SEMICONDUCTORES.

Un componente semiconductor se define como un material slido o lquido capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor que un metal. La conductividad elctrica, que es la capacidad de conducir la corriente elctrica cuando se aplica una diferencia de potencial, es una de las propiedades fsicas ms importantes. Ciertos metales, como el cobre, la plata y el aluminio son excelentes conductores. Por otro lado, ciertos aislantes como el diamante o el vidrio son muy malos conductores. A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se comportan como aislantes. Sometidos a altas temperaturas, mezclados con impurezas o en presencia de luz, la conductividad de los semiconductores puede aumentar de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles cercanos a los de los metales. Las propiedades de los semiconductores se estudian en la fsica del estado slido. Las propiedades elctricas de un material semiconductor vienen determinadas por su estructura atmica. En un cristal puro de germanio o de silicio, los tomos estn unidos entre s en disposicin peridica, formando una rejilla cbica tipo diamante perfectamente regular. Cada tomo del cristal tiene cuatro electrones de valencia, cada uno de los cuales interacta con el electrn del tomo vecino formando un enlace covalente. Al no tener los electrones libertad de movimiento, a bajas temperaturas y en estado cristalino puro, el material acta como un aislante. Los cristales de germanio o de silicio contienen pequeas cantidades de impurezas que conducen la electricidad, incluso a bajas temperaturas. Las impurezas tienen dos efectos dentro del cristal. Las impurezas de fsforo, antimonio o arsnico se denominan impurezas donantes porque aportan un exceso de electrones. Este grupo de elementos tiene cinco electrones de valencia, de los cuales slo cuatro establecen enlaces con los tomos de germanio o silicio. Por lo tanto, cuando se aplica un campo elctrico, los electrones restantes de las impurezas donantes quedan libres para desplazarse a travs del material cristalino. Por el contrario, las impurezas de galio y de indio disponen de slo tres electrones de valencia, es decir, les falta uno para completar la estructura de enlaces interatmicos con el cristal. Estas impurezas se conocen como impurezas receptoras, porque aceptan electrones de tomos vecinos. A su vez, las deficiencias resultantes, o huecos, en la estructura de los tomos vecinos se rellenan con otros electrones y as sucesivamente. Estos huecos se comportan como cargas positivas, como si se movieran en direccin opuesta a la de los electrones cuando se les aplica un voltaje. Los semiconductores de tipos n y p: un cristal de germanio o de silicio que contenga tomos de impurezas donantes se llama semiconductor negativo, o tipo n, para indicar la presencia de un exceso de electrones cargados negativamente. El uso de una impureza receptora producir un semiconductor positivo, o tipo p, llamado as por la presencia de huecos cargados positivamente. Un cristal sencillo que contenga dos regiones, una tipo n y otra tipo p, se puede preparar introduciendo las impurezas donantes y receptoras en germanio o silicio fundido en un crisol en diferentes fases de formacin del cristal. El cristal resultante presentar dos regiones diferenciadas de materiales tipo n y tipo p. La franja de contacto entre ambas reas se conoce como unin pn. Tal unin se puede producir tambin colocando una porcin de material de impureza donante en la superficie de un cristal tipo p o bien una porcin de material de impureza receptora sobre un cristal tipo n, y aplicando calor para difundir los tomos de impurezas a travs de la capa exterior. Al aplicar un voltaje desde el

exterior, la unin pn acta como un rectificador, permitiendo que la corriente fluya en un solo sentido. Si la regin tipo p se encuentra conectada al terminal positivo de una batera y la regin tipo n al terminal negativo, fluir una corriente intensa a travs del material a lo largo de la unin. Si la batera se conecta al revs, no fluir la corriente. Las caractersticas de las uniones PN tienen su principal aplicacin en la fabricacin de diodos, que son dispositivos con una unin PN cuya principal funcin es la de conducir un flujo de corriente cuando la polarizacin es directa y bloquearla cuando est en inversa. Tambien se puede aprovechar la tensin de avalancha (tensin mxima de polarizacin inversa) para fabricar diodos especiales denominados zener, cuya caracterstica es que la tensin de polarizacin inversa permanece constante al variar la intensidad del ctodo al nodo en un determinado valor de fabricacin, esta peculiaridad es til para construir estabilizadores de tensin. Los transistores ms populares son dos uniones en serie que pueden ser de tipo PNP o NPN. Su cualidad es que al fluir una corriente desde la unin central P a la unin tipo N (ejemplo de tipo NPN), fluye una intensidad mucho mayor desde la otra unin N hacia la N anterior de forma proporcional a la intensidad que insertemos. Con esta propiedad podemos construir amplificadores de tensin o de corriente.

DIODOS.
Introduccin Diodo, componente electrnico que permite el paso de la corriente en un solo sentido. Los diodos ms empleados en los circuitos electrnicos actuales son los diodos fabricados con material semiconductor. El ms sencillo, el diodo con punto de contacto de germanio, se cre en los primeros das de la radio. En los diodos de germanio (o de silicio) modernos, el cable y una minscula placa de cristal van montados dentro de un pequeo tubo de vidrio y conectados a dos cables que se sueldan a los extremos del tubo. Los diodos de unin constan de una unin de dos tipos diferentes de material semiconductor. El diodo Zener es un modelo especial de diodo de unin, que utiliza silicio, en el que la tensin en paralelo a la unin es independiente de la corriente que la atraviesa. Debido a esta caracterstica, los diodos Zener se utilizan como reguladores de tensin. Por otra parte, en los diodos emisores de luz (LED, acrnimo ingls de Light-Emitting Diode), una tensin aplicada a la unin del semiconductor da como resultado la emisin de energa luminosa. Los LED se utilizan en paneles numricos como los de los relojes digitales electrnicos y calculadoras de bolsillo. Para resolver problemas referentes a los diodos se utilizan en la actualidad tres aproximaciones: t La primera aproximacin es la del diodo ideal, en la que se considera que el diodo no tiene cada de tensin cuando conduce en sentido positivo, por lo que esta primera aproximacin considerara que el diodo es un cortocircuito en sentido positivo. En cambio, el diodo ideal se comporta como un circuito abierto cuando su polarizacin es inversa.

t En la segunda aproximacin, consideramos que el diodo tiene una cada de tensin cuando conduce en polarizacin directa. Esta cada de tensin se ha fijado en 0.7 V para el diodo de silicio, lo que hace que la segunda aproximacin pueda representarse como un interruptor en serie con una fuente de 0.7 V. t La tercera aproximacin aproxima ms la curva del diodo a la real, que es una curva, no una recta, y en ella colocaramos una resistencia en serie con la fuente de 0.7 V.
Vd = 0.7 + I d Rb

Siendo, en la ecuacin anterior, Rb la resistencia de la tercera aproximacin (generalmente muy pequea), y Id la corriente de polarizacin del diodo. La ms utilizada es la segunda aproximacin. Los diodos de unin p-n y los zener tienen caractersticas constructivas que los diferencian de otros. Su tamao, en muchos casos, no supera el de una resistencia de capa o de pelcula de 1/4W y aunque su cuerpo es cilndrico, es de menor longitud y dimetro que las resistencias. Aunque existe gran variedad de tipos, slo algunos especiales difieren de su aspecto. No ocurre lo mismo con el tamao, pues es funcin de la potencia que pueden disipar. Es caracterstico encontrarse un aillo en el cuerpo que nos indica el ctodo. Para aquellos cuyo tipo concreto viene sealado por una serie de letras y nmeros, el ctodo es marcado mediante un anillo en el cuerpo, prximo a este terminal. Otros usan cdigos de colores, y en ellos el ctodo se corresponde con el terminal ms prximo a la anda de color ms gruesa. Existen fabricantes que marcan el ctodo con la letra "K" o el nodo con la "a". Los diodos de punta de germanio suelen encapsularse en vidrio. En cuanto a los diodos LED, se encuentran encapsulados en resinas de distintos colores, segn sea la longitud de onda con la que emita. El nodo de estos diodos es ms largo que el ctodo, y usualmente la cara del encapsulamiento prxima al ctodo es plana. Una forma prctica de determinar el ctodo consiste en aplicar un polmetro en modo hmetro entre sus terminales. Si el terminal de prueba se aplica de nodo a ctodo, aparecen lecturas del orden de 20-30Ω. Si se invierten los terminales, estas lecturas son del orden de 200-300 KΩ para el Ge, y de varios MΩ Para el Si. Si con el multitester utilizamos el modo de prueba de diodos, obtenemos el valor de la tensin de codo del dispositivo. Con ello conseguimos identificar los dos terminales (nodo y ctodo), y el material del que esta hecho (0.5-0.7 V para el de Si, 0.2-0.4 para el germanio y 1.2-1.5 para la mayora de los LED.

Tipos de Diodos DIODO DE USO COMUN El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos que estn en, o cerca de, la regin de "unin", se combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de Agotamiento por la ausencia de portadores.

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo: No hay polarizacin (Vd = 0 V). Polarizacin directa (Vd > 0 V). Polarizacin inversa (Vd < 0 V).

Vd = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier direccin es cero para un diodo semiconductor.

La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material tipo N y a los huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura de la regin de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD 0.7 V para diodos de Silicio. Id = I mayoritarios - Is Condicin de Polarizacin Inversa (Vd < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos. El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocar que la regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrn superar, esto significa que la corriente Id del diodo ser cero. Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de agotamiento no cambiar, creando por lo tanto la corriente Is. La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se denomina corriente de saturacin inversa, Is. El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se satura) en forma rpida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarizacin inversa, hasta que al valor Vz o VPI, voltaje pico inverso.

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar en la regin Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal. Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente ms altos e intervalos de temperatura ms amplios que los diodos de germanio. El general, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: En la zona directa se puede considerar como un generador de tensin continua, tensin de codo (0.5-0.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando se polariza en inversa se puede considerar como un circuito abierto. Cuando se alcanza la tensin inversa de disyuncin (zona Inversa) se produce un aumento drstico de la corriente que puede llegar a destruir al dispositivo. Este diodo tiene un amplio margen de aplicaciones: circuitos rectificadores, limitadores, fijadores de nivel, proteccin contra cortocircuitos, demoduladores, mezcladores, osciladores, bloqueo y bypass en instalaciones fotovolcaicas, etc. Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante): 1. La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o no (VRRR mx o VR mx, respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces) que la mxima que este va a soportar. 2. La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al componente, repetitiva o no (IFRM mx e IF mx respectivamente), he de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar. 3. La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar. En la figura N01, podemos observar la representacin grfica o smbolo para este tipo de diodo.

Figura N01

Curva Diodo Real Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o regin de operacin. Si consideramos la regin definida por la direccin de Id y la polaridad de Vd, encontraremos que el valor de la resistencia directa RF, de acuerdo a como se define con la ley de Ohm es:

Donde VF es el voltaje de polarizacin directo a travs del diodo e IF es la corriente en sentido directo a travs del diodo. El diodo, por consiguiente, es un corto circuito para la regin de conduccin. Si consideramos la regin del potencial aplicado negativamente,

Donde VR es el voltaje de polarizacin inverso a travs del diodo e IR es la corriente inversa en el diodo. El diodo, en consecuencia, es un circuito abierto en la regin en la que no hay conduccin. DIODO ZENER La corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la de un diodo polarizado directamente. El diodo Zener es un diodo que ha sido diseado para trabajar en la regin Zener.

Figura N02 De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseado para trabajar con voltajes negativos (con respecto a l mismo). Es importante mencionar que la regin Zener (en un diodo Zener) se controla o se manipula variando los niveles de dopado. Un incremento en el nmero de impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ. As, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a -200 V y potencias de 1/4 a 50 W. El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes.

Figura N03 En el circuito que se muestra en la figura N03, se desea proteger la carga contra sobre voltajes, el mximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activar cuando el voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegindola de esta manera. De acuerdo a otras consideraciones, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: En la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensin continua (tensin de codo). En la zona de disrupcin, entre la tensin de codo y la tensin zener (Vz

nom) lo podemos considerar un circuito abierto. Cuando trabaja en la zona de disrupcin se puede considerar como un generador de tensin de valor Vf= -Vz. El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensin trabajando en la zona de disrupcin. Podemos distinguir: 1. Vz nom,Vz: Tensin nominal del zener (tensin en cuyo entorno trabaja adecuadamente el zener). 2. Iz min: Mnima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir de la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de disrupcin (Vz min). 3. Iz max: Mxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de la cual el dispositivo se destruye (Vz max). 4. Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente. Aproximadamente se corresponde con el producto de Vz nom y Iz max. En la grfica N01, se puede observar la curva caracterstica de este tipo de diodo.

Grfica N01 Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante): 1. Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una corriente inversa mayor o igual a Iz min. 2. La corriente mxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz max. 3. La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar en el circuito. EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED) El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se encuentra polarizado. El voltaje de polarizacin de un LED vara desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA. Principio de Funcionamiento:

En cualquier unin P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y principalmente cerca de la unin, ocurre una recombinacin de huecos y electrones (al paso de la corriente). Esta recombinacin requiere que la energa que posee un electrn libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones P-N una parte de esta energa se convierte en calor y otro tanto en fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz emitida es insignificante. Por esta razn se utiliza otro tipo de materiales para fabricar los LED's, como Fosfuro Arseniuro de de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).

Figura N03 Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo, mbar, azul y algunos otros. Hay que tener en cuenta que las caractersticas obtenidas de las hojas de especificaciones pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque ambos hayan sido producidos en el mismo lote. Tambin hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los resistores, uno marcado de 100W puede ser realmente de 98W o de 102W o tal vez si ser exacto, y una fuente "ajustada" a 10V puede estar ajustada realmente a 9.9V o a 10.1V o tal vez a 10V. De acuerdo a otras consideraciones, El diodo LED presenta un comportamiento anlogo al diodo rectificador (diodo semiconductor p-n), sin embargo, su tensin de codo tiene un valor mayor, normalmente entre 1.2-1.5 V. Segn el material y la tecnologa de fabricacin estos diodos pueden emitir en el infrarrojo (diodos IRED), rojo, azul, amarillo y verde, dependiendo de cual sea la longitud de onda en torno a la cual emita el LED. Entre sus aplicaciones podemos destacar: pilotos de sealizacin, instrumentacin, optoaclopadores, etc. Resulta difcil distinguir, por pura inspeccin visual, el modelo del LED as como el fabricante: los valores mximos de tensin y corriente que puede soportar y que suministra el fabricante sern por lo general desconocidos. Por esto, cuando se utilice un diodo LED en un

circuito, se recomienda que la intensidad que lo atraviese no supere los 20 mA, precaucin de carcter general que resulta muy vlida. En la figura N04, se muestra el smbolo electrnico de este tipo de diodo.

Figura N04 El diodo LED puede ser tratado de manera anloga a un diodo normal. sin embargo conviene tener en cuenta que los diodos LED no estn fabricados de silicio monocristalino, ya que el silicio monocristalino es incapaz de emitir fotones. Debido a ello, la tensin de polarizacin directa Vd depende del material con el que est fabricado el diodo. El material que compone el diodo LED, es importante ya que el color de la luz emitida por el LED depende nicamente del material y del proceso de fabricacin principalmente de los dopados. En la tabla adjunta aparecen algunos ejemplos de materiales utilizados junto con los colores conseguidos: Material AsGa InGaAsP AsGaAl AsGaP InGaAlP CSi Longitud de Onda 904 nm 1300 nm 750-850 nm 590 nm 560 nm 480 nm Color IR IR Rojo Amarillo Verde Azul Vd Tpica 1V 1V 1,5 V 1,6 V 2,7 V 3V

FOTODIODOS Los fotodiodos. Son diodos sensibles a la luz. Generan un voltaje de corriente continua proporcional a la cantidad de luz que incide sobre su superficie, es decir, son diodos de unin PN cuyas caractersticas elctricas dependen de la cantidad de luz que incide sobre la unin. Se utilizan como medidores y sensores de luz y en receptores pticos de comunicaciones.

Representacin grfica de un Fotodiodo y su correspondientes curvas caractersticas

El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generacin de pares electrn - hueco debido a la energa luminosa. Este hecho es lo que le diferencia del diodo rectificador de silicio en el que, solamente existe generacin trmica de portadores de carga. La generacin luminosa, tiene una mayor incidencia en los portadores minoritarios, que son los responsables de que el diodo conduzca ligeramente en inversa. El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la incidencia de luz. Conviene recordar que el diodo real presenta unas pequeas corrientes de fugas de valor IS. Las corrientes de fugas son debidas a los portadores minoritarios, electrones en la zona P y huecos en la zona N. La generacin de portadores debido a la luz provoca un aumento sustancial de portadores minoritarios, lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga en inversa tal y como se ve en la figura anterior. El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generacin luminosa de portadores. Esto es debido a que los portadores provenientes del dopado (portadores mayoritarios) son mucho ms numerosos que los portadores de generacin luminosa.

Corte transversal de un fotodiodo comercial DIODOS DE EFECTO TUNEL Los diodos de efecto tnel. Son dispositivos muy verstiles que pueden operar como detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una regin de juntura extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarizacin directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.

Representacin grfica de un diodo TUNEL y su correspondiente grfica LOS VARACTORES Son diodos de silicio perfeccionados para operar con capacitancia variable, que se utilizan como sintonizadores en sistemas de comunicaciones, especialmente en FM. A mxima capacitancia del varactor se presenta con voltajes de polarizacin cero, cuando la capa de agotamiento es ms delgada. Cuanto ms alto es el voltaje inverso aplicado, ms estrecha es la capa de agotamiento y por lo tanto, la capacitancia disminuye. Estos diodos tambin reciben el nombre de diodos Varicap.

El smbolo del diodo varactor se muestra abajo con una representacin del diagrama. Cuando un voltaje inverso es aplicado a la juncin PN, los agujeros en la regin P se atraen a la terminal del nodo y los electrones en la regin N se atraen a la terminal del ctodo, creando una regin de poca corriente. Esta es la regin de agotamiento, son esencialmente desprovistos de portadores y se comportan como el dielctrico de un condensador. La regin de agotamiento aumenta mientras que el voltaje inverso aplicado a l aumenta; y puesto que la capacitancia vara inversamente con el espesor dielctrico, la capacitancia de la juntura disminuir cuando el voltaje aplicado a la juntura PN aumenta. En la grfica, se observa la variacin de la capacidad con respecto al voltaje.

En la grfica se puede observar el aumento no lineal en la capacitancia cuando se disminuye el voltaje inverso. Esta no linealidad, permite que el varactor sea utilizado tambin como generador armnico. Las consideraciones importantes del varactor son: a) Valor de la capacitancia. b) Voltaje. c) Variacin en capacitancia con voltaje. d) Voltaje de funcionamiento mximo. e) Corriente de la salida. LOS DIODOS VARISTOR O supresor de transientes, es un dispositivo semiconductor utilizado para absorber picos de alto voltaje desarrollados en las redes de alimentacin elctrica. Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes sensibles del circuito. Los varistors se fabrican con un material no-homogneo.(Carburo de silicio).

CARACTERISTICAS: 1. Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una seleccin fcil del componente correcto para una aplicacin especfica. 2. Alta capacidad de absorcin de energa respecto a las dimensiones del componente. 3. Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante que ocurre. 4. Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada. 5. Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la proteccin de circuitera en conmutacin digital. 6. Alto grado de aislamiento. Mximo impulso de corriente no repetitiva t El pico mximo de corriente permitido a travs del varistor depende de la forma del impulso, del duty cycle y del nmero de pulsos. t Con el fin de caracterizar la capacidad del varistor para resistir impulsos de corriente, se permite generalmente que garantice un mximo impulso de corriente no repetitiva. Este viene dado por un impulso caracterizado por la forma del impulso de corriente desde 8 microsegundos a 20 microsegundos siguiendo la norma IEC 60-2, con tal que la amplitud del voltaje del varistor medido a 1 mA no lo hace cambiar ms del 10% como mximo. t Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o ruptura del propio componente; se recomienda por lo tanto instalar un fusible en el circuito que utiliza el varistor, o utilizar una caja protectora. t Si se aplica ms de un de impulso o el impulso es de una duracin mas larga, habra que estudiar las curvas que al efecto nos proporcionan los fabricantes, estas curvas garantizan la mxima variacin de voltaje (10%) en el varistor con 1 mA. Energa mxima Durante la aplicacin de un impulso de corriente, una determinada energa ser disipada por el varistor. La cantidad de la energa de disipacin es una funcin de: 1. 2. La amplitud de la corriente. El voltaje correspondiente al pico de corriente.

3. La duracin del impulso. 4. El tiempo de bajada del impulso; la energa que se disipa durante el tiempo entre 100% y 50% del pico de corriente. 5. La no linealidad del varistor. A fin de calcular la energa disipada durante un impulso, se hace con la referencia generalmente a una onda normalizada de la corriente. Esta onda esta prescrita por la norma IEC 60-2 secciona 6 tiene una forma que aumenta desde cero al valor de pico en un el tiempo corto, disminuyendo hasta cero o de una manera exponencial, o bien sinusoidal.

Esta curva es definida por el tiempo principal virtual (t1) y el tiempo virtual al valor medio (t2) DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA) Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una cada de voltaje directa (VF) muy pequea, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben tambin el nombre de diodos de recuperacin rpida (Fast recovery) o de portadores calientes. Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metlica se hace un material semiconductor, el contacto tiene, tpicamente, un comportamiento hmico, cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una regin semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando tambin a tener un efecto de rectificacin. Un diodo Schottky, se forma colocando una pelcula metlica en contacto directo con un semiconductor, segn lo indicado en la figura N05. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad ms grande de los portadores en este tipo de material. La parte metlica ser el nodo y el semiconductor, el ctodo. En una deposicin de aluminio Al (3 electrones en la capa de valencia), los electrones del semiconductor tipo N migran haca el metal, creando una regin de transicin en la ensambladura. Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales) estn en trnsito. Su conmutacin es mucho ms rpida que la de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la regin tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (tpicamente de 0,3V). La Regin N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la prdida de conduccin, por esto, la tensin mxima soportable para este tipo de diodo est alrededor de los 100V. La principal aplicacin de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensin, en las cuales las cadas en los rectificadores son significativas.

Figura N05 (Diodo Schottky construido a travs de la tcnica de CIs.)

Curva caracterstica de un diodo SCHOTTKY EL DIODO LASER Los diodos lser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. Las caractersticas de un diodo lser son: 1. La emisin de luz es dirigida en una sola direccin: Un diodo LED emite fotones en muchas direcciones. Un diodo lser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz preferencial una sola direccin.

Corte esquemtico de la emisin de luz en diodos LED y lser

Intensidad de luz en funcin de la longitud de onda para diodos LED y lser Debido a estas dos propiedades, con el lser se pueden conseguir rayos de luz monocromtica dirigidos en una direccin determinada. Como adems tambin puede controlarse la potencia emitida, el lser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que sea necesario entregar energa con precisin. Ejemplo de aplicacin: El lector de discos compactos: Una de las muchas aplicaciones de los diodos lser es la de lectura de informacin digital de soportes de datos tipo CD-ROM o la reproduccin de discos compactos musicales. El principio de operacin de uno y otro es idntico.

Esquema del funcionamiento del CD-ROM Un haz lser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos prcticos, se puede suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes de luz. Al incidir el haz lser en una zona reflectante, la luz ser guiada hasta un detector de luz: el sistema ha detectado un uno digital. Si el haz no es reflejado, al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha detectado un cero digital. Un conjunto de unos y ceros es una informacin digital, que puede ser convertida en informacin analgica en un convertidor digital-analgico. Pero esa es otra historia que debe de ser contada en otra ocasin.

SIMBOLOGA

Grfica Simbologa Tipos de Diodos

TRANSISTORES.
Antes de 1950 todo equipo electrnico utilizaba vlvulas al vaco, que son bulbos con un brillo tenue, que predominaban en la industria. El calefactor de una vlvula al vaco normal consuma un par de watts, por lo que el equipo requera una fuente de alimentacin voluminosa que generaba una cantidad considerable de calor, lo cual preocupaba sobremanera a los diseadores. El resultado era un equipo anticuado y pesado. En 1951 Shockley invent el primer transistor de unin, que fue todo un acontecimiento porque signific un gran cambio. El impacto del transistor en la electrnica ha sido enorme, pues adems de iniciar la industria multinllonaria de los semiconductores, ha sido el precursor de otros inventos como son los circuitos integrados, los dispositivos optoelectrnicos y los microprocesadores. Actualmente, casi todo equipo electrnico utiliza dispositivos semiconductores. Los cambios han sido ms notables en la industria de las computadoras. Un transistor puede considerarse formado por dos diodos semiconductores con una zona comn. En un transistor existen, por consiguiente, tres terminales. La zona comn se denomina base y las dos zonas exteriores en contacto con la base son el emisor y el colector. Para que el transistor funcione correctamente, la unin correspondiente al diodo emisor-base debe polarizarse en sentido directo, mientras que la unin correspondiente al colector-base ha de estar polarizada en sentido inverso. Si se conecta nicamente el circuito emisor-base, con dolarizacin directa, se establece una circulacin elctrica desde el emisor a la base a travs de la unin. Desconectando la alimentacin en el circuito emisor-base y comunicando el conector-base con dolarizacin en sentido inverso, la circulacin ser prcticamente ambas uniones emisor-base y colector-base,

se establecer una corriente entre el emisor y el colector. Dicha corriente esta determinada por la tensin positiva del emisor y la negativa del colector, siempre con relacin a la base. El factor de amplificacin de corriente de in transistor es la relacin entre la corriente de colector y la del emisor. La caracterstica del transistor en virtud de la cual, al vaciar la tensin del emisor, se pueden obtener variaciones en la corriente del colector, comporta que pueda comparrsele con una vlvula termoinica. El emisor, la base y el colector del transistor pueden identificarse con el ctodo, rejilla y nodo de trodo, respectivamente. Hay dos tipos de transistores:

ESTUDIO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

El transistor convencional o bipolar se denomina as porque en su funcionamiento intervienen corrientes de huecos, o de carga positiva, y de electrones, o de carga negativa. Otros dispositivos como los FET se denominan monopolares porque slo hay corrientes de un tipo. Los terminales del transistor reciben el nombre de emisor, colector y base. La base es el terminal que est unido a la zona intermedia del transistor. Las tres partes del transistor se diferencian por el distinto nivel de dopaje; la zona de menor dopaje es la base, a continuacin se encuentra el colector y por ltimo el emisor. Estudio de las corrientes El anlisis del transistor se realizar para una estructura NPN, y es anlogo para el PNP. Un transistor sin polarizar se comporta como dos diodos en contraposicin, y no existen corrientes notables circulantes por l. Si se polariza, aparecen tres corrientes distintas, la corriente de base, IB, corriente de emisor, IE, y por ltimo la corriente de colector, IC. En la figura siguiente estn dibujadas estas corrientes segn convenio, positivas hacia adentro:

Corriente en un transistor.

De estas tres corrientes, la del emisor es la ms grande, puesto que ste se comporta como fuente de electrones. La corriente de base es muy pequea, no suele llegar al 1% de la corriente de colector.

Aplicando la ley de Kirchhoff se tiene la siguiente relacin: IB + IC - IE = 0 ; IE = IB + IC Existen dos parmetros que relacionan las distintas corrientes, el coeficiente alfa para continua, a, y la ganancia de corriente beta, b. El factor Alfa. Es el cociente entre la intensidad de colector y la de emisor. Su valor nunca ser superior a la unidad y da idea de hasta qu punto son iguales estas corrientes. a = I C / IE El valor de a suele ser superior a 0,95, y en muchos casos es mayor de 0,99, por ello para mayor simplicidad

de clculos se suele tomar a = 1. El factor Beta. La ganancia de corriente b se define como el cociente entre la corriente de colector y la de base. b = IC / IB Para transistores de baja potencia b tiene valores entre 100 y 300. Relacin entre a y b. Partiendo de la ecuacin de las corrientes, IE = IB + IC, si se divide ambos trminos por IC, se tiene que: IE / IC = 1 + (IB / IC) teniendo en cuenta que IC / IB = b y IC / IE = a se tiene 1 / a = 1 + 1 / b despejando b de la ecuacin anterior: b = a / 1-a Configuraciones Dependiendo de cul sea el terminal comn a la entrada y a la salida del transistor, se distinguen tres tipos de configuraciones: Configuracin en base comn. La base constituye el terminal comn a la entrada y a la salida, se encuentra unida a masa. La ganancia en corriente de este circuito es la unidad, pero sin embargo la ganancia en tensin puede ser muy alta y, por lo tanto, tambin la ganancia en potencia. Esta configuracin presenta muy poca realimentacin entre la entrada y la salida, por lo que se emplea especialmente en circuitos de frecuencias altas o muy altas. Configuracin en emisor comn. El emisor est unido a tierra. La ganancia en corriente es alta (la Beta del transistor), la ganancia en tensin y en potencia (dependiente de la carga de colector) es igualmente alta. Es la configuracin ms utilizada.

Configuracin en colector comn. En este caso, el terminal que est conectado a masa es el colector. La entrada se aplica a la base, como en las configuraciones anteriores y la carga entre el emisor y masa. Esta configuracin tiene una ganancia en corriente de la beta del transistor, la ganancia en tensin es muy parecida, pero inferior a la unidad, y la ganancia en potencia es aproximadamente la beta del transistor. Esta configuracin se llama tambin seguidor de emisor; se emplea para aislar o adaptar impedancias, ya que el circuito de base ofrece a la seal una impedancia beta veces inferior a la que se encuentra en el emisor. Se conoce como seguidor de emisor porque la tensin en el emisor "sigue" a la de base.

Configuraciones bsicas de empleo de un transistor.

Curvas caractersticas Un transistor en rgimen esttico se encuentra, solamente, bajo la accin de las tensiones continuas que se le aplican para polarizarle. Una forma de resumir este funcionamiento es utilizar las curvas caractersticas del transistor, que relacionan las tensiones y las corrientes. Las tensiones y corrientes que se utilizan dependen de la configuracin del transistor, pero independientemente de sta, se distinguen dos tipos de curvas: la caracterstica de entrada y la caracterstica de salida. a) Caractersticas de entrada La caracterstica de entrada relaciona dos magnitudes de entrada con una de salida. En el caso de la configuracin en emisor comn se tiene la corriente de base en funcin de la tensin base-emisor, para distintos valores de tensin colector- emisor. La corriente de base y la tensin base-emisor son variables de entrada, mientras que la tensin colector-emisor es una magnitud de salida. Si se tiene una configuracin en base comn, su caracterstica de entrada relacionar la corriente del emisor con la tensin emisor-base, utilizando la tensin colector-base como parmetro. La corriente de emisor y la tensin emisor-base con las magnitudes de entrada. La figura muestra las diferentes caractersticas de entrada de dos transistores NPN de germanio y silicio respectivamente en funcin del voltaje base-emisor para dos valores del voltaje colector. emisor.

Caractersticas tpicas de transistores.

b) Caractersticas de salida La caracterstica de salida tiene dos de las tres magnitudes pertenecientes al circuito de salida. Las curvas que relacionan la corriente de colector, la de base y la tensin emisor-colector son caractersticas de salida en configuracin emisor-comn, mientras que las que relacionan la corriente de emisor, la de colector y la tensin colector-base son las curvas correspondientes a una configuracin en base comn.

Familia de curvas de corriente colector.

Zonas de funcionamiento Un transistor bipolar puede funcionar de tres formas diferentes dependiendo de la polarizacin que tengan las dos uniones, base-emisor y base-colector. Estas zonas se pueden observar en la familia de curvas caractersticas de salida de un transistor como se muestra en la figura. Zona de corte. Para un transistor de silicio, Vbe es inferior a 0,6 V ( para germanio 0,2 V), ambas uniones estn polarizadas en sentido inverso y las intensidades en los terminales se pueden considerar despreciables. En otras palabras, la tensin de base no es lo suficientemente alta para que circule corriente por la unin base emisor, por lo que la corriente de colector es igualmente despreciable. Zona activa. La unin base-emisor est polarizada en sentido directo ( Vbe > 0,6 V) y la unin colectora lo est en sentido inverso, la corriente inversa que circula en la unin de colector es beta veces la corriente que circula en sentido directo base emisor. Esta zona es muy importante, puesto que el transistor funciona en ella cuando se utiliza para amplificar seales. Zona de saturacin. Ambas uniones, emisora y colectora, estn polarizadas en sentido directo. La corriente base-emisor es muy grande, por lo que la corriente de colector lo es igualmente grande. Se dice que ha entrado en saturacin si el voltaje del colector es inferior a la tensin base-emisor. Limites de los transistores En la hoja de caractersticas de un transistor aparecen una serie de valores que deben ser respetados si no se quiere que el transistor se destruya o pierda sus propiedades. Aunque estas caractersticas estn comentadas para los transistores bipolares, las de los transistores unipolares son muy similares. Corriente mxima de colector Esta corriente viene limitada por la superficie de la unin y por los conductores que conectan los terminales del transistor con los terminales exteriores. En algunos componentes se especifican los valores que puede soportar un dispositivo de manera continua. Estos valores que estn condicionados por problemas trmicos pueden excederse durante tiempos muy cortos si exceder los valores promedio sin grandes contratiempos.

Mxima potencia disipada La potencia que puede disipar un transistor esta condicionada por la mxima temperatura que puede soportar la unin semiconductora colector-base, ya que como en todo diodo la corriente inversa crece con la temperatura. Para que la temperatura de esta unin no supere los valores permitidos, que suele estar hacia 125 C en el silicio y los 85 C en el germanio, debe proveerse de dispositivos que extraigan al exterior el calor generado en las uniones. Los pequeos transistores discretos de silicio que se utilizan en circuitera electrnica, tienen una superficie semiconductora de 1 o 2 mm2 y pueden llegar a disipar 0,25 W de calor sin que la temperatura de la unin supere los valores permitidos. Acoplando un pequeo radiador unido trmicamente a la carcasa del transistor puede llegarse hasta 1 W. Los transistores de media potencia (de 1 a 25 w) suelen ser de mayor tamao ( 4 a lo mm2 ) y disponen de tornillos para acoplarse trmicamente a radiadores. Los transistores de altas potencias (125 W y ms) tienen superficies de semiconductor del orden de 25 mm2, soldadas a gruesas lminas de cobre con tornillos para una robusta fijacin al radiador. El las caractersticas de los transistores de potencia se suele sealar una curva llamada rea segura de trabajo, una combinacin de voltaje y corriente colector emisor que en caso de superarse supone la destruccin del dispositivo. Tensin mxima Es la mxima tensin de polarizacin inversa que puede aplicarse al transistor. Este valor tiene que estar indicado para evitar que el transistor entre en la zona de ruptura, en la cual el dispositivo sera destruido por un exceso de tensin. Antes de que el transistor entre en la zona de ruptura, algunos transistores manifiestan un fenmeno singular conocido como avalancha. El transistor soporta sin grandes fugas una alta tensin mientras no circula corriente de base. Pero en el momento que comienza a circular una pequea corriente por la base el transistor entra en conduccin total. Si no existe limitacin el la corriente de colector el transistor es destruido. Por el contrario, este fenmeno con limitacin de corriente puede aprovecharse para obtener altos valores de corriente en generadores de pulsos para diodos lser y otras aplicaciones sofisticadas. Frecuencia de transicin (Ft) Es una caracterstica del comportamiento del transistor respecto a la frecuencia. La frecuencia de transicin tambin llamado producto de ganancia por ancho de banda, determina el punto al cual la ganancia en corriente del transistor para esa frecuencia (b f) es la unidad. En otras palabras la frecuencia hasta la cual puede obtenerse ganancia de potencia del transistor cuando se emplea como amplificador. Con este parmetro se especifica la capacidad del transistor para trabajar a altas frecuencias. Tiempo de conmutacin En circuitos lgicos o digitales, el transistor generalmente se encuentra en uno de dos estados, corte (no conduce) y saturacin (conduce totalmente). El paso de un estado a otro no es instantneo porque el transistor no es un dispositivo ideal, sino que requiere un tiempo. Cuanto menores son los tiempos para cambiar de estado, mas rpido es el transistor.

TRANSISTORES UNIPOLARES
El funcionamiento de los transistores bipolares expuesto anteriormente est basado en el movimiento de dos tipos de cargas, electrones y huecos, de ah el prefijo bi-; adems, las uniones PN se polarizan en sentido directo e inverso. Otro tipo de transistores muy importante son los unipolares que se basan en el movimiento de un solo tipo de cargas, electrones o huecos, por ello el prefijo uni-. En este tipo de transistor, las uniones PN se polarizan siempre en inverso. El funcionamiento de estos transistores es significativamente diferente a los bipolares. Los transistores unipolares se dividen en dos grupos, los transistores de unin de efecto de campo, JFET o FET, que a su vez se dividen en transistores de canal N y transistores de canal P, y los transistores metal-xido-semiconductor de efecto de campo o MOSFET. Dentro de este grupo se distinguen dos subgrupos, MOSFET de enriquecimiento y MOSFET de empobrecimiento, que se dividen al igual que los FET en canal N y canal P. La figura a continuacin muestra la simbologa para los diferentes tipos de transistores.

Smbolos de diferentes transistores de efecto de campo.

Transistores JFET Este transistor est formado por una pastilla de semiconductor tipo N, en la cual se difunden dos zonas de semiconductor tipo P. La difusin puede hacerse utilizando una sola cara, o bien, utilizando ambas. En la figura siguiente se observa la estructura esquemtica de este transistor. Si en lugar de utilizar una pastilla de semiconductor tipo N se utiliza una de P y se difunden dos zonas N, se obtiene un transistor FET de canal P.

Esquema de un transistor de efecto de campo.

Este transistor posee, al igual que el bipolar, 3 terminales, que se denominan fuente (source), drenaje (drain) y puerta (gate). Drenaje y fuente: Son los terminales que estn unidos a la pastilla de semiconductor (N o P). Los portadores mayoritarios salen por el drenaje y entran por la fuente. Se denominan por las letras D y S respectivamente. La conduccin entre estos dos terminales se comporta como la de una resistencia cuyo valor esta controlado por la tensin de puerta. Puerta: Se corresponde con las zonas difundidas. Se comporta como la de un diodo polarizado en inverso, por lo tanto presenta una alta resistencia de entrada y casi no circula corriente por ella. Si estn las dos unidas interiormente y se tiene accesible un solo terminal, se tiene un FET de una puerta, y si estn separadas, un transistor FET de dos puertas. La puerta se representa por la letra G del ingls gate. Los transistores FET tienen un comportamiento muy similar a las vlvulas de vaco; se suele decir que son dispositivos de transconductancia en los que la corriente esta controlada por la tensin de puerta. Los componentes discretos se emplean en etapas de entrada de amplificadores operacionales por su alta impedancia de entrada, linealidad y bajo ruido. Los dispositivos de potencia se usan ventajosamente para sustituir transistores convencionales en las etapas de potencia ya que son mas rpidos, mas robustos y carentes de fenmenos de embalamiento trmico. Se emplean en conmutacin de potencia debido a sus bajas resistencias internas de conduccin. Transistores MOSFET La construccin y estructura de estos dispositivos es muy similar al FET e igualmente sus electrodos se denominan puerta, drenaje y fuente. La diferencia se encuentra en que la puerta est aislada del canal mediante una capa de xido de silicio (SiO 2). Estos transistores reciben, tambin, el nombre de IGFET (del ingls insulated gate, puerta aislada). MOSFET de empobrecimiento. La estructura de este tipo de MOSFET est representada en la siguiente figura. En una pastilla de material N, se difunde una zona p denominada sustrato. En este caso se tiene un MOSFET canal P, si se hace a la inversa se obtendr un MOSFET canal N. Este tipo de transistor apenas se utiliza, pero su importancia radica en que fue el primer paso para el MOSFET de enriquecimiento, de gran importancia en electrnica digital y en los ordenadores.

Mosfet de empobrecimiento.

MOSFET de enriquecimiento. La diferencia con el transistor de empobrecimiento esta en que en la pastilla de semiconductor N se difunden dos zonas tipo P, para el transistor de canal P.

Corte esquemtico de un transistor Mosfet.

Los transistores MOSFET, se emplean ventajosamente en etapas amplificadoras y mezcladoras de radiofrecuencia. Dispositivos construidos con arseniuro de galio como material base se emplean en amplificadores de potencia en radiofrecuencia hasta frecuencias de ms de 35 Ghz. Los pares complementarios CMOS constituyen el elemento bsico de los circuitos integrados digitales de las familia lgica CMOS. Con esta tecnologa se fabrican actualmente la mayora de los circuitos digitales de los ordenadores personales. Transistor uniunin ste es dispositivo muy peculiar relativamente poco utilizado, porque slo encuentra aplicacin en los osciladores de relajacin. Consta de una barrita de material semiconductor tipo N (aunque este es el caso tpico puede darse la configuracin inversa) con dos terminales en sus extremos denominados base 1 y base 2. Aproximadamente en la mitad se realiza una unin de tipo P con otro terminal de salida denominado emisor. La barita semiconductora tiene pocos portadores y ofrece mucha resistencia al paso de la corriente mientras la unin est polarizada en sentido inverso lo que ocurre cuando el voltaje del emisor es inferior a 1/2 (Vb2-Vb1 0,65 V). Cuando el voltaje del emisor supera este umbral, intecta portadores hacia la base, con lo cual aumenta la conductividad de la barita y del diodo emisor-base1. Esta situacin se mantiene en tanto no se corte la corriente a travs de este diodo.

Circuitos con transistores Circuitos de polarizacin de transistores Para que un transistor funcione, bien en la zona de amplificacin, en la de corte o en la de saturacin, debe estar polarizado adecuadamente. Existen dos tipos de polarizacin, la de base y la de emisor. La polarizacin de base se utiliza en circuitos digitales, en los cuales el transistor trabaja en corte o en saturacin. La polarizacin de emisor se utiliza en circuitos amplificadores. Polarizacion de base La polarizacin de base se corresponde a un circuito como el de la figura 1 a). En este circuito se estn utilizando dos fuentes de alimentacin, pero usualmente slo se dispone de una, con lo que el circuito pasa a tomar la forma representada en la figura 1 b).

Fig 1. Polarizacin simplificada de un transistor.

Este tipo de polarizacin tiene el inconveniente de la fluctuacin del punto de funcionamiento, producido por la variacin de la ganancia. La figura n 2 muestra la caracterstica de salida de un transistor con polarizacin de base, en la cual se ha dibujado la recta de carga, en la cual estn situados todos los posibles puntos de funcionamiento del transistor. Para el clculo de la recta de carga, nicamente hay que considerar: - Punto de corte con el eje de ordenadas. Es precisamente la corriente de satuacin del transistor, para su calculo se debe de poner en cortocircuito los terminales colector-emisor y calcular la corriente que circula por el colector. Para los circuitos de las figura 1 este punto ser Isat = Vcc/Rc. - Punto de corte con el eje de abscisas. Se corresponde con la tensin de corte o mxima tensin colector-emisor que se puede alcanzar. Para su clculo, basta con abrir los terminales colector-emisor y calcular la tensin colector-emisor. Para el circuito considerado este valor es VCE(corte) = Vcc.

Fig. 2. Caracterstica de salida de un transistor.

Teniendo en cuenta todo lo anterior, a continuacin se estudia la variacin el punto de funcionamiento con la ganancia. Considrense, en primer lugar, que el circuito de la figura n 1 posee una ganancia b, para unas condiciones determinadas. El punto de funcionamiento Q vendr dado por una corriente de colector Ic =b .IB y por una tensin colector emisor, VCE = Vcc - Rc. b .IB, tal como se muestra en la figura n 2. Supngase ahora que, por efecto de la temperatura, la ganancia toma un valor b < b . En estas condiciones se tiene un nuevo punto de funcionamiento Q tal que Ic = b.IB y VCE= Vcc - Rc. b.IB, como Ic< Ic se tiene que VCE> VCE. La ganancia de un transistor vara a causa de las tolerancias de fabricacin, de la temperatura y de las condiciones de funcionamiento del propio transistor. Debido a esto en las hojas de caractersticas aparece un valor mximo y uno mnimo para la ganancia en corriente continua. Esto no es adecuado para la produccin en serie. Lo que se necesita es un circuito de polarizacin en el cual su punto de funcionamiento se puede predecir independientemente de los cambios de temperatura del transistor, etc. Este circuito es la polarizacin de emisor. Un circuito con transistores que tenga polarizacin de base tiene sus aplicaciones en los circuitos digitales y de conmutacin; o sea, en aquellos que no importa el valor exacto de la ganancia de corriente. Pero cuando se quieren amplificadores, es necesario un circuito de polarizacin que sea inmune a las variaciones de la ganancia de corriente. Porarizacin de emisor Este circuito tiene el aspecto bsico de la figura 3. Con este diseo el punto de funcionamiento no flucta con las variaciones de ganancia.

Fig 3. Estabilizacin con resistencia de emisor.

Si en esta caso se calcula los puntos de funcionamiento para dos ganancias diferentes, b y b, se ver que el punto de funcionamiento no varia. Punto de funcionamiento para ganancia b. Teniendo en cuenta que Ic es aproximadamente igual a IE, se tiene un valor para la corriente de emisor: IE = VBB/ RE, considerando el diodo del emisor como ideal. En caso de que se considere que caen en el emisor 0.7 v, el numerador de la expresin anterior valdra VBB - 0.7 La tensin colector-emisor viene dada por la expresin: VCE = Vcc - ICVBB- 0.7 - Punto de funcionamiento para ganancia b. Como para este circuito IE es constante, para este nuevo valor de ganancia, se tiene el mismo valor de corriente de emisor, luego el punto de funcionamiento permanece constante. Aunque se considere que IC = (B / B + 1) IE se puede demostrar que el punto de funcionamiento permanece practicamente constante para grandes variaciones de b. Polarizacin con divisor de tensin En ocasiones, la tensin de la fuente de alimentacin es demasiado elevada para aplicarla directamente en la base del transistor. Como disear otra fuente es demasiado costoso se recorre a la utilizacin de un divisor de tensin. Lo que se hace es intercalar resistencias para reducir el nivel de tensin. El circuito de la figura 4 muestra un circuito de polarizacin de emisor por divisin de tensin. Se puede observar, que la tensin que se aplica en este caso entre base y masa es la que cae en la resistencia R2. En este circuito con Vcc, R1, R2 y Rc se controla la corriente de saturacin y la tensin de corte. Una vez elegidos estos valores, se elige la resistencia del emisor para situar el punto de funcionamiento Q a lo largo de cualquier punto de la recta.

Fig 4. Polarizacin con divisor de tensin.

Circuitos amplificadores Cuando un transistor se ha polarizado con un punto de funcionamiento prximo al punto medio de la recta de carga, y se aplica una pequea seal alterna a la base del transistor, en el colector se tiene la misma seal que en la base, pero de con una amplitud mayor. Antes de pasar a ver el funcionamiento bsico de un circuito amplificador, conviene tener claros los conceptos de condensador de acoplo y desacoplo que se exponen a continuacin. Acoplo por condensadores La oposicin que presenta un condensador al paso de la corriente depende de su frecuencia. Esto se puede justificar porque: iX = 1 / (2pfC) y como se observa en la expresin a mayor frecuencia menor Xc. Segn esto, un condensador a altas frecuencias se comporta como un cortocircuito y a bajas como un circuito abierto, si se considera alta frecuencia a un valor 10 superior a la frecuencia de corte. Condensador de acoplo. Un condensador de acoplo transmite una seal de alterna de un nudo a otro del circuito. La figura 5 muestra un condensador de acoplo. El condensador debe comportarse como un cortocircuito para alterna, a la frecuencia ms baja que pueda tener el generador, es decir, si se tiene un generador que varia entre 100 Hz y 10 KHz, el condensador tiene que ser un cortocircuito para la frecuencia de 100 Hz.

Fig. 5. Condensador de acoplo.

Condensador de desacoplo. La figura 6 representa un condensador de desacoplo. Lo que se consigue con este montaje es que la corriente alterna no pase por la resistencia. Como el condensador es un cortocircuito para altas frecuencias la corriente alterna fluye por l y se deriva a tierra.

Fig. n 6. Condensador de desacoplo

Circuito en emisor comn La figura 7 representa un amplificador en emisor comn. En este circuito, la tensin colectoremisor es la misma que Vg, pero de mayor amplitud. Hay que tener claro que en este circuito hay dos tipos de tensin, continua y alterna. El circuito tiene un comportamiento diferente para cada una de ellas. Para continua, todos los condensadores son circuitos abiertos, y para alterna, todos son cortocircuitos. La fuente de seal Vg est aplicada a la base del transistor atravs del condensador C1. En el emisor se tiene una seal igual a la de la base y en fase con ella. La corriente de seal que circula por el colector, se puede considerar igual a la del emisor. Cuando esta corriente circula por Rc, produce una seal en el colector. Esta seal amplificada est desfasada 180 con respecto a la tensin de entrada. Se define como ganancia de tensin de un amplificador al cociente entre la tensin de salida y la de entrada.

Fig 7. Circuito en emisor comn.