Prctica No.1 Caractersticas del diodo rectificador. Recta de carga y circuitos rectificadores de corriente alterna de media y onda completa.

Circuitos de Filtrado. Objetivos especficos: El alumno aprender a: Obtener las curvas caractersticas del diodo rectificador. Situar el punto de operacin del diodo en la recta de carga. Analizar las formas de onda obtenidas en los circuitos rectificadores. Analizar el funcionamiento de los circuitos filtro. I. CONOCIMIENTOS PREVIOS. Algunos conocimientos de inters que conviene recordar son: Estructura y simbologa de los diodos semiconductores Curva caracterstica I-V de un diodo (idealizaciones) Tensin umbral Tensin Zner Corriente de saturacin inversa Resistencia esttica y dinmica Circuitos equivalentes en cada tramo. Polarizacin Directa e inversa Clculo del punto de operacin

1.1 EL DIODO IDEAL El primer dispositivo electrnico que se estudia en este curso es el diodo semiconductor, el ms sencillo de los dispositivos semiconductores, pero que desempea un papel muy importante en los sistemas electrnicos. Con sus caractersticas, que son muy similares a las de un interruptor sencillo, aparece en una amplia variedad de aplicaciones, que van desde las ms sencillas a las ms complejas. Antes de presentar la construccin y las caractersticas de un dispositivo real, primero se considerar el dispositivo ideal para ofrecer una base de comparacin. El diodo ideal es un dispositivo con dos terminales, que tiene el smbolo y caractersticas que se muestran en la figura 1 (a) y (b) respectivamente.

Figura 1.1 Caractersticas y smbolo del diodo semiconductor ideal. De manera ideal, un diodo conducir corriente en la direccin que define la flecha en el smbolo, y actuar como un circuito abierto en cualquier intento por establecer corriente en direccin opuesta. En esencia:
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Las caractersticas de un diodo ideal son aquellas de un interruptor que puede conducir corriente en una sola direccin. Es importante que se definan las diferentes literales, polaridades de los voltajes y direcciones de la corriente. Si la polaridad del voltaje aplicado al diodo es el que se muestra en la figura 1 (b), la caracterstica del diodo debe ser considerada en la figura 1 (a) hacia la derecha del eje vertical, En caso de que se aplique un voltaje inverso, es pertinente la caractersticas hacia la izquierda del eje. Si la corriente a travs del diodo tiene la direccin que se indica en la figura 1 (b), la porcin de las caractersticas que deben considerarse es arriba del eje horizontal, mientras que una inversin en la direccin requerira del empleo de las caractersticas abajo del eje. Para la mayora de las caractersticas de los dispositivos que aparecen en este manual, la ordenada (o eje y) ser el eje de la corriente, en tanto la abscisa (o ejex) ser el eje del voltaje. 1.2 Resistencia esttica o del punto de operacin de un diodo ideal. Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto de operacin. Si se considera la regin de conduccin definida por la direccin de I, y polaridad de VD en la figura 1(b), el cuadrante superior derecho de la figura 1 (a), se deduce que el valor de la resistencia directa, R, segn lo define la ley de Ohm, es 0 2,3, , 0

Donde VD es el voltaje de polarizacin directa a travs del diodo e ID es la corriente a travs del diodo Por tanto, el diodo ideal es un circuito cerrado para la regin de conduccin. Si ahora se considera la regin de potencial negativo aplicado (tercer cuadrante) de la figura 1 (a) 2, 4, 0 As, el diodo ideal es un circuito abierto para la regin de no conduccin.

Figura 1.2 a) Estados de conduccin, y b) no conduccin del diodo ideal segn est determinado por la polarizacin aplicado.

En resumen, si la corriente resultante del diodo tiene la misma direccin que la punta de la flecha del smbolo del diodo, ste est operando en la regin de conduccin, segn se describe en la figura 1.2 (a). Si la corriente resultante tiene la direccin opuesta, como se muestra en la figura 1.2 (b) el equivalente apropiado es el circuito abierto. Para poder comparar las caractersticas del diodo ideal con uno real, es necesario tomar en cuenta las siguientes preguntas: Qu tan cercana ser la resistencia directa de un diodo prctico comparado con el nivel O ideal? Es la resistencia inversa de un diodo real lo suficientemente grande como para permitir una aproximacin de circuito abierto?

1.3 SEMICONDUCTORES INTRNSECOS. En su fabricacin los diodos semiconductores utilizan materiales semiconductores. Por lo que se hace necesario revisar brevemente algunas propiedades de ellos que permitan entender por qu un dispositivo de este tipo tiene el comportamiento similar a un diodo ideal. El trmino semiconductor revela por s mismo una idea de sus caractersticas. El prefijo semi suele aplicarse aun rango situado a la mitad entre dos lmites. El trmino conductividad elctrica (, en (ohms-cm)-1) se aplica a la propiedad del material que permite un flujo generoso de cargas elctricas, cuando se aplica a travs de sus terminales una fuente de voltaje de cierta magnitud. Un aislante es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la presin de una fuente de voltaje aplicada. Un semiconductor, por tanto, es un material que posee un nivel de conductividad en un punto entre los extremos de un aislante y un conductor. De manera inversa, y relacionada con la conductividad de un material, se encuentra el concepto de resistividad al flujo de la carga o corriente (, (ohms-cm)). Esto es, mientras ms alto es el nivel de conductividad, menor es el nivel de resistividad. (1-1)

En la tabla 1.1 se muestran los valores tpicos de resistividad para tres categoras amplias de materiales. Los materiales como el germanio y el silicio pueden ser materiales de aplicacin relativamente reciente en la industria. No son los nicos dos materiales semiconductores; sin embargo, son los que ms interesan en el desarrollo de dispositivos semiconductores. Observe en la tabla 1.1 el rango tan grande de la resistividad entre los materiales conductores y aislantes para la longitud de 1 cm de material (en un rea de 1 cm2). Dieciocho lugares separan la colocacin del punto decimal de un nmero a otro. La obtencin del Si ha recibido la mayor atencin por varias razones: una consideracin muy
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importante es el hecho de que puede ser procesado con un muy alto nivel de pureza. De hecho, los avances recientes han reducido los niveles de impurezas en el material puro a una parte por cada 10 mil millones (1: 10000000000). Es posible que se pregunte si estos niveles de impureza son realmente necesarios. En realidad lo son si se considera que la adicin de impurezas (del tipo adecuado) por milln, en una oblea de silicio, puede cambiar dicho material de un conductor relativamente pobre a un buen conductor de electricidad. La capacidad de cambiar las caractersticas del material en forma significativa a travs de este proceso, que se conoce como contaminacin o dopado. Otras razones incluyen el hecho de que sus caractersticas elctricas pueden alterarse en forma significativa a travs de la aplicacin de calor o luz, una consideracin importante en el desarrollo de dispositivos sensibles al calor o a la luz. Algunas de las cualidades nicas del Ge y el Si se deben a su estructura atmica. Los tomos de ambos materiales forman un patrn muy definido que es peridico en naturaleza (esto es que continuamente se repite el mismo). A un patrn completo se le llama cristal, y al arreglo peridico de los tomos, red cristalina. Para el Ge y el Si el cristal tiene la estructura de diamante de tres dimensiones que se muestra en la figura 1.3. Cualquier material compuesto slo de estructuras repetidas de cristal del mismo tipo se denomina estructura de monocristalina.

Figura 1.3 Estructura monocristalina del Si y el Ge Ahora se explicar la estructura del tomo de Ge y Si y cmo se pueden afectar las caractersticas elctricas del material. Como se tiene entendido, en general, el tomo se compone de tres partculas bsicas: el electrn, el protn y el neutrn. En la red atmica, los neutrones y los protones forman el ncleo, mientras que los electrones se mueven alrededor del ncleo sobre una rbita fija. El modelo de Bohr del germanio y el silicio, se muestran en la figura 1.4.

Figura 1.4 Estructura (a) Ge, (b) Si Como se ndica en la figura 1 .4(a), el tomo de germanio tiene 32 electrones en varias rbitas, mientras que el silicio tiene 14 electrones en sus rbitas. En cada caso, existen cuatro electrones en la rbita exterior (son los electrones de valencia). El potencial (potencial de ionizacin) que se requiere para separar cualquiera de estos cuatro
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electrones de valencia, es menor que el requerido por cualquier otro electrn dentro de la estructura. En una estructura monocristalina (denominado semiconductor puro o intrnseco) de germanio o de silicio, estos cuatro electrones de valencia se encuentran unidos a cuatro tomos adjuntos, como se muestra en la figura 1.5 en el modelo de enlaces para el silicio. Tanto el Ge como el Si son tomos tetravalentes, porque cada uno tiene cuatro electrones de valencia. Una unin de estos tomos donde se comparten sus electrones de valencia se denomina unin covalente

Figura 1.5 El modelo de enlaces. Unin covalente del tomo de silicio Si bien la unin covalente generar una unin ms fuerte entre los electrones de valencia y su tomo, an es posible para los electrones de valencia absorber suficiente energa cintica por causas naturales, para romper la unin covalente y asumir el estado libre. El trmino libre revela que su movimiento es muy sensible a los campos elctricos aplicados, como los establecidos por las fuentes de voltaje o cualquier diferencia de potencial. Estas causas naturales incluyen efectos como la energa luminosa en la forma de fotones y la energa trmica del medio que lo rodea. A temperatura ambiente existen aproximadamente 1.5 x 1010 portadores libres en un centmetro cbico de material intrnseco de silicio Los materiales intrnsecos son aquellos semiconductores que han sido cuidadosamente refinados para reducir las impurezas a un nivel muy bajo, esencialmente tan puro como lo permita obtener la tecnologa moderna. A los electrones libres localizados en el material que se deben slo a causas naturales, se les conoce como portadores intrnsecos A la misma temperatura, el material intrnseco de germanio tendr aproximadamente 2.5 x 1013 portadores libres por centmetro cbico. La relacin del nmero de portadores en el germanio respecto al silicio es mayor de 103 e indica que el germanio es un mejor conductor a temperatura ambiente. Aunque en estado intrnseco ambos an son considerados conductores pobres. Un incremento en la temperatura de un semiconductor puede generar un incremento sustancial en el nmero de electrones libres en el material. Si se aumenta la temperatura desde el cero absoluto (0 K), un nmero mayor de electrones de valencia absorben suficiente energa trmica como para romper la unin covalente y contribuir as al nmero de portadores libres, segn se describi antes. Este mayor nmero de portadores aumentar la conductividad y generar un menor nivel de resistencia. Se dice que los materiales semiconductores como el Ge y el Si, que muestran una reduccin de su resistencia con el incremento en la temperatura, tienen un coeficiente de temperatura negativo.
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Al contrario de los metales, que la resistencia de casi todos ellos se incrementar con la temperatura. Esto se debe al hecho de que el nmero de portadores en un conductor no se incrementar significativamente con la temperatura, pero la vibracin de la estructura con respecto a una localizacin relativamente fija aumentar, lo mismo que la dificultad para que los electrones pasen a travs de ella. Un incremento en la temperatura, por tanto, genera un aumento del nivel de resistencia y un coeficiente positivo de temperatura. 1.4 CONCEPTO DE HUECO. Una de las aplicaciones inmediatas del modelo de enlaces, es que sirve para explicar el concepto de hueco. A temperaturas bajas (~ 0 K), en este tipo de enlace los electrones estn fuertemente ligados a los ncleos, y a pesar de la disponibilidad de cuatro electrones de valencia el cristal tiene baja conductividad, puesto que no hay disponible ningn portador libre de electricidad. En cambio, a la temperatura ambiente (~ 300 K) algunos enlaces covalentes se rompern debido a la absorcin de energa trmica por el cristal. En Figura 1.6 Cristal de germanio con tales circunstancias habr electrones libres un enlace covalente roto. por lo que ser posible la conduccin elctrica. Esta situacin se puede ver en la figura 1.6. La energa Eionizacin que se precisa para romper el enlace covalente es, aproximadamente de 0.72 eV para el germanio y de 1.1 eV para el silicio a temperatura ambiente. La ausencia del electrn en el enlace covalente se representa por el pequeo crculo de la figura 1.6, al cual se le denomina hueco. La importancia del hueco es primordial, ya que puede servir como portador de electricidad comparable en su efectividad con el electrn libre El mecanismo por el cual los huecos contribuyen a la conductividad puede explicarse de la siguiente manera La presencia del campo elctrico E a travs del material provoca que los enlaces incompletos (donde existe un hueco), proporcionan un mecanismo relativamente fcil al electrn de valencia del tomo que les permite dejar su enlace covalente y llenar este hueco. Un electrn que deja su enlace para llenar un hueco deja a su vez otro hueco en su posicin inicial: Por lo tanto, el hueco se mueve efectivamente en direccin contraria al Figura 1.7 Cristal de germanio electrn. Este hueco en esta nueva posicin puede de otro enlace puro o intrnseco con enlaces ser llenado por un electrn covalentes rotos cuando tiene covalente, y por lo tanto el hueco se mover un lugar ms en sentido contrario al movimiento del aplicado un campo elctrico. electrn. De esta manera tenemos un nuevo mecanismo de conduccin de la electricidad identificado en la Figura 1.7 como Jp (densidad de corriente de huecos) a la diferente de electrones libres, Jn (densidad de corriente de electrones libres. El movimiento del hueco en una direccin significa el traslado de una carga negativa a igual distancia pero en direccin opuesta. Los huecos se comportan como cargas positivas de igual valor que la carga del electrn. El argumento de que los huecos equivalen a cargas positivas libres, se justifica de manera
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formal por medio de la mecnica cuntica, pero una verificacin experimental puede hacerse midiendo el efecto denominado efecto Hall. Un semiconductor puro o intrnseco es aquel en cual el nmero de huecos es igual al nmero de electrones libres. Con la absorcin continua de energa trmica se generan nuevos pares de electrn-hueco, mientras que en otro momento los pares electrn-hueco desaparecen como resultado de la prdida de energa de un electrn libre, que le permite ocupar estado libre proporcionado por el hueco. Este fenmeno se llama recombinacin. Por lo tanto, la concentracin de huecos p debe ser igual a la concentracin de electrones libres n, de manera que: n = p = ni y Jp = Jn (1-3)

donde n i se denomina concentracin intrnseca. 1.5 MATERIALES EXTRNSECOS: TIPO n Y TIPO p Las caractersticas de los materiales semiconductores pueden ser alteradas significativamente por la adicin de ciertos tomos de impureza a un material semiconductor relativamente puro. Estas impurezas, aunque slo haya sido aadida 1 parte en 10 millones, pueden cambiar totalmente las propiedades elctricas del material, Un material semiconductor que haya sido sujeto al proceso de dopado se denomina material extrnseco. 1.5.1 Impurezas donadoras y aceptoras. Si un semiconductor intrnseco, se le impurifica mediante un proceso de difusin de impurezas con una pequea cantidad de tomos trivalentes (del grupo III) o pentavalentes (del grupo V), se transforma en un semiconductor impurificado, contaminado o extrnseco. 1.5.1.1 Semiconductor tipo n. Si la impureza tiene cinco electrones de valencia (antimonio, fsforo arsnico) se obtiene la estructura cristalina de la figura 1.10. Los tomos de las impurezas sustituirn algunos tomos del germanio (o el silicio) del cristal. Cuatro de los cinco electrones de valencia ocuparn enlaces covalentes, y el quinto quedar inicialmente sin enlace, pero posteriormente se constituir en un portador libre de corriente. Como al contaminar al semiconductor puro con elementos de este grupo provoca que exista ms portadores de carga libre negativos (es decir, ms electrones libres), las impurezas agregadas se les denomina impurezas donadoras ND o impureza tipo n. En este caso de contaminacin se tiene que n > p. Por lo que el material es tipo n.

1.5.1.2 Semiconductor tipo p. Si se aaden impurezas trivalentes (como el boro, galio o indio) a un semiconductor intrnseco, solo se puede completar tres enlaces covalentes, y la ausencia correspondiente al cuarto enlace constituye un hueco. Esta situacin queda reflejada en la figura 1.11. Tales impurezas crean la posibilidad de ms portadores positivos (es decir, ms huecos), que pueden aceptar electrones, y por lo tanto son conocidos con el nombre de impurezas aceptoras NA o impurezas tipo p. En este caso de contaminacin se tiene que p > n. Por lo que el material es tipo p.

Figura 1.11 Red de cristal de germanio con un tomo desplazado por un tomo impurificado trivalente. 1.5.2 Portadores mayoritarios y minoritarios En el estado intrnseco, el nmero de electrones libres en el Ge o en el Si se debe slo a aquellos electrones en la banda de valencia que han adquirido suficiente energa de las fuentes trmicas o lumnicas para romper la unin covalente. Las vacantes dejadas atrs en la estructura de uniones covalentes representan una cantidad muy limitada de huecos, En un material tipo n, el nmero de huecos no ha cambiado de manera significativa de su nivel intrnseco. El resultado neto, por tanto, es que el nmero de electrones libres supera por mucho el nmero de huecos. Por esta razn; En un material tipo n (figura 1.10) al electrn libre se le llama portador mayoritario y el hueco es el portador minoritario. Para el material tipo p el nmero de huecos supera por mucho el nmero de electrones libres, como se muestra en la figura 1.11. Por tanto: en un material tipa p el hueco es el portador mayoritario y el electrn libre es el portador minoritario. Debe resaltarse una importante consecuencia de la impurificacin del semiconductor intrnseco: no solo aumenta la conductividad del material, sino que sirve para producir un material en el que los portadores de electricidad puedan ser de uno u otro tipo, o sea, huecos o electrones. Por lo tanto, en un semiconductor tipo n, los electrones libres predominan y son los mayoritarios (los huecos los minoritarios). En un material tipo p, los huecos son portadores mayoritarios y los electrones libres portadores minoritarios. 1.5.3 Atomos de impureza ionizados Cuando el quinto electrn de un tomo donador deja a su tomo, el tomo adquiere una carga positiva neta; de ah el signo positivo en la representacin del ion donador. Por razones anlogas, el signo negativo aparece en el ion aceptor.

Los materiales tipo n y p representan los bloques de construccin bsicos de los dispositivos semiconductores. En la siguiente parte se encontrar que la unin de un material tipo n con un material tipo p tendr por resultado un elemento semiconductor de importancia considerable en los sistemas electrnicos.

Figura 1.12 Esquemas de las diferentes cargas elctrica en los materiales semiconductores tipo n y p.

1.6 DIODO SEMICONDUCTOR Como ya se dijo antes, el diodo semiconductor se forma al juntar dos materiales, uno tipo p y otro tipo n (construidos sobre la misma base o sustrato, Ge o Si), segn se muestra en la figura 1.13

Figura 1.13 Unin p-n sin polarizacin externa Dicho de otra manera, de la una unin de dos semiconductores, uno del tipo p y otro del tipo n, se obtiene un dispositivo denominado diodo de unin, (el cual por poseer la propiedad de conducir en un solo sentido, tambin se le conoce como unin rectificante). Como el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicacin de un voltaje a travs de sus terminales permite tres posibilidades; sin polarizacin (VD = 0 V), polarizacin directa (VD >0V) y polarizacin inversa (VD <0V). Cada una es condicin que dar un resultado que el usuario deber comprender con claridad para que el dispositivo se aplique en forma efectiva.

Figura 1.14 a) Esquema de la unin p-n , b) Su smbolo.

1.6.1 Sin polarizacin (VD = 0 V). La formacin de la regin de carga espacial o regin desrtica Asumiendo que inicialmente, solo hay material semiconductor tipo p a la izquierda de la unin y material del tipo n a la derecha. Debido a esta distribucin de la concentracin portadores mayoritarios, se manifiesta la existencia de un exceso de concentracin de portadores para ambos lados de la unin. Esta es la condicin necesaria para iniciar las corrientes de difusin en ambos sentidos, cuya consecuencia ser la formacin de la regin de carga espacial, regin desrtica o de vaciamiento, constituida por una delgada zona de tomos ionizados en ambos lados de la unin. En la figura 1.15, el ion donador se representa por un circulo pequeo con signo ms, ya que despus de que este tomo de impureza haya cedido un electrn (y ese electrn libre se difunda a travs de la unin), se transforma en ion positivo. El ion aceptador est indicado con un signo menos, debido a que, despus de aceptar (por va de la recombinacin de pares electrn-hueco) este tomo con un electrn ms se transforma en un ion negativo.

Figura 1.15 Regin de contacto de una unin p-n. As, la regin de vaciamiento se forma debido a que los huecos se difunden hacia la derecha atravesando la unin, y los electrones libres hacia la izquierda. Los huecos que neutralizaban los iones aceptores en las proximidades de la unin en el silicio del tipo p, desaparecen por el efecto de la recombinacin con los electrones que se han difundido a travs de la unin. De la misma manera, los electrones neutralizantes del silicio tipo n se recombinan con los huecos que atraviesan la unin desde el material tipo p (es preciso decir, que el movimiento de huecos es el movimiento de electrones en la banda de valencia). Los iones no neutralizados (tanto donadores como aceptores) en las cercanas de la unin se conocen con el nombre de regin de agotamiento, regin de vaciamiento, regin desrtica o regin de cargas descubiertas. La densidad de estas cargas se representa por (x ) y depende de la forma en que la unin haya sido contaminada. Una posible forma de (x ) se representa en la Fig. 1.17. La anchura de esta regin es del orden de longitud de onda de la luz visible [(0.5 micras = 0.5m)]. Afuera de esta regin las concentraciones respectivas son p N A y n N D .

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Intensidad del campo elctrico. La figura 1.17(a), muestra que la densidad de carga espacial (x ) es cero en la unin, a la derecha es positiva y a la izquierda negativa. Esta distribucin constituye una capa elctrica dipolar, que tiene lneas de flujo de derecha a izquierda, y que corresponden a

una intensidad de campo negativa E como se seala en la figura 1.17 (b) La presencia de este campo elctrico se ir incrementado conforme ms huecos y electrones sean difundidos a travs de la unin. Pero a su vez, este campo elctrico deber generar una corriente de arrastre o desplazamiento de portadores pero en sentido contrario a la corriente de difusin establecida por el gradiente de concentracin de portadores mayoritarios en ambos lados de la unin. La intensidad de campo que se muestra en la figura 1.17(b) es proporcional a la integral de la curva de la densidad de carga (figura 1.17(a)). Esta afirmacin se puede deducir de la ec. de Poisson:

(x ) d 2V = 2 dx
Figura 1.17 (a) Densidad de cargas ionizadas, (b) la intensidad de campo elctrico en la regin desrtica, (c) Grfica del potencial electrosttico V, y (d) Barrera

(1-4)

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En resumen, en la unin existir una corriente de difusin de portadores de carga igual a

IDIFUSION = IDIFUSION DE HUECOS + IDIFUSION DE ELECTRONES

(1-5)

Pero la presencia del campo interconstruido de la unin producir una corriente de deriva de portadores de carga:

I DESPLAZAMI ENTO = I DESPLAZAMI ENTO DE HUECOS + I DESPLAZAMI ENTO DE ELECTRONES

(1-6)

Las condiciones de equilibrio se establecern cuando la corriente de desplazamiento de huecos sea igual y opuesta a la corriente de difusin de los huecos (de la misma manera para los electrones) de tal forma que el total de la corriente de huecos y electrones se reduce a cero. O sea, ya no se difundirn ms huecos en la unin desde la regin p, ni electrones de la regin n. I DIFUSION + I DESPLAZAMI ENTO = 0 (1-7) En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de la carga en cualquier direccin para un diodo semiconductor es cero. 1.6.2 Polarizacin inversa (VD < 0V). En la fig. 1.18 se muestra una unin p-n polarizada en sentido inverso o de corte. La batera est conectada a las terminales de la unin p-n de la siguiente manera: la terminal negativa de la batera V se conecta al lado p de la unin, y la positiva al lado n. La polaridad de la unin, crea un campo elctrico a travs de la unin, tal que tiende a llevar los huecos del material tipo p y los electrones del tipo n a alejarse de la unin. En consecuencia, la regin de densidad de cargas negativas descubiertas se extiende hacia la derecha. De igual forma, la regin de densidad de cargas positivas descubiertas se desplaza hacia la derecha. No obstante, esta corriente de desplazamiento cesa pronto, ya que tanto los huecos y los electrones deberan provenir de los lados tipo n, y la tipo p respectivamente, lo cual no es posible ya ah son minoritarios. Por lo tanto, lo anterior dar una corriente a travs de unin igual a cero. No obstante, existir una corriente muy pequea a travs de la unin debido a los pocos Figura 1.18 Comportamiento de la zona de vaciamiento con pares de electrn-huecos que se el aumento de voltaje de polarizacin inverso. generan en la zona de desercin como resultado de la energa trmica. Esta pequea corriente se le llama la corriente inversa de saturacin del diodo y se representa por I0. (o tambin IS).Esta corriente inversa depende de la temperatura a la que se encuentre la unin, tal que aumentar con el incremento de la temperatura. Otra forma de describir el comportamiento de la unin es la siguiente: De acuerdo a lo expuesto en la seccin anterior, aun cuando no se le aplica exteriormente ningn voltaje, la unin posee una barrera de potencial que tiene la forma de la figura 1.17(c). Ahora, si se le aplica el voltaje V de la batera, la altura de la barrera se incrementara
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hasta un valor q(Vo + V). Este incremento impedir an ms el flujo de portadores mayoritarios en la unin.

Figura 1.19 Aumento de la barrera de potencial de la unin debido a la polarizacin inversa V.

Figura 1.20 Comportamiento de la zona de vaciamiento con el voltaje de polarizacin directo. 1.6.3 Polarizacin directa (VD >0V). Cuando se conecta la batera a la unin como en la Fig.1.20 se le llama polarizacin directa del diodo. As, al aplicarse una tensin directa V al diodo, se reducir la barrera de la potencial en la unin, alterndose el equilibrio que ya se haba establecido entre las fuerzas que tendan a producir por un lado la difusin y por otro el desplazamiento por el campo interconstrudo en la unin; por lo tanto, con polarizacin directa, los huecos atravesarn la unin desde la regin tipo p hasta la tipo n, por lo que habr una inyeccin de portadores mayoritarios para el material tipo n. De forma similar, los electrones atravesarn la unin en sentido inverso y se transformarn en una corriente mayoritaria inyectada al lado tipo p. Los huecos que circulan de izquierda a la derecha constituyen una corriente, en la misma direccin que los electrones que se mueven de derecha a izquierda. Mientras se incremente en magnitud la polarizacin aplicada, la regin de agotamiento continuar disminuyendo su anchura hasta que un flujo muy grande de electrones pueda pasar a travs de la unin, lo que da como resultado un incremento exponencial en la corriente. Curva caracterstica de la unin P-N. Segn lo expresado anteriormente, para una unin p-n, la corriente I se relaciona con la tensin V por medio de la ecuacin: (1-9) I representa el valor de la corriente que circula a travs de la unin. El diodo est polarizado en sentido directo si V es positivo si el lado p de la unin es positivo con
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I = I0 ( e

V / VT

1)

respecto al n. El smbolo , es un factor de correccin, vale la unidad para el germanio y aproximadamente 2 para el silicio con corrientes moderadas. El smbolo VT representa a la tensin o voltaje equivalente temperatura y viene dado por la ecuacin siguiente:

VT =

(1-10) A la temperatura ambiente (T = 300 K), VT = 0,026 V = 26m V. En la Fig.1.21 (a) aparece la forma de la caracterstica de tensin-corriente, proveniente de la Ec.(1-9). Cuando la tensin es positiva y varias veces superior a VT, puede despreciarse el 1 en el parntesis de la Ec.(1-9). Por tanto, excepto para un pequeo margen en la proximidad del origen, la corriente aumenta exponencialmente con la tensin. Cuando el diodo se polariza en sentido inverso y V vale varias veces VT , I I 0 . En este caso la corriente inversa es constante e independiente de la tensin inversa aplicada, la cual es denomina corriente inversa de saturacin. Para mayor claridad, en la Fig. 1.21(b) se ha exagerado el valor de la corriente I 0. Normalmente, la gama de corriente directa I, en la que funciona el diodo es varios rdenes de magnitud mayor que la corriente de saturacin inversa I 0. Para mostrar convenientemente las caractersticas de

T 11 600

Figura 1.21 (a) Curva caracterstica tensin corriente de un diodo p-n ideal. (b) Caracterstica tensin corriente de un diodo de germanio para mostrar el orden de magnitud de la corriente. La parte con lnea interrumpida indica la regin de ruptura en VZ. (c) Curva caracterstica tensin corriente de un diodo p-n de germanio (1N270) y otro de silicio (1N3605) a 25 C.

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polarizacin directa e inversa, ser necesario emplear dos escalas diferentes en los ejes de corriente, tal como se muestra en la Fig. 1.21 (b). En el caso de la figura indicada, la escala de corriente directa est expresada en miliamperes y la corriente inversa en microamperes. La parte dibujada en lnea interrumpida en la curva de la Fig. 1.21(b) indica que a un voltaje de polarizacin inverso VZ , la caracterstica del diodo presenta un cambio brusco que se aparta extraordinariamente de la Ec. (4-9). A partir de este voltaje crtico, habr una circulacin de corriente inversa muy grande y se dice que el diodo est en la regin de ruptura, que ser comentada nuevamente ms adelante. 1.7 Tensin umbral V: Es importante tener en cuenta un determinado nmero de diferencias existentes entre los diodos de germanio y de silicio. Por ejemplo, en la Fig. 1.21 (c) aparece la diferencia entre las caractersticas de tensin-corriente entre uno y otro. En esta figura aparece clara la existencia de una tensin codo, de partida o umbral V, por debajo de la cual la corriente es muy pequea. Se puede ver que V. es, aproximadamente, 0.2-0.3 V  para el germanio y 0.6-0.7 V para el silicio. En la figura 1.22 se tiene la grafica experimental obtenida de un diodo Obsrvese que la tensin umbral en el diodo de silicio es aprox. 0,4 V superior a la del germanio. La razn estriba en parte, en que la corriente de saturacin inversa en el germanio es normalmente superior, unas 1000 veces mayor, que la del diodo de silicio. I 0 es del orden de microamperes para el germanio y de nanoamperes para el silicio a la temperatura ambiente.

Figura 1.22 Caractersticas experimentales de un diodo de silicio

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1.8 Resistencia esttica del diodo La resistencia esttica R de un diodo se define por medio de la relacin

R=

VD , ID

ID Q VD Q

1 R

donde VD e I D son los valores del voltaje y la corriente del diodo en un punto de funcionamiento Q cualquiera de la caracterstica tensin-corriente del diodo (Fig. 1-23). Desde el punto de vista geomtrico, la resistencia R es igual a la inversa de la pendiente de la recta que une el punto de funcionamiento Q con el origen.

Figura 1.24 El punto de operacin Q de un diodo y la resistencia de C.D. o esttica El valor tpico de la resistencia esttica R del diodo de silicio es: V DQ = 0.77 V a I DQ = 17 mA (que corresponde a una 1.9 Resistencia dinmica. Este es un parmetro importante para el funcionamiento del diodo con pequeas seales, la resistencia dinmica o incremental r entre dos puntos de operacin Q y Q, se define geomtricamente en la curva caracterstica como
r V I

R = 80

Por lo tanto:

r r

0 . 77 0 . 64 V 17 2 mA 0 . 13 V 15 mA = 8 .7

La resistencia dinmica se puede calcular usando la definicin y la ecuacin (1.9)

r
r

dV dI
1 dI dV

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r =

1 I 0 e V /V V T
V T
I
T

VT I + I0

(1-11)

Para una polarizacin directa superior a unas dcimas de volt I >> I 0 y r viene dada por:

(1-12)

La resistencia dinmica vara inversamente al valor de la corriente del diodo I. Para

= 1, r =

26 I DQ

donde I DQ se expresa en miliamperes y r en ohms. Para una corriente directa de IDQ = 17 mA, la resistencia dinmica es de 1.5 ohm.

Figura 1.24 Determinacin de la resistencia dinmica o incremental del diodo.

17

1.10 Caracterstica lineal aproximada del diodo. La aproximacin lineal para grandes seales proporciona a menudo soluciones suficientemente satisfactorias para la mayor parte de las aplicaciones en Ingeniera Electrnica. Una aproximacin equivalente lineal para la caracterstica de en un diodo semiconductor, sera la indicada en la fig. 1.25. El punto de rotura, umbral o partida no es el origen, sino V . El diodo se comporta como un circuito abierto para V < V, y con una resistencia incremental constante r dV si V > V . La resistencia r (tambin dI designada por R f, se denomina resistencia directa) .Los valores numricos V y R f dependen del tipo de diodo, de los valores de la tensin y corriente.

Fig. 1.25. Caracterizacin del equivalente lineal de un diodo semiconductor.

1.10.1 Circuito equivalente simplificado Para la mayora de aplicaciones la resistencia R f (o rav ) es lo suficientemente pequea en comparacin con los otros elementos de la red, como para poder ignorarla. La eliminacin de R f del circuito equivalente es afirmar que las caractersticas del diodo son las que se muestran en la figura 1.38.

Esta aproximacin se utiliza frecuentemente en el anlisis de circuitos semiconductores como se ver ms adelante. El circuito equivalente reducido se muestra en la misma figura, y manifiesta que en un sistema electrnico, un diodo de silicio polarizado directamente, bajo condiciones de corriente dc tendr una cada de 0.7 V a traves de l, en el estado de conduccin a cualquier nivel de comente del diodo (por supuesto, dentro de los valores nominales).

18

1.10.2 Circuito equivalente ideal Una vez que se ha eliminado R f (o rav ) del circuito equivalente vamos un paso adelante y establezcamos que el nivel de 0.7 V normalmente puede ignorarse cuando se compara con el nivel de voltaje aplicado. En este caso, el circuito equivalente se reducir al de un diodo ideal con sus caractersticas como se muestra en la figura 1.39.

Tabla de Resumen

1.11 La recta de carga Normalmente, la resistencia R que se agrega al circuito de un diodo rectificador, se denomina resistencia de carga, tendr un impacto importante en el punto o regin de operacin del dispositivo.

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Considere el circuito de la figura 1.26 (a) que utiliza un diodo, el cual tiene la curva caracterstica de la figura 1.26 (b). La batera tiene como objetivo establecer una corriente a travs del circuito en serie, de acuerdo con el sentido de las manecillas del reloj. El hecho de que esta corriente y la direccin de conduccin indicada por el smbolo del diodo sean semejantes, indica que el diodo est en estado encendido. La polaridad resultante a travs del diodo ser como se seala, y ser el primer cuadrante (VD e ID positivos) de la figura 1.26(b) la regin de inters, es decir, la regin de polarizacin directa.

Figura 1.26 Diodo en serie. (a) Circuito. (b) Curva caracterstica. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito en serie de la figura 1.26( a) dar por resultado 0 (1.1) Las dos variables en la ecuacin (1.1) (VD e ID) son las mismas las variables que la de los ejes del diodo de la figura 1.26 (b). Esta similitud permite graficar la ecuacin (2.1) sobre el mismo plano de la curva caractersticas del dispositivo, la cual representar el comportamiento de la corriente del diodo en la carga aplicada. Por medio de un anlisis de la ecuacin (2.1) se puede determinar que su grfica ser una recta sobre el plano ID VD. Para ubicar la grfica se localizan dos puntos con el procedimiento siguiente: Si en la ec. (1.1), 0, sera la condicin para encontrar la interseccin con el eje ID.

Por lo que las coordenadas del primer punto seran (0, ). Si en la ec. (1.1), 0, sera la condicin para encontrar la interseccin con el eje VD.

por lo que las coordenadas del segundo punto seran (E,0) Una lnea recta dibujada entre los dos puntos definir una recta que se le denominar recta de carga, como la descrita en la figura 2.2.
20

Si se cambia el valor de R (la carga), cambiar la interseccin sobre el eje vertical. El resultado ser un cambio en la pendiente de la recta de carga, y en un punto de interseccin diferente entre la recta de carga y. las caractersticas del dispositivo. Vemos que se tiene una recta de carga definida por la red y una curva de caractersticas definida por el dispositivo. El punto de interseccin entre las dos es el punto de operacin Q para este circuito. Al trazar una lnea vertical desde este punto Q hacia abajo hasta el eje horizontal puede determinarse el voltaje del diodo VD , mientras que una lnea horizontal a partir del punto de interseccin y hasta el eje vertical dar el nivel de ID. La corriente IDQ es en realidad la corriente a travs de toda la configuracin en serie de la figura 1.26 (a). En general, al punto de operacin Q se le llama punto estable (abreviado Q-pt, por las palabras en ingls de: Quiescent Point) y refleja sus cualidades de estable y sin movimiento como se define una red de c.d. La solucin que se obtiene por la interseccin de las dos grficas es la misma que podra conseguirse mediante la solucin matemtica de las ecuaciones simultneas (2.1) y (1.9). Puesto que la curva para un diodo tiene caractersticas no lineales, las matemticas involucradas requeriran del uso de tcnicas no lineales que estn fuera de las necesidades y objetivo de estas notas. El anlisis de la recta de carga descrito antes ofrece una solucin con un mnimo de esfuerzo, y una descripcin pictrica de cmo pueden obtenerse los valores de VDQ e IDQ. 1.12 RECTIFICACION DE MEDIA ONDA Para continuar el anlisis de los diodos se ver la aplicacin de ellos en circuitos donde se usan seales elctricas variables en el tiempo, tales como la forma de onda senoidal y la onda cuadrada. La red ms simple que se examinar con una seal variable en el tiempo v i (t ) = Vm sen (t ) , (una seal de corriente alterna senoidal), aparece en la figura 2.43: Se utiliza el modelo ideal (obsrvese la ausencia de la identificacin Si o Ge para denotar el diodo ideal), para evitar la complejidad matemtica adicional. En un ciclo completo, definido por el periodo T de la figura 2.43, el valor promedio de la c.a. (la suma algebraica de las reas arriba y abajo del eje) es cero. El circuito de la figura 2.43, llamado rectificador de media onda, generar una forma de onda v o (t ) , la cual ya tendr un valor promedio. El proceso se denomina conversin de a.c. a d.c. Cuando se
21

usa un diodo en el proceso de rectificacin, es comn que se le llame diodo rectificador. Sus valores nominales de potencia y corriente son normalmente mucho ms altos que los de los diodos que se usan en otras aplicaciones, como en sistemas digitales o sistemas de comunicacin.

Durante el intervalo t = 0 T / 2 en la figura 2.44, la polaridad del voltaje aplicado v i (t ) es de tal modo que establece presin en la direccin que se indica, y activar al diodo con la polaridad indicada arriba del diodo. Al sustituir la equivalencia de circuito cerrado por el diodo dar por resultado el circuito equivalente de la figura 2.44, donde parece muy obvio que la seal de salida es una rplica exacta de la seal aplicada. Las dos terminales que definen el voltaje de salida estn conectadas directamente a la seal aplicada mediante la equivalencia de corto circuito del diodo. Para el periodo T / 2 T , la polaridad de la entrada v i (t ) es como se indica en la figura 2.45, y la polaridad resultante a travs del diodo ideal produce un estado apagado con un equivalente de circuito abierto. El resultado es la ausencia de una trayectoria para el flujo de carga y v o (t ) =i R = (0) R = 0 V para el periodo T / 2 T . Con el propsito de establecer

Figura 2.45 Seal rectificada de media

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Vcd = 0.318 Vm

rectificacin de media onda.

(2.7)

Al proceso de eliminacin de la mitad de la seal de entrada para establecer un nivel promedio o de cd se le llama rectificacin de media onda. El efecto del uso de un diodo de silicio con V = 0.7 V se seala en la figura 2.49 para la regin de polarizacin directa. La seal aplicada debe ser ahora por lo menos 0.7 V antes de que el diodo pueda encenderse. Para los niveles de menores que 0.7 V el diodo an est en estado de circuito abiertoV0 (t ) = 0 V , como lo indica la misma figura. Cuando conduce, la diferencia entre v o (t ) y v i (t ) es V = 0.7 V y v o (t ) = v i (t ) - V segn se indica en la figura. El efecto neto es una reduccin en el rea arriba del eje, la cual reduce el nivel de voltaje cd resultante. Para las situaciones donde Vm >>V, puede aplicarse la ecuacin 2.8 para determinar el valor promedio

Vcd = 0.318 (Vm V )

(2.8)

23

Si Vm es suficientemente ms grande que Vg, la ecuacin 2.7 es a menudo apIicada como una primera aproximacin de Vcd 1.13 RECTIFICACIN DE ONDA COMPLETA 1.13.1 Puente de diodos El nivel de dc obtenido de una entrada senoidal se puede mejorar un 100% mediante la utilizacin de un proceso llamado rectificacin de onda completa. La red ms familiar para desarrollar tal funcin aparece en la figura 2.54 con sus cuatro diodos en una configuracin de puente.

Durante el periodo t = 0 T / 2 , la polaridad de la entrada es la que muestra la figura 2.55.

Las polaridades resultantes a travs de los diodos ideales tambin se muestran en la figura 2.55 para demostrar que D2 y D3 estn conduciendo, mientras que D1 y D4 se encuentran en el estado apagado. El resultado neto es la configuracin de la figura 2.56, con su corriente y polaridad indicadas a travs de R. Dado que los diodos son ideales, el voltaje de carga es v o (t ) = v i (t ) corno se muestra en la misma figura.

24

Para la regin negativa de la entrada, los diodos conductores son D1 y D4, con lo que se produce la configuracin de la figura 2.57 El resultado importante es que la polaridad a travs de la resistencia de carga R es la misma que en la figura 2.55, al establecer un segundo pulso positivo como lo seala la figura 2.57. Sobre un ciclo completo los voltajes de entrada y de salida aparecern como lo muestra la figura 2.58.

Dado que el rea por encima del eje para un ciclo completo es ahora el doble de lo obtenido para un. sistema de media onda, el nivel de dc se ha duplicado tambin y

Vcd (onda completa ) = 2 Vcd (media onda ) = 2 0.318 Vm Vcd = 0.636 Vm

(onda completa) (2.10)

Si en lugar de los diodos ideales se emplean de siIicio como lo muestra la figura 2,59, la aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff dara como resultado

v i (t ) V v 0 (t ) V = 0

y
El valor pico del voltaje de salida, es

v 0 (t ) = v i (t ) 2 V

V0 m = Vi m 2 V
Para situaciones donde Vm >> 2 V , puede aplicarse

Vdc 0.636 (Vm 2 V )

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1.13.2 Transformador con derivacin central Un segundo rectificador popular de onda completa aparece en la figura 2.61 con nicamente dos diodos pero con el requerimiento de un transformador con derivacin central para establecer la seal de entrada a travs de cada seccin del secundario del transformador.

Durante la parte positiva de v i (t ) aplicada al primario del transformador, la red aparecera como se seala en la figura 2.62.

D1 asume el equivalente de circuito cerrado y D2 el equivalente de circuito abierto, como lo determinan los voltajes secundarios y las direcciones de corriente resultantes. El voltaje de salida aparece como se muestra en la figura 2.62. Durante la parte negativa de la entrada, la red aparece como se muestra en la figura 2.63, al invertir las funciones de los diodos pero manteniendo la misma polaridad para el voltaje a travs de la resistencia de carga R. El efecto neto es la misma salida que aparece en la figura 2.58 con los mismos niveles de dc.

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1.14 Filtros. Cualquier circuito rectificador de los explicados antes, producen como se dijo una cd que se le denomina cd pulsante. Es necesario procesar esta seal aun ms mediante un proceso denominado filtrado el cual producira una cd menos fluctuante, mas aproximadamente seria una cd continua. En esta parte se expone la operacin de los circuitos rectificadores construidos con filtros. La forma ms simple de realizar esta labor es mediante un filtro simple de capacitor que puede producir un voltaje de dc de mejor nivel. Este voltaje de dc resultante, por lo general, cuenta con cierto rizo o variacin de voltaje de ac.

Figura 18.1 Partes de un circuito de filtrado. La figura 18.2 muestra un voltaje tpico de salida de un filtro. el cual se utilizar para definir algunos de las caractersticas de una seal filtrada.

La salida filtrada de la figura 18.2 cuenta con un valor de cd y cierta variacin de c.a. (llamado voltaje de rizo). Una batera proporciona un voltaje de salida de cd prcticamente constante, pero el voltaje de cd derivado a partir de una seal c.a.
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mediante la rectificacin y filtrado tendr una cierta venacin de ac (rizo). Mientras ms pequea sea la variacin de c.a. con respecto al nivel de cd, mejor ser el desempeo del circuito de filtro. Considere la medicin del voltaje de salida de un circuito de filtro mediante un voltmetro de cd y un voltmetro de ac. El voltmetro de cd nicamente tomar lectura del nivel promedio o de cd del voltaje de salida. El voltmetro de ac (rrns) nicamente leer el valor rms del componente de ac del voltaje de salida (se asume que la seal de ca se acopla al medidor mediante un capacitor para bloquear el nivel de cd).

Definicin: Rizo

1.15 FACTOR DE RIZO DE LA SEAL RECTIFICADA Incluso cuando el voltaje rectificado no sea haya pasado por un filtrado, ste contendr un componente de cd y un componente de rizo; Ms adelante veremos que la seal rectificada de onda completa tiene un mayor componente de cd y un menor rizo que el voltaje rectificado de media onda. Media onda: Para una seal rectificada de media onda, el voltaje de cd de salida ser

El valor rms del componente de ca de la seal de salida puede calcularse (vea el apndice C) corno

El porcentaje de rizo de una seal rectificada de media onda puede calculare como

Onda completa: Para una seal rectificada de onda completa, el voltaje de cd de salida ser

El valor rms del componente de ca de la seal de salida puede calcularse (vea el apndice C) corno

El porcentaje de rizo de una seal rectificada de onda completa puede calculare como

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1.16 FILTRO CAPACITIVO Un circuito de filtrado muy popular es el filtro con un condensador como el que se muestra en la figura 18.3, en que el condensador se conecta a la salida del rectificador y se obtiene un voltaje de cd a travs del condensador. La figura 18.4(a) indica el voltaje de salida de un rectificador de onda completa antes que la seal sea filtrada, mientras que la figura 18.4 (b) muestra la forma de onda resultante despus de que el filtro de condensador se conect a la salida del rectificador. Observe que la forma de onda filtrada es esencialmente un voltaje de cd con cierto voltaje de rizo.

Figura 18.3 Circuito a bloques de un filtro simple de condensador

La figura 18.5(a) muestra un puente rectificador de onda completa y la forma de onda obtenida del circuito cuando se conecta con una carga (RL). Si no se conectara una carga a travs del capacitor, la forma de onda de salida sera, de forma ideal, un nivel de de constante con valor igual al voltaje pico (Vm,) del circuito rectificador, Sin embargo, el propsito de obtener un voltaje de cd para suministrarse a distintos circuitos electrnicos, los cuales a su vez, constituyen una carga sobre la fuente de voltaje. Debido a que siempre existir una carga sobre la salida del filtro, deberemos considerar este caso prctico en todas nuestras discusiones.

29

Figura 18.5 Filtro de condensador: (a) circuito de filtro de condensador; (b) forma de onda del voltaje de salida.

30

EJEMPLO 18.5

Periodo de conduccin del diodo y corriente pico del diodo A partir del anlisis anterior, debe quedar claro que valores ms grandes de capacitancia ofrecen un menor rizo y un voltaje promedio mayor, con lo que se proporciona por tanto, una mejor accin de filtrado. A partir de esto se podra concluir que para mejorar el desempeo del filtro de condensador slo es necesario incrementar e! tamao del capacitor del filtro. Sin embargo, el capacitor tambin afecta la corriente pico extrada travs de los diodos rectificadores, y como se demostrar a continuacin, mientras mayor sea el valor del capacitor, mayor ser el pico de la corriente que se consume a travs de los diodos rectificadores.

Figura 18.7 Formas de onda del voltaje de salida y de la corriente del diodo: (a) con C pequeo; (b) con C grande.

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Recuerde que los diodos conducen durante el periodo T1 (ver figura 18.5), durante este tiempo el diodo debe proporcionar la corriente promedio necesaria para cargar al capacitor. Mientras ms corto sea este intervalo de tiempo, mayor ser la cantidad de la corriente de carga. La figura 18.7 muestra esta relacin para una seal rectificada de media onda (sera la misma operacin bsica para onda completa). Observe que para valores ms pequeos de condensador con T1 ms grande, la corriente pico del diodo ser menor que para valores mayores del condensador del filtro. Debido a que el consumo promedio de corriente de la fuente debe ser igual a la corriente promedio del diodo durante el periodo de carga, se puede utilizar la siguiente relacin (si se asume corriente constante en. el diodo durante el periodo de carga):

A partir de la cual se puede obtener

Es posible reducir an ms la cantidad de rizo a travs de un filtro de capacitor mediante una seccin adicional de filtro RC, como se muestra en la figura 18.8. El propsito de la seccin RC adicional es dejar pasar la mayor parte del componente de dc mientras, se atena lo ms posible la componente de ca. La figura 18.9 muestra un rectificador de onda completa con un filtro de condensador seguido por una seccin de un filtro RC. La operacin del circuito de filtrado puede analizarse por medio de la superposicin para los componentes de ac y dc de la seal.

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Operacin en dc de la seccin de filtro RC

La figura 18.10 (a) muestra el circuito equivalente de cd empleado para analizar el circuito de filtro RC de la figura 18.9. Debido a que ambos capacitores se encuentran en circuito abierto para la operacin en cd, el voltaje cd resultante de salida es:

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Calcule los componentes de ca y de cd de la seal de salida a travs de la carga RL en el circuito de la figura 18.11. Calcule el rizo de la forma de onda de salida.

34

Prctica No.1 Caractersticas del diodo rectificador. Recta de carga y circuitos rectificadores de corriente alterna de media y onda completa. Circuitos de Filtrado. Objetivos especficos: El alumno aprender a: Obtener las curvas caractersticas del diodo rectificador. Situar el punto de operacin del diodo en la recta de carga. Analizar las formas de onda obtenidas en los circuitos rectificadores. Analizar el funcionamiento de los circuitos filtro. II. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL. Equipo y material necesario. - Cuatro diodos de uso comn (a su eleccin). - Protoboard. - Resistencias. -Condensadores - Un transformador reductor de voltaje de 110 volts (rms) con derivacin central en el secundario a 12 volts (rms) cada uno - Una fuente de CD. - un multimetro. -Un osciloscopio de doble trazo. - puntas para conexin

II.1 Identificacin de las terminales del diodo.

Es muy frecuente que al usar un diodo semiconductor comn en un experimento, no se tengan identificadas sus terminales, es decir, cual terminal del diodo corresponde al nodo (lado del diodo de semiconductor tipo p) y cul all ctodo (lado del diodo de semiconductor tipo n). Por lo tanto, el primer paso del experimento ser identificar las terminales del diodo que se emplear, Con la ayuda de un multmetro en la opcin medicin de resistencia deber conectarse el diodo de la siguiente manera:

Figura 1.44 Pruebas del diodo con el ohmetro En la seccin 1.7 se encontr que la resistencia en polarizacin directa para un diodo semiconductor es bastante baja comparada con el nivel de polarizacin inversa. Por tanto, si se mide la resistencia de un diodo utilizando las conexiones que se sealan en la figura 1 .44a. se puede esperar un nivel relativamente bajo. La indicacin resultante en el hmetro ser una funcin de la corriente establecida por la batera interna a travs del
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diodo (a menudo 1.5 V) por el circuito del hmetro. Mientras ms alta sea la corriente, menor ser el nivel de resistencia. Para la situacin de polarizacin inversa la lectura debe ser bastante alta, requiriendo, tal vez, de una mayor escala de resistencia en el medidor, segn se indica en la figura 1 .44b. Una lectura alta en la resistencia en ambas direcciones indica con claridad una condicin abierta (dispositivo defectuoso), mientras que una lectura muy baja de la resistencia en ambas direcciones quiz indique un dispositivo en corto. II.2 Obtencin de la curva caracterstica del diodo. Para obtener la curva caracterstica se debe proceder en dos partes. Una en polarizacin directa y otra en polarizacin inversa II. 2.1. Polarizacin directa. Construir el siguiente circuito,

Figura 1.45 Polarizacin directa La resistencia R denominada limitadora, se calcula de tal forma pueda proteger al diodo de excesos de corriente, por lo que su valor se calcula con base en los valores mximos que puede proporcionar la fuente de alimentacion de c.d. Supongase que la fuente puede entregar una Imax de 50 mA a un Vmax = 20 V, y el diodo trabaja con la condicion ideal, VD = 0 v, entonces

20 50

0.4

La hoja de datos del diodo 1N1202C informa que corriente mxima que puede circular por l es

Realizar el experimento del circuito 1 y anotar los resultados en la tabla 1.

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Vs (Volts)

VD (Volts)

ID (mA)

II. 2.2 Con los resultados de las Tabla 1 y 2 construir las grficas correspondientes

II.2.2. Polarizacin inversa.

Construir el siguiente circuito,

Figura 1.46 Polarizacin inversa

37

Realizar el experimento del circuito 1 y anotar los resultados en la tabla 1.

Vs (Volts)

VD (Volts)

ID (mA)

II. 2.3 Con los resultados de las Tabla 1 y 2 construir las grficas correspondientes

II.3. Analizar las formas de onda obtenidas en los circuitos rectificadores. II.3.1 Rectificacin de media onda Construir el siguiente circuito. Realizar las mediciones conectando el osciloscopio como se indica:

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Figura 1.47 Circuito rectificador de media onda a) Dibujar los oscilogramas de los resultados obtenidos.

b) Obtener el voltaje cd de ambos oscilogramas. c) Medir el voltaje de cd con el multmetro en la resistencia c) Comparar los resultados obtenidos con el multmetro y los de los oscilogramas

II.3.2. Rectificacin de onda completa con dos diodos usando transformador de derivacin central. Construir el siguiente circuito. Realizar las mediciones conectando el osciloscopio como se indica:

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Figura 1.48 Circuito rectificador de onda completa con transformador de derivacin central. a) Dibujar los resultados obtenidos.

b) Obtener el voltaje cd de ambos oscilogramas. c) Medir el voltaje de cd con el multmetro en la resistencia c) Comparar los resultados obtenidos con el multmetro y los de los oscilogramas

II.3.3 Rectificacin de onda completa usando un puente de diodos.

Construir el siguiente circuito. Realizar las mediciones conectando el osciloscopio como se indica:

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Figura 1.49 Circuito rectificador de onda completa con puente de diodos. a) Dibujar los resultados obtenidos.

b) Obtener el voltaje cd de ambos oscilogramas. c) Medir el voltaje de cd con el multmetro en la resistencia c) Comparar los resultados obtenidos con el multmetro y los de los oscilogramas II.4 Rectificador con filtro capacitivo. Al circuito rectificador de onda completa conecte un capacitor en paralelo al resistor de carga. Utilice 3 valores de capacitores diferentes, 4.7 F, 220 F y 1000 F. El resistor ser de 10 k. Dibuje las seales de salida.

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Figura 1.50 Anlisis del filtro.

III. ANALISIS DEL EXPERIMENTO Y CONCLUSIONES.

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