Examen d’Electronique de Puissance – A2ES. (1h – Pas de documents).

QCM de cours.
Pour chaque question, entourer la ou les bonnes réponses. Attention : une bonne réponse rapporte
des points. Une mauvaise réponse en fait perdre. Pas de réponse = 0 point.

1 : On a le récepteur suivant, alimenté par une tension 𝑣(𝑡) = 𝑉𝑒𝑓𝑓 . √2. cos⁡(𝜔. 𝑡) et un courant
𝑖(𝑡) = 𝐼𝑒𝑓𝑓 . √2. cos⁡(𝜔. 𝑡 − Φ). On note T la période de v(t) et i(t), P la puissance active, Q la
puissance réactive et S la puissance apparente reçues par le récepteur.
Alors : a)
P+Q=S b)
1 𝑇
𝑃 = ∙ ∫0 𝑣(𝑡). 𝑖(𝑡) . 𝑑𝑡
𝑇
c) S=Veff.Ieff
d) P=Veff.Ieff.sin(φ) e)
S²=P²+Q²
f) P=Veff.Ieff.cos(φ)

2 : Une structure en pont en H à 4 interrupteurs supposés idéaux permet (en choisissant une
commande, une source et une charge adaptées) :
a) De réaliser un redresseur.
b) De réaliser un onduleur monophasé.
c) De réaliser un hacheur abaisseur (buck en anglais).
d) De réaliser un convertisseur continu-continu pouvant travailler dans les quatre quadrants

3 : Est-il nécessaire d’utiliser une commande MLI (Modulation de Largeur d’Impulsion) pour réaliser
un onduleur ?
a) Oui
b) Non.

4 : Il est possible de mettre OFF (=bloquer) un thyristor à n’importe quel instant via sa commande de
gâchette.
a) Vrai
b) Faux.

5 : Une diode réelle…

a) A un vD<0 quand iD>0
b) Entre en avalanche (ou claquage) si l’on applique une tension v D trop
négative.
c) A une puissance moyenne dissipée par conduction données par la formule :

d) Commute instantanément.
e) Conduit un courant iD<0 pendant une courte durée après une mise OFF.
7 : Si dans un montage on observe que la variation de tension aux bornes d’un thyristor est trop
rapide, quel circuit peut-on ajouter pour la freiner efficacement.
a) Un snubber RC en parallèle avec le thyristor.
b) Un snubber RC en série avec le thyristor.

8 : Dans une commutation sur charge purement résistive :

a) Le courant et la tension du transistor varient l’un après l’autre.
b) Le courant et la tension du transistor varient en même temps.

9 : Quand il est ON (=fermé), un transistor bipolaire est :

a) Unidirectionnel en courant d’émetteur iE.
b) Bidirectionnel en courant d’émetteur iE.

10) Le MOSFET associé au symbole suivant est : a)

Un MOSFET à enrichissement à canal N. b)
ON quand VGS>VGSth avec VGSth la tension de seuil du MOSFET. c)
Un MOSFET à enrichissement à canal P. d)
Un MOSFET à appauvrissement à canal N.

11) Un IGBT
a) Peut conduire un courant dans les deux directions (C vers E et E vers C) quand il est ON.
b) Est commandable à la mise ON (fermeture) et à la mise OFF (ouverture).
c) Dissipe des pertes uniquement par conduction (car les pertes par commutation sont négligeables
pour ce type de composant).
d) Est un composant principalement destiné aux applications haute tension (plusieurs centaines de V
à plusieurs kV).

Questions de cours et applications.

1) Comment appelle-t-on un convertisseur qui transforme une tension continue en une tension
alternative ?
Un onduleur.

2) Nommer les trois bornes d’un transistor MOSFET (noms complets, pas seulement les lettres).
G : grille ; D : drain ; S : source.

3) Calculer la moyenne du courant i(t) périodique de période T suivant (donner les étapes du calcul):
 𝑇
1
〈𝑖(𝑡)〉 = ∙ ∫ 𝑖(𝑡). 𝑑𝑡
𝑇
0

𝑇
1
〈𝑖(𝑡)〉 = ∙ ∫ 𝑖(𝑡). 𝑑𝑡
𝑇
⏟
𝐷.𝑇
𝑎𝑖𝑟𝑒⁡𝑠𝑜𝑢𝑠⁡𝑙𝑒⁡𝑡𝑟𝑖𝑎𝑛𝑔𝑙𝑒

1 1 (1 − 𝐷). 𝐼𝑚𝑎𝑥
〈𝑖(𝑡)〉 = ∙ ∙ (𝑇 − 𝐷. 𝑇). 𝐼𝑚𝑎𝑥 =
𝑇 2 2

5) Calculer la valeur efficace veff de la tension v(t) périodique de période T suivante :

𝑇
1
〈𝑣(𝑡)〉 = √ ∙ ∫ 𝑣²(𝑡). 𝑑𝑡
𝑇
0

𝑇
1
〈𝑣(𝑡)〉 = √ ∙ ∫ 𝑣²(𝑡). 𝑑𝑡
𝑇
𝐷.𝑇

𝑇
1
〈𝑣(𝑡)〉 = √ ∙ ∫ 𝑉0 ². 𝑑𝑡
𝑇
𝐷.𝑇

𝑇
𝑉0 ² 𝑉0 ² 𝑉0 ²
〈𝑣(𝑡)〉 = √ ∙ ∫ 1. 𝑑𝑡 = √ ∙ [𝑡]𝑇𝐷.𝑇 = √ ∙ (𝑇 − 𝐷. 𝑇)
𝑇 𝑇 𝑇
𝐷.𝑇

〈𝑣(𝑡)〉 = √(1 − 𝐷). 𝑉0

Autre manière :
 𝑇
1 1
〈𝑣(𝑡)〉 = ∙ ∫ 𝑣 2(𝑡) . 𝑑𝑡 = √ ∙ (𝑇 − 𝐷. 𝑇) ∙ 𝑉0 2 = √(1 − 𝐷). 𝑉0
√𝑇 𝑇
⏟
𝐷.𝑇
𝑎𝑖𝑟𝑒⁡𝑠𝑜𝑢𝑠⁡𝑙𝑒⁡𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎𝑛𝑔𝑙𝑒⁡𝑑𝑒⁡𝑣 2

6) - Donner la formule (celle avec cosinus et sinus, en notant Ak (k≥1) les coefficients des termes en
cosinus et Bk les coefficients des termes en sinus) de la décomposition en série de Fourier d’un signal
f(t) périodique de période T, supposé décomposable en série de Fourier.
- Donner aussi les formules des coefficients A0, Ak (pour k≥1) et Bk (k≥1).

+∞

𝑓(𝑡) = 𝐴0 + ∑[𝐴𝑘 . 𝑐𝑜𝑠(𝑘. 𝜔. 𝑡)

𝑘=1

𝜏+𝑇
+ 𝐵𝑘 . 𝑠𝑖𝑛(𝑘. 𝜔. 𝑡)]
1
𝐴0 = ∙ ∫ 𝑓(𝑡). 𝑑𝑡; ⁡𝜏 ∈ 𝑅
𝑇
𝜏

𝜏+𝑇
2
𝐴𝑘 = ∙ ∫ 𝑓(𝑡). cos(𝑘. 𝜔𝑡) . 𝑑𝑡⁡𝑝𝑜𝑢𝑟⁡𝑘
𝑇 𝜏
∈ 𝑁∗
𝜏+𝑇
2
𝐵𝑘 = ∙ ∫ 𝑦(𝑡). sin⁡(𝑘. 𝜔. 𝑡). 𝑑𝑡⁡𝑝𝑜𝑢𝑟⁡𝑘
𝑇 𝜏
∈ 𝑁∗
8) a) Calculer l’énergie Eoff dissipée lors d’une mise OFF du MOSFET ci-dessous (donner les étapes du
calcul littéral, puis faire l’application numérique). On supposera que vDS≈0 V avant la montée de la
tension et iD≈0 A après la chute du courant.

En plaçant le t=0 au début de la montée de vDS, on a :

 𝑡𝑟𝑣 +𝑡𝑓

𝐸𝑜𝑓𝑓 = ∫ 𝑣𝐷𝑆 . 𝑖𝐷 . 𝑑𝑡
0

𝑡𝑟𝑣 𝑡𝑟𝑣 +𝑡𝑓

𝐸𝑜𝑓𝑓 = ∫ 𝑣𝐷𝑆 . 𝑖𝐷 . 𝑑𝑡 + ∫ 𝑣𝐷𝑆 . 𝑖𝐷 . 𝑑𝑡

0 𝑡𝑟𝑣

𝑡𝑟𝑣 𝑡𝑟𝑣 +𝑡𝑓 𝑡𝑟𝑣 𝑡𝑟𝑣 +𝑡𝑓

𝐸𝑜𝑓𝑓 = ∫ 𝑣𝐷𝑆 . 𝐼0 . 𝑑𝑡 + ∫ 𝑈. 𝑖𝐷 . 𝑑𝑡 = 𝐼0 . ∫ 𝑣𝐷𝑆 . 𝑑𝑡 + 𝑈. ∫ 𝑖𝐷 . 𝑑𝑡

0 𝑡𝑟𝑣 ⏟
0 ⏟𝑡𝑟𝑣
𝑎𝑖𝑟𝑒⁡𝑠𝑜𝑢𝑠⁡𝑙𝑒⁡ 𝑎𝑖𝑟𝑒⁡𝑠𝑜𝑢𝑠⁡𝑙𝑒⁡
𝑡𝑟𝑖𝑎𝑛𝑔𝑙𝑒⁡𝑑𝑒⁡𝑣𝐷𝑆 𝑡𝑟𝑖𝑎𝑛𝑔𝑙𝑒⁡𝑑𝑒⁡𝑖𝐷

𝑡𝑟𝑣 . 𝑈 𝑡𝑓 . 𝐼0
𝐸𝑜𝑓𝑓 = 𝐼0 . + 𝑈.
2 2

𝑼. 𝑰𝟎 . (𝒕𝒇 + 𝒕𝒓𝒗 )
𝑬𝒐𝒇𝒇 =
𝟐
50 ∗ 40 ∗ (30 + 20) ∗ 10−9
𝐸𝑜𝑓𝑓 = ≈ 50⁡µ𝐽
2

8)b) La commutation précédente est-elle douce ou dure (justifier)?

Le courant et la tension sont simultanément non nuls lors de la commutation donc la commutation
est dure.

8)c) La commutation précédente se fait-elle sur charge de type inductive ou résistive (justifier) ?

Les variations du courant et de la tension se font l’une après l’autre donc c’est une commutation sur
charge inductive.

8)d) On suppose que l’énergie dissipée lors d’une mise ON est Eon=40 µJ et que le MOSFET travaille
en découpage à la fréquence de découpage f=100kHz.
Exprimer littéralement les pertes par commutation Pcom dans le MOSFET en fonction de Eon, Eoff et f,
puis calculer numériquement Pcom.

𝑃𝑐𝑜𝑚 = (𝐸𝑜𝑛 + 𝐸𝑜𝑓𝑓 ). 𝑓 = (40 + 50) ∗ 10−6 ∗ 100 ∗ 103 = 9𝑊

8)e) Soit RDSon =10mΩ la résistance à l’état ON du MOSFET. On suppose qu’après calcul on trouve que
le courant efficace dans le MOSFET est IDeff =20 A.
Exprimer littéralement les pertes en conduction Pcond du MOSFET, puis faire l’application numérique.

𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑 = 𝑅𝐷𝑆𝑜𝑛 . 𝑖𝐷𝑒𝑓𝑓 2 = 10. 10−3 . 202 = 4𝑊

8)f) Calculer littéralement en fonction de Pcom et Pcond les pertes totales Ptot dans le MOSFET, puis faire
l’application numérique.
𝑃𝑡𝑜𝑡 = 𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑 + 𝑃𝑐𝑜𝑚 = 9 + 4 ≈ 13𝑊

10) Que signifient les initiales « SOA » ?

SOA = Safe Operating Area

11)a) Quel est le composant ci-dessous ?

IGBT
b) Nommer les trois bornes (noms complets, pas seulement les lettres).

G : grille ; C : collecteur ; E : émetteur.

c) Dessiner ses capacités parasites.