Physique des semi-conducteurs et applications

Étude des semi-conducteur à

l’équilibre thermodynamique

Etude des semi-conducteurs

hors équilibre

Dispositifs et applications
Semiconducteur homogène et
inhomogène en équilibre
thermodynamique
 Chapitre I : Définition phénoménologique du
Matériau semi-conducteur

les semi-conducteurs se
distinguent par :
1- la conductivité électrique
(10-6 et 105 Ωcm)
2- l’absorption photonique
Dans l’UV, visible et le proche
infrarouge.
 comment se produit la conduction électrique?
On distingue deux types d’électrons:
-Les électrons de valence qui participent à des liaison de valence et
ne contribuent pas à la conduction électrique.
-Les électrons de conduction sont ceux, qui pendant les divers
déplacements, acquièrent assez d'énergie pour rompre les liens
covalents.

Couple électron – trou dans un cristal de germanium

-à T = 0K = (- 273, 16°C) tous les électrons sont liés ( électrons de la
bande valence )

- à T≠0 ou en présence d’un champ E intense; on assiste à des

déformation→transition «d’électrons libres »

Exemple pour le Germanium : à T =18°c

-un électron sur un milliards est libéré (apparence négligeable)

-Dans un cm3 : 1 x 1022 atomes de Ge 1010 électrons libres

Cette quantité n’est pas

négligeable
elle rend le cristal de Ge
conducteur
 Definition de la conductivité

*La conductivité électrique est une grandeur qui caractérise l’aptitude d’un
matériau à laisser les charges électriques se déplacer librement à l’intérieur
du matériau.

→ →
*Si on a plusieurs types de porteurs j =  nk q k v k
de charge
k

→ →
avec : v k =  k E
Ou  : mobilité des poprteurs de charges
→
v : vitesse de dérive
 → →
En remplacant Vk par μkE
j =  n q  E
k k k
k

Dans le cas des semiconducteurs :

-Deux types de porteurs de charges qui sont les électrons et les trous.
-Le courant de conduction est donc la somme de 2 composantes :
-déplacement des électrons libres de densité n de la bande de conduction;
-déplacement des trous libres de densité p dans la bande de valence .

la conductivité électrique devient alors :

 = q(n n + p p )
la conductivité électrique des semiconducteurs
dépend :

1- de la température
2- de la radiation électromagnétique

3- des défauts cristallographiques

4- des impuretés involontaires contenues

dans le matériau

5- des impuretés introduites volontairement (dopage)

I-1-1 Effet de la température sur la conductivité électrique
pour différent degré d’impureté

Remarques importantes:

1- Pour les semiconducteurs la

conductivité augmente quand la
température augmente

2- Pour les métaux la conductivité

diminue quand T augmente

3- pour le matériau pur « intrinsèque »

*Ils restent isolant jusqu’à T > 300 k

*À haute température la
conductivité suit la loi : exp(-Eg/KT)
I-1-2 : Effet de la concentration d’ impuretés dopantes sur la
conductivité électrique
I-1-3 : Effet de la lumière sur la conductivité « photoconductivité »

L’interaction du rayonnement
électromagnétique avec les
matériaux semi-conducteurs sont
traduits par des phénomènes

* réflexion
*diffusion
*absorption

Fig4 : Spectre d’absorption optique d’un semiconducteur

enfonction de l’énergie du photon
I-2 Applications représentatives
des semi-conducteurs
 Application en électronique et microélectronique :

Les transistors: c’est un dispositif à 3 contacts; amplificateur de puissance

électrique
Diodes à jonction : elle présente un sens bloquant et l’autre passant redresseur
de courent électrique
Varistances : présente une caractéristique non linéaire de la résistance en
fonction de la tension appliquée ;coupure de la tentions à partir d’une
tension seuil (fusibles)

Thermistances:  (T) peut être exploitée en thermométrie. Pour des

températures basse et très basse on utilise des thermistances à base de
Germanium pour les basses températures , silicium ou du carbure du silicium
pour les hautes températures.
Circuits intégrés:
Un circuit intégré concentre à la surface ou à l’intérieur du
semiconducteur monocristallin un ensemble de dispositifs
actifs (transistors) et d’éléments passifs ( résistances et
capacités), il peut contenir plusieurs millions de composants
construits puis interconnectés au moyen d’un réseau métallisé.
On distingue plusieurs types de circuits intégrés de complexité
variable comme des mémoires, des microprocesseurs et des
systèmes de commande
 Application en optoélectronique et
photonique
*Détecteur de lumière :
-dans l’infra rouge photoconducteur de type PbS, Si, GaAs
CdTe.
*Convertisseur de lumière « photovoltaïques » : - Dans la partie
visible ou ultraviolet du spectre ; des photodiodes comme le Si, CdS,
GaAs et ZnS sont utilisé comme des cellules photoélectriques
(barrière optique de sécurité)
ils peuvent aussi transformer l’énergie solaire en énergie électrique
avec des rendements de plus de 20% . Elles sont utilisées pour
l’électrification, le pompage d’eau et dans le domaine spatial
(satellites et véhicule d’espace).

*Emetteur de lumière : l’émission de la lumière résulte de la transition

radiative entre différents niveaux électronique d’énergie. ce principe
est réalisé dans la fabrication des lasers comme (GaAs)x(AlAs)y.
On résume:
les semiconducteurs interviennent presque partout
dans les équipements électriques et optiques.

leur très haute densité d’intégration en fait le moteur

de l’industrie moderne de l’information fondé sur les
ordinateurs et les télécommunications.

Il faut noter que plus de 98% de cette industrie et

réservé au matériau Silicium (Si) ; sa connaissance
théorique et sa technologie ont atteint des niveaux
inégales.
I-3 Classification des semiconducteurs
*La classification des semiconducteurs dépond de la structure
électronique

*La règle de remplissage des couches électroniques se

fait suivant les énergies croissantes
 Remplissage des couches électroniques

• 1s > 2s > 2p > 3s > 3p > 4s > 3d > 4p > 5s > 4d >
5p > 6s

• Cette règle connue sous le nom de règle de Klechkowski

connaît cependant un certain nombre d'anomalies
 Exemple de remplissage des couches électroniques
pour les semiconducteurs

• Carbon :Z=6 1s2 2s2 2p2

• Silicium : Z =14 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2

• Germanium : Z = 32 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2

4électrons de valence

Il semblerait que les 3 éléments du groupe IV (C ; Si ; Ge) aient les

mêmes propriétés électriques du fait de la similitude de remplissage

de leur couches externes

 Exemple pour les métaux

• Aluminium: Z = 13 1s2 2s2 2p6 3s2 3p1

• Cuivre : Z = 29 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s1
• « 1 é » célibataire sur la couche externe

Dans le cas de métaux tels que l'Aluminium et le Cuivre on remarque la

présence d'un électron solitaire sur la dernière couche; cet électron
sera alors susceptible de participer à la conduction de l'électricité
même à T=0K : Chaque atome libère un électron ==>on aura 1022é/cm3.
 Tableau périodique: classification des semiconducteurs

I(1) II(2) III (3) IV (4) V (5) VI (6) VII (7)

B5 C: 6 N:7 O:8 F:9
Al 13 Si: 14 P: 15 S : 16 Cl :17
Cu 29 Zn 30 Ga 31 Ge:32 As:33 Se:34 Br :35
Ag 49 Cd 48 In 49 Sn:50 Sb:51 Te:52

Augmentation du caractère ionique diminution de semiconductivité

-les éléments semiconducteurs 3 éléments appartenants au groupe IV :

(Si), (Ge) et étain gris (α-Sn)

-Les semi-conducteurs composés.

groupe III - V : GaAs ; GaSb ; GaP ; AlAs ; AlSb ; AlP

groupe II - VI : CdTe ; CdS ; ZnSe ; ZnTe ; MgS
groupe I - VII : CuBr ; CuCl ; CuI
 Colonne III(3) Colonne IV(4) semiconducteur

État des é de État des é de Largeur de

valence valence Bande interdite
Eg (eV)
P : 3S23p3 Al - P 2.8
Al :3S23p1 As: 4S24p3 Al -As 2.4

Sb: 5S25p3 Al -Sb 1.4

N : 2S22p3 Ga - N 3.4
P : 3S23p3 Ga - P 2.24
Ga :4S24p1 As: 4S24p3 Ga -As 1.4

Sb: 5S25p3 Ga-Sb 0.67

Remarque :
1-pour avoir un semiconducteur binaire il faut que la somme des
électrons des deux couches périferiques soit égale à 8 électrons
2-la semiconductivité diminue quand le caractère ionique augmente
 chapII : Structure cristalline de quelques semi-conducteurs
et bande d’énergie

La plupart des matériaux (III-V); (IV-IV) cristallisent dans la structure "Zinc

Blende" .
Cette structure, est constituée de deux sous-réseaux cubique face centrée
(cfc),, décalés l'un par rapport à l'autre du quart de la diagonale principale

figure : mailles cristallographiques des structures Diamant et Zinc Blende.

 Exercice d’application sur le cristal du Silicium «Si»

1) Expliquer en quelques lignes pourquoi les semiconducteurs tell que

Si et Ge cristallisent dans la structure tétraèdrique

2) Calculer l’angle de liaison entre deux atomes liés dans une structure
tétraèdre ?
1)-2) j

Le cube de coté ‘R’

AB = R et AC = R 2
IJ = R ; AJ = AC = R 2
2 2 2
et finalement : tg( ) = AJ = 2R 2 = 2
2 JI 2.R
  = 109.2
II-2 Bandes d'énergies - Porteurs de charges

Cas d’un atome de

Silicium isolé

E=0
8.2 eV
13.5eV
104eV
154 eV
1844 eV

Remarque :
-concernant les électrons périphériques nous avons 2 états
d’énergie pour chaque atome.
-les niveaux d’énergie sont quantifiés
 Énergie des électrons dans un cristal.
Seule la mécanique quantique permet de traiter en détail les bandes d'énergie
des électrons d'un cristal, on envisage ici une approche phénoménologique

atomes isolés

*Les atomes sont éloignés donc isolés

*Tout les électrons périphériques se
trouvent au même niveau d’énergie

atomes farmant le Quand d est de l’ordre de la distance inter-atomique;

cristal 1-les fonctions potentiel se chevauchent les électrons d’un
atome sont donc Influencés par les fonctions potentiel
d’autres atomes
2-on aura donc modification des niveaux d’énergies des
électrons
3-Si le nb d’atome est grand les niveaux d’énergies seront
très rapprochés , on parle donc de bande d’énergie permises
 Bande permise - Bande interdite.
Figure 1 Effet de la perturbation due au potentiel cristallin

Cas du silicium dans un cristal

les 4 places réstantant sur le

niveau 3p forment une bande
vide d'épaisseur 20 eV (Bande
de conduction)
2 électrons 3s et 2 électron 3p forment une
bande pleine de 10 eV. Si (cristal)
l’épaisseur de la dernière bande de valence
est de l’ordre de 10 eV qui contient 2N
niveaux d’énergie (2 *5.1022 ) => (différence
énergétique entre 2états) = 10-22eV . Les
niveaux d’énergies sont trés rapprochés que
l’on peut dire que l’énergie est continue.

Électron des couches

"internes" : la perturbation
est très faible :épaisseur de
la bande est de 10-3 eV
 Bande de conduction - Bande de valence.
On présente 3 cas :

A- bande interdite directe : si le •B- bande interdite indirecte: si le

minimum de la BC correspond au même vecteur d'onde du minimum de la BC ne
vecteur d'onde que le maximum de la BV correspond pas à celui du maximum de
la BV

E(k) est approximée par une parabole : (modèle de

SOMMERFELD ).
E(k) = Ec + A k2 pour la bande supérieure;
E(k) = Ev - B k2 pour la bande inférieures.
Eg = Ec-Ev
Largeur de la bande interdite : Eg=Ec-Ev (eV)

Eg dépend de la température. Elle diminue faiblement selon la loi

empirique suivante :
Eg(T) = Eg0 –AT2/(T+B)

Eg0 : Hauteur de la bande interdite à T=0K ;

T température en K, Aet B
sont des constantes qui ne dépendent que de la nature du semiconducteur
C- cas des métaux

•C- Absence de la bande interdite

•Cas des métaux
 Notion de masse effective

1- Masse de l’électron libre dans le vide

m0 est la masse de l’électron dans le vide qui est définie par l’accélération
 prise sous l’effet de la force F appliquée:

F= m0 

 2 K2
Et comme: E=
2m
0
 2
Alors : m0 =
d 2 E / dk 2
2- Masse de l'électron dans un cristal.
Dans un cristal potentiel cristallin

•F’ : la résultante de toutes les forces d'interaction entre la particule et la

structure du cristal.
•Fex : la force extérieure appliquée

/
Fex + F  = m   Fex = (m − / F )
0 0
/ /
 
 Fex = m* 
On introduit une particule fictive

•dont l'état est identique à celui

•de masse m* ou seule la
de la particule réelle
•force extérieure intervient
(accélération,charge et énergie).
 m*  2
masse d'un électron dans un m* =
cristal est donc :
d 2 E / dk 2

Dans le cas d'un cristal tridimensionnel, les résultats se compliquent :

la masse effective devient un tenseur dont les neuf composantes sont
du type :

 2 2
mxx* = et m xy* =
2
d E / dkx 2 2
d E / dkxdky
 CHAPITRE II

Statistique d ’Occupation des États

Électroniques et densité de porteurs de
charges dans semiconducteurs
 Distibution de Fermi-Dirac pour les électrons

• La statistique la mieux adaptée pour les

électrons dans les semi-conducteurs est la
statistique de de Fermi – Dirac.

EF = niveau de Fermi
k ≈ 8,617386×10-5 eV/K
kT0 ≈ 0.025eV (T0=300K)

f(E ) est La probabilité de trouver un électron à une

énergie E dans un système porté à la température Test
donné par la fonction :

* pour E  Ef  f (E) → 1
* pour E  Ef  f (E) → 0
 Propriétés de la distribution de Fermi-Dirac
Pour les électrons
Distribution de Fermi –Dirac à température T=0K

Distribution de Fermi-Dirac à T=0K

1

la fonction a l'allure d'une marche

d'escalier, passant de la valeur 1 à 0
0
Ef pour E=Ef
Bande de conduction
Bande de valence
totalement vide
totalement remplie

Energie E
Distribution de Fermi –Dirac à température T ≠0K
La fonction a les comportements asymptotiques
suivant :

1-la probabilité d'observer un électron à

énergie infinie est nulle.
quand ( E − E ) →  ; f ( E − E ) → 0
f f
2- la probabilité d'observer un électron à énergie
profonde est maximale =1.
Et : ( E − E ) → − ; f ( E − E ) →1
f f
3-La probabilité d'observer un électron à l'énergie
correspondant au potentiel chimique est
f ( E = E . , T ) = 0.5
f
4-En fonction de l'énergie, la fonction passe de 1 à zéro
dans une région d'environ ±4KT autour de E= Ef
Remarque importante concernant la distribution de Fermi -Dirac
à T=300K, kT = 0.025eV, et Eg=1,12eV
Mais certains électrons peuvent sauter de 45 kT ?
 Distibution de Fermi-Dirac pour les trous
libres dans la bande de valence

La probabilité pour qu'un état quantique situé à l'énergie E ne soit

pas occupé est donnée par le complément à 1 de F(E).

Fp(E) = 1 - F(E) est la probabilité d'avoir un trou à l'énergie E.

à T = 0K
Approximation pour les semiconducteurs
non dégenerés :Statistique de Boltzman
Semiconducteur dégénéré ou non dégénéré
dépendent de la position du niveau de Fermis

*plus Ef s’approche ou même dépasse le niveau Ec on

dit que le semiconducteur devient de plus en plus
dégénéré.

*Dans le cas d’un semiconducteur non dégénéré «( E-Ef ) >> KT»

la distribution de Fermis s’approche de celle de Boltzman
 Cas des semiconducteurs non dégénérés

*pour les électrons

Semiconducteur non dégénéré: (E-EF) >> kT => exp >> 1

-la probabilité d’avoir un état occupé dans la bande de

conduction devient :

f(E) ≈ exp[-(E-EF)/kT] : statistique de Boltzmann

*pour les trous
Semiconducteur non dégénéré: (EF-E) >> kT => exp >> 1

-la probabilité d’avoir un état vide (trou) dans la bande de valence devient :
àT=300K : (E-Ef) =0.025eV
(E-Ef) ≥ 3KT (0.075eV)
àT=600K: (E-Ef)= 0.025eV
(E-Ef) ≥3KT (0.15eV)
àT=1500K: (E-Ef)= 0.025eV
(E-Ef) ≥3KT (0.375eV)
fdirac≈ 85%fBoltzman
fdirac≈ 100%fBoltzman
fdirac≈ 75%fBoltzman
fdirac≈ 100%fBoltzman
fdirac≈ 63%fBoltzman
fdirac≈ 100%fBoltzman

très important : T ; fDirac  fBltzman  (E − Ef )  3KT

 Resumé

1- F(E) est une probabilité donc : 0 < F(E) < 1.

2- Si T = 0 K, F(E) = 1 pour E < EF, F(E) = 0 pour E > EF. Tous les états d'énergie en
dessous du niveau de FERMI sont occupés, tous les états situés au dessus sont
vides.

3- Un niveau d'énergie situé à plus de 3 kT au dessus de EF possède une probabilité

d'occupation < 0.05

4- Un niveau d'énergie situé à plus de 3 kT en dessous de EF possède une probabilité

d'occupation > 0.95 donc très voisine de l'unité.

5- Si E - EF est de l'ordre de plusieurs kT, 1 est négligeable de l'exponentielle, la

fonction de FERMI se ramène à une distribution de BOLTZMANN :
F(E) = exp-(E - EF)/kT

6- La probabilité pour qu'un état quantique situé à l'énergie E ne soit pas occupé est
donnée par le complément à 1 de F(E).
Fp(E) = 1 - F(E)
Fp(E) est la probabilité d'avoir un trou à l'énergie E.
 Exercices sur la distribution de Fermi-Dirac

1-A la température ambiante (27C°), quelles sont les valeurs de la

distribution de Fermi-Dirac 0.15eV et 0.3eV respectivement au-
dessous et au-dessus de l’énergie de Fermi Ef ?

2-Dans quelle intervalle d’énergie cette fonction décroit –elle de

90% à 10%.

3-Jusqu à quelle intervalle d’énergie (en eV) à partir du niveau de

Fermi , la distribution de Fermi –Dirac est rapprochée à celle de
Maxwell-Boltzman par un facteur respectivement de 1% et 10%
prés, aux températures de 300K, 1000K et 2500K.
On donne la constante de Boltzmann : K=8,62.10-5eVK-1
 Population des porteurs : Population des bandes permises

Génération et recombinaison:

1- Génération de paires électron -trou

* à T≠0 ; Certains électrons de valence sont "excités" thermiquement. quand E > Eg on a

rupture de liaison qui fait apparaître 2 porteurs : un négatif et un positif. C'est la paire
électron-trou. : phénomène de génération

* En quittant sa liaison d'origine, l'électron laisse derrière lui un site vide : c'est un trou.
Ce trou peut attirer un électron de valence d'une liaison proche qui en quittant son site fait
apparaître un trou. ; Le trou est donc mobile

* ce phénomène de génération de paire électron-trou est d'autant plus important que

l'énergie thermique est forte

2- récombinaison

Lorsqu'un électron passe à proximité d'un trou, il est attiré par celui-ci et peut aller occuper
le site vide. Quand le trou disparaît, l'électron redevient un électron de liaison .Il y a
disparition de la paire électron trou. C'est le phénomène de recombinaison
 schéma énergétique d’une génération -recombinaison

1- Dans le schéma énergétique, la génération se traduit par le

passage d'un électron d'un état de la BdV à un état de la BdC.

2- La distance à Ec de l'état occupé dans la BdC par l'électron

correspond à son énergie cinétique.

3- La distance à Ev de l'état occupé par un trou dans la BdV

correspond à son énergie cinétique.
 Calcul de Densités de porteurs libres

Densité d'états permis: c’est le nombre d'états quantiques

permis (possible) par unité de volume.

Dans un cristal on montre que la densité d'états

permis à l'énergie E est :

*Pour les électrons dans la  2m  3l 2

1
Dn(E) = 2  2e   E − Ec 1l 2
Bande de conduction:
2   

 2m  3l 2
*Pour les trous dans Dp(E) =
1  h 
 1l 2
Ev − E 
 
2 2
la bande de valence:  2  
  
40 Dp
Densité d'états permises
dans la, bande de valence

Dn
Densité d'états permises
20
dans la bande de conduction

-50 -40 -30 -20 -10 Ev0 10 20

Ec 30 40 50
*Occupation des états permis dans les
bandes permises (BC; BV)

dn = F(E) Dn(E) dE (1)

dp = (1 - F(E)) Dp(E) dE (2)

 1- densité d’électrons « n » dans la BC :
Nombre de places occupées de la BdC ?

n=∫dn = ∫ F(E) Dn(E) dE (3)

en remplacent les expressions de

F(E) et Dn(E) on obtient :

 
 3l 2  
n = Ec
  2m
1   1l 2  

e



E − Ec 


1
dE (4) Cette intégrale n’est pas soluble
2 2 


2 



(E − E f ) 

analytiquement approximations
 1 + e KT 

Approximation de gaz de porteurs non dégenerés:

pour un semiconducteur non dégénéré (càd que dans la bande de conduction

on a plus d’états disponible que d’électrons libres et cela supposera alors que :
E - EF >> kT . Dans ce cas la distribution de Boltzmann est applicable
 L’équation (4) devient:

 2m  3l 2
1   Ef +

E
n= 
e
 exp( ) (E − Ec )1l 2 exp(− KT )dE (5)
2 2  2  KT Ec
  

E − Ec 1
Pour effectuer cette intégrale posons x=  dx = dE (6)
le changement de variable suivant: KT KT


3l 2
=
E f − Ec
x = 0
1  2 me KT  1l 2
L’équation (5) devient: n   exp( ) x exp( − x ) dx (7)
2 
2 2  KT

intégrale de Cauchy:

m e KT 3l 2 E f − Ec
On obtient finalement : n=2( ) exp( ) (8)
2 2 KT
 Tout se passe comme si tous
E f − Ec
n = N c exp( ) cm − 3 (9) les électrons se trouvaient sur
KT Nc places toutes situées à
l'énergie Ec .

  3l 2   3l 2
 me   
. T
m e KT 3l 2 19
avec : Nc = 2 ( ) = 2.5 10 






 (10)
2 2 
 m0 


T0 

   

mo : est la masse de l’électron libre dans le vide

To : température ambiante =300K
 Pour les trous dans la bande de valence
Le même raisonnement peut être tenu pour les trous: il suffit de substituer la
distribution de Fermi des trous par son approximation classique:

Ef − E
fh  exp(−
KT
) (11)
Nous obtenons finalement pour la concentration de trous p dans la
bande de valence :

mh KT 3l 2 E −E
p=
Ev
D ( E ) f h ( E )dE
− h
= (
2 ) exp(− f v) (12)
2 2 KT
E f − Ev
p = N v exp(− ) cm − 3 (13)
KT
Tout se passe comme si tous les trous se trouvaient sur Nv places
toutes situées à l'énergie Ev .
  3l 2   3l 2
 mh   
. T
m h KT 3l 2 19
avec : N v = 2 ( ) = 2.5 10 






 (14)
2 2 
 m0 


T0 

   
 Pour le Silicium à T=300K « Température ambiante »

Nc= 2,7.1019cm-3

Nv = 1,1.1019 cm-3

Nc : densité équivalente d'états dans la Bande de conduction

Nv : densité équivalente d'états dans la Bande de Valence
 Relation fondamentale : Loi "d'action de masse".

En multipliant la densités des porteurs négatifs par la

densité des porteurs positifs on obtient : n.p

KT 3 3l 2 Ec − Ev
n. p = 4( ) (me .mh ) exp (− ) (15)
2 2 KT

Eg
ou encore n. p = N c .N v exp (− ) (16) avec ( Ec-Ev )= Eg
KT

Il est très important de noter que le produit n.p est constant et ne

dépend que des caractéristiques du cristal ainsi que de sa
température.
 Eg
On pose : Nc.Nv exp (− ) (17) « loi d’action de masse »
n.p = ni2 = KT

Eg
Ou : ni = N c .N v exp (− ) (18)
2KT
ni est appelé densité intrinsèque de porteur de charge ou encore la
concentration thermique d’équilibre du semiconducteur. Elle ne dépend que de la
largeur de la bande interdite Eg et de la température T
On donne qq valeurs de ni:

GaAs : ni =1.8 106 cm-3

Si : ni=1.45 1010 cm-3
Ge : ni =2.4 1013 cm-3
Remarques très importantes

1- à T=300K, pour le silicium, ni≈ 1010 cm-3 est beaucoup plus

faible que la densité des des atomes dans les métaux ( 1022 cm-3 .
Le silicium intrinsèque peut être considéré comme isolant à la
température ambiante

2- Cette densité 1010 cm-3 est l'ordre de grandeur de la densité acceptable

des impuretés pour avoir un silicium intrinsèque. Par rapport aux 5.1022
atomes Si/cm3, il faut une pureté jamais atteinte encore à l'heure actuelle.
Le silicium intrinsèque n'existe pas à la température ambiante
 À T=300K
GaAs : ni = 1.8 106 cm-3
Si : ni= 1.45 1010 cm-3
Ge : ni = 2.4 1013 cm-3
 Comportement du niveau de Fermi Ef

L'hypothèse Ec - EF > kT entraîne n << Nc. Il y a beaucoup moins de

porteurs que de places disponibles. Le gaz de porteur est non dégénéré.

A partir de la densité des électrons dans la BdC (équation 13) on peut

déduire la position du niveau de FERMI :

EF = Ec - kT Log(Nc/n) (19)
Plus la densité des électrons dans la bande de conduction augmente, plus le
niveau de FERMI se rapproche du minimum de la BdC

De la meme facon on tire Ef à partir de la densité des trous dans la BdV

(équation16)

EF = Ev + kT Log(Nv/p) (20)
Plus la densité des trous dans la bande de valence augmente, plus le niveau
de FERMI se rapproche du maximum de la BdV.
Application aux semiconducteurs intrinsèques

n = p = ni avec :
( Ec − E ) (E −E )
n = N c exp − Fi et p = N v exp − Fi v (21)
KT KT
 Exercice1

On considère un semi-conducteur de type p non-dégénéré. la densité d’états

dans la bande de valence est donnée par l’expression :
 2m  3l 2
Dp (E) =
1  h 
 1l 2
Ev − E  où mh est la masse effective des trous
 
2 2 

 2  Ev le maximum de la bande de valence.
 

1. Établir l’expression de la fonction de distribution des trous dans la

bande de valence.
2. Donner l’expression simplifiée de cette distribution dans le cas d’un
semiconducteur non dégénéré dans l’approximation de Boltzmann.
3. Montrer que la densité de trous dans la bande de valence peut s’écrire sous
la forme d’un simple produit d’une densité équivalente d’états Nv par un
facteur de Boltzmann.
4. Établir l’expression de la densité équivalente d’état Nv.
5. Établir l’expression de la vitesse d’un trou en fonction de son énergie dans
la bande de valence.
6. Calculer la vitesse moyenne des trous.