Materiaux Et Composants Fruchier

Matériaux et composants
Partie II
●
Jonction P/N
●
Composant bipolaire
●
Composant à effet de champs
Matériaux et composant (II) 1/130

La jonction P/N

4. Jonction P/N
4. Jonction P/N
4. Jonction P/N
4. Jonction P/N
4. Jonction P/N
4. Jonction P/N
4. Jonction P/N
4. Jonction P/N
4. Jonction P/N
4. Jonction P/N
4. Jonction P/N
4. Jonction P/N
4. Jonction P/N
4. Jonction P/N
4. Jonction P/N
4. Jonction P/N
4. Jonction P/N
Effet Zener Avalanche (ionisation par impact)
4. Jonction P/N
4. Jonction P/N
Jonction P/N
Aspects thermique
A fort niveau de courant il faut tenir compte de Puissance dissipée :
la résistance série de la diode.
Jonction P/N
Température maximale de jonction Tj max
Le courant de fuite en inverse d’une diode à jonction PN croît très vite avec
la température.
→ risque d’emballement thermique
La température maximale de fonctionnement appelée température

maximale de jonction Tj max est spécifiée par le constructeur.
Pour des composants silicium Tj max est toujours inférieure à 200 °C.
Jonction P/N
Courant maximal admissible
En général, le terme E0Imoy est nettement supérieur au terme R0 Ieff2

On classe donc les diodes par calibre de courant moyen maximal :
Iavg max
Le courant maximal admissible est celui qui permet à la température de
jonction de ne pas dépasser sa valeur maximale dans des conditions de
refroidissement données.
Jonction P/N
Évacuation de la chaleur
Jonction P/N
Calcul de radiateur
Une diode BYT08P est utilisée dans un convertisseur flyback.
Le courant qui la traverse est triangulaire de valeur crête 20A et

de rapport cyclique α=0,5.
20A
0 αT T
Le constructeur donne:
E0=1,1V R0=24mΩ
Calculer la puissance dissipée dans la diode.
Jonction P/N
Datasheet
Jonction P/N
Datasheet
Jonction P/N
Calcul de radiateur
Le constructeur donne:
Tj max=150°C
Rthj-b=2,5°C/W
La diode est montée sur un refroidisseur par l’intermédiaire d’un

film isolant dont la résistance thermique est
Rthb-rad=0,5°C/W
La température ambiante Tamb est de 50°C et par sécurité on
désire que la température de jonction ne dépasse pas 150°C.
Calculer la résistance thermique du radiateur nécessaire et
sa température.
Jonction P/N
Calcul de radiateur
Le radiateur est fixé à l’extérieur du boîtier de

l’appareil et on désire que sa température ne
dépasse pas 80°C par sécurité pour les
utilisateurs.
Calculer la nouvelle valeur de la résistance
thermique du radiateur adapté et la
température de jonction.
Jonction P/N
Calcul de radiateur : conditions d’utilisation
Jonction P/N
Calcul de radiateur

utilisateurs.
Jonction P/N
Calcul de radiateur

utilisateurs.
Composants bipolaires

Transistors bipolaires

Transistor bipolaire
Le premier transistor (bipolaire) et son brevet

5. Transistor Bipolaire
Transistor Bipolaire
Géométrie conventionnelle
Transistor bipolaire
Dopage des trois régions
Le bon fonctionnement du transistor nécessite que

les trois régions soient dopées de la façon
suivante :
●
L’émetteur (E) est fortement dopé, car son rôle E B
est d’émettre des électrons dans la base ; C
●
La base (B) est moyennement dopée et très
mince (de l’ordre du μm). Son rôle est de
transmettre au collecteur la plupart des
électrons venant de l’émetteur ;
●
Le collecteur (C) est constitué de 2 régions,
l’une est faiblement dopée et l’autre est très
dopée.
Diagramme de bandes d’un transistor NPN
Les régimes de fonctionnement d’un transistor
Le fonctionnement d’un transistor dépend du type de la polarisation des jonctions

émetteur base (EB) et Base collecteur (BC).
Avant établissement des ZCE Après établissement des ZCE
Effet transistor
Les électrons de l’Emetteur

sont injectés dans la base
Les électrons injectés dans la base

mince sont catapultés dans le
collecteur
Les courants dans un transistor bipolaire
I E =I C + I B
Polarisation du transistor NPN
➔
Polarisation base commune
➔
Polarisation émetteur commun
Effet amplificateur du courant

Réseau de caractéristiques statiques du transistor
Le transistor comporte trois accès il est caractérisé par 6 grandeurs électriques :
●
3 courants IB, IC et IE
●
3 tensions VBE, VCE, VCB
4 relations indépendantes sont

nécessaires pour le caractériser
Polarisation du transistor – Droites de charge statiques
Objectif de la polarisation : Fixer les valeurs des tensions VBE, VCE et des courants IB, IC
pour imposer la localisation des points de fonctionnement dans le réseau.
Exemple : polarisation directe de la base et

du collecteur par deux résistances RB et RC
●
NPN → grandeurs positives ; PNP → grandeurs négatives.
●
VBE ne dépend pratiquement pas de VCE , le réseau d'entrée ne comporte qu'une
seule courbe.
●
IC dépend faiblement de VCE , le réseau de transfert ne comporte souvent qu'une
seule courbe.
●
La puissance dissipée par un transistor est limitée à Pmax.
●
Le réseau de caractéristiques est donné pour une température définie.
●
Il existe une dispersion des caractéristiques pour des transistors de mêmes
références.
●
Ordres de grandeurs : VBE : 0.2 à 0,7 V ; VCE : 1 à qq 100 V ; IC : mA à A ; IB : μA.
●
Le point de fonctionnement peut être porté sur le réseau.
Modèle simple d’un transistor en fonctionnement linéaire
Modèle simple d'un transistor en Modèle d'Ebers-Moll d'un transistor

fonctionnement linéaire Si saturation Ic ≠ β Ib
Technologie
Technologie
Technologie
Technologie
Coupe et Layout d’un

transistor bipolaire (npn)
Technologie
Technologie
Composants à effet de champs

Structures MIS (Métal-Isolant-Semiconducteur)
Cas particulier :
structure MOS (Métal-Oxyde-Semiconducteur)
Cas encore plus particulier (très répandu):

le semi-conducteur est le silicium et l'oxyde est la silice SiO 2.
A l'heure actuelle la technologie MOS a pris une extension considérable dans la

fabrication des circuits intégrés car il permet une extrême miniaturisation.
En effet, les composants Semi Conducteurs à grille isolée sont parmi les plus importants
de l'électronique moderne.
Les possibilités d'intégration très poussée ainsi que les performances atteintes les ont
imposés : dans le domaine du numérique et les applications analogiques se
développent elles aussi à grande vitesse.
Il est donc particulièrement important de comprendre le fonctionnement de: la capacité

MOS, structure qui est à la base de cette technologie.
Une structure MOS est constituée :
d'une couche d'oxyde isolant (SiO2) d'épaisseur d incluse entre une couche
de métal (Aluminium ou Silicium très fortement dopé) et un substrat de
Silicium.
.
Dans cette structure les ordres de grandeurs sont :
●
Épaisseur d'oxyde d : quelques dizaines de
nanomètres
●
Épaisseur du substrat : quelques 1/10 de
millimètres
Nous allons tout d'abord nous intéresser à la structure Métal-Vide-

Semiconducteur avant de passer à la structure MOS à proprement parlé
6. Composants à effet de champs
Mise en équilibre de la structure

dV d 2V  ( x)
Vd M  SC , E  , 
dx dx 2  SC
Métal S Métal S
C C
e SC e SC eVd
e M EC
e M e SC
EF e SC
EC
EF EF EF
EV EV
dx
Système indépendant Système à l’équilibre
Structure Métal-Vide-Semiconducteur
Considérons un métal et un semiconducteur dans le
vide :
Le vide NV sera le niveau de référence.
Le métal est caractérisé par :
●
son travail de sortie eɸm.
Le semiconducteur est caractérisé par :
●
son travail de sortie eɸS et
●
son affinité électronique eΧS.
Ces deux systèmes sont indépendants, les niveaux
de Fermi dans chacun d'eux sont respectivement à
la distance eɸm et eɸS du niveau du vide (NV).
Relions ces deux systèmes par un fil

conducteur :
ils échangent de l'énergie et constituent un seul
système thermodynamique, les niveaux de Fermi
s'alignent.
Il en résulte une différence de potentiel de contact,
analogue à la tension de diffusion de la jonction P/N,
donnée par :
e.Vd  e.m  e.S (eV )
Affinité électronique de quelques métaux et semiconducteur :
Isolant
A cette différence de potentiel Vd sont associés :
⃗
un champ électrique ⃗ =− d V
●
E
dx
une charge d'espace

⃗
d ²V ρ (x )
=− ε
●
dx ²
L'amplitude du champ électrique et la densité de la charge d'espace sont d'autant plus importantes que le
gradient du potentiel est grand.
Or puisque ΔV =cte est fixé par la différence des travaux de sortie ɸm-ɸs,
Ces valeurs sont d'autant plus grandes que la distance entre le métal et le semiconducteur est
faible.
On pourra ainsi dire que tant que cette distance est importante, le champ et la charge d'espace sont négligeables
Rapprochons maintenant de plus en plus le métal du semiconducteur :
des charges apparaissent au voisinage de la surface du métal et au voisinage de la surface du semiconducteur.
⃗
d ²V ρ (x ) ⃗
Structure Métal-Vide-Semiconducteur =− ε ⃗ =− d V
E
dx ² dx
LE SYSTÈME EST ANALOGUE À UN CONDENSATEUR PLAN dont
la tension entre les armatures est ΔV =Vd, la charge est Q=C.ΔV. ΔV =V d =cte, si d ↘
ΔV étant constant, si la distance entre le métal et le SC diminue, la ⇒ C ↗ ⇒ Q=C.ΔV↗
capacité et par suite la charge augmentent.
De plus, la charge totale développée dans le métal est égale et opposée à la charge totale développée dans le
semiconducteur.
La densité d'états étant beaucoup plus grande dans le métal que dans le semiconducteur, ces charges sont
superficielles dans le métal et s'étendent davantage dans le semiconducteur :
●
La charge d'espace dans le métal résulte de la variation de la densité d‘e- au voisinage de la surface
●
La charge d'espace dans le semiconducteur résulte de la variation de la densité de porteurs libres, e- et trous,
au voisinage de la surface.
La variation de la densité de porteurs libres est associée à la variation de la distance bande permise-niveau de
Fermi.
Dans la mesure où le niveau de Fermi est fixé par l'équilibre thermodynamique :
il en résulte UNE COURBURE DES BANDES DE VALENCE ET DE CONDUCTION VERS LE BAS OU LE HAUT,
SUIVANT QUE LA DENSITÉ D‘E- AUGMENTE OU DIMINUE.
type N
Les différents régimes de
fonctionnement en fonction de
la polarisation VG
Régime de dépletion
des porteurs majoritaires sont
repoussés il a dépletion.
Régime d’inversion
Des porteurs minoritaire
apparaissent il a inversion des
charges au niveau de l’interface.
Interface
type N
la polarisation VG
Régime de Bande plate

toutes les bandes sont plates
Régime d’Accumulation
des porteurs majoritaires
ici électrons
type N
la polarisation VG
Régime de Bande plate

toutes les bandes sont plates
Régime de dépletion
des porteurs majoritaires sont
repoussés il a dépletion.
Les différents régimes de fonctionnement en fonction de des
différents travaux de sorties
(a) Accumulation
(b) Flat band
(c) Désertion – déplétion
(d) Faible inversion
(e) Forte inversion

Structure Métal Oxyde Semiconducteur
Structure Métal Oxyde Semiconducteur de type N
Le substrat est dopé avec des donneurs : 3 modèles 3 régimes de
Les porteurs majoritaires sont les électrons : capacitifs fonctionnements
Les porteurs majoritaires sont les trous :
Accumulation des porteurs

Vg> VFB majoritaires à l’interface
isolant-semiconducteur.
Régime
Ci d’ACCUMULATION
Déplétion des porteurs à

Vg< VFB l’interface
CSc Ci Régime de
DEPLETION
Zone de Charge d’Espace
Structure Métal Oxyde Semiconducteur de type N

Le substrat est dopé avec des donneurs : 3 modèles 3 régimes de
Les porteurs majoritaires sont les électrons : capacitifs fonctionnements
Les porteurs majoritaires sont les trous :
Accumulation des porteurs

Vg> VFB majoritaires à l’interface
Régime
Ci d’ACCUMULATION
Cin Accumulation de porteurs

Vg< VTH minoritaires à l’interface
v isolant-semiconducteur.
Régime
CSc Ci d’INVERSION
07/12/2021 Introduction aux semi-conducteurs

VFB
TH>< Vg 6. Composants à effet de champs
La structure MOS: Les seuils caractéristiques sur la C(V)
BF 7
C [nF]
6 Accumulation
Qi
5
++ ++ ++ Inversion Déplétion
+ ++ + ZCE
4
+ ++ + Ci
3
++ ++
++ ++ ++ HF 2
++ +
++ + Tension V
TH VFB Tension de
++ ++ de seuil 1
bandes plates
Cin CSc C
++ ++ ++ 0 i
Vs=0 Vg [V]
v -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
C C 78/130
Composants de puissance

Tendances de l’électronique de puissance
●
Énergies renouvelables
– Adaptation de sources au réseau
●
Différentes tensions
●
DC vers AC ou variation de fréquence
– Optimisation de la source
●
Point de fonctionnement optimal Micro-onduleur enphase
●
Automobile
– Véhicules hybrides/électriques
– Haut rendement
– Bas coût
●
Aéronautique
– Augmentation de la puissance embarquée (1 MW)
– Haute fiabilité
– environnement sévère
Projet avion zéro émission @Airbus

Élargissement des domaines d’application
MW - W W - kW KW - MW MW - GW
Téléphone portable Alimentation de PC

portable Variateur de vitesse
Station de conversion HVDC

(350kV)
●
Mêmes principes à toutes les échelles
●
Multiplication des convertisseurs
●
Apport de nouvelles fonctionnalités au système
➔
vitesse variable
➔
véhicule hybride
Amélioration des performances
●
Compacité
➔
Augmentation des densités de puissance
➔
Augmentation de tension/courant/fréquence
●
Rendement
➔
Réduction des pertes, donc du refroidissement
➔
Augmentation d’autonomie. . .
●
Fiabilité
➔
Résistance au cyclage thermique
➔
Très longue durée de vie (30 ans)

Électronique de signal et électronique de puissance
Amélioration des performances
Électronique signal : Électronique de puissance :

●
Notion principale : ●
Notion principale :
le signal le rendement
●
Objectif : traiter l’information ●
Objectif : convertir la puissance sans
●
sans la dégrader en perdre
●
amplification ●
abaisser la tension
●
numérisation ●
changer la fréquence
●
etc. ●
etc.

Électronique de puissance = commutation
2 états stables :
Passant (interrupteur fermé) Bloqué (interrupteur ouvert)

➔
V=0 ➔
V≠0
➔
I≠0 ➔
I=0
Dans les deux états, pas de puissance dissipée :

P = VI = 0

Les 4 quadrants
Représentation dans le plan (I, V )

➔
état bloqué
➔
état passant
Tous les composants ne fonctionnent pas dans les 4
quadrants !

Les 4 quadrants - exemple de la diode




Attention aux ordres de grandeur :

➔
tension de seuil :
≈ 1V
➔
tension de claquage :
100-10000 V
➔
courant de fuite :
nA-μA
➔
courant direct :
1-1000 A

La commutation
Les commutations causent :

➔
des pertes
➔
des perturbations électro
magnétiques
Elles dépendent des composants mais aussi

du circuit
image source : “Dispositifs de l’électronique de puissance”, J. Arnould et

P. Merle, 1992, Hermès, Paris, tome 1, p 36)
La commutation
➔
1 ou 2 électrodes au-dessus, une en-dessous
➔
50-400 μm d’épaisseur, 1-10000 mm2 de de surface
➔
surface est proportionnel au courant direct
➔
l’épaisseur dépend de la tension et de la fabrication

Dimensions des composants
Remarque :
Les schémas de structure ne sont jamais à l’échelle !
Attention aussi aux structures cellulaires
(on ne représente qu’une cellule)

Familles de composants
Attention : tous les composants existants ne sont pas représentés.

La diode bipolaire, base des composants actifs
➔
Structure présente dans (presque) toutes les composants.
➔
Jonction PN avec zone faiblement dopée N (N− , ν ou i pour intrinsèque).
➔
Responsable de la tenue en tension du composant.

La diode bipolaire, base des composants actifs
➔
Structure présente dans (presque) toutes les composants.
➔
Jonction PN avec zone faiblement dopée N (N− , ν ou i pour intrinsèque).
➔
Responsable de la tenue en tension du composant.

Polarisation directe
➔
à faible courant, forte résistivité de la couche ν (faible dopage)
➔
à fort courant, les zones P+ et N+ injectent des porteurs dans la zone ν (modulation)
➔
beaucoup plus de porteurs libres → fort dopage apparent → faible résistivité
➔
ces charges devront être évacuées lors de l’ouverture de la diode
→ recouvrement
➔
Il y a un compromis entre diodes rapides (faible recouvrement) et faibles pertes en
conduction (forte modulation)
→ recombinaison des porteurs, non traitée ici.
Paramètres de conception
Objectif : créer une diode avec la plus forte tenue en
tension inverse, et la plus faible chute de tension en direct.
Une diode polarisée en inverse

➔
La surface colorée est proportionnelle à V
➔
les pentes du champ E est proportionnel au
dopage


➔
➔
dopage
➔
lorsque V augmente, la ZCE s’étend
➔
si Emax >Ecritique : claquage
➔


➔
➔
dopage
➔
lorsque V augmente, la ZCE s’étend
➔
si Emax >Ecritique : claquage
➔
si on réduit le dopage de la zone ν, E diminue
Paramètres de conception :
●
Le niveau de dopage ND de la zone ν (définit le profil de E)
●
La largeur W de la zone ν (modifie la “résistance” en direct)
●
La tension à supporter en inverse
Protections périphériques
Couche de passivation
➔
Champ électrique supporté par le silicium : 20 V/μm (dans l’air : 2 à 6 V/μm).
➔
Création de défauts cristallins lors de la découpe des puces.
➔
Dispositifs spécifiques en périphérie pour supporter la tension (passivation).
➔
Objectif : assurer l’étalement des lignes de champ électrique dans tout le composant.

Comportement dynamique
●
Les charges injectées durant la conduction doivent être
évacuées
➔
Phénomène de recouvrement
●
Réduction du recouvrement → dégradation conduction

Diodes – Résumé
En résumé :
●
Une diode supporte une forte tension si :
●
Elle possède une zone faiblement dopée et relativement large
●
Elle aura de faibles pertes en conduction si :
●
on a une forte modulation dans la zone faiblement dopée, et que celle-
ci est étroite (durée de vie des porteurs)
●
Elle aura de faibles pertes en commutation si :
●
il y a peu de modulation de la zone faiblement dopée (recouvrement
faible)

Domainesd’utilisation
Note :
Tous les composants ne sont pas représentés, et les limites évoluent constamment !

Caractéristique d’un composant pilotable
●
2, 3 ou 4 quadrants suivant le type
d’interrupteur
●
pilotables à l’ouverture (GTO), à la fermeture
(Thyristor) ou aux deux (transistor)
●
la caractéristique varie suivant le niveau sur
l’électrode de commande

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
●
Interrupteur à grille isolée
●
Création d’un canal par inversion ●
Version électronique de puissance
●
Version planaire très courante
en microélectronique ●
Même principe, mais large zone N−
pour tenir la tension
●
“pliage” de la structure pour la rendre
verticale
MOSFET – Caractéristique directe
●
Vth : tension de seuil, VGS tension grille source (= de commande)
●
fonctionnement nominal : zone linéaire, à VGS élevé
●
Comportement résistif : VDS = RDSon × ID dans la zone linéaire
MOSFET – contributions à la résistance à l’état passant
●
Composant unipolaire : pas de modulation
➔
résistivité définie par le dopage
●
RS : résistance de source (y compris externe)
●
Rch : résistance du canal (modulée par la grille)
●
Rn : résistance de la zone N−
●
RD résistance de drain (y compris externe)

MOSFET – structure cellulaire
La composante Rch est proportionnelle à la largeur de canal du MOSFET
➔
structure cellulaire pour augmenter la densité de canal
●
Différentes géométries existantes (cellules carrées, hexagonales, en
bandes. . .)
●
Réduction de la taille cellulaire pour augmenter encore la densité (1-2 μm
par cellule actuellement)

MOSFET – compromis tenue en tension/résistance
●
Basse tension : connectique, canal prépondérants
●
Haute tension : zone N− prépondérante
MOSFET – comportement inverse
●
La structure MOSFET devrait être bidirectionnelle en courant (2 quadrants).
●
La présence d’une diode en parrallele la rend asymétrique.
MOSFET – comportement inverse
●
La structure MOSFET devrait être bidirectionnelle en courant (2 quadrants).
●
La présence d’une diode en parrallele la rend asymétrique.
MOSFET – capacités
●
Le comportement dynamique (= en commutation) est fixé par les capacités “parasites” et le
câblage du composant.
●
On représente 3 capacités (CGS , CGD , et la capacité de la diode CDS ). Ces capacités sont
non-linéaires.
IGBT
●
Grossièrement équivalent à un MOSFET pilotant un transistor bipolaire
➔
simplicité de commande du MOSFET (grille isolée)
➔
performance à fort courant du transistor bipolaire
➔
1-3 V de chute de tension à l’état passant
●
Composant bipolaire, donc à résistance à l’état passant plus faible
Technologie – étapes de fabrication
●
Fabrication du matériau semiconducteur monocristallin
●
Découpe en tranches (wafers)
●
Réalisation des composants sur les wafers (dopage,
●
Gravure, dépôt d’oxyde, métallisations . . .)
●
plusieurs dizaines ou centaines d’étapes
●
traitement collectif (plusieurs centaines ou milliers de composants à la fois)
●
Test électrique sous pointes
●
Découpe des wafers en puces
●
Montage dans un boîtier
●
Test final

Fabrication des tranches de silicium
●
Procédés identiques en microélectronique et électronique de puissance
●
Tirage de lingots, ici méthode Czochralski (CZ), max ϕ=30 cm, l = 2 m
●
découpe en wafers par scie diamantée, puis polissage épaisseur dictée par la
résistance mécanique
Photolithographie (exemple oxyde)
➔
oxydation du wafer
➔
insolation
➔
dépot de résine photosensible
➔
développement
➔
alignement d’un masque
➔
gravure de l’oxyde
➔
retrait de la résine

➔
oxydation du wafer
➔
insolation
➔
➔
développement
➔
➔
➔

➔
oxydation du wafer
➔
insolation
➔
➔
développement
➔
➔
➔

➔
oxydation du wafer
➔
insolation
➔
➔
développement
➔
➔
➔

➔
oxydation du wafer
➔
insolation
➔
➔
développement
➔
➔
➔

➔
oxydation du wafer
➔
insolation
➔
➔
développement
➔
➔
➔

➔
oxydation du wafer
➔
insolation
➔
➔
développement
➔
➔
➔

➔
oxydation du wafer
➔
insolation
➔
➔
développement
➔
➔
➔

➔
oxydation du wafer
➔
insolation
➔
➔
développement
➔
➔
➔

➔
oxydation du wafer
➔
insolation
➔
➔
développement
➔
➔
➔

➔
oxydation du wafer
➔
insolation
➔
➔
développement
➔
➔
➔

➔
oxydation du wafer insolation ➔
➔
➔
développement
➔
➔
➔
Technique indépendante du nombre de composants !
Dopages
●
Au niveau global (wafer complet)
➢
Durant la croissance cristalline du lingot
➢
Epitaxie : croissance d’une couche de silicium en surface d’un wafer
➔
permet d’obtenir un niveau de dopage plus faible que celui du wafer
●
Au niveau local
➢
Nécessite un masquage (photolithographie)
➢
diffusion, implantation ionique
Source : Guillaume Paumier / Wikimedia Commons,

CC-BY-3.0, bâti d’epitaxie et four de diffusion

Finition des composants
●
Pour réduire la résistance électrique des
composants, on peut les amincir et ne garder
que la partie électriquement active (<100 μm)
●
La découpe permet de séparer les composants
du wafer
●
À partir de là, les traitements sont individuels
➔
coût/durée proportionnels au nombre de composants
Les étapes suivante sont le packaging (mise en boîtier).

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Matériaux et composants

Matériaux et composant (II) 1/130

Matériaux et composant (II) 2/130

La température maximale de fonctionnement appelée température

En général, le terme E0Imoy est nettement supérieur au terme R0 Ieff2

Une diode BYT08P est utilisée dans un convertisseur flyback.

Le courant qui la traverse est triangulaire de valeur crête 20A et

La diode est montée sur un refroidisseur par l’intermédiaire d’un

Le radiateur est fixé à l’extérieur du boîtier de

Le radiateur est fixé à l’extérieur du boîtier de

Le radiateur est fixé à l’extérieur du boîtier de

Matériaux et composant (II) 34/130

Matériaux et composant (II) 35/130

Le premier transistor (bipolaire) et son brevet

Le bon fonctionnement du transistor nécessite que

Le fonctionnement d’un transistor dépend du type de la polarisation des jonctions

Les électrons de l’Emetteur

Les électrons injectés dans la base

Effet amplificateur du courant

4 relations indépendantes sont

Exemple : polarisation directe de la base et

Modèle simple d'un transistor en Modèle d'Ebers-Moll d'un transistor

Coupe et Layout d’un

Matériaux et composant (II) 60/130

Cas encore plus particulier (très répandu):

A l'heure actuelle la technologie MOS a pris une extension considérable dans la

Il est donc particulièrement important de comprendre le fonctionnement de: la capacité

Nous allons tout d'abord nous intéresser à la structure Métal-Vide-

Mise en équilibre de la structure

Relions ces deux systèmes par un fil

une charge d'espace

Régime de Bande plate

Régime de Bande plate

(b) Flat band

(c) Désertion – déplétion

(d) Faible inversion

(e) Forte inversion

Accumulation des porteurs

Déplétion des porteurs à

Structure Métal Oxyde Semiconducteur de type N

Accumulation des porteurs

Cin Accumulation de porteurs

07/12/2021 Introduction aux semi-conducteurs

Matériaux et composant (II) 79/130

Matériaux et composant (II) 80/130

Téléphone portable Alimentation de PC

Station de conversion HVDC

Matériaux et composant (II) 82/130

Électronique signal : Électronique de puissance :

Matériaux et composant (II) 83/130

Passant (interrupteur fermé) Bloqué (interrupteur ouvert)

Dans les deux états, pas de puissance dissipée :

Matériaux et composant (II) 84/130

Représentation dans le plan (I, V )

Matériaux et composant (II) 85/130

Matériaux et composant (II) 86/130

Matériaux et composant (II) 87/130

Matériaux et composant (II) 88/130

Matériaux et composant (II) 89/130

Attention aux ordres de grandeur :

Matériaux et composant (II) 90/130

Les commutations causent :

Elles dépendent des composants mais aussi

image source : “Dispositifs de l’électronique de puissance”, J. Arnould et

Matériaux et composant (II) 92/130