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DIODO

El tomo de germanio tiene 32 electrones en rbita, mientras que el silicio tiene 14 electrones en varias rbitas. En cada caso, existen cuatro electrones en la rbita exterior (valencia). El potencial (potencial de ionizacin) que se requiere para movilizar cualquiera de estos cuatro electrones de valencia, es menor que el requerido por cualquier otro electrn dentro de la estructura. En un cristal puro de germanio o de silicio estos cuatro electrones de valencia se encuentran unidos a cuatro tomos adjuntos como se muestra en la figura 4.3 para el silicio. Tanto el Ge como el Si son referidos como tomos tetravalentes, porque cada uno tiene cuatro electrones de valencia. Una unin de tomos fortalecida por el compartimiento de electrones se denomina unin covalente.

Figura 4.3. Unin covalente del tomo de silicio

Se dice que los materiales semiconductores como el Ge y el Si, que muestran una reduccin en resistencia con el incremento en la temperatura, tienen un coeficiente de temperatura negativo. Mientras ms distante se encuentre el electrn del ncleo es el estado de energa, y cualquier electrn que haya dejado a su tomo, tiene un estado de energa mayor que cualquier electrn en la estructura atmica. MATERIALES SEMICONDUCTORES El trmino semiconductor revela por s mismo una idea de sus caractersticas. El prefijo semi suele aplicarse a un rango de niveles situado a la mitad entre dos lmites. El trmino conductor se aplica a cualquier material que soporte un flujo generoso de carga, cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a travs de sus terminales. Un aislante es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la presin de una fuente de voltaje aplicada. Un semiconductor, por tanto, es un material que posee un nivel de conductividad sobre algn punto entre los extremos de un aislante y un conductor.

Algunas de las cualidades nicas del Ge y el Si es que ambos forman un patrn muy definido que es peridico en naturaleza (continuamente se repite el mismo). A un patrn completo se le llama cristal y al arreglo peridico de los tomos, red cristalina. Para el Ge y el Si el cristal tiene la estructura de diamante de tres dimensiones que se muestra en la figura 4.4

Figura 4.4. Estructura de un solo cristal de Ge y Si. MATERIALES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS Un cristal intrnseco es aqul que se encuentra puro (aunque no existe prcticamente un cristal 100% puro); es decir, no contiene impurezas; mientras que un cristal extrnseco es aqul que ha sido impurificado con tomos de otra sustancia. Al proceso de impurificacin se le llama tambin dopado, y se utiliza para obtener electrones libres que sean capaces de transportar la energa elctrica a otros puntos del cristal. Un material en estado intrnseco puede tener electrones libres cuando algunos de sus electrones de valencia llegan a romper su enlace covalente por adquirir energa adicional debido a fuentes de calor o de luz; o bien debido a las pocas impurezas que no han podido eliminarse; sin embargo, la energa ganada disminuye cuando el electrn tiene alguna colisin con otra partcula, volviendo a cantidades de energa propias de la banda de valencia, haciendo que el electrn viajero se aloje, en algn hueco disponible, dndose el fenmeno llamado recombinacin. Los huecos que resultan de la liberacin de estos electrones son en cantidades poco significativas; as que tanto las cargas libres negativas o positivas en el cristal no seran suficientes para transportar cantidades de electricidad significativas. Por lo tanto, si se desea que un material semiconductor pueda ser capaz de transportar la corriente elctrica de mejor manera, se procede a impurificarlo. MATERIALES EXTRNSECOS TIPO N Y TIPO P Las caractersticas de los materiales semiconductores pueden ser alteradas significativamente por la adicin de ciertos tomos de impureza a un material semiconductor relativamente puro. Estas impurezas, aunque slo haya sido aadida 1 parte en 10 millones, pueden alterar en forma suficiente la estructura de la banda de valencia y cambiar totalmente las propiedades elctricas del material. Un material semiconductor que haya sido sujeto de dopado se denomina un material extrnseco. Existen dos materiales extrnsecos de gran importancia para la fabricacin de dispositivos semiconductores: el tipo n y el tipo p.

MATERIAL TIPO N Tanto el material tipo n como el tipo p se forman mediante la adiccin de un nmero predeterminado de tomos de impureza al germanio o al silicio. El tipo n se crea a travs de la introduccin de elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio, arsnico y fsforo. Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se les llama tomos donadores. Es importante comprender que, aunque un nmero importante de portadores "libres" se han creado en el material tipo n, ste an es elctricamente neutral, debido a que de manera ideal el nmero de protones cargados positivamente en los ncleos es todava igual al nmero de electrones "libres" cargados negativamente y en rbita en la estructura.

MATERIAL TIPO P El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio con tomos de impureza que poseen tres electrones de valencia. Los elementos que se utilizan con mayor frecuencia para este propsito son el boro, galio e indio. A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les conoce como tomos aceptores. El material resultante tipo p el elctricamente neutro, por las mismas razones descritas para el material tipo n. Flujo de electrones comparado con flujo de huecos Si un electrn de valencia adquiere suficiente energa cintica para romper su unin covalente y llena un hueco, entonces se crear un hueco en la unin covalente que liber el electrn.

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