ÉLECTRONIQUE

DE PUISSANCE
Service de Génie Electrique – FPMs

Dr. O. Deblecker
Transparents du cours - Ed. 2006
Electronique de puissance ?

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 Electronique Industrielle

Elaboration et Conversion de
transfert de Electronique de réglage Electronique
la forme de l’énergie
signaux de commande et de commande de puissance électrique

Moyens ?
Composants
Modules standards
de puissance

A + B

Convertisseurs statiques

Machines électriques,
Microprocesseur Système complet
thermiques, hydraul., etc.

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 Objectif

Produire des convertisseurs d’énergie pour qu’une

charge utilisatrice reçoive exactement l’énergie qui lui
faut, sous une forme adaptée, à partir du source
primaire donnée d’énergie

Quelques watts plusieurs mégawatts

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 Champ d’applications (1/4)
1. Alimentations continues à découpage et
alimentations sans interruptions (ASI)

Schéma d’une ASI fonctionnant en attente passive dite « off-line »

(Extrait de la Collection Technique Schneider-Electric: « Protection des personnes et alimentations statiques »
http://www.schneider-electric.com/cahier_technique/fr/pdf/ct129.pdf)

2. Economies d’énergie

Débit de pompe ajusté à l’aide d’une vanne d’étranglement Vitesse de la pompe ajustée en fonction du débit nécessaire
(la vitesse de rotation de la pompe est maintenue constante)

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 Champ d’applications (2/4)
3. Contrôle de procédés et
automatisation :
actionneurs en robotique

4. Applications électrotechniques :
chauffage par induction

Extrait de http://www.inductotherm.com

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Champ d’applications (3/4)
5. Transports

Extrait de http://www.greenpropulsion.be

Schéma de puissance de la locomotive BB36000

sous caténaire alternative 25kV/50 Hz

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 Champ d’applications (4/4)
6. Applications liées au réseau

Laison HVDC (Réf. ABB)

Energies renouvelables
Extrait de http://www.tic.toshiba.com.au

Dispositifs FACTS. Exemple:

SVC -80/+150 MVar, sous-station Ross
(Australie)

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 Plan général du cours

Composants de puissance (actifs, passifs)

Convertisseurs statiques

Redresseur

AC Onduleur DC
Convertisseur
Cycloconvertisseur, de fréquence Hacheur direct
gradateur

AC Hacheur indirect DC
(isolé)

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Composants à semi-conducteur

Fonction d’interrupteur

Composant non commandé : la diode

Composants commandés
− en courant : thyristor, GTO, triac,
transistor bipolaire
− en tension : MOSFET, IGBT

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 La diode

Composant non commandé
Phénomène de claquage

Technologie adaptée
Temps inverse de recouvrement

Deux états distincts
Catégories de diodes

Idéal

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 Le Thyristor (1/2)

Composant semi commandé
100 V < U < 1 kV (50 Hz)

(à l’allumage)
Amorçages intempestifs

Composant spécifique le
Phénomène de claquage
plus ancien
Temps de repos tq

Trois états distincts

P commande << P pilotée

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 Le thyristor (2/2)

Idéal

IL : courant d’accrochage
IH : courant de maintien

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 Le thyristor GTO

"Gate Turn Off Thyristor"
P allumage << P pilotée

Composant commandé à
P blocage importante !
l’allumage ET au blocage (solution : IGCT)

Trois états distincts
U > 1 kV (BF)

Idéal

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 Le triac

Intégration de deux
Sensibilité accrue aux dV/dt
thyristors en tête bêche (amorçages intempestifs)

Électrode de gâchette
Applications domestiques
commune (50 Hz)

Composant assez lent mais
peu coûteux

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 Le transistor bipolaire

Technologie adaptée

Composant commandé à
l’allumage ET au blocage

Deux états distincts (bloqué
et saturé)

β = IC/IB faible si saturé !
(→ montage Darlington)

N’est quasiment plus utilisé

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 Le transistor MOSFET

"Metal Oxide Silicon Field
Pouvoir de conduction
Effect Transistor" inverse

Composant commandé à
U < 100 V (qq 100 kHz !)
l’allumage ET au blocage
Chute de tension VDS, on

Commande en tension élevée
(→ P commande ≅ 0 !)

ON
RDS,on constante

VGS ≥ 0 OFF

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 Le transistor IGBT

"Insulated Gate Bipolar
Capacité de traitement
Transistor" d’énergie du T bipolaire

MOSFET + T bipolaire
100 V < U < 1 kV (HF)

Composant entièrement
Chute de tension VCE, on plus
commandé importante que T bipolaire

Commande en tension
(→ P commande ≅ 0 !)

ON

OFF
VGE ≥ 0

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Pertes des composants (1/2)

Interrupteur S commuté à
fréquence f

Evolutions linéarisées de
uS et iS par cycle

Puissance instantanée
dissipée dans S

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 Pertes des composants (2/2)

Pertes en commutation : Pc =
EI 0
2
(
⋅ f ⋅ tc ,on + t c ,off )

Pertes en conduction : Pon = U 0 I 0 ⋅ f ⋅ t on

Pertes à l’état bloqué : Poff ≅ 0

Température silicium Performances

Limiter la température du composant ! (refroidisseurs)

Fréquence f limitée

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 Protection des composants

Nécessité de limiter : I, V, dI /dt, dV /dt + pertes

Surtension au blocage / surintensité à l’allumage

Surtensions et surintensités accidentelles

Risque d’amorçage intempestif si dVAK /dt > gradient limite
(thyristor)

Court-circuits ? Disjoncteurs ou fusibles rapides (thyristors
classiques et GTO, triac) ou protection active (IGBTs)

A la mise en conduction : dIA/dt max. (J localement
destructrice)

Pertes importantes si présence simultanée de V et I élevés lors
des commutations
Utilisation de circuits « snubber » ou recours à la commutation
douce (convertisseurs résonnants par exemple)

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 Comparaison des composants
Composant Thyristor GTO Triac GBTR MOSFET IGBT

Tension 5-7 kV 4,5 kV 1 kV 1,4 kV 0,2 – 1 kV 6,5 kV

Courant
4 kA 4 kV 100 A qq 100 A 100 – 10 A 1200 A
moyen
Temps de qq µs à qq µs à qq 100 ns qq 10 ns à
#1 µs
commutation 100 µs 25 µs à qq µs 100 ns
Mise en
oui non oui oui
parallèle

Mise en série oui non non non

Protection
court- fusibles fusibles fusibles active active active
circuits
tension en tension en
Pertes conduction conduction
élevée élevée
augmentation augmentation
Evolution nulle IGCT disparition tension tension
maximale maximale

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Evolution des composants (1/2)

Composants silicium
− Composants actuels proches des limites physiques
− Evolution essentielle ne concerne plus les caractéristiques
principales (tenue en tension, en courant, etc.) MAIS tout
ce qui a trait à l’extérieur (boîtiers, commande, protection,
facilité d’utilisation, etc.)

Intégration de puissance :
− Réalisation de « composants perfectionnés »
− Réalisation de « systèmes »

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Evolution des composants (2/2)

Composants carbure de silicium (SiC)
− Nouveau matériau ouvrant des perspectives très
intéressantes à long terme
− Avantages :
− Champ électrique 10x plus élevé que dans le silicium, ce qui associé à
d’autres caractéristiques, permet d’obtenir, avec des tensions élevées,
une résistance spécifique beaucoup plus faible que celle du silicium
− Le SiC offre la possibilité de travailler à des températures plus élevées
que le silicium

− Inconvénient principal : densité de défauts dans le

matériau de base très élevée (puces qq mm² au max.)
→ obstacle majeur
− Composants disponibles à l’heure actuelle :
− Diodes Schottky ultrarapides (I<10 A, V<1,2 kV, U0 = 1,65 V)
− Transistors JFET 1,5 kV

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