction de la vitesse de recombinaison à la
jonction.

jonction (D = 35cm2 /s; α = 6.2 cm-1)
Une augmentation de la résistance shunt avec l’intensité du champ magnétique est constatée,
à la figure 4.13. En effet, lorsque le champ magnétique augmente, la mobilité des porteurs
minoritaires de charge diminue. Ce phénomène réduit la production de photocourant. De ce
fait, une réduction des courants de fuites est constatée. Par conséquent, la résistance shunt
augmente.
Une augmentation de la résistance shunt avec la vitesse de recombinaison à la jonction est,
aussi, constatée sur cette figure 4.13. En effet, la vitesse de recombinaison à la jonction
caractérise le flux de porteurs minoritaires de charge à travers la jonction et le courant
disponible pour la charge externe. L’augmentation de cette dernière favorise l’activité des
porteurs minoritaires et accentue, ainsi, les courants de fuites au sein de la photopile ; d’où
cette augmentation de la résistance shunt avec la vitesse de recombinaison à la jonction.
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0117 0.0117 0.0116 0.0114 0.0111 0.0106 0.0102 0.0096 0.0091 0.0086 0.0081 0.0077
Rsh(Ω/cm ) 2
934.1 934.1 941.9 966.4 1007 1061 1132 1214 1311 1419 1537 1668
Rsh ( Ω /cm 2 )=2 . 4⋅107 ×Hop 2 −6 . 4⋅105 ×Hop ( cm )+5. 2⋅103

(4.5)

jonction (D = 35cm2 /s; α = 21000 cm-1)
La figure 4.14 montre que la résistance shunt augmente lorsque la vitesse de recombinaison à
la jonction. En effet, la vitesse de recombinaison à la jonction caractérise le flux de porteurs
minoritaires de charge à travers la jonction et le courant disponible pour la charge externe.
L’augmentation de cette dernière favorise l’activité des porteurs minoritaires et accentue,
ainsi, les courants de fuites au sein de la photopile; d’où cette augmentation de la résistance
shunt avec la vitesse de recombinaison à la jonction. En outre, est remarquée une
augmentation de la résistance shunt avec la profondeur de la base. Cette augmentation de la
profondeur traduit une diminution du taux de génération de paires électron-trou d’après la loi
de Beer-Lambert et une probabilité de présence de défauts dans matériau semiconducteur.
ω(rad.s-1) 102 103 104 2.104 3.104 4.104 5.104 6.104 7.104 8.104 9.104 105
Hop (cm) 0.0086 0.0086 0.0084 0.0079 0.0073 0.0065 0.0056 0.0048 0.004 0.0033 0.0026 0.002
Rsh(106 Ω/cm2) 5.422 5.422 5.38 5.267 5.094 4.864 4.617 4.347 4.082 3.824 3.581 3.35
Rsh ( Ω /cm2 )=3 . 1⋅108 ×Hop ( cm )+2 . 8⋅106 [12] (4.6)
4.4. Capacité
4.4.1. Expression
La capacitéest définie par le rapport de la charge totale traversant la jonction par la

phototension aux bornes de la photopile. Son expression est donnée par l’équation:
dQ
C=
dV ph (4.7)
Avec la charge totale Q=q⋅δ ( 0 , ω, λ ) (4.8)
Où δ ( 0 , ω, λ ) est la densité des porteurs minoritaires de charge en excès dans la base à la

jonction, q est la charge élémentaire.
Compte tenu de l'expression de la phototension, la capacitépeut être réécrite comme:
( )
n q . n2i δ(0 , ω , λ )
q i2
C= +δ ( 0 , ω, λ ) = +q
V T Nb Nb. V T VT
(4.9)
4.4.2. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale sur la capacité
Figure 4.13: Module de la capacité en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction
(D = 35cm2 /s; α = 6.2 cm-1)
Cette figure 4.21 montre que la capacité diminue avec la vitesse de recombinaison à la
jonction, déterminant le mode de fonctionnement de la photopile et présente deux paliers :
- l’un avec les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction (Sf < 10 2 cm.s-1)
correspondant au mode de fonctionnement circuit ouvert de la photopile. La capacité est
maximale et constante. Ceci est dû au stockage des porteurs de charge minoritaires en excès
dans la base près de la jonction émetteur-base qui augmente, ainsi, de la capacité:
rétrécissement de la zone de charge d’espace (ZCE) ;
- l’autre palier, avec les grandes valeurs de la vitesse de recombinaison (Sf > 105 cm.s-1),
correspond au mode de fonctionnement en court-circuit de la photopile. La capacité y est
faible car un grand nombre de porteurs de charge minoritaires en excès dans la base de la
photopile ont traversé la jonction émetteur-base pour participer au photocourant diminuant
donc leur densité au voisinage de la jonction: élargissement de la zone de charge d’espace
(ZCE).
La capacité de circuit ouvert augmente avec l’intensité du champ magnétique appliquée. Cet
accroissement est lié à l’augmentation de la densité des porteurs minoritaires en excès dans la
base.
Figure 4.14: Module de la capacité en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction

(D = 35cm2 /s; α = 21000 cm-1)
4.4.3. Influence de la fréquence et de l’épaisseur optimale sur la capacité

sous obscurité
Nous savons que l’expression de la capacité s’écrit :
δ ( 0 , ω , λ)
C=Co+q⋅
VT
(4.13)
q⋅n 2
i
Co=
Nb. V T
Avec
(4.14)
Où Co est la capacité sous obscurité de la photopile.
L’équation (4.16) peut être réécrite de la forme :
C=Co⋅exp
( )
V ph
VT
(4.15)
Avecla fonction logarithme, nous réécrivons l’équation (4.18) comme suit :
V ph
ln C−ln Co=
VT
(4.16)
L’équation (4.19) peut être exprimée comme suit :
1
ln C= ⋅V +ln Co
V T ph
(4.17)
Ainsi, le logarithme de la capacité en fonction de la phototension est une droite de pente 1/V T
dont l’ordonnée à l’origine correspond à la valeur ln(C 0) permettant la détermination de la
capacité sous obscurité (Co) de la photopile.
4.4.3.1.Pour un coefficient d’absorption faible
La figure 4.30 représente le profil du logarithme de la capacité en fonction de la phototension

pour différentes valeurs du champ magnétique.
Figure 4.13: Logarithme de la capacité en fonction de la phototension

(D = 35cm2 /s; α = 6.2 cm-1)
Le logarithme de la capacité en fonction de la phototension en fonction du champ magnétique

est une droite de pente 1/VT. Le point d’intersection avec l’axe de la capacité correspond à la
valeur de la capacité sous obscurité C0 [8] [10]. [13]..
D’après ces valeurs du tableau 4.10, le constat est que le champ magnétique n’a pas
d’influence sur la capacité sous obscurité de la photopile à jonction verticale série [14].
Co=5 . 1⋅10−10 F /cm2 (4.18)
Figure 4.13: Logarithme de la capacité en fonction de la phototension

(D = 35 cm2 /s; α = 21000 cm-1)
−10 2
Co=5 . 1⋅10 F /cm (4.19)[19]
4.5. Conclusion
Dans ce chapitre, une étude des paramètres électriques macroscopiques de la photopile
bifaciale éclairée par la face arrière, en régime fréquentiel a été présentée. L’étude montre que
la capacité de la photopile augmente avec la fréquence, en circuit ouvert. En fonction de la
vitesse de recombinaison à la jonction, nous avons constaté une décroissance de la capacité de
diffusion. Cette étude montre que la capacité sous obscurité, déterminée à partir du logarithme
népérien de la capacité de diffusion en fonction de la phototension aux bornes de la photopile,
est indépendante de la fréquence.
En ce qui concerne la résistance série de la photopile, elle augmente. Cela reflète un
accroissement de la résistivité du matériau semiconducteur constituant la cellule
photovoltaïque.
Quant à la résistance shunt, elle diminue en fonction de la fréquence.
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[19] Green, M. A., Jianhua Zhao, Wang, A., & Wenham, S. R. (1999). Very high efficiency
silicon solar cells-science and technology. IEEE Transactions on Electron Devices, 46(10),
1940–1947. doi :10.1109/16.791982
[20] Kaminski, A. (1997). Etude des étapes technologiques critiques dans la production des
cellules solaires en silicium multicristallin. Thèse EEA. Lyon : INSA de Lyon, 165 p.
Conclusion générale
Dans ce travail, une étude théorique d'une photopile bifaciale au silicium monocristallin en
régime statique, sous éclairement monochromatique par la face arrière est présentée.
Après avoir rappelé un certain nombre de techniques de caractérisation des photopiles sous
différents régimes, une étude théorique sur la densité des porteurs minoritaires de charge en
excès dans la base de la photopile est faite en résolvant l’équation de continuité régissant les
phénomènes de génération, de diffusion et de recombinaison.
La variation de la densité des porteurs minoritaires, en fonction de l’épaisseur de la base pour
différentes valeurs de la fréquence est étudiée. Ainsi, l’augmentation de ce dernier engendre
une augmentation de la densité des porteurs minoritaires en excès dans la base à la jonction en
circuit ouvert et en volume en court-circuit.
L’expression de la densité des porteurs minoritaires en excès dans la base a permis la
détermination de paramètres électriques phénoménologiques. L’application de la loi de Fick a
donné l’expression de la densité de photocourant. Il ressort de cette étude que le photocourant
est presque nul pour les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction ; et est
maximale, correspondant au photocourant de court-circuit, pour les grandes valeurs de la
vitesse de recombinaison à la face jonction.
Une technique d’optimisation de l’épaisseur de la base de la photopile, à partir de
l’intersection des courbes de vitesses de recombinaison à la face arrière obtenues en dérivant
par rapport à la vitesse de recombinaison à la jonction la densité de photocourant, est faite.
Cette optimisation permet de réduire les pertes de porteurs photogénérés dans la base sans
altérer le rendement de la photopile et le coût de fabrication de cellules solaires
photovoltaïques.
Après cela, à partir de la relation de Boltzmann, nous avons établi l’expression de la
phototension. L’étude nous a montré que la phototension est maximale pour les faibles
valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction et est presque nulle pour les grandes
valeurs de cette dernière.
L’expression de la puissance électrique est déterminée à partir du circuit électrique équivalent
de la photopile. L’étude a montré que le point de puissance maximale décroît avec la
fréquence. Après avoir déterminé la puissance, le facteur de forme dépendant de la puissance
maximale et du photocourant de court-circuit et de la phototension de circuit ouvert est
déterminé.
La dernière partie de cette étude porte sur la détermination des paramètres électriques
macroscopiques comme la résistance série, la résistance shunt et la capacité de la photopile.
A partir du photocourant et de la phototension, la caractéristique courant-tension (I-V) a été
tracée. Deux situations de fonctionnement caractéristiques sont distinguées sur cette
caractéristique I-V. En situation de circuit ouvert, elle présente une droite oblique permettant
de modéliser la photopile comme une source de tension idéale. Cependant, la photopile réelle
n’étant pas idéale, elle présente donc des fuites de tension, faibles pour photopile de qualité,
caractérisées par la présence d’une résistance montée en série dans le circuit électrique
équivalent. L’application de la loi des mailles nous a permis d’établir l’expression de la
résistance série de la photopile. L’étude nous a montré que la résistivité du matériau
semiconducteur constituant la photopile augmente avec la fréquence.
L’expression de la résistance shunt, en considérant la caractéristique I-V en situation de court-
circuit où la phototension est faible, est établie. Dans ce cas, la photopile est une source de
courant débitant un courant constant quelle que soit la valeur de la tension. Et comme la
photopile n’est pas idéale, elle présente alors des fuites de courant caractérisant la présence
d’une résistance de charge appelée résistance de fuite ou résistance shunt. L’étude nous a
montré que la présence de la fréquence et l’épaisseur optimum augmente la résistance shunt.
Enfin, l’expression de la capacité de la photopile est établie. La capacité est maximale en
situation de circuit ouvert et presque nulle en situation de court-circuit. L’influence de la
fréquence et de l’épaisseur optimum sur la capacité est plus remarquée en situation de circuit
ouvert. Le logarithme népérien de la capacité est une fonction linéaire de la phototension aux
bornes de la photopile donnant la valeur de la capacité sous obscurité. L’étude a montré que la
fréquence et l’épaisseur optimum n’influe pas sur la valeur de la capacité sous obscurité.
Comme perspective, ce travail pourrait être conduit sur une photopile en :
 Régime statique sous éclairement polychromatique G (ai, bi, z) ;
 Régime dynamique :
 Fréquentiel sous éclairement polychromatique
 Transitoire sous éclairement constant ou pulsé, monochromatique ou
multispectral ;
 En trois dimensions.
UNIVERSITE IBA DER THIAM DE THIES
THESE DE DOCTORAT UNIQUE EN PHYSIQUE

Présenté par :
M. Mamadou SALL
Pour obtenir le grade de docteur
Option : Energie solaire photovoltaique
Etude de la photopile bifaciale (n+/p/p+) au silicium sous éclairement monochromatique en modulation de

fréquence par face arrière (p+) : détermination de l’épaisseur optimum de la base (p) et des paramètres
électriques
Président Grégoire SISSOKO Professeur Titulaire FST/UCAD

Habiboula Lemrabott Maitre de conferences ESMT/DAKAR
Rapporteurs Alassane DIENE Maitre de conferences EPT
Ousmane Sow Maitre de conferences IUT/UIDT/THIES
Moustapha THIAME Maitre de conferences UASZ
Examinateurs Gora Diop Dr Assistant Vac FST/UCAD
Youssou TRAORE Dr Assistant IUT/UIDT/THIES
Directeur de thèse Mamadou Wade Professeur Titulaire EPT/THIES
Résumé
Une étude théorique d'une photopile bifaciale éclairé par la face arrière, en régime fréquentiel et sous
éclairement monochromatique est présentée. Une étude bibliographique est menée pour la compréhension des
résultats présentés dans ce travail. Des travaux effectués par divers chercheurs sur différentes photopiles
soumises à différents paramètres physiques extérieurs sont rappelés.
L’expression de la densité des porteurs minoritaires de charge en excès dans la base de la photopile est
déterminée en résolvant l’équation de continuité traduisant les phénomènes de génération, de diffusion et de
recombinaison au sein de la photopile sous éclairement monochromatique, en régime fréquentiel. L’étude a
permis de déterminer quelques grandeurs électriques de la photopile : la densité de photocourant, la
phototension, la caractéristique courant-tension. L’expression des vitesses de recombinaison à la face arrière est
déterminée en dérivant l’expression de la densité de photocourant pour les grandes valeurs de la vitesse de
recombinaison à la jonction. En appliquant la technique de l’intersection des courbes de vitesses de
recombinaison à la face arrière, l’épaisseur optimum pour une fréquence donnée est déterminée. Cette
optimisation a pour intérêt d’avoir de photopiles à haut rendement et à bon prix. Ensuite, les effets de la
fréquence et de l’épaisseur optimum sur la puissance maximale et le rendement de la photopile pour des faibles
et grandes coefficients d’absorption sont étudiés.
Enfin, les paramètres électriques macroscopiques sont étudiés sous l’influence de la fréquence et de l’épaisseur
optimum pour des faibles et grandes coefficients d’absorption.
Mots clés : Photopile bifaciale au silicium, , vitesse de recombinaison, épaisseur optimum, coefficient
d’absorption, régime fréquentiel.

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These - Sall Version Mai 2022 Corrigee

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ECOLE DOCTORALE DEVELOPPEMENT DURABLE ET SOCIETE (ED2DS)

THESE DE DOCTORAT UNIQUE EN PHYSIQUE

POUR OBTENIR LE GRADE DE DOCTEUR

Option : Energie solaire

Etude de la photopile bifaciale (n+/p/p+) au silicium sous éclairement

Soutenu publiquement le……devant le jury composé de :

Mr , GORA DIOP : DR Assistant vaccataire à la Faculté des Sciences et Techniques

Mots clés : Photopile bifaciale au silicium, , vitesse de recombinaison, épaisseur optimum,

Table des Matières

3.6. Rendement de conversion photovoltaïque...................................................................103

Figure 4.13: Module de la capacité en fonction de la vitesse de recombinaison à la

la base sans champ magnétique

D ( ω) charge minoritaires en excès dans la base

H Epaisseur de la base de la photopile cm

Longueur de diffusion complexe des porteurs de cm

q Charge électrique élémentaire C

τ Durée de vie des porteurs minoritaires s

[13] A. Kaminski, B. vandelle, A. Fave, J. P. Boyeux, and A. Laugier, “Solar Energy

Chapitre 1: Etude bibliographique

1.2 Etude bibliographique sur la caractérisation des photopiles

Mamadou SALL-Thèse de Doctorat en Sciences et Technologie, Energies Renouvelables ED2DS-THIES Page | 1

Dans ce modèle, C caractérise l'effet de capacité de la vitesse de recombinaison de jonction

Dans ce modèle, l'inductance L caractérise la capacité de l'interface émetteur-base pour

Mamadou SALL-Thèse de Doctorat en Sciences et Technologie, Energies Renouvelables ED2DS-THIES Page | 2

la vitesse intrinsèque de recombinaison de la surface arrière. Ainsi, quand on n'applique pas

Mamadou SALL-Thèse de Doctorat en Sciences et Technologie, Energies Renouvelables ED2DS-THIES Page | 3

1.2.2 Three-dimensional study of a polycrystalline silicon solar cell: the

Figure 1.5 : Modèle tridimensionnel du grain de silicium polycristallin.

Pour cela, ils ont considéré que :

Les auteurs ont retrouvé l’équation du coefficient de diffusion en présence de champs

Mamadou SALL-Thèse de Doctorat en Sciences et Technologie, Energies Renouvelables ED2DS-THIES Page | 4

Figure 1.6 : Module du coefficient de diffusion en fonction de la fréquence angulaire et du champ

Mamadou SALL-Thèse de Doctorat en Sciences et Technologie, Energies Renouvelables ED2DS-THIES Page | 5

Le courant de diode de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison (échelle semi-

Figure 1.7 : Courant de la diode en fonction du logarithme de Sfj.

Ils distinguent deux zones :

1.2.3 Capacitance of Vertical Parallel Junction Silicon Solar Cell under

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1.2.4 External Electric Field Influence on Series and Shunt Resistance

En traçant la caractéristique I-V, les auteurs montrent que le photocourant de court-circuit

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1.2.5 Determination of the Recombination and Electrical Parameters of a

Figure 1.11 : Circuit équivalent de la cellule solaire en circuit ouvert.

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En utilisant ce circuit, l'expression des résistances de shunt peut être écrite :

Sa détermination graphique est illustrée à la figure 1.12.

Figure 1.12 : Résistance de shunt par rapport à la vitesse de recombinaison de jonction :

La valeur expérimentale de la résistance shunt est déterminée lorsque la vitesse de

1.2.6 Influence of Magnetic Field on the Capacitance of a Vertical Junction

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La solution de l'équation de continuité peut s’écrire :

Mamadou SALL-Thèse de Doctorat en Sciences et Technologie, Energies Renouvelables ED2DS-THIES Page | 12

Figure 1.13 : Profil de la capacité en fonction de la vitesse de recombinaison de la jonction et du

La capacité diminue avec la vitesse de recombinaison de jonction. La capacité augmente avec

1.2.7 Studies on the temperature dependence of I–V and C–V

Où A est l'aire effective de la diode, ND la concentration de porteurs, ε r la constante

Mamadou SALL-Thèse de Doctorat en Sciences et Technologie, Energies Renouvelables ED2DS-THIES Page | 13

1.2.8 Silicon solar cell capacitance: influence of both temperature and

q (ni (T ))2 qδ( x=0 , Sf , λ ,T )

C0(T) est la capacité de la photopile lorsqu’elle fonctionne en court-circuit

Mamadou SALL-Thèse de Doctorat en Sciences et Technologie, Energies Renouvelables ED2DS-THIES Page | 14

La figure 1.15 présente le profil de la capacité de la photopile en court-circuit en fonction de

Figure 1.15 : Capacité en fonction de la température pour différentes longueurs d'onde