MATERIALES ELECTRICOS

TRABAJO PRCTICO N 4

MATERIALES SEMICONDUCTORES

1- Para un semiconductor de Silicio Intrnseco, calcular a las siguientes temperaturas T = -50C, 0C, 50C, 100C, 150C y 200C: a) la densidad de electrones y huecos (Concentracin Intrnseca), b) Movilidades de huecos y electrones, c) la resistividad del Silicio intrnseco. Recomendamos que use una planilla Excel. Graficar 2- Para un semiconductor de Silicio Intrnseco a)Cunto vale la relacin entre las conductibilidades de electrones y huecos? b) Qu campo elctrico debera aplicar para que circulara 1 mA/cm2? d)A partir de qu densidad de corriente, en Silicio Intrnseco, la velocidad de deriva no aumenta ms (satura)? (de Millman y Halkias prrafo 2-5) 3- Calcule para qu temperaturas (en K) ni (concentracin intrnseca) adopta los siguientes valores: 1E14 cm-3 1E15 cm-3 1E16 cm-3 1E17 cm-3 1E18 cm-3 1E19 cm-3 Nota: por el tipo de funciones, recomendamos que haga iteraciones con la planilla Excel. 4- Calcular el nivel de Fermi (EF) para el Silicio intrnseco. 5- Que error cometo si considero que en el Silicio intrnseco el nivel de Fermi se encuentra en la mitad de la banda prohibida. 6- En un alambre de Cobre de 1 mm^2 de seccin, para aproximadamente J = 100 A/cm2 el material se funde. El campo necesario para fusin es del orden de 20 mV/cm. Por qu el silicio soporta campos muchos mayores sin fundirse? 7- Para un semiconductor de Silicio Extrnseco: Calcular la resistividad si se contamina con impurezas donadoras a)ND = 1E14 cm-3, ND = 1E15 cm-3, ... hasta ND = 1E19 cm-3 Todo a 3090K CARACTERSTICAS DEL SILICIO EN FUNCIN DE LAS CONTAMINACIONES, A 300 K NA ND cm-3 1E14 1E15 1E16 1E17 3E17 1E18 3E18 1E19 Mayoritarios 1E14 1E15 1E16 1E17 3E17 1E18 3E18 1E19 Minoritarios 1E6 1E5 1E4 1E3 333 100 33 10 n cm2/V*seg 1358 1345 1248 801 521 270 158 115 p cm2/V*seg 461 458 437 331 242 148 93 68 8- Calcular la resistividad del Si Extrnseco contaminado con impurezas aceptoras con a) NA = 1E14 cm-3, NA = 1E15 cm-3,... hasta NA = 1E19 cm-3. 9- Corregir por temperatura entre -50C y 200C las expresiones anteriores. 10- Usando los resultados de los problemas anteriores, hacer un grafico de resistividad del Si extrnseco en funcin de la temperatura destacando: a) la temperatura a la cual se ionizan las impurezas extrnsecas b) la zona de funcionamiento extrnseca o metlica y c) la temperatura intrnseca.

Gua de estudio Semiconductores Intrnsecos

11- Cual es el origen de las bandas en un slido? 12- Cual es la diferencia en la estructura de bandas de un: aislador, semiconductor, metal? Dibujar diagrama y dar ordenes de magnitud de EG. 13- Explicar que se entiende por funcin de distribucin de Fermi-Dirac 14- Definir el nivel de Fermi. 15- Para que tipo partculas se aplica la funcin de probabilidad de Fermi Dirac. 16- Cual es la diferencia entre un metal y un semiconductor intrnseco desde el punto de vista de la ubicacin del nivel de Fermi, bandas de energa, densidad de portadores y conductividad? 17- Explicar conceptualmente que es un semiconductor intrnseco. 18- Explicar conceptualmente que es un hueco en un semiconductor. Utilizar el modelo de bandas de energa y el modelo corpuscular. 19- De que manera vara la densidad de estados permitidos N(E) con E para los electrones en un semiconductor? Compare con un metal. 20- Como calcula la densidad de portadores en un semiconductor. Explique. 21- Explicar el significado de ni y su dependencia con T.

Semiconductores Extrnsecos
22- Explicar conceptualmente que es un semiconductor extrnseco. Aclarar que son Impurezas donadoras y aceptoras. Cules son las mas utilizadas?. Explicar quienes son los portadores mayoritarios y los portadores minoritarios. 23- Cmo vara la concentracin de mayoritarios y minoritarios en un semiconductor extrnseco cuando aumenta la concentracin de impurezas? por qu? 24- Cmo vara la concentracin de mayoritarios y minoritarios en un semiconductor extrnseco cuando aumenta la temperatura? por qu? 25- Cmo varia la concentracin de electrones en un conductor, cuando aumenta la temperatura? por qu? 26- Cmo vara el tiempo medio entre choques con el aumento de la temperatura en un semiconductor? por qu? 27- Cmo vara el tiempo medio entre choques con el aumento de la contaminacin de impurezas en un semiconductor? por qu? 28- Cmo vara la movilidad con el aumento del campo elctrico? por qu? Hacer un grafico 29- Cmo vara la movilidad con la temperatura? por qu? Hacer un grafico con los valores de la tabla 30- Cmo justifica la gran diferencia de conductibilidad entre el Cobre y el Silicio intrnseco? 31- En los semiconductores tenemos dos fenmenos de generacin de portadores: generacin intrnseca y generacin extrnseca. Cules son las diferencias entre ambos? Qu genera cada uno? Cul mecanismo predomina y por qu? 32- De la interaccin entre generacin intrnseca, extrnseca y recombinacin, se llega a concentraciones de mayoritarios y minoritarios en equilibrio trmico. Cuando se producen aumentos de temperatura a partir de la temperatura de equilibrio: qu concentracin de portadores aumenta ms rpido, la de mayoritarios o la de minoritarios? Por qu? 33- Cul es la diferencia entre un semiconductor intrnseco y un extrnseco desde el punto de vista de la ubicacin del nivel de Fermi? 34- Cmo es el grado de ocupacin del diagrama de bandas a cero grado Kelvin en conductores, aisladores y semiconductores? Por qu? 35- Para qu temperatura un semiconductor extrnseco se comporta como intrnseco? por qu? 36- Hacer un grafico de variacin de la resistividad de un semiconductor extrnseco con la temperatura. Mostrar la ionizacin de las impurezas y la temperatura intrnseca. 37- Si aumento la contaminacin de un semiconductor, la temperatura a la que se comienza a comportar como intrnseco aumenta o disminuye? por qu? 38- Qu concentracin de portadores crece ms rpido cuando aumenta la temperatura: mayoritarios o minoritarios? por qu? 39- Qu relacin existe entre el Calor de Joule (P = R*I2) y el modelo de conduccin por movilidad? por qu? 40- Distintos materiales, (Cu y Si) mostrarn diferentes movilidades ante el mismo campo elctrico aplicado? por qu? 41- En qu casos se manifiesta la saturacin de velocidad de deriva por influencia del campo elctrico? por qu? 42- Por qu midiendo la corriente con un ampermetro, no puedo distinguir si est producida por electrones o por huecos? qu mtodo de medicin debera usar para detectar la diferencia de portador?