2.5.2 Teora de bandas.

Teora de bandas
La teora de bandas constituye una explicacin alternativa del comportamiento de los materiales semiconductores. Se basa en el hecho de que los electrones de un tomo aislado se distribuyen segn ciertos niveles energticos, denominados rbitas u orbitales, en torno al ncleo. Cuando los tomos se unen unos con otros para formar un slido, se agrupan de manera ordenada formando una red cristalina. En este caso, debido a la proximidad de los tomos entre s, las rbitas en las que se encuentran los electrones de cada tomo se ven afectadas por la presencia de los tomos vecinos. De hecho, dichas rbitas se solapan entre s, dando lugar a la aparicin de unas zonas o bandas contnuas en las que se pueden encontrar los electrones, y que reciben el nombre de bandas de energa.

La banda de valencia: est ocupada por los electrones de valencia de los tomos, es decir, aquellos electrones que se encuentran en la ltima capa o nivel energtico de los tomos. Los electrones de valencia son los que forman los enlaces entre los tomos, pero no intervienen en la conduccin elctrica. La banda de conduccin: est ocupada por los electrones libres, es decir, aquellos que se han desligado de sus tomos y pueden moverse fcilmente. Estos electrones son los responsables de conducir la corriente elctrica.

En consecuencia, para que un material sea buen conductor de la corriente elctrica debe tener electrones en la banda de conduccin. Cuando la banda est vaca, el material se comportar como un aislante. Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una zona denominada banda prohibida o gap, que separa ambas bandas y en la cual no pueden encontrarse los electrones. La idea central que subyace en la descripcin de la estructura electrnica de los slidos metlicos es la de que los electrones de valencia de cada tomo se distribuyen a travs de toda la estructura. Este concepto se expresa, de una manera ms formal, haciendo una simple extensin de la Teora de Orbitales Moleculares, en la que el slido se trata como molcula infinitamente larga. Estos principios pueden tambin aplicarse a la descripcin de slidos no metlicos como los slidos inicos o los slidos moleculares.

Formacin de la banda mediante el solapamiento orbital. El solapamiento de un gran nmero de orbitales atmicos conduce a un conjunto de orbitales moleculares que se encuentran muy prximos en energas y que forman virtualmente lo que se conoce como una banda. Las bandas se encuentran separadas entre s mediante espacios energticos a los que no les corresponde ningn orbital molecular (Figura 2).

Figura 2. La estructura electrnica de un slido se caracteriza por la existencia de bandas de orbitales.

Para poder visualizar la formacin de una banda considrese una distribucin lineal de tomos (slido unidimensional), separados todos a la misma distancia (a), en los que cada tomo posee un orbital de tipo s. Cada orbital de tipo s de un tomo solapar con el orbital s del tomo vecino. As, si slo hubiera dos tomos en el conjunto el solapamiento conducira a la formacin de 2 orbitales moleculares, uno de enlace y otro de antienlace. Si tenemos 3 tomos, el solapamiento de los 3 orbitales de tipo s originara la formacin de 3 orbitales moleculares, de enlace, de no enlace y de antienlace. A medida que se van aadiendo tomos al conjunto cada uno contribuye con su orbital molecular al solapamiento y en consecuencia se obtiene un nuevo orbital molecular. As, cuando el conjunto est formado por N tomos se obtienen N orbitales moleculares. El orbital molecular de menor energa no presenta ningn nodo entre los tomos vecinos, mientras que el orbital molecular de mayor energa presenta un nodo entre cada par de tomos vecinos.

Los restantes orbitales van teniendo sucesivamente 1, 2, 3... nodos internucleares y sus energas estn comprendidas entre la del orbital ms enlazante (de menor energa) y la del ms antienlazante (mayor energa). La diferencia de energa entre los N orbitales moleculares es tan pequea que se forma una banda o continuo de niveles de energa. La anchura total de la banda depende de la fuerza de la interaccin entre los orbitales atmicos de los tomos vecinos, de forma que, cuanto mayor sea la interaccin, mayor ser el solapamiento entre los orbitales y mayor ser la anchura de la banda resultante (o separacin entre el orbital molecular ms enlazante y el ms antienlazante). La anchura de una banda es, por lo general, una medida del grado de localizacin del enlace. Una banda estrecha representa un alto grado de localizacin de un enlace y a medida que se va haciendo ms ancha los enlaces se hacen ms deslocalizados.

Figura 3. Formacin de una banda de orbitales moleculares.

La banda que se ha descrito se ha formado a partir del solapamiento de orbitales s y se denomina, por tanto, banda s (Figura 4). Si en los tomos existen orbitales de tipo p disponibles, stos pueden solapar originando una banda p (Figura 5). Como los orbitales p poseen mayor energa que los orbitales s de la misma capa, se observa a menudo la separacin entre la banda s y la banda p. Pero si las bandas son anchas y las energas de los orbitales s y p de la misma capa no difieren mucho entonces ambas bandas se solapan (Figura 6). Este solapamiento es el responsable de que los elementos del grupo 2 de la Tabla Peridica tengan un comportamiento metlico. De la misma forma, la banda d est formada por el solapamiento de orbitales atmicos d.

Figura 4. Orbitales moleculares y banda s.

Figura 5. Orbitales moleculares y banda p.

Figura 6. (a) y (b) Bandas s y p, que pueden solapar o no, dependiendo de la anchura. (c) Niveles ocupados y nivel de Fermi a o K.