DIFFUSION DANS LES

MATERIAUX SOLIDES
 - INTRODUCTION -

Diffusion = transport de masse à l’intérieur d’un solide par mouvement

des atomes

Diffusion = intervient dans plusieurs processus importants tels que

les traitements thermiques

Diffusion : phénomène activé par l’augmentation de T ⇒ augmentation

de la vitesse de diffusion des atomes

Intervention de plusieurs mécanismes lors de la diffusion atomique :

diffusion lacunaire, diffusion interstitielle
Exemple : diffusion atomique dans un couple de barres Cu – Ni à T élevée

Diffusion atomes Cu

Alliage Cu-Ni

Diffusion atomes Ni

1. Couple de diffusion Cu – Ni 4. Couple Cu – Nil après traitement à T

avant traitement à T élevée élevée, montrant la zone de diffusion alliée

2. Positions des atomes de Cu (cercles 5. Positions des atomes de Cu (cercles

rouges) et de Ni (cercles bleus) rouges) et de Ni (cercles bleus)
de Cu et de Ni

de Cu et de Ni
Concentration

Concentration

Position Position
3. Concentrations de Cu et de Ni en 6. Concentrations de Cu et de Ni en
fonction de la position dans le couple fonction de la position dans le couple
Des atomes de Cu ont diffusé dans Ni, et des atomes de Ni ont diffusé
dans Cu ≡ Interdiffusion ou diffusion d’impuretés

Autodiffusion = diffusion rencontrée dans les métaux purs, où tous

les atomes changeant de positions sont du même type

C
C
A D
A
D
B
B

Repérage de quelques Changement de positions

atomes (A, B, C, D) des atomes A, B, C et D
après un certain temps à T
élevée = autodiffusion
 - MECANISMES DE LA DIFFUSION -

Point de vue atomique : diffusion ≡ migration par étapes des atomes

d’un site du réseau cristallin à un autre site

Conditions de la diffusion :

1. Existence d’un site adjacent vide

2. L’atome doit avoir une énergie suffisante pour rompre les liaisons
avec ses atomes voisins et causer ensuite une distorsion du réseau
au cours du déplacement
 • DIFFUSION LACUNAIRE •
Déplacement d’un
atome substitutionnel

Lacune

Lacune

Echange d’un atome d’une position normale dans le réseau à un site

vacant adjacent du réseau ou une lacune

Importance de la diffusion lacunaire : dépend de la concentration en

lacunes (↑ avec T)

Autodiffusion et interdiffusion : se produisent à l’aide du mécanisme

de diffusion lacunaire
 • DIFFUSION INTERSTITIELLE •
Position d’un atome Position d’un atome
interstitiel avant diffusion interstitiel après diffusion

Migration d’atomes d’une position interstitielle à une autre voisine qui

est vide

Mécanisme rencontré pour l’interdiffusion d’impuretés suffisamment

petites pour se loger dans les positions interstitielles : H, C, N, O

Atomes interstitiels plus petits et donc plus mobiles + Existence de

plus de positions interstitielles vides que de lacunes ⇒ Diffusion
interstitielle plus rapide que la diffusion lacunaire
 - EXEMPLES DE PROCEDES
UTILISANT LA DIFFUSION -
• DURCISSEMENT SUPERFICIEL D’UN PIGNON •
- Exigences : résistance à l’usure
et à la fatigue de contact

- Nécessité d’une dureté superficielle

élevée

- Solution : traitement thermochimique

de cémentation de l’acier

- Diffusion du C d’une atmosphère

environnante vers la surface du pignon

- Durcissement d’une couche

superficielle du pignon
• DOPAGE DU SILICIUM AVEC DU PHOSPHORE
DANS LES SEMICONDUCTEURS •

1. Dépôt de couches riches en

silicium Phosphore sur la surface du silicium

2. Chauffage du semi-conducteur

Régions 3. Diffusion des atomes de P

dopées au P dans le silicium

4. Résultat : obtention de régions

Silicium dopées au P
• FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES •
0.5 mm
Support de circuit intégré
(observé au MEB)

Introduction du Silicium dans le

support par diffusion (régions
claires : atomes de Si)
Si dopé = semi-conducteur à la base de la
fabrication des éléments de circuits intégrés

Introduction de l’aluminium
dans le support par diffusion
(régions claires : atomes d’Al)
Al = conducteur liant les éléments du
circuit intégré ensemble
- DIFFUSION EN REGIME PERMANENT-

Diffusion : processus dépendant du temps

Vitesse de diffusion : exprimée par un flux J = masse (ou nombre

d’atomes) M diffusant à travers et perpendiculairement à une section
du solide d’aire unité par unité de temps

M
J=
At
Aire de la section à Temps de diffusion
travers laquelle la
diffusion se produit

Forme différentielle : 1 dM
J= kg / m2-s ou atomes / m2-s
A dt
Régime permanent : si le flux de diffusion ne change pas avec le temps

Exemple de diffusion en régime permanent : diffusion d’atomes d’un

gaz à travers une plaque de métal pour laquelle les concentrations (ou
les pressions) des espèces diffusantes sur les deux surfaces de la plaque
sont maintenues constantes

Plaque métallique mince

PA > PB et
constantes

Concentration espèces diffusantes, C

Gaz à la
pression PB

Direction de
Gaz à la
diffusion des
pression PA
espèces
gazeuses

Position, x

Aire, A
 Concentration
dC
Gradient de concentration =
dxmétallique mince
Plaque Position dans
PA > PB et
constantes le solide

Concentration espèces diffusantes, C

Diffusion en régime permanent : C(x) linéaire
Gaz à la
pression PB

∆C C A − C B
Gradient de concentration
Gaz à la = = Direction de

∆x x A − xB
diffusion des
pression PA
espèces
gazeuses

dC
J = −D
Position, x
1ère loi de Fick :
dx Aire, A

Coefficient de diffusion (m2/s)

Signe négatif dans la 1ère loi de Fick ≡ Diffusion des atomes des zones
de forte concentration aux zones de faible concentration
- DIFFUSION EN REGIME TRANSITOIRE -
Concentration des espèces diffusantes fonction à la fois du temps
et de la position : C = C(x,t)

espèces diffusantes
Concentration des

Position, x

Diffusion en régime transitoire : ∂C ∂ 2C

=D 2
utilisation de la 2ème loi de Fick ∂t ∂x

Solutions de la 2ème loi de Fick : possibles si les conditions aux

limites sont bien spécifiées
 Exemple de diffusion en régime transitoire : atomes de Cu diffusant
dans une barre en Al

Barre en Al
Concentration en surface,
Cs d’atomes de Cu Concentration préexistante, Co d’atomes de Cu (t = 0)

x
∞
0

Conditions aux limites : à t = 0, C = Co pour 0 ≤ x ≤ ∞

à t > 0, C = CS pour x = 0 (Concentration en
surface constante)
C = Co pour x = ∞

C (x , t ) − Co  x 
Solution : = 1 − erf  
Cs − Co  2 Dt 

erf ( z ) =
2 z
− y2
avec :
π ∫0
e dy Fonction Gaussienne d’erreur
 CS

C(x,t)

Co

Valeurs de la fonction Gaussienne d’erreur

 - FACTEURS DE LA DIFFUSION -
• ESPECES DIFFUSANTES •
Valeur du coefficient de diffusion D : indicative de la vitesse à laquelle
les atomes diffusent

Espèces Métal Energie d’activation Qd Valeurs calculées

diffusantes hôte Do (m2/s) kJ/mole eV/atome T(°C) D (m2/s)

(CC)

(CFC)
 • TEMPERATURE •

T ↑ ⇒ Vitesse de diffusion et coefficient de diffusion ↑

 Q 
D = Do exp − d 
 RT 
D = coefficient de diffusion [m2/s]
Do = constante pré-exponentielle [m2/s]
Qd = énergie d’activation [J/mole or eV/atome]
R = constante des gaz parfaits [8.314 J/mol-K]
T = température absolue [K]
 Qd  1 
log D = log D0 −  
2.3R  T 

D0, Qd et R constants ⇒ log D – (1/T) droite

1500

1000

600

300
T(°C)
10-8

D (m2/s)
Dinterstitiel >> Dsubstitutionnel

10-14 C dans α-Fe Al dans Al

C dans γ-Fe Fe dans α-Fe
Fe dans γ-Fe

10-20 1000
0.5 1.0 1.5
T (K )