ISET de Bizerte AU : 2022 – 2023

Architecture des ordinateurs

Groupe(s) : TI 11 & 15
Responsable(s) : A. Laouini

Chapitre 2
La mémoire centrale

Un ordinateur admet deux caractéristiques essentielles : la vitesse avec laquelle il traite un

grand nombre d’informations et la capacité de mémoriser ces informations.
Il existe différentes zones de stockage de l’information au sein de l’ordinateur : registres,
mémoire centrale, mémoire secondaire, … Chacun de ces espaces se différencie par des
caractéristiques porpres (capacité, adressage, méthode d’accès, performance, ...)
1) Définitions & Terminologie

✗ Mémoire
Une mémoire est un dispositif capable d’enregistrer, conserver et restituer des informations
codées en binaire dans un ordinateur.
✗ Mémoire centrale
Appelée aussi mémoire principale, elle contient les instructions et les données des
programmes à exécuter.
✗ Mot mémoire
Pour accéder à la mémoire centrale, on doit lire ou écrire un ensemble de bits de taille fixée
à l’avance. Ce lot de bits à accéder soit en lecture ou en écriture s’appelle mot mémoire.
✗ Accès en lecture et écriture
L’accès en entrée vers la mémoire centrale s’appelle écriture. De même, l’accès en sortie
s’appelle lecture.
2) Organisation d’une mémoire

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La mémoire centrale est constituée d’un ensemble de cellules. Chaque cellule correspond à
un mot mémoire unique appelée adresse et possède un contenu pouvant être une instruction
ou une donnée.
Remarque :
Une adresse sur n bits (bus d’adresse formé de n fils) peut sélectionner au maximum 2 n
cases mémoires.
Le nombre de fils dans le bus de données définit la largeur d’un mot mémoire.

Figure 1. Organisation de la mémoire

3) Caractéristiques des mémoires
✗ Capacité :
La capacité ou la taille de la mémoire correspond au nombre d’informations qu’elle peut
contenir. Elle est généralement exprimée en octets ou en nombre de mots mémoire.
Les unités les plus utilisés sont :
1 octet = 23 bits
1 Kilo octet (Ko) = 210 octets = 1024 octets
1 Méga octets (Mo) = 220 octets = 1048576 octets
1 Giga octets (Go) = 230 octets = 1073741824 octets
1 Téra octets (To) = 240 octets = 1099511627776 octets
✗ Temps d’accès :
C’est le temps qui s’écoule entre le début de l’opération d’accès et son achèvement. Dans la
pratique et pour plusieurs type de mémoire centrale, le temps que demande une opération de
lecture peut être différent de celui d’une opération d’écriture. Dans ce cas, on compte le
temps le plus long.

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 ✗ Cycle mémoire :
C’est le temps minimal s’écoulant entre deux accès successifs à la mémoire (supérieur au
temps d’accès à cause des opérations de synchronisation, de rafraîchissement, ...)
✗ Volatilité :
Elle caractérise la permanence des informations dans la mamoire centrale. Une mémoire
volatile perd son contenu lorsqu’on coupe le courant. Celle-ci a donc besoin d’un apport
constant d’énergie électrique pour conserver ses informations. La mémoire à base de
transistors est volatile. On peut réaliser des mémoires non volatiles avec les transistors
moyennant un générateur de courant électrique (batterie).
✗ Mode d’accès :
C’est le mode avec lequel les mots mémoires sont accessibles. On distingue deux principaux
types d’accès :
Accès séquentiel : c’est l’accès le plus lent pour accèder à une information il faut lire toutes
celles qui précèdent par exemple les bande magnétiques.
Accès direct ou aléatoire : les informations ont une adresse bien déterminée. Ce qui permet
de les accèder directement.
✗ Débit :
C’est le nombre d’informations (exprimées en bits) lues ou écrites par seconde. Il est
exprimé en fonction du cycle mémoire (CM) et de la taille du mot mémoire (TMM) comme
suit :
D = TMM / CM
4) Lecture / Ecriture d’une mamoire

Les entrées d’adresses Les sorties de données

Les entrées
de contrôle :
- Une entrée de sélection
de lecture ou d’écriture(R/W)
- Une entrée de sélection
du circuit
(CS)

Les entrées de données

Figure 2. Fonctionnement général d’une mémoire
Une opération de lecture ou d’écriture suit le même cycle :
(1) Choisir l’adresse en mémoire qui donne l’accès à un emplacement mémoire pour une
opération de lecture ou d’écriture
(2) Choisir une opération de lecture ou d’écriture (R/W)

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 (3) Sélectionner le boîtier mémoire (Chip Select CS)
(4) Valider ou invalider la mémoire. Le signal de sélection du boîtier CS valide les
fonctions d’écriture et de lecture. Le boîtier est bloqué pour CS=1. Lorsque CS=0,
une fonction d’écriture correspond à R/W=0 et une fonction de lecture correspond à
R/W=1.
Remarque :
Les entrées/sorties de données sont regroupées sur des bornes bidirectionnelles.
5) Différents types de mémoires
a) Classification des mémoires
Les mémoires peuvent être classées en trois catégories selon la technologie utilisée :
✗ Mémoires à semi-conducteurs (mémoire centrale, ROM, PROM, …) qui sont très
rapides mais de taille très réduit
✗ Mémoires magnétiques (disque dur, …) qui sont moins rapides mais qui stocke un
volume très important de données
✗ Mémoire optique tels que CDROM, DVD, …

b) Différents types de mémoires à semi-conducteurs

Depuis les années 70, les mémoires à semi-conducteurs constituent les éléments de base de
toute mémoire centrale. Le principe de base de ces mémoires est d’utiliser des bistables
comme point mémoire. Un bistable est un circuit possédant deux états stables constitué de 4
transistors.

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 i. Mémoires vives ou RAM (Random Access Memory)

La mémoire vive est utilisable pour écrire ou lire des informations à tout moment par
l’utilisateur. Elle constitue la plus grande partie de la mémoire centrale d’un ordinateur. Elle
sert au stockage temporaire des données. Elle doit avoir un temps de cycle (temps qui
s’écoule entre l’instant où a été lancée une opération de lecture / écriture en mémoire et
l’instant où la première information est disponible sur la bus de données) très court pour ne
pas ralentir le microprocesseur.
Il existe deux technologies de fabrication des mémoires vives (RAM) : les RAM statiques et
les RAM dynamiques.
✗ SRAM (Static RAM)
C’est la mémoire vive statique. Les mémoires statiques n’utilisent pas de condensateurs :
chaque cellule binaire est réalisée à l’aide de 4 transistors formant un bistable.
Les SRAM permettent des temps d’accès plus court que les DRAM, mais sont plus
coûteuses car leur construction demande 4 fois plus de transistors que les DRAM.
Elles garantissent la mémorisation de l’information aussi longtemps que l’alimentation
électrique est maintenue sur la mémoire.
Les SRAM sont utilisées lorsque l’on désire maximiser les performances, par exemple pour
construire des mémoires caches ou les registres.
✗ DRAM (Dynamic RAM)
C’est la mémoire vive dynamique dont l’information doit être rafraîchie périodiquement.
Ces mémoires sont réalisées uniquement en technologie MOS. Un point mémoire est
constitué d’un transistor couplé à un condensateur. L’état chargé ou déchargé du
condensateur permet de distinguer deux états (bit 0 ou bit 1) par exemple +5 volts représente
1 et -5 volts représente 0.
Le condensateur se décharge progressivement, entraînant la perte de l’information. Il faut,
périodiquement, lire le signal (la charge du cendensateur), l’amplifier et le réécrire.
Les avantages de ce type de mémoire sont : fabrication plus simple, densité d’intégration
plus grande, coût par bits moins élevé. Alors que l’inconvénient majeur est d’avoir à
supporter la logique de rafraîchissement.
Les DRAM sont utilisées en mémoire centrale.
ii. Mémoires mortes
La mémoire morte sert au stockage permanent des informations même en cas de rupture
d’alimentation électrique, elles sont non volatiles.

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La mémoire morte ne peut être que lue, néanmoins, il est possible pour certaines ROM
d’écrire : on parle de programmation.
On distingue plusieurs types de mémoires mortes :
✗ ROM (Read Only Memory)
Circuit intégré dont le contenu est déterminé une fois pour toute au moment de la
fabrication. Son contenu est imposé par le constructeur.
Le coût relativement élevé de leur fabrication impose une fabrisation en grande séries, ce
qui complique la mise à jour de leur contenu. Au départ, ces mémores étaient utilisées pour
stocker les parties bas-niveau du système d’exploitation de l’ordinateur (BIOS du PC par
exemple).

✗ PROM (Programmable ROM)

Alors que la mémoire ROM est enregistrée de manière définitive lors de sa fabrication, la
mémoire PROM est configurée par l’utilisateur en utilisant un programmateurde PROM,
utiilisé pour enregistré son contenu. Le circuit PROM ne peut plus être modifié par la suite.
✗ EPROM (Erasable PROM)
Les mémoires EPROM sont des PROM reconfigurables : il est possible de les effacer pour
les reprogrammer. L’effacement se produit en exposant le boîtier à un fort rayonnement
ultraviolet (UV). Pour cela, le boîtier est percé d’une fenêtre transparente permettant
l’exposition du circuit intégré. L’opération d’effacement nécessite de retirer l’EPROM de
son support en entraîne son immobilisation pendant environ 30 minutes.
✗ EEPROM (Electrically EPROM)
Même principe qu’une EPROM, mais l’effacement se fait à l’aide de signaux électriques, ce
qui est plus rapide et pratique.
✗ Flash EPROM
Les mémoires Flash sont similaires aux mémoires EEPROM, mais l’effacement peut se
faire sélectivement par blocs et ne nécessite pas le démontage du circuit. Le temps d’écriture
d’un bloc de méoire Flash est beaucoup plus grand que celui d’écriture d’une mémoire
RAM, mais du même ordre que celui d’un disque dur. On utilise donc parfois des cartes de
mémoire Flash comme mémoires secondaires.

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 6) Principe de fonctionnement de la mémoire
La mémoire centrale peut être vu comme un large tableau de mots ou octets où un mot
mémoire permet de stocker une information sur n bits. Chaque mot mémoire contient
plusieurs cellules mémoire qui permet de stocker un seul bit. D’autre part, chaque mot
possède sa propre adresse qui représente un numéro unique permettant d’accéder au mot
mémoire associé.
Les adresses des mots mémoires sont séquentielles et la taille de chacun dépend de la
capacité de la mémoire.
La structure physique d’une mémoire centrale est comme suit :

Figure 3. Architecture physique d’une mémoire

✗ RAM (Registre d’Adresse Mémoire) : stocke l’adresse du mot à lire ou à écrire
✗ RIM (Registre d’Information Mémoire) : stocke l’information lu à partir de la
mémoire (après une opération de lecture) ou l’information à écrire dans la mémoire
(avant une opération d’écriture)
✗ Décodeur : permet de sélectionner un mot méoire
✗ R/W : commande de lecture/écriture qui permet de lire ou d’écrire dans la mémoire
( si R/W=1 alors lecture sinon écriture)
✗ Bus d’adresses de taille k bits
✗ Bus de données de taille n bits
Lorsqu’une adresse est chargée dans le registre RAM, le décodeur va recevoir la même
information que celle du RAM. À la sortie du décodeur nous allons avoir une seule sortie
qui est active. Cette sortie va nous permettre de sélectionner un seul mot mémoire.

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 Figure 4. Lecture d’un mot mémoire
K : la taille du bus d’adresses (taille du registre RAM)
N : la taille du bus de données (taille du registre RIM ou la taille d’un mot mémoire)
On peut exprimer la capacité de la mémoire centrale soit en nombre de mots mémoire ou en
bits (octets, kilo octets, …)
Exemple :
dans une mémoire la taille du bus d’adresses est K=14 et la taille du bus de données est n=4.
Calculer la capacité de cette mémoire ?
C=214=16384 mots mémoires de 4 bits
C=214*4=65536 bits=8192 octets=8Ko
Pour lire une information en mémoire centrale, il faut effectuer les opérations suivantes :
✗ Charger dans le registre RAM l’adresse du mot à lire
✗ Lancer la commande de lecture (R/W=1)
✗ L’information est disponible dans le registre RIM au bout d’un certain temps (temps
d’accès)
Pour écrire une information en mémoire centrale, il faut effecture les opérations suivantes :
✗ Charger dans le RAM l’adresse du mot où se fera l’écriture
✗ Placer dans le RIM l’information à écrire

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 ✗ Lancer la commande d’écriture pour transférer le contenu du RIM dans la mémoire.
7) Critères de choix d’une mémoire
Les prinicipaux critères à retenir pour réaliser un bon chois de mémoire sont la capacité, la
vitesse, la consommation d’énergie et le coût.
8) Hiérarchie des mémoires
Les éléments de mémoire d’un ordinateur se répartissent en niveaux en fonction de leurs
capacité, temps d’accès et coût. La Figure 5. illustre les différents types de mémoires et
montre la hiérarchie entre les niveaux.
Quand on s’éloigne de l’unité centrale de traitement UCT (ou microprocesseur) vers les
mémoires auxiliaires, le temps d’accès et la capacité des mémoires augmentent, mais le coût
diminue.
✗ Registres
Les éléments de mémoire situé dans le microprocesseur sont les registres sui sont
caractérisés par une grande vitess et servent principalement au stockage des opérandes et
des résultats intermédiaires.
✗ Mémoire cache
C’est une mémoire rapide de faible capacité (par rapport à la mémoire centrale) utilisée
comme espace de stockage intermédiaire entre le processeur et la mémoire centrale. Cette
mémoire permet au processeur de faire moins d’accès à la mémoire centrale et ainsi de
gagner du temps.
✗ Mémoire centrale
C’est l’organe principal de rangement des informations manipulées par le processeur. Pour
exécuter un programme (données + instructions), il faut le charger en mémoire centrale. Son
temps d’accès est beaucoup plus grand que celui des registres et de la mémoire cache.
✗ Mémoire auxiliaire
Appelée aussi mémoire de masse. Ils sont des mémoires de grandes capacité et de coût
relativement faible. Elles sont utilisées pour le stockage permanent et utilisent pour cela des
supports magnétiques (disques durs) et des supports optiques (disque optique).

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Figure 5. Hiérarchie d’une mémoire

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