Cours Elec-Anal 19-20

04/02/2020
Université Abdelmalek Essaâdi Transistor bipolaire

Ecole Nationale des Sciences Appliquées
Tétouan
ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE Le transistor Bipolaire:

(1ère Année Cycle Ingénieur: GM/GSTR)
Application en amplification
2019-2020
A. ZAKRITI
GM1/GSTR1 A. ZAKRITI 2
Transistor bipolaire Transistor bipolaire
I- Définitions
• Transistor : Composant électronique utilisé pour

remplir la fonction d’amplificateur (de courant ou de
tension) ou la fonction de commutateur électronique.
On envisage deux configurations NPN et PNP.

Pour un NPN, on a:
-Un Emetteur (zone N) fortement dopé
- Une base (zone P) très mince et faiblement dopée - Sur le schéma électrique, la flèche est orientée dans
- Un collecteur (zone N) peu dopé le sens où la jonction Base-Emetteur est passante
- Le transistor PNP étant le symétrique du transistor
NPN, on traitera spécialement par la suite le « NPN »
GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 3 GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 4
Exemples de Transistor: II- Transistor en régime statique

* Transistor NPN: II-1 Grandeurs caractéristiques
BC 547 / BC 557 - 2N2222 / 2N2907 - Le transistor bipolaire est caractérisé par:
* Transistor PNP: 2N3906 - VBE : tension base-émetteur
- IB : Courant de base
- VCE : tension collecteur-émetteur
- IC :Courant de collecteur
- Le courant d’émetteur IE s’obtient par: IE = IB + IC
- VBE et IB sont les grandeurs d’entrée, VCE et

IC sont les grandeurs de sortie
- On a : VBE << VCE et IB << IC
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- Caractéristique IC = f( IB ): Réseau de transfert en courant

II-2 Réseau de caractéristiques principales
- Caractéristique IB = f(VBE ) à VCEcst
On a :
- IC = 0 en fonctionnement bloqué
- IC = β IB en fonctionnement linéaire ( β : gain en courant )
C’est le réseau d’entrée - IC = ICsat en fonctionnement saturé (à VCEsat)
- VCE< VCEsat (presque 0.3 V pour le transistor en

- Caractéristique IC = f (VCE ): réseau de sortie
silicium), Ic varie linéairement avec VCE et dépend
de IB.
- VCE = VCEsat , le transistor se sature lorsque IC ne
dépend plus de IB (IB > IBSAT).
- VCE > VCEsat : le courant IC est quasi-indépendant
de VCE et il est donné par la relation:
(ICE0 (courant de fuite), k étant faible, on utilise en

pratique la relation simplifiée:
IC = β IB ( régime linéaire)
Réellement, Il ya une légère croissance du courant

avec VCE. Cette dépendance du courant s’appelle:
l’effet early
Ic
- On utilise souvent les caractéristiques IC = f (VCE)

mais il est utile de considérer les caractéristiques
complètes « 4-quadrants » représentées ci-après.
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- Caractéristiques techniques - La puissance que peut dissiper un transistor est

Les constructeurs précisent, pour chaque type de donnée par:
transistor, les valeurs à ne pas dépasser sous peine Pd = VCE * IC + VBE*IB
de détruire le composant:
C’est la somme des puissances fournies au
VCEM : Tension maximale admissible entre collecteur
transistor par les circuits d’entrée et de sortie
et émetteur
VBE : Tension entre base et émetteur lorsque le Pd = VCE * IC ( car IB << IC)
transistor est passant.
ICM : Courant maximum pouvant circuler entre - La puissance dissipée en continu est donc
collecteur et l’émetteur. minimum si le transistor est bloqué (IC = 0) ou s’il
PDM : Puissance maximale dissipée par le transistor est saturé (VCE  0).
IBmax : Courant maximum pouvant circuler dans la base
II- 3 Polarisation:
Exemple: Extrait de la documentation des
constructeurs du transistor 2N2222 (valeurs La polarisation a pour rôle de placer le point de
typiques) fonctionnement (point de repos) dans une zone où
ses caractéristiques sont linéaires.
VCE max = 30V i- Point de repos:
IC max = 800 mA
Ptot max = 0,5 W = puissance totale que peut - Le point de repos (ou de fonctionnement) est pour
dissiper le transistor au maximum lequel VBE, VCE, et IC sont parfaitement fixés .
- Ce point est défini par VCE, et IC car VBE est connu

(0,6 à 0,7 V)
ii- Droite de charge statique S : - Points extrêmes de la droite:

- Le montage impose une relation entre les deux
grandeurs de sortie VCE et Ic. Cette relation
correspond à la droite de charge statique S .
- La droite de charge statique S se trace dans la
caractéristique: IC = f (VCE )
Connaissant la valeur de IB,
- Équation de la droite S on trouve le point P à
l’intersection de la courbe
correspondante et de la
droite de charge statique
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v- Montage de polarisation par pont de base: - Calculons IC ?
 IC est indépendant des variations du gain  .
Ce montage assure la stabilité du point de fonctionnement

Transistor bipolaire
III- Transistor en régime dynamique  La source peut être, par exemple, une antenne,
un capteur ou un circuit électronique qui fournit
III- 1 Amplificateur un signal analogique.
 Le générateur d’entrée (eg,Rg) est appelé
générateur de commande ou générateur
d’attaque.
 La charge est représentée par la résistance Ru
(résistance de charge ou d’utilisation). Elle peut
être, par exemple, un haut parleur, un système de
 Le signal est appliqué à l’entrée d’un
déviation du faisceau d’électrons d’un
amplificateur par une source représentée par un
oscilloscope ou un circuit électronique.
générateur de tension et ayant une résistance
interne Rg.
Rôle principale: III-2 Modèle dynamique du transistor

Augmenter la tension ou/et le courant du signal i- Introduction
d’entrée ve et donc sa puissance. - Les caractéristiques du transistor montre qu’il existe
des zones où son comportement est pratiquement
Régime d’étude linéaire. En fixant le point de polarisation dans ces
On parle dans le cas des amplificateurs de zones, on peut écrire que les variations des grandeurs
superposition de deux régimes : d’entrée et de sortie sont reliées par les relations:
 Un régime continu qui sert à fixer le point de

polarisation Po du montage.
 Un régime sinusoïdal (petits signaux) qui
représente le signal à amplifier
vbe = dVBE, ib = dIB, vce = dVCE et ic = dlc.
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- Principe de l’amplification à l’aide de

transistors bipolaires:
En régime actif linéaire, une petite variation vBE de
VBE entraîne une petite variation iB de IB, ce qui
entraîne une variation iC de IC et une variation iE de
IE. Si l’on dispose une résistance dans le circuit
d’émetteur (ou dans le circuit de collecteur), la
variation de IE (ou de IC) crée une variation de la
tension aux bornes de cette résistance: C’est le
principe des circuits « collecteur commun » et
« émetteur commun ».
 Aussi, pour obtenir une amplitude de sortie
amplifiée sans écrêtage, il est important de fixer le
point de polarisation Q au milieu de la droite de
charge
GM1/GSTR1: 2015/2016 Mme ZAKRITI

Dans le cas suivant, le signal est distordu car le point

de polarisation Q n’est pas choisi convenablement. Conclusion:
L’amplification est une fonction linéaire. En

augmentant l’amplitude du signal, il faut
conserver sa forme, si non, il y a distorsion de
l’information portée par le signal. La distorsion
est due à la non linéarité des caractéristiques
des transistors. Pour la réduire à un niveau
raisonnable, il faut utiliser les zones linéaires des
caractéristiques des transistors (Fixer le point de
polarisation Q au milieu de la droite de charge).
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ii- Paramètres dynamiques h (Paramètres hybrides)
C’est le gain en courant dans le cas où la sortie est

en court-circuit.
C’est la résistance d'entrée dans le cas où la
h21 = = qq 10 à qq 100 (Voisin de β)
sortie est en court-circuit.
C’est le taux de réaction en tension dans le cas où C’est la conductance de sortie dans le cas où l'entrée
l'entrée est en circuit ouvert. est en circuit ouvert.
Remarque: iii- Détermination des paramètres hij
- Dans les fiches techniques, les paramètres « h » - hll se détermine à partir de la caractéristiques
sont donnés mais on trouve: d'entrée: VBE = f (IB) à VCE = cte
i (au lieu de 11) = Input (entrée)
o (au lieu de 22) = Output (sortie) - hl2 se détermine à partir de la caractéristiques
f (au lieu de 21) = Forward transfert (transfert direct) d'entrée: VBE = f (VCE) à IB = cte.
r (au lieu de 12) = Reverse transfert (transfert inverse)
- h21 se détermine à partir de la caractéristiques:
- Les paramètres sont valables pour un point de IC = f (IB) à VCE = cte
repos donné et pour un fonctionnement en régime
linéaire - h22 se détermine à partir de la caractéristiques:
IC = f (VCE) à IB = cte
- Les paramètres du transistor en petits signaux sont

donc caractérisées par les pentes des tangentes aux
Pente h21 Pente h22 points de polarisation. Ils varient en fonction du choix
du point de polarisation.
- Si le point de polarisation est mal choisi, des

distorsions apparaissent sur le signal de sortie.
Pente h11
- Le signal d'entrée doit être aussi choisi

suffisamment faible (petits signaux) pour que le
Remarque: h12 et h22 sont très faibles  h12  0; transistor fonctionne dans le domaine linéaire et ainsi
h22  0 et produire des signaux sans distorsion.
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Schéma équivalent simplifié (h12  0 et h22  0): IV- Montages amplificateur de tension
- La façon la plus simple d'étudier un amplificateur

est de diviser l'étude en deux parties: étude du
régime statique (analyse en continu) et une étude du
régime dynamique (analyse en alternatif).
- Pour les étages envisagés ici, on utilise la polarisation

par pont de résistances. En effet, moyennant un choix
convenable des résistances, il est possible de rendre
ce montage presque indépendant du β du
transistor , ce qui est la clé de la stabilité des
performances.
 Principe de fonctionnement :  Paramètres d’amplificateurs

 L’amplificateur est un circuit linéaire qui
- Il est possible de superposer des variations aux
fonctionne en régime petits signaux. C’est un
grandeurs continues dans ce montage à travers les quadripôle linéaire qui, par analogie avec le
trois électrodes du transistor: Attaque sur la base,
transistor, peut être substitué par le schéma
l’émetteur ou le collecteur, mais généralement,
équivalent:
seule l’injection sur la base et l’émetteur sont
utilisées.
- Le prélèvement des signaux amplifiés s’effectue

essentiellement sur le collecteur ou sur l’émetteur
 Les paramètres dynamiques d’un amplificateur : - La résistance d’entrée :

- L’amplification (le gain) en tension :
- La résistance de sortie : c’est la résistance vue
par la charge Ru quand tous les générateurs
indépendants sont éliminés (les générateurs de
Le paramètre Av0 est alors le gain en tension à vide tension court-circuitées et générateurs de courant
coupés).
- L’amplification (le gain) en courant :
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- Afin de ne pas modifier le comportement du

IV.1 Montage émetteur commun: Montage universel
transistor pour le régime continu, la liaison entre le
générateur qui injecte les variations (eg) et le
transistor est capacitive. Il en est de même pour le
prélèvement des signaux en sortie.
- Les condensateurs C1 et C2 sont des

condensateurs de liaison (ou de couplage)
- CE est le condensateur de découplage. La
capacité CE permet de rendre l'influence de la
eg : source de tension alternative (eg=em sinwt) résistance d'émetteur négligeable en régime
dynamique (Voir TP).
Un condensateur de liaison assure le couplage

dynamique de deux points et le condensateur de
découplage assure le couplage dynamique d'un
point et de la masse.
- Ces condensateurs sont choisis de façon à ce que :

 Leur impédance soit très faible à la fréquence
du travail (en régime dynamique):
Ci sont équivalents à des courts-circuits.
 En continu, ils ont une très grande
impédance: Ci = des circuits ouverts. Effet d’amplification sur le signal ve
i- Modèle dynamique du montage : ii- Paramètres d’amplificateurs

On suppose que l’étude de la polarisation a été
effectuée. Cela signifie que l’on s’est bien fixé un point - Gain en tension
de fonctionnement Po.
(Av est négatif et grand)
- Gain en courant
(Ai est négatif et grand)

- Les sources de tension continue sont remplacées
par la masse en régime dynamique
- Les Ci sont remplacés par des court-circuits à la Ce montage permet une bonne amplification en
pulsation w tension et en courant
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- Résistance d'entrée - Résistance de sortie

- Pour calculer Rs, on débranche la charge, on
C’ est la résistance vue par le générateur d'attaque:
court-circuite le générateur d’attaque et on
considère comme si on a en sortie un générateur
délivrant Vs et is
En général, RB est très grande devant h11.
On a donc: Ze  h11 (Re est faible)

- Pour l’amplificateur à émetteur commun, on trouve:
Rs = RC (Rs est grande)
IV- 2 Montage en collecteur commun : i- Modèle dynamique du montage :
L'entrée est du côté de la base et la sortie est du

côté de l'émetteur. Le montage vérifie la relation:
ii -Paramètres de l’amplificateur - Résistance d’entrée:
Gain en tension:
La résistance d'entrée est grande.
 Av est presque égal à 1.
- Résistance de sortie: Rs 
(Rs est faible)
Gain en courant:
 L'amplificateur collecteur commun est un
amplificateur en courant et il est utilisé comme
Ai est positif et grand
adaptateur d'impédance, car il a un gain en tension
unitaire, une grande résistance d'entrée et une faible
résistance sortie.
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Remarque:
Conclusion: - Parmi les montages fondamentaux, il existe
aussi l’amplificateur à base commune
- Le montage en émetteur commun est utilisé en
amplificateur. Par contre, pour améliorer ses
caractéristiques d’entrée et de sortie, on peut lui
associer un montage en collecteur commun en
amont et en aval.
GM1/GSTR 64
GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 63 A . ZAKRITI
Transistor à effet de champ

- Caractéristiques des trois montages fondamentaux:
Le transistor à effet de champ:

Application en amplification
GM1/GSTR A . ZAKRITI 65
GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 66
Transistor à effet de champ Transistor à effet de champ
I- INTRODUCTION  La commande de ces transistors s'effectue par la

tension de grille. Par opposition au transistor
 Les transistors à effet de champ ont un principe de
bipolaire, le transistor à effet de champ se comporte
fonctionnement totalement différent des transistors
donc comme une source de courant commandée
bipolaires. Il possède trois électrodes qui se nomment
par une tension.
la grille (G), le drain (D) et la source (S).
- Constitution de JFET (canal N)
 Il existe plusieurs sortes de transistors à effet de
champ :
JFET (canal N ou P) ou MOSFET (canal N ou P)
 Les transistors de type P sont inversés par
rapport à ceux de type N.
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 Constitution de JFET et Symboles
 Le JFET canal N est constitué par :
- un canal N ceinturé en son milieu par une zone P
en forme d'anneau,
- trois électrodes.
 La zone P est beaucoup plus dopée que le canal N :
c'est la grille (G).
 Le canal N a deux extrémités : ce sont le drain (D)
et la source (S).
 Chaque électrode a le même nom que la zone à
laquelle elle est reliée.
JFET à canal P
 Il y a une seule jonction PN. JFET à canal N
GM1/GSTR1 A. ZAKRITI 70
II- Caractéristiques principales

- On fixe VGS et on trace la courbe ID = f(VDS)
- On fixe VDS et on trace la courbe ID = f(VGS)
- JFET canal N: VGS < 0 ; VDS > 0 ; ID > 0 et IS > 0
- JFET canal p: VGS > 0 ; VDS < 0 ; ID < 0 et IS < 0
Remarque: le JFET canal P est bien rare
GM1/GSTR1 A. ZAKRITI 71 GM1/GSTR1 A. ZAKRITI 72
VGsoff
 VDS < VDSsat: le courant drain ID varie linéairement en

fonction de la tension VDS .le transistor se comporte alors
comme une résistance (RDS), commandée par la tension
VGS c’est la zone ohmique (Ohmic region)
VGsoff : Tension de blocage (tension qui bloque le transistor)
Vp (= - VGsoff) : Tension de pincement est la tension de VDS qui Le JFET est équivalent à un interrupteur
provoque la saturation de courant ID à VGS = 0 fermé (entre drain et source).
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 VDS > VDSsat : Zone à courant constant (ID ne dépend  Zone de Blocage (Cuttoff region) :
quasiment pas de VDS). La zone est dite de pincement ou
de saturation (saturation region): Le transistor se ID = 0 quand |VGS | > | VGsoff |
comporte comme une source de courant.
 JFET bloqué  le JFET est équivalent à un interrupteur
ouvert (entre drain et source).
III- Polarisation: - Equation de la droite de charge statique  s
- Point de repos: Le JFET est destiné à travailler

autour d'un point de repos pour lequel VGS, VDS et ID
sont parfaitement fixées.
- Puissance dissipée: P = VDS ID
- Limites: PMax = qq 0.1 W; VDSMax = qq 10 V;

IDMax = qq mA à qq 10 mA
Afin de ne pas détruire le JFET, il faut vérifier:

P  PMAX; VDS  VDSMAX; ID  IDMAX
Le point de repos P est à l'intersection d'une i- Montage de polarisation par résistance de grille
caractéristique ID = f(VDS) et de la droite  s . C’est le montage à tension grille-source constante:
VGS = - VGG = cte
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ii- Montage de polarisation par résistance de grille et

 Détermination approchée du point de repos:
résistance de source
P( ID, VDS)
- VGG, VDD,VGsoff, IDo, RG et RD connus. VGS + VS = 0  VGS = - VS
- On trace la droite : VGS = - VGG

 Détermination approchée du point
- Connaissant ID0 et VGSoff, on trace de manière de repos:
approchée la caractéristique : ID = f (VGS)
+ VDD, VGsoff, IDo , RG , RD et RS connus.
 L’intersection entre les deux courbes permet
d'obtenir ID et on trouve alors : VDS = VDD – RD ID.
82
GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 81 GM1/GSTR1 A . ZAKRITI
- Le point de repos P est à l'intersection de la

caractéristique tracée ID = f (VGS) et de la droite:
ID = - VGS / RS
 On repère ID et on calcule VDS
83 84
GM1/GSTR1 A . ZAKRITI GM1/GSTR1 A . ZAKRITI
iii- Montage de polarisation par pont de grille et

Remarque: résistance de source
VDD
Vérifions que ID est quasi-constant
si on a: Vs >> |VGS |
Il s’établit une contre-réaction qui stabilise le point

de fonctionnement.
Ce montage assure la stabilisation du point de

repos
 Variation de ID est très faible

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GM1/GSTR1 A . ZAKRITI GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 86
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 Détermination des résistances  Détermination approchée du point de repos

+ VDD , VGsoff , ID0 , R1 , R2 , RD et Rs sont connus.
VDD , VGS, VDS et ID sont connus.
On satisfait la condition: Vs >> VGS
RS
- On trace la droite :
 L’intersection entre cette courbe et la caractéristique:

Seul le rapport des résistances RI et R2 est connu. ID = f (VGS) permet de repérer ID pour trouver alors:
R1 = qq 0,1 M à qq 10 M
R2 = qq 0,1 M à qq 10 M. VDS
87 88
GM1/GSTR1 A . ZAKRITI GM1/GSTR1 A . ZAKRITI
III- JFET: RÉGIME DYNAMIQUE

- On trace la droite :
III- 1 Modèle du transistor
- Connaissant ID0 et VGSoff, on trace de manière

approchée la caractéristique: ID = f (VGS)
 L’intersection entre les deux courbes permet de

repérer ID pour trouver alors:
- vgs, vds et id représentent les variations des grandeurs
VDS
VGS,VDS et ID : vgs = dVGS, Vds= dVDS et id = dID.
- rgs est très grande
 Signification des paramètres dynamiques:  Détermination approchée du paramètre gm
- gm est la transconductance quand la sortie est en court-

circuit: Il se détermine à partir de la caractéristique: ID = f
(VGS) à VDS cste
- gds est la conductance de sortie quand l'entrée est en
court-circuit: Il se détermine à partir de la courbe:
ID = f (VDS) à VGS cste.
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III-2 Etage Amplificateur source commune

 Schéma équivalent simplifié du JFET
- gds est très faible et alors toujours considérée

comme nulle.
- L'entrée est du côté de la grille et la sortie est du

côté du drain. La source est commune à l'entrée et
à la sortie.
 Schéma équivalent du montage  Droite de charge dynamique

- La source de tension continue est remplacée par Les variations autour du point de repos P se font sur
un court-circuit. la droite de charge dynamique d.
- Les condensateurs ont une impédance supposée
nulle à la fréquence de travail. Equation de la droite d
On pose:
 Gain en tension
Remarque:
Ce gain est négatif et a une valeur moyenne (gm est
- La droite de charge dynamique d est plus faible (dizaine de mA/V))
pentue que la droite de charge statique s
- La dynamique maximale de sortie est déterminée  Gain en courant

par les caractéristiques du JFET, le point de repos
P et la droite de charge dynamique. Le meilleur
résultat est obtenu pour un point de repos voisin du
milieu de la droite de charge statique. Le gain en courant est négatif et très grand.
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Conclusion:
 Résistance d'entrée
- Parmi, les montages d’amplification à FET, il existe
C’est la résistance Re, vue par le générateur d'attaque. aussi un montage fondamental appelé le montage à
drain commun.
Re est très grande.
- Il existe beaucoup d'analogies entre les montages
 Résistance de sortie amplificateurs réalisés soit avec des FET soit avec
des transistors bipolaires. Les montages source
- Ici , il est simple d’identifier que la résistance Rs commune se comportent comme les montages à
est: Rs = RD émetteur commun et les montages drain commun
comme les montages à collecteur commun.
RD est typiquement de qq k: Valeur moyenne
IV- MOSFET: Régime statique
Dans les montages amplificateurs, les FET  De la même manière que le JFET, le MOSFET
seront principalement utilisés dans l’étage correspond à une résistance dont la valeur est
d’entrée, du fait de leur grande impédance contrôlée par la tension de grille
d’entrée qui permet de ne pas perturber la
MOSFET
source. Dans ce premier étage l’amplitude
des signaux est petite et de ce fait l’influence MOSFET à
MOSFET à
de la non linéarité du transistor est minime. enrichissement appauvrissement
Pour les étages suivants, on utilisera des (EMOSFET) (DMOSFET)
transistors bipolaires qui autorisent une plus
grande dynamique au niveau de l’amplitude
EMOSFET à canal N ou P DMOSFET à canal N ou P
des signaux.
GM1/GSTR1 Mme ZAKRITI 101 GM1/GSTR1 Mme ZAKRITI 102

 Les électrodes du MOSFET sont: Grille (Gate),
 En générale, Le MOSFET canal N est constitué par: Drain, Source. Il existe une quatrième électrode qui
- une zone P et deux zones N, est le substrat (body). Cette électrode est
- une couche isolante, généralement court-circuitée avec l’électrode de
- trois électrodes. source et sa représentation est souvent négligée.
 La zone P est large: c'est le substrat. Les deux
zones N sont minces et beaucoup plus dopées que
le substrat: ce sont le drain (D) et la source (S).
 La partie du substrat située à proximité de la grille,
entre les deux zones N, constitue le canal.
 Chaque électrode a le même nom que la zone à
laquelle elle est reliée.
 Il y a deux jonctions PN.
GM1/GSTR1 Mme ZAKRITI 104
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04/02/2020
IV-1 Structures des MOSFET Le transistor DMOSFET nécessite une tension VGS
Les transistors EMOSFET nécessitent une tension afin de le bloquer. Il est équivalent à un
VGS afin d’enclencher le transistor. Ils sont interrupteur normalement fermé
équivalents à un interrupteur normalement ouvert
Le transistor EMOSFET est plus courant que le Principe de fonctionnement de NMOS

DMOSFET. Par la suite, on va se focaliser sur le
EMOSFET à canal N
IV- 2 Caractéristiques du EMOSFET à canal N
- Accumulation de charge à l'interface de

l’isolant
- Apparition d'un canal N
E MOSFET: MOSFET à enrichissement ou NMOS
- Déplacement d'électrons dans le Canal N
- Courant IDS
GM1/GSTR1 Mme ZAKRITI 107
- Grandeurs électriques
 Le MOSFET est caractérisé par trois grandeurs
remarquables: la tension grille-source VGS, la tension
drain-source VDS et le courant de drain ID.
Symboles usuelles des E-MOS (NMOS et PMOS)
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- Grandeurs remarquables
- MOSFET canal N (NMOS): VGS et VDS sont
positives et ID et Is sont fléchés de manière à
 Le courant de grille IG est très faible (IG est le courant
être positifs.
de fuite d'un isolant) et sera toujours considéré comme
- MOSFET canal P (PMOS): VGS et VDS sont nul.
négatives et ID et Is sont fléchés de manière à
être négatifs.  Le courant de source Is est égal au courant du
drain ID : Is = ID
Le MOSFET canal P étant le symétrique du
MOSFET canal N, la suite du chapitre sera
 VGS est la grandeur d'entrée, VDS et ID sont les
consacré au MOSFET canal N
grandeurs de sortie:
- Réseau de caractéristiques: Le mode bloqué

Le réseau comporte deux caractéristiques: ID = f(VGS) VGS < VT  pas d'apparition du canal et ID = 0
et ID = f(VDS) avec trois modes de fonctionnement MOS ne conduit aucun courant quelque soit V DS
où VT est la tension de seuil: VT = qq 0.1 V à qq V

Le mode linéaire Le mode saturé

VGS > VT et 0 < VDS < VDSsat
VGS > VT et VDS > VDSsat
VDSsat varie avec VGS : VDSsat = VGS - VT
VDSsat varie avec VGS :
VDSsat = VGS - VT
Le transistor conduit et on a: Le transistor conduit mais le
courant ne varie plus avec VDS:
ID = K (VGS - VT)2
On dit qu’il y a pincement du canal
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04/02/2020
IV-3 POLARISATION  Les montages de polarisation utilisés pour les

 Equation de la droite de charge statique: MOSFET sont similaires à ceux étudiés pour les
JFET:
- Montage de polarisation par résistance de Grille
- Montage de polarisation par résistance grille et

- Montage de polarisation par pont de grille et

i- Montage de polarisation par  Détermination approchée du point de repos

résistance de grille
+ VGG,+ VDD,VGsth, VGSM , IDM, RG et RD sont connus.
VGS = VGG = cte
 Détermination des résistances - La caractéristique ID= f (VGS) est tracée de manière

approchée à l'aide de VGsth ,VGSM et IDM
VGG, VDD, VDS et ID sont
connus. - Le point de repos P est à l'intersection de la
caractéristique ID= f (VGs) et la droite VGS = VGG; ce
qui permet de repérer la valeur de ID
VDS = VDD - RD ID
RG = qq 0,1 M à qq 10 M.
ii- Montage de polarisation par pont de grille  Avantages des transistors MOS
et résistance de source
♦ Leur principal avantage est la résistance
d'entrée qui est très grande Re ≈ 1012 Ω. Pour
ID est quasi-constant si on a: un transistor JFET, la résistance d’entrée est de
l’ordre de 108 Ω.
Vs >> VGS
♦ Ce type de transistor est simple à fabriquer et
Stabilisation du montage
par suite peu cher.
♦ La densité d’intégration autorisée par ce type

- L’étude du montage s’effectue de la même façon
de composant est très importante
que celle réalisée pour le JFET
19
04/02/2020
V- MOSFET: Régime dynamique

gm est la transconductance quand la sortie est en
V-1- Schéma équivalent du MOSFET court-circuit.
gds est la conductance de sortie quand l'entrée est
en court-circuit.
Ces paramètres sont valables pour un point de

- vgs, vds et id représentent les variations des grandeurs repos donné et pour un fonctionnement en régime
VGS,VDS et ID : vgs = dVGS, vds = dVDS et id = dID· linéaire, c'est à dire pour des faibles variations
autour du point de repos.
- La résistance grille-source rgs est très grande
- gm se détermine à partir de la caractéristiques de  Schéma équivalent simplifié du MOSFET

transfert : ID= f (VGS) à VDS= cte.
- gds se détermine à partir de la caractéristiques de - gds est très faible et alors toujours considérée
transfert : ID= f (VDS) à VGS= cte. comme nulle.
 Détermination approchée du paramètre gm
V-2 ETAGE AMPLIFICATEUR SOURCE COMMUNE  Schéma équivalent du montage

 Schéma du montage
On pose:
On se retrouve avec les paramètres d’amplification

comme pour le montage source commune avec JFET.
20
04/02/2020
Conclusion générale:
- Le grand avantage de ces transistors réside dans
- Le signal qui transite dans les montages le fait qu'aucun courant de grille n'est consommé,
amplificateurs à effet de champ (FET ou MOS- ce qui donne une impédance d'entrée très élevée
FET), comme pour les transistors bipolaires, (quelques mégahoms).
représente des petites variations des tensions et
courants autour d’un point de repos Q. - Généralement, dans les montages amplificateurs,
les transistors à effet de champ seront
- Il existe des montages Drain commun, grille principalement utilisés dans l'étage d'entrée. On
commune ou source commune. profite de leur grande impédance d'entrée qui
permet de ne pas perturber la source.
Amplificateur Opérationnel Amplificateur opérationnel
I- Généralités
• L’amplificateur opérationnel est un circuit intégré
analogique «multifonctions ».
• Un C.I. est un circuit électronique miniaturisé,
principalement constitué de transistors.
L’AMPLIFICATEUR OPÉRATIONNEL • les A.op étaient à l'origine utilisés dans les
ET SES APPLICATIONS calculateurs analogiques pour la réalisation des
opérations mathématiques (addition, soustraction,...)
• Aujourd'hui les calculateurs analogiques ont été
remplacés par les ordinateurs (calculateurs
numériques), mais les applications des
amplificateurs opérationnels sont devenues
beaucoup plus nombreuses.
Amplificateur opérationnel Amplificateur opérationnel
• L'amplificateur opérationnel est généralement II- Amplificateur différentiel

composé de trois étages: un étage différentiel II- 1 Introduction
d'entrée (Amplificateur différentiel), dont on va
• Un amplificateur différentiel qui possède deux
étudier par la suite, un étage émetteur commun et
entrées et une seule sortie: Il est dit alors
un étage collecteur commun de sortie.
asymétrique.
• L'étage différentiel d'entrée est constitué de
transistors bipolaires ou de JFET, tandis que
l'étage émetteur commun et l'étage collecteur
commun de sortie sont bien évidemment
constitués de transistors bipolaires. Un
amplificateur opérationnel comporte alors
quelques dizaines de transistors.
21
04/02/2020
ii – Entrées
II- 2 Caractéristiques générales
a) entrée non-inverseuse (e+)
i - Sources de tension continue d'alimentation L'entrée non-inverseuse est l'entrée repérée avec
un "+". Le gain en tension A+, relatif à l'entrée e+
• La tension de sortie Vs peut être positive ou est positif.
négative
b) entrée inverseuse (e-)
• L'amplificateur différentiel est polarisé par une
L'entrée inverseuse est l'entrée repérée avec un
source de tension continue positive + Vcc et une
"_". Le gain en tension A-, relatif à l'entrée e-, est
source de tension continue négative -VEE
négatif.
(Généralement VEE = Vcc).
( A- peu différent de A+)
iii - Tensions d'entrée iv - Tension de sortie

a) Tension d'entrée de mode différentiel  La tension de sortie Vs dépend à la fois de la
La tension d'entrée de mode différentiel ed est la tension d'entrée de mode différentiel ed et de la
différence des tensions d'entrée v+ et v-, c'est à dire tension d'entrée de mode commun emc
le signal utile: ed = v+ - v-
b) Tension d'entrée de mode commun
La tension d'entrée de mode commun emc est la
moyenne des tensions d'entrée v+ et v-, c'est à dire
le signal à rejeter:  Un amplificateur différentiel est de bonne qualité si :
emc = (v+ + v-) /2 | Ad | >> | Amc |, c'est à dire si la tension d'entrée de
c) Tensions d'entrée: mode différentiel ed (signal utile) est beaucoup plus
amplifiée que la tension d'entrée de mode commun
emc (signal à rejeter).
v- Gains en tension vi- Taux de réjection de mode commun

a) gain en tension de mode différentiel
Le gain en tension de mode différentiel Ad est le gain en • Le taux de réjection de mode commun TRMC est la
tension relatif à la tension d'entrée de mode différentiel valeur absolue du rapport du gain en tension de mode
ed. différentiel Ad sur le gain en tension de mode commun
b) gain en tension de mode commun Amc.
Le gain en tension de mode commun Amc est le gain
en tension relatif à la tension d'entrée de mode
commun emc: • Un amplificateur différentiel est de bonne qualité si
TRMC >> 1. Le taux de réjection de mode commun
TRMC est généralement exprimé en dB:
Le gain en tension Av d'un amplificateur différentiel
est le gain Ad (l'amplificateur différentiel est supposé
de bonne qualité, c'est-à-dire | Ad | >> | Amc |)
22
04/02/2020
II-3 Etude du l’amplificateur

Remarque:
i- Schéma du montage:
L'amplificateur différentiel est souvent utilisé en
Le montage est
amplificateur classique (amplification d'une seule
symétrique:
tension d'entrée): la tension d'entrée est appliquée
-T1 et T2 sont
sur l'une des deux entrées et l'autre entrée est mise
identiques:
à la masse.
(1 = 2 = )
- Les résistances de
même indice sont
identiques:
Ic1 = Ic2 = Ic
Amplificateur opérationnel
ii- Schéma équivalent en régime dynamique

iii) tension de sortie
iv) gain en tension de mode différentiel et gain Conclusion:

en tension de mode commun
 Le gain en mode commun à un effet indésirable ( la
sortie n’est plus proportionnelle à la seule différence
des entrées)
 Ce gain doit être le plus petit possible
v) taux de réjection de mode commun  Un A. D. est de bonne qualité si : | Ad | >> | Amc |
 Tout bruit ou décalage de tension commun aux

deux entrées, c’est-à-dire contenu dans la
En fait, la symétrie du montage n'est jamais parfaite: le composante de mode commun emc, ne contribue
taux de réjection de mode commun n'est pas infini, pas dans le signal de sortie Vs
mais il est très grand.
23
04/02/2020
III- Amplificateur opérationnel (Aop)

 Avantages de l'amplificateur différentiel:
• L’architecture d’un Aop comprend habituellement
 Moins sensible aux bruits et aux interférences:
un ou plusieurs étages différentiels, un ou plusieurs
L'amplificateur différentiel amplifie le signal étages d’amplification et un étage de sortie. Ce
différentiel avec un grand gain et rejette le signal schéma général est complété par des circuits
mode commun d’alimentation, de protection et d’autres circuits
secondaires.
 Le couplage direct est possible:
Les liaisons entre les différents étages sont • On s’intéressera par la suite au fonctionnement de
établies sans insertion des condensateurs l’Aop et à ses applications
III- 1 Présentation Symboles:

• Il se présente sous la forme d’un boîtier à 8 broches • symbole américain :
Exemple: μA741
• L’A.O. possède :
- deux entrées :
broche IN+ (ou e+) : entrée « non inverseuse » • symbole simplifié :
broche IN- (ou e-) : entrée « inverseuse »
- une sortie :
broche OUT (ou s)
- deux broches d’alimentation : • symbole européen :
broche Vcc+ : alimentation en tension continue positive
broche Vcc- : alimentation en tension continue négative
III-2 CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES • L'impédance de sortie est quasiment nulle.
- L'amplificateur opérationnel possède des performances

élevées:
• Son gain en boucle ouverte Ao est très élevé (~10 6)
• L'impédance d'entrée sur chacune de ces entrées est
très élevée. Le plus souvent on la considère comme
infinie, ce qui implique que les courants d'entrées sont
toujours considérés nuls.
Le courant de sortie dépend de la résistance de
charge.
24
04/02/2020
• L'amplificateur opérationnel est en général alimenté • La valeur maximale qu'on peut donner à la tension
par une alimentation symétrique {Vcc, -Vcc ne différentielle d'entrée sans qu'il y est distorsion de la
dépassant pas {+15V, -15V }. tension de sortie est max telle que: Ao x  max = Vcc
• Sachant que la tension de sortie d'un amplificateur  Ao est très grand alors max est très faible
ne peut jamais dépasser sa tension d'alimentation,
Vs ne peut pas dépasser + Vcc pour les valeurs • En fonctionnement en régime linéaire: Les
positives et -Vcc pour les valeurs négatives. tensions V+ et V- restent toujours très voisines
puisque la différence entre les deux ne dépasse
• La sortie se comporte comme un générateur de guère quelques microvolts.
tension
• Les tensions d'entrée sont liées aux sources de
• La tension différentielle d’entrée est la différence
tension:
de potentiels entre l’entrée non inverseuse et - Vcc + qq V ≤ V+ ≤ + Vcc - qq V
l’entrée inverseuse:
 = v+ - v- - Vcc + qq V ≤ V- ≤ + Vcc - qq V
- Caractéristique de transfert : VS = f(Ve)

• Un amplificateur opérationnel parfait est un • La tension de sortie dépend directement de la tension
amplificateur de différence pur à gain différentiel différentielle d’entrée .
infini, rejetant parfaitement le mode commun, dont • On distingue trois zones :
les impédances d'entrées sont infinies et - zone de linéarité:   0 V ; Vsat- < VS < Vsat+
l'impédance de sortie est nulle. - zone de saturation haute :
 > 0 V ; VS = Vsat+
- zone de saturation basse : Vsat +
• En pratique, l'amplificateur opérationnel réel
présente des défauts par rapport à l'idéalisation  < 0 V ; VS = Vsat-
que constitue l'AOP idéal, mais le modèle de ce Remarque :
dernier est suffisant pour étudier la plupart Si Vcc = ±15 V ; ± Vsat est
des montages. de l’ordre de ± 14 V.
Vsat -
Sur certains AOP, le constructeur prévoit la

• Tension de décalage (offset)
correction de ce défaut en ajoutant un
 Pour un ampli-op, il peut y avoir une sortie
potentiomètre externe. Sur les 741 et 081 a et b
non nulle, faible même s’il n’y a pas d’entrée.
correspondent aux bornes (broches) 1 et 5.
 On modélise ceci par une faible tension Vos.
Pour le « 741 », P = 10 KΩ
Typiquement, Vos est de 1 à 5 mV, et dépend de la
Pour le « 081 », P = 100 KΩ
température. Cette tension peut avoir parfois un
grand effet sur la sortie.
25
04/02/2020
III- 3 Différents types de fonctionnement

i- Fonctionnement sans réaction.
• La présence de la moindre perturbation à l’entrée
entraîne l’amplificateur opérationnel en saturation.
Le fonctionnement n’est jamais linéaire, on obtient
un comparateur. si ve > Vref alors ved > 0 ce qui entraîne vs = Vsat+
sinon ve < Vref alors ved < 0 ce qui entraîne vs = Vsat-
• Par exemple, si la tension d’entrée est appliquée sur  Ce type de montage ne fonctionne donc qu’en
l’entrée « + » , il faut appliquer une tension dite de commutation.
référence sur l’autre entrée, c’est à dire sur l’entrée  Pour pouvoir fonctionner en régime linéaire, il
inverseuse. est nécessaire qu’il y ait une réaction de la sortie
Ved =  = ve - Vref sur une des entrées.
ii- Fonctionnement avec une réaction négative. ce qui correspond à une équation de droite de pente
négative ( Pente négative  Réaction négative)
- On dit qu’il y a contre-réaction (ou réaction
négative) quand la sortie est reliée à l’entrée
inverseuse.
On peut remarquer, qu’il n’y a qu’un seul point

d’intersection avec la caractéristique de l’A.O.  le
point de fonctionnement est obligatoirement
stable.
- Le point de fonctionnement peut se trouver en zone iii- Fonctionnement avec une réaction positive.
linéaire à condition que la valeur absolue de v e ne - On dit qu’il y a une réaction positive quand la
soit pas trop grande. sortie est reliée à l’entrée non-inverseuse.
- Dans ce cas, les coordonnées du point de
fonctionnement sont :
Un montage à réaction négative assure le

fonctionnement en zone linéaire
26
04/02/2020
ce qui correspond à une équation de droite de pente  Le point I est un point de fonctionnement instable:
positive : Pente positive  Réaction positive. En effet, supposons que vs varie très légèrement, par
exemple augmente, les résistances R1 et R2 vont ramener
sur l’entrée «+» une tension légèrement supérieure, ce qui
fait augmenter ved . Cette augmentation de ved va faire
augmenter considérablement vs . Donc, une faible
augmentation de vs entraîne une grande augmentation de
vs , le phénomène est cumulatif et la tension de sortie est
rapidement entraînée vers la saturation.
Les deux seuls points de fonctionnement possibles sont
donc S- et S+: ce type de montage fonctionne
obligatoirement en saturation.
On constate qu’il y a maintenant trois points
d’intersection : S- , I et S+. La réaction positive provoque la saturation de l’A.O.
III-4 Montages à contre réaction - Par définition, le gain en tension est :

• La chaine de réaction est placée entre la sortie et Gv = 20 log10 |Av| (en décibels dB)
l’entrée inverseuse de l’A.O.
• L’A.O Fonctionne en régime linéaire ( = V+ - V-  0 V).
Si l’entrée non-inverseuse est reliée à la masse, on dit Si Gv est positif:
alors que l’entrée inverseuse est une masse virtuelle. Il s’agit d’ une amplification
 Montages amplificateur de tension Si Gv est négatif:

Il s’agit d’ une atténuation
- Par définition, l’amplification en tension est :
Av = Tension de sortie /Tension d’entrée
i- Montage « amplificateur inverseur »

• Fonctionnement en
• C'est le montage à Aop, le plus utilisé. régime linéaire
• L'entrée + est reliée à la masse: v+ = 0  VS est proportionnelle
• Comme V+ = V-, on a aussi: V- = 0 (masse virtuelle) à Ve
Ve = R1 I , Vs = - R2 I
• Niveau d’entrée
trop important
 la sortie se sature
27
04/02/2020
ii- Montage « amplificateur non inverseur » iii- Montage Amplificateur SUIVEUR

• L'entrée + est reliée à la tension d'entrée: Ve
• Comme V+ = V- , on a:
Ve = R1 I
et Vs- Ve = R2 I
Le gain est positif et il est toujours supérieur à 1,

 Fonctions mathématiques ii- Montage Sommateur-Non Inverseur

i- Montage Sommateur-Inverseur
Si R1 = R2
Si RA = RB Si RA = RB et R1 = R2
iii- Montage « soustracteur » iv- Montage INTEGRATEUR
RB= 10K; RA= 10K

R1= 10K; R2= 10K
28
04/02/2020

-
v- Montage dérivateur III-5 Comparateurs
- L’A.O. ne possède pas de contre-réaction (aucune
chaîne de réaction n’est placée entre la sortie et l’une
des deux entrées de L’amplificateur). On dit qu’il est
utilisée en boucle ouverte
- Le potentiel de l'entrée inverseuse est indépendant
du potentiel de l'entrée non inverseuse : v- ≠ v+.
- L’A.O. ne fonctionne pas en régime linéaire. Il
f- Convertisseur courant Tension
fonctionne en régime de saturation: La tension de
sortie de l'amplificateur opérationnel ne peut prendre
que les deux valeurs de saturation vsat+ ( si  > 0 )
et Vsat- (si  < 0 ).
- A  = 0, il ya basculement de Vs entre Vsat+ et Vsat-
i- Comparateur inverseur Chronogramme Vs = f (ve) dans le cas (très

fréquent) où: Vref = cte
Le comparateur est inverseur car Vs = Vsat- (niveau

bas) pour les fortes valeurs positives de Ve et Vs =
Vsat+ (niveau haut) pour les fortes valeurs négatives
de Ve.
ii- Comparateur non-inverseur IV- Multivibrateur bistable: Trigger de schmitt

-Le trigger de Schmitt ou comparateur à hystérésis
est également appelée La bascule bistable c-à-d les
deux états de sortie sont stables.
- Le circuit reste dans son état stable et le quitte
sous l’effet d’une commande extérieur.
- L’A.O. est utilisé en boucle fermée , avec une
réaction positive: La chaine de réaction est placée
entre la sortie et l’entrée non-inverseuse de l’A.O.
- L’A.O. ne fonctionne pas en régime linéaire: Il
fonctionne en régime de saturation.
29
04/02/2020
i- Bascule bistable inverseuse La tension de sortie Vs change de valeur chaque fois

que v- = v+ ( = 0). Les seuils de basculement Eh (seuil
haut) et Eb (seuil bas) sont les deux valeurs de la
tension d'entrée Ve qui engendrent le basculement de
l'amplificateur opérationnel.
 Détermination des tensions seuils:
Le potentiel de l'entrée inverseuse varie, alors que le

potentiel de l'entrée non-inverseuse ne peut prendre
que deux valeurs.
 Fonction de transfert Vs = f(ve) : ii- Bascule bistable non inverseuse

- Le cyclogramme obtenu est un cycle d'hystérésis
de largeur H: Réaction positive:
V+ différent de V-
- La bascule bistable est inverseuse car Vs= Vsat-

(niveau bas) pour les fortes valeurs positives de Ve et
Vs = Vsat+ (niveau haut) pour les fortes valeurs
négatives de Ve.
Détermination des tensions seuils de basculement: - Le cyclogramme obtenu est aussi un cycle
d'hystérésis de largeur H:
Cette bascule bistable est non-inverseuse car Vs=

Vsat+ (niveau haut) pour les fortes valeurs positives
de Ve et Vs=Vsat- (niveau bas) pour les fortes
valeurs négatives de ve.
30
04/02/2020
V- Multivibrateur astable V-1 Schéma de montage

 C’est un générateur autonome qui délivre une  La structure astable est construite par un Trigger
tension périodique rectangulaire ou carré. de Schmitt, associé à une cellule RC.
 La dénomination astable signifie qu'aucun des
deux états de sortie n'est stable: Les deux états sont
instables (Etat logique haut et état logique bas).
 Ce système fonctionne sans tension de commande
externe.
 Il permet de rythmer le temps, tel que dans les
circuits à horloge qu’on peut trouver dans l’ordinateur
(Le microprocesseur par ex.) et dans les appareils
programmables.
V-2 Etude du fonctionnement Expression de la tension U3 :

Il y a une réaction positive et une contre-réaction,
Le courant i+ est pratiquement nul, on a alors:
mais, comme le condensateur freine l'évolution de
la tension E-, la réaction positive l'emporte sur la
contre-réaction:
L’A.O. fonctionne en régime saturation. Or Us =  Vsat  la tension U3 peut prendre deux
- Us est un signal rectangulaire: valeurs correspondant aux deux points basculement
haut et bas (TH et TB):
Puisque l’A.O. compare les tensions UC et U3, On a:
- Etude à l’instant t = 0: - Charge/ décharge du condensateur:

L’instant t = 0 correspond à la mise sous tension du  Puisque Us = + Vsat, le condensateur C se charge
dispositif. Le condensateur est donc totalement à travers la résistance R1, la tension Uc augmente.
déchargé, on a: Uc = 0 V. Par contre, ce n’est pas Lorsque Uc atteint et dépasse la valeur de la tension
possible de déterminer à l’instant t = 0, la valeur de TH, on a Uc > (U3 = TH), l’A. O. bascule et Us = - Vsat
Us . Supposons alors que Us = + Vsat et on a: et le condensateur cesse de se charger
U 3 = TH  Puisque Us = - Vsat, le condensateur se décharge à

travers la résistance R1 . Lorsqu’il est totalement
déchargé, on a Uc = 0 or (Uc = 0) > (U3 = Tb) et alors
(Hypothèse vérifiée) Us est tjrs à - Vsat. Le condensateur se charge alors
négativement (Uc devient négatif).
31
04/02/2020
Représentation graphique des signaux Uc et Us

 Uc diminue et lorsqu’il devient inférieur à la valeur
de la tension TB, on a Uc < (U3 = Tb), Us bascule de
nouveau à +Vsat et la capacité cesse de se
charger négativement.
Le fonctionnement se reproduit ensuite de manière

identique :
le signal Us est périodique
- Calcul de la période T du signal US:  = R1 C: Constante du temps avec la quelle C se

- On a: T = tc + tD. charge et se décharge.
où tc et tD. correspondent aux durées de charge et - Calcul de tc:
décharge du condensateur C.
- A la fin de la durée tc: Uc = TH
 On peut montrer que la valeur instantanée de la - Au début de la durée tc: la tension aux bornes du
tension aux bornes d’un condensateur est: condensateur vaut: Vi = Tb
- Si C se chargeait complètement ( t   ): Vf = +Vsat
avec Vi la tension initiale aux bornes du condensateur

au début de l’instant considéré.
Vf la tension finale aux bornes du condensateur si Avec:
celui-ci poursuivait sa charge jusqu’à la fin.
Après simplification, on trouve:  Il existe aussi des monostables à amplificateur

opérationnel: Ce sont des montages possédant deux
états de fonctionnement différents: L’un stable et
l’autre instable.
Remarque:
 Dans ce cas, on a tD = tC, puisque la constante de  Le monostable étant initialement à l’état stable,
temps en charge est la même que celle en décharge: une impulsion de commande le fait passer à l’état
Ce montage génère des signaux carrés. instable puis, le montage revient de lui-même au
bout d’un temps T dépendant du circuit et appelé
 Si la borne E+ est reliée à travers R3 à une tension période (ou durée) du monostable.
fixe Vref, le montage va générer des signaux
rectangulaires.
32
04/02/2020
Oscillateurs sinusoïdaux

 Définition d’un oscillateur I- Oscillateurs à quadripôles
Un oscillateur est un montage autonome (pas de signal de - un élément actif: circuit amplificateur à transistor
commande) qui génère spontanément un signal alternatif bipolaire, à effet de champ ou un amplificateur
lors de la mise sous tension. opérationnel.
- un circuit passif (un filtre)
 On peut aussi avoir une saturation de

l’amplificateur, ce qui donne un signal non
sinusoïdal à la sortie
33
04/02/2020
Principe de fonctionnement Condition d'oscillation:
 Vs = A*Ve et Ve = B*Vs • Equation de l'oscillateur : AB = 1

d’où: Vs(1 - AB) = 0
 X =l et Y = 0
- Si (1-AB) ≠ 0 alors il faut Vs = 0: pas d’oscillations.
• Conditions de Barkhauzen :
- Si (1-AB) = 0 alors l’équation est satisfaite avec Vs ≠ 0
 Oscillations. AB = 1 => | AB| = 1 :
 Dans le plan complexe, on a:
et  = arg(AB) = A + B = 0 mod 2 : signifie que
A B = X+ j Y le réseau de réaction doit compenser le déphasage
apporté par l’amplificateur.
 X = Re (AB) et Y = Im(AB)
 Le système bouclé doit donc être conçu de telle

sorte que, pour une fréquence d’oscillation Fo, la
tension à la sortie du réseau de réaction soit
exactement égale en phase et en amplitude avec
• Y() = 0  w = wo = 2  Fo: Pulsation des oscillations
la tension d’entrée de l’amplificateur.
Remarque :
- Si AB < 1  le signal de réaction est • X (0) = l  Condition minimale d'entretien des
insuffisant pour maintenir les oscillations  oscillations
Oscillations amorties.
- Si AB > 1  le signal de réaction peut
produire des oscillations croissantes. Cependant,
l’augmentation de l’amplification des signaux est
limitée par la saturation du système.
 Chaîne directe: fonction amplification

I-1 Oscillateurs Basse Fréquences
i- Oscillateur à Pont de Wien:
 Chaîne de retour: constitué du filtre de Wien
GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 211 GM1/GSTR1 212

A . ZAKRITI
34
04/02/2020
 Im(AB) = A . Im(B) = 0  A Im(B) = 0
=0
: Pulsation des oscillations
 A  = 0 , Re (AB) = 1  A . Re (B) = 1
302 R 2 C 2
A . 1
(1   R 2 C 2 )  9 02 R 2 C 2
2
0
En pratique, il faudra respecter A(wo).B(wo) = 1

ii- Oscillateur à réseau déphaseur RC
R2/ R1 = 2: condition de maintien des
oscillations
Remarque :
 Cet oscillateur est très sensible à la valeur

donnée aux résistances R1 et R2.
 La stabilité en fréquence d’un oscillateur à pont

de Wien est typiquement de:
Le bloc de réaction B

 L'amplificateur A
35
04/02/2020
Im(AB) = A. Im(B) = O :
Récapitulatif:
: Pulsation des oscillations
La condition Re(AB) = 1 pour  = 0 donne la valeur

minimale du gain A:
|A| = 29
Pratiquement, on prend: |A|  29

I-2 Oscillateurs haute fréquence: Réseau de réaction LC  Amplificateur: Calcul du gain AC en charge ZL:
Domaine en fréquence: 100 kHz à qq dizaines de MHz. Z3
i- Structure générale Z2
Z3
A C = A0. ZL / (ZL + ZS)  Trouver ZL

Z2
Avec ZL = Z1 // (Z3 + (Z2 // Ze)
Z1 et Z2 sont des bobines, Z3 est un condensateur : On suppose que: Ze >> Z2  ZL = Z1 // (Z3 + Z2)
oscillateur Hartley
Z1 et Z2 sont des condensateurs, Z3 est une bobine:
oscillateur Colpitts
 Bloc de réaction: B  Etude de l'oscillateur
Z3
On impose: Ac B = 1
En posant: Zi = j Xi
Z2
Avec Xi = Li (inductance) ou Xi = -l /  Ci (capacités)
• Im (Ac B) = 0  La fréquence d’oscillation est

Z2 telle que:

Z 2  Z3
36
04/02/2020
 Condition minimale des oscillations  Exemple d’oscillateur LC: Oscillateur Colpitts
• Re (Ac (w0) B(w0) ) = 1 permet d’écrire:
En général la condition exprimant le module du gain

A sera:
Oscillateur de Colpitts à émetteur commun
Oscillateur de Colpitts à émetteur commun
GM1/GSTR1 A . ZAKRITI GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 230

229
37
04/02/2020
II- Oscillateurs à dipôles ou à résistance négative Exemple de dipôles à résistances négatifs:

Diode Tunnel
Principe de fonctionnement: dipôle dont la

résistance est négative (génération d'énergie)
compense l'effet résistif (dissipation d'énergie par
effet Joule) du réseau R, L. C.
Il s’agit d’une résistance DYNAMIQUE

Circuit génère un signal sinusoïdal de fréquence Fo négative " u/i = ∂U/∂I "
i- Oscillateur RLC série
Le système oscille si  = 0
En posant:
(R - RN)(1/L)
y(t) = YM sin (0t) avec 0 = 2  Fo
• Fréquence d'oscillation: III- Stabilité de fréquence
 Plusieurs applications nécessitent des sources de

• Condition minimale d'entretien des fréquences précises comme :
oscillations:
Horloge pour un microprocesseur, Stations
=0  R = RN d’émissions radio……….
traduit la compensation des pertes dans le réseau  La stabilité de fréquence est fortement
RLC . recommandée
38
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* Pour obtenir des oscillateurs très stables en Propriété du Quartz

fréquence à long terme, on fait appel au quartz:
C’est un résonateur qui permet d’obtenir des - Effet piézo-électrique du quartz :
composants équivalents (RLC) impossible `a obtenir si on applique une force de compression sur ses
par les composants passifs. faces (étirer ou écraser), on constate l'apparition de
charges électriques donc une d.d.p entre ses faces
* Le quartz est une lame de cristal de silice (SiO2).
C’est une matière minérale très répandue dans la - Effet piézo-électrique est réversible
nature Si on applique une tension électrique sur la lame
de quartz, on observe une déformation mécanique.
Le quartz  un circuit RLC résonant
GM1/GSTR1 237 GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 238

A . ZAKRITI
 Modèle électrique du quartz:
C0 = capacité électrostatique, associée aux

électrodes métalliques.
En présence d’une tension, le quartz se C : 10 à 25 femto Farad (10-15 Farad).

comporte comme un circuit RLC résonnant:
C << C0
 Calcul d’admittance
Si on néglige l’influence de R, l’admittance équivalente

est :
C’est la fréquence d’antirésonance: Dans ce cas

le quartz est quasiment un circuit ouvert
l’impédance équivalente du Quartz peut être écrite

Ce cas correspond à la résonance série de L et C: alors:
le quartz se présente alors comme une résistance
de faible valeur
 C’est quasiment un court circuit
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 Courbe d’impédance - Entre deux fréquences fs et fp, spécifiques au

X quartz, il se comporte comme une inductance et
ainsi le résonateur remplace la bobine dans un
oscillateur LC.
Quartz  self (L)
Z= jX
L’écart entre fs et fp est

très faible (  3.4 10-3)
Si 0 < f < fs : le quartz  une capacité (X < 0) Le quartz est un composant passif, qui a la
Si f > fp : le quartz  une capacité (X < 0) particularité de vibrer (résonner) à une fréquence
Si fs < f < fp : le quartz  une inductance (X > 0 ) bien particulière et très stable .
Exemple: Oscillateur PIERCE
- Grande stabilité de la fréquence:

• dans le temps :court terme et long terme
en fonction de la température
- Gamme de fréquence:
Quelques dizaines de kHz (montres) à 150 MHz
environ
- Les oscillateurs à quartz sont de plus en plus

répandus.
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Université Abdelmalek Essaâdi Transistor bipolaire

ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE Le transistor Bipolaire:

Transistor bipolaire Transistor bipolaire

• Transistor : Composant électronique utilisé pour

On envisage deux configurations NPN et PNP.

Transistor bipolaire Transistor bipolaire

Exemples de Transistor: II- Transistor en régime statique

- VBE et IB sont les grandeurs d’entrée, VCE et

GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 5 GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 6

Transistor bipolaire Transistor bipolaire

- Caractéristique IC = f( IB ): Réseau de transfert en courant

GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 7 GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 9

Transistor bipolaire Transistor bipolaire

- VCE< VCEsat (presque 0.3 V pour le transistor en

(ICE0 (courant de fuite), k étant faible, on utilise en

Transistor bipolaire Transistor bipolaire

Réellement, Il ya une légère croissance du courant

- On utilise souvent les caractéristiques IC = f (VCE)

Transistor bipolaire Transistor bipolaire

- Caractéristiques techniques - La puissance que peut dissiper un transistor est

Transistor bipolaire Transistor bipolaire

- Ce point est défini par VCE, et IC car VBE est connu

GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 18 GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 19

Transistor bipolaire Transistor bipolaire

ii- Droite de charge statique S : - Points extrêmes de la droite:

GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 20 GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 21

v- Montage de polarisation par pont de base: - Calculons IC ?

 IC est indépendant des variations du gain  .

Ce montage assure la stabilité du point de fonctionnement

GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 29 GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 30

Transistor bipolaire Transistor bipolaire

Rôle principale: III-2 Modèle dynamique du transistor

 Un régime continu qui sert à fixer le point de

Transistor bipolaire Transistor bipolaire

- Principe de l’amplification à l’aide de

GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 33 GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 34

GM1/GSTR1: 2015/2016 Mme ZAKRITI

Dans le cas suivant, le signal est distordu car le point

L’amplification est une fonction linéaire. En

GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 37 GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 38

Transistor bipolaire Transistor bipolaire

ii- Paramètres dynamiques h (Paramètres hybrides)

C’est le gain en courant dans le cas où la sortie est

Transistor bipolaire Transistor bipolaire

Remarque: iii- Détermination des paramètres hij

GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 41 GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 42

Transistor bipolaire Transistor bipolaire

- Les paramètres du transistor en petits signaux sont

- Si le point de polarisation est mal choisi, des

- Le signal d'entrée doit être aussi choisi

Transistor bipolaire Transistor bipolaire

- La façon la plus simple d'étudier un amplificateur

- Pour les étages envisagés ici, on utilise la polarisation

Transistor bipolaire Transistor bipolaire

 Principe de fonctionnement :  Paramètres d’amplificateurs

- Le prélèvement des signaux amplifiés s’effectue

GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 47 GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 48

Transistor bipolaire Transistor bipolaire

 Les paramètres dynamiques d’un amplificateur : - La résistance d’entrée :

GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 49 GM1/GSTR1 A . ZAKRITI 50

Transistor bipolaire Transistor bipolaire

- Afin de ne pas modifier le comportement du

- Les condensateurs C1 et C2 sont des

Transistor bipolaire Transistor bipolaire