Chapitre 2

Diode à jonction

Objectifs

- Savoir modéliser une diode

- Caractériser sa réponse pour différent méthode de polarisation
- Modéliser la diode Zener
- Etre capable de déterminer le mode bloqué ou passant d’une diode classique ou
Zener, d’après les grandeurs électriques du circuit associé
- Etre capable de mettre en œuvre une alimentation de tension stabilisée
par diode Zener pour une charge constante

1. Définition

En pratique la jonction PN (en germanium ou en silicium) n’est que la diode.

Une diode est un dipôle passif non linéaire, polarisé dont le fonctionnement
macroscopique est assimilable à celui d’un interrupteur commandé qui ne laisse
passer le courant que dans un seul sens. Les 2 bornes sont repérées anode « A » qui
correspond à la zone P et cathode « K » à la zone N. Son symbole graphique est
représenté par la figure 2. 1.

Figure 2. 1 : Symbole d’une diode à jonction.

Electronique Générale 17 

 2. Polarisation de la diode et fonctionnement

La figure 2. 2 représente la polarisation directe et inverse de la diode.

Diode passante Diode bloquée

Figure 2.2: Polarisations directe et inverse de la diode à jonction.

2.1 Polarisation directe : la tension appliquée (VAK > 0) permet le passage d’un courant
électrique de l’anode vers la cathode appelé courant direct.
• Diode à l’état : Passant.
2.2 Polarisation inverse : la tension appliquée (VAK < 0) empêche le passage du courant. Le
courant inverse est pratiquement nul.
• Diode à l’état : Bloqué.
La diode peut ainsi commuter de l’état passant à l’état bloquée.

3. Caractéristique statique de la diode

Cette caractéristique 𝐼𝐷 = 𝑓(𝑉𝐷 ) d’une diode est la représentation de la variation du
courant 𝐼𝐷 qui traverse cette diode en fonction de la tension 𝑉𝐷 qui lui est appliquée.

Electronique Générale 18 

A. Caractéristique complète

Figure 2.3: Caractéristiques statiques complète de la diode.

V0 est la tension de seuil (barrière de potentiel), nommée aussi Vs. Elle dépend du
semi-conducteur intrinsèque de base utilisé. Il est d’environ 0.3 V pour le germanium
et 0.6 V à 0.7 V pour le silicium. La caractéristique est représentée à la figure 2.3.

𝑉𝐷 𝑘𝑇
 Caractéristique directe (VD > 0) 𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 𝑒𝑥𝑝 avec 𝑉𝑇 = ;
𝑉𝑇 𝑒

𝑒 1.59.10 −19
pour : T = 27°C, T=300°K, = 1.38.10 −23 ×300 ≈ 39; 𝑉𝑇 ≈ 26 𝑚𝑉
𝐾𝑇

𝐼𝑠 : est le courant de saturation inverse

𝑒 : est la charge de l’électron, égale à −1,602 × 10−19 C
𝑘 : est est la constante de Boltzmann vaut 138.10-23 J.K-1.
𝑇 : est la température en dégrée Kelvin.

B. Résistance dynamique (ou différentielle)

La résistance dynamique étant l’inverse de la pente en un point de fonctionnement de
la caractéristique 𝐼𝐷 = 𝑓(𝑉𝐷 ). C’est la résistance dynamique au point de
fonctionnement (VD, ID). Elle est fonction du courant de polarisation ID au point
étudié.
La figure 2.4 donne la valeur de Rd en fonction de la tension de la diode; les
variations sont très importantes.

Electronique Générale 19 

 Figure 2. 4: résistance dynamique.

Le tableau suivant montre les quatre caractéristiques possibles pour mieux

comprendre le comportement de la diode.
• Caractéristique Idéale.
• Caractéristique Classique.
• Caractéristique Semi-réelle.
• Caractéristique Réelle.
Table : récapitulatif des caractéristiques de la diode Vs

Modèle Caractéristique Schéma équivalent utilisation

D bloquée : ID=0 A on néglige la tension

de seuil et la
résistance interne de
Idéal
la diode.
Modèle le plus
D passante : VD= 0V simple à utiliser.
VD = 0 : D passante
ID ≠ 0

C’est une diode

idéale avec seuil.
Pour calculer
Classique simplement les
V0  0.6 V (pour le courants et tensions
silicium) dans une maille.
VD= V0

Electronique Générale 20 

 Pour l'étude
dynamique des
petits signaux.
Semi réel

VD= V0+ Rd . ID

Ne s'utilise que pour

déterminer le point
de fonctionnement
Réel
d'un montage.
VD= V0+ Rd . ID

C. Droite de charge et point de fonctionnement

Soit le circuit de polarisation représenté sur la figure 2. 5:

Figure 2. 5 : Circuit contenant une diode.

Figure 2. 6 : droite de charge et point de fonctionnement.

Electronique Générale 21 

On veut déterminer VD et ID.

D'après la loi des mailles :

𝐸 = 𝑅. 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷

L’équation de la droite de charge est :

𝐸 − 𝑉𝐷
𝐼𝐷 =
𝑅
Si on considère que E et R sont des constantes, le tracé de ID en fonction de la tension
VD aux bornes de la diode représente une droite de charge. Pour tracer cette droite, il
suffit de voir qu’elle passe par les deux points A et B (voir la figure 2. 6) qui ont pour
coordonnées respectives :

𝐸
𝐴 𝐼𝐷 = 𝑅 ; 𝑉𝐷 = 0 et 𝐵 𝐼𝐷 = 0; 𝑉𝐷 = 𝐸

L’intersection de cette droite de charge avec la caractéristique directe de la diode

permet de définir le point de fonctionnement de la diode ou le point de repos (point M
(VD ; ID)).

4. Application de la diode

La diode est un composant électronique très intéressant. On peut l’employer dans une
grande variété d’applications telles que :
 Le redressement, la détection
 La régulation, la multiplication de fréquence
 La réalisation de porte logique
 L’oscillation….

4.1 Redressement

A. Définition

Le redressement consiste à transformer une tension bidirectionnelle en une tension

unidirectionnelle appelée tension redressée.

Electronique Générale 22 

B. Redressement simple alternance

 Schéma de montage :

Figure 2.7: Redresseur simple alternance.

Avec u(t)=UM.sin (Ꞷt), Ꞷ=2πf et f est la fréquence du signal

𝑢𝑅 : est la tension de sortie ;

𝑈𝑅 : est la tension maximale de u(t) ;

𝑢𝐷 : est la tension de commande de la diode.

 Principe de fonctionnement :

Hypothèse : On suppose que la diode est idéale.

Le principe de fonctionnement est illustré par le chronogramme de la figure 2. 8.

Pendant l’alternance positive de la tension u (u > 0), la diode D est polarisée en

direct donc elle est passante ( i > 0 et ud = 0 ) donc uR = u – ud = u (en appliquant
la loi des mailles).

Pendant l’alternance négative de la tension u (u < 0), la diode D est polarisée en

inverse donc elle est bloquée ( i = 0 et ud < 0 ) donc uR = 0.

Electronique Générale 23 

 Figure 2.8 : Allures des tensions d’entrée u(t) et de sortie uR(t).

C. Redressement double alternance

Il existe deux montages permettant de redresser les deux alternances.

C.1 avec transformateur à deux enroulements

 Schéma de montage :

Soit u(t)= u1(t) – u2(t)=UM.sin(Ꞷt)

𝑢(𝑡) 𝑢(𝑡)
u1 (t) = 2
et u2 (t) = − 2

Figure 2. 8 : Redresseur double alternance à deux diodes et transformateur à point

milieu.

 Principe de fonctionnement :

Hypothèse : les diodes sont supposées idéales.

Le principe de fonctionnement est illustré par le chronogramme de la figure 2. 9.

Pendant l’alternance positive de u(t) :

𝑢(𝑡)
 u1(t) est positive, D1 conduit donc 𝑈𝑅 = u1 (t) = 2

 u2(t) est négative, D2 bloquée

Pendant l’alternance négative de u(t) :

Electronique Générale 24 

 𝑢(𝑡)
 u2(t) est positive, D2 conduit donc 𝑈𝑅 = u2 (t) = − 2

 u1(t) est négative, D1 bloquée.

Figure 2.9: Allures des tensions d’entrée et de sortie.

C.2 à pont de Graetz

 Schéma de montage :

Figure 2.10: Redresseur double alternance à pont de Graetz.

 Principe de fonctionnement:

Hypothèse : les diodes sont supposées idéales.

La figure (2. 11) montres le chronogramme du signal de sortie.

Pendant l’alternance positive de u(t) :

D1 et D3 conduisent, D2 et D4 bloquées donc UR(t) = u(t).

Pendant l’alternance négative de u(t) :

D2 et D4 conduisent, D1 et D3 bloquées donc UR(t) = -u(t).

Electronique Générale 25 

 Figure 2.11: Allures des tensions d’entrée u(t) et de sortie uR(t).
𝑇
La période d’une tension redressée double alternance est 𝑇 ′ = 2 .

4.2 Écrêtage

Lorsqu’on souhaite éliminer une partie d’un signal, la diode est un composant capable
de répondre à ce besoin spécifique. Ils permettent par exemple d'obtenir une tension
carrée à partir d'une onde sinusoïdale. La fonction d’écrêtage est utile pour la mise en
forme des signaux, la protection des circuits (circuits intégrés, amplificateur à grand
gain…) contre une tension d’entrée trop élevée.

Écrêtage par diode : Les écrêteurs utilisant des diodes peuvent être classés en trois
catégories : les écrêteurs positifs, les écrêteurs négatifs les écrêteurs mixtes.

A. Écrêteur positif

Figure 2.12: Circuit écrêteur positif simple.

V0 : est la tension de seuil de la diode.

Le principe de fonctionnement est illustré par le chronogramme de la figure (2. 13).

Electronique Générale 26 

Pendant l’alternance positive de Ve(t) :

 Pour Ve∊ 0, V0 : la tension Ve(t) est assez faible et la diode est bloquée (VA <
𝑅𝑔
VK)  𝑉𝑠 = 𝑅 𝑉𝑒
𝑔 +𝑅

Dans le cas ou 𝑅 ≪ 𝑅𝑔 : 𝑉𝑠 𝑡 = 𝑉𝑒 (𝑡)

 Pour Ve ≥ V0 : la diode est passante.

D’après la loi de maille : 𝑉𝑠 = 𝑉𝑒 − 𝑅. 𝐼

Figure 2.13: Allures des tensions d’entrée Ve(t) et de sortie Vs(t).

B. Écrêteur négatif

Figure 2. 14: Circuit écrêteur négatif.

Cet écrêteur est basé sur le même principe que celui d’écrêteur positif et nous ne
reviendrons pas sur leur fonctionnement. Pour transformer un écrêteur négatif, en
écrêteur positif, il suffit d'inverser le sens de branchement de la diode.

Electronique Générale 27 

 La figure (2.15) montre les formes de tensions à l'entrée et à la sortie du montage.
La diode D laisse passée les alternances positives, mais oppose une résistance très
élevée aux alternances négatives.

Figure 2.15: Allures des tensions d’entrée Ve(t) et de sortie Vs(t).

C. Écrêtage à deux seuils

Figure 2.16: circuit d’écrêtage symétrique.

Le principe de fonctionnement est illustré par le chronogramme de la figure (2.16).

Pendant l’alternance positive : D2 est bloquée et D1 est passante

Pendant l’alternance négative : D2 est passante et D1 est bloquée

Electronique Générale 28 

4.3 Filtrage

A. Simple alternance

Après le redressement, on peut obtenir un signal pratiquement continu (quasi continu)

en utilisant un filtre passe bas (RC, C).

 Schéma de montage :

Ve(t)= VM.sin(Ꞷt)

Figure 2. 17: Filtrage d’une tension..

 Principe de fonctionnement :

En supposant la diode parfaite, on obtient pour V s(t) la courbe donnée à la figure

(2.18). On peut distinguer quatre phases.

Figure 2.18: tension Vs(t) appliquée aux bornes de la charge RC (trait continu).

Electronique Générale 29 

À t=0 ; la capacité est déchargée.

Phase 1 : Ve > Vs, la diode conduit, elle est passante :

 la tension u(t) suit l’évolution de la tension e(t), Vs(t)= Ve(t).

𝑇
 le condensateur se charge jusqu'à VM à 𝑡 = 4 et accumule ainsi de

l'énergie.

Phase 2 : La tension Ve(t) décroît rapidement. Le condensateur se décharge. ce qui

impose Vs(t)> Ve(t). Le condensateur se comporte comme un générateur de
tension, et il restitue l’énergie accumulée dans la phase précédente. La
décroissance de Vs(t) est donc régit par la décharge du condensateur C dans
la résistance RC.

Phase 3 : Le condensateur se recharge en récupérant l'énergie dépensée en 2.

Phase 4 : Lire phase 2,

Lire 3, lire 2, lire 3…. etc.

B. Double alternances

Figure 2. 19 : double-alternances avec filtre capacitif.

Dès la première alternance, le condensateur C se charge puis, dès que la tension à ses
bornes devient supérieure à la tension redressée (la tension d’entrée Ve(t)), il se
décharge à travers la résistance R.

Electronique Générale 30 

 Figure 2.20: Allure de la tension filtrée Vs.

5. Diodes particulières ou diodes spéciales

Les diodes à jonction sont utilisées plus particulièrement en redressement, détection
et commutation [5].
Néanmoins, il existe d’autres types de diode qui sont utilisées soit pour les mêmes
fonctions soit pour d’autres telles que : la régulation, l’oscillation, la multiplication
de fréquence, les circuits d’accord et l’amplification hyperfréquences.
Parmi ces diodes, on note les plus essentielles dans ce tableau récapitulatif présenté ci-
dessous :

Electronique Générale 31 

 Diode Utilisations

Elle est constituée d’une pointe métallique en contact avec un semi-

conducteur dopé N. son avantage par rapport à une diode à jonction est
Diode à pointe sa faible capacité de barrière. Son inconvénient majeur réside dans le fait
qu’elle ne peut supporter que des faibles puissances. Elles ont une tension
de seuil égale à 0.3 V.

Principe

Du fait de la jonction entre le semi-conducteur et le métal, une diode à

pointe est une forme de diode Schottky. Le bloc est un semi-
conducteur dopé N ; la migration d'une petite partie du métal de la pointe
crée une petite zone semi-conductrice dopée p près du contact.

diode Schottky La diode Schottky est l’équivalent moderne de la diode à pointe au

germanium, réalisée soit sur silicium, soit sur GaAs. c’est une diode qui a
un seuil de tension directe très bas et un temps de commutation très court.
Ceci permet la détection des signaux HF faibles et hyperfréquences, la
rendant utile par exemple en radioastronomie.

diode à capacité Elle présente une capacité variable en fonction de la tension inverse qui
variable ou varicap lui est appliquée utilisée dans les oscillateurs à fréquences contrôlées.

Diode à effet Gunn Elle est un type de diode utilisée en électronique supra haute
fréquence et extrêmement haute fréquence. Elle exploite l’effet
Gunn. Il s’agit d’une diode composée d’arséniure de gallium
produisant des oscillations micro-ondes cohérentes quand un
champ électrique important lui est appliqué.

Appelée aussi diode Esaki. La diode Tunnel tire son nom de l'effet
"Tunnel", qui consiste dans la manière dont une particule électronique
Diode a effet tunnel peut traverser une barrière de potentiel trop élevée pour être franchie
d'une façon normale (barrière qui empêche la conduction inverse dans le
cas des diodes normales). Dans une diode Tunnel, le courant commence
d'abord à croitre sensiblement proportionnellement avec la tension
appliquée. Puis cette tension augmentant toujours, à partir d'un certain
point, le courant s'inverse et diminue. On est alors en présence d'une
"résistance différentielle négative", ce qui rend la diode idéale pour la
réalisation d'oscillateurs ou d'amplificateurs, notamment dans le domaine
fréquentiel des micro-ondes.

Electronique Générale 32 

 Une diode Pin est un type spécial de diode qui contient un semi-
conducteur intrinsèque non dopé entre les régions semi-conductrice de
Diode pin type p et n. Elle diffère d'une diode normale en ce sens qu'elle comporte
une couche intrinsèque supplémentaire entre les jonctions p et n. Par
couche intrinsèque, nous entendons un cristal pur de silicium ou de
germanium sans aucun dopage. Cette couche ne conduit pas bien le
courant électrique. Les couches de type p et de type n sont fortement
dopées car elles sont utilisées pour les contacts ohmiques. Elle est
utilisée pour les signaux de hautes fréquences comme élément atténuateur
dans les circuits atténuateurs, ou comme élément de commutation pour
commutateurs et déphaseurs.

La LED (Light Emitting Diode), également appelée diode

électroluminescente, est une diode prévue pour fonctionner en
Diode polarisation directe, afin d’émettre des radiations lumineuses invisibles
(infrarouge) ou visibles (rouge, orange, jaune, vert ou bleu). Ces
électroluminescente composants ont des caractéristiques intéressantes comme une durée de vie
(LED) quasi illimitée (100 000 heures) et une petite taille. On les rencontre
partout : feux tricolores de circulation, panneaux d'affichage électroniques
(heure, température...). Les diodes à infrarouges servent beaucoup dans
les télécommandes d'appareils TV,…..

Photo diode Une photodiode est un composant semi-conducteur ayant la

capacité de détecter un rayonnement du domaine optique et de le
transformer en signal électrique.

Diode Zener Contrairement à une diode conventionnelle qui ne laisse passer le

courant électrique que dans un seul sens, le sens direct, les diodes
Zener sont conçues de façon à laisser également passer le courant
inverse, mais ceci uniquement si la tension à ses bornes est plus
élevée que le seuil de l'effet d'avalanche (voir section suivante).

6. Diode Zener

Avant d’étudier la diode Zener, on va définir deux effets importants :

a) Effet Zener : La polarisation inverse d’une jonction PN, fait augmenter le champ
électrique interne. A une certaine valeur, ce champ sera capable de briser les liaisons
et libérer des paires électron-trou, ce phénomène est connu sous le nom d’effet Zener.

b) Effet d’avalanche : Suite à la grande intensité du champ électrique interne à

cause de la polarisation inverse, de plus en plus élevée, les électrons dont l’énergie
cinétique est assez élevée vont être accélérées et entrent en collusion aves les autres

Electronique Générale 33 

atomes en arrachant des électrons et créant à leurs tours des pairs électrons trou, c’est
l’effet d’avalanche. Donc ces deux phénomènes provoquent l’augmentation brusque
du courant inverse.

6.1 Définition

La « Zener » est une diode particulière, qui permet de fixer une tension de référence,
très stable lorsque la tension inverse à ses bornes atteint ou dépasse une certaine
valeur, qu’on appelle tension Zener qui est la tension de claquage.

Contrairement à la diode à jonction ordinaire, la Zener maintient à ses bornes sa

tension de Zener, et ce même si la valeur du courant qui la traverse subit des
variations. Cette caractéristique la prédispose à stabiliser une tension. On l’utilise
comme référence de tension dans les alimentations stabilisées par exemple. Elle
permet la protection en surtension.
Son symbole est le suivant :

6.2 Caractéristique statique courant-tension

Figure 2. 21 : La diode Zener est exploitée dans le sens inverse.

En polarisation directe, une diode Zener est équivalente à une diode normale. En
polarisation inverse, la diode conduit lorsque la tension inverse U i devient supérieure
à la tension Zener Uz. La caractéristique linéarisée conduit (voir figure 2.21) à
l’équation :

Electronique Générale 34 

Ui = Uz + Rz Ii où Rz est la résistance dynamique inverse. Dans ce cas la diode Zener
est équivalente au modèle suivant :

Figure 2. 22 : Schéma équivalent d’une diode Zener polarisée en inverse.

6.3 Stabilisation

A. Définition
La stabilisation d’une tension ondulée consiste à obtenir une tension pratiquement
constante. Cette fonction peut être réalisée par une diode Zener.

B. Stabilisation par diode Zener

Le schéma de montage est

représenté sur la figure 2. 23

u(t) : tension ondulée

RP : résistance de polarisation de la
diode Zener.

Figure 2. 23: Montage stabilisateur de tension par diode Zener.

6.4 Principe de fonctionnement

 On suppose que la résistance R déconnectée et que la résistance RZ de la diode
Zener est négligée (RZ = 0),

Si u > uZ alors uS = uZ

Si u < uz alors uS = u.

Il faut donc que u > uz pour que la tension de sortie soit constante (stabilisée).

Electronique Générale 35 

 A résistance R non déconnectée et à résistance RZ non négligée, lorsque u(t) est
suffisamment supérieure à uz, le schéma équivalent du montage donné par la figure
(2. 23) est le suivant, figure (2. 24) :

Figure 2. 24 : Montage stabilisateur de tension par diode Zener.

Remplaçons le générateur (tension u(t) et la résistance Rp) et la résistance de charge R

par leur équivalent Thévenin :
𝑅 𝑅.𝑅𝑝
𝑈𝑇𝑕 (𝑡) = 𝑢(𝑡) 𝑅+𝑅𝑝 et 𝑅𝑇𝑕 = 𝑅+𝑅𝑝

Le point de fonctionnement de la diode est obtenu en cherchant l'intersection de sa

caractéristique 𝑢𝑧 = 𝑢𝑧0 + 𝑅𝑧 . 𝐼𝑧 avec la droite de charge d'équation :
𝑢𝑧 = 𝑢 𝑇𝑕 − 𝑅𝑇𝑕 . 𝐼𝑧 (voir figure (2. 25)).

𝑢𝑧0 : Le seuil en tension inverse (tension Zener) est de valeur déterminée pouvant
aller de 1,2 V à plusieurs centaines de volts.

On retrouve graphiquement le fait que le système ne fonctionne que si 𝑈𝑇𝑕 > 𝑈𝑧 .

Figure 2. 25 : caractéristique de la diode Zener.

Electronique Générale 36 

a) Variation de la tension d'entrée

Une augmentation de la tension d'entrée nommée 𝑈0 entraîne une forte augmentation

du courant Zener de telle manière que l'augmentation de la tension d'entrée
𝑈 ± ∆𝑢 est répercutée sur la résistance série R p. De ce fait, la tension sur la charge ne
varie pas.

b) Variation du courant de charge

Une augmentation du courant dans la charge a pour conséquence une diminution du

courant dans la Zener, ce qui maintient constant la chute de tension dans R z, et donc
la tension sur la charge ne varie pas.

Explication :

Figure 2. 26 : schéma équivalent du montage en régime de petits signaux.

 𝑅𝑧 = 0 . Si la charge varie, (stabilisation amont) les courants dans la charge

et dans la diode varient mais 𝑈𝑠 reste constant car la pente de la droite de charge
varie. De même si la tension du générateur varie (stabilisation aval) 𝑈𝑠 reste
également constant car la droite de charge se déplace parallèlement à elle-même.

 𝑅𝑧 ≠ 0. 𝑈𝑠 varie avec les paramètres extérieurs. Pour la stabilisation aval (

𝑈0 = 𝑈 ± ∆𝑢 ), on peut déterminer 𝑈𝑠 ± ∆𝑢𝑠 en recherchant les intersections de
la caractéristique avec les droites de charge qui correspondent aux valeurs
extrêmes de 𝑈0 . Il est plus efficace d'étudier le schéma équivalent au montage en
régime de petits signaux (figure 2.26). Le générateur est remplacé par un
générateur de f.e.m. 𝑈0 = 𝑈 ± ∆𝑢 , la diode est remplacée par sa
résistance 𝑅𝑧 puisque 𝑈𝑧 est constant.

Electronique Générale 37 

 𝑈𝑠 = 𝑅𝑒𝑞 . 𝐼

𝑅. 𝑅𝑧 𝑈0
Avec 𝑅𝑒𝑞 = 𝑅 + 𝑅𝑧 et 𝐼= 𝑅𝑒𝑞 + 𝑅𝑝

Comme 𝑅𝑧 est petite, 𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝑧 . On déduit :

𝑅𝑧
𝑈𝑠 = 𝑈0
𝑅𝑧 + 𝑅𝑝

La stabilisation est d'autant meilleure que 𝑅𝑧 est petite.

Electronique Générale 38 