DIODOS Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y n, por lo que tambin reciben

la denominacin de unin pn. Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal, el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).

Formacin de la zona de carga espacial Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p. Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de deplexin, de vaciado, etc. A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 Ven el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.

A (p)

C K (n)

Representacin simblica del diodo pn Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa. TIPOS DE DIODOS Diodo avalancha Es un diodo semiconductor diseado especialmente para trabajar en tensin inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensin en polarizacin inversa alcanza el valor de la tensin de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de conduccin por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo elctrico incrementando su energa cintica, de forma que al colisionar con electrones de valencia los liberan; stos a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia liberndolos tambin, producindose una avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas incremento de la tensin. Aplicacin La aplicacin tpica de estos diodos es la proteccin de circuitos electrnicos contra sobretensiones. El diodo se conecta en inversa a tierra, de modo que mientras la tensin se mantenga por debajo de la tensin de ruptura slo ser atravesado por la corriente inversa de saturacin, muy pequea, por lo que la interferencia con el resto del circuito ser mnima; a efectos prcticos, es como si el diodo no existiera. Al incrementarse la tensin del circuito por encima del valor de ruptura, el diodo comienza a conducir desviando el exceso de corriente a tierra evitando daos en los componentes del circuito. Fotodiodo Es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.

Los diodos tienen un sentido normal de circulacin de corriente, que se llama polarizacin directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente elctrica y prcticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que vara con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producir un aumento de la circulacin de corriente cuando el diodo es excitado por la luz. Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados al ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del dispositivo. El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m); o de cualquier otro material semiconductor. Aplicacin


A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo. Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco del Cd transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados. Usados en fibra ptica

Diodo Gunn Es una forma de diodo usado en la electrnica de alta frecuencia. A diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene regiones del tipo N, razn por lo que impropiamente se le conoce como diodo. Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada regin intermedia de material ligeramente dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a travs de sus terminales, en la zona intermedia el gradiente elctrico es mayor que en los extremos. Eventualmente esta zona empieza a conducir esto significa que este diodo presenta una zona de resistencia negativa.

La frecuencia de la oscilacin obtenida a partir de este efecto, es determinada parcialmente por las propiedades de la capa o zona intermedia del diodo, pero tambin puede ser ajustada exteriormente. Los diodos Gunn son usados para construir osciladores en el rango de frecuencias comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias an ms altas (hasta Terahertz). Este diodo se usa en combinacin con circuitos resonantes construidos con guas de ondas, cavidades coaxiales y resonadores YIG (monocristal de granate Itrio y hierro), y la sintonizacin es realizada mediante ajustes mecnicos, excepto en el caso de los resonadores YIG en los cuales los ajustes son elctricos. Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200 GHz, mientras que los de Nitruro de Galio pueden alcanzar los 3 Terahertz. Este efecto Gunn es un instrumento eficaz para la generacin de oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales semiconductores. El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la unin misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de tensin y corriente y no es afectado por campos magnticos. Cuando se aplica una pequea tensin continua a travs de una placa delgada de Arseniuro de Galio (GaAs), sta presenta caractersticas de resistencia negativa. Todo esto ocurre bajo la condicin de que la tensin aplicada a la placa sea mayor a los 3,3 voltios/cm. Si dicha placa es conectada a una cavidad resonante, se producirn oscilaciones y todo el conjunto se puede utilizar como oscilador. Este efecto slo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones) y las oscilaciones se dan slo cuando existe un campo elctrico. Estas oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan para atravesar la placa de material tipo N cuando se aplica la tensin continua. Diodo Lser El diodo lser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que bajo las condiciones adecuadas emite luz lser. A veces se los denomina diodos lser de inyeccin, o por sus siglas inglesas LD o ILD. En los diodos lser, para favorecer la emisin estimulada y generacin de luz lser, el cristal semiconductor del diodo puede tener la forma de una lmina delgada con un lado totalmente reflectante y otro slo reflectacte de forma parcial (aunque muy reflectacte tambin), logrndose as una unin PN de grandes dimensiones con las caras exteriores perfectamente paralelas y reflectantes. Este conjunto forma una gua de onda similar a un resonador de tipo Fabry-Perot. En ella, los fotones emitidos en la direccin adecuada se reflejarn repetidamente en dichas caras reflectantes (en una totalmente y en la otra slo

parcialmente), lo que ayuda a su vez a la emisin de ms fotones estimulados dentro del material semiconductor y consiguientemente a que se amplifique la luz (mientras dure el bombeo derivado de la circulacin de corriente por el diodo). Parte de estos fotones saldr del diodo lser a travs de la cara parcialmente transparente (la que es slo reflectante de forma parcial). Este proceso da lugar a que el diodo emita luz, que al ser coherente en su mayor parte (debido a la emisin estimulada), posee una gran pureza espectral. Por tanto, como la luz emitida por este tipo de diodos es de tipo lser, a estos diodos se los conoce por el mismo nombre. Ventajas
    

Son muy eficientes. Son muy fiables. Tienen tiempos medios de vida muy largos. Son econmicos. Permiten la modulacin directa de la radiacin emitida, pudindose modular a dcimas de Gigahercio. Su volumen y peso son pequeos. El umbral de corriente que necesitan para funcionar es relativamente bajo. Su consumo de energa es reducido (comparado con otras fuentes de luz) El ancho de banda de su espectro de emisin es angosto (puede llegar a ser de slo algunos kHz)

   

Aplicacin
     

Comunicaciones de datos por fibra ptica. Lectores de CDs, DVDs y formatos derivados. Interconexiones pticas entre circuitos integrados. Impresoras lser. Escneres o digitalizadores. Sensores.

Diodo LED Diodo emisor de luz, tambin conocido como LED (acrnimo del ingls de LightEmitting Diode) es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unin PN del mismo y circula por l una corriente elctrica. Este fenmeno es una forma de electroluminiscencia.

El color (longitud de onda), depende del material semiconductor empleado en la construccin del diodo y puede variar desde el ultravioleta, pasando por el visible, hasta el infrarrojo. Los diodos emisores de luz que emiten luz ultravioleta tambin reciben el nombre de UV LED(UltraViolet Light-Emitting Diode) y los que emiten luz infrarroja suelen recibir la denominacin de IRED (Infra-Red Emitting Diode). Aplicaciones Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en mandos a distancia de televisores, habindose generalizado su uso en otros electrodomsticos como equipos de aire acondicionado, equipos de msica, etc. y en general para aplicaciones de control remoto, as como en dispositivos detectores, adems de ser utilizados para transmitir datos entre dispositivos electrnicos como en redes de computadoras y dispositivos como telfonos mviles, computadoras de mano, aunque esta tecnologa de transmisin de datos ha dado paso al bluetooth en los ltimos aos, quedando casi obsoleta. Los LEDs se emplean con profusin en todo tipo de indicadores de estado (encendido/apagado) en dispositivos de sealizacin (de trnsito, de emergencia, etc.) y en paneles informativos (el mayor del mundo, del NASDAQ, tiene 36,6 metros de altura y est en Times Square, Manhattan). Tambin se emplean en el alumbrado de pantallas de cristal lquido de telfonos mviles, calculadoras, agendas electrnicas, etc., as como en bicicletas y usos similares. Existen adems impresoras LED. Ventajas Fiabilidad, mayor eficiencia energtica, mayor resistencia a las vibraciones, mejor visin ante diversas circunstancias de iluminacin, menor disipacin de energa, menor riesgo para el medio ambiente, capacidad para operar de forma intermitente de modo continuo, respuesta rpida, etc. Asimismo, con LEDs se pueden producir luces de diferentes colores con un rendimiento luminoso elevado. Diodo P-I-N

Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N(estructura P-I-N que da nombre al

diodo). Sin embargo, en la prctica, la capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad ( ) o bien por una capa n de alta resistividad ( ). El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:
   

conmutador de RF resistencia variable protector de sobretensiones fotodetector

Diodo Schottky El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la regin Zener, que es cuando ms bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- ste opere de igual forma como lo hara regularmente. Caractersticas La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad. A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensin umbral valor de la tensin en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V emplendose, por ejemplo, como proteccin de descarga de clulas solares con bateras de plomo cido. La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de energa. Diodo Shockley

Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor. La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A).

Diodo tnel El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador). Tambin se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubri que una fuerte contaminacin con impurezas poda causar un efecto de tunelizacin de los

portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unin. Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin. Diodo Varicap El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V. La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de TV, modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje (oscilador controlado por tensin). En tecnologa de microondas se pueden utilizar como limitadores: al aumentar la tensin en el diodo, su capacidad vara, modificando la impedancia que presenta y desadaptando el circuito, de modo que refleja la potencia incidente. Diodo Zener El diodo Zener, que recibe este nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura Resistencia Zener Un diodo zener, como cualquier diodo, tiene cierta resistencia interna en sus zonas P y N; al circular una corriente a travs de ste se produce una pequea cada de tensin de ruptura. En otras palabras: si un diodo zener est funcionando en la zona zener, un aumento en la corriente producir un ligero aumento en la tensin. El incremento es muy pequeo, generalmente de una dcima de voltio.

Los diodos Zener mantienen la tensin entre sus terminales prcticamente constante en un amplio rango de intensidad y temperatura, cuando estn polarizados inversamente, por ello, este tipo de diodos se emplean en circuitos estabilizadores o reguladores de la tensin.

Smbolos