Cours d’Electronique de puissance-L3 Electromécanique Année universitaire 2020-2021

Chapitre 1
Semi-Conducteurs de puissance

L’élément de base dans un convertisseur est sans doute le dispositif semi-conducteur, appelé
interrupteur de puissance (power switch), il s’agit simplement des diodes, des thyristors et
transistors.
Un interrupteur de puissance est représenté de manière idéale sur la Figure 1.1. On distingue
deux états possibles ;
Etat ON (interrupteur fermé) : dans ce cas, la tension de sortie v output égale à la tension de
d’entrée v input.
Etat OFF (interrupteur ouvert) : dans ce cas, la tension de sortie v output égale zéro

état-OFF

v input v output
état-ON

Figure 1.1 Interrupteur de puissance idéale.

1.1 Classification
En fonction du contrôle de l’état de l’interrupteur on peut classer les semi-conducteurs de
puissance comme suit :
- Semi-conducteur non commandable : L’état est directement dicté par la tension
d’entrée (on ne peut pas contrôler son état par un signal auxiliaire). La diode rentre dans
cette catégorie.
- Semi-conducteur semi-commandable : On ne peut contrôler que la fermeture,
l’ouverture reste imposée par la tension d’entrée. Dans cette catégorie, on trouve le
thyristor
- Semi-conducteur entièrement commandable : les deux états sont contrôlables par un
signal auxiliaire. On note ici le transistor et le thyristor GTO.

1.2 Caractéristiques des semi-conducteurs de puissance

- La tension nominale : La valeur maximale de la tension instantanée en état de fermeture.
Autrement dit la tension inverse admissible.
- Courant nominale : Le courant maximal que le semi-conducteur peut supporter
- Vitesse de commutation (fréquence): La vitesse maximale de changement d’état
- Chute de tension en conduction
Les caractéristiques idéales d’un interrupteur de puissance peuvent être notées comme suit :
- Durant les commutations (changement d’état) :

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 Temps de fermeture et d’ouverture (turn-on and turn-off times) égales à zéro, c’est-à-
dire réponse instantanées ;
 Fréquence de commutation infinie.
- Durant l’état ON (fermé) :
 Un courant infini, une chute de tension nulle, une résistance nulle.
- Durant l’état OFF (ouvert) :
 Un courant nul, une résistance infinie et une tension inverse infinie
En outre, aucun effet de la température sur ces caractéristiques.
Caractéristiques réelles

 En pratiques, il n’y a pas de commutation instantanée. La Figure 1.2 montre les

différentes l’état désirée est toujours obtenu après un temps retard et un temps de
montée (ou de descente).
 En pratique, durant l’état ON, le courant et limité et il y a toujours une chute de tension
et des pertes de conduction.
 En pratique, durant l’état OFF, il y a toujours une tension inverse admissible. Par
ailleurs, il y a toujours un courants de fuite.

Figure 1.2 Caractéristique de commutation d’un interrupteur de puissance idéale (à gauche) et réel (à
droite).

1.3 Semi-conducteur non-commandable (Diode)

Principe de fonctionnement
La structure d’une diode et son symbole sont représenté sur la Figure 1.3. Lorsque la tension aux
bornes de la diode 𝑣𝐷 = 𝑣𝐴 − 𝑣𝐾 est positive, on dit qu’elle est polarisée négativement et par
conséquent elle commence à conduire le courant, avec une chute de tension faible à ces bornes
(état ON).
NB. A représente l’anode, K la cathode.
La caractéristiques v-i d’une diode est donnée par l’équation de schockly comme suit :
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𝑣𝐷
𝑖𝐷 = 𝐼𝑠 (𝑒 𝑛𝑉𝑇 − 1)

Avec
𝑖𝐷 : Courant instantané dans la diode ;

𝐼𝑠 : Courant de fuite typiquement entre 1 A à 10 A ;

𝑣𝐷 : Tension instantanée aux bornes de la diode (𝑣𝐴 − 𝑣𝐾 ) ;
𝑛 : coefficient d’émission (valeur empirique entre 1 et 2)
𝑉𝑇 : constante de tension thermique
𝑘𝑇
𝑉𝑇 =
𝑞
𝐾 : Constante de Boltzmann, 1.380 × 10−23 J/K°

𝑞 : Charge d’électron 1.022 × 10−19 C C

𝑇 : Température absolue en Kelvin (273+C°)
A une température de 25°, 𝑉𝑇 = 25.7 mV.

Figure 1.3 Représentation d’une diode (structure et symbole)- caractéristiques v-i réelle et idéale

Analyse de la caractéristique v-i

Region1, 𝑽𝑫 > 𝟎 : Dans cette région, la diode commence à conduire théoriquement à 𝑉 = 0+ ,
mais en pratique, la conduction effective est amorcé à une tension 𝑉𝑇𝐷 dite d’amorçage,
typiquement 0.7 V ;
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𝑉𝐷 < 𝑉𝑇𝐷 : La diode bloquée mais il y a un courant de fuite ;

𝑉𝐷 ≥ 𝑉𝑇𝐷 : La diode est totalement conductrice, et la chute de tension à ces bornes devient
constante. En conduction le courant peut être approximé par
𝑣𝐷
𝑖𝐷 ≈ 𝐼𝑠 𝑒 𝑛𝑉𝑇

Region 2 : 𝑽𝑫 < 𝟎 : Dans cette resion la diode devient bloquée et le courant iD est approximée
par
𝑖𝐷 = 𝐼𝑠
Ceci reste valable tant que la tension inverse |𝑉| < |𝑉𝑟𝑎𝑡𝑒𝑑 |

Region3 |𝑽𝑫 | ≥ |𝑽𝒓𝒂𝒕𝒆𝒅 | : Lorsque la tesion inverse dépasse la tension admissible, le courant de
fuite commence à grimper rapidement. La distruction intervient alors lorsque on etteint une
tension de distruction VBR.
1.4 Semi-conducteur semi-commandable-Thyristor
Rappelons que le thyristor est commandé uniquement à la fermeture (ON)

- Il nécessite une tension positive à ses bornes, plus un ordre d’amorçage à travers un
courant de gachette.
La représentation et la caractéristique d’un thyristor sont données par la Figure 1.4. On peut
noter presque les mêmes caractéristiques par rapport à la tension inverse admissible et la tension
de distruction. Dans la region des tensions VD positive, le thyristor commene à conduire après
l’amorçage par un courant de gachette (gate). En conduction il a les mêmes comportements qu’une
diode. Dans la region positive, s’il n’est pas amorcé, le thyristor cede avec l’augmentation de la
tension à ses bornes jusqu’à la distruction à VBR.

Figure 1.4 Représentation d’un thyristor (structure et symbole)- caractéristiques v-i réelle et idéale

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1.5 Semi-conducteur entrièrement commandable

On peut notramment citer le Thyristor GTO, les transistor MOSFET et IGBT
Thyristor GTO : Gate-Turn-On thyristor est un thyristor avec possibilité de contrôler l’ouverture,
il devient ainsi commandable à la ferméture et à l’ouverture.
La caractéristique d’un thyristor GTO est donnée sur la Figure 1.5. Elle n’est pas différente de
celle d’un thyristor.
Caractéristiques principale d’un GTO

- Faible courant d’amorçage (turn-on) ;

- Courant négatif de gachette (turn-off) élevé ;
- Faible fréquence de commutation (1 kHz maximum)
- Tension et courant nominales (6.5 kV/4.5 kA)

Figure 1.5 Représentation d’un thyristor GTO (structure et symbole)- caractéristiques v-i réelle et idéale

Transistor MOSFET
Le MOSFET (Metal-Oxide-semiconductor Field Effect Trabsistor) est contrôler à la ferméture et à
l’ouverture par un signal de tension entre la gachate (gate) et la source (S) .
La caractéristique v-i d’un mosfet est représenté sur la Figure 1.6
Les caracrtéristiques essentielles d’un MOSFET sont :
- Fréquence de commutation très élevés (en MHz)
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- Faible puissance
- Faibles pertes

Figure 1.6 Représentation et caractéristique v-i d’un MOSFET.

Transistor IGBT
Le IGBT (Insulated-gate Bipolar Transistor) est commandé par un signal de tension entre la
gachette (gate) et l’émitteur. Sa caractéristiques v-i est représentée sur la Figure 1.7. Les
caractéristiques essentielles d’un IGBT sont
- Fréquence de commutation élevés
- Puissance élevé.

Figure 1.7 Représentation et caractéristique v-i d’un IGBT.

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