MECANISMO DE CONDUCCION DE LOS SEMICONDUCTORES Los semiconductores son el silicio (Si) y el germanio (Ge) que son elementos ubicados

en el grupo IV del sistema periodico. MATERIAL INTRINSECO Se le llama as al cristal del semiconductor que es qumicamente puro, y que adems no presenta defectos en su red cristalina. A 0k no existen portadores de carga libres, y el semiconductor se comporta como un aislante, pero al incrementarse la temperatura empiezan a generar pares electrn - hueco. Estos pares electrn - hueco se generan al romperse los enlaces entre los tomos. Igualmente puede ocurrir aniquilaciones de pares electrn hueco cuando un electrn de la banda de conduccin hace una transicin a la banda de valencia y ocupa un estado vaco (hueco), este proceso es denominado recombinacin. En la siguiente figura se muestra lo descrito anteriormente con un modelo de covalente para el silicio:

enlace

EL SEMICONDUCTOR INTRNSECO

En una muestra semiconductora de este tipo existen tanto electrones como huecos.

El incremento de temperatura hace que se rompan los enlaces y que los electrones vaguen libremente por toda la red cristalina.

MOVIMIENTO TRMICO

EFECTO DE UN CAMPO ELCTRICO EXTERNO MECANISMO DE CONDUCCIN INTRNSECA Al aplicarle a la una muestra semiconductora una excitacin externa, se logra un flujo ordenado de los electrones y de los huecos. Son los electrones libres los que realmente se mueven, pero el sentido de la corriente elctrica, por convenio, se toma sentido contrario.

EL SEMICONDUCTOR INTRNSECO BAJO LA INFLUENCIA DE UN CAMPO EXTERNO

MECANISMO DE CONDUCCION EXTRNSECA El semiconductor extrnseco se obtiene de mezclarlo con elementos del grupo IIIA o VA del sistema peridico. A este proceso se le denomina dopaje del semiconductor extrnseco. EL DOPAJE CON ELEMENTOS DEL GRUPO IIIA DEL SISTEMA PERIDICO se hace regularmente con aluminio (Al), con galio (Ga) o con indio (In). Estas impurezas aportan tres electrones para lograr los enlaces, por eso se denominan aceptores. Los semiconductores dopados con estos elementos reciben el nombre de " Material tipo p " y en ellos existen ms huecos que electrones.

Al establecer un campo elctrico en una muestra de este tipo, son los huecos los que funcionan como puente para los electrones que se desplazan de la regin de menor potencial a la de mayor potencial dando origen a la corriente elctrica.

EL DOPAJE CON ELEMENTOS DEL GRUPO VA DEL SISTEMA PERIDICO se hace regularmente con fsforo (P), con antimonio (Sb) o con arsnico (As). Estas impurezas aportan cuatro electrones para formar los enlaces, por eso se denominan dadores. Los semiconductores dopados con estos elementos reciben el nombre de " Material tipo n " y en ellos existen ms electrones que huecos. Los materiales de este tipo se comportan como los metales, pues requieren de poca energa para conducir corrientes elctricas, esto se debe al exceso de electrones provocado por las impurezas.

Semiconductores contaminados Generalmente a estos se le introducen tomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra caracterstica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando sta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes.

Hay dos tipos de impurezas: una que produce un exceso de portadores de cargas negativas y la otra un exceso de huecos o portadores de cargas positivas. SEMICONDUCTOR TIPO n: Para obtener electrones adicionales en la banda de conduccin se agregan tomos pentavalentes, que tienen 5 electrones en la orbita de valencia. Despus de agregar los tomos pentavalentes al cristal puro de silicio, los tomos de este continan siendo casi los mismos pero ahora se tiene un tomo pentavalente entre 4 vecinos. El tomo pentavalente tiene originalmente 5 electrones en su orbita de valencia,

por lo que, despus de formar enlaces covalentes con sus vecinos, este tomo central tiene un electrn extra que no interviene en el enlace. Como la orbita de valencia no puede tener a mas de 8 electrones, el electrn adicional debe desplazarse a la orbita de la banda de conduccin. Si se agrega una pequea cantidad de arsnico o fsforo al silicio, existir en el material un ligero exceso de cargas negativas. Esto se debe a que estas sustancias tienen 5 electrones en su orbita externa. El quinto electrn (carga negativa) no puede unirse con ningn tomo y queda flotando como un electrn libre o portador potencial de la corriente. Este nuevo material obtenido es conocido como un semiconductor tipo N, porque tiene un exceso de cargas negativas. SEMICONDUCTOR TIPO p: Cmo puede contaminarse un cristal pata tener huecos en exceso? Usando impurezas trivalentes (las que tienen solo tres electrones en su orbita externa). Despus de agregar la impureza, se logra que cada tomo trivalente se encuentre entre cuatro vecinos. Como cada tomo trivalente aporta solo tres electrones de su orbita de valencia, nicamente siete electrones se movern en esta orbita. En otras palabras, aparece un hueco en cada uno de estos tomos. Al controlar la cantidad de impurezas que se agregan, se puede controlar tambin l numero de huecos presentes en el cristal contaminado. Un semiconductor contaminado con impurezas trivalentes se conoce como semiconductor tipo p, en donde p significa positivo. Cuando se agrega al silicio, boro o galio, habr una pequea deficiencia de cargas negativas. Como resultado habr huecos en el semiconductor. El hueco puede ser tomado como un lugar cargado positivamente o portador de carga positiva. El material resultante es conocido como un semiconductor de material tipo p. Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en su aspecto fsico, impurezas, uso de electrodos, que tienen caractersticas elctricas particulares usados para una aplicacin especial en un circuito. El funcionamiento de estos diodos es fundamentado por principios de la mecnica cuntica y teora de bandas. Los diodos normales, los cuales operan como se describa ms arriba, se hacen generalmente de silicio dopado o germanio. Antes del desarrollo de estos diodos rectificadores de silicio, se usaba el xido cuproso y el selenio: su baja eficiencia le dio una cada de tensin muy alta (desde 1,4 a 1,7V) y requeran de una gran disipacin de calor mucho ms grande que un diodo de silicio. La gran mayora de los diodos pn se encuentran en circuitos integrados CMOS, que incluyen dos diodos por pin y muchos otros diodos internos.

Diodo avalancha: Diodos que conducen en direccin contraria cuando el voltaje en inverso supera el voltaje de ruptura. Electricmente son similares a los diodos Zener, pero funciona bajo otro fenmeno, el efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo elctrico inverso que atraviesa la unin p-n produce una onda de ionizacin, similar a una avalancha, produciendo una corriente. Los diodos avalancha estn diseados para operar en un voltaje inverso definido sin que se destruya. La diferencia entre el diodo avalancha (el cual tiene un voltaje de reversa de aproximadamente 6.2V) y el diodo zener es que el ancho del canal del primero excede la "libre asociacin" de los electrones, por lo que se producen colisiones entre ellos en el camino. La nica diferencia prctica es que los dos tienen coeficientes de temperatura de polaridades opuestas. Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo cristal consiste de un cable de metal afilado presionado contra un cristal semiconductor, generalmente galena o de una parte de carbn. El cable forma el nodo y el cristal forma el ctodo. Los diodos de cristal tienen una gran aplicacin en los radio a galena. Los diodos de cristal estn obsoletos, pero puede conseguirse todava de algunos fabricantes. Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su compuerta conectada a la fuente, y funciona como un limitador de corriente de dos terminales anlogo al diodo Zener, el cual limita el voltaje. Ellos permiten una corriente a travs de ellos para alcanzar un valor adecuado y as estabilizarse en un valor especfico. Tambin suele llamarse CLDs (por sus siglas en ingls) o diodo regulador de corriente. Diodo tnel o Esaki: Tienen una regin de operacin que produce una resistencia negativa debido al efecto tnel, permitiendo amplificar seales y circuitos muy simples que poseen dos estados. Debido a la alta concentracin de carga, los diodos tnel son muy rpidos, pueden usarse en temperaturas muy bajas, campos magnticos de gran magnitud y en entornos con radiacin alta. Por estas propiedades, suelen usarse en viajes espaciales. Diodo Gunn: Similar al diodo tnel son construidos de materiales como GaAs o InP que produce una resistencia negativa. Bajo condiciones apropiadas, las formas de dominio del dipolo y propagacin a travs del diodo, permitiendo osciladores de ondas microondas de alta frecuencia. Diodo emisor de luz: En un diodo formado de un semiconductor con huecos en su banda de energa, tal como arseniuro de galio, los portadores de carga que cruzan la unin emiten fotones cuando se recombinan con los portadores mayoritarios en el otro lado. Dependiendo del material, la longitud de onda que se pueden producir vara desde el infrarrojo hasta longitudes de onda cercanas al ultravioleta. El potencial que admiten estos diodos dependen de la longitud de onda que ellos emiten: 2.1V corresponde al rojo, 4.0V al violeta. Los primeros LEDs fueron rojos y amarillos. Los LEDs blancos son en realidad combinaciones de tres LEDs de diferente color o un LED azul revestido con un centelleador amarillo. Los LEDs tambin pueden usarse como fotodiodos de baja eficiencia en aplicaciones de seales. Un LED puede usarse con un fotodiodo o fototransistor para formar un optoacoplador.

Diodo lser: Cuando la estructura de un LED se introduce en una cavidad resonante formada al pulir las caras de los extremos, se puede formar un lser. Los diodos lser se usan frecuentemente en dispositivos de almacenamiento pticos y para la comunicacin ptica de alta velocidad. Diodo trmico: Este trmino tambin se usa para los diodos convencionales usados para monitorear la temperatura a la variacin de voltaje con la temperatura, y para refrigeradores termoelctricos para la refrigeracin termoelctrica. Los refrigeradores termoelctricos se hacen de semiconductores, aunque ellos no tienen ninguna unin de rectificacin, aprovechan el comportamiento distinto de portadores de carga de los semiconductores tipo P y N para transportar el calor. Fotodiodos: Todos los semiconductores estn sujetos a portadores de carga pticos. Generalmente es un efecto no deseado, por lo que muchos de los semiconductores estn empacados en materiales que bloquean el paso de la luz. Los fotodiodos tienen la funcin de ser sensibles a la luz (fotocelda), por lo que estn empacados en materiales que permiten el paso de la luz y son por lo general PIN (tipo de diodo ms sensible a la luz). Un fotodiodo puede usarse en celdas solares, en fotometra o en comunicacin ptica. Varios fotodiodos pueden empacarse en un dispositivo como un arreglo lineal o como un arreglo de dos dimensiones. Estos arreglos no deben confundirse con los dispositivos de carga acoplada. Diodo con puntas de contacto: Funcionan igual que los diodos semiconductores de unin mencionados anteriormente aunque su construccin es ms simple. Se fabrica una seccin de semiconductor tipo n, y se hace un conductor de punta aguda con un metal del grupo 3 de manera que haga contacto con el semiconductor. Algo del metal migra hacia el semiconductor para hacer una pequea regin de tipo p cerca del contacto. El muy usado 1N34 (de fabricacin alemana) an se usa en receptores de radio como un detector y ocasionalmente en dispositivos analgicos especializados. Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una seccin central sin doparse o en otras palabras una capa intrnseca formando una estructura p-intrinseca-n. Son usados como interruptores de alta frecuencia y atenuadores. Tambin son usados como detectores de radiacin ionizante de gran volumen y como fotodetectores. Los diodos PIN tambin se usan en la electrnica de potencia y su capa central puede soportar altos voltajes. Adems, la estructura del PIN puede encontrarse en dispositivos semiconductores de potencia, tales como IGBTs, MOSFETs de potencia y tiristores. Diodo Schottky: El diodo Schottky estn construidos de un metal a un contacto de semiconductor. Tiene una tensin de ruptura mucho menor que los diodos pn. Su tensin de ruptura en corrientes de 1mA est en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual los hace tiles en aplicaciones de fijacin y prevencin de saturacin en un transistor. Tambin se pueden usar como rectificadores con bajas prdidas aunque su corriente de fuga es mucho ms alta que la de otros diodos. Los diodos Schottky son portadores de carga mayoritarios por lo que no sufren de problemas de almacenamiento de los portadores de carga minoritarios que

ralentizan la mayora de los dems diodos (por lo que este tipo de diodos tiene una recuperacin inversa ms rpida que los diodos de unin pn. Tienden a tener una capacitancia de unin mucho ms baja que los diodos pn que funcionan como interruptores veloces y se usan para circuitos de alta velocidad como fuentes conmutadas, mezclador de frecuencias y detectores.

Curva caracterstica del diodo

Curva caracterstica del diodo.

Tensin umbral, de codo o de partida (V ). La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente mxima (Imax ). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is ). Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.

Corriente superficial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.

Tensin de ruptura (Vr ). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.

Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:

Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V.

Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por ambos efectos.