CARACTERISTIQUES DES PRINCIPAUX TRANSISTORS DE FABRICATION FRANCAISE E dernier Salon de In Pidco decachée Radio a: montré ses visiteurs Teffort de Tindustre francaise dans le domaine es semi-conducteurs, et présenté un certain nombre de nouveautés. Les études actuellement menges se poursuivent dans trois directions principales = — Aceroissement de Ia fréquence. — Avgmentation de Ia puissance. — Etude de transistors au silicium, Dans le domaine de Vaccroissement de la fé- quence, le centre de. Recherches. Physico-chi miques de Puteaux de la CSF. présente de nouvelles” structures, ) Structure A base diftusée Ul seatble bien qu'au delA de 100 Me/s, les procédés ¢apparentant aux techniques 4 Soient définitivement dépasés et que c'est PUt- lisaton des techniques de diffusion qui appor- tera I solution, Dans I'siément présenté par cette firme, la base est obtente par une couche de germanium © N > @épsiswur 1 micron environ, diffuse Sur di germanium « P's Te contact de base et T'émetteur sont réalisés fen Evaporant sur la base 2 surfaces rectangu- les Gor et tunis de 25 % 100 mic rons sSparées par une distance de 12 microns. On attend de eet élément des fréquences de coupuce de plusieurs ceatsines de Mc/s. ) Structure unipotaire Aleatron. Cet élément fait partie d'un programme de recherches concernant les structures a effet de champ, structures qui permettent despérer des Puissances supéricures ‘celles obtenues avec Jes éléments & base ditfusé pour des fréquen- 2s ideatiques et qui ouvrent la voie de Tut Sation de matériaux semiconducteurs. autres que Ge et Si. ‘L’Aleatron est une structure de forme anni lire qui donne ores et déja, des fréquences Intresanes ave une géométie gol west plus «du domaine de ia microscopic ct laisse done ‘espérer des puissances notables Augmentation de la puissance. Poursuivant ses études sur les transistors de forte puissance, les. laboratoires CSF. réa- lisent des prototypes d'un transistor 15 A; dont Jes performances sont quivalentes & celics du IN 174 de Deleo, Ce transistor pourra tenit es tensions de 80 V. et couvrira ainsi une large gamme dlutilisaiion do. transistors en puissance. TABLEAU I ‘TRANSISTORS HF ET MF ‘Etude do transistors au silichum. Des études se poursuivent sur Tutilisation iffusion pour fa réalisation de transistors au silicium, Des prototypes ont Gté realises dont Ia fréquence de coupure est de Vordze de 15 Me/s et qul sont capables de dissiper plusieurs watts, ‘Mais avant que ces maquettes et prototypes oivent “devenit dans "un proche aveair dd domaine de Ta production courante ‘nous pen- sons intéresser nos lecteurs en présentant les principaux types de transistors, de construction Faas, stelement mis teu dpostion (ous espérons ainsi les inciter & devenir des adeptes des. semio et Ase familia riser aver les circuits d'utilisation de ces now ‘aux éléments ‘Transistors HF et MF. La nouveauté essetille de 1a production dx Département Semi-Conducteurs de la CSF. est constitude par les transistors DRIFT 30 Mo/s (PNIP au germanium). Ces transistors ont une fréquence de eoupure de 30 Me/s. Ils permet: fent, en particulier, de constituer les Stages HP ‘des’ récepteurs recsvant la gamme des ondes courtes de 13 ma 50 m. | Fréquence Tension | Courant =n nominale Type | Jonctions | colleeteur- | collecteur or cours econ) mea Fabrication base max ‘mex oe (base principales w (ma) commune) Fa (Me/s) oc 44 PNP — 10 | wen—ima| is |e ateur oc 45 PNP = 10 50 6 | Ampliieation FI oci39 NPN 250 | > 200 > 35 | Commutation rapide | Radiotechnique octao NPN 250 |S 50. S45 | Commutation rapide octat NPN 250 | S100 a. 53° | Commutation rapise oci70 PNP = ih 0G 70 | Usages eénéraux ‘SETIOG PNP. = 50 3 | Amplification FI SETIO7 PNP ai & | Amplifiation FL SETIOS PNP. = 50 10 | Convertisseur HE SFTUS | DRIFT 30 | Tous usages 40'V serig | DRIFT 30 | Ampli HF 10 Mc/s | csr, Sesi7 | DRIFT 30 | Oseiliateur 20 Me/s SeTis | DRIFT 30 | Mélangeur 18. Mc/s seTii9 | DRIFT 30 | Amplification FL seti0 | DRIFT 30 | Comvertsseur 1 Me/s SFTI26 PNP. 30k 5 | Ampli HF SETI27 PNP SoL 7 | Ampll HE SFTI28 PNP CRS 1m) 10 | Ampli HF 2NiBS PNP 3 | Amplifcation Fr 2N136 PNP. 5 | Amplification FI 2N137 PNP. 7 | Amplifeation FI | Thomsoa- THPSI NPN 2 | Amplifeation FI | Houston THPG2 NPN 2 | Amplifeation FI ‘THP35 NPN 3 | Amplification FI THP36 NPN 5 | Amplifeation FI LE HAUT-PARLEUR @ 30 OCTOBRE 1959 ¢ Page 63[TRANSISTORS BF Teason | Comat | Ga soni | eeemee| Dia eaienca, | Siete | cain nonioa | EiSSopoe| toa | aprons Type Jonctions | base max max en courant (base | collecteut| ont ‘abrication oy | @ commune) | (mw) | Principles ai Fa (he/s) | 425°C | oc st| PNP 7 10 500 | 10 {pronase austve oc 58} PNP i 10 $0 | 10 [Promtse audive 0G $9 | PNP 7 io 300 | 10 forosnise antive Oco| ENP | 30 2 40 | 128 [Ampliseation oot | pnp | 30 30 500 | 125. |Ampliscation 2QG2| ee | 2 bs > 350 165 [Amplioaon de sorte : ‘oc 74 | ee Radiotechnique 28S} ewe | 20 300 1500 | 555 |Amplieation de sorte oc 75 PNP 30 33 700 | 125 |Amplification 0c 76| PNP 32 250 165 [Commutation OS 7 | PNP @ | 350 16s [Commutation [Gommutation pour cow oc 80 2 0 sss_| rants fons SETIOL Py 150 100 [Amplification Serio? 2 150 100 [Fable puisence (rt) Seri03 4 150 00 _ | ample et driven) seria | exp | 24 750 150 [Fable pulisance seria| pNe | 24 230 150 [Pushpa case B csr. Serias| PNP | 24 250 150__[jusau' 500 mw ‘Seto | PNP | 24 300 350 |Moyeane puissance Serist | PNP 4 500 530 [Push-pull classe B jusqu'a 2 W> serie | pur [24 300 350 serias| PNP | 24 500 350 seria | PNP | 45 250 800 | 200. | | Amplieation seria | pe | 45 250 100 | 300 | wate fequence | CSF. seria | Pye | 45 Soo 00 | 350, on seria} PNP | 43 500 1000 | 350 | commutation semis | pep | 45 730 #00 | 550 Tents serias| pNP | 45 150 1000 | 350 ‘TABLEAU IIL ‘TRANSISTORS BF ‘Thomson-Houston | 2N-| 2N- | 2N- -2N43 | 2N44 |2~186|2N187| 2NI88| ,2N. | Ay | rgua |2189|2N190]2N191|2N192) 2265 ‘Limites sbsolues utilisation Dissipation admissible au collecteur 2 asropieaerire tire s+ @aW)| 150) 150] 75! 75] 75/180] go] 180] 75| 73] 75) 75] 95 Tension énire collctour et base W)| ~ 45] — 43| — 25| — 25|— 25] — 25| — 25| — 25 Tension entre émetteur et base | | == s|= 5] s/s} — 5 Tension entre collecteur et émetteur (eatetiFtO) bereeer ee Couriat collesear ‘ “renio’ matistigues moyennes 4 25°C fenson collecteur =» | = 25] — 28|— 25] — 25] — 25 ma) 50 50} 200] 200 200} 200} 200/200] 50] $0) $0] $0) 50 |= s]— 3) — 2] — 12} — 22] — 12} — 2p] — 12} — 12] — vo] — 9p) — 9} 12 Gore tnatens cee] © dl 4 | Po 4 Gale mass en sins (G6 BEI" CGB] a] 38) aa] ao ao] 2a} ao] 2] a EC cu A | Impicane entte tae h Gwetemt | | Lame Ce | | } sa} al 2a] 4 euler (Va eT | Pala ee eee Montage F.C. symétrique classe B Puissance “de sortie” max. pour” distosion| ecisisipencrmrenes (a) 300] 300] 300] 750) 750) 750} Impédance ‘eninge ‘Gignal’ fort) pourAl,, 150 mA : - ka) 1a} 2} 26) 12] 2) 26 Gain de courant (Ver = 11V, Te 50 mA) 24) 36] $a] 3a} 36] ‘Fréquence de coupure en B.C. (Mo/s) ...... 1 os al tal ol 12] 08} 1.21 64 @ LE HAUT-PARLEUR ¢ 30 OCTOBRE 1959 ===Gitons : le SFT 116 pour amplificateurs ALF, jusqu’a 10 Me/s; Le SE-T 117 pour SF-T 120 pour convertiseurs de haute f16- ‘uence. La Radiotechnique présente le nowveas transistor PNP OCIT0 dont Ta fréquence do coupure s'élve 270 Me/s, et les transistors de la série OC 139, OC 140, OC 141, du type NPN par alliage, de construction tout verre, es transistors de structure symétrique ont été Gtudiés pour. des circuits de commutation rapide & haut courant. Ces transistors ont une Srvetore gut leur confre des proprigtés bila- térales. Par conséquent, Tes deux contacts du type N peuvent dire utlsés soit comme émet- 1eur, soit comme collecteur. En oe qui concerne les caractéristiques lec triques, ily a, en général, une légere différence centze les deux sens, due & de petits 6earis de ‘symetre, Aussi ces transistors ont un e6t6 co Ieeteur_préféré qui est indigue per un point rouge sur enveloppe. Les transistors OC 139, OC 140 et OC 141 ont &i€ étudiés en vue d'application & la com- ‘mutation sur des signaux forts. Is se caracté- ‘vent done par une bonne régularité de leur ‘amplification de courant jusqu’sux valeurs levees du courant de colleceur En ce qui concerne le changement de f16- ‘quence, nous avons le choix entre TOC 44 de Ia Radiotechnique, Je 2 N 135 de la Thomso: Houston et Je SF-T 108 de Ia C.F, dont la fréquence de coupure est de 10. Mc/s. Lisa alification M.F. offte un choix important Chantillons ; OC 45 8 la Radiotechnique, SET 106 et SF-T 107 & la CSF., 2N 135, 2 136, 2N 137 2 Ia Thomson auxquels il faut ajouter ke THP 61 et le TH 62, transistors 8 jonction (NPN au silicium destinds & foncionner & des températures élevées, qui viennent sajouter aux transistors de méme type THP 35 et THP 36. ‘Transistors BF de moyenne puissance Parmi les nouveautés, Jes transistors de moyenne puissance de la CSF SF-T 130 et 131 permettent de coastituer des étages BF. de sortie push-pull, classe B, délivant une puis- sance de Yordre de 2 W sur haut-parlear. Ces transistors sont particulitrement congus pour Jes Alectrophones portables. La CSF ‘continue A présenter de nombreux autres types de la série SF-T tels que le SF-T 101, SF-T 102, permettent dlobtenie une puis De son e6té, la Radiotechnique poursuit 1a fabrication de ses deux types. bien connus Transistor de pulesance 0C70 et OCT, tandis que la Thomson-Hous- ton nots offre ses nouveaux transistors 2N190, 2N192 et 2N265. Pour Tétage final symétrique classe B des récepteurs, les types OC72 et OCT4 de Ia ne, les types SF-T 121, SF-T 122, SE-T 123, de ia CSF, et les 2N186, 2N187, 2N188 de Ia "Thomson-Houston permettent otteindre des pulssances de sortie s'élevant ‘au maximum a 500 mW. Pour les puissances Supérieures, on trouve, chez celte firme, les 2NI86A, 2NIS7A et 2NIS8A, dont Ix puis: ‘sance de sortie peut sélever & 750 mW, et chez la C.F, les types SF-T 130 et SC-T 131 ‘qui, ea push-pull, classe B, peuvent donner ‘une puissance de Sortie #élevant & 2 W. TABLEAU IV ‘TRANSISTORS DE PUISSANCE ‘Transistors de puissance Les transistors de puissance SF-T 113, SE-T 114 et SET [50 de la CSP. permetteat do constituer des Stages do sortie B.F. dél vvrant une puissance do 4 W sur haui-parleur fen classe A, une puissance de 10 W sur haut- parlour, avec un montage push-pull, classe B. (Ces. transistors sont_avantageusement uilisés dans les récepteurs auto-radio, Chez la ‘Thom- son, les types THP4S, THP&6, THP47 sont particultrement recommandés pour Ia com- mands des relais, des convertiseeurs de tension, des oscillators, des amplis BF de puissance. ig températire maximm de a jonction est de 85°C. Dans tous les eas, ces transistors dol vent dire montés sur une plaque métallique de 50. X50 afin assurer”un_refroidissement normal. Si le collecteur doit etre isolé de [a ‘mass, celuf-el étant réuni au boltier, on inter- Galera une rondelle de mica entre le boiter et le chissis. Afin d'ssurer une meilleure con Juctivité thermique, oa enduira cette rondelle Ge sraisse silicone. a Radiotechnigue continue A présenter le transistor OCI6, qui peut fournit une puis- sanee de sortio de 2,5 W en classe A vet 8 W en montage symétrique classe B, Ce type est complsté par TOCI9, TOC26, TOC27, es oux derniers permettant d'atteindre une puis- sanee de sortie de 4 W, et plus récemment par Te type OC 30 qui déiivre 1 W en classe” A et jusgu’a 4 Wen montage symétrique blasto B. Conclusion Les semi-conductours #afirment chaque jour davantage comme éiéments de choix dans Te domaine de Télectronigue. La production industrielle des transistors t&- moigne de Ia maftrise aequise dans la techno- logic de fabrication cependant que les labo- ratoires mengnt des travaux de recherches Vic sant A Tamélioration des performances. La gamme, déja Gtendue, des semi-condl teurs de fabrication francaise, permet de satis- faire un grand nombre de besoins et d'exigen- ces de Tindustrio de Télectronigue. Temps - mn Gain moyen |Résistance ce Types dels courant thermiqus| Applications Fabrication eo (K°C/W) ieee eo) 7 | oc is | Pye 2 3 5 Iavoicatons B 86 19 | PNP u 3 % ‘Applications BF 0625 | PNP 2 33 | 5 coca | pe 2 | ss | 9 OC 28 PNP 80, 6 0 [Commutation pour eou-| come rants forts oc 29 | PNP x0 6 ” {commatstion pour cou | | vant for oc 30 | PNP 32 “| os |Applications BF |= = seria | PNP 30 3 75 ‘Ampliicaton > pos Sera | Pe | o 2 5 vance csr. Setiso_| PNP 0 3 5 louse B: 10. W Turse | PNP 2 = Gasie Az 4 Wet ee | ae |. |S s “ampigcation | Thomson tae | pNe | 3 | = 5 de"pussance Houston Tare | mp | | = 5 SEEGERS LE HAUT-PARLEUR © 30 OCTOBRE 1959 @ Pare 65