Introduccion A La Electronic A - Book

Capítulo 1
INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA.
El contenido actual de la Electrónica es muy amplio. Parte de la Física de estado sólido y la
Microelectrónica, pasa por los Dispositivos y Circuitos básicos, y se extiende en el amplio campo de
las aplicaciones de los grandes sistemas electrónicos de comunicación, instrumentación, potencia y
control. Todo ello actuando conjuntamente con la Automática y la Informática en un todo en el que a
veces es difícil separar fronteras.
1.1 Contenido de la electrónica

Si desglosamos la Electrónica podríamos llegar a la tabla siguiente.
Bases Física de Estado Tª de Circuitos Tª de Señales Tª de

Sólido Autómatas
!
Dispositivos Bipolares MOS
electrónicos
!
Áreas Electrónica Electrónica de Electrónica
analógica potencia digital
Diseño y utilización Diseño y utilización Funciones básicas
de las funciones de las funciones en tecnología
básicas en tecnología básicas en integrada
discreta e integrada tecnología discreta
Funciones del 1, 2, 3 1, 4 5
área
Tabla 1.1. Contenido de la electrónica.
1.2 Funciones básicas de la electrónica.

El conjunto de funciones que realiza la electrónica y que se indicó numéricamente en la tabla
anterior se puede organizar de la siguiente manera:
2 Electrónica analógica  Martinez Bernia y Asoc.
1. Amplificación. Permite obtener, a partir de una señal eléctrica otra señal, rigurosamente idéntica
pero de nivel energético más elevado. Como por ejemplo recuérdese el caso de un micrófono o un
sensor de temperatura, que producen señales eléctricas tan débiles que es preciso aumentar.
2. Generación y conformación de señales. Contempla la producción de señales tan diversas como:
cuadradas, triangulares, sinusoidales o dientes de sierra en todo un amplio espectro de frecuencias.
Además se incluye aquí la modulación y demodulación de señales, funciones esenciales para la
transmisión de información.
3. Acondicionamiento y conversión de datos. Contempla funciones tales como el filtrado (dónde
es posible moldear a voluntad el contenido armónico de una señal), las funciones exponenciales y
logarítmicas (base de la electrónica no lineal y por lo tanto de la regulación y el control analógico).
Así como las funciones de conversión de señales analógicas en digitales y viceversa.
4. Conmutación. Se efectúa mediante dispositivos que presentan dos estados estables de
funcionamiento: un estado de bloqueo en el que no permite el paso de tensión o de corriente y
otro estado conductor (o de saturación en algunos casos) en el que permite el paso. Esta función
será la base de la lógica conbinacional en electrónica digital y hablaremos de paso o no de
información. Peor cuando nos situemos en el ámbito de la electrónica de potencia se hablará de
transmisión o no de energía eléctrica. Camino que nos llevará a los sistemas electrónicos de
alimentación, conocidos habitualmente como fuentes de alimentación.
5. Procesamiento aritmético-lógico. Basa su carácter distintivo en la naturaleza binaria de las
variables que maneja. Partiendo del álgebra de Boole y de la teoría de autómatas finitos, desarrolla
las funciones de cálculo básicas: suma, resta, multiplicación y división. Para ello se han construido
toda una serie de elementos o células como son: memorias, contadores, registros o unidades
aritmético-lógicas.
En la actualidad se puede afirmar que para cada función que realiza la electrónica analógica
existe su contrapartida digital, mediante la utilización de un programa que trabaja en un
microprocesador. Así el procesamiento digital de señales analógicas se ha impuesto.
Acondicion. y Procesamiento
Sensores
Conversión A/D (algoritmos)
Mundo
Analógico
Acondicion. y Acondicion. y
Conversión A/D Conversión A/D
Figura 1-1. Flujo generalizado del tratamiento electrónico de la información.
1.3 Clasificación de los semiconductores.

La era moderna de la electrónica de potencia comienza cuando 1956 cuando el Laboratorio
Bell desarrolla el tiristor o rectificador controlado de silicio, que se comercializó en 1958 por la General
Electric. Poco a poco los tubos de vacío fueron sustituidos por semiconductores, de forma que los
equipos redujeron su tamaño y aumentaron su vida media notablemente. Desde entonces la electrónica
de potencia ha seguido una evolución dinámica durante las tres últimas décadas en las siguientes
direcciones: dispositivos semiconductores de potencia, topologías de los convertidores, simulación y análisis, técnicas de
control y estimación, y hardware y software de control. Sin embargo, históricamente, la evolución de los
convertidores ha seguido a la de los dispositivos de potencia, (aunque es verdad que algunas topologías
existen desde la era del tubo de vacío). Las investigaciones en Física del estado sólido y las técnicas de
integración VLSI en la fabricación de los semiconductores de potencia han hecho que se acerquen
cada vez más al interruptor ideal. Tal dispositivo debe ser capaz de soportar gradientes de tensión y
corriente elevados, con pérdidas en conducción y corriente de pérdidas en bloqueo nulas, excelentes
características térmicas, un tiempo medio entre fallos elevado y pasar del bloqueo a la conducción de
 Martinez Bernia y Asoc. Capítulo 1. Introducción a la Electrónica. 3
modo instantáneo. Este semiconductor ideal nunca se alcanzará, pero insistimos en que todos los
avances que se producen desde las primeras etapas de la electrónica de potencia hacen que se consigan
dispositivos con características cada vez más parecidas a las del semiconductor ideal.
Los dispositivos electrónicos de conmutación de potencia son esenciales y sus propiedades se
ven reflejadas en las características del equipo. El conmutador ideal debería ser una impedancia
totalmente controlable de rango infinito en ambas direcciones en tensión y corriente. Los dispositivos
prácticos son limitados y están restringidos a una combinación de las siguientes capacidades:
unidireccional o bidireccional en corriente., unidireccional o bidireccional en tensión, encendido
controlado o sin control, apagado controlado o sin control.
Los diodos, por ejemplo están limitados a una corriente y una tensión unidireccional. Los
tiristores pueden soportar tensiones bidireccionales, pero están limitados a una corriente unidireccional
( ecepto los TRIAC), tienen encendido controlado pero no el apagado. Los GTO añaden a los
anteriores el apagado controlado, pero algunos son asimétricos y no pueden soportar la tensión
inversa. Los transitores están generalmente limitados a corrientes y tensiones unidireccionales, pero
puede ser controlado su encendido y apagado.
Como vemos estos dispositivos se sitúan como factores críticos en el convertidor, es muy
común combinar algunos de ellos para obtener características mejoradas, por ejemplo se suelen
combinar diodos con transistores o tiristores para proporcionar conducción inversa. Teniendo en
cuenta la aparición de cada tipo de dispositivo, podríamos clasificarlos en:
• Dispositivos clásicos, que aparecieron antes de 1980, como el tiristor, GTO ("gate-turn-off
thyristors"), el BJT y el MOSFETde potencia
• Dispositivos modernos, que aparecieron en los ochenta. Pertenecen a este grupo el IGBT ("insulated
gate bipolar transistor"),el SIT, el SITH ("static induction thyristors") y el MCT. Estos tres últimos
dispositivos son practicamente desconocidos para la comunidad docente.
Para nuestro estudio, hemos agrupado los dispositivos semiconductores de potencia en dos
categorías: diodos, tiristores y dispositivos controlables.
1.3.1 Características deseables en un dispositivo controlable.

• Podríamos decir que un dispositivo ideal sería el que presentase las siguientes características:
• Bloquear cualquier tensión directa o inversa, sin permitir circulación alguna de corriente.
• Conducir cualquier corriente sin caida alguna de tensión directa.
• Entrar en conducción y bloqueo instantáneamente al recibir los impulsos de disparo.
• Debe poseer un control de puerta que requiera una potencia despreciable
De entre los posibles criterios que pueden imponerse en la selección de un determinado
dispositivo para una aplicación de potencia, existen algunos especialmente importantes, como la
potencia necesaria para el control de puerta, o la disipación de potencia en el dispositivo
semiconductor. La disipación de potencia juega un papel decisivo en la elección de un semiconductor
de potencia, ya que ésta determina la temperatura de la unión. Para considerar el valor de la potencia
disipada en el semiconductor, podemos establecer su modelo como el interruptor de la gráfica., donde
el diodo es considerado ideal. Cuando el interruptor está cerrado la corriente total Io circula a través
del interruptor, mientras que el diodo está bloqueado. Cuando el interruptor se abre un voltaje igual a
Vd se establece en los extremos del interruptor, considerando que el diodo tiene una caida ideal nula.
En la figura podemos ver la forma de onda de la corriente y la tensión cuando se opera a una
frecuencia repetitiva de f=1/T, siendo T el periodo de encendido. Durante la puesta en conducción de
este interruptor generalizado se produce un tiempo de retardo tdc, seguido de un tiempo de subida tri .
Solo después que toda la corriente Io circula por el interruptor, puede el diodo bloquearse y caer la
tensión a un pequeño valor Vc, después del retraso tfv. La energía disipada durante el transitorio de
encendido puede aproximarse por:
Pcon = 1 Vd I o t con ;
2 ( 1-1 )
t con = t ri + t fv ;
Conducción Bloqueo
tc tb
T
Vd Io
Vc
tdc tri tfv tdb trv tfi
tcon tdes
Figura 1-2. Tiempos de conmutación.

Donde no se produce ninguna pérdida durante el tiempo de encendido tdc.En el estado de
encendido, el dispositivo permanece un tiempo tc, que generalmente es mucho mayor que los
transitorios de encendido o apagado. Así la energía disipada será:
Pc = Vd I o t c ;
( 1-2 )
t on !! t con , t des )
Al abrir el interruptor igualmente tendremos:
Pdes = 1 Vd I o t des ;
2 ( 1-3 )
t des = t rv + t fi ;
La disipación de potencia instantánea pT(t)=vTiT deja claro su gran valor durante los intervalos
de encendido y bloqueo, si esto ocurre fs veces nos queda:
Ps = 1 V d I o f s [t con + t des ]; ( 1-4 )

2
Por lo que la pérdida total de potencia será la suma de las anteriores Pon y Ps, debiendo ser lo
menor posible.
Teniendo en cuenta estas consideraciones, podemos resumir las características deseables de un
dispositivo de potencia:
• Corriente inversa pequeña en estado de bloqueo.
• Caida de tensión directa baja para minimizar las pérdidas en conducción
• Tiempos de encendido y apagado pequeños. Esto hace que el dispositivo pueda usarse en altas
frecuencias.
• Capacidad alta de bloqueo directo e inverso. Esto evitará la necesidad de conectar dispositivos en
serie lo que complica el control y protección de los mismos.
• Corriente directa de trabajo alta. Se minimiza el uso de dispositivos en paralelo.
• Coeficiente de temperatura de la resistencia directa positivo. Se consigue de ésta forma que la

corriente total se reparta por igual en los dispositivos en paralelo.
• Potencia necesaria para el control baja. Se reduce la circuitería de control.
• Gradientes de tensión y corriente elevados. De esta forma se evitarán los circuitos externos de
limitación de éstos parámetros.
1.4 Evolución de estos semiconductores.

En general es difícil comparar dispositivos ya que sus características no sólo varían de un
dispositivo a otro, sino que presentan un campo de variación considerable dentro del propio
dispositivo.
Figura 1-3. Evolución de los Dispositivos de Potencia.

La potencia puesta en juego en el control de conducción y bloqueo es generalmente mucho
mayor en los dispositivos controlados por corriente que en los controlados por tensión. Si el transistor
bipolar es un dispositivo controlado en corriente con una ganancia típica de 10, necesita una potencia
de circuito de puerta relativamente alta, esto hace que tengan un circuitería de control más compleja y
de mayor coste que el resto de los dispositivos. Por el contrario el MOSFET y el IGBT son
dispositivos controlados en tensión con una alta impedancia de entrada, con lo que el circuito de
puerta es menos complejo y caro, tendiéndose incluso a incluirlo integrado.
En términos de las consideraciones de dispositivo y del equipo, el mejor dispositivo de
potencia es aquel que provee de la menor disipación de potencia. Para aplicaciones de 600 y 1200 V., la
disipación del IGBT es considerablemente menor que la del MOSFET y la del transistor, incluso a
frecuencias tan altas como 100 kHz. Como la tensión de bloqueo es menor a los 300 V., las pérdidas
de potencia en el transistor bipolar y el IGBT son comparables, pero menores que las del MOSFET.
Cuando la tensión de bloqueo es de 100 V. el comportamiento del transistor bipolar y del MOSFET es
mejor que el del IGBT. Como conclusión diremos que para circuitos operando hasta los 200 V. es
preferible el MOSFET al transistor bipolar por su baja impedancia de entrada, mientras que para
valores superiores es mejor el IGBT. Escepcionalmente para muy altas frecuencias solo disponemos
del MOSFET.
Los dispositivos de potencia son requeridos en un amplio campo de potencias, desde los
cientos de vatios a los megavatios, incluyendo además una amplia gama de frecuencias de conmutación
(desde los Hz hasta el MHz). Quizás sea éste junto con la frecuencia el requerimiento más importante
en la selección del dispositivo, y por ello la es la característica que más ha evolucionado desde el
comienzo de los semiconductores. En la figura siguiente se muestra como han ido evolucionando los
distintos dispositivos tratados en este capítulo, y cuál será el posible futuro de los mismos. En la
década de los 70, el tiristor, el GTO y el transistor bipolar constituyeron el eje de la electrónica de
potencia; el MOSFET estaba aún en desarrollo como para poder formar parte en muchas aplicaciones.
Durante los años 80 se produjeron muchos avances, de entre los que destacan:
• Reducción de la resistencia directa del MOSFET y aumento de las potencias alcanzables.
• Aumento en las tensiones y corrientes máximas del GTO.
• Desarrollo de los IGBT.
• Aumento de la potencia admisible de los CIP y en sus aplicaciones.
Es en esta década donde el MOSFET aparece como principal dispositivo en aplicaciones de
alta frecuencia, debido a su precisión y facilidad de control. Los GTO comienzan su expansión en el
territorio antes ocupado por el tiristor, demostrando una gran precisión en convertidores de potencia y
reduciendo considerablemente el tamaño de éstos equipos.
En la actualidad el IGBT se está usando en tensiones y corrientes mayores que el MOSFET, y
su frecuencia de conmutación supera ya a los transistores de potencia. Además los IGBT funcionan
por debajo de las frecuencias audibles, lo que facilita la reducción del ruido y el control de la salida de
los convertidores de potencia. En el futuro, los GTO suplirán a los tiristores en la gran mayoría de los
convertidores de potencia. Se dispondran versiones comerciales del MCT que tendrá fácil control;
tambien el SITH mejorará en este aspecto. Los transistores bipolares perderán campo de aplicación
frente a los IGBT y los MOSFET. La tabla 1 se presenta como estudio comparativo de los dispositivos
señalados con anterioridad.
Los dispositivos de potencia de la actualidad se fabrican con silicio como material base. El
silicio ha tenido el monopolio de los dispositivos de potencia y lo seguirá teniendo en un futuro
inmediato. Sin embargo, materiales como el arseniuro de galio, el carburo de silicio, y el diamante,
aparecen como fuertes candidatos para desbancar al silicio en las futuras generaciones de dispositivos.
El diamante parece ser superior a los demás; como ejemplo un MOSFET de potencia de diamante se
podría utilizar en comparación con los dispositivos de silicio, con potencias seis veces superiores,
frecuencias cincuenta veces mayores, con menor caida de tensión en conducción, y 600ºC como
temperatura máxima de la unión. Tampoco hay que olvidar futuros desarrollos de los materiales
superconductores.
.Los datos de ésta tabla provienen de: Tiristor S77R20A de IR, GTO SG3000JX24 de TOSHIBA, IGBT MG50Q1BS1 de
Capítulo 1. Introducción a la Electrónica. 7
TOSHIBA, MCT V65P1100F1 de HARRRIS SEMICONDUCTOR, MOSFET 2SK1489 de TOSHIBA, el resto proviene de la
bibliografía.
Tabla 2. Datos comparativos de diferentes semiconductores

MOSFET 1000 V Tensión -55 a 150 3.2 100.000 Muy alto 90 ns 0.14 0.2
12 A º
MCT 1000V Tensión -55 a 150 1.4 20.000
2.000 120 750 0.1
65A
SITH 1200V Corriente -40 a 125 4
algunos kHz 900 2 9 25
300A
SIT 800V Tensión -50 a 150 18 70.000 Muy alto 0.25 0.3 0.1
18A
IGBT 1200V Tensión -20 a 150 3.0 20.000 Muy alto 0.4 0.8 1
50A

BJT 700 V
100 A
Corriente -40 a 150
1.9 10.000 100 1.7 5 2.5

GTO 6.000 V
1.200 A
Corrien-te -40 a 125 4.3 2000 300 4 10 30

Tiristor 2000 V Corrien-te
-40 a 125 1.9 400 200 1.1 220 3
 Martinez Bernia y Asoc.
4800 A
Tensión y Impulsos Rango TJ Tensión en 5.Frecuencia 6. di/dt 7. ton (ns) 8. toff (ns) 9.
Corriente de conducción Conmutación (A/ s) Corriente
µ
Disparo (V) (Hz) Inversa
(mA)
1.5 Repaso de teoría de circuitos.

A lo largo de esta asignatura emplearemos elementos pasivos como resistencias,
condensadores e inductancias combinadas con fuentes de tensión y de corriente así como dispositivos
de estado para formar diferentes circuitos. Los teoremas que se exponen a continuación son
frecuentemente utilizados en el análisis de tales circuitos electrónicos.
1.5.1 Constitución de un circuito eléctrico

Se constituye un circuito eléctrico con la unión mediante conductores de elementos
productores de energía eléctrica (activos) y elementos consumidores o de almacenamiento (pasivos).
Debiéndose cumplir la siguiente condición, que en la mencionada unión se haya establecido al menos
una trayectoria cerrada, por la que pueda fluir continuamente una corriente eléctrica.
Elementos activos, son elementos capaces de suministrar energía, llamados fuentes de energía
eléctrica, por tanto son la causa que provoca la circulación de la corriente por los circuitos.
Elementos pasivos, son aquellos que consumen o almacenan la energía eléctrica, como las
resistencias (que consumen la energía disipándola en forma de calor), inductancias (que la almacenan
en un campo magnético) y capacidades (que la almacenan en un campo eléctrico). Estos elementos
pasivos pueden ser de características constantes (independientes de la tensión y de la intensidad) y se
llaman lineales a los circuitos que contienen estos elementos. Los circuitos que contienen algún
elemento que varía, en sus características, con la tensión o intensidad, se denominan no lineales. Por
ejemplo, la bobina con núcleo de hierro, en la que varía su coeficiente de autoinducción, L, por la
saturación de dicho núcleo.
1.5.2 Sentidos y polaridades de corrientes y tensiones

Antes de entrar en detalle en el estudio de cada uno de los elementos de un circuito, hay que
sentar unas bases de referencia, para designar los sentidos de las corrientes y las polaridades de las
tensiones, en un circuito eléctrico. Para lo cual nos basamos en el circuito de la fig. 1.1. Es el circuito mas
simple que se puede formar, uniendo un elemento activo (fuente de tensión continua) con un
elemento pasivo cualquiera, estableciendo un único camino cerrado.
V VAB
El sentido convencional de una corriente continua es el contrario al que seguirían los

electrones, es decir, el que seguirían los iones positivos. Como consecuencia de lo anterior la corriente
en el interior de un generador sigue el sentido del polo negativo al positivo, y en el circuito exterior,
sale por el polo positivo del generador regresando al mismo por el polo negativo, tras recorrer al
elemento pasivo.
Una tensión o diferencia de potencial se representa mediante una flecha, situando la punta en
el punto de mayor potencial. En extremos de una fuente de tensión, el punto de mayor potencial
corresponde a la borna positiva de la fuente y la borna negativa para el de menor potencial. En el
circuito de la figura anterior, se ve con claridad que la diferencia de potencial en extremos de la fuente
es la misma que en extremos del elemento pasivo, comprobando que en este último el punto de mayor
potencial se encuentra en el extremo por el que entra la corriente. Decimos por tanto que en el interior
de un elemento pasivo la corriente circula del extremo positivo al negativo, en contra de lo que sucede
en un generador. La caída de tensión o diferencia de potencial, en el elemento pasivo, se identifica de
acuerdo con lo dicho anteriormente, una flecha con la punta en el extremo positivo, como se muestra
en la figura anterior.
En los circuitos con fuentes de tensión alterna sabemos que tanto la tensión como la
intensidad cambian de sentido y polaridad tantas veces por segundo como nos indica su frecuencia. Sin
embargo, es preciso adoptar un sentido convencional para facilitar la resolución de los circuitos que se
nos puedan presentar. Este sentido convencional responderá al que se produce en un determinado
instante en el circuito. Por tanto, no es incoherente reflejar en circuitos de corriente alterna flechas de
valoración o de referencia para indicar en un instante determinado, las polaridades y sentidos de
tensiones y corrientes.
Por último, conviene resaltar que en cuanto al sentido de las flechas que nos indican las
polaridades de las tensiones, hay disparidad de criterios, puesto que unos (en los que nos incluimos),
apoyándonos en el teorema de compensación o sustitución (que más adelante estudiaremos) y en una
mayor claridad didáctica (la punta de la flecha siempre apunta al punto de mayor potencial relativo)
nos inclinamos por el sentido ya expuesto, otros (incluso con recomendaciones del CEI) le dan en los
elementos pasivos, el mismo sentido que a la corriente.
1.5.3 Elementos activos

Los elementos activos son las fuentes de energía, las cuales introducen en los circuitos energía
eléctrica procedente de la transformación de otras formas energéticas.
Pueden ser fuentes de tensión o fuentes de corriente. Así mismo, se les llama independientes si su valor
no depende de otras variables del circuito. Serán por tanto dependientes si su valor depende de otra
variable del circuito. Para el caso particular de tratarse de fuentes de continua o de alterna, se suelen
utilizar los símbolos de la figura siguiente.
v(t ) v(t ) = b ⋅ v(t ) v(t ) = r ⋅ i (t ) V v(t )
Figura 1-4. Fuentes de tensión: independiente, dependiente controlada por tensión,

dependiente controlada por corriente, independiente continua y alterna
i (t ) i (t ) = g ⋅ v(t ) i (t ) = d ⋅ i (t ) I i (t )
Figura 1-5. Fuentes de corriente: independiente, dependiente controlada por tensión,

dependiente controlada por corriente, independiente continua y alterna
1.5.4 Formas de onda

Las magnitudes fundamentales que se van a calcular en un circuito son tensiones y corrientes.
Estas magnitudes son provocadas por los elementos activos existentes en el circuito y su valor
dependerá de la función que siga la tensión en las fuentes de tensión (o la intensidad en las fuentes de
intensidad), además del resto de elementos pasivos que constituyan el circuito.
A estas magnitudes le llamaremos señales, así tendremos señales de tensión y señales de
corriente. Estas señales que pueden tomarse directamente de las fuentes, o de cualquier punto del
circuito estarán constituidas por valores de tensión o de corriente que variarán con el tiempo, cuya
representación dará lugar a una curva que obedecerá a una función más o menos compleja. A la forma
de esa curva es a lo que llamaremos forma de onda de la señal.
Las formas de onda que se pueden presentar en un circuito pueden ser infinitas, pero las
podemos agrupar en tres grandes grupos, en los que podremos distinguir las particularidades que
aparecen en los circuitos en función del tipo de forma de onda que presenten los generadores del
circuito.
• Señales con forma de onda constante. Las fuentes que presentan una señal constante en el tiempo,
reciben el nombre de fuentes de continua. Así mismo a los circuitos que solo tengan fuentes de
continua, les llamaremos circuitos de continua, en los que todas las corrientes y tensiones serán
constantes en el tiempo. En este tipo de circuitos solo tendremos resistencias como elementos
pasivos.
• Señales con forma de onda periódica. A las señales que no son constantes les llamaremos señales
variables en el tiempo, las cuales tendrán su correspondiente forma de onda. De las cuales
destacaremos en primer lugar las que cumple la condición de ser periódicas, es decir, hay un
intervalo de tiempo y por tanto una porción de la onda que se repite continuamente cada cierto
intervalo llamado periodo T:
f (t) = f (t +T) = f (t + nT)
n = número entero
Ejemplos de formas de onda periódicas se muestran a continuación.
Una característica de las señales periódicas es el concepto de alternancia, de modo que

diremos que una señal o función es alterna cuando su forma de onda va tomando valores
positivos y negativos alternadamente. Por ejemplo, las señales a, b, c, h, i, j y m de la figura
anterior.
De las señales periódicas, mención especial tienen las que responden a la función seno o
coseno. Las fuentes que proporcionan esta forma de onda reciben el nombre de fuentes de
alterna o generadores de alterna, llamados también alternadores. Esta señal es la que
proporciona la máquina eléctrica generadora básica y su forma se debe al ser generada por un
elemento rotativo de la máquina, que estudiaremos en el siguiente tema. En los centros de
producción de energía eléctrica se utiliza este sistema, por lo que la forma de onda de la tensión
en los sistemas de suministro, transporte y consumo es periódica, alterna y senoidal. Este tipo
de señales son la a y la m, aunque de distinta frecuencia.
A los circuitos que solo tengan fuentes de alterna, les llamaremos circuitos de alterna,
en los que todas las corrientes y tensiones serán de este tipo. Debido a la importancia de este
tipo de circuitos, será con estos con los que estudiaremos todos los métodos de análisis.
En los circuitos en los que exista una fuente con forma de onda periódica pero no
senoidal, aplicaremos un método de análisis en el que la función periódica se puede
descomponer en señales senoidales superpuestas, aplicando a cada una de ellas los métodos
estudiados. Hay un tema dedicado a este tipo de señales.
• Señales con forma de onda no periódica. Las fuentes que presentan una señal variable pero no periódica,
corresponden a formas de onda complejas, de las que se pueden distinguir formas simples, como
cambios de la señal en un tiempo breve. Estos cambios breves provocaran respuestas en los
circuitos que veremos al estudiar el régimen transitorio de los circuitos eléctricos. Como ejemplo
de este tipo de señales son: la señal pulso, el escalón, la rampa, etc.
1.5.5 Valor medio y valor eficaz

En la clasificación del apartado anterior, hay que añadir en las señales periódicas, que estas se
van a caracterizar por los denominados valores medios y eficaces.
Valor medio por definición, para una función periódica de periodo T, es la media algebraica de
los valores instantáneos durante un periodo:
1 T
y(t )dt
T ∫0
Ymed =
Valor eficaz es la media cuadrática de los valores instantáneos durante un periodo completo:
1 T
[y(t )]2 dt
T ∫0
Yef =
Se define como factor de forma a la relación entre el valor eficaz y el valor medio. Da idea de la
forma de onda.
Eef
Factor de forma =
Emed
• Se define como factor de amplitud o factor de cresta a la relación entre el valor de cresta o máximo y
el valor eficaz.
Em
Factor de amplitud =
Eef
El valor medio es 0 para las formas de ondas que tienen los semiperiodos simétricos respecto
al eje de tiempos. Por lo tanto, para salvar esta dificultad el cálculo se hace en la mitad del periodo. En
el caso particular de una señal de tensión alterna senoidal cuya función es v(t ) = Vm sen ωt se toma t = ωt
y T=π
Vm
1
[− cos ω t ]π0 = Vm [(− cos π ) − (− cos 0 )] = 2 Vm = 0.637 ⋅ Vm
π
Vmed =
π ∫
0
Vm sen ω t ⋅ d ω t =
π π π
Se define el valor eficaz de una corriente alterna, como aquel valor que llevado a corriente
continua nos produce los mismos efectos caloríficos. Es un valor característico, que por otra parte es
el que proporcionan los instrumentos de medida, ya sean analógicos o digitales. Aunque en la
actualidad ya existen instrumentos digitales que proporcionan otros parámetros de la señal alterna..
1 2π  1 − cos(2ωt )  1 ωt sen(2ωt )

2 2π
1 2π
(Vm senωt )2 dωt = Vm 1
2π
Vef =
2π ∫0 2π ∫ sen2 ωt ⋅ dωt = Vm
2π ∫0 
 dωt = Vm
π 2 −  = Vm 4π (2π )
0 2  2  4 0
Vm
Vef = = 0.707⋅ Vm
2
El factor de forma de una señal alterna es:
Em
π
FF= 2E 2 = =1.11
m
π 22
El factor de amplitud de una señal alterna es:
Em
FA= Em
= 2 = 1.4142
2
1.5.6 Resistencias.
El símbolo utilizado para representar a una resistencia ideal es el mostrado en la figura
siguiente. En muchos documentos y bibliografía se ha extendido el uso del símbolo de la figura b sin
embargo, este símbolo lo utilizaremos cuando la resistencia tenga una componente inductiva que no se
debe despreciar. Esto sucede, por ejemplo, en resistencias que por su diseño constructivo están
formadas por un hilo enrollado dando lugar a la aparición de la mencionada componente inductiva, en
este caso diremos que se trata de una resistencia no ideal.
i (t )
v (t ) R
a b
Una resistencia es un elemento pasivo que consume energía eléctrica, la cual se disipa en forma
de calor. Cuando una resistencia es recorrida por una intensidad de corriente i(t), en extremos de ella se
establece una diferencia de potencial v(t), cumpliendo la ley de Ohm y con la polaridad indicada en la
figura anterior.
v (t ) = R ⋅ i ( t )
Donde R es una constante que determina el valor de la resistencia en ohmios.

v ( t ) v 2 (t )
La potencia entregada a una resistencia es: p ( t ) = v ( t ) ⋅ i ( t ) = v (t ) ⋅ =
R R
O bien: p (t ) = v (t ) ⋅ i (t ) = R ⋅ i (t ) ⋅ i (t ) = R ⋅ i 2 (t )
Por tanto, la potencia se expresa como una función no lineal de la corriente que pasa por la
resistencia o de la tensión en la misma. La energía consumida por una resistencia será por tanto:
t t
W = ∫ p(t) ⋅ dt = ∫ R ⋅ i 2 (t) ⋅ dt J
t0 t0
Como i2(t) es siempre positiva, la energía siempre será positiva y por tanto consumida.
En el caso de tratarse de una corriente continua, i(t ) = I , siendo la potencia y la energía en la
resistencia:
t
p(t) = R ⋅ I 2 W W = ∫ R ⋅ I 2 ⋅ dt = R ⋅ I 2 ⋅ (t − t0 ) = R ⋅ I 2 ⋅ t J
t0
Generalmente se selecciona t0 = 0 .
1.5.7 Inductancias.
El símbolo utilizado para representar a una inductancia ideal con núcleo de aire, es el
mostrado en la fig. a, aunque también se utiliza el de la fig..b. Si la inductancia tiene núcleo de material
ferromagnético (también llamado núcleo de hierro), se indica con una o dos líneas a lo largo del
símbolo, fig. c y d. Estas bobinas reciben el nombre de choque y su función es suavizar las variaciones de
la corriente que circula a través suyo. Si la inductancia no es ideal (inductancia real), es decir, tiene una
componente de resistencia, se utiliza el símbolo de la fig. 1.6.b.
a b c d
Una inductancia es un solenoide o bobina, construido con un hilo conductor arrollado con un
número N de vueltas. Cada vuelta es una espira, por lo que la bobina estará constituida por N espiras
conectadas en serie. Al ser recorrida la bobina por una corriente eléctrica i(t), el campo magnético
creado dará lugar a un flujo que recorre el interior del solenoide, atravesando todas las espiras. Según
las leyes del electromagnetismo y en concreto la ley de Faraday, en extremos de la bobina se induce
una diferencia de potencial por el flujo creado en la propia bobina, que recibe el nombre de fuerza
electromotriz autoinducida, con una polaridad tal que se opone al paso de la corriente, como se indica en la
figura siguiente.
i (t )
v (t ) L
dΦ
e(t) = N
dt
Según esta ecuación, si el flujo es constante no habrá tensión inducida. Esto justifica que una
bobina en un circuito de corriente continua no tenga efecto alguno, ya que al ser constante la corriente,
también será constante el flujo en el interior del solenoide.
Toda inductancia queda determinada por el valor de la constante L, que se mide en Henrios
(H) y recibe el nombre de “coeficiente de autoinducción” de la bobina. Este coeficiente, relaciona el flujo
creado en la bobina con la corriente eléctrica que la recorre, según la ecuación:
d Φ (t )
L = N
di ( t )
Podemos expresar la f.e.m. autoinducida en la inductancia, sustituyendo en la ecuación (1) el

valor N ⋅ dΦ (t ) , despejado de la ecuación:
di ( t )
e(t) = L
dt
Según se indica en la figura anterior, la diferencia de potencial v(t) establecida en una

inductancia coincide con el valor de la f.e.m. autoinducida, por tanto:
di ( t )
v (t ) = L
dt
Por otro lado, despejando la corriente de la ecuación anterior, tenemos:

1 1
v (t )dt v (t )dt
L∫
di (t ) = i(t ) =
L
La potencia en una inductancia es:  di (t ) 

p ( t ) = v (t ) ⋅ i (t ) =  L  ⋅ i (t )
 dt 
La energía en la inductancia se encuentra almacenada en el campo magnético.

t i(t )
W = ∫ p(t )dt = L ∫ i(t )di(t )

t0 i (t 0 )
Integrando entre i(t0) e i(t), se tiene: W=

2
[ ]
L 2 i (t ) L 2
[
i (t ) i (t0 ) = i (t ) − i 2 (t 0 )
2
]
Generalmente se selecciona t 0 = −∞ y a menudo la corriente i(−∞) = 0 . Entonces, se tiene:
1
W = Li 2 ( t ) J
2
En este caso la energía también será siempre mayor o igual a cero. Una inductancia es un
elemento pasivo que no genera ni disipa energía, sólo la almacena.
1.6 Condensador
El símbolo utilizado para representar a un condensador ideal es el mostrado en la fig..a, aunque
también se utiliza el de la fig.b. Algunos condensadores tienen polaridad, la cual debe ir indicada en el
símbolo, como se muestra en la fig..c y d. Un caso particular de este tipo de condensadores son los
electrolíticos, siendo su símbolo el de la fig.e.
i(t)
v(t) C
a b c d e
Un condensador está constituido por dos placas conductoras enfrentadas, separadas por un
material que recibe el nombre de dieléctrico. Cuando se aplica al condensador una diferencia de
potencial, las placas quedan cargadas con cargas de polaridad contraria, estableciéndose un campo
eléctrico entre las placas. La relación entre la cantidad de carga acumulada y la diferencia de potencial
que ha provocado dicha acumulación, determinan una constante que caracteriza a todo condensador,
denominada capacidad C, que se mide en Faradios (F).
q (t )
C =
v (t )
La tensión que presenta un condensador dependerá por tanto de la carga acumulada:
1
v (t ) = q (t )
C
Durante el tiempo que tarda en acumularse la carga se establece una intensidad de corriente
eléctrica, igual a la cantidad de carga desplazada en la unidad de tiempo:
dq ( t )
i( t ) =
dt
q( t ) = ∫−∞ i( t )dt
t
De donde la cantidad de carga acumulada será:
Sustituyendo, tenemos la tensión del condensador en función de la intensidad de corriente:

1 1 1 1
v (t ) = i (t )dt = i (t )dt + i (t )dt = v (t 0 ) + ∫ i (t )dt
t t0 t t
C ∫
−∞ C ∫
−∞ C ∫ t0 C t0
Si el circuito del que forma parte el condensador se ha establecido en el instante t0, el término
v(t0) corresponde al valor inicial de la tensión en el condensador, debido a una carga acumulada en el
condensador en instantes anteriores a t0. Si el condensador no tiene carga acumulada v(t0)=0, y la
tensión será:
1 t
v(t ) = i (t )dt
C ∫0
Cuando se utiliza un condensador en un circuito de corriente continua, como la intensidad

tiene un único sentido, las placas del condensador se cargarán hasta alcanzar un valor de carga
constante y el condensador presentará una tensión constante entre sus placas:
1
V= q
C
Despejando i(t) de la ecuación, tenemos: dv(t )

i (t ) = C
dt
De la cual deducimos que si la tensión en un condensador se mantiene constante, la intensidad
es nula, lo que demuestra el comportamiento de un condensador en continua, anulando la corriente en
la rama donde está conectado.
La potencia en un condensador es:
 dv(t ) 
p(t ) = v(t ) ⋅ i(t ) = v(t ) ⋅  C 
 dt 
La energía en el condensador se encuentra almacenada en el campo eléctrico.

t v (t )
W = ∫ p (t ) dt = C ∫ v (t ) dv (t )
t0 v ( t0 )
Integrando entre v(t0) y v(t), se tiene: W=

2
[
C 2 v(t ) C 2
] [
v (t ) v ( t0 ) = v (t ) − v 2 (t 0 )
2
]
Generalmente se selecciona t 0 = −∞ y a menudo la tensión v (−∞) = 0 . Entonces, se tiene:
1
W = Cv 2 (t ) J
2
En este caso la energía también será siempre mayor o igual a cero. Un condensador es un
elemento pasivo que no genera ni disipa energía, sólo la almacena.
1.6.1 Leyes de Kirchhoff.

En un circuito, se denomina nudo al punto donde confluyen tres o más conductores de una
red. La primera ley de Kirchhoff afirma: dado un nudo, en una red y asignando flechas de valoración
concordantes (todas concurrentes o divergentes con relación al nudo), la suma algebraica de las
corrientes es nula
I1
I2
I5
I3
I4
I1 + I2 + I 3 + I 4 + I5 = 0 ∑I i =0
Esta ley se justifica teniendo en cuenta que en un nudo no se pueden acumular cargas
eléctricas.
También se podría enunciar de otra manera: si a los conductores que se unen en un nudo les
imponemos un determinado sentido de la corriente, en cada uno de ellos, se puede expresar que la
suma de las intensidades que llegan al nudo ha de ser igual a la suma de las que salen. Esto se verifica
tanto en corriente continua, como en corriente alterna (teniendo en cuenta los valores instantáneos o
bien los fasoriales).
E2
B R2 I2
G C
I1
E1 E3
G G
R1 R3
I3
A
D
I6
R6
R4
G
E6 I4
F G
I5 R5 E
E5
En un circuito se denomina rama, al conjunto de elementos activos y pasivos conectados en

serie entre dos nudos adyacentes. En un circuito, se denomina malla, al circuito o camino cerrado que
se logra partiendo de un nudo y volviendo a él, sin pasar dos veces por un mismo elemento o nudo.
En un circuito y siguiendo una línea cerrada (malla o lazo), la segunda ley de Kirchhoff nos
indica que la suma de las tensiones instantáneas es igual a cero. Esto es aplicable, tanto en corriente
continua, como en corriente alterna. En un caso tendremos como elementos pasivos resistencias y en
otro impedancias.
Vamos a demostrar esta segunda ley dándole, en la figura anterior, unos sentidos arbitrarios a
las f.e.m.s. y a las intensidades y considerando positivo el sentido de las agujas del reloj.
E1 = (VB − VA ) + R1 I1 0 = (VE − VD ) + R4 I 4
E2 = (VC − VB ) + R2 I 2 − E5 = (VF − VE ) + R5 I 5
− E3 = (VD − VC ) − R3 I 3 E6 = (VA − VF ) − R6 I 6
∑V i =0 ∑E = ∑ R I i i
Por lo tanto, también podríamos enunciar esta segunda ley de Kirchhoff diciendo que la suma
algebraica de las f.e.m.s. es igual a la suma algebraica de las caídas de tensión, a lo largo de una línea
cerrada o malla de un circuito.
En corriente alterna se puede utilizar la notación fasorial, sustituyendo las resistencias por
impedancias:
∑E = ∑Z ⋅ I
1.6.2 Fuente de tensión

Ya sabemos que los elementos que aportan la energía a un circuito reciben el nombre de
elementos activos, también llamados generadores o fuentes. El símbolo utilizado para representar una
fuente de tensión continua ideal se muestra en la figura siguiente
e
A
Ic
Ri
Generador de V Rc
K=constante tensión real
E
i B
a b
Una fuente de tensión ideal es la que nos suministra una tensión constante independientemente
del valor de la intensidad que suministra.
Sin embargo, en la realidad, la fuente de tensión tiene una resistencia interna que se puede
considerar asociada en serie con la propia fuente, constituyendo lo que llamamos fuente de tensión real. Si
utilizamos una fuente de tensión real para alimentar a una resistencia de carga Rc, como se muestra en
la figura, la ecuación de la malla es:
E = Ri I c + Rc I c = Ri I c + V V = E − Ri I c
E = I c (Ri + Rc ) Ic =
E
Ri + Rc
En función del valor de la resistencia de carga Rc, la tensión a la salida de una fuente real no va
a permanecer constante. Cuando disminuye la resistencia de carga, aumenta la corriente Ic que ha de
entregar la fuente, decimos que aumenta la carga de la fuente. Al aumentar la corriente se eleva la
tensión en la resistencia interna Ri, provocando una disminución de la tensión a la salida de la fuente.
La energía disipada en Ri, se entiende como energía perdida en el interior de la fuente, que será mayor
cuanto mayor sea la carga a la que se someta la fuente. Existen dos valores extremos que conviene
estudiar:
Cuando Rc = ∞ es decir el generador tiene la conexión entre sus bornes abierta (circuito abierto), no
se genera energía, Ic=0, y se verifica que V=E.
Cuando Rc = 0 es decir el generador está en cortocircuito y sus bornes están unidas mediante una
conexión de resistencia despreciable Rc=0:
E y
I c = I cc = V = Rc I c = 0
Ri
la corriente de cortocircuito es la máxima posible. Esta situación se ha de evitar en

toda fuente de tensión, ya que provocaría la destrucción de la fuente, al tomar la
corriente valores muy elevados. El valor de Ri suele ser pequeño.
En la figura siguiente podemos observar que la curva es asintótica con el eje de abcisas (Rc) en
el infinito. Prolongando imaginariamente el sentido negativo a las (Rc), esta curva sería asintótica con
una perpendicular al eje de Rc y paralela al eje de ordenadas (Ic) por el punto igual a -Ri, es decir
obtendríamos un valor infinito para Ic cuando, idealmente pudiéramos anular el valor de la resistencia
interna del generador.
V IC
vacío
cortocircuito
vacío
cortocircuito IC -Ri RC
a a
1.6.3 Fuente de corriente

Además de fuentes de tensión, tenemos también fuentes de corriente. Una fuente de
corriente ideal es la que nos suministra una intensidad constante independientemente del valor de la
tensión en sus bornes (fig. 1.18).
En la realidad esto no se cumple y una fuente de corriente real estará constituida, por una
fuente de corriente ideal con una resistencia interna conectada en paralelo.
Si utilizamos una fuente de corriente real para alimentar a una resistencia Rc, la corriente a la
salida de la fuente real es menor que la corriente entregada por la fuente ideal, ya que parte se pierde
por la resistencia interna.
Icc = I i + Ic I c = I cc − I i
V V I cc
I cc = + V =
Ri RC 1 1
+
Ri RC
e
A
K=constante
Ic
Generador de Ii Rc
Icc Ri V
corriente real
i B
a b
En la comparación entre fuente o generador de tensión real y fuente o generador de intensidad

real, podemos apreciar que mientras que en el primero nos interesa que la resistencia interna, Ri, sea
muy pequeña para que la caída de tensión interna y, en consecuencia, la pérdida de energía sea
pequeña; en el segundo, por el contrario, la resistencia interna, Ri , debe ser muy grande para que la
intensidad que se derive por ella, Ii ,sea pequeña para disminuir la perdida de energía interna.
Para evitar pérdidas de energía, entre generadores, no debemos acoplar en paralelo fuentes de
tensión que tengan distintas fuerzas electromotrices, E, ni acoplar en serie fuentes de intensidad con
diferente Icc.
1.6.4 Equivalencia de fuentes

Las fuentes ideales no existen y podemos decir que un generador de tensión suministra una
tensión útil, en sus bornas, que sí depende de la corriente de carga y un generador de intensidad o
corriente nos da una intensidad útil que sí depende de la tensión en sus bornas. En algunos casos nos
puede interesar hallar la equivalencia entre fuentes de tensión y de intensidad para sustituir una por
otra en un circuito para facilitarnos la resolución.
A A
I1 I2
Rg
R I RS R
E
B B
Las fuentes de tensión e intensidad en la fig. 1.20 serán equivalentes cuando suministren la
misma intensidad a la misma carga, es decir que se cumpla que I1=I2.
En la fuente de tensión tenemos: E
I1 =
R + Rg
y en la de intensidad: ( I − I 2 )Rs = I2 R IR s = I 2 ( R + R s )
Rs
I2 = I
R + Rs
haciendo I1 = I 2 : E
=I
Rs
R + Rg R + Rs
ER + ERs = IRs R + IRS R g (

R( E − IRs ) = Rs IRg − E )
teniendo en cuenta que tanto R como Rs serán diferentes entre sí y distintas de cero,
necesitamos, para que se cumpla esta ecuación, que:
E − IRs = 0
IRg − E = 0
con lo que Rs = Rg y E = IR g o E
I=
Rg
Todo lo que hemos estudiado, en corriente continua, se puede aplicar a fuentes reales de onda
senoidal, sustituyendo las resistencias por impedancias y teniendo en cuenta que tanto E como I serán
vectores giratorios.
1.6.5 Principio de superposición

En una red formada por generadores e impedancias, la corriente en una rama o la tensión en
un nudo, cuando todos los generadores actúan simultáneamente, es la suma de las corrientes o las
tensiones que se producirían si los generadores actuasen uno por uno.
Tendremos en cuenta que para que un generador no actúe, éste ha de sustituirse por un
cortocircuito, si se trata de un generador de tensión, o por un circuito abierto, si se trata de un
generador de intensidad.
Supongamos una red de "n" mallas, excitada por generadores senoidales de la misma
frecuencia, en las que todos se han transformado en generadores de tensión.
 E 1   Z 11 Z 12 " Z 1k " Z 1n   I 1 
     
 E 2   Z 21 Z 22 " Z 2k " Z 2n   I 2 
Su ecuación matricial será:  "  " " " " " "   "
  =  ⋅ 
 E k   Z k1 Z k 2 " Z kk " Z kn   I k 
     
 "  " " " " " "   "
     
 E n   Z n1 Z n 2 " Z nk " Z nn   I n 
Donde E 1 , E 2 , ## , E n , son las sumas de f.e.m.s. de los generadores que contienen cada una de
las mallas. Si queremos calcular una corriente cualquiera I k :
Z 11 Z 12 " E1 " Z 1n
Z 21 Z 22 " E2 " Z 2n
" " " " " "
Z k1 Z k2 " Ek " Z kn
" " " " " "
Z n1 Z n2 " En " Z nn
Ik =
∆Z
desarrollando por los adjuntos de la columna k:
∆ 1k ∆ k ∆ kk ∆ nk
I k = E1 + E 2 2 +""+ E k +""+ E n
∆Z ∆Z ∆Z ∆Z
Donde cada una de las E puede ser suma de varias que están en la misma malla.
Si cortocircuitamos todas las fuentes de tensión, excepto las de la malla 1, tendremos:
∆ 1k
I ′k = E1
∆Z
Si cortocircuitamos todas las fuentes, excepto las de la malla 2: ∆ 2k

I ′′ k = E 2
∆Z
si realizamos lo mismo, dejando las de la malla k: k ∆ kk

Ik = Ek
∆Z
y así sucesivamente.
k n
En conclusión, podemos establecer que: I k = I ′ k + I ′′ k +""+ I k +""+ I k
Que nos demuestra el enunciado de este teorema de superposición.

Si en lugar de tener una red de mallas, tuviéramos una red de nudos, también podríamos decir
que la tensión en un nudo es la suma de las tensiones que nos producen en ese nudo las distintas
fuentes de intensidad (o tensión) repartidas por el circuito. Igualmente, se podría demostrar siguiendo
los mismos pasos que en la red de mallas.
1.6.6 Teorema de Thevenin.

El teorema de Thevenin establece que un circuito activo es equivalente respecto de dos
terminales A y B, a un generador de tensión E 0 , en serie con una impedancia Z 0 , siendo E 0 , la tensión
existente entre A y B, y Z 0 la impedancia equivalente del circuito respecto de A y B.
Z0
A A
Circuito
activo E0
B B
Hemos dicho anteriormente que dos circuitos son equivalentes si al conectar la misma carga
(impedancia Z e ), circula por ellos la misma intensidad I . En estos dos circuitos se cumple que
E 0 = U AB con el circuito abierto y como Z 0 es la impedancia equivalente a la que tiene el primer circuito
entre los terminales A y B:
U AB E0
I= =
Z0 + Ze Z0 + Ze
Es decir, que para calcular el circuito equivalente de Thevenin hemos de calcular la tensión que
aparece entre los terminales A y B, que será el valor de la fuente de tensión, así como la impedancia
equivalente del circuito, visto desde A y B, cortocircuitando las fuentes de tensión, o abriendo las
fuentes de intensidad, para considerar solamente los elementos pasivos, en los que se incluyen las
impedancias internas de los generadores. De esta manera, calculamos la impedancia asociada en serie
con la fuente de tensión.
1.6.7 Teorema de Norton.

Este es el teorema dual al de Thevenin y nos indica que un circuito activo puede sustituirse
por una fuente de intensidad con una impedancia en paralelo.
A A
Circuito
activo Io Zo
B B
El valor de la fuente de intensidad será el que corresponde a la corriente de cortocircuito del

circuito activo y la impedancia será la misma del circuito equivalente de Thevenin. Por lo tanto,
podemos expresar que:
E 0 U AB
I0 = =
Z0 Z0
Si consideramos una impedancia exterior, Z e , conectada a los circuitos equivalentes de

Thevenin y Norton, tendremos que la intensidad que circula por ella (que ha de ser la misma en los
dos casos) es:
E0 Z0 ⋅Ze Z0
I= I ⋅ Ze = I 0 ⋅ I = I0 ⋅
Z0 + Ze Z0 + Ze Z0 + Ze
igualando ambas expresiones, obtenemos:
E0 = I0 ⋅Z0
Como habíamos indicado anteriormente.
1.6.8 Teorema de Miller

En la mayoría de los circuitos electrónicos basándose en amplificadores operacionales,
transistores bipolares, transistores de efecto campo, etc., existen conexiones entre el circuito de
entrada y el circuito de salida, produciendo una realimentación que en la mayoría de los casos produce
oscilaciones del circuito electrónico. Para analizar los circuitos electrónicos, cuya realimentación se
realiza a través de una impedancia Z , es conveniente trasladar los efectos introducidos por la
impedancia a los circuitos de entrada y de salida. La traslación anterior es posible apoyándose en el
teorema de Miller.
Si se considera un circuito eléctrico o electrónico lineal de “n” nudos y en él las tensiones de
dos nudos, unidos por una impedancia, las corrientes de estos nudos y las tensiones V 1 y V 2 de los
nudos respecto a otro nudo de referencia, no varían si se introduce entre los nudos dados y el de
referencia impedancias de valor:
Z y Z
Z1 = Z2 =
1 − AV 1 − A1V
siendo: V2
AV =
V1
y se elimina del circuito la impedancia Z .

Si se considera el circuito de la figura siguiente, al aplicar la ley de Ohm, resulta:
V1 −V 2 e V 2 −V1
I1 = I2 =
Z Z
Aplicando la ley de Ohm al circuito de la figura siguiente, resulta:
V1 e V2
I '1 = I '2 =
Z1 Z2
I1 I2 I'1 I'2
V1 V2 V1 Z1 Z2 V2
Para que las corrientes de entrada y de salida sean iguales, puesto que ya hemos supuesto que
las tensiones lo son, deberán cumplirse las igualdades:
V1 −V 2 V1
I 1 = I '1 ⇒ =
Z Z1
V 2 −V1 V 2
I 2 = I '2 ⇒ =
Z Z2
de donde: Z ⋅V 1 Z Z
Z1 = = Z1 =
V1 −V 2 1− V2 1 − AV
V1
y Z ⋅V 2 Z Z
Z2 = = Z2 =
V 2 −V 1 1− V1 1 − A1V
V 2
Por tanto, si se cumplen las ecuaciones anteriores, los circuitos de las figuras 1 y 2 son
equivalentes, que es lo que se deseaba demostrar.
Capítulo 2
SEMICONDUCTORES.
Aquella sustancia que conduce mal la corriente eléctrica es conocida como aislante, mientras
que un excelente conductor es conocido como metal. Así, las sustancias cuya conductividad esta entre
estos dos extremos son denominadas semiconductores. El material básico para la construcción de los
dispositivos electrónicos son los cristales semiconductores (Si, AsGa,...). Las propiedades eléctricas de
los sólidos cristalinos dependen en gran medida de la periodicidad de la red y de las alteraciones locales
de la misma. En un metal o en un aislante, la densidad de portadores libres es una constante del
material y no se puede cambiar. Sin embargo, en un semiconductor la densidad de portadores libres se
puede cambiar mediante la adición de impurezas en el material. Esta facilidad de regulación de la
conductividad mediante la manipulación la densidad de portadores libres es lo que hace del
semiconductor un material único.
2.1 Modelo de electrones libres.

Es posible pensar en un cristal como una distribución regular de núcleos “eficaces” y un
conjunto de electrones más o menos ligados, moviéndose en el espacio intermedio, sometidos al
potencial que crean estos núcleos. Sólo los electrones de valencia modifican considerablemente su
configuración de estados energéticos con respecto a la que poseían en el átomo aislado. La evolución
se describirá mediante le ecuación de Schrödinger. Para resolver esta ecuación se suele reducir el
problema al caso monoelectrónico. Ignoraremos, en esta aproximación, la fluctuación periódica de la
energía potencial, sustituyéndolo por un potencial constante. Además, para simplificar consideraremos
una red lineal suficientemente grande para que no nos afecten los problemas de contorno. La ecuación
de Schrödinger unidimensional es:
$ d 2 Ψ (x, t ) dΨ (x, t )
− 2
+ U ( x )Ψ (x, t ) = i$
2m dx dt
Cuando la energía potencia U(x)≠f(t), se puede simplificar la ecuación de Schrödinger

escribiendo la función de onda en la forma:
Ψ( x, t ) = ψ ( x )e − iωt
El segundo miembro de la ecuación toma entonces la forma:

dΨ (x, t )
i$ = i$(− iω )ψ ( x )e −iωt = $ωψ ( x )e −iωt = Eψ ( x )e −iωt
dt
E = $ω
Realizando la misma sustitución en el resto de la ecuación y suprimiendo el factor exponencial
común quedará:
$ 2 d 2ψ (x )
− + U ( x )ψ (x ) = E ( x )ψ (x )
2m dx 2
Consideremos el caso de una partícula confinada en un pozo rectángular infinito, tal que:
U( x ) = 0 0<x<L
U(x) = ∞ x < 0, x > L
Fuera del pozo la función de onda es idéntica a cero: ψ(x)=0; dentro del pozo la ecuación a
resolver es:
$ d 2ψ (x )
− = Eψ (x );
2m dx 2
d 2ψ (x )
= − 2 ψ (x ) = k 2ψ (x );
2mE
2
dx $
2mE
k2 = 2
$
Como la partícula está oscilando entre x=0 y x=L, la función de onda está dada por la
ecuación:
ψ ( x ) = Ae iωt + Be − iωt
La cual indica movimiento en ambas direcciones. La condición de contorno exige que:
ψ ( x ) x =0,x =L = 0; → ψ (0) = A + B = 0; → B = − A;
( )
ψ ( x ) = A e iωt − e −iωt = 2iAsenkx = Csenkx;
La condición de contorno en x=L da:
ψ (L ) = CsenkL = 0;
Como C no puede ser cero, entonces: senkL=0, kL=nπ, siendo n entero
π π$
k n = n ;# pn = $k n = n ;
L L
2 2
$ kn $ π 
2 2
En = = n 2   = n 2 E1;
2 
2m  2mL 
Que es la solución de Sommerfeld. La función de onda correspondiente a los valores k dados
anteriormente es:
nπx
ψ ( x ) = Csen ;
L
La ecuación de Schrödinger tridimensional e independiente del tiempo en coordenadas
rectangulares es:
 Martinez Bernia y Asoc. Capítulo 2. Semiconductores. 25
$ 2  ∂ 2ψ ∂ 2ψ ∂ 2ψ 
−  + +  + U ( x, y , z )ψ (x, y , z ) = E ( x, y , z )ψ (x, y , z );
2m  ∂x 2 ∂y 2 ∂z 2 

Igualmente, para el caso de una caja de potencia tridimensional cuadrada la solución es de la
forma:
n x πx n y πy n πz
ψ ( x, y , z ) = Csen sen sen z ;
L L L
Y las energías posibles están dadas por:
En =
$ 2π 2 2
2mL 2
( ) (
n x + n y2 + n z2 = E1 n x2 + n y2 + n z2 ; )
Este modelo de electrones libres no explica porqué existen aislantes, conductores y
semiconductores.
2.2 Modelo de bandas de energía.

El modelo de electrones libre explica propiedades muy importantes de los metales, pero hay
otras que quedan sin explicación. Así, por ejemplo, no explica la existencia de conductores o aislantes y
que otros materiales presentan una conductividad intermedia y fuertemente dependiente de la
temperatura.
Para ello es necesario considerar la influencia de un potencial periódico en la red, lo que da
lugar a que los electrones del cristal ocupen estados cuyas energías se organizan en bandas permitidas,
separadas por regiones de energía prohibidas para las que no existen funciones de onda estables. Este
modelo es conocido como Teoría de Bandas.
Los rasgos más notables de la estructura de bandas, o las características físicas más
importantes del comportamiento de los electrones son accesibles por medio de un modelo bastante
sencillo de red cristalina, el modelo de Kronig–Penney. Vamos a estudiar el caso unidimensional,
considerando un potencial periódico de forma rectangular en un cristal unidimensional de dimensiones
infinitas.
Como se ha visto anteriormente, las funciones de onda asociadas al electrón se obtienen

resolviendo la ecuación de Schrödinger independiente del tiempo
d 2 Ψ (x ) 2m
+ 2 [E − V (x )]Ψ (x ) = 0 ( 2-1 )
dx 2 $
cuyas soluciones son ondas de Bloch con un vector de propagación k, moduladas por una
función con la misma periodicidad que la de la red cristalina,
Ψ (x ) = U (x )e ikx ( 2-2 )
donde:
U (x ) = U (x + L ) = U (x + nL ) ( 2-3 )
siendo N el número de átomos del cristal. Por lo tanto, U(a)=U(-b).

1. En las regiones I (pozo), V(x)=0
dΨI dU I ikx
ΨI = U I e ikx ⇒ = ikU I e ikx + e ⇒
dx dx
( 2-4 )
d 2 ΨI dU I ikx d 2U I ikx
⇒ = − k 2
U I e ikx
+ 2 ik e + e
dx 2 dx dx 2
2mE
Haciendo la sustitución: α2 =
$2
se tiene:
d 2UI
dx 2
+ 2ik
dUI
dx
(
− α 2 − k 2 UI = 0 ) ( 2-5 )
2. En las regiones II U(x)=V0.

2m(V0 − E )
Aquí, haciendo la sustitución: β2 =
$2
se tiene, análogamente:
d 2UII
dx 2
+ 2ik
dUII
dx
(
− β 2 − k 2 UII = 0 ) ( 2-6 )
Las soluciones de estas ecuaciones diferenciales son:
UI = Ae i (α −k )x + Be −i (α −k )x
( 2-7 )
UII = Ce (β −ik )x + De −(β −ik )x
donde A, B, C y D son constantes a determinar de acuerdo con las condiciones de contorno.

Por continuidad:
U I (0 ) = U II (0 )
dU I dU II
A) B) = ( 2-8 )
dx x =0 dx x =0
Por periodicidad:
UI (a ) = U II (− b )
dU I dU II
C) D) = ( 2-9 )
dx x =a dx x =b
O sea que:
A) A +B =C +D
B) i (á-k )A − i (á + k )B = (â − ik )C − (â + ik )D
(2-10)
C) Ae i (α −k )a + Be − i (α + k )a = Ce −(β −ik )b + De (β + ik )b
D) i (α − k )Ae i (α − k )a − i (α + k )Ae − i (α + k )a = (β − ik )Ce − (β − ik )b − (β + ik )De − (β + ik )b
Para que estas cuatro ecuaciones posean una solución distinta de la trivial, el determinante del
sistema deberá ser nulo. Esto nos lleva a la condición que determine los posibles valores de la energía
para cada valor de k dado que α y β no está relacionados con esta.
β 2 −α2 2nπ
senhβbsenαa + cosh βb cos αa = cos kL = cos E < V0 ( 2-11 )
2αβ N
2nπ
donde: k =
NL
Por otra parte:
−α2 + γ 2 2nπ
senγbsenαa + cos γb cos αa = cos kL = cos E > V0 ( 2-12 )
2αγ N
Es posible simplificar la expresión sin una pérdida notable de generalidad haciendo tender a
infinito el volumen, mientras b tiende a cero y mantenemos constante el producto de ambas
magnitudes, es decir:
V0 → ∞
V0 ⋅ b = cte
b→0
2m (V0 − E ) 2mV0
β2 = 2
≈ 2
>> α 2
$ $
b→0⇒a→L V0 ⋅ b = cte ⇒ β 2 ⋅ b = cte 2 βb = 0
Para pequeños argumentos: sen βb → βb cos âb → 1

Aplicando esto podemos hacer:
α2 − β2
− ⋅ βb ⋅ senαL + cos αL = cos kL ( 2-13 )
2αβ
Y como β 2>>α2, resulta:
β 2b
senαL + cos αL = cos kL ( 2-14 )
2α
β 2ab
O bien haciendo: lim =P
β →∞ 2
b →0
quedaría
P
senαL + cos αL = cos kL ( 2-15 )
αL
Esta última ecuación es la condición para que exista una onda propagándose en el sólido con
energía E. Admitiendo un valor finito de P (potencia de la barrera) y representando ambos miembros
de la ecuación frente a αa, o lo que es lo mismo, frente a la energía, solo aquellos valores de α que
satisfagan ambas expresiones serán funciones de onda posibles. Si k es real, cos(kL) está limitado entre
±1 y por consiguiente el requerimiento de números de ondas reales correspondientes a ondas no
alternadas que se propagan en el cristal hace que la energía αL esté limitada a ciertos rangos de valores
llamados bandas permitidas separadas por otros rangos de energías prohibidas.
Este modelo nos permite extraer las siguientes conclusiones:

1) El ancho de las bandas de energía permitidas aumenta con αL (energía). Esto es consecuencia
de que disminuye
P
senαL + cos αL
αL
O sea, para un valor de P constante la barrera de potencial se va haciendo más
permeable a medida que aumenta la energía de los electrones.
2) Al variar P, variamos la energía con que los electrones están ligados al núcleo. En el caso
extremo, tendiendo P a infinito las regiones permitidas se reducen a los niveles del modelo de
electrones libres.
La distinción entre semiconductor, aislante y conductor se presenta en la figura siguiente,
sabiendo que
2mE
α2 =
$2
Si la banda de valencia está llena de electrones y la de conducción vacía, no puede haber

corriente. Es posible que por aplicación de una energía térmica, luminosa o de campo eléctrico
externo, los electrones pueden saltar a la banda de conducción y producir corriente. La probabilidad de
que esto ocurra es tanto menor cuanto mayor sea Eg y en consecuencia, a mayor Eg más carácter de
aislante ofrecerá el material.
2.2.1 Concepto de masa efectiva.

En una partícula libre:
p2
E= ( 2-16 )
2m
Para una partícula en un cristal p=hk luego
$ 2k 2 dE $ 2 k 1 dE $k
E= ⇒ = ⇒ = =v
2m dk m $ dk m
( 2-17 )
dv $ dk 1 d  dE  1 d 2 E dk
a= = =  =
dt m dt $ dt  dk  $ dk 2 dt
m dE
donde: k=
$ 2 dk
En definitiva:
$ dk 1 dk d 2E $2
= ⇒ m = = m* ( 2-18 )
m dt $ dt dk 2 d 2E
dk 2
En este caso m* representa la masa efectiva de la partícula en una red cristalina periódica
perfecta, y puede ser positiva y negativa.
En general m* varía con k. Cuando en el diagrama E-K la curva es cóncaa (banda de

conducción EC) m*>0 y si es inversa (banda de valencia EV) m*<0. Esto significa que una partícula en
aquel estado será acelerada en sentido opuesto al del electrón. Se conporta como una verdadera
partícula con carga y masa positiva. Esto es lo que llamamos un hueco.
v p = vn k P = −k n q p = +e m p* = −mn EP (k P ) = −E n (k n ) ( 2-19 )
El concepto de masa efectiva es muy importante ya que permite considerar a huecos y

electrones de conducción como partículas clásicas cargadas con masa efectiva m*n y m*e,
respectivamente. En el resto del tema escribiremos siempre sin asteriscos la masa efectiva de huecos y
la de electrones mn.
2.3 Densidad de estados

Sea N(E) el número de estados (sin considerar el spin) con energías comprendidas entre E y
E+dE. Llamemos entonces Ν(E) al número de estados con energías inferiores a E. Calculemos
primero Ν(E) a partir de la expresión de la energía en el caso de condiciones de contorno geométricas
$ 2π 2
(n ) = 2$m k%
2 2
2 2 2
E (n x , n y , n z ) = x + ny + nz ( 2-20 )
2mL2
Si representamos la energía en el espacio de las n x , n y , n z , las superficies de energía constante

son esferas de radio R, siendo:
2 2 2 2mL2
R 2 = n x + n y + nz = E ( 2-21 )
$ 2π 2
Así, para calcular todos los estados de energía inferior a Ε, basta calcular el volumen del
octante de la espera, ya que solo tienen significado los valores positivos n x , n y , n z , y existe un estado
para cada uno de los cubos elementales.
4 3
V (esfera ) = πr
3
3/2
1 4  2mL2 
3/2
L3  2m 
Ν(E ) = E =   E3/2 ( 2-22 )
8 3  $ 2π 2  6π 2  $ 2 
La densidad de estados entre E y E+dE será:

3/2 3/2
d Ν (E ) L3  2m  3 1/ 2 L3  2m 
N (E ) = =   E =   E 1/ 2 = CE 1/ 2 ( 2-23 )
dE 6π 2  $ 2  2 4π 2  $ 2 
Si consideramos que el volumen del cristal es L3 t que hay que multiplicar por 2 para tener en
cuenta el spin, la densidad real por unidad de volumen del cristal será:
3/2
2N (E ) 1  2m 
N (E ) = =   E 1/ 2 ( 2-24 )
L3 2π 2  $ 2 
Teniendo en cuenta que el nivel de energía más bajo en la banda de conducción (Ec) es la
energía potencial de un electrón en reposo, cuando este gana energía E, su energía cinética será E-Ec.
3/2
21/ 2 m n
N (E ) = (E − E c )1/ 2 = N c (E − E c )1/ 2 ( 2-25 )
π $ 2 3
Y en la banda de valencia:
3/2
21/ 2 m p
N (E ) = (E v − E )1/ 2 = N v (E v − E )1/ 2 ( 2-26 )
π $ 2 3
donde mn y mp son las masas efectivas y Nc y Nv son constantes.

La probabilidad de ocupación de estos estados cuánticos por parte de los electrones viene dada por la
distribución de Fermi-Dirac:
1
f (E ) = E −Ef
( 2-27 )
1+ e kT
Siendo Ef el nivel de energía (nivel de Fermi) cuya probabilidad de ser ocupado es ½. En estos
casos:
1
E = E f ⇒ f (E ) =
2
E >> 0 ⇒ f (E ) → ∞
E = 0 ⇒ f (E ) → 1 ( 2-28 )
1
E >> E f ⇒ f (E ) = E −Ef
e kT
2.4 Concentración de portadores.

Sabemos que a distribución de niveles energéticos en los bordes de la B.C. y la B.V. no es
uniforme y se rige por las expresiones N(E) calculadas anteriormente. Por otra parte que la
probabilidad de que a una temperatura T se encuentre ocupado un determinado nivel U de energía E
viene dada por la función de Fermi-Dirac. Así, el nº de partículas por unidad de volumen en el nivel
energético comprendido entre E y E+dE es:
dn = n(E)∙f(E)dE ( 2-29 )
En general, el nº de electrones por unidad de volumen en la B.C. viene dado por:
Emax
n(E) = ∫ N ( E ) f ( E )dE
Ec
( 2-30 )
Se suele sustituir el límite superior por ∞.

∞
(E − Ec )1 / 2 ∞
(E − Ec )1 / 2
n = ∫ NC E − EF dE = ∫ N C E − Ec + Ec − EF dE ( 2-31 )
Ec
1+ e kT Ec
1+ e kT
− ( Ec − E F ) ∞ − ( E − Ec )
n = N C∙e kT
∫ (E − E c
)1 / 2∙e kT
d(E − Ec ) ( 2-32 )
Ec
( E − Ec )
haciendo: x=
kT
( E − Ec ) = kT ∙ x
( E − Ec )1/ 2 = (kT ) ∙ x1/ 2

1/ 2
d ( E − Ec ) = kT ∙dx
− ( Ec − EF ) ∞
n = N C∙(kT ) e ∫x
3/ 2 kT 1/ 2
∙e − x dx ( 2-33 )
0
∞
π
∫x ∙e − x dx =
1/ 2
Teniendo en cuenta que
0 2
− ( Ec − E F )
n = N C∙(kT ) ∙e
3/ 2 ð
kT
( 2-34 )
2
21 / 2 ∙mn3 / 2 (kT ) ð 1 / 2
3/ 2
n = ( 2-35 )
ð 2∙$ 3∙2
3/ 2 − ( Ec − EF )
 m kT 
n = 2 n 2  ∙e kT
( 2-36 )
 2ð $ 
3/ 2
 mn kT 
con N C = 2 2 
 2ð $ 
Para la concentración de huecos puede establecerse una expresión análoga, considerando que
la probabilidad de que exista un estado vacante en la B.V. es 1-f(E). La integral se extiende entre –∞ y
EV.
EV − ( EF − EV )
p= ∫ [1 − f(E)]∙N(E)dE = N ∙e V
kT
( 2-37 )
−∞
3/ 2
 m p kT 
con NV = 2 
2 
( 2-38 )
 2π$ 
La cantidad NC es la densidad efectiva de estados en la B.C. y como representa el límite clásico
de ocupación del nivel de energía del fondo de la B.C. EC el numero n de la B.C. es el mismo que si
hubiera NC niveles por unidad de volumen, todos con energía EC reemplazando la banda. Igual
ocurrirá con NV y p.
NV y NC variarán con la temperatura y su magnitud es del mismo orden, aunque NV y NC no
son iguales porque las masas efectivas mn y mp no coinciden. A temperatura ambiente en el silicio NC
= 2,8∙ 1019cm-3 y NV = 1019cm-3.
Multiplicando las dos expresiones obtenidas anteriormente se logra eliminar EF:

− ( Ec − EV ) − Eg
n∙ p = N C ∙ NV ∙e kT
= N C ∙ NV ∙e kT
donde Eg es la energía de la banda prohibida.
Eg = Ego – αT
Ego = Eg(0ºK)
En el silicio Ego = 1,21eV y α = 2,8∙ 10-4eV/ºK. Sustituyendo en la ecuación anterior:
á − Ego − Ego
n∙p = N C∙NV ∙e k ∙e kT
= A0T3∙e kT
Expresión que depende de la temperatura y del tipo de semiconductor, y no de la

concentración de portadores. Además se verifica para cualquier semiconductor que el producto n∙ p es
constante.
2.5 Semiconductores.
Atendiendo a la teoría de bandas, podemos definir un material semiconductor como aquel
elemento que presenta una banda de energía prohibida mucho menor que los aislantes y mayor que la
que presentan los conductores. Frente a valores de 6 eV. en un aislante, en un semiconductor la
energía EG de la banda prohibida puede tener un valor de aproximadamente 1 eV. Esta energía tiene
una gran dependencia con la temperatura, algo que no ocurre con los aislantes ni con los conductores
y viene dada por la expresión:
EG = EGO − αT ( 2-39)
Siendo EGO la energía prohibida a cero grados Kelvin, β un coeficiente característico del
material y T la temperatura en grados Kelvin.
Los materiales semiconductores más generalizados en la industria de la Electrónica son el
Germanio (Ge), Z=32 y el Silicio (Si), Z=14, ambos pertenecientes al grupo IV de la tabla periódica.
En principio se utilizó el Germanio (Ge) pues presentaba muy buenas características, pero pronto se
asentó el Silicio (Si) como elemento base para la fabricación de semiconductores, ya que éste se
encontraba en abundancia y disponía de la propiedad de oxidarse formando un aislante perfecto, algo
de gran importancia en los procesos de integración.
2.5.1 Semiconductores intrínsecos.

Se denominan así aquellos semiconductores que poseen una estructura cristalina homogénea
sin que en ella existan impurezas o dopado alguno. Por tanto, puede explicarse la conducción eléctrica
en un semiconductor intrínseco, según el modelo de bandas, como el paso de un electrón que ha

superado la barrera de energía prohibida EG, de la banda de valencia a la banda de conducción. De esta
forma se dice que se ha generado un par electrón-hueco; este hueco en la banda de valencia podrá ser
ocupado por otro electrón de otros subniveles.
La estructura cristalina de estos semiconductores está formada por una repetición regular
tridimensional de una célula unitaria que tiene el aspecto de un tetraedro con un átomo en cada vértice.
El Silicio (Si) tiene un total de 14 electrones en su estructura atómica. Cada átomo del cristal tiene
cuatro electrones de valencia y por tanto es tetravalente. El núcleo iónico inerte de Silicio (Si) tiene una
carga positiva de +4 medida en unidades de carga electrónica. La fuerza de enlace entre átomos
vecinos resulta como consecuencia de que cada electrón de valencia de un átomo de Silicio (Si) es
compartido por uno de sus cuatro vecinos más próximos, llegando así a completar los 6 posibles de la
subcapa p. La circunstancia de que los electrones de valencia sirvan de unión entre un átomo y el
próximo determina que los electrones de valencia estén ligados a los núcleos. Por lo tanto, a pesar de la
disponibilidad de cuatro electrones de valencia el cristal tiene baja conductividad.
A temperaturas bajas el cristal se constituye en aislante, puesto que no hay disponible ningún
portador libre. En cambio, a la temperatura ambiente algunos de los enlaces covalentes se romperán
debido al suministro de energía térmica al cristal, y en consecuencia resulta posible la conducción. En
este caso, un electrón que en un período de tiempo anterior había formado parte de un enlace
covalente, se encuentra fuera de su enlace, y por tanto libre para circular al azar dentro del cristal. La
ausencia del electrón en el enlace covalente da lugar a que el enlace sea incompleto dando como
resultado la aparición de un hueco. La importancia del hueco es primordial, ya que puede servir como
portador de electricidad comparable en su efectividad con el electrón libre.
Como se ha mencionado, cuando un enlace queda incompleto aparece un hueco, y al electrón
de valencia del átomo vecino le resulta relativamente fácil dejar su enlace covalente y llenar este hueco.
Todo electrón que deja su enlace para llenar un hueco deja a su vez otro hueco en su posición inicial.
Por lo tanto, el hueco se mueve efectivamente en dirección contraria al electrón. Este hueco en esta
nueva posición puede ser llenado por un electrón de otro enlace covalente, y por lo tanto el hueco se
moverá un lugar en sentido contrario al movimiento del electrón. He aquí un nuevo mecanismo de
conducción de la electricidad que no implica electrones libres. A medida que fluye la corriente eléctrica,
los huecos se comportan como cargas positivas de igual valor que la carga del electrón. Podemos
considerar que los electrones son entidades físicas cuyo movimiento constituye un flujo de corriente.
En un semiconductor puro (intrínseco), el número de huecos p es igual al número de electrones libres n. La agitación
térmica produce continuamente nuevos pares de electrón-hueco, mientras que otros pares desaparecen
como resultado de la combinación.
La conducción eléctrica en un semiconductor viene dada por el movimiento de electrones y de
huecos cuyas concentraciones respectivas son: n=p=ni=pi .Por lo tanto la conductividad intrínseca
vendrá dada por la suma de la movilidad de electrones y de huecos: donde µp y µn corresponde a la
movilidad de huecos y electrones:
σ i = ni q( µ p + µ n ) ( 2-40)
Esta conductividad es muy reducida dada la alta resistividad de los semiconductores

intrínsecos. La conductividad es proporcional a la concentración de electrones libres ni. Para un buen
conductor, ni es muy elevado (del orden de 1028 electrones/m3); para un aislante, ni es muy pequeño
(aproximadamente 107); y para un semiconductor, ni está situado entre estos dos valores. Los
electrones de valencia de un semiconductor no están libres en el mismo sentido en que lo están para
los conductores, sino que están ligados por los enlaces entre iones adyacentes.
2.5.2 Semiconductores extrínsecos.

Son aquellos que necesitan una transformación química o impurificación, que consiste en
introducir átomos de distinta valencia en su estructura cristalina, sin que ésta deje de ser homogénea.
O sea, si a un semiconductor intrínseco, como el Silicio (Si) o el Germanio (Ge), se le añade un
pequeño porcentaje de átomos trivalentes o pentavalentes, se transforma en un semiconductor

dopado, impuro o extrínseco. Podremos distinguir dos tipos de semiconductores extrínsecos según el
dopado de impurezas, los semiconductores extrínsecos tipo p y los tipo n.
Si introducimos átomos dopantes de algún elemento del grupo III en una proporción de 1 por
108 en dicha estructura cristalina, habrá electrones de átomos de Silicio (Si) que no estén ligados a otro,
ya que existe un hueco procedente del átomo dopante. Estos elementos dopantes pueden ser Bo, Al,
Ga e In, principalmente. Por lo tanto, si en la estructura cristalina aparece un exceso de huecos, se
producirá una banda o nivel de energía de 0.01 eV. por encima de la de valencia que acepta electrones
con suma facilidad. Así, cuando se aplique un campo eléctrico la circulación de corriente se producirá
por el movimiento de huecos; no obstante existe una reducida corriente de portadores minoritarios
(electrones), debido a que éstos consiguen saltar de la banda de valencia a la banda de conducción.
Para hacer un dopado tipo n se recurre a impurificar o dopar el semiconductor intrínseco con
impurezas donadoras, o lo que es lo mismo con elementos del grupo V como son el P, As y Sb. De esta
forma al introducir átomos con cinco electrones de valencia en la estructura cristalina, queda un
electrón débilmente ligado al átomo y por consiguiente aparece un nivel donador de electrones 0.01
eV. por debajo de la banda de conducción. Por lo tanto, al aplicar un campo eléctrico al semiconductor
se produce una corriente electrónica debido a que los electrones saltan fácilmente a la conducción. Al
igual que en los semiconductores tipo p, existe una pequeña corriente de huecos debido a la propia
naturaleza intrínseca del semiconductor.
2.5.3 Ley de acción de masas.

Se ha visto anteriormente como al añadir impurezas de tipo n, disminuye el número de
huecos. De la misma forma, al drogar con impurezas de tipo p disminuye la concentración de
electrones libres a un valor inferior a la del semiconductor intrínseco. Se puede demostrar que, en
condiciones de equilibrio térmico, el producto de la concentración de las cargas positivas y negativas
libres es una constante independiente de la cantidad de donador o aceptador. Esta ley se denomina de
acción de masas y viene dada por:
np = ni2 (T ) ( 2-41)
La concentración intrínseca ni es función de la temperatura y viene dada por la expresión:
 − Eg 
 
n ≈ Ce
2
i
 KT 
( 2-42)
Donde Eg energía prohibida del semiconductor (1.1 eV para el Si), q es la magnitud de la carga
del electrón, K es la constante de Boltzman, T es la temperatura en grados Kelvin y C es una constante
de proporcionalidad. A temperatura ambiente (300° K), ni = 1010 cm3 en el Silicio (Si).
De esta forma podremos concluir que las impurezas en un semiconductor intrínseco no sólo
aumentan la conductividad, sino que sirven también para producir un conductor en el que los
portadores sean predominantemente huecos o electrones. En un semiconductor de tipo n, los
electrones se denominan portadores mayoritarios, y los huecos portadores minoritarios. En un
material del tipo p, los huecos son portadores mayoritarios, y los electrones portadores minoritarios.
2.6 Densidad de carga.

En un semiconductor en equilibrio, que no está perturbado en su entorno térmico, no debe
haber corrientes ni flujos netos de huecos o electrones. Si existen cuatro clases de partículas cargadas
en el semiconductor, la densidad de carga positiva total será ND+p. Igualmente, si NA es la
concentración de iones aceptadores, éstos contribuyen al suministro de NA cargas negativas por metro
cúbico. La densidad de carga total negativa será NA+n. El valor de la densidad de carga positiva
deberá ser igual a la concentración de la negativa, o sea:
ND + p = N A + n ( 2-43)
Considérese un material tipo n que tenga NA=0. Como el número de electrones es mucho
mayor que el de huecos (n>>p), entonces la ecuación anterior se reduce a:
n ≈ ND ( 2-44)
En un material tipo n la concentración de electrones libres es aproximadamente igual a la

densidad de átomos donadores. La concentración p de huecos en el semiconductor de tipo n se obtiene
a partir de la ley de acción de masas. O sea:
ni2
p=
ND ( 2-45)
De igual manera, en un semiconductor tipo p:
p ≈ NA ( 2-46)
ni2
n= ( 2-47)
NA
Cabe añadir donadores a un cristal tipo p o, inversamente, agregar aceptadores a un material tipo
n. Si se igualan las concentraciones de aceptadores y donadores en el semiconductor, éste permanece
intrínseco. Los huecos de los aceptadores se combinan con los electrones de conducción del donador
para no dar ningún portador libre adicional. Es decir, ND=NA, se observa que p=n, y n2=ni.2, o sea
n=ni=concentración intrínseca.
Ampliando los argumentos anteriores, cabe indicar que si la concentración de átomos
donadores añadidos a un semiconductor del tipo p excede a la concentración de aceptadores (ND>NA),
cambia del tipo p al tipo n. Quedando:
n ≈ ND - NA
ni2 ( 2-48)
p=
ND − NA
2.7 Generación y recombinación de cargas.

Se ha visto que en un semiconductor puro el número de huecos es igual al número de
electrones libres. La agitación térmica genera continuamente nuevos pares de electrón-huecos, g por
unidad de volumen y por segundo, mientras que otros desaparecen como resultado de la
recombinación; dicho de otra manera, los electrones libres caen en enlaces covalentes vacíos, con el
resultado de la pérdida de un par de portadores móviles. Por término medio, un hueco (o un electrón)
existen durante τp (τn) segundos antes de la recombinación. Este tiempo se denomina vida media de un
hueco o de un electrón, respectivamente. Por lo tanto el decrecimiento de la concentración de huecos
por segundo debido a la recombinación será: p/τp (n/τn). Estos parámetros son muy importantes en
los sistemas semiconductores porque indican el tiempo requerido para que las concentraciones de
huecos o electrones que hayan cambiado vuelvan a sus concentraciones de equilibrio.
Como ninguna carga puede ser creada o destruida, la variación de la concentración vendrá por:
dn n
=g− ( 2-49)
dt τn
En equilibrio térmico:
dn n n
=0=g− o →g = o ( 2-50)
dt τn τn
Y por lo tanto:
dn no − n
= ( 2-51)
dt τn
El valor de la vida media de los portadores en exceso tiene efectos importantes en las
características de los dispositivos de portadores minoritarios. Valores mayores de la vida media
minimizarían las pérdidas en conducción pero tendería a hacerse más lenta la transición de la
conmutación del encendido al apagado y viceversa. De ahí que los fabricantes de dispositivos se
esfuercen por un control bastante preciso de la vida media durante el proceso de fabricación. Dos
métodos usados comúnmente para el control de la vida media son el uso del dopado de oro y el uso de
la irradiación de electrones. El oro es un impureza en los dispositivos de Silicio que actúa como una
fuente de recombinación. La densidad de dopado del oro será más alta cuanto más pequeñas sean las
vidas medias. Cuando se usa la irradiación de electrones, los electrones con alta energía (unos cuantos
millones de eV de energía cinética) penetran profundamente (la profundidad de penetración es función
de la energía) en un semiconductor antes de que choquen con el látice cristalino. Cuando se produce
una colisión, las imperfecciones en el látice cristalino actúan como centros de recombinación y, de este
modo, la vida media esta bajo un buen control.
2.8 Deriva y difusión.

El flujo de corriente en un semiconductor es la suma del flujo neto de huecos en la dirección
de la corriente y el flujo neto de electrones en la dirección opuesta. Los portadores libres pueden
moverse mediante dos mecanismos: desplazamiento o deriva y difusión.
Cuando se imprime un flujo de corriente a través de un semiconductor, los huecos libres se
aceleran por el campo y por una componente de velocidad paralela al campo mientras que los
electrones adquieren una componente de velocidad antiparalela al campo. Esta velocidad se denomina
velocidad de deriva y es proporcional a la fuerza del campo eléctrico. La componente de deriva de la
corriente viene dada por:
J deriva = qµ n nE + qµ p pE ( 2-52)
donde E es el campo aplicado, µn es la movilidad de los electrones, µp la de los huecos y q es la carga

en un electrón. A temperatura ambiente, en un Si dopado moderadamente (menos de 1015 cm-3), µn ≈
1500 cm2/Vs y µp ≈ 500 cm2/Vs. La movilidad de los portadores disminuye con el aumento de la
temperatura T (aproximadamente T-2).
Si hay una variación en la densidad espacial de los portadores libres, habrá un movimiento de
portadores desde las regiones de concentración más alta y se debe a la fortuita velocidad térmica que
tiene cada portador libre. Esta variación en la densidad de portadores se podría obtener mediante
varios métodos que incluyen una variación en la densidad del dopado. La existencia de este gradiente
implica que, si se traza una línea imaginaria que represente una superficie en el semiconductor, la
densidad de huecos en las inmediaciones de un lado de la superficie es mayor que la densidad en el

otro lado. Los huecos tienen un movimiento al azar como resultado de la agitación térmica. De
acuerdo con esto, los huecos se moverían continuamente de un lado a otro a través de esta superficie y
cabe esperar que durante un cierto intervalo de tiempo mayor número de ellos crucen la superficie
desde el lado de mayor densidad al de menor que en sentido contrario. Este transporte de huecos a
través de la superficie constituye una corriente en la dirección x positiva. Debe tenerse en cuenta que
este transporte medio de cargas no es el resultado de una repulsión mutua por cargas de igual signo
sino que es, simplemente, el resultado de un fenómeno estadístico. Igualmente se podría hablar de
electrones. Esta difusión es exactamente análoga a la que existe en un gas neutro si hay un gradiente de
concentración en el continente del gas. El movimiento de los portadores por difusión producirá una
componente de la densidad de corriente que viene dada por:
dn dp
J = J n + J p = qD n − qD p ( 2-53)
difusión dx dx
donde Dn (m2/s) es la constante de difusión de los electrones y Dp (m2/s) es la constante de
difusión de los huecos. Ya que p disminuye con el aumento de x, dp/dx es negativa y se precisa el
signo menos en la ecuación anterior, de manera que Jp sea positiva en la dirección positiva de las x.
2.8.1 Relación de Einstein.

Ya que tanto la difusión como la movilidad son fenómenos estadísticos termodinámicos, D y
µ no son independientes. Entre ellas se cumple la relación de Einstein:
Dp Dn
= = VT ( 2-54)
µp µn
en la que VT es el potencial equivalente de temperatura, definido por:

kT T ( 2-55)
VT ≡ =
q 11 .600
donde k es la constante de Boltzmann en julio por grado Kelvin. A temperatura ambiente,

VT=0.0259V.
2.8.2 Corriente total

Es posible que existan simultáneamente un gradiente de potencial y un gradiente de
concentración dentro del semiconductor. En tal situación, la corriente de huecos total es la suma de la
corriente de desplazamiento y la corriente de difusión o sea:
dp
J p = qµ p pE − qD p ( 2-56)
dx
De forma similar, la corriente neta de electrones será:
dn
J n = qµ n nE + qDn ( 2-57)
dx
2.9 Variación de potencial en equilibrio térmico.

Considérese un semiconductor en el que la concentración de huecos p es función de x; es
decir, un semiconductor no uniformemente drogado. Supóngase una situación de equilibrio y
excitación cero, o sea, sin inyectar portadores al semiconductor desde ninguna fuente exterior. En
ausencia de excitación no puede haber movimiento de cargas estable en la barra, aunque los portadores
tengan movimiento aleatorio debido a la agitación térmica. Por lo tanto, la corriente total de huecos
debe ser cero así como el total de corriente de electrones. Al estar ante una contaminación no
uniforme, para que la corriente total de huecos desaparezca, deberá existir una corriente de
desplazamiento de huecos que será igual y opuesta a la corriente de difusión. Puesto que una
conducción de corriente requiere un campo eléctrico, de ello se sigue que un drogado no uniforme trae
como consecuencia un campo eléctrico generado en el interior del semiconductor.
V1 V2
• p1 • p2
x1 x2
Haciendo Jp = 0 y empleando la relación de Einstein Dp=µpVT, se obtiene el campo eléctrico:
VT dp
E= ( 2-58)
p dx
De E = -dV/dx se puede calcular la variación de potencial. Por lo tanto:
dp
dV = −VT ( 2-59)
p
Si esta ecuación se integra entre x1, donde la concentración es p1 y el potencial es V1, y x2,
donde p=p2 y V=V2, el resultado será:
V2 p2
dp
V21 = ∫ dV = −VT ∫ ;
V1 p1
p
( 2-60)
p
V21 = V2 − V1 = VT l 1 ;
p2
Obsérvese que la diferencia de potencial entre los dos puntos sólo depende de las
concentraciones en estos dos puntos y es independiente de su separación x2-x1. La ecuación anterior
puede plantearse de la forma:
+ V 21 / V T
p1 = p 2 e ( 2-61)
Haciendo Jn=0 y, procediendo como anteriormente, se obtiene la ecuación de Boltzmann para los
electrones:
− V 21 / V T
n1 = n 2 e ( 2-62)
Multiplicando los resultados anteriores se obtiene:
n1 p1 = n2 p2 ( 2-63)
Esta ecuación indica que el producto np es un constante independiente de x y, por tanto, del
drogado, en equilibrio térmico. Para un semiconductor intrínseco, n=p=ni y , por lo tanto:
2
np = ni ( 2-64)
que es la ley de acción de masas estudiada anteriormente.
2.9.1 Unión abrupta.

Considérese el caso especial siguiente: la mitad izquierda de la barra es del tipo p con una
concentración constante NA, mientras que la mitad derecha es del tipo n con una densidad uniforme
ND. El plano frontera a trazos es una unión metalúrgica (PN) que separa dos secciones con diferente
concentración.
V1 V2
• p1 x1 • p2 x2
ZONA P ZONA N
A este tipo de drogado, en el que la densidad cambia bruscamente del tipo p al tipo n, se le
denomina drogado en escalón. La teoría indicada anteriormente indica que existe un potencial Vo entre
las dos secciones (denominado diferencial de potencial de contacto) igual a:
p po
Vo = V21 = VT ln ( 2-65)
p no
ya que p1=ppo (concentración de huecos en equilibrio térmico en el lado p) y p2=pno (concentración de

electrones en el lado n). Se puede avanzar más, sabiendo que: ppo = NA y pno= ni2/ND, por lo que:
N AND ( 2-66)
V o = V T ln
n i2
La misma ecuación para Vo se obtiene del análisis correspondiente dado anteriormente y basado
en que la ecuación de la corriente total de electrones In sea cero.
2.10 Ecuación de continuidad.

Como se ha estudiado, si se altera el equilibrio de la concentración de portadores en un
material semiconductor, la concentración de huecos o electrones variará respecto al tiempo. Se va a
estudiar a continuación además la existencia de una variación espacial de esta concentración. Para ello
considerese un elemento infinitesimal de volumen, cuya area sea A y su longitud dx, en el que la
concentración media de huecos fuera p.
p Huecos/m 3
Ip Ip+dIp
Área A
Supóngase el problema unidimensional y que la corriente Ip=f(x). Si la corriente que entra por
“x” en el tiempo “t” es Ip y la que sale por “x+dx” es “Ip+dIp” en el mismo tiempo “t”. Habrá dIp
más Culombs por segundo que abandonarán el volumen que los que entran. La disminución de huecos
por unidad de volumen en el tiempo “t” debido a la corriente Ip será:
1 dI p 1 dJ p
= ; ( 2-67)
qA dx q dx
Si la generación y recombinación vienen dados por:
dp p − p
= o ( 2-68)
dt τ p
Como la carga debe conservarse, el incremento de huecos por unidad de volumen deberá ser
igual a la suma algebraicade las dos ecuaciones anteriores:
∂p p o − p 1 ∂J p
= − ; ( 2-69)
∂t τp q ∂x
Esta ecuación anterior es conocida como ecuación de continuidad. Igualmente se debe definir para
el caso de electrones:
∂n n o − n 1 ∂J n ( 2-70)
= + ;
∂t τn q ∂x
Si se llama pno a la pequeña concentración de huecos generados térmicamente en el equilibrio y

se sustituyen los valores de la densidad de corriente vistos anteriormente quedará:
∂p n p no − p n ∂( pn E ) ∂ 2 pn
= − µp + Dp ; ( 2-71)
∂t τp ∂x ∂x 2
∂n p n po − n p ∂ (n p E ) ∂ 2n p
= + µn + Dn ; ( 2-72)
∂t τn ∂x ∂x 2
Primero, si se considera el caso específico de una concentración independiente de “x” y

campo nulo:
∂p n p − pn ( 2-73)
= no ;
∂t τp
∂n p n po − n p
= ; ( 2-74)
∂t τn
Segundo, cuando la concentración es independiente del tiempo y campo nulo:
d 2 p n pn − p no
= ← L p = D pτ ( 2-75)
dx 2 Lp
2 p
d 2np n p − n po
2
= 2
← Ln = Dnτ n ( 2-76)
dx Ln
El parámetro Lp se denomina longitud o distancia de difusión de los huecos y está relacionado

con la constante de difusión Dp y con la vida media τp. Se puede demostrar que Lp es también igual a la
distancia media que recorre un hueco inyectado antes de recombinarse con un electrón. Por tanto, Lp
es el recorrido medio libre de los huecos. Igualmente se define Ln para los electrones.
P (x)
n
P' (0) P (x) = P +P'(0)e-x/L p

n n no
P'
n (x) P
no
x Distancia
Si se llama pno la concentración de portadores minoritarios en el equilibrio térmico (lejos de la

unión), se tendrá que la concentración inyectada o en exceso p'n será p'n = pn - pno. La ecuación
diferencial para la concentración de huecos inyectados será:
d 2 p'n p'
2
= n2 ( 2-77)
dx Lp
Al difundirse los huecos en el lado n encontrarán abundancia de electrones y se recombinarán

con ellos. Por tanto, pn(x) decrece con la distancia x en el material n. Integrando la ecuación anterior,
se puede decir que la densidad de huecos en exceso cae exponencialmente con x:
p'n ( x) = p 'n (0)e

− x / Lp
= p n ( x) − pno
( 2-78)
n' p ( x) = n' p (0)e − x / Ln
= n p ( x) − n po
Por lo tanto las densidades de corriente de difusión serán:
dp n qD p p ' ( 0 ) − x / L p
J p = − qD p = e
dx Lp ( 2-79)
dn p qD n n ' ( 0 ) − x / L n
J n = qD n = e
dx Ln
Capítulo 3
DIODO.
Un diodo de unión se forma cuando una región tipo n en un cristal de Silicio es adyacente o
linda con una región tipo p en el mismo cristal. Dicha unión se puede formar, por ejemplo, al difundir
impurezas aceptoras en el cristal de Silicio tipo n. Pudiéndose dar también la secuencia opuesta
(difusión de donadores en el Silicio tipo p). La unión se caracteriza con frecuencia por cómo cambia el
dopado del tipo n al tipo p cuando se cruza la unión. Se puede establecer la unión en escalera o
abrupta. Un cambio más gradual en la densidad de dopado dará lugar a la unión graduada linealmente.
La unión se caracteriza también por las densidades relativas de dopado en cada cara de la unión. Si la
densidad de aceptores en el lado de tipo p es muy grande en comparación con la densidad de
donadores en el lado de tipo n, la unión se denomina a veces una unión p+n. En cambio, si la densidad
de donadores no es mucho mayor de ni en el ejemplo previo, la unión podría llamarse una unión p+n-.
3.1 Región de carga espacial.

Debido a la existencia de un gradiente de concentración a través de la unión, los huecos se
difunden hacia la derecha atravesando la unión y los electrones, hacia la izquierda. Se ve, pues, que los
huecos que neutralizaban los iones aceptadores en las proximidades de la unión en el Silicio tipo p, han
desaparecido como resultado de la combinación con los electrones que se han difundido a través de la
unión. De forma parecida, los electrones neutralizantes del Silicio tipo n se combinan con los huecos
que atraviesan la unión desde el material tipo p. Los iones no neutralizados en las cercanías de la unión
se conocen con el nombre de cargas descubiertas. La forma general de la densidad de carga ρ depende
de la forma en que el diodo esté drogado. Como la región de la unión no contiene cargas móviles, se
denomina región de desviación, de carga espacial o de transición. La anchura de esta región es del
orden de la longitud de onda de la luz visible (0.5 micras = 0.5 µm). En el interior de esta sumamente
estrecha franja de carga espacial no existen portadores móviles. A la izquierda de esta región, la
concentración de portadores es de p≈NA y a la derecha es de n≈ND.
3.1.1 Potencial eléctrico.

La densidad de carga espacial es cero en la unión, a la derecha es positiva y a la izquierda
negativa. Esta distribución constituye una capa eléctrica dipolar, que tiene líneas de flujo de derecha a
izquierda y que corresponde a una intensidad de campo negativa E. El equilibrio se establece cuando el
campo es lo suficientemente fuerte como para contrarrestar el proceso de difusión. Planteando
alternativamente, en las condiciones de equilibrio la corriente de desplazamiento de huecos (electrones)
2 Electrónica analógica  Martínez Bernia y Asoc.
deberá ser igual y opuesta a la corriente de difusión de los huecos (electrones), de tal manera que el
total de la corriente de huecos (electrones) se reduce a cero como debe ser en un sistema en circuito
abierto. En otras palabras, no hay un estado de movimiento permanente de cargas en la unión.
Figura 3-1.
La curva de intensidad de campo es proporcional a la integral de la curva de la densidad de
carga. Esta condición se deduce de la ecuación de Poisson:
d 2V ρ
=− ( 3-1)
dx 2
ε
en la que ε es la permitividad. Si εr es la constante dieléctrica relativa y εo es la permitividad en el vacío
entonces ε = εrεo. Integrando la ecuación anterior y recordando que E = -dV/dx, se tiene:
ρ
E=∫
x
dx ( 3-2)
−wp ε
en la que E = 0 a x = -wp.
La variación del potencial electrostático en la región de transición es la integral negativa de la
función E. Esta variación constituye una barrera de energía potencial opuesta a la prosecución de la
difusión de huecos a través de la barrera. Es similar a la que aparece contra la fluencia de electrones
pero invertida ya que la carga de los electrones es negativa. Aparece, en la zona de transición, el
potencial de contacto Vo.
En resumen, en un circuito abierto, la corriente total de huecos debe ser cero. Si esta
condición no fuese cierta, la densidad de huecos en un extremo del semiconductor debería seguir
creciendo indefinidamente con el tiempo, lo cual es, desde luego, físicamente imposible. Puesto que la
 Martinez Bernia y Asoc. Capítulo 3. Diodo. 3
concentración de huecos en el lado p es mucho mayor que en el lado n, una gran corriente de difusión
de huecos tiende a atravesar la unión desde el material tipo p al n. Como aparece un campo eléctrico
en la unión, hay una corriente de desplazamiento de huecos del lado N al P que equilibra la situación.
Esta condición de equilibrio permite calcular la altura de la barrera de potencial Vo en función de las
concentraciones de donadores y aceptadores. El valor númerico de Vo es de un orden de magnitud de
unas pocas décimas de voltio.
3.2 La unión PN como diodo rectificador.

La característica esencial de una unión pn es la de que constituye un rectificador que permite
un flujo fácil de cargas en una dirección, pero se opone a la circulación en dirección opuesta.
3.2.1 Polarización inversa.

Si se conecta una batería, se dice que la unión pn está polarizada en inversa cuando el terminal
negativo de la batería se conecta al lado p de la unión y el positivo al lado n. La polaridad de la unión
es tal que tiende a llevar los huecos del tipo p y los electrones del tipo n a alejarse de la unión. En
consecuencia, la región de densidad de cargas negativas se extiende hacia la derecha de la unión, y la
región de la densidad de las cargas positivas se desplaza hacia la izquierda. No obstante, este proceso
no puede continuar indefinidamente, ya que para tener una afluencia de huecos hacia la izquierda, estos
huecos deberían alimentarse de la región tipo n del Silicio, y hay muy pocos huecos en el lado n. Por lo
tanto, en principio resultará una corriente cero. Sin embargo, fluye una pequeña corriente debida a los
pocos pares de electrones huecos que se generan en el cristal como resultado de la energía térmica. Los
huecos así formados en el Silicio de tipo n atraviesan la unión. Algo similar les ocurre a los electrones
generados térmicamente en el Silicio tipo p. Esta pequeña corriente, como se verá más adelante, es la
corriente inversa de saturación del diodo y su valor se designa por Io. Esta corriente inversa del diodo
aumentará a medida que crece la temperatura. Por lo tanto, se ve que Io es independiente de la tensión
inversa aplicada.
Figura 3-2. Distribución de cargas en diodo polarizado inversamente.

El mecanismo de la conducción en sentido inverso puede también describirse de la siguiente
forma: cuando no se aplica tensión a un diodo pn, la barrera de potencial en la unión es la la de
contacto qVo. Cuando el diodo se le aplica la tensión V con la polaridad señalada la altura de la barrera
de potencial aumenta hasta un valor de qV. Este incremento reduce el vacío de los portadores
mayoritarios. No obstante, como los portadores minoritarios están por debajo de la altura de la barrera
de potencial, no son afectados en absoluto por este incremento de la barrera. A la tensión aplicada en
el sentido indicado se le denomina polarización inversa o de bloqueo.
3.2.2 Polarización directa.

Si ahora se aplica el terminal negativo de la batería al lado n de la unión y el positivo al lado p
estamos ante la polarización directa. En un diodo ideal pn, la caída óhmica de tensión en el cristal es
nula. Al aplicar una tensión directa V al diodo, se reducirá la barrera de potencial en la unión. Por lo
tanto, con polarización directa, los huecos atravesarán la unión desde la región tipo p hasta la tipo n, lo
que constituirá un inyección de portadores minoritarios. De forma similar, los electrones atraviesan la
unión en sentido inverso y se transforman en una corriente minoritaria inyectada hacia el lado p. Los
huecos que circulan de izquierda a derecha constituyen una corriente en la misma dirección que los
electrones que se mueven de derecha a izquierda. Por lo tanto, la corriente resultante que atraviesa la
unión es la suma de la corriente de los huecos y de los electrones minoritarios.
Figura 3-3. Distribución de cargas en diodo polarizado directamente.
3.3 Las corrientes en un diodo PN.

Ya se ha visto que cuando se polariza un diodo de manera directa se inyectan huecos en el lado n y
electrones en el p. En este apartado se va a considerar una inyección a bajo nivel, de tal forma que la
corriente de minoritarios sea debida exclusivamente al fenómeno de difusión, despreciando por tanto
la corriente de desplazamiento de minoritarios.
Corrien t e
Reg ión de transición
Corriente total, I
I pp, corri ente de huecos I nn, corri ente de electrones
Ipn, corri ente de difusión

de h uuecos
I np, corri ente de difusión
de e lectrones
Reg ión p Reg ión n Dis ta nc ia
Figura 3-4.
Así la corriente minoritaria huecos en la unión (x=0) será:
AqD p
I pn (0) = [ pn (0) − pno ]
Lp
( 3-3)
Además, en estas condiciones de polarización directa, se puede aplicar la ecuación de
Boltzmann. Si se llama pno la concentración de portadores minoritarios en el equilibrio térmico (lejos
de la unión) y la tensión externa aplicada es V. Se puede establecer la siguiente ley de la unión:
V /V
p (0) = p e T ( 3-4)
n no
Sustituyendo la ecuación anterior en la ecuación de la corriente quedará:
AqD p p no  V / VT
I pn (0) = e − 1 ( 3-5)
Lp  
Igualmente ocurrirá con la corriente de electrones en el lado p.

AqDn n po  V / VT
I np (0) = e − 1 ( 3-6)
Ln  
Los electrones que atraviesan la unión en x=0 de derecha a izquierda, constrituyen una
corriente en la misma dirección que los huecos que la atraviesan de izquierda a derecha. Por lo tanto la
corriente total será la suma de las dos anteriores:
 AqDn n po AqD p pno  V / V   V / VT 

I = I pn (0 ) + I np (0 ) =  +  e T
− 1 = I o  e − 1 ( 3-7)
 Ln Lp    
 
3.4 Características tensión corriente.

En el estudio de componentes se pueden diferenciar dos tipos de características: las
características estáticas (en las que se ve la interrelación de las magnitudes implicadas) y las
características dinámicas (en las que se estudia la variación de una magnitud en función del tiempo,
ante un determinado estímulo).
El diodo es un dipolo pasivo en el cual la diferencia de potencial entre sus bornes y la
corriente que lo atraviesa están ligados por la ecuación:
I = I o (eV ηVT
− 1)
( 3-8)
Este dipolo es disipativo, absorbe siempre potencia ya que V e I son siempre del mismo signo.
El diodo está polarizado en sentido directo si V es positiva, indicando que el lado p de la unión es
positivo con respecto al n. En este caso tendremos un valor positivo de I, o sea que la corriente
circulará del lado p al lado n. La constante experimental η es conocida como el coeficiente de emisión, vale
la unidad para el Ge y aproximadamente 2 para el Silicio, con corrientes moderadas. El coeficiente VT
es el potencial térmico y viene dado por la ecuación:
kT T
VT = = ≈ 25.8mV
q 11600 ( 3-9)
Donde q es la carga del electrón, k es la constante de Boltzmann en J/ºK y T la temperatura
absoluta. Se denomina característica estática del diodo a la representación gráfica de la curva V = f (I).
Esta característica no es lineal y pone en evidencia el comportamiento unidireccional del dispositivo.
Figura 3-5. Característica del diodo I-V.

En la característica directa de un diodo semiconductor se pueden apreciar 3 zonas netamente
diferenciadas:
1. La zona inferior a la tensión de umbral (V0) corresponde a una zona de la característica en la cual
los valores de la corriente son muy pequeños (por ejemplo inferiores al 1% de la corriente nominal
del diodo) y casi despreciables. Por debajo de esta tensión el diodo no actúa realmente como
elemento unidireccional. Los diodos disponibles en el mercado son de Ge o de Si. Ambos diodos
son comparables en cuanto a sus corrientes, pero V0 es aproximadamente 0.2V para el Ge y 0.6V
para el Silicio.
2. Por encima de la tensión de umbral, la corriente crece rápidamente según una exponencial que
podemos aproximar:
(
I = I o eV ηVT
)
− 1 ≈ I o eV ηVT
( 3-10)
3. Cuando la corriente directa a través del diodo es importante, ya no es posible despreciar la caída de
tensión óhmica en las regiones p y n así como en los accesorios conductores (contraelectrodos,
shunts, terminales) del dispositivo. Cuando estas caídas de tensión óhmicas son preponderantes,
la característica se confunde con una recta.
En cuanto V alcanza un valor de varias décimas negativas de voltio, entramos en la característica
inversa del diodo.
(
I = I o eV ηVT
)
− 1 ≈ −I o ( 3-11)
La corriente inversa es pues muy pequeña con relación a la corriente directa. Sin embargo, el
diodo puede soportar en polarización inversa una elevada tensión inversa. El límite de dicha tensión es
la llamada tensión de perforación, que según los diodos puede variar de varias centenas a varios miles
de voltios. La expresión "perforación" debe tomarse en sentido figurado ya que el fenómeno que se
produce no es forzosamente destructivo, si lo será cuando las potencias en juego vi⋅ii alcanzan valores
superiores a los admisibles en la unión.
3.5 Resistencia del diodo.

La resistencia estática R de un diodo se define como la relación entre la tensión y la corriente
V/I. En un punto cualquiera de la característica i-v del diodo, la resistencia R es igual a la inversa de la
pendiente de la línea que une el punto de funcionamiento con el origen. La resistencia estática varía
extraordinariamente con V e I y no es útil su empleo como parámetro. Las propiedades de
rectificación de un diodo se indican en el catálogo o especificaciones técnicas del fabricante, dando la
tensión directa necesaria VF para tener una corriente directa dada IF, y también la corriente inversa IR a
una tensión inversa dada VR. Los valores típicos para un diodo de Silicio son VF = 0.8 V, a IF=10 mA
(que corresponde a una RF=80 Ω) e IR=0.05 µA, a VR=50 V (correspondiente a RR = 1000 M).
Para el funcionamiento con pequeñas señales, la resistencia dinámica, o incremental r, es un
parámetro importante y se define como la inversa de la pendiente de la característica i-v r ≡ dV/dI. La
resistencia dinámica no es una constante, sino que depende de la tensión de trabajo. Por ejemplo, para
un diodo semiconductor resulta que la conductancia dinámica g ≡ 1/r es:
dI I o eV ηVT I + I o
g≡ = = ( 3-12)
dV ηVT ηVT
Para una polarización inversa superior a unas décimas de voltio (para queV/ηVT >> 1), g
es extremadamente pequeño y r muy grande. Por otra parte, para una polarización directa superior a
unas décimas de voltio I >> Io, y r viene dada aproximadamente por:
ηVT
r≈ ( 3-13)
I
La resistencia dinámica varía inversamente con la corriente: a la temperatura ambiente y para η

= 2, r = 52/I, donde I se expresa en miliamperios y r en ohm. Para una corriente directa de 52 mA, la
resistencia dinámica es de 1 ohm. La resistencia óhmica del cuerpo del semiconductor puede ser del
mismo orden de magnitud o a veces mucho mayor. Aunque r varíe con la corriente, en un modelo
para pequeña señal es razonable emplear el parámetro como constante.
3.6 Polarización y recta de carga.

En general polarizar un dispositivo, es llevarlo a su punto de funcionamiento estático. En el
caso de un dipolo, como puede ser un diodo, este punto estará caracterizado por los valores de la
tensión-corriente. La representación gráfica de la ecuación del circuito es conocida como recta de carga.
Esta ecuación del circuito es insuficiente para determinar las dos incógnitas VD e I. Por tanto, una
segunda relación de estas dos variables se encuentra en la ecuación del diodo. La intersección de ambas
determinará el punto de trabajo y los valores VD e I.
V 
a) I =  
 R VD =0
b) VD = (V )I =0
a
VD
I
V I VR
R
VD b
3.6.1 Ejemplo
Determinar si conduce o no corriente el diodo del circuito anterior siendo V=10V., y R=1kΩ.
¿Cuál es la tensión entre los extremos del diodo, la corriente que pasa a través de él y VR ?
Solución
Representando la recta de carga en la curva característica del diodo, se obtiene el punto de
trabajo(Q): VD=0.78V; ID=9.25mA
I
10mA
(0.78V, 9.25mA)
9.25mA
0.78V 10V V
VR= ID∗R= 0.00925∗1000= 9.25 V ! VR=9.25V

Si observamos el potencial del diodo VD>0.7 que es normalmente el voltaje de codo a partir
del cual el diodo permite el paso de corriente. Por lo tanto: sí conduce corriente el diodo.
3.7 Dependencia de la temperatura.

La función i-v contiene implícita la temperatura en los símbolos VT e Io. Teóricamente, la
variación de Io respecto a T es de 8%/°C para el Si y de 11%/°C para el Ge. En los diodos
comerciales, estos valores son sólo aproximados. La razón de esta discrepancia es que, en un diodo
físico, existen componentes de la corriente inversa de saturación que son debidas a las fugas por la
superficie. Se ha observado experimentalmente que la corriente inversa de saturación crece
aproximadamente un 7%/°C, tanto en el Si como en el Ge. Ya que 1.0710≈ 2.0, deducimos que la
corriente inversa de saturación se duplica aproximadamente por cada 10°C de aumento de
temperatura. Si Io = Io1 a T = T1, cuando la temperatura es T, Io viene dado por:
I o (T ) = I o1 2(T −T1 ) /10 ( 3-14)
Si la temperatura aumenta manteniéndose la tensión, la corriente aumenta, pero si ahora se

reduce V, I puede volver a su valor primitivo. Tanto para el Si como para el Ge (a la temperatura
ambiente) se tiene:
dV
≈ −2.5mV / °C ( 3-15)
dT
para mantener un valor constante de I. Se debe observar que dV/dT disminuye cuando aumenta la
temperatura.
3.8 Capacidad de transición.

Cuando el diodo de unión es sometido a una polarización inversa, los portadores mayoritarios
se alejan de la unión aumentando la zona en la que existen cargas fijas no compensadas (iones
positivos de átomos dadores en el lado n e iones negativos de átomos aceptadores en el lado p). De ahí
que el grueso de la capa espacial aumente con la tensión inversa. La capacidad de transición se puede
definir como:
dQ
CT = ( 3-16)
dV
Vd
p n
Densidad de carga, ρ
N
p
0 Wn x
-W p
N A >> N
-Np D
Intensidad de campo,ε
W
x
0
−W p W
n
W p << W = W
n
Potencial, V
Vj
0 x
Donde dQ es el incremento en la carga provocado por el cambio de tensión dV. Se desprende de ello
que un cambio de la tensión dV en un tiempo dt da como resultado una corriente que viene dada por:
dV
i = CT ( 3-17)
dt
Por tanto, es importante conocer CT cuando se considera un diodo como elemento de un
circuito. El valor de CT no es constante, sino que depende de la tensión inversa.
Consideremos una unión PN en la que hay un cambio abrupto de iones aceptadores en uno de
los lados de la unión, o iones donadores en el otro. No es necesario que la concentración de iones
aceptadores NA sea igual a la concentración de impurezas donadoras ND. En la práctica, se obtienen
ventajas con una unión asimétrica. Puesto que la carga neta total debe ser cero, entonces:
N AW p = N DWn ( 3-18)
Si NA >> ND, entonces Wp << Wn ≈ W. La relación entre el potencial y la densidad de carga

viene dada por:
d 2V qN
=− D ( 3-19)
dx 2
ε
Las líneas de campo eléctrico parten de iones donadores positivos y terminan en los iones
aceptadores negativos. Por lo tanto, no hay líneas de campo a la derecha del límite x=Wn, E=-V/dx=0
en x = Wn ≈ W. Integrando la ecuación anterior sujeta a estas condiciones límite, se tiene:
= − D (x − W ) = − E
dV qN
( 3-20)
dx E
Para x = 0, el valor máximo será:
qN D W
E max = ; ( 3-21)
ε
Despreciando la pequeña diferencia de potencial en Wp, podemos escoger arbitrariamente
V=0 a x=0. Integrando la ecuación anterior de acuerdo con estas condiciones, se obtiene:
V =−
qN D 2
(
x − 2Wx ) ( 3-22)
2ε
Para x = W, V = Vj = potencial de unión o barrera, siendo:
qN DW 2
Vj = ( 3-23)
2ε
En esta sección se ha empleado el símbolo V para representar el potencial a cualquier distancia
de la unión. Así, se utilizará Vd para la tensión exterior aplicada al diodo. Como la barrera de potencial
representa una tensión inversa, queda disminuida por la tensión directa aplicada y, por tanto:
V j = Vo − Vd ( 3-24)
en que Vd es un número negativo para una polarización inversa y Vo es el potencial de contacto. Se ve

que W varía de la manera siguiente:
2ε (Vo − Vd ) 2εVo  Vd  V
W= = 1 −  = Wo 1 − d ( 3-25)
qN D qN D  Vo  Vo
#"!
Wo
Con lo que además:
qN DW o V 2V V
E max = 1− d = o 1− d ( 3-26)
ε Vo Wo Vo
Si A es el área de la unión, la carga en función de la distancia W será:
Q = qN DWA ( 3-27)
La capacidad de transición CT viene dada por:
dQ dW
CT = = qN D A ( 3-28)
dVd dV j
Como: dW/dVj = ε/qNDW y, por tanto:
εA
CT = ( 3-29)
W
Es interesante observar que esta fórmula es exactamente la expresión de la capacidad de un

condensador plano de placas de área A (metros cuadrados) y separación entre placas de W (metros)
con un dieléctrico de permitividad del semiconductor ε. Si no se desprecia la concentración NA, los
resultados anteriores sólo se modifican ligeramente. W representa la anchura total de la zona de carga
espacial y 1/ND queda reemplazada por 1/NA + 1/ND.
3.9 Capacidad de difusión.

Para simplificar el razonamiento se supondrá que uno de los lados del diodo, por ejemplo el
material p, está tanto más dopado que el n que toda la corriente I que atraviesa la unión sea debida a
los huecos que pasan del lado p al n, o sea, que I = Ip(0). Como ya se sabe:
dpn AqD p p'n (0 ) − x / L p

I p (x ) = − AqD p = e ( 3-30)
dx Lp
La corriente de huecos I viene dada por Ip(x) para x = 0, o sea:
AqD p p ' (0 )
I= ( 3-31)
Lp
El exceso de carga minoritaria Q existe sólo en el lado n y viene dada por:

∞
Q = ∫ Aqp' (0 )e dx = AqL p p ' (0 )
− x / Lp
( 3-32)
0
Eliminando p'(0) de las ecuaciones anteriores resulta:
Q
I= ( 3-33)
τ
Esta relación es conocida como descripción del control de la carga de un diodo y puntualiza que la
corriente de un diodo (consistente en huecos que cruzan la unión desde el lado p al n) es proporcional
a la carga Q de exceso de portadores minoritarios almacenada. El factor de proporcionalidad es la
inversa de la constante de tiempo (tiempo de vida media τ) de los portadores minoritarios. En
consecuencia, en estado de equilibrio, la corriente I suministra portadores minoritarios al mismos
ritmo en que desaparecen debido al proceso de recombinación.
Co nc en tra ción
Concentración
p (0)
n
p-tipo n-tipo p- tip o n- tip o
n p
p (0) n
Pn
pn
0
n´ p
n
Pn p0
0
np
0
np x= 0
x=0
Cuando se polariza directamente un diodo semiconductor, aparece una capacidad mucho

mayor que la capacidad de transición CT. El origen de esta gran capacidad reside en el almacenamiento
de cargas inyectadas cerca de la unión, fuera de la región de transición. Es conveniente introducir una
capacidad incremental, definida como la relación entre la variación de la carga inyectada y la tensión
aplicada, denominada capacidad de difusión o almacenamiento CD:
dQ dI τ
CD ≡ =τ =τ ⋅ g = ( 3-34)
dV dV r
donde g ≡ dI/dV es la conductancia incremental del diodo. Sustituyendo la expresión conocida de la
resistencia incremental del diodo r=1/g, se tiene:
τ ⋅I
CD = ( 3-35)
ηVT
Se ve que la capacidad de la difusión es proporcional a la corriente I. En la deducción anterior
hemos supuesto que la corriente del diodo I sólo es debida a los huecos. Si no se cumple esta
suposición, la ecuación dará la capacidad de difusión CDp debida únicamente a los huecos y se puede
obtener una expresión similar para la capacidad de difusión CDn debida a los electrones. La capacidad
de difusión total será la suma de CDp y CDn. Con polarización inversa, g es muy pequeña y CD puede
despreciarse comparada con CT A pesar del elevado valor de CD, la constante de tiempo rCD (que es la
importante en los circuitos de aplicación) puede no ser excesiva, ya que la resistencia dinámica directa r
= 1 / g es pequeña. Se puede obtener:
rC D = τ ( 3-36)
Por lo tanto, la constante de tiempo del diodo es igual a la vida media de los portadores
minoritarios, que suele variar desde los nanosegundos a cientos de microsegundos.
3.10 Perforación del diodo.

La perforación puede obedecer a dos procesos diferentes:
• Perforación por avalancha. Si un electrón libre con la suficiente energía cinética choca con un
átomo de Silicio, puede romper el enlace covalente y liberar un electrón del enlace. Si la energía
cinética se alcanza por un campo eléctrico aplicado, tal como tensiones inversas aplicadas a través
de la capa de la carga espacial, la liberación del electrón del enlace se denomina ionización por
impacto. Este proceso es importante ya que el electrón liberado nuevamente puede ganar
suficiente energía del campo aplicado para romper un enlace covalente cuando choca con un
átomo de Silicio liberando así un electrón adicional. Este proceso puede dar lugar a una reacción
en cadena muy rápidamente de forma que se produzca un gran número de electrones libres y, de
este modo, una gran corriente. Si ocurre esto, se dice que la unión está en ruptura por avalancha y
la disipación de energía (el producto de la gran tensión aplicada y la gran corriente de avalancha)
destruirá el dispositivo a menos que la tensión aplicada se reduzca por debajo del valor necesario
para mantener la ruptura por avalancha muy rápidamente.
Se necesita un valor prácticamente constante del campo eléctrico, EBR, para producir una
ionización por impacto apreciable de acuerdo con observaciones experimentales. Este valor se
puede estimar a partir de un modelo muy simple. La cantidad necesaria para romper un enlace es
la energía "gap" Eg, suponiendo que toda la energía cinética del electrón libre fortuito se
transfiriera al enlace roto y que los electrones liberados y fortuitos tuvieran una pequeña energía
cinética después de la colisión. Si ahora se supone que estos electrones empiezan a descansar y se
aceleran mediante el campo eléctrico hasta sus próximas colisiones y que el tiempo entre colisiones
es tc, entonces el valor de EBR por ionización por impacto es:
2
1 2 1  qE 
mv = m tc  = E g ( 3-37)
2 2  m 
2E g m
E=
q 2 t c2
( 3-38)
En esta ecuación m es la masa del electrón (alrededor de 10-27 g) y q es la carga del electrón. El
tiempo medio entre colisiones de los electrones con el látice es del orden de 10-12 a 10-14 s. Tomando
un valor intermedio de 10-13 s para el Silicio y usándolo en la ecuación anterior se obtiene un valor
aproximado para EBR de 300000 V/cm. Esta estimación es sorprendentemente cercana al valor
experimental de 200000 V/cm determinado para mediciones de la ruptura por avalancha en
dispositivos de potencia.
Para conocer la tensión inversa de ruptura se pueden recordar las ecuaciones empleadas en la
obtención de la capacidad de transición, haciendo EBR=Emax y Vd= -VBR, quedará:
2V o V
E BR = 1 + BR ( 3-39)
Wo Vo
2 2
W E  W E 
V BR = V o  o BR  − V o ≈ V o  o BR  ( 3-40)
 2V o   2V o 
Haciendo algunas modificaciones:
2
 
qN DW o  W o 
2
W E  1 ε E BR ( 3-41)
V o  o BR  =  qN W E BR  = ≈ V BR
 2V o  2ε  D o  2 qN D
 2ε 
• Perforación por efecto zener. Aún cuando los portadores asequibles inicialmente no adquieran
suficiente energía para romper los enlaces, se puede iniciar la avalancha por ruptura directa de los
enlaces. Al polarizar el diodo en inverso, la elevación de la barrera de potencial da lugar a un
campo eléctrico en la zona de deplexión. Debido a la existencia de dicho campo, cabe que éste
ejerza una fuerza suficientemente elevada sobre un electrón, de tal manera que se rompa su enlace
covalente apareciendo pares electrón-hueco distintos de los de origen térmico. Debido a la
creación de estos portadores la corriente inversa aumenta rápidamente; sin embargo, la tensión
VBR permanece casi constante. Nótese que este proceso no implica la colisión de portadores
contra los iones del cristal.
En la práctica, cuando la tensión en bornes de un diodo polarizado en inverso llega al valor
VBR el proceso que aparece puede participar de ambos fenómenos. De todos modos, el efecto sobre el
diodo depende enormemente de las características del circuito, así como de la duración del mismo. El
hecho de que un diodo quede destruido por sobrepaso de VBR depende de la duración del mismo y de
la energía puesta en juego.
3.11 Circuito equivalente del diodo.

La aproximación lineal para grandes señales proporciona a menudo soluciones
suficientemente satisfactorias para la mayor parte de aplicaciones en ingeniería electrónica. Por
ejemplo, una aproximación lineal para la característica de un diodo semiconductor sería la indicada en
la figura siguiente. El punto de rotura umbral o partida no es el origen, sino Vγ. El diodo se comporta
como un circuito abierto para V < Vγ y con una resistencia incremental constante r=dV/dI si V>Vγ.
Obsérvese que la resistencia r (también designada por Rf y denominada resistencia directa) tiene un
significado físico incluso para este modelo de gran señal, mientras que la resistencia estática RF =V/I
no es constante y por lo tanto resulta poco útil. Esta representación tiene la ventaja de que es posible
escribir la ecuación de la característica directa de la forma: Vd = Vo + ρ ⋅ I d . Si la polarización es
inversa el circuito equivalente sería una resistencia de valor elevado que impediría el paso de corriente.
Figura 3-6. Circuitos equivalentes en polarización directa a), e inversa b). En c) se

muestra la característica considerando estas equivalencias.
Los valores numéricos Vγ y Rf dependen del tipo de diodo y de los valores de la tensión
corriente. Por ejemplo, se puede encontrar que, para una variación de corriente desde el corte hasta los
10 mA en un diodo de Ge, los valores adecuados son Vγ = 0.2 V y Rf = 20 Ω, y para los diodos de
Silicio, Vγ = 0.65 V, Rf= 5.5 Ω. Para un diodo de avalancha, Vγ = VZ y Rf es la resistencia dinámica en
la región de avalancha.
Para finalizar, cuando se quiera incorporar el comportamiento dinámico del diodo, habrá que
incluir en paralelo con el circuito anterior las capacidades de difusión y transición.
3.11.1 Ejemplo 1
Obtener los resultados pedidos en el ejemplo anterior, pero considerando ahora el modelo
equivalente aproximado del diodo.
Solución:
La recta de carga se ha redibujado en la figura siguiente, con las mismas intersecciones que en
el problema anterior. En este caso el punto Q será:
VD0=0.7V; ID0=9.25mA
Se puede observar de los resultados obtenidos que ID es el mismo que en el caso anterior,
utilizándose una curva que es de características más fáciles que la del problema anterior, mientras que
si comparamos VD=0.7V con 0.78V(del problema anterior), el orden es de magnitud diferente en el
orden de las centésimas. En resumen, considerando el modelo equivalente del diodo obtenemos
soluciones bastante parecidas que utilizando la gráfica de características del diodo.
I p (mA)
Punto Q
Recta de carga
0.7V
Id
0 V DQ=0.7V VD
3.11.2 Ejemplo 2
Para la configuración de diodos en serie de la siguiente figura determinar VD, VR, ID
VD
IR
ID
Si
E 8V R 22 kΩ VR
Solución:
Como la tensión aplicada establece una corriente en la dirección de las manecillas del reloj
VD=0.7V por tratarse del silicio
VR=E – VT=8V – 0.7 V=7.3V!VR=7.3V
ID=IR=VR/R=7.3V/2.2kΩ=3.32mA!ID=3.32mA
3.11.3 Ejemplo 3
Realizar el problema anterior pero en este caso con el diodo invertido
Solución:
En este caso la dirección de la intensidad es opuesta a la flecha en el símbolo del diodo por lo
tanto el equivalente del diodo será un circuito abierto.
ID = 0 A IR = 0 A
VD
E 8V R 22 kΩ VR
ID=IR=0A al ser circuito abierto no circula intensidad

VR=0 ya que VR=IR∗R
Al aplicar la ley de la tensión de Kirchhoff alrededor de la malla cerrada:
E-VD-VR=0!VD=E-VR=E-0=8V!VD=8V
Lo que podemos hacer notar de este problema que en el circuito abierto la corriente es de 0A,
pero que puede tener cualquier voltaje a través de sus terminales.
3.11.4 Ejemplo 4
Determinar V0, ID para el siguiente circuito en serie.
Si Ge IR
12 V V0
ID
5.6 KΩ
Solución:
Como podemos observar en el circuito equivalente:
IR
ID 0.7 V 0.3 V
12 V 5.6 KΩ V0
E
La dirección de corriente tiene el misma dirección que los simbolos de las flechas de ambos
diodos, donde en este caso sustituiremos por dos fuentes de tensión ya que E=12V>(0.7V +
0.3V)=1V
La tensión resultante por la ley de mallas será:
V0=E – 0.7V – 0.3V=11V! V0=11V
ID=IR=VR/R=V0/R=11V/5.6k Ω =1.96mA!ID=1.96mA
3.11.5 Ejemplo 5
Obtener VA en el circuito de la figura, sabiendo que el diodo es ideal.
12 V
10 kΩ
8 V
Solución:
Vamos a suponer primero en el caso de conducción por lo tanto calcularemos primeramente el
circuito cerrado como el siguiente
12 V
10 kΩ
VA
A
iD
C
-8 V
3.11.6 Ejemplo 6
Determinar VB en el circuito de la figura, siendo un diodo ideal.
10 V
5 kΩ
V C
5 kΩ 5 kΩ
6 V
Solución:
Veremos como en el problema anterior primeramente si se puede sustituir el diodo ideal, de
tal forma que el circuito está cerrado, es decir, de conducción.
Para ello nos interesará calcular la parte de la izquierda del circuito, a partir de Thevenin.
Obtendremos el siguiente circuito:
2.5 kΩ
A C
VC
iD
5 kΩ
5 V
6 V
Por último tendremos que calcular iD, los cálculos a realizar serán:
2.5k Ω iD+5k Ω iD=5V-6V! iD=-1mA/7.5mA!iD=-0.13mA
Se puede observar que la intensidad obtenida es negativa, por lo que el diodo estará en
polarización inversa. Así, vemos que no estará en situación de conducción al contrario de lo que
habíamos supuesto.
Vamos a realizar en el caso que el circuito este abierto, es decir, no conducción. El circuito de
abajo nos expone como quedaría en este caso:
2.5 kΩ
A C
VC
vD
5 kΩ
5V
6V
Como circula corriente nula

vA=5V y vC=6V !vD= vA -vC=-1V! vD=-1V
Se puede observar que el diodo está polarizado en inversa al salirnos una vD negativa.
El resultado que nos pide el problema, se observa claramente en el circuito que VC=6V
3.11.7 Ejemplo 7
Obtener Ii y VD2 para el circuito de la figura si Vi=5V suponiendo que el diodo es ideal
D1
Ii
5k
5V 2k D2 VD2
Solución:
En este caso se puede observar que D1 conduce y que D2 no conduce. Esto supone que la
resistencia de 5K Ω estará cortocircuitada. Tendremos entonces es siguiente circuito:
0.7 V
5k
5V 2k VD2
La corriente será:
5V=2K Ω ∙ I!I=2.5mA
Como la intensidad es positiva sabemos con total certeza que la polarización será directa como
habíamos supuesto.
El voltaje entre los extremos del diodo D2 será:
VD2=2.5mA ∙ 2K Ω =5V!V D2=5V
3.11.8 Ejemplo 8
Determinar V0, ID1, ID2 para la configuración de los diodos de la figura
IT 0.3 3 k
V0
ID1 ID2
10 V D1 D2
Solución:
Para el voltaje aplicado, la “presión” de la fuente es para establecer una corriente a través de
cada diodo en la misma dirección que se muestra en al figura de abajo. Debido a que la dirección de la
corriente resultante es igual a la de la flecha en cada símbolo del diodo, y que el voltaje aplicado es
mayor que 0.7V, ambos diodos están en estado “encendido”. El voltaje a través de los elementos en
paralelo es siempre el mismo y V0=0.7V porque se tratan de diodos de silicio. Su circuito equivalente
será:
0.3 5 k
10 V
0.7 V 0.7 V
D2 D1
La corriente
Ii=VR/R=(E – VD) /R =(10V – 0.7V)/0.33K Ω =28.18mA! Ii=28.18mA
Como los dos diodos son de características similares
ID1=ID2=Ii/2=28.18mA/2=14.09mA! ID1=ID2=14.09mA
Con este problema se puede ver claramente, el porque nos interesa poner los diodos en
paralelo. La corriente nominal de los diodos es solo de 20mA, una corriente de 28.18mA dañaría el
dispositivo si estuviera solo. Al colocar dos en paralelo la corriente está limitada aun valor seguro de
14.09mA.
3.12 Características dinámicas.

Si al cerrar un circuito el diodo queda polarizado en directo, se establece en él una circulación
de electrones junto con otra circulación en sentido contrario de huecos. En cambio si la polarización
resulta ser inversa no se establece ninguna circulación de portadores significativa. Una vez anulada la
polarización existente, los portadores en circulación deben de volver a almacenarse, es decir, se debe
restablecer la configuración de cargas inicial correspondiente al punto origen de la característica I-V.
Pero si esto no es así, y las polarizaciones directas e inversas se suceden sin que haya tiempo suficiente
para el almacenamiento de los portadores. El diodo no describirá la curva I-V, y su funcionamiento se
mostrará por las características dinámicas. Estas describen la evolución en el tiempo de la tensión
directa (c.d.t. en extremos del diodo) y la corriente que atraviesa el diodo.
Consideremos la figura siguiente, si al circuito a) se le aplica la tensión de entrada en escalón b),
la estructura interna del diodo pasará de polarización directa a inversa. La corriente y la tensión en
extremos del diodo experimentarán una variación como las mostradas en c) y d). En dichas
representaciones se ve que el diodo no bloquea instantáneamente la tensión VI inversa aplicada,
debido a la existencia de gran número de portadores en circulación. Dichos portadores deberán

retroceder para alcanzar la situación de equilibrio, estableciéndose una corriente de valor -VI/RL. Esta
corriente se mantendrá hasta que se alcance una configuración de cargas sin polarización alguna y
durante el tiempo denominado de almacenamiento ts, que dependerá del número de portadores en
juego. Igualmente la caída de tensión en el diodo baja ligeramente y sigue siendo positiva debido a que
la distribución de portadores es la misma aunque su concentración va disminuyendo durante el
almacenamiento.
Una vez transcurrido el tiempo de almacenamiento la corriente comienza a anularse por la
ausencia de portadores y la c.d.t. directa comienza a invertirse hacia VI, llegará a este valor cuando la
carga de transición de la unión haya tomado el valor correspondiente a la tensión de alimentación
aplicada, este proceso transcurre durante el tiempo de transición tt.
Los fabricantes suelen proporcionar el tiempo conocido como tiempo inverso de recuperación y es
igual a trr=tt+ts que es el tiempo necesario para que el semiconductor recupere su total capacidad de
bloqueo respecto a una tensión inversa, cuando pasa de polarización directa a inversa. Si se considera,
que el valor máximo de la corriente inversa Irr no es constante durante todo el ts, como se muestra en la
gráfica c, sino que es una recta de pendiente negativa, se suele definir:
dir di
I rr ≈ t s ≈ t rr r ( 3-42)
dt dt
Así la carga de recuperación inversa Qrr es la cantidad de portadores que fluyen en dirección
inversa a través del diodo. Esta será igual a:
1 1 1
Qrr = I rr ts + I rr tt = I rr trr ;
2 2 2
2Qrr
I rr = ; ( 3-43)
trr
2Qrr di
trr ≈ t s ⇒ trr ≈ ⇒ I rr = 2Qrr r
dir dt
dt
Igualmente se define trf tiempo de recuperación directo tiempo necesario para alcanzar su estado de
plena conducción cuando pasa de polarización inversa a directa.
Figura 3-7. Características de conmutación del diodo.

3.12.1 Ejemplo.
El tiempo de recuperación inversa de un diodo es trr = 3µs y la velocidad de decremento o de
reducción de la corriente del diodo diF/dt = 30 A/µs. Determinar: a) la carga de almacenamiento Qrr y
b) la corriente inversa de pico Irr.
a) Qrr =
1 dir 2
(
t rr = 0.5 ⋅ 30 A µ 3 ⋅10 −6
s
)
2
= 135µC
2 dt
dir
b) I rr = 2Qrr = 2 ⋅135 ⋅10 −6 ⋅ 30 ⋅10 −6 = 90 A.
dt
3.13 Pérdidas de potencia en el diodo.

De forma general todos los elementos conductores y dispositivos semiconductores son
disipativos y pueden ser considerados como multidipolos. Siendo v1, v2, v3,....vn las tensiones
instantáneas de cada dipolo, e i1, i2, i3,....in las intensidades instantáneas correspondientes a cada dipolo,
el valor medio de la potencia perdida Pp durante un período T es:
De forma general todos los elementos conductores y dispositivos semiconductores son
disipativos y pueden ser considerados como multidipolos. Siendo v1, v2, v3,....vn las tensiones
instantáneas de cada dipolo, e i1, i2, i3, .... in las intensidades instantáneas correspondientes a cada
dipolo, el valor medio de la potencia perdida Pp durante un período T es:
1 n T
Pp = ∑ ∫ vn in dt
T n=1 0 ( 3-44)
Es necesario conocer éstas pérdidas para realizar un análisis de su evacuación y de las
temperaturas alcanzadas.
Consideremos un cilindro conductor o semiconductor y admitamos que posee dos
conductores de conexión a través de los cuales pueden ser conectados un circuito exterior, por el que
pasa una corriente i bajo una caída de tensión ∆u. Supongamos que se encuentra térmicamente
aislados, de un modo perfecto, por lo tanto no existe transmisión de calor al exterior ni por su
superficie ni a través de las conexiones eléctricas. En estas condiciones toda la energía generada en su
interior se emplea únicamente en elevar su temperatura, es lo que se conoce como proceso adiabático.
Transcurrido un tiempo t de circulación de la corriente i, la energía disipada Wp en la parte activa:
W p = uit = P p t ( 3-45)
Siendo Pp la potencia perdida.

Esta energía se transforma íntegramente en calor y representa indistintamente la energía
eléctrica perdida en el cilindro considerado o la cantidad de calor generada en el mismo.
Las pérdidas que aparecen en un elemento semiconductor son de origen eléctrico; son debidas
a las caídas de tensión y a las corrientes; depende en parte de las características del elemento
semiconductor. Para los semiconductores de potencia se pueden distinguir las siguientes pérdidas, que
dependen según el modo de funcionamiento.
3.13.1 Pérdidas en conducción de corriente directa.

En régimen permanente en la mayoría de los casos la corriente circulante por un elemento
semiconductor es periódica con un periodo T, así el valor medio de la pérdida de potencia viene dado
por:
T
1
T ∫0
Pc = i F u F dt = I FAV u F δ ( 3-46)
Normalmente sólo las pérdidas que aparecen durante la conducción de corriente directa tienen
una influencia sobre el elemento rectificador. Las otras pérdidas son despreciables. Solamente se
toman en consideración las pérdidas debidas a la conmutación del estado de bloqueo al estado de
conducción y viceversa en el caso de convertidores estáticos de conmutación forzada, o si la frecuencia
de cebado y descebado supera algunas centenas de Hz.
Para el diodo o el tiristor el cálculo de las pérdidas durante la conducción de corriente directa
se puede simplificar reemplazando las características por la característica aproximada con una
resistencia diferencial Rf y una tensión de umbral UFS, correspondiendo con la recta:
u F = U FS + R f iF ( 3-47)
donde
uF es el valor instantáneo de la tensión directa, en V;
UFS es la tensión umbral, en V;
iF es el valor instantáneo de la corriente directa, en A.
Los valores numéricos para UFS y Rdif son dados por los fabricantes en las hojas de
características. Las pérdidas medias se obtienen en la relación:
T T
1 1
PF =
T0∫ iF uF dt = ∫ iF (U FS + R f iF dt =
T0 ( 3-48)
= I FAVU FS + R f I ef2
Donde Im es la corriente media e Ief la corriente eficaz que recorre el elemento rectificador.
Recordando las definiciones de valor medio, eficaz y factor de forma de una corriente periódica:
T T
1 1
T ∫0 T ∫0
Im = i ( t ) dt ;I ef = i ( t ) dt ;
( 3-49)
I ef
kf =
I FAV
quedará :
[
PF = I FAV U FS + R f I ef2 = I m U FS + R f k 2f I FAV ] ( 3-50)
Se pueden presentar varios casos típicos:
• Onda rectangular de amplitud I y anchura 2π q .Circuitos rectificadores con carga puramente

inductiva.
1  2π  I
Im =  I =
2π  q  q
1  2π 2  I
I ef =  I  = ( 3-51)
2π  q  q
kf = q
Con lo que:
[
PF = I m U FS + R dif qI m ] ( 3-52)
• Onda sinusoidal unidireccional. Se estudiará el caso general:

βπ βπ
1 1
= ∫απ I F u F sen xdx + 2π ∫R xdx =
2 2
PF I F sen
x =ω t
2π
dif
απ ( 3-53)
2 βx
R I x 1 
=
IFuF
[− cos x ]αβxx + dif F  2 − 4 sen 2 x 
2π 2π αx
Para algunos casos frecuentes:
IF
0 απ βπ π
Figura 3-8 Caso monofásico.
• Monofásico simple alternancia.

α = 0; β = 1
R dif I m π  π   
2
I u π2 ( 3-54)
PF x =ω t
= m F 2+   = I m  u F + R dif I m 
2 2 2  4 
IF IF π
Im = ; I ef = ;K f = ;
π 2 2
• Trifásico.
1 5
α = ;β = ;
6 6
2π  π 3
PF x =ω t
=
ImuF
3 + R dif I m
2
 + [
 = I m u F + 3 . 11 R dif I m ] ( 3-55)
3 3 3 4 
IF 3
Im = ; I ef = 0 . 675 I F ; K = 1 . 76 ;
2π
f
• Algunos fabricantes ofrecen la siguiente aproximación genérica:
Pf = I m ⋅ U FS + Rdif ⋅ I ef2 ( 3-56)
I ef2 360
= ; Para un pulso rectángular. ( 3-57)
I 2
m α
I ef2 180
≈ 2 .5 ⋅ ; Para sinusoidal unidireccional ( 3-58)
I 2
m α
3.13.2 Pérdidas en conmutación de corriente directa.

Para frecuencias mayores de 100Hz se utilizan normalmente diodos rápidos, ultra rápidos y
diodos schottky. En estos casos son ya significativas las pérdidas en conmutación, siendo despreciables
las de puesta en conducción, las del transitorio de bloqueo son las que hay que determinar. Para una
pendiente dIF/dt y una corriente inversa IRM el fabricante proporciona la carga máxima de
recuperación QR. Conociendo la tensión inversa que va a soportar el diodo inmediatamente después
del bloqueo VR y la frecuencia de conmutación las pérdidas de potencia será:
Ps = Q RVR f ( 3-59)
3.14 Protección en los diodos.

Los circuitos de protección son necesarios para minimizar las sobretensiones en los extremos
del semiconductor. Estas son debidas al efecto combinado de la inductancia del transformador y de la
capacidad de la unión del semiconductor en el tiempo de bloqueo, que produce un transitorio en
tensión cuyo valor máximo puede superar su capacidad de bloqueo, llevándolo a la destrucción. Para
su protección de acude a circuitos RC, normalmente en paralelo con el dispositivo, donde el
condensador se elige aproximadamente cuatro o diez veces mayor que la capacidad de la unión.
Csnubber = 10 ⋅ C j ( 3-60)
Algunos diseñadores simplifican el diseño centrándose en el circuito con τ=RC Es usual elegir
este tiempo como un tercio del tiempo de conmutación:
3 Rsnubber C snubber = Tc = 1 f ;
c
( 3-61)
1
Rsnubber = ;
3 f c C snubber
La energía disipada en el condensador y por tanto la que determina la potencia de la resistencia a elegir
es:
1 1
WC = CU R2 = WR ⇒ PR = CU R2 f c ( 3-62)
2 2
Si no se conoce Cj, se puede aproximar:
Qrr 1 I rr trr
Cj = = ( 3-63)
UR 2 UR
3.15 Hojas características del diodo.

Al utilizar un semiconductor, el proyectista debe disponer de información suficiente para
seleccionar, en función de las tensiones y corrientes reales del circuito, predeterminadas por cálculo, el
semiconductor más adecuado. Los parámetros que caracterizan las posibilidades de utilización de un
semiconductor se clasifican en dos grupos diferentes:
• Los límites absolutos de utilización.
• Las magnitudes características o características de funcionamiento.
Los límites absolutos de utilización son parámetros relacionados con la fatiga del componente
y, en general, no pueden ser medidos por el usuario ya que su determinación requiere un gran número
de ensayos destructivos. Por el contrario, las características de funcionamiento se pueden medir en
condiciones especificadas.
3.15.1 Límites absolutos de utilización.

Tal como se ha dicho, son determinados por el fabricante a partir de un gran número de
ensayos y tomando en consideración la experiencia acumulada en ensayos precedentes y las leyes de
cálculo de probabilidades. El fabricante garantiza para todos los semiconductores de un tipo el valor
de un parámetro determinado. Sin embargo, debido a la dispersión inevitable de los resultados de
fabricación, ciertos dispositivos del lote admitirían valores mucho más elevados sin fatiga exagerada.
La dispersión es más importante para los semiconductores obtenidos por aleación que para los
fabricados por difusión. Ejemplo típico de límite absoluto de utilización es el valor máximo del par de
apriete a aplicar para alojar el semiconductor en su radiador. Es evidente que para definir su valor ha
de procederse a un gran número de ensayos destructivos, tomando después un margen de seguridad
razonable.
Los límites absolutos de utilización son definidos por las diferentes Normas. Sin embargo, el
valor de ciertos parámetros depende mucho del circuito de medida utilizado y de las condiciones de
medida. En algunos caso las definiciones no son comparables. Los principales límites de utilización
son:
• El valor máximo del par de apriete.
• Las diferentes tensiones que puede soportar el diodo.
• La intensidad de corriente admisible en régimen permanente.
• El producto I2t.
• Los límites de temperatura de utilización y de almacenamiento.
3.15.2 Magnitudes características.

Los parámetros de este grupo pueden ser medidos por el usuario que puede imponer una
especificación al fabricante. Para que estas características sean comparables deben precisarse las
condiciones de medida: circuito utilizado, temperatura, etc.
En general el fabricante no garantiza el valor de una magnitud característica. Puede indicar
valor máximo o mínimo en cuyo caso, garantiza dicho máximo o mínimo como valor límite de la
magnitud característica. Si indica que se trata de un valor típico quiere decirse que se trata de un valor
obtenido en la mayoría de los semiconductores de un lote pero que no está garantizado. Un valor
típico no es forzosamente un valor medio.
La figura siguiente representa las características directa e inversa de un diodo de potencia y
permite una representación gráfica condensada de los principales parámetros que se definen a
continuación.
I
F 1º
2º g
t
I FSM
I FRM
i (t)
F
RSM
V RRM VRWM 0 V
(T0)
VF t
VR
I = corriente directa
F
I = corriente directa de cresta repetitiva

FRM
v (t)
R I FSM = corriente directa de cresta no
repetitiva
V = tensión inversa
R
V RWM = tensión inversa de cresta de
trabajo
V = tensión inversa de cresta repetitiva

t RRM
V = tensión inversa de cresta no

RSM repetitiva.
3º 4º
Corrientes:
• IF (Forward current): Corriente directa. Es la corriente que circula a través del diodo de potencia en el
sentido de su menor resistencia.
• IFRM (Peak forward working current): Corriente directa de cresta repetitiva. Valor de cresta de la
corriente directa incluyendo todas las corrientes transitorias repetitivas.
• IFRMS (RMS forward current): Valor eficaz de la corriente directa. Valor eficaz de dicha corriente
sobre un período completo.
• IFAV (Mean forward current): Valor medio de la corriente directa. Valor medio de dicha corriente
integrado sobre un período completo.
• IOV (Overload forward current): Corriente directa de sobrecarga. Es una corriente directa cuya forma
es sensiblemente la misma que la de la corriente normal pero de amplitud más elevada. Se
considera como "normal" la que circula a través del dispositivo en régimen permanente.
• IFSM (Surge forward current): Corriente impulsional de cresta no repetitiva. Valor de cresta de un
impulso de corriente de corta duración o de forma especificada.
• iF (Forward current (instantaneous value)): Valor instantáneo de la corriente directa.
• IFWM (Peak forward working current): Valor de cresta de trabajo de la corriente directa. Es el valor de
cresta de la corriente directa excluyendo todos los fenómenos transitorios.
• IFRM (Repetitive peak forward current): Valor de cresta repetitivo de la corriente directa. Valor de cresta
de la corriente directa incluyendo fenómenos transitorios debidos a la conmutación en el circuito,
descarga de condensadores, etc.
• I2t: I cuadrado t. Es el contenido medido en A2s de un único impulso de corriente directa no
repetitivo. El valor nominal de I2tmáx. impone un límite superior al valor de A2s de una semionda
sinusoidal de corriente directa de duración especificada (10 ms o menos); las condiciones de

definición de este impulso son las mismas que las establecidas para IFSM máx.
• I2t1/2: (I cuadrado raíz de t). Término de creación reciente que describe un parámetro más
adecuado que el I2t para la coordinación de protecciones entre semiconductores y fusibles de
acción ultrarápida.
• dif/dt (Rate of fall of the forward current (diode)): Gradiente de decrecimiento de la corriente directa.
Valor más elevado del gradiente de disminución de la corriente directa que un diodo de potencia
puede experimentar durante un ensayo o para la definición de un parámetro determinado.
• IR (Reverse current): Corriente inversa. Corriente continua que atraviesa el dispositivo en la dirección
de mayor resistencia, tal como aparece en la característica estática inversa.
• IRM (Peak reverse recovery current): Corriente inversa de cresta. Valor máximo o de cresta de la
corriente inversa.
• IRRM (Peak reverse recovery current): Corriente inversa de cresta repetitiva. Valor de cresta de la
corriente inversa que circula a través del diodo de potencia en la dirección de su más elevada
resistencia cuando se le aplica la tensión inversa de cresta repetitiva.
• IRSM (Maximum permissible non-repetitive peak reverse current (avalanche diodes): Corriente inversa de cresta
no repetitiva. Valor de cresta de la corriente inversa a través del diodo de potencia cuando se le
aplica la tensión inversa de cresta no repetitiva.
Tensiones:
• V(BR)R (Avalanche breakdown voltage): Tensión inversa de perforación. Nivel de tensión inversa, a una
temperatura determinada de la unión, para el cual con un diodo de avalancha controlada, aparece
la corriente de avalancha. El semiconductor puede no sufrir daños si la potencia disipada en
inverso es conservada dentro de los límites admisibles.
• VR (Continous reverse voltage): Tensión inversa continua. Valor de la tensión continua inversa tal como
aparece en la característica estática inversa del diodo de potencia. Un diodo de avalancha
controlada no debe perforarse cuando está sometido a la tensión inversa máxima admisible VR máx..
• VRWM (Crest working reverse voltage): Tensión inversa de cresta de trabajo. Es el valor instantáneo más
elevado de tensión inversa aplicada al diodo de potencia excluyendo las tensiones de tipo
transitorio repetitivas y no repetitivas. Un diodo de avalancha controlada no debe perforarse
cuando está sometido a la tensión inversa máxima admisible VRWM máx..
• VRRM (Repetitive peak reverse voltage): Tensión inversa de cresta repetitiva. Es el valor instantáneo más
elevado de la tensión inversa aplicada al diodo de potencia incluyendo todas las tensiones de tipo
transitorio repetitivas pero excluyendo las no repetitivas.
• VRSM (Non-repetitive peak reverse voltage): Tensión inversa de cresta no repetitiva. Es el valor
instantáneo de las tensiones inversas de tipo transitorio aplicadas al diodo de potencia pero no
repetitivas.
• VF (Continous forward voltage): Caída de tensión directa. Es la tensión continua entre terminales del
diodo que resulta como consecuencia de la circulación de corriente en el sentido directo a través
del mismo a una temperatura de la unión especificada.
• VFM: Caída de tensión directa de cresta. Es el valor instantáneo más elevado de la caída de tensión
directa.
• VFAV: Caída de tensión directa (valor medio). Es el valor medio durante un ciclo completo de la
caída de tensión directa.
• V(TO) (Threshold voltage): Tensión de umbral. Es el valor de la tensión obtenido en la intersección

del eje de abscisas y la recta que representa aproximadamente la característica directa del diodo de
potencia.
• rT (On-state slope resistance, forward slope resistance): Resistencia diferencial. Es el valor de la resistencia
calculado a partir de la pendiente de la recta usada para la obtención de la tensión de umbral.
Puede definirse como la derivada de la característica VF = f(IF) para el punto IFAV máx..
• PFAV(máx.) (Mean forward power dissipation): Valor medio máximo de las pérdidas de potencia directas.
Valor medio de la potenica disipada en el diodo de potencia con la caída de tensión directa
máxima, un ángulo de conducción y una forma de onda especificadas.
Conmutación:
• tfr (Forward recovery time): Tiempo de recuperación directo. Intervalo de tiempo, bajo determinadas
condiciones de circuito y forma de onda de tensión, necesario para que el dispositivo
semiconductor alcance su estado de plena conducción cuando pasa de polarización inversa a
polarización directa.
• trr (Reverse recovery time): Tiempo de recuperación inverso. Intervalo de tiempo bajo determinadas
condiciones de circuito y forma de onda de tensión, necesario para que el dispositivo
semiconductor recupere su total capacidad de bloqueo respecto a una tensión inversa, cuando pasa
de polarización directa a inversa. Puede definirse igualmente como el tiempo requerido para que la
corriente inversa alcance un valor especificado después del paso o conmutación desde unas
condiciones especificadas de corriente directa a unas condiciones definidas de polarización inversa.
Este tiempo depende del valor de cresta de la corriente conmutada, de su gradiente de
disminución de esta corriente y de las condiciones del circuito. El tiempo de recuperación inversa
es la suma del tiempo de almacenamiento y del tiempo de caída trr = ts + tf.
• ts (Cycle time): Tiempo de almacenamiento. Es el intervalo de tiempo entre el instante en que la
corriente principal llega a cero y el instante en que la corriente de recuperación alcanza su valor
máximo.
• irr (Reverse recovery current): Corriente inversa de recuperación. Corriente inversa que fluye a través
del diodo en sentido inverso antes de que aquel recupere su capacidad de bloqueo de una tensión
inversa.
• irrm (Peak reverse recovery current): Corriente inversa de cresta, de recuperación. Es el valor máximo de
irr.
• Qs (Recovered charge): Carga de recuperación. Es la carga eléctrica recuperada en un diodo de
potencia cuando es conmutado de unas condiciones especificadas de corriente directa a unas
condiciones determinadas de polarización inversa. Para efectos de evaluación, la carga de
recuperación puede ser calculada por la expresión Qs = (irr/2)trr.
Magnitudes térmicas:
• TJ (Junction temperature): Temperatura de funcionamiento de la unión. Es el valor instantáneo de la
temperatura virtual de la unión en el dispositivo semiconductor condicionada a la temperatura
ambiente y a las condiciones de corriente de carga.
• Tstg (Storage temperature range): Temperatura de almacenamiento. Es la temperatura a la cual el
dispositivo semiconductor puede ser almacenado sin daño.
• Tcase (Case temperature): Temperatura de la caja. Es la temperatura de la caja del dispositivo en
condiciones de carga especificadas y medida en un punto de referencia especificado. El punto de
referencia es, en general, el centro de uno de los lados del hexágono de la caja en contacto con el
radiador. En el caso de caja plana no hexagonal se toma la temperatura de la parte inferior de la
base.
• TA (Ambient temperature): Temperatura ambiente. Temperatura en las inmediaciones del dispositivo,

determinada en condiciones especificadas.
• R(th) (Thermal resistance): Resistencia térmica. Es el cociente de la diferencia de temperatura entre dos
puntos o regiones especificados por la potencia disipada en condiciones de equilibrio térmico.
• R(th)JC (Thermal resistance junction to case): Resistencia térmica unión-caja.
• R(th)CH (Contact thermal resistance case to heatsink 1): Resistencia térmica caja-radiador.
• R(th)HA (Thermal resistance heatsink to ambient air): Resistencia térmica radiador-ambiente.
• R(th)JA (Thermal resistance junction to ambient air): Resistencia térmica unión-ambiente.
• Z(th) (Transient thermal impedance): Impedancia térmica transitoria. Es el cociente entre el cambio o
incremento de temperatura entre dos puntos o regiones especificadas al final de un intervalo de
tiempo y el escalón de potencia disipada producido al principio del mismo intervalo de tiempo y
que da origen a aquel cambio de temperatura.
• Z(th)JC (Transient thermal impedance junction to case): Impedancia térmica transitoria unión-caja.
• Z(th)JA (Thermal resistance junction to ambient air): Impedancia térmica transitoria unión-ambiente.
Potencia disipada:
• Ptot (Total power dissipation): Potencia media disipada total. Suma de la potencia disipada directa e
inversa considerando su valor medio sobre un período completo.
• PRAV (Mean reverse power dissipation (thyr.)): Potencia inversa disipada, valor medio. Es el valor medio
considerado sobre un período completo de la potencia disipada en un diodo de avalancha
controlada funcionando repetitivamente en la zona de avalancha. El valor nominal de PRAVmáx.
impone un límite superior a la pérdida de potencia inversa media admisible, para un valor
determinado de la temperatura de la unión y que es disipada en el semiconductor funcionando en
c.a. en la zona de avalancha y a una frecuencia determinada.
• PRRM (Peak repetitive reverse power dissipation): Potencia de cresta inversa repetitiva. Es la amplitud de
una onda de potencia rectangular disipada en un diodo de avalancha controlada operando en la
región de avalancha repetitivamente. Existe un valor límite PRRMmáx. definido como anteriormente.
• PRSM (Non-repetitive peak reverse power dissipation): Potencia de cresta inversa no repetitiva. Es la
amplitud de un solo impulso no repetitivo de potencia, rectangular, disipado en un diodo de
avalancha controlada funcionando en la región de avalancha. Existe un valor límite PRSMmáx.
definido como anteriormente.
3.16 Diodo de Potencia.

La geometría del diodo de unión para aplicaciones de potencia se muestra en la figura
siguiente. Consiste en un alto dopado en la parte superior del sustrato tipo n en el cual se desarrolla
una capa epitaxial n ligeramente dopada de anchura específicada. Finalmente, la unión pn se forma al
difundirse una región tipo p altamente dopada que forma el ánodo del diodo. El área de sección
transversal del diodo variará de acuerdo con la cantidad de corriente total a soportar por el dispositivo
de modo que si se diseña para diodos que pueden soportar varios miles de amperios, el área puede ser
de varios cm2. La capa n- de la figura, que se denomina con frecuencia región de corriente, es la
principal diferencia estructural entre los diodos de unión y los diodos de potencia. Su función es
absorber la capa de deplexión en la polarización inversa de la unión pn. Esta capa puede ser bastante
ancha obteniéndose grandes tensiones inversas. La región de corriente establece cuál será la tensión
inversa de ruptura. Esta región, dopada ligeramente y relativamente extensa, aparece para aumentar la
resistencia óhmica del diodo cuando se polariza en directo; situación que aparentemente conduce a una
gran potencia disipada en el diodo cuando está circulando corriente. Estas son las pérdidas que limitan
la capacidad de potencia máxima del diodo. Sin embargo, al estimar la potencia disipada en la región de
deriva, se debe practicar con cuidado ya que el valor efectivo de la resistencia de esta región en
conducción es mucho menor que el valor óhmico aparente calculado basándose en el tamaño
geométrico y a las densidades de portadores en equilibrio térmico. En la conducción hay una
reducción sustancial de la resistencia en la región de deriva debido a la gran cantidad de portadores en
exceso por inyección en la región de deriva. Esta modulación de conductividad, como se llama a veces,
reduce sustancialmente la disipación de potencia sobre la que se estimó basándose en la conductividad
en equilibrio térmico de la región de deriva.
Ánodo
i
p+ 10 -3 10µm
N A=10 cm
n- epi
N D =10 cm
10 -3 Wd } anchura de
la región
de deriva
n+ sustrato
N D =10 cm
10 -3 250µm
Cátodo
Figura 3-9 Diodo de potencia
3.17 Circuitos con diodos.

Entre las aplicaciones comunes de los diodos, debido a su unidireccionalidad, se encuentran
los limitadores y rectificadores. Realizando con unos y otros un tratamiento de las señales alternas con
diferentes fines. Con los limitadores se recorta la señal alterna original para obtener una señal de forma
distinta. Los montajes rectificadores nos proporcionaran una señal continua variable a partir de una
alterna.
3.17.1 Limitadores.
Los diferentes limitadores existentes se pueden clasificar: bien atendiendo a la forma de
obtener la salida (serie y paralelo); o bien, según el signo de la limitación y el grado de esta (total,
parcial, parcial doble).
• Limitador serie: recibe esta denominación porqué la tensión de salida se obtiene en serie con el
diodo. En estos circuitos el diodo actúa abriendo el circuito en los intervalos a limitar y
cerrándolo en los que se desea que la entrada aparezca en la salida.
• Limitador paralelo: la tensión de salida se obtiene en paralelo con el diodo. El modo de actuar el
diodo en estos circuitos se invierte totalmente con respecto a los anteriores.
• Limitador total: se pueden diferenciar los positivos y los negativos. Los positivos limitan la
alternancia positiva de la tensión de entrada, actúan como un rectificador, haciendo que a la
salida aparezcan solamente los intervalos negativos de la señal alterna. Existen dos montajes
posibles, uno serie y otro paralelo. Los negativos limitan la alternancia negativa, existen
igualmente dos montajes posibles.
Figura 3-10 Limitadores totales: positivos serie a) y paralelo b), negativos serie c) y
paralelo d).
• Limitador parcial o polarizado: limita sólo parte de una alternancia, podrá ser positivo o negativo.
Su funcionamiento es idéntico a los casos anteriores pero teniendo en cuenta la existencia de
una fuente de tensión continua VR, cuya magnitud y polaridad determina el grado de
limitación. Hay montajes serie y paralelo.
Figura 3-11 Limitadores parciales.
• Limitador parcial doble: limita parte de ambas alternancias en función de VR. Y resultan de
combinaciones entre los anteriores.
Figura 3-12. Limitador parcial doble.
3.17.2 Rectificadores.
Obtener y transportar la corriente en forma de señal alterna permite su abaratamiento. Cada
vez más se diseñan circuitos que pueden trabajar con una señal de estas características. Pero existen
muchos otros que requieren ser alimentados por corrientes de valor y sentido constantes en el tiempo,
o sea, por corriente continua. Esto hace necesario que exista unos circuitos que conviertan las señales
alternas en continuas. Dichos circuitos reciben el nombre de fuentes de alimentación y están formadas
por los siguientes bloques funcionales: rectificador, filtro, estabilizador y sistema de regulación. El
bloque rectificador es una de las aplicaciones de mayor importancia en el campo de los
semiconductores debido al comportamiento unidireccional de estos.
Figura 3-13. Rectificador monofásico de media onda.

El rectificador de media onda es el más simple. Su tensión de salida está constituida por la
alternancia de la senoide que permite entrar en conducción al diodo, con una limitación de corriente
impuesta por la resistencia en serie con él. Para calcular los valores medios (Vm) y eficaces (Vef) de la
tensión de salida integraremos la expresión senoidal de la tensión de entrada durante el semiperiodo de
conducción, obteniendo:
Vmax
Vm = ( 3-64)
π
Vmax
Vef = ( 3-65)
2
La forma de onda de la corriente dependerá del tipo de carga del rectificador. Para el caso más
simple de carga resistiva, la corriente tendrá la misma forma que la tensión rectificada, diferenciándose
sólo su la magnitud que valdrá:
Vmax
I max = ( 3-66)
R
Realmente estas ecuaciones no son totalmente fieles a la realidad pues se considera que la
salida está formada por un semiperiodo completo, lo cual no es posible al tener el diodo una tensión
umbral. Por tanto, la integración de la tensión de entrada debería hacerse entre los puntos reales de
conducción y corte del diodo, en el caso de necesitar un cálculo muy preciso. Si no se tiene esta
necesidad las ecuaciones arriba escritas son una buena aproximación.
Entre las especificaciones que se suelen dar sobre rectificadores están:
• La salida de potencia en cd: Pm = Vm ⋅ I m
• El valor eficaz de la tensión de salida, Vef

• El valor eficaz de la corriente de salida, Ief
• La potencia de salida en ca: Pca = Vef ⋅ I ef
• La tensión media: como se sabe toda señal se puede descomponer en una señal continua más
unas señales alternas superpuestas (armónicos), el valor de la continua es la citada tensión
media. Este valor es con el que se opera para trabajar con cualquier tipo de carga continua,
como un motor de corriente continua. Por esta razón el valor eficaz de la tensión de salida
presenta muy poco interés.
• El rendimiento de un rectificador: como el cociente entre la potencia media de salida y la de salida
en c.a.; podríamos decir que para el rectificador de media onda el rendimiento es del 50%
idealmente, pero considerando el párrafo anterior el rendimiento real se reduce al 40%.
2
P V
η = m = m2 ( 3-67)
Pc.a. Vef
• El factor de forma FF se define como la relación entre la tensión eficaz y media de la onda
de salida. Para este rectificador se tendrá:
Vef
FF = = 1.57 ( 3-68)
Vm
• El factor de rizado de la tensión de salida: relación entre el valor eficaz del primer armónico vr y
el valor de continua de la tensión V de salida. Expresión del rizado en tanto por ciento:
Vc.a.
FR = ( 3-69)
Vm
Como la tensión o cualquier función se puede expresar en valor instantáneo total como:
v = Vm + vca ( 3-70)
Si se calcula su valor eficaz:
T 2 T 2 T T 2
V = ∫ (Vm + vca ) dt = ∫ Vm dt + ∫ 2Vm ⋅ vca dt + ∫ vca dt ;

21 1 1 1
ef
T0 T0 T0 T0 ( 3-71)
Vef2 = Vm + Vca
2 2
Por tanto, también se podría escribir en función de Kf:
2
 Vef 
FR =   − 1 = FF 2 − 1 = 1.21 ( 3-72)
 Vm 
Por último indicar que para seleccionar el diodo adecuado para el circuito, debe tenerse en
cuenta tanto los valores de tensión y corriente en el mismo. La solicitación máxima de tensión vendrá
dada por el pico inverso Vmax de la señal de entrada, la corriente vendrá definida por la impedancia de
la carga.
3.18 Diodo Zéner.

El diodo zéner basa su funcionamiento en el efecto zéner. Este componente es capaz de
trabajar en dicha región cuando las condiciones de polarización lo determinen y, una vez que hayan
desaparecido éstas, recupera sus propiedades como diodo normal, no llegando por este fenómeno a su
destrucción salvo que se alcance la corriente máxima de zéner IZmax indicada por el fabricante.
La geometría de construcción es diferente al resto de los diodos, estribando su principal
diferencia en la delgadez de la zona de unión entre los materiales tipo P y N, así como la densidad de
dopado en los cristales básicos.
Sus parámetros principales son:
• VZ ; Tensión nominal zéner. Polarización inversa en torno a la cual su funcionamiento es efectivo.
• IZmin ; Mínima corriente inversa de polarización para asegurar su correcto funcionamiento.
• IZmax ; Máxima corriente inversa de polarización con garantía de no destrucción.
• PZ ; Potencia de disipación nominal del componente que no debe ser sobrepasada.
Existen distintos símbolos para su representación esquemática, la figura siguiente presenta los
más usuales y su aspecto exterior, que no difiere en nada de los diodos semiconductores normales. En
su designación se da información del tipo y de su tensión nominal de zéner.
Figura 3-14. Símbolos esquemáticos. Identificación de terminales.
3.18.1 Características tensión corriente.

Como ha quedado expuesto, el diodo zéner está ideado para trabajar con polarización inversa,
careciendo de interés su funcionamiento en polarización directa, que es igual al de cualquier diodo
semiconductor. La figura siguiente corresponde a su característica tensión-corriente, y en ella nos
ayudaremos para estudiar su funcionamiento.
Figura 3-15. Diodo zéner. Característica tensión corriente.

Cuando el zéner está polarizado inversamente, con pequeños valores de tensión se alcanza la
corriente inversa de saturación, prácticamente estable. Si se sigue aumentando la tensión de
polarización inversa se alcanza un determinado valor, denominado tensión de codo o de giro, donde
los aumentos de corriente son considerablemente fuertes frente a los aumentos de tensión.
Sobrepasada esta zona, a pequeños aumentos de tensión corresponden elevados aumentos de corriente
IZ. Alcanzada la circunstancia anterior, nos encontramos en la región de trabajo efectivo zéner.
Se deben tener en cuenta ciertas consideraciones para asegurar el régimen de trabajo del zéner
y que la tensión en sus extremos es considerablemente estable:
• el diodo debe ser atravesado, en todo momento, como mínimo por una corriente inversa, IZmin,
expresada por el fabricante.
• No se debe sobrepasar en ningún caso IZmax para asegurar que el componente no se dañe.
• Estos dos valores de IZ llevan asociados un par de valores de tensión, VZ; aproximadamente, el
valor medio de ellos expresa la tensión nominal del zéner VZnom.
• La potencia disipada en cada momento , PZ, vendrá expresada por el producto de los valores
instantáneos de VZ e IZ.
3.18.2 El zéner como estabilizador.

En muchas circunstancias la tensión aplicada a una carga puede sufrir variaciones indeseables
que alteren el funcionamiento normal de la misma. Estas variaciones tienen generalmente las siguientes
causas:
• Una variación de la resistencia de carga, que lleva emparejada una variación de la intensidad de
carga.
• Variaciones de la propia fuente de alimentación.
• Por ambas causas simultáneamente.
El estabilizador paralelo es el más extendido cuando sólo se usa un zéner. Vamos a estudiar el
diseño de éste para el tercero de los casos antes descritos, que es el más corriente, una variación
simultánea de la tensión de alimentación y de la corriente de carga.
Figura 3-16. Estabilizador de tensión mediante zéner.

En principio, se procederá a calcular el valor de Rpro. Esta resistencia se debe calcular de forma
que aseguramos que por el zéner circule siempre como mínimo IZmin, la situación más desfavorable se
dará cuando la tensión de alimentación sea mínima y la corriente de carga máxima, por lo tanto
VCCmin − V L
R pro = ( 3-73)
I Lmax + I Zmin
A continuación determinaremos la potencia que deberá disipar la resistencia, el caso más

desfavorable ocurrirá cuando la tensión de alimentación sea máxima.
(VCCmax − V L )2
PRpro = ( 3-74)
R pro
En lo que al zéner se refiere, la corriente máxima que circulará por él se dará cuando la
corriente en la carga sea la mínima, y la tensión de alimentación sea máxima.
(VCCmax − V L )2
I Zmax = − IL ( 3-75)
R pro
Como consecuencia la potencia máxima que debe disipar el zéner vendrá dada.
PZmax = VZ I Zmax = V L I Zmax ( 3-76)
3.18.3 Ejemplo.
Con el mismo esquema de la figura anterior, diseñar un regulador básico para una entrada de
21±1 nos dé una salida de 10V y 20mA. Hallar R y la potencia que se disipa en cada componente.
Solución.
R=(vs-vz)/iR=(vs-vz)/(iL-iz) " R=(vSmin – vz)/(ILmax+IZmin)=47.6Ω
Si sólo pudieramos comprar resistencias de 450Ω y 500Ω, escogeríamos la primera, pues es la
que produciría una corriente Iz mayor que la mínima por el zener que nos garantiza la conducción.
ILmin=0 (caso límite)
R=(vSmax-vz)/(ILmin+IZmax) " IZmax=25.1mA
Pz=2.31W
PR=2.54W
3.18.4 El zéner en alterna.

El diodo zéner también puede ser utilizado como recortador, el simple cambio de un diodo
rectificador por un zéner implica un comportamiento diferente del limitador. La figura siguiente es un
limitador doble asimétrico, según se aprecia en las tensiones representadas.
Figura 3-17. Recortador doble asimétrico.

Cuando el semiciclo correspondiente a vE es positivo, DZ se polariza inversamente y, un vez
alcanzada la tensión VZ, circula corriente por el circuito y la tensión vS se mantiene constante e igual a
VZ, hasta que de nuevo disminuye vE y se bloquea VZ. Durante el semiperiodo negativo, DZ se
comporta como un diodo polarizado directamente y, por tanto, una vez que vE > 0.7 V, circula
corriente por el circuito ya la tensión vS se mantiene constante e igual a 0.7 V. Un limitador doble
simétrico se consigue con la disposición de la figura 3.5, siempre que VZ1 = VZ2.
Figura 3-18. Recortador doble simétrico.

Durante cada semiperiodo un zéner actúa como tal, polarizado inversamente, y el otro, como
un diodo rectificador. El semiperiodo positivo la tensión de salida será vS = VZ1 + 0.7, y el semiciclo
negativo vS = VZ2 + 0.7. Escogiendo adecuadamente zéner de distintas tensiones podremos obtener
recortadores a distintos niveles. Un circuito similar, pero cambiando la disposición del zéner y la
resistencia del circuito de la figura anterior, es el mostrado en la figura siguiente.
Figura 3-19. Circuito de efecto Crowbar.

Durante el semiciclo positivo, el diodo se encuentra polarizado inversamente, es decir, la
corriente será nula hasta que supera la tensión zéner y, por tanto la tensión vS también será nula.
Cuando vE supera dicha tensión, el diodo conducirá, y la tensión de salida vS, será la diferencia entre vE
y VZ. En el semiperiodo negativo, el diodo queda polarizado directamente, por tanto la corriente será
nula hasta que vE supere -0.7 V, igual que vS. Una vez superados los -0.7 V, el diodo conducirá
ofreciendo una caída de tensión constante e igual a 0.7 V y, por ser un circuito serie, el resto de la
tensión de entrada se reflejara en vS. Si observamos las formas de tensión, vemos que no existe tensión
a la salida, hasta que la entrada no supera el valor VZ, éste es el llamado efecto Crowbar, se puede pues,
considerar el circuito como un disparador por nivel de tensión.
Capítulo 4
TRANSISTOR BIPOLAR.
Si la aparición del diodo supuso un gran avance para una electrónica basada en tubos de vacío;
el descubrimiento del transistor representó una explosión en la industria electrónica, que vio como se
reducían los equipos tanto en coste como en dimensiones, se desarrollaban aplicaciones hasta entonces
imposibles de lograr y abría el camino de investigación, base del desarrollo actual en todos los campos.
4.1 Generalidades.
Un transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales cuya resistencia interna
puede ser variada dependiendo de la señal aplicada a uno de los citados terminales. Esta propiedad
permite que se puede gobernar la corriente del circuito en el que esta inserto. Su nombre viene del
ingles TRANsfer-reSISTOR.
Se distinguen dos tipos de transistores:
• Transistores bipolares: en los que al igual que en el diodo la corriente establecida se debe a portadores
tanto positivos (huecos) como negativos (electrones).
• Transistores unipolares: en los que la corriente establecida se debe a un sólo tipo de portador, el signo
de este dependerá del material utilizado en su fabricación. Estos transistores son algo menos
conocidos debido a que los bipolares fueron los inicialmente descubiertos y por ello los más
desarrollados.
Los transistores bipolares se construyen, como los diodos, sobre cristales de silicio que son
dopados con distintos tipos de impurezas. El transistor consta de tres capas, por lo que podemos
encontrar transistores PNP o NPN. Si dos transistores, uno PNP y otro NPN, son fabricados sobre el
mismo cristal de silicio habrán sufrido el mismo dopaje y tendrán las mismas características, a estos
transistores se les conoce como complementarios. Las tres capas que determinan sus terminales son:
• Base (B): este terminal permite el gobierno de la corriente que circula por el circuito principal
conectado entre colector y emisor. Su espesor es el menor de las tres capas.
• Colector (C): por este terminal entra (o sale si es pnp) la corriente principal que debe ser gobernada.
Esta capa esta más dopada que la base.
• Emisor (E): es el terminal de salida (o entrada si es pnp) del transistor. Es la capa más dopada.
Figura 4-1. Simbología en transistores bipolares.

En este capítulo se va a considerar el transistor como un nudo de corrientes, por lo que todas
las corrientes serán entrantes positivas y al contrario.
4.2 Comportamiento físico.

Comencemos este estudio considerando el transistor en circuito abierto, es decir aislado sin
que se le aplique ninguna tensión de polarización. Esta situación implica que todas las corrientes
deben ser nulas. Se establecen las barreras de potencial de contacto de las uniones PN, de unas pocas
décimas de voltio, según sabemos. Si suponemos las uniones completamente simétricas (en la práctica
no lo son),las alturas de las barreras serán idénticas para la unión de emisor (JE) y para la unión de
colector (JC).
P N P
a)
Emisor Base Colector
I
C
E C
I E
J
E
J C
IB
B
V V 0
b)
p
n0
np0 n p0
c)
Figura 4-2. Potencial (b) y densidad de portadores minoritarios (c) en las capas de un
transistor (a) PNP simétrico en circuito abierto
La situación se refleja en la figura adjunta, además de las concentraciones de minoritarios,
habiéndose despreciado las anchuras de las zonas de transición.
4.2.1 Polarización activa directa.

Seguidamente se aplican al transistor las tensiones indicadas. La unión JE se polariza en sentido
directo y la unión JC en sentido inverso. El efecto será romper el equilibrio de modo que las barreras
de potencial y las concentraciones de minoritarios serán las mostradas.
 Martinez Bernia y Asoc. Capítulo 4. Transistor bipolar de unión. 3
P N P
E C
+ +
IE IC
RE
J
E JC R
C
- -
V V
EB
CB
VCC
VEE
IB
B
V0 - |V |
EB
V0
|VEB |
V0 + |VCB | VCB
Concentraciones
de minoritarias
p
n
np p
n0
n n p0
p0
Figura 4-3. Comportamiento de las barreras de potenciales y de las concentraciones de

minoritarios en un transistor bipolar.
Como vemos se ha producido una disminución de la barrera emisor-base (polarización
directa), y un aumento de la barrera de la unión colector-base (polarización inversa). De este modo la
unión de emisor polarizada directamente, permite la inyección de huecos (minoritarios en la base N).
Este exceso de huecos inyectados se difunde a través de la base N hacia la unión de colector. En JC el
campo eléctrico es muy elevado(debido a la polarización inversa); así pues los huecos que alcanzan la
unión del colector serán “aspirados” por el campo; en otras palabras, descienden fácilmente la barrera
de potencial de JC que les es favorable y son absorbidos por el colector. En definitiva hemos
conseguido hacer circular una corriente importante a través de la unión polarizada en sentido inverso,
inyectando portadores mediante otra unión polarizada en sentido directo. Esta es la base del efecto
transistor. Hay que hacer notar, que para que se produzca el efecto transistor, la base debe ser muy
delgada, pues de otro modo los minoritarios inyectados por el emisor no alcanzarían la unión de
colector JC y la mayoría de ellos se recombinarían en la base.
4.2.2 Corrientes en el transistor

Si la polarización de la unión de base-emisor es directa circulará una corriente no nula
originada principalmente por huecos del emisor, ya que al ser ésta la capa más dopada y la base la
menos dopada, la corriente debida a los electrones será considerablemente menor. Gran número de
estos huecos tras llegar a la base podrán alcanzar la unión de colector, al ser la base una capa delgada,
estos huecos serán “aspirados” por el campo existente en la unión colector-base. Además dicha unión
soporta una pequeña corriente inversa que se verá incrementada en una magnitud considerable ante el
aporte de huecos procedentes del emisor.
P N P
+ - I =αΙ
I pE Recombinación
+ - pc E
+ -
minoritarios
I IpE -I +
inversa de
saturación
-
Corriente
nE pC
E + - C
mayoritarios
Difusión de
+ -
+ + - +
I
E + - I I C
+ - PCD
R + -
E + -
+ I R
- nCD C
- -
V JE
EB JC VCB
V
CC
V
EE
IB B
Figura 4-4. Corrientes en el transistor PNP.

Este efecto, consistente en el paso de un elevado número de portadores a través de una unión
NP polarizada inversamente, recibe el nombre de efecto transistor. La magnitud de este efecto se
controla por el grado de polarización de la unión de emisor. Otros factores que influyen y que se
definen a la hora de la fabricación son: el ancho de la base, el dopaje de cada capa y la proximidad
entre ellas. Por estas características constructivas es fácil de comprender que el montaje de dos diodos
unidos por uno de sus extremos en absoluto es equivalente y es imposible que dé la misma respuesta
que el transistor.
Igualmente se podría caracterizar el balance de corrientes de un transistor NPN en la siguiente
figura.
N P N
- + I
I pE Recombinación pc =αΙ
- + E
- +
minoritarios
I - +
saturación
inversa de
Corriente
nE
E I - I - + C
pE
mayoritarios
pC
- +
Difusión de
+ - + +
I IC
E - + I
- + PCD
R - +
E
- + I
nCD R
- + C
- -
V JE
EB JC V CB
V
CC
V
EE
IB B
Figura 4-5. Corrientes en el transistor NPN.

4.3 Modelo Ebers-MolI

El transistor ha sido caracterizado como un par de uniones PN polarizadas opuestamente que
poseen una interacción a través del parámetro α.
P N P
αR Ι C α I α I
F E
R CD α I
F ED
IE I
C
Ι I CD
EC
E C
I ED ICD
I
B
Figura 4-6. Montaje con dos diodos en el caso PNP

Sus investigadores Ebers y Moll establecieron un modelo del transistor que no sólo describe el
comportamiento en la polarización activa directa, vista anteriormente, sino que se extiende a cualquier
condición de polarización. Así, muestra un par de diodos en antiparalelo a los que se ha añadido dos
fuentes dependientes de corriente que aportan el efecto transistor anteriormente estudiado.
Para el PNP:
 V EB VT   VCB VT 
I E = I ED − α R I CD 
= e − 1 − α R I CS  e
 − 1
    (4-1)
 VEB   VCB 
I C = −α F I ED + I CD = −α F I ES  e VT − 1 + I CS  e VT − 1
    (4-2)
En cualquier caso, se puede demostrar que se cumple que:
α F I ES = α R I CS = I S (4-3)
conocida como ley de reciprocidad.
N P N
α R Ι DC α I α I
F DE
R CD α I
F ED
IE I
C
Ι I DC
DC
E C
I ED ICD
I
B
Figura 4-7. Montaje con dos diodos en el caso NPN.

Para NPN:
donde IDC , IDE es la corriente de diodo ordinaria en la unión colector-base y emisor-base
respectivamente, y las αF IDE , αR IDC representan el efecto transistor.
 V BE   V BC 
I = − I ED + α R I CD = − I ES  e VT − 1 + α R I CS  e VT − 1
    (4-4)
 V BE   V BC 
I = α F I ED − I CD = α F I ES  e VT − 1 − I CS  e VT − 1
    (4-5)
4.4 Curvas características.

Con un circuito como el representado se puede obtener la familia de curvas características del
transistor NPN. A valores crecientes de IB aumentan los valores de IC independientemente del valor de
VCE. Se puede apreciar que para valores elevados de VCE llegamos a la zona de ruptura por avalancha. La
tensión de ruptura depende de la corriente de base como se puede comprobar.
Otro mecanismo que puede producir la perforación del transistor es el aumento de la tensión
de colector. Si se aumenta la polarización inversa de la unión colector-base la zona de transición de
adentrará más en la base, produciéndose el efecto Early. Como la base es muy estrecha puede ocurrir que
la zona de transición ocupe toda la base incluso con tensiones moderadas, se rebajará de tal manera la
barrera de la unión emisor-base que la corriente de emisor puede llegar a ser excesiva. Este mecanismo
de ruptura se produce a una tensión fija Vj ( para W=WB) independientemente de la configuración del
cicrcuito.
Igualmente se aprecia que IC crece bruscamente para valores bajos de VCE, ello es debido a
que al aumentar VBB para que crezca IB, la base queda a una tensión superior a la del colector y
momentáneamente queda polarizada en directo la unión base-colector. Cuando la tensión de colector
cae, hay con frecuencia un importante aumento en la corriente de colector y un sensible aumento en la
disipación de energía. Lo que hace que esta situación sea particularmente peligrosa para el transistor es
que la disipación no se extiende uniformemente sobre el volumen completo del dispositivo, sino que
se concentra en regiones altamente localizadas donde la temperatura local puede crecer muy
rápidamente para valores altos inaceptables. Si esta situación no se termina en un tiempo muy corto, se
produce la destrucción del dispositivo. Esta segunda ruptura no se origina por ionización por choque y la
consiguiente ruptura por avalancha de la unión PN. Está claro el hecho de que una caída en tensión
acompaña a una segunda ruptura mientras que tal caída no se observa en la ruptura por avalancha.
La clave para evitar la segunda ruptura sería mantener la disipación total de energía bajo control
y, más importante aún, evitar cualquier densidad de corriente desigual especialmente durante el
encendido y el apagado que es cuando la disipación de energía instantánea es la mayor. Por esta razón,
los BJTs de potencia se construyen con muchos dedos estrechos de emisor, en paralelo mejor que
unas cuantas áreas de emisor de gran sección. Otras medidas para reducir la posibilidad de una
segunda ruptura incluye el uso de un valor controlado del cambio de la corriente de base durante el
apagado, el uso de un circuito protector tal como los “snubbers” y los diodos de libre circulación y la
colocación de la trayectoria en conmutación dentro de los límites del área de funcionamiento seguro
(SOA).
Figura 4-7. Familias de curvas características del circuito de colector.

Un transistor se puede encontrar en tres estados de funcionamiento dependientes de las
propiedades eléctricas existentes en el circuito principal de colector-emisor, es decir, de los valores que
tomen IC y VCE. Dichos estados se denominan de activo, corte y saturación.
V BC (V)
Activo inverso Saturación

0.5
0.5 V BE (V)
Corte Activo directo
Figura 4-8. Estados del transistor según la polarización de las uniones.
4.4.1 Activo directo e inverso.

Es el estado en el que se produce el efecto transistor, estando la unión de base polarizada
directamente y la de colector inversamente. A pequeños aumentos de IB se producen grandes
aumentos de IC independientemente de la tensión aplicada al circuito colector-emisor. Las tensiones y
corrientes toman los siguientes valores: VBE=0.7V y VBC polarizada por encima de la tensión de codo
(Vγ= 0.5V.) VCE > VCEsat= 0.2V.
Si en el modelo Ebers-Moll se tiene en cuenta que VBE>0 y VBC<0, quedará:
 VBE 
I E = − I ES  e VT − 1
 
( 4-1)
 VBE 
I C = α F I ES  e VT − 1
 
Es fácil deducir que IE>IC, aunque son valores muy próximos, ya que la corriente IC está
formada mayoritariamente por los electrones que forman IE. Debido a esta relación electrónica entre
las dos corrientes se suele trabajar con un factor que nos indica la relación entre las dos magnitudes:
I C = −α F I E
IC ( 4-2)
αF = −
IE
El valor de αF suele estar entre 0.95 y 0.99.;El signo negativo de αF se debe al diferente
sentido de las corrientes. Aunque se ha considerado que el transistor era un nudo donde las corrientes
entraban, el sentido físico en un dispositivo NPN IC es positivo mientras que IE es negativo y lo
contrario sucede en un dispositivo PNP.
B C
IED αF IED IB
E C
0,7 βFIB
VBE
B
E
Figura 4-9. Modelo en activo.
Cuando el transistor está polarizado como en la figura anterior, se originan tres corrientes
diferentes, que son la de base IB, la de colector IC y la de emisor IE, de manera que aplicando la ley de
nudos de Kirchhoff se cumple la siguiente igualdad:
I E = −(I B + I C ) ( 4-3)
Combinando las ecuaciones anteriores podemos representar la corriente de base por:
I B = −(1 − α F )I E ( 4-4)
Puesto que los valores típicos de αF son muy próximos a la unidad, IB resulta muy pequeño
comparado con IE siendo IC e IE prácticamente iguales. A veces es conveniente expresar las corrientes
de colector y de emisor en función de la corriente de base, mucho más pequeña:
αF
IC = IB = βF IB ( 4-5)
1−α F
− IB
IE = = −(β F + 1)I B ( 4-6)
1−α F
donde:
αF βF
βF = ; →α F = ( 4-7)
1−α F β F +1
El factor β F expresa la relación entre la corriente de mando IB y la corriente gobernada IC. Su

valor suele estar comprendido entre 50 y 500 llegándose a encontrar transistores con valores
superiores a 1000. Se le conoce también como parámetro hFE.
Por la ley de mallas podemos escribir la relación entre las tensiones, como se puede ver en la
figura:
VCE = VCB + VBE ( 4-8)
Si en el modelo Ebers-Moll se tiene en cuenta que VBE<0 y VBC>0, estaremos ante el estado
activo inverso, con lo que quedará:
 VBC 
I E = α R I CS  e VT − 1
 
( 4-9)
 VBC

I C = − I CS  e VT − 1
 
Haciendo un razonamiento similar:
I E = −α R I C
IE ( 4-10)
αR = −
IC
αR
IE = IB = βRIB ( 4-11)
1−α R
− IB
IC = = −(β R + 1)I B ( 4-12)
1−α R
4.4.2 Corte
De forma practica se podría considerar que el transistor está en corte o bloqueado cuando la corriente
de base es cero o negativa, y en el circuito colector-emisor circulará una pequeña corriente. De un
modo riguroso el corte del transistor se define por las condiciones: IE = 0,IB ≤ 0, VBE ≤ 0V y VCE ≅
VCC.
C C
I CS
B B
E E
Figura 4-10. Modelos de corte de gran señal: (a) modelo simple; (b) modelo para
temperaturas altas.
4.4.3 Saturación
el comportamiento de un transistor saturado es equivalente a un interruptor cerrado. Para llegar a esta
situación en un transistor npn las uniones de emisor y colector deben quedar polarizadas directamente.
En ésta situación el aumento de la corriente IB no provoca aumento de IC, permaneciendo ésta
prácticamente invariable y disminuyendo la ganancia hFE.
La corriente de colector sólo se ve limitada por el circuito exterior. Desde un punto de vista general se
considera que un transistor está saturado cuando: VCE=0.2V, VBE=0.8V e IC ≤ hFE⋅IB.
B C
IB IC
,7 V 0,2 V
E
Figura 4-11. Disposición de transistor saturado.
4.5 Recta de carga.

Como ya se ha dicho, la importancia de los transistores reside en que una señal de baja
potencia aplicada en la base puede gobernar otra señal de potencia muy superior aplicada al circuito
colector-emisor. Lo cual, visto desde otro punto de vista, representa una amplificación de la señal de
base.
Figura 4-12. Familia de curvas.

Consideremos el montaje de la figura anterior, dependiendo del valor que tome IB al variar la
tensión VBB en el circuito colector-emisor se tendrá:
• Si nos encontrásemos en corte IB = 0, IC ≈ 0 y la tensión VCE ≈ VCC.
• Si nos encontrásemos en saturación IB ≠ 0, IC ≠ 0 y la tensión VCE ≈ 0.2.
En cualquier caso se cumple:
VBB − VBE
VBB = I B RB + VBE ⇒ I B = ( 4-13)
RB
El valor de IC pues en la malla colector-emisor se cumple:
VCC − VCE
VCC = I C RC + VCE ⇒ I C = ( 4-14)
RC
Como es fácil de comprobar en la figura la variación de la corriente de base hace que el punto
de funcionamiento Q se desplace a lo largo de una recta de carga, cuyos puntos de intersección con los
ejes son (0, ICmax=VCC /RC) y (VCC,, 0). Igualmente se puede ver que dependiendo de los valores de
VCC y IB (que a su vez depende de VBB) se consigue que el punto de funcionamiento se encuentre en
una zona intermedia entre la de corte y la de saturación, y la variaciones de IC sea lineales (entre los
puntos antes señalados). Por ejemplo, en el punto Q’ si la corriente de base pasase a ser IB2 la corriente
de colector aumentaría, llevando al transistor a la zona de saturación.. Si nos encontrasemos en el
punto Q y aumenta la corriente de base a IB2, la corriente de colector aumentará, pero el transistor
continúa en la zona activa.
Por tanto utilizando dos fuentes de tensión continua como en la figura anterior podemos fijar
un punto de funcionamiento de modo que ante la superposición de una señal oscilante en la base se
produzcan variaciones lineales de la corriente de colector dentro de la región activa. Al hecho de fijar
un punto de trabajo origen se le llama polarización.
4.5.1 Ejemplo 1
Obtener la corriente de colector en la figura “a”
Solución
Como hay tensión positiva en serie con la base y tensión negativa en serie con el emisor, el
transistor probablemente está conduciendo. Probamos el funcionamiento activo directo sustituyendo el
transistor por su modelo activo directo de la figura “b”. La ley de voltaje de Kirchoff aplicada al circuito
de base da
1V - ( 5kΩ )∙ ( IB ) - 0.7V = -10V
entonces
IB = 2.06mA > 0A
V CC = 5K
V CC = 5K
R C = 8K
R C = 8K
V BB =1V β=10 V BB =1V

R B =5K
R B =5K
V EE= -10V V EE=-10V
a) b)
Figura 4-13
Dado que IB > 0 la suposición de que el transistor se encuentra en activo directo es en principio
cierta. Comprobemos el valor de VCE
VC = 5V - ( 8kΩ )∙ ( 10 )∙ ( 2.06mA ) = -159.8V
dado que VE = -10V
VCE = -159.8V - ( -10V ) = -149.8V
Puesto que VCE es menor que 0.2V la suposición de estado directo no es cierta. Así pues,
debemos considerar que el circuito está en estado de saturación ( ver figura “c” ). La corriente de base es
todavía 2.06mA. La corriente de colector es
IC = ( 5V - ( -10V + 0.2V ) ) / 8kΩ = 1.85mA
V CC = 5K
R C = 8K
V CE =0.2V
V BB=1V
R B =5K
V BE
c)
Figura 4-14
La inecuación
β∙ IB = 20.6mA > 1.85mA = IC
Confirma que el transistor está saturado.
4.5.2 Ejemplo 2
Probar que el transistor del problema anterior permanece saturado cuando la resistencia de base
cambia a 50kΩ. Obtener entonces la resistencia de base RB que lleva al transistor al borde del
funcionamiento activo
Solución
Al cambiar el valor de RB, varía el valor de IB
IB = ( 11V - 0.7V ) / 50kΩ =0.206mA
Dado que se sigue cumpliendo que IB∙ β > IC , el transistor permanece saturado
IB = 0.206mA > 0.185mA = Icsat / β
El límite de la saturación se alcanzará cuando se cumpla que Icsat = β∙ IB
1.85mA = 10∙ ( 11V - 0.7V ) / RB
despejando
RB = 55.7kΩ
Así pues, para una resistencia mayor que 55.7kΩ el transistor estará en activo directo, y para una
menor, en saturación.
4.5.3 Ejemplo 3
Hallar el estado del transistor de la figura “a”
Solución
Debido a la elevada tensión positiva en el circuito de base, suponemos que el transistor está
saturado. Sin embargo, cuando sustituimos el transistor por su modelo de saturación y aplicamos el
teorema de Thevenin, obtenemos la figura “b”.
VCC= 15 V RC= 8 k
IC
RC= 8 k
RTH
RB= 551 k β= 10 15 V
β= 10 IB
10 k ETH
10 V
a) b)
Figura 4-15
Rth:
Rth = 551kΩ || 10kΩ = 9.82kΩ
Eth:
IB = 11V / ( 551kΩ + 10kΩ ) = 0.0196mA
Eth = IB∙ RB =0.196mA
V CC = 15K
R C = 8K
0.2V
R TH 0.7V
0.196V
c)
Figura 4-16
En este circuito es obvio que IB es negativa, contradiciendo la hipótesis de saturación y
sugiriendo el corte.
Con el modelo de corte sustituyendo al transistor,. Observaremos que VBE = 0.196V, un valor
considerablemente menor que la tensión del codo. Por tanto, el transistor está en corte.
4.5.4 Ejemplo 4
Uno de los transistores del esquema de la figura siguiente está cortado y el otro activo directo.
Verificar el corte del primero y obtener el punto Q para el último.
Solución
Excepto por las fuentes de tensión aplicadas a las bases, el circuito es simétrico respecto a un eje
que pase por el centro del diagrama. Como la tensión de base de Q1 es más positiva que la de Q2,
suponemos que Q1 está activo y Q2 cortado y dibujamos la figura “b”. La tensión de nodo de emisor en
este diagrama es -1.7V. Como las tensiones en extremos de la resistencia de 1.2kΩ son conocidas
IE1 = ( -1.7V - (-5.2V) ) / 1.2kΩ = 2.92mA
Dado que
IE1 = ( 80 + 1 )∙ IB1
se tiene que
IB1 = 36µA
300Ω 300Ω
V 1 =-1V β=80 V 2 =-1.3V
1.2kΩ
V 3 =-5.2V
a)
300Ω 300Ω
C1 C2
B2 -1.3V
B1 E1 E2
-1V
I E1
1.2kΩ
-5.2V
b)
Figura 4-17
Como la corriente de base es positiva, establecemos que Q1 conduce; sin embargo podría estar
saturado. Como
IC1 = 80∙ IB1 = 2.88mA
VC1 = 0V - 300Ω∙ 2.88mA = -0.864V
por lo tanto
VCE1 = -0.864V - ( -1.7V ) = 0.836V
Para verificar que Q2 está cortado, observamos en la figura” que
VBE2 = -1.3V - (-1.7V ) = 0.4V < 0.5V
mientras que
VCE2 = -1.3 - 0 = -1.3V < 0.5V
Como ambas uniones están inversamente polarizadas, el transistor está cortado.
4.6 Conmutación.
Se ha visto que el transistor es un elemento que posee tres zonas de funcionamiento de las
cuales nos hemos ocupado de ver con más profundidad la zona intermedia o activa, donde aplicándose
a la base señales de baja potencia se consigue la amplificación de estas. Si las señales a amplificar
tuviesen una elevada amplitud o el punto de trabajo no estuviese en un punto intermedio de la zona
activa, el transistor podría entrar en las zonas de corte o saturación. Con la consiguiente distorsión de
la amplificación. Ya que el situarse en las zonas de saturación (semejante a un cortocircuito entre
colector y emisor) o corte (semejante a circuito abierto) significará que la salida estará recortada.
Se hace que el transistor funcione en estas zonas cuando se desea aprovechar, no la capacidad
de amplificación, sino la capacidad de conducción o bloqueo para conectar o desconectar circuitos.
Son muchos los sistemas que funcionan de este modo, en que una carga funciona ante el
cumplimiento de unas condiciones o periódicamente, o simplemente se pretende suministrar una
potencia variable a partir de un generador de corriente continua.
Para que el transistor trabaje de la zona de saturación a la de corte (proceso de conmutación)
no se requiere ninguna red de estabilización del punto de trabajo, pues el único requisito es que no se
sobrepasen sus características máximas. Por tanto un circuito como el siguiente nos permite por
ejemplo que en la resistencia de carga RL circule o no corriente y que la tensión VCC aparezca en el
colector del transistor. La resistencia RB no tendrá otra misión que la de limitar la corriente absorbida
por la base. El tipo de transistor y el valor de RL dependerá del resto del circuito (corriente necesaria,
velocidad de conmutación, etc).
Figura 18. Transistor en conmutación.

Cuando la conmutación no viene gobernada por una señal de mando aplicada a la base, sino
por el estado de un contacto, si es necesario proporcionar al transistor un circuito de polarización de
base. Como se muestra en los siguientes casos, donde el circuito de la izquierda se satura al abrir el
contacto y el circuito de la derecha se satura al cerrar el contacto.
Figura 19. Transistores en conmutación donde la resistencia RB permite que entren en

saturación.
4.6.1 Puesta en saturación.

Ya se comento que para llegar a la situación de saturación en un transistor npn las uniones de
emisor y colector deben quedar polarizadas directamente. En ésta situación el aumento de la corriente
IB no provoca aumento de IC, permaneciendo ésta prácticamente invariable y disminuyendo la ganancia
hFE. La corriente de colector sólo se ve limitada por el circuito exterior. Desde un punto de vista
general se considera que un transistor está saturado cuando: VCE=0.2V, VBE=0.8V e IC ≤ hFE⋅IB..
Cuando se diseña un circuito para que un transistor funcione en saturación es necesario
conocer su parámetro hFE para conocer la corriente mínima de base que asegura este estado, cuando
esto no es posible se recurre a una regla práctica consistente en considerar una corriente de base igual a
la décima parte de la corriente de colector deseada. Pues en el peor de los casos de corriente y
temperatura dicho parámetro siempre es superior a 10 en cualquier transistor.
El paso de corte a saturación del transistor es un proceso de 3 etapas: una primera en la que se
debe anular la barrera de potencial de la unión base-emisor, aquí el transistor cruza la zona de corte y la
tensión VBE se hace igual a 0,7V ; una segunda para que los electrones del emisor lleguen hasta la base
y por último que dichos electrones alcancen el colector y IC comience a crecer hasta el 10% de su valor
máximo. Este proceso transcurre durante un tiempo llamado tiempo de retardo (td).
Tras el anterior intervalo la tensión VBE se mantiene en 0,7V y más electrones van alcanzando
el colector procedentes del emisor, elevándose el valor de IC. El tiempo, desde que dicha corriente era
del 10% y llega a ser del 90% de su valor final, recibe el nombre de tiempo de crecimiento (tr). Durante este
intervalo se va reduciendo la tensión VCE y se cruza la región activa debido al continuo aporte de
portadores, transcurrido el tiempo anterior el transistor se encuentra en saturación.
Figura 20. Tiempos de conmutación .
4.6.2 Puesta en corte.

Como se dijo, un transistor está en corte o bloqueado cuando la corriente de base es cero o
negativa, y en el circuito colector-emisor circula una pequeña corriente. De un modo riguroso el corte
del transistor se define por las condiciones: IE = 0, IB ≤ 0, VBE ≤ 0V y VCE ≅ VCC..
El paso de saturación a corte tampoco es instantáneo pues toda la carga puesta en juego debe
ser almacenada. El proceso comenzará cuando la corriente de base se anule, aunque para disminuir los
tiempos se hace que esta corriente tome un valor negativo. Desde este instante hasta que la corriente
de colector se reduce al 90% de su valor, se almacena la carga causante de la saturación. Esto sucede
durante el tiempo de almacenamiento (ts), este tiempo se hace más corto cuanto más rápida es la velocidad
de inversión de la corriente de base.
Evacuada la carga de saturación el transistor entra en la región activa, y la tensión VCE y la
corriente IC van creciendo y disminuyendo respectivamente hasta llegar al 10% del valor de IC. Tras
este tiempo llamado de decrecimiento (tf), comienza la región de corte y se restablece la barrera de
potencial en la unión base-emisor.
Del análisis realizado se desprende que aparte de hacer que circule la corriente inversa de la
unión base-emisor para que el almacenamiento de la carga en exceso sea más rápido, otra solución
sería que el transistor no conmute a la zona de saturación sino de la zona de corte a la zona activa por
lo que no existiría la acumulación de portadores anterior. En cambio posee el inconveniente de que en
la zona activa VCE tomo valores mayores comparados con los de saturación y por tanto aumenta la
potencia de disipación en el semiconductor.
Un transistor especialmente diseñado para operar de este modo es el transistor Schottky

(transistor integrado junto a un diodo Schottky, aunque se puede trabajar con los dos componentes
integrados por separado). Cuando dicho transistor está en la región activa, el diodo no conduce. El
diodo conducirá cuando la tensión base-colector sea de unos 0.4V, impidiendo que el colector quede a
menos de esta tensión respecto de la base, es decir, se impide la polarización directa de dicha unión.
Figura 21. Transistor Schottky. Figura 22 Condensador de aceleración.

Otro modo de acortar el tiempo de conmutación es utilizar un condensador de aceleración en
paralelo con la resistencia de base, este condensador permite que durante los instantes de
conmutación off-on y on-off circulen impulsos de corriente elevados capaces de entregar o extraer los
portadores minoritarios. Para su cálculo es necesario saber la carga de portadores que será necesario
evacuar, por tanto el condensador debe poseer una capacidad igual o superior a la obtenida de la
ecuación 8.1, además tendríamos que asegurar que mientras dura el pulso de corriente de base da
tiempo a evacuar toda la carga en exceso. La ecuación 8.1 nos da las relaciones necesarias entre la
capacidad C del condensador y el tiempo t en que se evacua la carga q :
CV BB = q = I B t Q ( 4-15)
Un valor aproximado de dicha carga es el dado por la siguiente ecuación basada en el valor
máximo que alcanza la corriente inversa analizada durante el almacenamiento:
Ii
q= t ( 4-16)
2
4.7 Perdidas de potencia en el BJT.

Las pérdidas de potencia de un transistor en conmutación están compuestas por:
• Las pérdidas de conmutación, que son las que se producen durante los tiempos de crecimiento y
decrecimiento tr y tf.
• Las pérdidas en estado saturado que aparecen durante el periodo de conducción
• Las pérdidas en estado bloqueado que aparecen cuando el transistor está en corte.
• Y por último las pérdidas en el circuito de base.
De todas estas pérdidas se pueden considerar nulas las tres últimas debido a los reducidos
valores que toman VCE sat, IC corte y IB.. Por tanto nuestro estudio lo reduciremos a las pérdidas de
conmutación, para dicho estudio consideraremos que el crecimiento y decrecimiento de la corriente de
colector es lineal y por tanto se podría escribir para el tiempo de crecimiento:
I C máx
iC = t ( 4-17)
tr
y para el de decrecimiento:
I C máx
iC = − t ( 4-18)
tf
Durante los intervalos de conmutación se cumple que vCE = VCC − RC iC y la energía

perdida será:
 RC I C máx  I C máx
dPC =  v CC − t  t dt ( 4-19)
 tr  tr
Al ser RC IC máx>>VCE sat podemos escribir la igualdad RC IC máx =VCC, luego la ecuación
anterior queda :
 t  t
dPC = VCC I C máx 1 −  dt ( 4-20)
 tr  tr
integrando entre t=0 y t=tr se obtiene:
tr  t t2 
PC = VCC I Cmax ∫  − 2 dt
0
 t r tr 
tr
 t2 1 t3  t t 
PC = VCC I Cmax  − 2  = VCC I Cmax  r − r 
 2t r 3 t r  0 2 3
 3t − 2tr 
PC = VCC I Cmax  r 
 6 
VCC I C más
PC = tr ( 4-21)
6
Para un f periodos completos en corte y saturación, las pérdidas serán:
(t + t f )f
VCC I C más
PC = ∑ PCr + ∑ PCf = r ( 4-22)
6
Estas pérdidas son muy inferiores a la potencia que se conmuta VCC IC máx.
4.8 Protección en los transistores.

Cuando se bloquea un transistor, la caída de tensión aumenta cuando, antes de que trabaje el
diodo de libre circulación, todavía circula corriente por el transistor. Habrá entonces un intervalo de
tiempo en el que las pérdidas de potencias serán considerables. Con el circuito de protección de
apagado se pretende reducir esta caída de tensión vCE durante la caída de corriente por el transistor. Si
normalizamos a su valor inicial máximo:
dv v ce U
= = ; ( 23 )
dt t f tf
Para ello se conecta en paralelo un condensador a través de un diodo. Entonces:

dv I o
= ;
dt C
( 24 )
Iot f
C=
U
Es preciso proveer al condensador de una vía de descarga, para ello se añade una resistencia.
De esta manera la energía que almacena el condensador se disipará en la resistencia, sin afectar al
transistor. Al final del siguiente periodo de conducción el condensador se encontrará descargado. Es
preciso llegar a un compromiso entre este valor de resistencia y el valor determinado por la constante
de tiempo τ=RC de descarga del condensador. Es usual elegir este tiempo como un tercio del tiempo
de conmutación:
3 RC = Tc = 1 f ;
c
1 ( 25 )
R= ;
3 f cC
Si en el circuito hay una inductancia, ya sea por la propia configuración del equipo o porque
actúe como circuito de protección en la puesta en conducción, el valor de la resistencia se suele elegir
de manera que limite la corriente de recuperación del diodo de libre circulación comportándose como
un circuito RLC críticamente amortiguado, así:
R 1 ξ R C
ξ = ; ω = ω o2 − ξ 2 ; ω o = ;δ = = ;ω = ωo 1 − δ 2 ;
2L LC ωo 2 L
Escogiendo: ( 26 )
L
δ = 1; ⇒ R = 2 ;
C
Cuando un transistor se pone en conducción aumenta la corriente que circula por él cuando la
tensión vCE es considerable aún. La solución viene de la mano de añadir una inductancia, de manera
que se reduzca vCE. Una resistencia y un diodo se añaden para que se descargue la bobina en el
siguiente periodo de apagado.
di I L I o
= = ( 27 )
dt t r tr
Si la tensión vCE es igual a U de entrada tendríamos:
di U
= ; Ut r
dt L
di I o ⇒ L = I ( 28 )
= ; o
dt t r
La resistencia de descarga debe ser escogida de manera equivalente al caso anterior y considerando el
tiempo en que se va a descargar esa energía.
4.9 Áreas de trabajo seguro en el BJT.

Las áreas de funcionamiento seguro o SOAs, son un método muy conveniente y compacto para
resumir los valores máximos de corriente y tensión a los que el transistor de unión bipolar se
sometería. Se usan dos áreas de funcionamiento seguras distintas en unión con los BJTs y ambos se
dan normalmente en las hojas de características:
• Se activan varios mecanismos físicos diferentes al determinar los límites del área de trabajo segura
en directa FBSOA. La corriente I CM es la máxima corriente de colector incluso cuando se aplica
un pulso al transistor. El exceso de esta corriente puede causar el enlace de los cables o las
metalizaciones en la oblea para vaporizarse o los fallos. El límite térmico es un grupo de límites de
disipación de energía para la resistencia térmica del transistor y la máxima temperatura de la unión
permitida. El límite de la segunda ruptura representa las máximas combinaciones permitidas de
tensión y corriente sin entrar en las regiones del plano i C − v CE donde puede suceder la segunda
ruptura. La parte final del límite del FBSOA es el límite de la tensión de ruptura BVCEO . La
expansión del SOA se da para el funcionamiento en el modo de conmutación ya que la oblea de
silicio y su empaquetamiento tiene una capacidad térmica y, por tanto, una habilidad para absorber
una cantidad finita de energía sin que la temperatura de la unión se eleve a niveles excesivos. Si el
transistor se enciende en unos pocos microsegundos o menos, la cantidad de energía que se
absorbe es demasiado pequeña para causar cualquier aumento apreciable en la temperatura de la
unión y, como resultado, la FBSOA es prácticamente cuadrada, estando limitada sólo por I GM y
BVCEO .
log (ic) ic
T hmáx Segunda
I CM ruptura I CM
-5
10 sec.
-4
Trayectoria idealizada 10 sec.
en conmutación del -3
diodo del circuito con 10 sec V BE(off)<0
carga inductiv a V BE(off)=0
dc
BV CEO log(V CE) BV CEO V CE
Figura 23. Áreas de trabajo seguro directa e inversa.
• De forma similar, se construye el área de funcionamiento seguro en inversa RBSOA. El área

comprendida por la RBSOA, que es un área de funcionamiento seguro pulsado, es algo más
grande que la FBSOA debido a la extensión del área a tensiones más altas que BVCEO ,
hasta BVCBO , para corrientes de colector bajas. El funcionamiento del transistor hasta la
tensión más alta es posible porque la combinación de la corriente de colector baja y la
corriente de base inversa ha hecho a β pequeña para que la tensión de ruptura se eleve hacia
BVCBO
4.10 Hojas características del transistor.

Siguiendo con las características presentadas en el tema del diodo, aquí se presentan las
específicas del transistor bipolar.
4.10.1 Magnitudes características.

Corrientes:
• IC (Continous Collector Current): Es la corriente que circula por el colector.
• ICES (Collector-emitter cut-off current with gate-emitter short-circuited): Es la corriente de corte que circula
entre el colector y el emisor con este cortocircuitado.
• IE (Continuous emitter current): Es la corriente que circula por el emisor.
• ICBO (Collector Cutoff Current): Es la corriente entre la base y el colector en la que el transistor
entra en corte.
• IEBO (Emitor Cutoff Current): Es la corriente entre la base y el emisor en la que el transistor entra
en corte.
• ICETRIP (Maximum collector current to trip): Es la máxima corriente de colector en el disparo del
transistor.
• ICM (Peak collector current): Es la máxima corriente de pico en el colector.
• ICp (Non-repetitive peak collector current): Es la máximacorriente de pico en el colector no repetitiva.
• ICsat (Collector current for VCEsat test): Es la corriente en el colector para la tensión colector-emisor
de saturación.
• ICRM (Repetitive peak collector current): Es la máxima corriente de pico en el colector repetitiva.
• ICRM (Repetitive peak collector current): Es la máxima corriente de pico en el colector repetitiva.
• IB (Base current): Es la corriente que circula por la base.
Tensiones:
• VCE (Collector-emitter (direct) voltage): Es la tensión directa entre el colector y el emisor.
• VCEclamp (Collector-emitter clamping voltage during turn-off): Es la tensión entre el colector y el emisor.
• VCES (Collector-emitter (direct) voltage with gate-emitter short-circuited): Es la tensión entre el colector y el
emisor con la puerta colector cortocircuitada con la base.
• V(BR)CES (Avalanche Breakdown Collector-emitter (direct) voltage with gate-emitter short-circuited): Es la

tensión de avalancha entre el colector y el emisor con la puerta colector cortocircuitada con la
base.
• VCEstat (Collector-emitter-monitoring threshold voltage (static) (driver)): Es la tensión umbral estática entre
el colector y el emisor.
• VCEsat (Collector-emitter saturation voltage): Es la tensión de saturación entre el colector y el emisor.
• VCC (Collector-emitter supply voltage): Es la tensión de alimentación para el colector y el emisor.
• VCCE (Continuous collector emitter voltage): Es la tensión continua de alimentación para el colector y
el emisor.
• VCEdyn (Dynamic collector-emitter-monitoring threshold voltage (driver)): Es la tensión umbral dinámica

entre el colector y el emisor.
• VEE (Emitter supply voltage): Es la tensión de alimentación del emisor.
• VEE (Emitter supply voltage): Es la tensión de alimentación del emisor.
• VCEO (Collector-Emitter voltage): Es la tensión entre el colector y el emisor.
• VCBO (Collector-Base voltage): Es la tensión entre el colector y la base.
• VEBO (Emitter-Base voltage): Es la tensión entre el emisor y la base.
• VBE(on) (Base-emitter On Voltage): Es la tensión de encendido entre la base y el emisor.

• BVCEO (Collector-Emitter sustaining voltage): Es la tensión de mantenimiento entre el colector y el

emisor.
Otras Magnitudes:
• hFE (DC current gain): Ganancia del transistor.
Potencia disipada:
• PD (Total device Dissipation): Potencia total disipada.
Capacitancias:
• COB (Output capacitance): Capacitancia de salida.
• CIB (Input capacitance): Capacitancia de entrada.

Capítulo 5
CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN.
En general polarizar un dispositivo, es llevarlo a su punto de funcionamiento estático. En el
caso de un dipolo, este punto estará caracterizado por los valores de la tensión corriente. En el estudio
de los diodos, ya vimos brevemente como obtener el punto de funcionamiento por intersección de la
curva característica del dispositivo (diodo), con la denominada recta de carga, obtenida del circuito
utilizado para la polarización. En el caso de un transistor, la utilización de dos fuentes de continua
puede simplificarse, empleando una sola fuente y una red de resistencias. Según la configuración
empleada nos encontraremos ante uno u otro método de polarización. Los circuitos más comunes son:
de polarización fija, de polarización y realimentación por resistencia de emisor, de polarización y realimentación por
resistencia de colector y de polarización por divisor de tensión.
5.1 Polarización fija.

Conocido el transistor y su familia de curvas se traza la recta de carga sobre la que deseamos se
desplace el punto de trabajo, ésta vendrá definida por la ecuación:
VCC = RC I C + VCE ( 5-1)
Dicha recta nos fijará los valores de VCC y RC. Sobre dicha recta elegimos el punto de trabajo
que vendrá definido por la elección de una corriente de base. De este modo de la figura siguiente
podríamos escribir:
VCC = RB I B + VBE ( 5-2)
Figura 1.Polarización fija.

Donde VBE=0.7. Luego podremos escribir:
VCC − 0.7 = R B I B ( 5-3)
Definido el punto de trabajo conoceremos el valor que debe tener RB para que circule IB, se
puede intuir que el valor de dicha resistencia será de un valor elevado.
Este tipo de polarización tiene como principal inconveniente el no ser útil ante una sustitución
del transistor, pues fácilmente nos encontraríamos con una β diferente debido a la dispersión de los
parámetros del transistor que se produce en la fabricación. Igualmente tiene el inconveniente de no
admitir cambios de temperatura. Ya que de aumentar la temperatura IC crecería, si además se produce
ocasionalmente un aumento de IB nos encontraríamos con un nuevo aumento de la corriente de
colector pudiéndose llegar por ello a la saturación, no consiguiéndose un punto Q estable.
Por las razones antes comentadas este método de polarización no es utilizado salvo en
determinadas ocasiones para transistores que trabajan en corte y saturación y no en la región activa.
5.1.1 Ejemplo
En la configuración de polarización fija de la figura anterior se sabe que: VCC=12V.,
RB=240kΩ, RC=2.2kΩ y β=50 Determinar lo siguiente: IB e IC, VCE, VB y VC, VBC
Solución
a) Considerando la malla del circuito base-emisor de la figura de abajo, obtenemos aplicando la
ecuación de voltaje de Kirchoff
VCC - IB ∙ RB - VBE = 0 ; IB = ( VCC - VBE ) / RB
Para nuestro caso tenemos entonces
IB = ( 12V - 0.7V ) / 240KΩ = 47.08µA
La magnitud de la corriente del colector está directamente relacionada a IB mediante:
IC = β ∙ IB = 50 ∙ 47.08µA = 2.35mA
b) La aplicación de la ley de tensión de Kirchoff en la dirección del sentido de las manecillas del
reloj alrededor de la malla colector-emisor :
VCE + IC ∙ RC - VCC = 0 ; VCE = VCC - IC ∙ RC
Así:
VCE = 12V - ( 2.35mA ) ∙ ( 2.2KΩ ) = 6.83V
c) Evidentemente la tensión colector emisor cumple que VCE = VC - VE donde VC y VE son las
tensiones del colector y del emisor a tierra respectivamente. En este caso, debido a que VE = 0V se tiene
que
VCE = VC = 6.83V
De forma análoga se tiene que
VBE = VB = 0.7V
d) La utilización de la notación del doble subíndice da por resultado
VBC = VB - VC = 0.7V - 6.83V = -6.13V
y el signo negativo revela que la unión tiene polarización inversa, como debe de ser para la
amplificación lineal
 Martinez Bernia y Asoc. Capítulo 5. Circuitos de polarización. 3
5.2 Polarización estabilizada de emisor.

Este montaje resulta de una mejora realizada al anterior. Ya que introduce una realimentación,
es decir, el circuito detecta las diferencias que se producen sobre los valores que se consideran han de
tomar las corrientes de base y de colector para este circuito.
Figura 2. Polarización fija con realimentación de emisor.

Del esquema de la figura anterior podemos escribir:
VCC = RB I B + VB ⇒ RB I B = VCC − VB ( 5-4)
donde VB = VBE + RE I E y el valor de RB será menor que en el caso anterior.

En este circuito un aumento de β o de la temperatura (que significaría un aumento de IC)
provocará un aumento en VB y por tanto una disminución de IB. Esta disminución compensaría el
aumento producido en IC, manteniéndose estable al no producirse desajustes. Este autoajuste se debe a
que la tensión del emisor no es fija como en el caso anterior que siempre se encontraba a 0V. Si no que
es variable dependiendo del valor de IC y de RE. Para que pequeñas variaciones en IC fuesen corregidas
RE debería de ser elevado para que el factor REIE sea más importante. Pero si dicho factor crece VRc y
VCE disminuirían, como se deduce por la ecuación 5.5, pudiendo entrar el transistor en saturación.
Esto hace que tampoco sea el circuito ideal de polarización.
VCC = VRE + VRC + VCE ( 5-5)
Se suele elegir RE= RC /4.
5.2.1 Ejemplo.
Para la red estabilizada de emisor donde: VCC=20V., RB=430kΩ, RC=2kΩ y RE=1kΩ, calcular:
a)IB, b) IC, c) VCE, d) VC, e) VE, f) VB, g) VBC
Solución
a) La ley de tensiones de Kirchoff alrededor de la malla base-emisor indicada en la figura de
abajo dará por resultado la siguiente ecuación
VCC - IB ∙ RB - VBE - IE ∙ RE = 0
y teniendo en cuenta que
IE = ( β + 1 ) ∙ IB
Sustituyendo en la primera ecuación y resolviendo para IB
IB = ( VCC - VBE ) / ( RB + ( β + 1 )∙ RE )
Para este caso concreto, tendremos sustituyendo en la última ecuación los valores
correspondientes
IB = 40.1µA
b) Igualmente:
IC = β∙ IB = ( 50 )∙ ( 40.1µA ) = 2.01mA
c) La ley de tensión aplicada a la malla colector-emisor dibujada en la figura de abajo dará por
resultado
IE ∙ RE + VCE + IC∙ RC - VCC = 0
y para nuestro caso particular tendremos
VCE = VCC - IC∙ ( RC + RE ) = 20V - (2.01mA)∙ (2kΩ + 1kΩ) = 20V - 6.03V = 13.97V
d) El voltaje de un único subíndice VE es el voltaje del emisor a la tierra y se determina por
VE = IE∙ RE
mientras que el voltaje del colector a la tierra puede determinarse
VCE = VC - VE ; VC = VCE + VE
entonces
VC = VCC - IC∙ RC = 20V - (2.01mA)∙ (2kΩ) = 20V - 4.02V = 15.98V
e)
VE = VC - VCE = 15.98V - 13.97V = 2.01V
f)
VB = VBE + VE = 0.7V + 2.01V = 2.71V
g)
VBC = VB - VC = 2.71V -15.98V = -13.27V
Con polarización inversa como se requiere.
5.3 Polarización por divisor de tensión o autopolarizado.

En los anteriores circuitos de polarización los valores de la corriente y tensión de polarización
depende de β (ganancia en corriente). Pero este valor varía sensiblemente con la temperatura y además
no está perfectamente definido, por estas razones sería deseable obtener un circuito de polarización
que sea independiente de la beta del transistor. El circuito de la figura siguiente cumple esta condición
y por ello es muy común.
Figura 3.Polarización por divisor de tensión o autopolarización.

En dicho montaje la tensión de la base se podrá escribir como:
V B = V BE + I C R E = V BE + V E ( 5-6)
Si VB se mantiene constante, las variaciones de IB serán controladas por las variaciones de

VBE. Ante un aumento de IC aumentará igualmente VE lo que significará una disminución de VBE y de
IB, corrigiendo la desviación de IC.
Para que la tensión VB se pueda considerar constante es necesario que la corriente que circula
por R1 sea mucho mayor que la corriente de base, corriente esta última de pequeña magnitud. Se suele
tomar como valor práctico 10 veces la corriente de base.
( )
VB = I R1 − I B R2 ≈ I R1 R 2 ( 5-7)
Esto es lo mismo que decir en el circuito de la figura siguiente que como IR1 ≥ 10 IB
VB VB
≥ 10
R2 Ri
Ri ≥ 10R 2
β RE ≥ 10 R 2
Con los parámetros que definen el punto Q se pueden conocer los valores de las resistencias
R1 y R2:
VB VCC − VB
R2 = ; R1 = ( 5-8)
9I B 10I B
En el calculo el valor de beta no se ha usado. La tensión en la base se fija mediante las
resistencias R1 y R2.
Se puede hacer para el mismo circuito un análisis más exhaustivo empleando el equivalente
Thévenin del divisor de tensión formado por R1 y R2 mostrado en la figura 5.6, y se obtiene
R1 R2
RBB = ( 5-9)
R1 + R 2
La tensión equivalente Thévenin es
R2
VBB = V ( 5-10)
R1 + R 2 CC
Figura 4.Circuito equivalente empleando el teorema de Thévenin.

Tendremos por tanto en la malla de entrada
VBB − VBE − I C RE
VBB = I B RBB + VBE + I E RE →I B = ( 5-11)
RE + RBB
en la malla de salida obtendremos:
VCC = I C R C + VCE + I E RE ⇒ VCE ≈ VCC − (RC + R E )I C ( 5-12)
Es aconsejable escoger, también en este caso, RC = 4 RE.
Analicemos los factores de estabilidad térmica con más detalle, en el transistor:
I C = α ⋅ I E + I CBO ;
αI B I CBO ( 5-13)
I C = α ⋅ (I C + I B ) + I CBO ; → I C = +
1−α 1−α
α 1
Como: β = → 1−α =
1−α β +1
Con lo que queda:
I C = βI B + (β + 1)I CBO ( 5-14)
Sustituyendo el valor de IB calculado anteriormente:
 V − VBE − I C RE 
I C = β  BB  + (β + 1)I CBO ( 5-15)
 RE + RBB 
Haciendo algunas modificaciones:
β (VBB − VBE ) + I CBO (β + 1)(RE + RBB )

IC = ( 5-16)
RBB + (β + 1)RE
Para que el circuito esté correctamente estabilizado respecto a β ( lo que representa una buena
estabilización frente al cambio del transistor), imponemos como condición de diseño:
RBB "" (β + 1)RE ; β !! 1;

⇓ ( 5-17)
β (VBB − VBE )
+ I CBO 1 + BB 
R
IC = 
RE  R E 
Con lo que:
∂I C ∂I 1 ∂I C R
Sβ = ≈ 0; SVBE = C = ; S ICBO = = 1+ B ; ( 5-18)
∂β ∂VBE RE ∂I CBO RE
5.3.1 Ejemplo 1.
Determine la tensión de polarización VCE y la corriente IC para la configuración de divisor de
tensión donde: VCC=22V., R1=39kΩ, R2=3.9kΩ, RC=10kΩ y RE=1.5 kΩ, β= 140.
Solución
El equivalente Thévenin a la izquierda del terminal puede determinarse de la siguiente manera:
RBB:
Rth = R1 || R2 = (39kΩ∙ 3.9kΩ) / ( 39kΩ + 3.9kΩ) = 3.55kΩ
EBB:
Eth = ( R2∙ VCC ) / ( R1 + R2 ) = ( 3.9kΩ∙ 22V) / ( 39kΩ +3.9kΩ ) =2V
Por lo tanto:
IB = ( Eth - VBE ) / ( Rth + ( β + 1 )∙ RE ) = 13V / ( 3.55kΩ +211.5kO ) = 6.05µA
IC = β∙ IB = ( 140 )∙ ( 6.05µA ) = 0.85mA
Asimismo, igual que en la configuración de polarización en emisor
VCE = VCC - IC∙ ( RC + RE ) = 22V - ( 0.85mA )∙ (10kΩ + 1.5kΩ ) = 12.22V
5.3.2 Ejemplo 2.
Repetir el análisis anterior utilizando la técnica aproximada y comparando las soluciones para IC y
para VCE
Solución
La técnica aproximada se puede aplicar siempre que se cumpla que
β∙ RE ≥ 10∙ R2
Para este caso
( 140 )∙ ( 1.5kΩ ) ≥ 10∙ ( 3.9kΩ ) ; 210kΩ ≥ 39 kΩ
Vemos que la condición se ve satisfecha. Para el análisis aproximado, el nivel de VB viene dado
por
VB = R2∙ VCC / ( R1 + R2 ) = 3.9kΩ∙ 22kΩ / ( 39kΩ + 3.9kΩ ) = 2V
Entonces
VE = VB - VBE = 2V - 0.7V = 1.3V
IC ≅ IE = VE / RE = 1.3V / 1.5kΩ = 0.867mA
Mientras que en el análisis exacto obteníamos 0.85mA. Finalmente
VCE = VCC - IC∙ ( RC + RE ) = 22V - 0.867mA∙ ( 10kΩ + 1.5kΩ ) = 22V - 9.97V = 12.03V
contra 12.22V obtenido en el problema anterior
5.3.3 Ejemplo 3
Repetir el análisis del circuito de polarización por divisor de tensión del ejemplo 1 si β se reduce
a 70 y compare las soluciones para IC y para VCE
Solución
Con este problema podemos ver cuanto se moverá el punto Q si el nivel de β se reduce a la
mitad. Rth y Eth son los mismos
Rth = 3.55kΩ ; Eth = 2V
IB = ( 2V - 0.7V ) / ( 3.55kΩ + 71∙ 1.5kΩ ) = 11.81µA
IC = β∙ IB = 0.83mA
VCE = VCC - IC∙ ( RC + RE ) = 12.46V
Comparando los datos de ambos problemas
β IC VCE
140 0.85mA 12.22V
70 0.83mA 12.46V
Los resultados muestran la relativa insensibilidad del circuito al cambio en β, aun cuando β se
trunque a la mitad.
5.4 Polarización con realimentación de colector.

Ahora el potencial de que se alimenta la base no es fijo, sino variable al tomarse del colector.
Figura 5. Polarización con realimentación de colector.

Analizando la malla de colector-emisor se obtienen los puntos que determinan la recta de
carga:
VCC = (I C + I B )RC + VCE ( 5-19)

Donde la corriente de base se puede despreciar ante la de colector, por ello para
I C = 0 ⇒ VCE = VCC y para VCE = 0 ⇒ I C = VCC RC . Junto con la recta de carga y la familia de
curvas características del transistor podemos fijar el punto de trabajo, conociendo así la IB. Analizando
la malla de la base podremos calcular RB .
VCC = (I C + I B )RC + I B RB + VBE ; ( 5-20)
La ecuación donde también podemos despreciar la corriente de base frente a la de colector,
VCC = I C RC + I B R B + V BE ( 5-21)
despejando:
VCC − ( I C RC + V BE )
RB = ( 5-22)
IB
Conocidas las ecuaciones que rigen el comportamiento de este circuito analicémoslo: un
aumento de la corriente de colector debida a un aumento de β o de la temperatura originará un
aumento de la c.d.t en RC y por tanto una disminución de VCE como se puede deducir de la ecuación
de base, también significa una disminución en la c.d.t. en RB , o lo que es lo mismo, una disminución
en IB. Esta disminución hará que la corriente de colector vuelva a sus valores originales. Observar que
con este circuito no se puede llegar a la saturación pues aunque RB=0 ⇒ VCE=VBE=0,7V.
Con algo más de detalle:
VCC = (I C + I B )RC + I B RB + VBE ;
( 5-23)
VCC = I C RC + I B (RC + RB ) + VBE ;
De donde:
VCC − VBE − I B (RC + RB )

IC = ; ( 5-24)
RC
Sustituyendo IB de la ecuación obtenida anteriormente:
I C = βI B + (β + 1)I CBO ( 5-25)
VCC − VBE −
[I C − (β + 1)I CBO ](R + RB )
β
C
IC = ;
RC ( 5-26)
 R + RB  VCC − VBE (RC + RB )(β + 1)I CBO
I C 1 + C  = + ;
 βRC  RC βRC
Haciendo:
β !! 1; RB "" βRC ;
V − VBE (RC + RB )I CBO ( 5-27)
I C = CC + ;
RC RC
Como se observa, es independiente de β. En general la condición de ser RC grande y RB
pequeña mejora la estabilidad de la polarización también para variaciones de ICBO y VBE.
5.4.1 Ejemplo 1.
Para la red de polarización con realimentación de colector de la figura anterior calcular: ICQ y
VCEQ, VB, VC, VE y VBC siendo β=120, Vcc=20V,Rc=4.7kΩ, Rb=680 kΩ.
Solución
a) La ausencia de RE reduce la reflexión de los niveles resistivos a simplemente el nivel de Rc
y la ecuación para IB se reduce a:
Vccn − VBE 20 − 0.7
Ic = = = 15.51µA
RB + βRC 680k + (120)4.7k
ICQ = βIB = 1.86mA
V CEQ = V CC − IC R C = 20 − (1 .86 m )( 4 .7 k ) = 11 .26V
b)
VB = VBE = 0.7V
VC = VCE = 11.26V
VE = 0V
VBC = VB − VC = 0.7 − 11.26 = −10.56V
5.4.2 Ejemplo 2.
Determinar los niveles de reposo de IC y de VCE para la red de polarización con realimentación
de colector, sabiendo que: VCC=10V., RB=250kΩ, RC=4.7kΩ y RE=1.2 kΩ, β=90.
Solución
Para este caso, la intensidad de la base viene dada por
IB = ( VCC - VBE ) / ( RB + β∙ ( RC + RE ) ) = ( 10V - 0.7V ) / ( 250kΩ + (90)∙ ( 4.7kΩ +12kΩ ))

= 11.91µA
igual que siempre
IC = β∙ IB = 90∙ 11.91µA = 1.07mA
Para la malla colector emisor tenemos en este caso
VCE = VCC - IC∙ ( RC + RE ) = 10V - 6.31V = 3.69V
5.4.3 Ejemplo 3
Repetir el problema anterior utilizando una β = 135 y analizar como varía.
Solución
Observar que en el problema anterior en la solución para IB el segundo término en el
denominador de la ecuación es mayor que el primero. Mientras mayor sea este término comparado con el
primero, menor será la sensibilidad a los cambios de β. En este ejemplo, el nivel de β aumenta en un
50% con lo que la estabilidad del circuito se habrá mejorado y la variación del punto de trabajo Q con β
será menor.
IB = ( VCC - VBE ) / ( RB + β∙ ( RC + RE ) ) = ( 10V - 0.7V ) / ( 250kΩ + (135)∙ ( 4.7kΩ +12kΩ )
) = 8.89µA
IC = β∙ IB = 135∙ 8.89µA = 1.2mA
VCE = VCC - IC∙ ( RC + RE ) = 10V - 7.08V = 2.92V
Aunque β se incrementó en un 50%, el nivel de IC únicamente se elevó al 12.1%, mientras que el
nivel de VCE decayó aproximadamente en un 20.9%. Si la red fuera un diseño de polarización fija, un
incremento del 50% en β hubiera causado un aumento del 50% en IC, y un cambio drástico en la
localización del punto de trabajo Q.
5.5 Técnicas de compensación.

Vamos a estudiar algunos circuitos que incorporan a su red de polarización otros
componentes sensibles a la temperatura cuya misión es proporcionar una compensación adecuada a
los efectos que se producen en el transistor al variar la temperatura.
5.5.1 Circuitos con diodo en directo en la base.

Este circuito tiene interés en los transistores de silicio, ya que compensa las variaciones de VBE
debidas a la temperatura.
Básicamente este circuito es análogo al estudiado anteriormente con resistencia en emisor. Por
tanto ya posee una cierta estabilización frente a aumentos de temperatura. La modificación introducida
ahora proporciona una compensación adicional. El diodo se escogerá con un coeficiente de
temperatura lo más próximo posible al de la unión BE del transistor.
V CC
I BB
RC IC
I BB + -
ID
RE
R2
Figura 6.
Vamos a comprobar cómo se logra esta compensación:
I BB = I D + I B ( 5-28)
I E = I C + I B ≈ I B (1 + β ) ( 5-29))
IE
IB =
1+ β ( 5-30)
IE
I BB = I D +
1+ β ( 5-31)
IE
ID = IBB −
1+ β ( 5-32)
De la malla de base-emisor obtenemos:
VBE + I E R E = VD + I D R 2 ( 5-33)
De donde junto con (5) nos da:
VD − VBE + I BB R 2
IE = ( 5-34)
R
RE + 2
1+ β
Vamos a suponer que se produce una variación de temperatura que afectará a VD y VBE.
El incremento de corriente de emisor resultante será:
∆VD − ∆VBE
∆I E =
R
RE + 2
1+ β ( 5-35)
Si como decíamos al principio, el diodo y la unión base-emisor tienen igual coeficiente de
temperatura resulta ser ∆VD = ∆VBE y en definitiva ∆IE = 0 con lo cual la corriente emisor (y la de
colector) permanece invariable.
El diodo D deberá estar polarizado en un punto tal que el coeficiente de temperatura sea
precisamente el adecuado. Se supone que ambos elementos deben estar a la misma temperatura, para
lo cual es conveniente que estén montados sobre la misma aleta refrigeradora.
V CC
R1 RC
RE
R2
Figura 7.
La versión práctica de este circuito, sustituye la fuente IBB por una resistencia y una batería.
Otra versión práctica hace uso de un transistor análogo al principal con VCB = 0 para sustituir
al diodo. Un transistor montado de esta forma presenta una característica tensión corriente dada por:
( )
I E = −I ES e −qVEB / kT − 1 ( 5-36)
La idéntica procedencia de los transistores nos aproxima a la identidad de sus coeficientes de
temperatura.
5.5.2 Circuitos con diodo en directo en el emisor.

Al igual que el anterior, este circuito es capaz de compensar variaciones debidas a la tensión
base-emisor. La necesidad de utilizar una fuente de tensión negativa adicional puede resultar un
inconveniente salvo en el caso de que se disponga ya de esta fuente para necesidades de otras etapas
del equipo.
V CC
R1 RC
IE
RE RD
R2
B ID
-V DD
Figura 8.
La resistencia RD y la fuente VDD proporcionan la corriente ID necesaria para polarizar en
directo al diodo. Se debe cumplir, por tanto ID > IE
Si aplicamos el Teorema de Thévenin a los puntos A y B el divisor de tensión R1 – R2 queda
convertido en una resistencia de valor:
R1R2
RB = ( 5-37)
R1 + R2
en serie con una batería:
VCC R2
VBB = ( 5-38)
R1 + R2
La ecuación de la malla de base es
VBB = R B I B + VBE + R E (I B + IC ) − VD ( 5-39)
junto con
I C = βI B + (1 + β )I CBO ( 5-40)
nos permite calcular
β [VBB − (VBE − VD )] + (R B + R E )(1 + β )ICBO

IC = ( 5-41)
R B + R E (1 + β )
Si el transistor es de silicio podremos despreciar el término que contiene ICBO quedando
β [VBB − (VBE − VD )]
IC = ( 5-42)
R B + R E (1 + β )
Una variación de temperatura se traduce en variaciones de VBE y VD, dando lugar a una
variación de la corriente de colector dada por:
β (∆VD − ∆VBE )
∆I C = ( 5-43)
R B + R E (1 + β )
Haciendo las mismas consideraciones que en el circuito anterior obtenemos un incremento de

IC nulo si los coeficientes de temperatura del diodo y del transistor son idénticos.
5.5.3 Circuitos con diodo en inversa en la base.

En este caso se logran compensaciones frente a las variaciones que pedan producirse al variar
la ICBO del transistor. Por tanto, este circuito es adecuado para polarización de los transistores de
germanio.
V CC
I R1 RC
IB
ID
Figura 9.
Si suponemos VCC grande se puede poner:
VCC − VBR1E v CC
I= = ( 5-44)
R1 R1
que es equivalente a suponer un ataque en corriente en donde I es prácticamente constante.

Si llamamos ID a la corriente inversa de saturación del diodo tendremos:
IB = I − ID ( 5-45)
y también
I C = βI B + (1 + β )I CBO ( 5-46)
sustituyendo
i C = β (I − I D ) + (1 + β )I CBO ( 5-47)
si β>>1
i C = βI − β (I D − I CBO ) ( 5-48)
Si al variar la temperatura se producen variaciones de las corrientes inversas ID e ICBO

simultáneamente:
∆i C = β ( ∆I CBO − ∆I D ) ( 5-49)
Si el diodo ha sido elegido de modo que la variación con la temperatura de su corriente inversa
sea idéntica a la de ICBO se obtendrá una compensación perfecta, ya que ∆ICBO = ∆ID
Capítulo 6
FUENTES DE ALIMENTACIÓN.
Para el funcionamiento de los instrumentos y sistemas electrónicos, es esencial disponer de
una fuente de potencia de algún tipo, que constituye parte del equipo y que convierte la onda alterna de
las redes industriales de potencia en tensión continua que es utilizada por los circuitos internos del
sistema o instrumento. En la mayoría de los casos, esto significa convertir la c.a. de la red en una c.c.
estabilizada y fija. La salida de c.c. debe permanecer constante pese a los cambios que puedan existir en
la corriente de carga, en la tensión de entrada, etc. Se utilizan dos sistemas principales para
proporcionar una tensión regulada y estabilizada. El tipo normal utilizado ha sido el regulador lineal en
serie y este predomina aún en la fuentes de alimentación de baja potencia. Al aumentar está, se han
introducido las llamadas Fuentes de Alimentación Conmutadas, más eficientes y con menor tamaño.
6.1 Definiciones básicas.

La figura siguiente muestra el esquema general de una fuente de alimentación en la que,
partiendo de la tensión de red, 220 V por ejemplo, se usa un transformador para bajarla a valores más
próximos al deseado en continua. Posteriormente un circuito de diodos realiza la rectificación en doble
onda que produce una señal pulsante. Esta rectificación suele realizarse por un circuito puente que usa
cuatro diodos en vez de dos pero no necesita toma intermedia en el transformador.
Tenemos así una señal pulsante que necesitaremos ahora filtrar pasa baja para obtener su valor
medio lo más constante posible. En electrónica de potencia se utiliza una sencilla red R-C con un
condensador de gran capacidad que almacena carga durante los periodos de conducción y la suministra
en los periodos de no conducción de forma que los diodos del puente actúan como conmutadores que
permiten el paso de corriente de la fuente hacia la carga y el condensador pero no en sentido inverso.
La señal obtenida es siempre positiva pero no constante sino con un rizado en torno a su
valor medio. Un primer procedimiento para eliminar, al menos parcialmente, este rizado es la pre-
regulación zener que ya estudiamos anteriormente. Para mejorar la señal continua necesitamos añadir
reguladores de la tensión de salida del preregulador basado en el esquema de realimentación negativa
que sigue la estructura de un sistema de control tomando muestra de la tensión de salida,
comparándola con una referencia y forzándola a que el error sea mínimo.
ZL
CARGA
REGULADOR
PREREGULADOR DZ
FILTRO c
PUENTE
RECTIFICADOR
TRANSFORMADOR
RED
50 HZ
En la práctica la fuente de alimentación estabilizada es la que más se usa, es útil establecer una
lista de parámetros y términos más importantes utilizados en su descripción.
1) Rango. Los limites máximo y mínimo de la tensión de salida y corriente de salida de una
fuente de alimentación.
2) Factor de regulación de carga. La variación máxima de la tensión de salida entre los dos estados
de carga máxima y carga nula:
∆VS ∆I S ⋅ RS
SVs = = ( 6-1)
VS VS
3) Factor de regulación de entrada (línea).
∆Vs
SVe = ( 6-2)
∆Ve ∆Is = ∆T =0
4) Resistencia de salida. Es la variación de la tensión de salida, producido por una variación en la

corriente de carga:
∆VS
RS = ( 6-3)
∆I S ∆Ve = ∆T =0
4) Rizado. Es el valor pico a pico de cualquier señal alternativa o causal, superpuesta a la

tensión de c.c. de salida.
 Martínez Bernia y Asoc. Capítulo 6. Fuentes de alimentación. 3
5) Coeficiente de temperatura. El porcentaje de cambio de la tensión de salida con la temperatura,

con los valores fijos de tensión de entrada y corriente de carga:
∆VS
ST = ( 6-4)
∆T ∆Ve = ∆I s = 0
6) Rendimiento. La relación de potencia entre la salida y la entrada:

VS I S
η= ( 6-5)
Vac I ac
6.2 Fuentes no estabilizadas.
En prácticamente todos los circuitos de alimentación, se requieren algún tipo de rectificado
para convertir la tensión alterna en tensión continua e intensidad unidireccional. Para obtener una
salida de c.c. no estabilizada se utilizan los llamados circuitos de filtrado los cuales alisan la c.c.
pulsatoria del rectificador.
El rectificador de onda completa se construye con dos diodos con lo que se consigue superar
los inconvenientes del de media onda (bajo rendimiento, alto factor de rizado: 1.21) e aparece un
nuevo inconveniente cual es la necesidad de utilizar un transformador con toma intermedia que
encarece el rectificador pues viene a significar como la utilización de dos transformadores. Su
funcionamiento es como el de dos rectificadores media onda, uno para la alternancia positiva y otro
para la negativa. Con ello se consigue que la salida sea de una frecuencia doble que en el de media
onda, y que no existan semiperiodos nulos. Los diodos en este montaje se ven obligados a soportar
una tensión inversa doble VDmax=2V debido al doble devanado del transformador, si se desea una
tensión de cresta en la salida igual a la del montaje media onda.
Figura 6-1 Rectificador de onda completa.

Para este montaje tendremos un factor de forma de 1.11 y un factor de rizado de 0.48; los valores
medios y eficaces serán:
Vmax
Vef = ( 6-6)
2
2Vmax
Vm = ( 6-7)
π
El rendimiento de este montaje se podría suponer superior al de media onda, ya que el
número de crestas en la carga es del doble, pero al ser equivalente a utilizar dos transformadores en
serie como en el de media onda el rendimiento viene a ser idéntico al caso anterior.
El rectificador en puente de Graetz es el de mayor número de componentes de los que vamos
a ver y es el que posee menos inconvenientes para su utilización.
Figura 6-2 Rectificador en puente de Graetz con carga resistiva.

Su funcionamiento consiste como en el caso anterior en la conducción alternativa de los
diodos para cada semiperiodo. En este montaje realmente lo que se produce es la conducción
simultánea de dos diodos en serie en cada semiperiodo, lo que acarrea una c.d.t. umbral doble en la
salida. Al utilizarse este montaje el secundario del transformador puede ser de un sólo devanado como
en el de media onda y los diodos no están sometidos a una tensión inversa doble como en el montaje
anterior, además al existir dos diodos conectados en serie ésta se reparte entre ellos. La onda de salida
es idéntica a la de la onda completa. Las características eléctricas de este montaje son iguales que el
rectificador de onda completa, salvo en el rendimiento que en este caso llega a ser del 90%. Todas
estas ventajas hacen que sea el rectificador más rentable y utilizado en el diseño de cualquier equipo
que necesite una tensión continua.
6.2.1 Ejemplo.
Un rectificador monofásico en puente suministra una corriente continua de 8 A sobre una
resistencia de 6,25 Ω. En el supuesto de que sean despreciables las caídas de tensión directas en los
diodos del puente, determinar los parámetros que permitirán elegir los tipos de diodos a utilizar, o sea:
a. Valor medio de la corriente directa en cada diodo.
b. Valor eficaz de la corriente directa en cada diodo.
c. Máxima tensión inversa en cada diodo.
Solución
Tensión continua de salida,
2 ⋅U S máx
U Smed = = I Smed ⋅ RL = 50V
π
Tensión máxima de salida.
π
U S máx = U Smed ⋅ = 75,5V
2
Como cada par de diodos conducen alternativamente en un semiciclo:
I D max I Smed
I Dmed = = = 4A
π 2
I D máx I Dmed ⋅ π
I Def = = = 6,28 A
2 2
Y la tensión inversa máxima que va a soportar cada diodo será:
UD máx = - 78,5 V
6.2.2 Filtrado de una tensión rectificada.

Una vez rectificada la tensión del transformador la tensión de salida que hemos obtenido es
una tensión continua variable; para muchas aplicaciones (como la alimentación de un motor de c.c.)
sería suficiente, sin embargo para muchas otras se requiere una tensión continua constante. Para
conseguir este objetivo necesitamos un dispositivo que almacene energía y la devuelva en los intervalos
[t1 , t2] en que ésta disminuye en el resto del circuito. Dicho dispositivo sería un condensador.
Figura 6-3. Esquema básico de un fuente de alimentación con filtro.

El conjunto rectificador y filtro funcionaría de la siguiente manera: durante el tiempo en que el
diodo conduce la tensión del transformador (v=Vpsen(wt)) es aplicada a la carga y el condensador se
queda cargado a la tensión máxima Vp. Cuando el diodo deja de conducir el condensador puede
descargarse al disminuir la tensión en el resto del circuito, esta descarga se produce en el intervalo [t1 ,
t2] de forma exponencial y con una constante de tiempo RLC. Después del punto t2 el transformador
vuelve a alimentar la carga y el condensador deja de conducir y comienza a cargarse. Esto hace que
aparezca una corriente añadida a la existente en la carga dicha corriente puede tomar valores
instantáneos perjudiciales para los diodos luego hay que hacer un buen dimensionamiento del
condensador, además si el valor de C es elevado los diodos conducen durante menor tiempo.
Observando la figura siguiente, la exponencial se puede aproximar a una resta y esto facilitará
el cálculo aproximado de la tensión continua de salida, dados w, RL , C y Vp . Si la tensión de descarga
del condensador (tensión de rizado) se indica por Vr, el valor medio de la tensión es:
Vr
Vmed = V P − ( 6-8)
2
Figura 6-4 Tensión de salida filtrada.

Expresando Vr en función de la corriente de carga y de la capacidad. Si T2 representa el
tiempo total de no-conducción, el condensador, con una descarga constante Imed, perderá una carga
ImedT2. Por tanto, la variación de tensión del condensador será:
I med T2
Vr = ( 6-9)
C
A mejor acción de filtrado, menor será el tiempo de conducción T1 y el tiempo T2 se
aproximará al medio ciclo. Por tanto T2=T/2=1/2f, siendo f la frecuencia de la red.
Vp
Vr = ( 6-10)
2 fRC
El valor eficaz de la tensión de rizado vr, será:
Vr Vp
Vc.a . = = ( 6-11)
2 2 4 2 fRC
Por lo tanto la tensión media será:
I med  4 fRC − 1 
Vmed = VP − = VP   ( 6-12)
4 fC  4 fRC 
Con lo que el factor de rizado será:
Vc.a . Vp  4 fRC − 1  1
FR = = VP   = ( 6-13)
Vmed 4 2 fRC  4 fRC  2 (4 fRC − 1)
Entonces el condensador será igual a:
1  1 
C= 1 +  ( 6-14)
4 fR  2 ⋅ FR 
El tipo de condensador más empleado en estas aplicaciones de rectificación es el electrolítico.
Estos condensadores están polarizados y hay que tener cuidado de colocarlos en el circuito con el
terminal marcado + al lado positivo de la salida. Las ventajas más sobresalientes de los rectificadores
que empleen condensadores de filtro, son el pequeño rizado y elevada tensión con cargas ligeras. La
tensión en vacío es, teóricamente, igual a la máxima del transformador. Los inconvenientes de este
sistema son el rizado elevado a grandes cargas y los picos de corriente de deben pasar por los diodos.
6.3 Reguladores lineales.

Hay tres razones por las que una fuente de alimentación no estabilizada no es adecuada para
muchas aplicaciones. La primera es su pobre regulación, la tensión de salida no es constante para
cargas variables. La segunda es que la tensión continua varia con la entrada alterna. Y la tercera razón
es que la tensión continua, varía también, con la temperatura, sobretodo debido al uso de
semiconductores.
6.3.1 Regulador serie con seguidor de emisor.

La principal desventaja del regulador básico con un solo diodo zener estriba en que el diodo
zener debe absorber la corriente que la carga RL no quiera. Para obviar el problema se coloca en serie
con la carga un seguidor de emisor, conforme puede verse en la figura siguiente.
I IL
IZ
VL
RL
Figura 6-5. Regulador serie con seguidor de emisor.

En este caso, el diodo zener solo debe poder absorber la corriente de carga dividida por la β
del transistor (corriente de base). Cuando es requerida mucha corriente de carga, en vez de un único
transistor se emplea un par Darlington.
La fuente de corriente debe diseñarse de forma que cuando por la carga circule la máxima
corriente, por zener circule la corriente Iz min necesaria para polarizarlo adecuadamente, es decir, I debe
valer I = Iz min + IB max.
En circuitos prácticos, la fuente de corriente aparece como tal o simulada con dos resistencias
en serie con un condensador de desacoplo a tierra conectado en el punto de unión de dichas
resistencias, tal como se muestra en la figura siguiente. La suma R1+R2 se diseña, de acuerdo con los
criterios dados anteriormente, según la fórmula
Ve min − V Z
R1 + R2 = ( 6-15)
I Z min + I B max
y se suele desdoblar en dos resistencias iguales, es decir, se elige R1=R2.
R1
RL
R2
C1 VZ
Figura 6-6. Regulador serie práctico.
6.3.2 Ejemplo 1
Diseñar el regulador de la figura anterior para una salida de 10 V, 100 mA, sabiendo que la
entrada es de22±2V.
Funcionamiento del circuito
Se trata de un regulador básico al que se ha añadido un seguidor por emisor. Gracias a la
incorporación de Q1, el diodo zener ya no debe absorber la corriente que no quiere la carga, sino está
dividida por la β del transistor (corriente de base), pudiéndose, consecuentemente, conseguir mayores
corrientes a la carga con diodos de menor potencia. El papel del condensador C es formar junto con
R1, R2 y rz un filtro de paso bajo para rechazar el rizado. La finalidad de haber dividido la resistencia en
dos y conectado en el punto común de ambas un condensador (C1) a tierra es lograr que la tensión en
dicho punto sea prácticamente constante y como consecuencia, circule por R2 una corriente constante,
cortándose consecuentemente para el rizado, el camino de la entrada a la salida.
Método de diseño
Se trata de elegir las resistencias R1 y R2 y diodo zener conforme a las especificaciones
deseadas. La suma R1+R2 debe diseñarse de forma que con las condiciones más desfavorables de
funcionamiento(tensión mínima a la entrada y máxima corriente a la carga), provea la corriente de
carga y la necesaria para polarizar al zener. Por tanto podemos establecer:
Ve min − V z
R1 + R2 =
I B max + I z min
Siendo I B max la máxima corriente de base ligada con la máxima corriente de carga (mínima
RL) a través de β. En un diseño práctico, se suela elegir R1=R2 y C1=250 µF, o mayor.
La elección del diodo zener se hace siguiendo las especificaciones deseadas. La tensión de
ruptura del zener debe ser la tensión de salida deseada. La corriente que como mínimo deberá poder
soportar será la máxima corriente por la resistencia multiplicada por la tensión de ruptura.
Finalmente, el transistor Q1 debe poder soportar una corriente, Ie, igual a la máxima de carga,
una tensión colector-emisor, VCE, igual a la máxima de entrada menos la de salida y una potencia
PC = I C ⋅ VCE .
Diseño
La tensión de ruptura del diodo zener es:
VZ = VS + VBE =10,7 V
y
Ve min − V z 20 − 10,7
R1 + R2 = = = 4,65kΩ
I B max + I z min 1+1
por tanto,
R1=R2=2,32kΩ
y
C1=250µF
La corriente máxima por el diodo zener será
Ve max − VZ 24 − 10,7
I z max = = = 2,86mA
R1 + R2 4,65
y la potencia Pz
PZ = I Z max ⋅ VZ
En cuanto a las especificaciones del transistor Q1, éstas son:
max IC ≥ 100 mA
max VCE ≥ 14 V
max PC ≥ 1,4 W
Tabla de valores estándar

VZ = 10,7 V R1=R2=2,2 kΩ
C1 = 250 µF C2=2500 µF
Q1 = BD135
6.3.3 Ejemplo 2
Diseñar el regulador de la figura siguiente para una salida de 15 V y 2 A, sabiendo que la
tensión de entrada es 25±5V β 1=20, β 2= β 3= 100.
Q1
RE 15 V
2A
Z1
Q2
Q3 C
25 ±5V Q 1 S i β>2 0
Q 2 S i β>1 00
Q 3 S i β>1 00
R1 Z2
Figura 6-7 Regulador para 15 V, 2 A.

El principio de funcionamiento del presente circuito es idéntico al del problema anterior. Las
particularidades estriban en: 1) al pedir más corriente la carga, se emplea como seguidor uno con par
Darlintong, 2) con el fin de atacar al diodo zener Z2, a corriente constante, y reducir consecuentemente
el rizado a la salida, se emplea la fuente de corriente formada por Q3-Z1-R1-RE .
Método de diseño
Comentaremos únicamente las particularidades de diseño de este circuito. La fuente de
corriente debe proporcionar la corriente para polarizar al zener y la de base del transistor Q2. Por lo
demás, se trata del diseño de una fuente de corriente con la particularidad que la tensión que polariza al
diodo zener Z1 no es constante.
Para asegurar una correcta polarización de Z1 en todo momento, deberemos asegurar que por
él circule al menos 1 mA cuando la tensión de entrada al regulador es mínima.
La elección del valor de la tensión de ruptura del diodo zener Z1 es arbitraria dentro de ciertos
límites. Estos límites vienen impuestos por la condición de que el transistor Q3 trabaje siempre en la
región activa y más concretamente que no penetre en la zona de saturación. Ello se logra eligiendo una
tensión en la base de Q3 superior a la que hay en su colector.
Diseño
La tensión de ruptura del diodo zener Z2 deberá ser de 16,4 V si deseamos 15 V a la salida del
regulador.
La fuente de corriente deberá proporcionar la siguiente corriente:
I C (Q3 ) = I min ( Z 2 ) + I B max (Q2 ) = 2mA
Eligiendo un diodo zener Z1 con una tensión de ruptura de 1,7 V, las tensiones en la base y
emisor deQ3, en las condiciones más desfavorables(mínima tensión de entrada), son:
VB(Q3) = 18,3 V
VE(Q3) = 19 V
y como consecuencia,
1V
RE = = 500 Ω
2 mA
18 ,3V
R1 = = 18 ,3 k Ω
1mA
Q1 deberá ser un transistor que soporte una corriente de 2 A, una tensión colector-emisor de
15 V y una potencia de 30 W
VZ1 = 1,7 V VZ2 = 16,4 V C = 2500µF
R1 = 18 kΩ RE = 470 Ω Q3 = SC157
Q1 = 2N3055 Q2 = BD135
6.4 Regulador realimentado.

Los reguladores estudiados hasta el momento no son adecuados cuando se precisa una tensión
de salida extremadamente exacta, dado que: 1) la tensión de salida es establecida directamente por el
diodo zener, no habiendo, pues, posibilidad de ajustes, y 2) los circuitos estudiados no contienen
ningún tipo de control interno, de forma que si la tensión de salida crece o decrece por cualquier causa
se desencadene un proceso realimentador que haga que la tensión se mantenga constante.
Los reguladores realimentados no presentan los inconvenientes citados y son, por tanto, aptos
cuando se desea una tensión exacta de salida en todo momento. Básicamente consisten en un circuito
de control de alta ganancia que es el que gobierna automáticamente, y de forma continua, la tensión de
salida, y corrige cualquier variación de la corriente de carga o de la tensión de entrada no estabilizada.
Como se muestra en la figura la fuente de alimentación regulada se logra con una realimentación de
tensión serie, la salida se compara con una referencia de tensión estable en un amplificador de error
genérico y toda diferencia entre ambas es amplificado y aplicado hacia la base del elemento de control
serie.
Figura 6-8. Esquema básico de un regulador serie.

La función de amplificador podrá ser realizada tanto por un transistor discreto como por un
amplificador integrado. El elemento de control en serie es un transistor de potencia conectado como
seguidor de emisor que proporciona una impedancia de salida baja para gobernar la carga. Si asumimos
que no existe caída de tensión en el elemento serie, la ganancia del circuito vendrá dada por red de
realimentación, es decir:
R1 + R2
VS = VRe f ( 6-16)
R2
Conforme la corriente de carga IS varía, VS se mantiene constante. El rizado y los cambios de

tensión del suministro no estabilizado son absorbidos por el elemento de regulación serie. Por tanto
éste debe de poder disipar una potencia PD dada por:
PD = (VE − VS )I S ( 6-17)
Siendo VE la tensión media de entrada sin estabilizar, VS la tensión de salida regulada y IS la

corriente de salida a plena carga.
Normalmente en la figura anterior, VRef se reemplaza por un diodo zener y una resistencia de
polarización RD. La resistencia debe asegurar que el zener trabaje en la zona de ruptura con una
corriente de algunos mA, usualmente 5-10 mA, el valor de RD vendrá dado:
VS − VZ
RD ≅ ( 6-18)
IZ
El esquema completo del regulador se puede ver en la figura siguiente.
Figura 6-9 Esquema completo de un regulador serie.
6.4.1 Funcionamiento básico.

El esquema general de control se puede sintetizar usando el diodo Zener como referencia, un
partidor de tensión R1-R2 para medir la tensión en la carga, un transistor en configuración de emisor
común, T2, actuando como elemento de paso que absorbe en su VCE las variaciones de tensión de la
fuente sin regular, figura siguiente. El diseño incluye una resistencia de protección, r0.
Q1
Vi Vo
Ro
RD R1
R3
Q2
C1
Vz Z R2
Figura 6-10
Veamos cómo opera: si V0↑, aumentará la tensión en la base de T2 en una cantidad

proporcional
R2
∆VB 2 = ∆V0 = ∆VBE 2
R1 + R2
Como la tensión de emisor está fijada por Vz, la tensión base emisor experimentará el mismo
incremento. Esto produce un incremento en IC2 y, por consiguiente, una disminución en IB1. Esta
disminución en la corriente de base del transistor de paso, T1, provoca a su vez una disminución en su
IE1 que, prácticamente, se traslada a la carga. Esta disminución en la corriente de carga produce una
caída en V0 que compensa el incremento inicial. Se cierra así el lazo de realimentación negativa.
La regulación de entrada la realizan T1 y R3 de forma que un incremento en la tensión
de línea o un rizado por filtrado inadecuado dan lugar a incrementos, ∆Vi, que debe absorberlo ∆VCE1
y la corriente que pasa por R3, no apareciendo así la carga.
Salvo la pequeña caída en r0, la tensión Vi se reparte entre la carga y T1 produciendo
una VCE tal como la del punto A de la recta de carga de la figura siguiente.
Vi Ic
Ic Vi + ∆Vi
RL
IB
R3 Vi
T1
V CE1
RL
V0 I B (V i +∆V i )
B ∆Vi
I C (V i +∆V i ) ∆I B =
I B (V i ) R3
RL A
I C (V i )
V CE1 Vi V i +∆V i V CE
V 0 =I L R L
∆V CE1 ∆V i
V 0 +∆V 0
V 0 + ∆V i
Figura 6-11
Ante el incremento de la tensión de línea pasamos a otra recta de carga de forma que
ahora la tensión colector-emisor es la correspondiente al punto B y a la carga sólo le alcanza una
fracción
∆Vi - VCE
∆V0=∆
Es decir, si no existiese el transistor T1, toda la variación de Vi aparecería en V0 mientras que
con T1 la variación en V0 se ve disminuida por la que absorbe T1 entre colector y emisor.
Veamos ahora algunas consideraciones de diseño a través de un ejemplo concreto. El
primer paso es la selección de los componentes en función de: la tensión sin regular, la tensión
regulada y la corriente en la carga. Podemos suponer que queremos una fuente de alimentación
regulada de 20V para una corriente de carga máxima de 1 A y partiendo de una fuente sin regular de 30
V.
De estas condiciones se desprende que el T1 deberá ser un transistor capaz de tener
una IC=1 A, es decir elegiremos un transistor de potencia que suministre una IC > 1 A, por ejemplo el
TIP-31 cuya ICmax= 5 A. Como va a trabajar en continua o con señales muy lentas ( rizado) nos fijamos
en el valor de la ganancia para continua hFE que es: 25< hFE < 50. Este bajo valor de la ganancia
determina las características de T2 y R3 puesto que la IB1 necesaria será:
IB1= ILmax / hFemin = 1 A / 25 = 40 mA
y esta corriente la tienen que suministrar T2 y R3, es decir:
IB1=IR3 – IC2
Si suponemos que esta IB1 la suministra toda R3 obtendremos el valor R3max:
Vlínea − VB1 Vlínea − (V0 + VBE 1 ) 30 − 20 − 0.7

Rmax = = = = 232Ω
I B1 I B1 40 ⋅ 10 −3
Como la tensión regulada es de 20 V necesitamos un zener cuya tensión máxima de ruptura

sea bastante menor. En general se toma
Vz ≤ Vregulada / 2
Para dejar margen de operación a la tensión de colector de T2 ( VC2 ≈ 20.7 V = V0 + VBE1). La

elección de un zener conlleva la selección de un punto de operación que junto con su resistencia
dinámica determina el valor de la Vref. Elegimos un zener tipo BZX79 cuya Pmax= 400 mW ,
figura 4.6. Dentro de esta serie elegimos el C4V7 de Vz=4.7 V que opera bien hasta 50 mA. A partir de
sus características obtenemos la resistencia dinámica que será:
∆V 5 − 4 .7
rz = = = 7. 5 Ω
∆I (60 − 20 )10 −3
Figura 6-12. Características V-I de los Zener de la serie BZX-79.

Elegimos como punto de trabajo del zener Q( 20 mA, 4.7 V) y la Vref será:
Vref= VZ + rz⋅IZ = 4.75 + 7.5⋅⋅20⋅⋅10-3

Este dato exige una comprobación experimental en el Laboratorio a partir de las
características estáticas y dinámicas del zener concreto que se utilice.
La corriente que pasa por el zener la suministran Q2 y su resistencia de polarización
RD, que debe asegurar el nivel de Izmin independiente del estado de conducción de Q2. Por tanto la
RDmax que asegura la Izmin será:
V0 − Vref 20 − 4.9
RD max = = ≈ 3ΚΩ
I z min 5 ⋅10 −3
Podemos admitir que la mitad de Iz la suministra la polarización, RD y la otra mitad, T2. Así el
valor de RD será:
V0 − Vref 20 − 4.9
RD = = −3
≈ 1.5ΚΩ
1
I z min 10 ⋅ 10
2
Ahora ya tenemos el punto de polarización de T2 ya que:
IC2 ≈ IE2 = ½ IZ = 10 mA
y
VCE2= V0 + VBE1 – Vref = 20 + 0.7 –4.9 = 15.8 V
luego Q2 ( 10 mA, 15.8 V), y este punto de trabajo lo puede suministrar un transistor de baja
potencia tipo BC107, por ejemplo. Lo que hay ahora que comprobar es que en un caso extremo debe
ser capaz de absorber todo el cambio en la base de Q1. El cambio máximo sería que IB pasara de 0 A a
los 40 mA de IBmax, valor que cubre de sobra el BC107.
El último paso será calcular R1 y R2. Su misión es polarizar la base de T2 en la frontera
de la tensión de despegue cuando la tensión en la carga es el valor deseado.
VB2= Vref + VBE2 = 4.9 + 0.7 = 5.6 V
Por otra parte R1 + R2 debe ser un valor alto para que no cargue. R2 está en paralelo
con la impedancia de entrada de T2 y con la r2 de forma que su valor real es algo mayor que el que
opera. Sin embargo, si la ganancia en corriente de T2 es alta podemos despreciar su corriente de base
de forma que:
R2
VB 2 = V0
R1 + R2
Además R1 + R2 debe ser mucho mayor que RL. Como ILmax = 1 A y V0=20 V
RLmin = V0 / ILmax = 20 /1 = 20 Ω/ 20 W
Ω. Entonces:
Podemos tomar entonces, por ejemplo R1 + R2 = 5 KΩ
R2 =
VB 2
(R1 + R2 ) = 5.6 ⋅ 5 ⋅10 −3 = 1.4ΚΩ
V0 20
Ω. ( Estas resistencias deben ser ajustables).

Luego R1= 5 – 1.4 = 3.6 KΩ
Para R3 hemos obtenido el valor máximo. Como IC2= 10 mA e IB1 = 40 mA, la
corriente que atraviesa R3 será:
IR3 = IC2 + IB1 = 50 mA
por tanto:
Vi − (V0 + VBE1 ) 30 − (20 + 0.7)

R3 = = = 186Ω
I C 2 + I B1 (10 + 40) ⋅10 −3
-Mejoras:
En este tipo de reguladores hay, al menos, tres problemas distinguibles:
b) Calidad del comparador diferencial.
c) Potencia del transistor de paso.
d) Protección frente a sobrecargas.
a) El comparador diferencial está realizado con un único transistor, T2, de forma que se
obtiene una mejora sustancial cambiando este transistor por un amplificador diferencial con alta
ganancia, alta Zin, (lo que hace que absorba una corriente despreciable) y una baja Zout.
b) Esta mejora está asociada a la corriente máxima en la carga capaz de ser regulada.
Esto lo controla el transistor de paso T1 y, por consiguiente, se resuelve sustituyéndolo por una
configuración Darlington. A su vez, este aumento brusco en la ganancia en corriente de T1 conlleva un

aumento en R3, y por consiguiente, una mejor regulación ↓ SV, y una disminución en la potencia
disipada. El circuito con la configuración Darlington será:
I Lmax
Vi V0
I Lmax /h F E
R3
2
I Lmax /h F E
I C2=10 mA
I3
Figura 6-13
La corriente de base disminuye ya que pasa a ser ILmax/hFE2 y por consiguiente R3 aumentará a:
Vi − (V0 + 2VBE ) 30 − ( 20 + 1.4)

R3 = = −2 = 740Ω
 I L max  10 + (1 / 25 2 )
IC 2 +  
h 2 
 FE 
Podemos calcular el factor de regulación de entrada, SV. En el ejercicio inicial tenemos:
∆V0
SV =
∆Vi I L =0
El VBE1 = 0 ya que IL = IE = 0. Si llamamos I3 a la corriente por R3
∆Vi − ∆V0 ∆Vi

∆I 3 = ≈
R3 R3
ya que suponemos que está regulada y que ∆V0 es muy pequeño frente al ∆Vi.
La IB1 debe permanecer constante, ∆IB1=0, ya que ∆IL=0, es decir toda la variación de Vi debe
ser absorbida por T2 y R3 y llegar una pequeña parte, la menor posible, a V0 . Veamos el ∆IC2 como
consecuencia del ∆V0.
I1
hie2 I02 I1
Req
V0
R2
2rZ(β+1)
Figura 6-14
V0 ∙R2 / Req R2 1
I B2 = = V0 =
  R1 + R2  R 
 R1 + R2  Req  Req + 1 
 Req   R2 

Req = hie 2 + 2rZ (β + 1)
R2 1
I C 2 = βI B 2 = βV0 ∙
R1 + R 2  R 
 hie 2 + 2rZ (β + 1) + 1 
 R2 
βR2 1
∆I C 2 = βI B 2 = ∆V0 ∙
R1 + R 2  R 
 hie 2 + 2rZ (β + 1) + 1 
 R2 
Antes obtuvimos
∆Vi = R3 ∙∆I 3
luego
∆V0 ∆I C 2 R1 + R2  R 
SV = = ∙ ∙ hie 2 + 2rZ (β + 1) + 1 
∆Vi ∆I 3 βR2 ∙R3  R2 
Si ∆IB1→0 ⇒ ∆IC2≡∆I3
 R 
 hie 2 + 2rZ (β + 1) + 1 
R + R2  R2 
SV = 1 ∙
R2 βR3
Como con la introducción de la configuración Darlington hemos tenido que aumentar R3,
queda claro que además de la mejora en cuanto a la potencia entregada a la carga también ha
disminuido SV y con ello se ha mejorado la regulación.
Si aún queremos disminuir más SV podemos sustituir R3 por un nuevo transistor (pre-
regulador) que actúe como generador de corriente (R3→∞), en la forma de la figura siguiente.
Vi T4 V0
T3
DZ R7
T5
T2
R8
Figura 6-15
Este circuito tiene además la ventaja de disminuir el rizado. En el caso anterior (con R3) el
rizado de Vi originaba variaciones en I3 que aparecían en la base de T3-T4, ya que el colector de T2
presenta Zin|. Este rizado era amplificado por la configuración Darlington, apareciendo por tanto a la
salida. Ahora este problema se ve disminuido ya que el único rizado que puede llegar a la base de T3-T4
es el que pasa por el divisor de tensión rZ, R8. Si suponemos valores de R8 = 5kΩ y rZ = 50Ω el rizado
queda multiplicado por 50/5050 = 10-3.
c) Protección frente a sobrecargas: Un circuito típico de protección a sobrecargas es el de

la figura siguiente.
IL
Vi T1 V0
1.4V
Rs
VBE
R3
2,1V
D1 D2 D3
Figura 6-16
Los diodos no conducen hasta que la caída en RS supere la tensión 2Vτ, es decir
VBE1 + RSIL ≥ 3 Vτ
Así para valores bajos de la IL la caída en RS no es suficiente para pasar los diodos a
conducción. Existe un valor de IL, ILmax tal que polariza a los diodos en directa desviando por ellos la
corriente de la fuente sin regular, protegiendo así al transistor de paso.
Si queremos que la ILmax = 1 A ⇒ RS = 1.4/1 = 1.4Ω (1.4W)
Este método requiere una cierta disipación de potencia y degrada algo la función del regulador
porque aumenta su impedancia de salida.
Existen otros métodos activos de protección a sobrecargas que veremos mas adelante al
estudiar las soluciones integradas. Por otro lado, a estos métodos activos se debe añadir un fusible en
serie aunque su protección a veces no es eficiente ya que la constante térmica del fusible es
normalmente mucho mayor que la del transistor de paso.
6.4.2 Ejemplo
Diseñar el regulador de la figura siguiente para una salida de 12 V, 1 A
Q1
12 V
1A
C2
R1 Q3 R5 R3
R2
22 ± 4V Q3 Q 1 S i β> 2 0
Q 2 S i β> 1 00
C1 Q 3 S i β> 1 00
Z1 R4
Figura 6-17 Regulador para 12 V, 1 A.

Se trata de un regulador realimentado por corriente, siendo el sensor el divisor R3-R4, la

referencia es el diodo Z1 junto con la resistencia R5 necesaria para polarizarlo. El detector de error y
amplificador es el transistor Q3. El Darlington Q1-Q2 forma el transistor regulador. Finalmente R1-R2
proporcionan la corriente necesaria a la base de Q2 y al colector de Q3. El condensador de desacoplo
C1 sirve, como ya se ha comentado en problemas anteriores para cortar al rizado el camino desde la
entrada a la salida.
Supongamos por un momento que la tensión de salida crece (y consecuentemente la corriente
de emisor de Q1). La tensión en la base de Q3 crecerá y consecuentemente Q3 conducirá más. Como la
corriente que pasa por R2 es prácticamente constante, un aumento en la corriente de colector de Q3
obliga a una disminución en la corriente de base de Q2, o lo que es lo mismo a un decrecimiento en la
corriente de emisor de Q1 que originará una disminución de la tensión de salida que anula el
crecimiento original, manteniéndose pues la tensión de salida constante.
Método de diseño
Elegido el diodo zener Z1, R3-R4 se eligen para obtener la tensión de salida deseada, y de forma
que por dicho divisor circule siempre una corriente mucho mayor que por la base de Q3. R5
proporciona la corriente necesaria para que en todo momento el zener esté correctamente polarizado.
R1-R2 deben proporcionar en todo momento la corriente de base por Q2 y la del colector de Q3
asegurando que bajo cualquier corriente de carga, dentro de los límites especificados, Q3 esté en la
región activa.
Diseño
Elegimos un diodo zener de 5,3 V. En la base de Q3 hay pues 6 V. Eligiendo por el divisor
una corriente de 1 µA resulta
R3 = R4 = 6 kΩ
Haciendo pasar por R5 0,5 mA obtenemos para R5 el valor
R5 = 13,4 kΩ
La corriente I por R1-R2 es
I = IB máx(Q2) + IC máx(Q3)
Eligiendo en las condiciones más desfavorables ( mínima tensión de entrada ) IC
máx(Q3) = 0,5 mA y teniendo en cuenta que IB máx(Q2) = 0,5 mA, resulta I = 1 mA. De donde,
Ve mín − VB (Q2 ) 18 − 13,6

R1 + R2 = = = 4,4kΩ
I 1
o bien
R1 = R2 = 2,2 kΩ
En cuanto al diseño de los condensadores y transistores a elegir se siguen los criterios de
problemas anteriores.
VZ1 = 5,3 V R1 = R2 = 2,2 kΩ
R3 = R4 = 5,6 kΩ R5 = 12 kΩ
C1 = 250 µF C2 = 2500 µF
Q1 = 2N3055 Q2 = BD135
Q3 = SC107
6.4.3 Limitador de corriente.

Establece una realimentación negativa cuando la corriente de carga sobrepasa la máxima
especificada para el regulador, manteniendo la corriente de carga aproximadamente constante, aún
cuando la resistencia de carga sea menor al mínimo requerido por las especificaciones del regulador.
Claro está, en ese caso el regulador ya no funciona como tal, puesto que la tensión de salida no puede
permanecer constante sino que necesariamente debe decrecer conforme la resistencia de carga
decrezca.
Vi
Vi
Vi IB
IB
Señal del Señal del
IB amplificador T0 amplificador T0
Señal del de error de error
amplificador T0
R1 R1
de error
T1 T1
T1 RSC R2
RSC R2 RSC
IL IL IL
V0 V0 V0
Figura 6-18. Limitadores de corriente.

Un circuito práctico limitador de corriente puede verse en la figura anterior. Q0 es el transistor
regulador. Q1-R el limitador de corriente e I una fuente de corriente (a veces una resistencia) para
alimentar el transistor regulador y al amplificador-detector de error. R debe diseñarse de forma que Q1
empiece a conducir cuando la corriente de carga sobrepase el máximo permitido IL max, es decir,
VBE (Q1 )
R= ( 6-19)
I L max
Supongamos que por cualquier motivo la corriente de carga sobrepasa el límite máximo permitido. Q2
empieza a conducir disminuyendo la corriente de base de Q1 (I e Ie son constantes) y haciendo, en
consecuencia, disminuir a IL de forma que crecimiento y disminución se compensan, manteniéndose IL
constante.
La principal desventaja de este esquema es que requiere que caiga toda la VBE en RSC antes de
que empiece a actuar el mecanismo limitador de corriente. En muchos casos esto no es deseable
porque deteriora la regulación de carga. Para evitarlo se prepolariza el transistor de protección a un
punto próximo a la conducción con el partidor R1∙ R2 (figura b y c), así para iniciar la conducción de T1
sólo hace falta una caída en RSC que es una fracción de VBE.
Estos limitadores son circuitos en lazo cerrado de forma que bajo fuertes corrientes de carga,
pueden oscilar cuando alcanza la corriente limite. Esto se evita añadiendo una capacidad de
compensación de T1 a tierra o reduciendo la ganancia del Darlington, T0, mediante una resistencia de
paso desde la base al emisor.
En reguladores de alta potencia, donde no se define la naturaleza exacta de la carga, pueden
existir cortocircuitos accidentales durante largo tiempo antes de ser detectados. Esto puede causar
excesivo calentamiento y mucha disipación de potencia en el sistema. Para evitar esto, se incorpora un
mecanismo llamado de “current-foldback”, (doblar hacia abajo la corriente) que opera como un
conmutador de sujeción (latching switch) y reduce la corriente de salida a una fracción de su valor
nominal si persiste la condición de sobrecarga. En muchos diseños los dispositivos necesarios para
limitar la corriente y protegerse de la excesiva duración de la sobrecarga, se incorpora también en el
C.I. dejando sólo para fuera del chip las resistencias sensoras que permiten al usuario determinar cual
quiere que sea, para una aplicación específica, el valor umbral de la corriente límite y la cantidad de
corriente "doblada". La figura 4.17 muestra un ejemplo de este circuito de protección en el que el par
PNP lateral (T1) y NPN (T2) forman un conmutador que mide la corriente y posee la capacidad de
sujetarla.
6.5 Reguladores integrados.

Es posible integrar todos los componentes del regulador anteriormente descrito en un solo
chip, obteniéndose así las ventajas de los circuitos integrados. La síntesis en tecnología integrada de los
reguladores serie tiene problemas por la inclusión de los transistores de paso que disipan gran potencia
cerca de los circuitos de control (diferencial, referencia, etc.) de baja potencia y por la necesidad de
integrar la protección a sobrecargas. Por lo demás, el principio de operación es el mismo que hemos
visto en el diseño con transistores: (fuente de corriente, tensión de referencia, amplificador de error, y
divisor de tensión R1-R2. La tensión de referencia es normalmente un zener compensado en
temperatura o tipo gap, tal como vimos en temas anteriores. (Se obtienen valores entre 1.2 y 2.5 V con
coeficientes de temperatura, CT entre 30 y 100 ppm/ºC). Los transistores de salida son configuraciones
Darlington y la etapa diferencial suele estar compensada en frecuencia mediante una capacidad interna,
como los amplificadores operacionales.
Para tensiones negativas, basta con invertir las polaridades y usar transistores PNP como
elemento de paso, obtenidos con PNP laterales y NPN de alta corriente. Sin embargo como este
transistor compuesto está dentro del lazo de realimentación del regulador, el uso de transistores
compuestos puede crear problemas de inestabilidad cuando fluctúa la carga. Por eso suele ser más
frecuente en los reguladores Darlington NPN tomar la salida en el colector (emisor común) en vez de
tomarla en el emisor (colector común), tal como se muestra en el esquema de la figura siguiente. Como
esta configuración introduce una inversión de fase, la muestra de la salida, VS se aplica a la entrada no
inversora del comparador.
+
+
R1
VR Referencia
de Tensión Vs V0
-
R2
+ -
A1 T1
-
T2
I1
-Vi
Figura 6-19.
En estos reguladores negativos, la impedancia de salida en lazo abierto, R0, es mayor que en
los positivos pero la correspondiente a lazo cerrado, Rout, se puede hacer baja aumentando la ganancia
del lazo.
En muchas aplicaciones (A.O., multiplicadores, conversores A/D...) hacen falta reguladores
dobles, ±V0, en las que la tensión positiva siga a la negativa y viceversa (dual-tracking regulators)
manteniéndose la simetría de la fuente doble ante variaciones en la carga y en la tensión de línea. La
figura siguiente muestra el concepto básico y el circuito simplificado de un regulador doble a partir de
una referencia fija.
R0
+V0
R0
A1
+ A2 -V0
VR Referencia
de Tensión R1
-
R2
+Vi
I1
+
A1 T1
+ - +
Referencia +V0
VR
de Tensión
- R1
R0
2V0
R2
R0
-V0
-
+
A2 T2
-
-Vi
Figura 6-20.
Este circuito es básicamente un regulador positivo cuya tensión de salida, V0, se invierte y se
duplica para producir –V0.
V0 = VR(1+R1/R2)
El rendimiento de un regulador se define como el cociente entre la potencia regulada P0, y la
potencia que entrega al regulador la fuente sin regular, Pin.
P0 (regulada sobre R L )
η=
Pin (sin regular )
Usando el modelo simplificado del regulador serie de la figura 4.14 queda claro que la
eficiencia es máxima cuando IL = ILmax y VCE ≈ Vi - V0 = VCE min.
VCE
+ +
IL
Vi IB RL V0
- -
Figura 6-21.
Pin = Vi (I B + I L )
P0 = V0 ∙I L
V0 ∙I L V − VCE
η= = i
Vi (I B + I L )  I 
Vi 1 + B 
 IL 
Al igual que en los diseños con componentes discretos, los reguladores integrados incluyen
circuitos de protección de tres tipos:
a) Protección frente a cortocircuitos en la carga.
b) Protección contra excesos de tensión en la línea que producen grandes diferencias entre Vi y V0
(definiendo lo que se llama “área de operación segura”).
c) Protección contra la excesiva disipación térmica en las uniones (Thermal overload).
6.5.1 Área de operación segura.

Para evitar la segunda ruptura de los transistores de potencia debida a la inestabilidad térmica
de los puntos de baja resistencia (hot-spots), es necesario asegurar que el dispositivo trabaja en el área
de seguridad (figura 4.18). Así, por ejemplo, se pueden manejar 3 A a VCE = 5 V, pero sólo 1 A a VCE
= 15 V. En el diseño de reguladores de alta corriente es frecuente incluir circuitos de protección que
garanticen que el transistor de paso trabaja en el área de seguridad, particularmente ante la presencia de
transitorios de tensión en la línea.
Vi
Dz
IB
R3
Ix
señal del T0
amplificador R1
de error
T1
R2
R SC
V0
IL
Figura 4.19 Circuito con protección a cortocircuitos y área de segura.

La figura 4.19 muestra un ejemplo en el que se combina el área segura junto con la protección
activa frente a cortocircuitos. En este circuito cuando la diferencia de tensión entre Vi y V0 es
suficiente para disparar al zener Dz, el circuito de protección del “áreasegura” entra en acción y la
corriente adicional, Ix, a través de R3 y R2 aumentara la prepolarización en la base del transistor de
protección o cortocircuitos, T1, haciendo que el mecanismo de limitación de la corriente de salida entre
en funcionamiento a un nivel de corriente más bajo. De esta forma cuando la caída (Vi –V0) a través
de T0 aumenta, el valor máximo de la corriente disponible a la salida se reduce para mantener el punto
de operación de T0 dentro de su área de seguridad.
Es decir, si observamos el perfil de una curva límite del área de seguridad vemos que
al aumentar VCE, disminuye IE si queremos que el funcionamiento sigua siendo seguro.
IE
1
2
V CE
Figura 4.20 (Al ↑ VCE → IE ↓)
Esto mismo debe hacer automáticamente el circuito protector. Cuando (Vi –V0)↑,
VCE ↑ pero la rama paralelo del zener produce una caída adicional en RSC que hace que el punto al que
se dispara el mecanismo limitador sea menor.
Antes IE máx=ILímite, ahora IE máx=ILímite – IGen. Esta disminución lleva al punto Q a una zona de
funcionamiento seguro (figura 4.21).
R SC
I Gen
V0
Figura 4.21
Obsérvese que combinando la protección a cortocircuitos y el limitador a área segura
en un mismo circuito la ventaja adicional de que ambos poseen las mismas características de
dependencia con la temperatura.
6.5.2 Cierre térmico. (Termal shunt down).

La protección a sobrecargas térmicas es necesaria para evitar el dañado permanente
por operar a altas temperaturas. Recordemos que para operación continua, la temperatura máxima de
la unión en Silicio es TJ = 200 ºC, que se limita por criterios conservativos a TJ ≤ 150 ºC. Esto se puede
resolver introduciendo en el diseño un mecanismo de desconexión térmica que sense la TJ del chip y
desconecte automáticamente hasta que esta quede por debajo de un cierto valor umbral, o hasta que se
le aplique un reset externo.
Generalmente se usa la dependencia de VBE con T como sensor de TJ. En la figura
4.15 vimos un esquema simplificado del circuito. En ella, el transistor T2 tiene su base polarizada desde
un punto, VTS, de tensión estable frente a variaciones en la temperatura. Típicamente, VTS = 400 mV y
no es suficiente para mantener a T2 en conducción. Sin embargo, como la deriva térmica de VBE es
negativa:
dVBE
= −2mV /º C
dT
un incremento de T de 120 – 150 ºC, por encima de la temperatura ambiente, hará que T2 pase
a conducción y, absorbiendo IB, corte al transistor de paso, T0.
La figura 4.22 muestra una realización típica de este mecanismo que produce una
referencia, VTS, estable frente a variaciones de temperatura para ser usada después en circuitos de
desconexión térmica. Con un cuidadoso proceso de fabricación, la temperatura de desconexión, TTS, se

puede mantener en un margen de ± 10% dentro del valor previsto a lo largo de toda una remesa de CI.
Normalmente, el transistor de protección térmica, T2, se coloca próximo al transistor de paso que es
donde TJ alcanza sus valores máximos.
Vi
Tensión
sin regular
IB Iz
Señal del
T0
amplificador V0
de error
T1 IL
+
R1
Dz
Vz T2
+
- R2
V TS
-
Figura 4.22 Circuito de cierre térmico
Para IL ≥ 5ª no es suficiente este mecanismo de protección y se incluye un “control

privado” que detecta el “gradiente de temperatura” y dispara antes de que se alcance el máximo
permitido.
Tal detector de gradiente utiliza dos sensores, uno próximo al dispositivo de potencia
y el otro en el extremo opuesto del chip. Así, el protector térmico se activa más rápidamente, de forma
predictiva, cuando la diferencia entre la T de los dos sensores alcanza un cierto nivel, sin esperar a que
todo el chip se caliente en exceso. Esto disminuye el tiempo de respuesta de varios minutos a varias
decenas de milisegundos.
6.5.3 Soluciones comerciales.

La facilidad de síntesis, versatilidad y bajo conste de los reguladores integrados ha
facilitado mucho el diseño de fuentes de alimentación, pudiendo incluirse un regulador por cada placa.
Existen en la actualidad más de 100 tipos de reguladores integrados desde fijos de baja corriente hasta
variables de corrientes medias y fijos de alta corriente (≈ 5 A) sin constar con las soluciones en
tecnología híbrida, tipo LM7805, que pueden manejar hasta 10 A.
En este apartado vamos a ver algunos reguladores representativos de los distintos
tipos existentes que ilustran además las estrategias de diseño comentadas anteriormente. La tabla de la
figura 4.23 presenta un estudio comparativo de estos tipos de reguladores.
Veamos los siguientes tipos:
• Reguladores fijos de tres terminales ( + y -): LM78XX
• Reguladores ajustables: KA723, LM138
PARÁMETROS UNIDADES KA-723 LM7800-XX LM-138

CARACTERÍSTICOS
Rango de corriente mA 1-50 5-750 10-5000
de operación normal
Regulación de Linea % 0.2 1 0.05
(T= 25º C)
Regulación de carga IL (25º C) % 0.5 2 0.3
Estabilidad con la T % 1.5 1.5 1
(deriva total de –55 a+125 ºC)
Corriente de salida de pico (pulso) A 0.15 2 10
Limitación de la corriente de A 0.065 0.75 5
cortocircuito (25º C)
Tensión de “drop out” V 3 2 2.5
Rechazo al rizado (50 Hz – 10 Hz) dB 74 68 60
Tensión de ruido de la salida (BW µV rms 20 40 100
100Hz – 10Hz)
Impedancia de salida (f≤1 kHz) Ω 0.05 0.05 0.01
Rango de la tensión de entrada V 9.5 – 40 7 – 24 3 – 36
Rango de la tensión de salida V 2 – 37 Fijo 1.2 – 32
Nº de terminales del chip 10 ó 11 3 3
Nº de componentes externos para 5ó6 Ninguno 2
una aplicación típica
Protección térmica No Si Si
Figura 4. 23 Tabla comparativa de las características de algunos reguladores serie integrados.
Capítulo 7
AMPLIFICADORES CON BJT.

En general, un amplificador es un dispositivo que aumenta la intensidad de un fenómeno
tomando la energía de una fuente exterior. En electrónica se distinguen básicamente tres tipos de
amplificadores de corriente, de potencia y de tensión que son circuitos electrónicos cuya función
consiste en elevar la intensidad de la corriente que proporciona una señal eléctrica, la potencia que
desarrolla o la tensión. Los amplificadores se construyen a partir de elementos activos discretos (por
ejemplo, transistores bipolares o de efecto de campo) o integrados (por ejemplo, amplificadores
operacionales o amplificadores para videofrecuencias).
7.1 Generalidades.
El proceso de amplificación consiste en aumentar la señal de entrada obteniendo una señal de
salida mayor que la que inicial. Podemos clasificar los amplificadores en:
Amplificadores pasivos: aquellos que no tienen una fuente de energía externa que no sean las
entradas.
Amplificadores activos: tienen algún tipo de fuente de energía externa que se puede aprovechar
para producir una salida que tenga mayor potencia que la entrada.
Un amplificador pasivo es un transformador elevador, en el que al aplicar una señal alterna de
tensión al devanado de entrada genera una señal de tensión mayor que la de entrada. No obstante, este
sistema no es un amplificador de potencia debido a que la impedancia efectiva del circuito de salida es
mayor que la del circuito de entrada. Por tanto, la energía suministrada a una carga será menor que la
absorbida a la entrada.
Los amplificadores electrónicos más importantes y utilizados son los activos. Generalmente,
toman energía de una fuente de alimentación externa para aumentar la señal de entrada. Se pueden
clasificar en:
Amplificador de tensión, que amplifica la señal de tensión de entrada.
Amplificador de corriente, que amplifica la señal de corriente de entrada.
Ambos amplificadores en general aumentan la potencia de la señal, no obstante esto no quiere
decir que sean amplificadores de potencia que son aquellos que suministran grandes proporciones de
potencia a una carga. A su vez, estos circuitos pueden ser amplificadores de voltaje, de corriente o
ambos. En estos circuitos es muy importante el rendimiento del circuito, ya que éste relaciona la potencia
que suministra la carga y a la que se toma de la fuente. Por tanto, puede determinarse la potencia que el
circuito disipa en forma de calor. De este modo, según la potencia requerida, podemos determinar los
componentes necesarios teniendo en cuenta las pérdidas de potencia en el circuito.
7.2 Conceptos importantes.

Llegado a este punto es necesario definir una serie de conceptos que van ser utilizados para
cualquier tipo de amplificador:
• Entrada: Malla por la cual se aplica una señal que proviene de una fuente y que va ser amplificada.
Normalmente se le aplica el subíndice e o i.
• Salida: Malla por la cual se obtiene la señal amplificada. Normalmente se le aplica el subíndice s u o.
• Distorsión: Deformación de la señal de salida respecto a la de entrada.
• Tensión de entrada: vE, tensión que entrega el generador de señal al amplificador.
• Corriente de entrada: iE, corriente que absorbe el amplificador.
• Impedancia de entrada: ZE, impedancia que ve el generador al conectarlo a la entrada del amplificador.
ZE = vE/iE.
• Tensión de salida: vS, tensión alterna que se manifiesta en los extremos de la carga.
• Corriente de salida: iS, corriente que circula por la carga.
• Impedancia de salida: ZS, impedancia interna que presenta la señal de salida si se emplea como
generador para otro dispositivo. ZS = vS/iS.
• Ganancia en tensión: AV, relación entre la tensión de salida y la de entrada. AV = vS/vE.
• Ganancia en corriente: AI, relación entre la corriente de salida y la de entrada AI = iS/iE.
En muchas ocasiones se determinará la ganancia de tensión o corriente en decibelios. El
decibelio es una representación numérica sin dimensiones que se definede la siguiente forma
vs
Av dB
= 20 log10
ve
• Ganancia de potencia. AP relación entre la potencia de salida y la de entrada. AP = PS/PE
7.2.1 Recta estática de carga

Empezaremos estudiando la monoetapa con BJT más utilizada. La malla de colector satisface
para continua la siguiente ecuación:
VCC = I CQ (RC + RE ) + VCEQ
V CC
R1 RC
CB
R2 RE
 Martinez Bernia y Asoc. Capítulo 7. Amplificadores con BJT. 3
Donde ICQ y VCEQ representan respectivamente la corriente de colector y tensión colector-

emisor en el punto Q. La representación gráfica de la ecuación (1), que puede verse en la figura 1.2,
recibe el nombre de recta estática de carga.
IC
V CC
R C +R E
I CQ Q
V CE
V CC V CC
2
Para que el BJT esté correctamente polarizado, el punto Q debe estar centrado (se dice
entonces que el BJT está polarizado en clase A de continua). Despreciando la tensión colector-emisor
en saturación, para una correcta polarización se elige
VCEQ =VCC/2 ⇒ RC +RE = VCC/(2ICQ)
Fijando ICQ y la tensión VE en el emisor, inmediatamente se obtiene:
VCC
RE = VE / ICQ RC = − RE
2 ICQ
7.2.2 Recta dinámica de carga

Supongamos el circuito general de la figura siguiente. Para continua la monoetapa es idéntica a
la de la figura primera; por tanto, poniendo RE = RE1 +RE2, podemos escribir
ICQ ( RC + RE ) + VCEQ = VCC
Que representa ciertamente la recta de carga estática.
V CC
R1 RC
C ∞
RL
R E1
R2
R E2 C ∞
Por otro lado, para alterna y en malla de colector podemos escribir

( iC – ICQ ) ( R + RE1) = - ( vCE – VCEQ )
Donde R = RC//RL. La representación gráfica de (3) recibe el nombre de recta de carga
dinámica.
En la figura siguiente puede verse la representación de la recta estática de carga conjuntamente
con la dinámica.
ic
-1
2I CQ pendie nte=
R+R E1
VCC
RC+R E
Q -1
I CQ pendie nte=
R C+R E
V CE
V CEQ V CC
Para que la excursión del punto Q sea la máxima posible, éste debe estar centrado en la recta
de carga dinámica (en este caso se dice que el BJT está polarizado en clase A de alterna); en
consecuencia se debe satisfacer que cuando vCE = 0, iC = 2ICQ Con la condición anterior y combinando
(2) y (3), ICQ debe valer
VCC
ICQ =
RC + RE + R + RE1
El valor de ICQ lo fija el divisor R1-R2 y RE.
7.2.3 Amplificación.
Dado el circuito de la figura siguiente, es posible establecer su recta de carga mediante la
ecuacion:
VCC = RCIC + VCE
iC
C RC
B
+ V CE
iB +
vi E V CC
- -
V BB V BE
Si dibujamos esta recta de carga en la curva característica del transistor, será posible determinar
gráficamente la ganancia que se produce.
i C (mA)
V CC
RC
34 mA 400 µ A
300 µ A
250 µ A
18 mA 200 µ A
150 µ A
100 µ A
2 mA 50 µ A
V CE (V)
0 5 10 15 20
V CC
i c (mA) i B (µA)
34 400
18 t(s) 200 t(s)
2 0
Salida Entrada
La señal de salida correspondiente se puede encontrar de manera gráfica. Moviendo el punto

de operación hacia arriba y abajo a lo largo de la línea de carga conforme cambia iB, se pueden graficar
iC; iB y νCE, como se muestra en la figura anterior. Se determinará el cambio en la corriente de colector
para un cambio dado en la corriente de base. Esta relación es la ganancia de corriente, que se define
como
∆iC 32mA
Ai = = = 80
∆iB 400 µA
7.3 Circuito equivalente híbrido del transistor.

Un cuadripolo es una red o un dispositivo de tres terminales, de manera que el par de
terminales o puertos de la izquierda representarán los de entrada y los de la derecha los terminales de
salida. Una red de esta índole se puede describir por cuatro variables, que son las corrientes y las
tensiones de cada puerto.
Figura 7-1. Cuadripolo genérico.

Dos de estas variables pueden ser consideradas independientes, siendo las restantes
dependientes de éstas. Ya que el sistema funciona linealmente, las variables están relacionadas entre sí
por un conjunto de ecuaciones lineales, de las cuales las más empleadas son las siguientes:
Ve = h11 I e + h12Vs ( 7-1 )
I s = h21 I e + h22Vs ( 7-2 )
Los parámetros que relacionan las cuatro variables se llaman híbridos o parámetros h.
Si fijamos arbitrariamente Vs = 0 (cortocircuito en los terminales de salida), y resolvemos la
ecuación respecto a h11, obtenemos:
Ve
h11 = ( 7-3 )
Ie Vs = 0
La relación muestra que es un parámetro de impedancia que se medirá en ohmios. Recibe el

nombre de impedancia de entrada en cortocircuito.
Si Ie se hace igual a cero abriendo las conexiones de entrada, se producirá el siguiente resultado
para h12 :
Ve
h12 = ( 7-4 )
Vs Ie =0
En consecuencia, el parámetro h12 es la relación de la tensión de entrada con la tensión de salida y con
la corriente de entrada igual a cero.
Si en la ecuación, hacemos Vs igual a cero poniendo de nuevo los terminales en cortocircuito,
se obtiene:
Is
h21 = ( 7-5 )
Ie Vs = 0
Ahora tenemos la relación entre la corriente de salida y la corriente de entrada con los terminales de
salida en corto.
El último parámetro puede encontrarse abriendo las conexiones de entrada para fijar Ie = 0 y
resolviendo la ecuación se obtiene:
Is
h22 = ( 7-6 )
Vs Ie =0
Se trata del cociente entre la corriente de salida y la tensión de salida, el parámetro es una
conductancia y se mide en siemens. Recibe también el nombre de admitancia de salida.
De lo anterior se desprende que se podría obtener un circuito equivalente de entrada que
cumpla la ecuación (7.1), que es el mostrado en la siguiente figura a), y uno equivalente de salida figura
b) que cumple la ecuación (7.2).
Figura 7-2. Circuitos equivalentes híbridos: a) de entrada, b) de salida.

El circuito equivalente completo en c.a. para un dispositivo lineal de tres terminales se indica
en la figura siguiente con un nuevo grupo de subíndices para los parámetros h, Esta notación es más
utilizada en la literatura.
• h11 : impedancia de entrada → hi
• h12 : relación de transferencia de tensión inversa → hr
• h21 : ganancia en corriente → hf
• h11 : admitancia de salida → ho
El circuito se aplica a cualquier dispositivo o sistema de tres terminales sin fuentes internas
independientes. Así, en el transistor, aun cuando podíamos obtener un circuito equivalente para
pequeña señal a partir de las ecuaciones de Ebers-Moll, se ha optado aquí por considerar el transistor
como un ejemplo más de cuadripolo (caja negra) y tal que las relaciones entre las variables en los
terminales de entrada y salida se obtienen experimentalmente. Como el transistor se puede polarizar en
tres configuraciones básicas, todas configuraciones de tres terminales, el circuito equivalente resultante
tendrá el mismo formato que el de la figura.
Figura 7-3. Circuito equivalente completo.

No obstante, los parámetros h cambiarán con cada configuración. Para distinguir cuál es el
parámetro utilizado o con cuál se cuenta, se ha adicionado un segundo subíndice a la notación del
parámetro h, a saber, b, c, y e para la configuración base, colector y emisor común.
Figura 7-4. Modelo c.a. equivalente del transistor en emisor común.

La red equivalente híbrida se muestra en la figura anterior para la configuración de emisor
común, por otro lado la más utilizada, pero es posible establecer el modelo para las otras dos
configuraciones. Sin embargo en las hojas de características es normal encontrar los parámetros
híbridos en configuración de emisor común, la tabla siguiente puede ayudar a calcular los parámetros
en cualquier configuración.
Emisor Común Base Común Colector Común

hie hie hic = hie
hib =
1 + h fe
hre hie hoe hrc = 1 − hre
hrb = − hre
1 + h fe
h fe h fe − h fc = 1 + h fe
h fb = −
1 + h fe
hoe hoe hoc = hoe
hob =
1 + h fe
Tabla 7-1. Parámetros híbridos en función de la configuración en emisor común.
En las configuraciones de emisor común y base común, las magnitudes de hr y de ho a menudo
son tales, que los resultados del análisis se ven mínimamente afectados si no se incluyen en el modelo.
Puesto que hr tiene por lo general un valor relativamente pequeño (hr ≈ 0), entonces hrVs ≈ 0, por lo
que la fuente de tensión puede ser sustituida por un cortocircuito. Por otro lado la admitancia ho es por
lo general muy pequeña y por tanto la resistencia 1/ho es suficientemente grande como para ignorarse
en comparación con la carga en paralelo que suele llevar, por lo tanto ésta puede sustituirse por un
circuito abierto. El equivalente resultante para la configuración en emisor común quedaría como
muestra la figura siguiente.
Figura 7-5. Modelo equivalente aproximado en emisor común.
7.4 Configuración en emisor común.

Se estudiarán a continuación las configuraciones más utilizadas.
7.4.1 Configuración polarización fija.

La primera configuración que se analizará es la red de polarización fija de la figura siguiente.
La señal de entrada se aplica a la base del transistor por medio del condensador C1, en tanto que la
salida es tomada del colector por medio del condensador C2. Para el análisis de c.a. se cortocircuitan las
fuentes de tensión continua y se sustituyen los condensadores por un cortocircuito, obteniéndose la
red de la figura siguiente.
Figura 7-6. Configuración en polarización fija. Esquema en c.a.

Obsérvese que la conexión a tierra común de la alimentación hace que las resistencias RB y RC
aparezcan en paralelo con la entrada y salida del transistor, respectivamente. Sustituyendo ahora el
transistor por el circuito equivalente híbrido aproximado, se obtiene el esquema de la figura siguiente.
Figura 7-7. Diagrama equivalente en c.a.

Del análisis del circuito se deduce claramente, que la impedancia de entrada vale:
Z E = RB || hie ( 7-7 )
La impedancia de salida se define como, la impedancia vista desde los terminales de salida
cuando vE = 0, en consecuencia iB = 0 y hfe iB = 0, es decir, la fuente de corriente es un circuito abierto.
Por tanto.
Z S = RC ( 7-8 )
Para la ganancia en tensión AV, se tiene para la malla de salida
v S = − h fe i B RC ( 7-9 )
el signo negativo indica que la tensión de salida tiene una polaridad opuesta a la considerada.
Por otro lado en la malla de entrada
v E = hie i B ( 7-10 )
por tanto
vS h fe R C
AV = =− ( 7-11 )
vE hie
En cuanto a la ganancia en corriente AI, tendremos que aplicar la regla del divisor de corriente
en la malla de entrada para calcular la corriente que circula por la base
RB
iB = i ( 7-12 )
hie + R B E
por tanto, la ganancia en corriente
iS h fe iB h fe RB
AI = = = ≈ h fe ( 7-13 )
iE iE hie + RB RB !! hie
7.4.2 Ejemplo
8.11
7.4.3 Configuración por divisor de tensión.

El circuito que se analizará es el mostrado en la figura siguiente. La sustitución del circuito
equivalente híbrido aproximado dará como resultado la red de la derecha. Debido a la existencia del
condensador de desacoplo de emisor, la resistencia RE no aparecerá en el circuito c.a.
Figura 7-8. Montaje por divisor de tensión. Circuito equivalente en c.a.

Si llamamos RB al paralelo de R1 y R2, lo sustituimos en el circuito equivalente c.a., nos
encontramos con un circuito idéntico al del apartado anterior, por lo que su análisis no se va a volver a
repetir.
Existe una variación para el circuito anterior que consiste en que la resistencia de emisor RE,
no esté desacoplada mediante un condensador, en ese caso el circuito equivalente en c.a. quedaría
como indica la figura siguiente, siendo RB el paralelo de R1 y R2.
Figura 7-9. Circuito equivalente en c.a. con resistencia de emisor sin desacoplar.
Aplicando la ley de Kirchoff a la malla de entrada tendremos:
( )
v B = i B hie + (i B + iC )R E = i B hie + 1 + h fe i B R E ( 7-14 )
= hie + (1 + h fe )RE ≈ hie + h fe RE ≈ h fe RE

vB
ZB = ( 7-15 )
iB
Por tanto la impedancia de entrada será:
Z E = R B || Z B =
(
R B hie + h fe R E ) ( 7-16 )
R B + hie + h fe R E
En cuanto a la impedancia de salida tendremos, como en los casos anteriores
Z S = RC ( 7-17 )
Como hemos visto antes.
vE
iB = ( 7-18 )
ZB
Entonces la ganancia en tensión se obtendrá de la forma siguiente:
vE
v S = − h fe i B R C = − h fe R ( 7-19 )
ZB C
por tanto
vS − h fe RC h fe RC R
AV = = ≈− ≈− C ( 7-20 )
vE ZB h fe RE RE
Para calcular la ganancia en corriente, tendremos que aplicar la regla del divisor de corriente en
la malla de entrada, obteniendo:
RB
iB = i ( 7-21 )
RB + Z B E
entonces
iS h fe iB h fe RB
AI = = =
iE iE RB + Z B
( 7-22 )
Z
AI = − AV E
RC
7.4.4 Ejemplo 1.
Diseñar el amplificador estabilizado por divisor de tensión de la figura anterior para que
trabaje en clase A, tenga una ganancia de tensión Aν igual a Aν = -4 y una frecuencia inferior de corte
de aproximadamente 50 Hz. En el circuito diseñado, ¿cuál es la máxima señal de entrada para una
salida sin distorsión? Suponer: Vcc= 10V, hay sólo condensador CB en la entrada. y el BJT de silicio
con β >100.
Resolución
Para que el amplificador trabaje en clase A se debe cumplir
Vcc
= Icq( RL + RE )
2
Y para que la ganancia de tensión valga –4 se debe verificar
RL
Aν = -4 = - ⇒ RL = 4 RE
RE
fijando Icq = 1 mA, a partir de las ecuaciones anteriores inmediatamente se obtiene
RL = 4 kΩ RE = 1 kΩ
Con el valor de RE e Icq anteriores, la tensión en el emisor vale VE =1 V y en consecuencia la
tensión en la base es VE = 1.7 V. Eligiendo la corriente ID por el divisor R1-R2 igual a ID= 0,1mA>>IE
fácilmente se determina
VB
R2 = = 17 kΩ
ID
Vcc − VB
R1 = = 83 kΩ
ID
La impedancia que ve el condensador CB es igual a la impedancia de entrada Zimp del
amplificador que vale
Zimp = R1//R2//(β+1)RE ≈ 12.33 kΩ
En consecuencia,
1
= Zimp = 12.33kΩ ⇒ CB = 260nF
CBω 1
Veamos cuál es la máxima amplitud posible de la señal de entrada. El BJT se cortará cuando
en su emisor la tensión valga cero voltios o lo que es lo mismo, cuando en la base la tensión valga VB
= 0.7 V . En consecuencia, la máxima amplitud de la señal de entrada es de 1 V.
7.4.5 Ejemplo 2.
En el circuito estabilizado por divisor de tensión de la figura anterior hallar R1 y R2 para que el
circuito trabaje en clase A de alterna. Con los valores de R1 y R2 obtenidos, ¿cuál es la máxima
amplitud de la salida sin distorsión? El BJT es de Ge (VBE ≈ 0) y con β >100, RL=150Ω, RE=100Ω,
Vcc=10V, CB→∞ y CE→∞.
Resolución
La ecuación de la recta estática de carga es
VCC = Icq (RL+ RE)+ VCEQ
Y la de la recta dinámica
(iC - Icq) RL = - (νCE - νCEQ)
Para una excursión máxima simétrica se debe verificar
VCEQ
νCE = 0 ⇒ iC =2Icq ⇒ Icq = ; VCC = Icq (RL+RE)+ IcqRL
RL
Sustituyendo esta última en la primera se obtiene
VCC
Icq =
2 RL + RE
De donde sustituyendo valores, Icq =25mA.
Es decir, para que el circuito trabaje en la clase A de alterna, el transistor debe polarizarse
mediante R1 y R2 para que la corriente de colector en el punto Q valga Icq = 25 mA. En ese caso la
tensión en el emisor valdrá VE = Icq. RE = 2.5 V, tensión que será igual a la que hay en la base VE por
ser VBE = 0. Fijando la corriente ID por el divisor en ID = 2.5 mA, inmediatamente se determina
VCC − VB 10 − 2.5
R1 = = = 3kΩ
ID 2.5
VB 2.5V
R2 = = = 1kΩ
ID 2.5mA
La máxima amplitud de la salida, dado que el punto Q está centrado en alterna, vale IcqRL =
3.75 V.
7.4.6 Configuración con realimentación de colector.

El circuito con realimentación de colector es el que se muestra en la figura siguiente. Utiliza la
resistencia RB como realimentación del colector a la base para incrementar la estabilidad del sistema.
Figura 7-10. Amplificador con realimentación de colector. Circuito equivalente en c.a.

La sustitución del circuito equivalente aproximado producirá en resultado de la derecha.
Para la ganancia en tensión, se tendrá que en el punto C
(
v S = − RC h fe i B + i1 ) ( 7-23 )
Normalmente RB suele tener un valor elevado, de lo que se desprende que hfeib >> i1,y
entonces
v S ≈ − RC h fe i B ( 7-24 )
y como
vE
iB = ( 7-25 )
hie
entonces, la ganancia en tensión quedaría
vS h fe i B RC h fe
AV = ≈− =− R ( 7-26 )
vE vE hie C
La ganancia en corriente puede calcularse de la manera siguiente. Aplicando la ley de

Kirchhoff alrededor del bucle de la red exterior se tiene
v E + v RB − v S = i B hie + (i B − i E ) R B + (i C + i1 ) RC = 0 ( 7-27 )
Empleando como anteriormente que iC >> i1, se tiene
( )
i B hie + i B RB − i E R B + h fe i B RC = 0 ⇒ i B hie + RB + h fe RC = i E R B ( 7-28 )
Sustituyendo iB ≈ iS / hfe se obtiene finalmente
( )
iS iS h fe R B
hie + RB + h fe R C = i E RB ⇒ AI = = ( 7-29 )
h fe i E hie + RB + h fe RC
En cuanto a la impedancia de entrada, observando la figura se tiene

vS − v E
iB = iE + ( 7-30 )
RB
como vS >> vE,
vS
iB ≈ iE + ( 7-31 )
RB
y como tenemos que
 vS  hie
v E = i B hie =  i E +  hie = i E hie + v ( 7-32 )
 RB  RB S
Sustituyendo vS = AV vE, tenemos
hie AV v E  hie AV 
v E = i E hie + ⇒ vE 1 −  =i h ( 7-33 )
RB  R B  E ie
Por tanto, la impedancia de entrada será
vE hie
ZE = = ( 7-34 )
iE AV
1 − hie
RB
Para el calculo de la impedancia de salida hacemos vE igual a cero, es decir cortocircuitamos

sus terminales, entonces se eliminaría el efecto de hie y RB aparece en paralelo con RC, por lo que
Z S = R C || RB ≈ R C ( 7-35 )
7.5 Configuración en colector común.

En esta disposición la salida se toma en el terminal del emisor del transistor como muestra la
figura siguiente. A este circuito también se le conoce con el nombre de seguidor de emisor, debido a
que la tensión en el emisor sigue las variaciones de la tensión de la base. La ganancia en tensión es
siempre menor que uno, debido a la caída de tensión en la base-emisor. A diferencia que en la
configuración anterior la tensión de salida está en fase con la tensión de entrada. Presenta una elevada
impedancia de entrada, y una impedancia de salida baja, por eso se utiliza a menudo como adaptador
de impedancias.
Figura 7-11. Configuración en colector común. Circuito equivalente en c.a.

La sustitución del circuito por equivalente aproximado da como resultado la red de la derecha.
La impedancia de entrada se determina del mismo modo que en el divisor de tensión del emisor
común.
Z E = R B || Z B =
(
R B hie + h fe R E ) ( 7-36 )
R B + hie + h fe R E
con ZB ya definida en apartados anteriores.

La impedancia de salida se determina, como hemos visto antes, cortocircuitando las fuentes de
tensión y abriendo las fuentes de corriente si éstas son independientes, del circuito equivalente,
obtendríamos el circuito de la figura siguiente.
Figura 7-12. Circuito equivalente para el cálculo de la impedancia de salida.

La corriente iS puede expresarse
(
i S = i B + i C = i B 1 + h fe ) ( 7-37 )
y por tanto
iB = −
vS
hie
v
⇒ i S = − S 1 + h fe
hie
( ) ( 7-38 )
El signo negativo indica que la corriente tiene sentido opuesto al expresado en la figura. La
impedancia vista desde el terminal de emisor hacia dentro quedaría
vS hie
Z' = = ( 7-39 )
i S 1 + h fe
y la impedancia de salida será el paralelo de la anterior con RE
hie
Z S = RE ( 7-40 )
1 + h fe
Para calcular la ganancia en tensión hay que recordar que:
(
Z B = hie + 1 + h fe RE ) ( 7-41 )
En realidad si observamos la figura, la salida está tomada del divisor de tensión formado por
hie y RE, identificando términos y aplicando la regla del divisor de tensión, tendríamos.
vS =
(1 + h )R fe E
( 7-42 )
h + (1 + h )R
vE
ie fe E
por lo tanto
AV =
vS
=
(
1 + h fe R E )
( )
( 7-43 )
vE h + 1+ h R
ie fe E
La ausencia de signo negativo indica que vS y vE se encuentran en fase, y el factor hie es la única
razón por la que vS no es igual a vE.
En cuanto a la ganancia en corriente, observando de nuevo la figura, y aplicando la regla del
divisor de corriente a la entrada, se obtiene
RB iB RB
iB = iE ⇒ = ( 7-44 )
RB + Z B i E RB + Z B
( )
i S = 1 + h fe i B ⇒
iS
iB
= 1 + h fe ( 7-45 )
componiendo ambas expresiones
AI =
iS iS iB
= =
(
1 + h fe R B ) ( 7-46 )
iE iB iE RB + Z B
El circuito de la figura siguiente a) es una variación sobre el ya visto, que utiliza polarización
por divisor de tensión. El análisis es similar y pueden aplicarse todas las ecuaciones anteriores con solo
tener en cuenta que RB es ahora el paralelo de R1 y R2.
Figura 7-13. Circuitos en colector común. a) Con polarización por divisor de tensión,
b) Con polarización por divisor de tensión y resistencia de colector.
Otra variación es la mostrada en la figura b) en la que se incluye una resistencia de colector RC.
En este caso RB se sustituye de nuevo por el paralelo de R1 y R2. Ninguna de las expresiones anteriores
son afectas y el único efecto de RC será en la polarización del circuito.
7.5.1 Ejemplo.
En el amplificador de la figura siguiente β=50, hie=1kΩ, VBE=0
• Hallar R2 de modo que Icq = 5 mA.

• Hallar el máximo valor de la amplitud de la tensión de salida sin distorsión con Icq= 5 mA.
• Hallar el valor de R2 que hace que el amplificador trabaje en clase A de alterna y calcular en ese
caso el máximo valor de la amplitud de la salida sin distorsión.
Resolución
Si Icq = 5 mA, la tensión en la base debe valer
VB = VE = IcqRE = 5 V
Como la corriente continua de base vale IB = Icq/β = 0.1 mA R2 resulta
VCC − VB 12 − 5
R2 = = = 70kΩ
IB 0.1mA
La tensión VCEQ es igual a
VCEQ = VCC - IcqRE = 7 V
Por tanto, el punto Q está más próximo a la zona de corte que a la de saturación, y será
precisamente el corte del BJT la causa que limite la amplitud de la oscilación.
La ecuación de la recta dinámica de carga es
(iC - Icq)R = -(νCE - VCEQ)
Siendo R = RE//RL. Cuando el transistor se corta (iC = 0) la tensión VCE vale
νCE = VCEQ + Icq R = 10.33 V
Por lo que en ese instante la tensión en el emisor vale
νE = νC – 10.33 V = VCC –10.33 = 1.67 V
De donde, la máxima amplitud V0 de la señal de salida es
V0 = VE - νE = 5 – 1.67 = 3.33 V
Para que el seguidor trabaje en clase A de alterna, de (1) se debe cumplir
VCEQ
(2) νCE = 0 ; iC = 2 Icq ⇒ Icq =
R
Por otro lado, la ecuación de la recta estática de carga es
(3) VCC = Icq RE + VCEQ
Combinando (2) y (3) resulta
VCC
Icq = = 7.2mA
RE + R
Con el valor anterior de Icq la tensión en la base es VB = 7.2 V, de donde

VCC − VB 12 − 7.2
R2 = = = 33kΩ
IB 0.144
La amplitud máxima V0 de la oscilación de salida vale en este caso
V0 = IcqR = 4.8 V
7.6 Configuración en base común.

La configuración en base común se caracteriza por tener un baja impedancia de entrada y de
salida y una ganancia en corriente menor que uno. Sin embargo la ganancia en tensión puede tener un
valor medio. La figura 6.14 muestra un amplificador en esta configuración con polarización por divisor
de tensión.
Nótese que el modelo de base común tiene la misma disposición que la red equivalente en
emisor común, con la excepción de que ahora los parámetros empleados son los de base común.
Figura 7-14. Configuración en base común. Esquema equivalente en c.a.

Del análisis del circuito se deduce que la impedancia de entrada será:
R E hib
Z E = RE || hib = ( 7-47 )
R E + hib
y la impedancia de salida
Z S = RC ( 7-48 )
en cuanto a la ganancia en tensión, tendremos que la tensión de salida vale
v S = − i C R C = − h fb i E R C ( 7-49 )
y como la corriente de emisor vale
vE
iE = ( 7-50 )
hib
sustituyendo y despejando
vS h fb
AV = =− R ( 7-51 )
vE hib C
Puesto que hfb es negativo, de la expresión anterior se deduce que la tensión de entrada y la de
salida están en fase.
Por otro lado para la ganancia en corriente se tendrá aplicando la regla del divisor de corriente
RE
iE = i ( 7-52 )
RE + hib 1
y como
RE
i C = h fb i E = h fb i ( 7-53 )
R E + hib 1
de donde finalmente quedaría
iC RE
AI = = h fb ( 7-54 )
i1 RE + hib
7.7 Comparación entre las configuraciones.

En la tabla siguiente se indican las características de las tres configuraciones básicas vistas, el
signo negativo indica que en la salida existe inversión del signo.

Común Común Común
Impedancia de entrada media pequeña alta
Impedancia de salida media alta pequeña
Ganancia en corriente alta (−) menor que 1 alta
Ganancia en tensión alta (−) alta menor que 1
Tabla 7-2 . Configuraciones básicas.
De la tabla anterior se ve que la configuración en emisor es la que posee mejores
características por lo que es la más empleada. En cambio la configuración de base común posee pocas
aplicaciones salvo la de amplificador de tensión no inversor y como adaptador de impedancias. Por
último la configuración de colector se suele utilizar como adaptador de impedancias entre una fuente
de gran impedancia y una carga de baja impedancia.
7.7.1 Ejemplo.
8.12
7.8 Efectos de la carga y de la fuente de señal.

Cuando la señal de entrada al amplificador es proporcionada por una fuente de señal con un
impedancia interna, la señal de entrada hacia el amplificador se reduce con respecto al valor sin carga.
La figura siguiente muestra un amplificador típico atacado por una fuente de señal con una impedancia
interna.
Figura 7-15. Etapa amplificadora atacada por una fuente de señal con impedancia
interna.
Al conectar la fuente de señal se origina una corriente de entrada iE, hacia el amplificador, ésta
corriente produce una caída de tensión en la impedancia interna de la fuente ZF, por tanto la tensión
efectiva de entrada del amplificador será
ZE
vE = v ( 7-55 )
ZE + ZF F
De ahí que sea aconsejable diseñar una amplificador con la impedancia de entrada lo más alta
posible. Una vez que la tensión de entrada se determina mediante las expresiones correspondientes, los
restantes cálculos se realizan como se indicaron antes.
En cuanto al efecto de la carga de salida, en la figura se muestra el circuito equivalente de un
amplificador con una carga ZL conectada a la salida.
Figura 7-16. Etapa amplificadora con una carga a la salida.

Se observa como en el caso anterior que al conectar la carga a la salida se origina una corriente
iS, que produce a su vez una caída de tensión en la impedancia de salida del amplificador, por lo tanto,
la tensión de salida vendrá dada por
ZL
v S = AV v E ( 7-56 )
Z L + ZS
Esta es la razón por la que se diseñan los amplificadores con una impedancia de salida lo más
baja posible, obteniendo así la máxima tensión en la carga.
Veamos algunos ejemplos al respecto.
7.8.1 Ejemplo 1
Para el sistema de la figura determinar la impedancia de entrada, ZE :
Rsensor
1 kΩ ZE
+
Sistema de
+
dos puertos
V0 = 2mV AC VE = 1.2 mV
-
Solución:
V 0 − V E 0 .8 mV
IE= = = 0 .8 µ A
R sen or 1 kΩ
V E 1 . 2 mV
Z E= = = 1 .5 k Ω
I E 0 .8 µ A
7.8.2 Ejemplo 2
Para el sistema de la figura siguiente determinar la impedancia de salida, ZS :
ZE Rsensor
+ 20 k Ω
Sistema de +
dos puertos AC
V0 = 0mV Vs = 680mV - V=1V

-
Solución:
V −V 320 mV
= = = 16 µ A
S
I
20 k Ω
S
R sen or
V S 680 mV
ZS= = = 42 . 5 k Ω
IS 16 µ A
7.8.3 Ejemplo 3
Para el amplificador BJT de la figura siguiente determinar: VE; IE; ZE ; Av
Rsensor
1.2 K Ω + +
ZE
Amplificador BJT
+ VE AvNL = 320 VS = 7.68 mV
V0 = 40 mV AC
-
- -
Solución:
VS VS 720 V
a) A vNL = y Vi= = = 24 V
V E A vNL 320
V 0 − V E 40 mV − 24 mV
b) I = = = 13 .33 µ A
20 kΩ
E
R sen or
VE 24 mV
c) ZE= = = 1 .8 k Ω
I E 13 .33 µ A
Zi
d) A vS = Av NL = 192
Z i + RS
7.9 Amplificadores multietapa.

No resulta extraño que para la amplificación de una señal no sea suficiente la utilización de un
sólo transistor, y nos veamos obligados a utilizar una o dos etapas en cascada para buscar generalmente
la máxima ganancia en tensión; y cabe preguntarse, ¿cuál de las tres configuraciones deben emplearse
en el amplificador multietapa?.
La conexión en colector común no se utiliza en las etapas intermedias al poseer una ganancia
en tensión menor que la unidad. Tampoco son interesantes las etapas acopladas en base, pues la
ganancia en tensión total es la aportada por la última etapa ya que en las intermedias dicha ganancia es
inferior a uno. Esto es debido a que una etapa intermedia en base común tiene como impedancia de
carga (ZL1), igual el paralelo de su impedancia de salida (Zo1) y de la de entrada de la etapa siguiente
(Zi2), donde Zo1 >>Zi2 ⇒ZL1 ≤ Zi2. Al cumplirse que la ganancia en tensión es igual a la de corriente
(que en base común es <1) multiplicada por la impedancia de carga y dividida por la entrada resulta un
valor inferior a uno.
Partiendo de que la ganancia de corriente en cortocircuito hfe de una etapa en emisor común es
mucho mayor que la unidad, es posible aumentar la amplificación de tensión acoplando varias en
cascada.
Se puede concluir diciendo que en un amplificador multietapa las etapas intermedias se
conectan en emisor común. Las etapas de entrada o salida pueden elegirse utilizando el criterio de
mejor adaptación de impedancias. Por ejemplo si la entrada es proporcionada por un transductor,
estos pueden trabajar en circuito abierto o en cortocircuito por lo que se empleará colector o base
común respectivamente.
Consideradas las configuraciones a utilizar queda por definir el tipo de acoplamiento, el cual
puede ser: acoplamiento RC, acoplamiento directo y acoplamiento por transformador. Este último acoplo se
realiza con un transformador donde el primario va en el colector de la primera etapa y el secundario se
conecta entre el divisor de tensión y la base de siguiente etapa. Su funcionamiento es algo más eficiente
que en los acoplamientos RC al aislar la corriente continua, ofrecer una baja resistencia, permitir la
máxima transferencia de potencia entre etapas al adaptar sus impedancias de entrada y salida y no
originar una perdida excesiva de potencia en corriente continua. Pero el mayor tamaño de estos
amplificadores, su pobre respuesta en frecuencia y su mayor coste hacen que no sean muy comunes de
ver.
7.9.1 Ejemplo 1
En el circuito de la figura hallar los valores de las resistencias para que Ic2 = 10 mA e Ic1 = 2
IB2. Se sabe que β 1 = β 2 = 100 y hie1 = hie2 = 1 kΩ. ¿Cuál es la impedancia de entrada Zimp y ganancia de
tensión Av del circuito diseñado? Los transistores son de germanio.
V CC =10V
R1 R C2
C ∞
Q1
Q2
R2 R E1 R E2 C ∞
Resolución
Fijando la tensión en el emisor de Q2 en VE2 = 2 V y en su colector en Vc2 = 7 V
inmediatamente se obtiene
VE 2 2V
RE2 = = = 200Ω
IC 2 10mA
VCC − VC 2 10 − 7
RC2 = = = 300Ω
IC 2 10mA
Teniendo en cuenta que la tensión en el emisor de Q1 es VE1 = 2 V y que por RE1 circula IB2
= 0.1 mA, resulta
VE1 2V
RE1 = = = 40 KΩ
IB 2 0.05mA
Fijando la corriente ID por el divisor R1-R2 en ID =10 IB1 = 20 µA resulta
VB1 VE 2 2V
R2 = = = = 100kΩ
ID ID 20 µA
VCC − VB1 10 − 2
R1 = = = 400kΩ
ID 20 µA
La impedancia de entrada del circuito diseñado vale
Zimp = RB//ZB
ZB = hie1+hfe(RE1//hie2)
Zimp = R1//R2//β (RE1//hie2) ≈ 80kΩ // 100kΩ = 44kΩ
Y la ganancia de tensión es
βRC 2 100 x0.3
Aν = Aν1 Aν2 ≈ − =− = −30
hie 2 1
hfexRE
Aν1 ≈ ≈1
hie + hfexRE
7.9.2 Ejemplo 2
Diseñar totalmente el amplificador de dos etapas de la figura de modo que se cumpla:
• Ganancia de tensión Aν superior a 200.
• Impedancia de entrada Zimp superior a 1 kΩ.
• Permita una oscilación en la carga de 15 Vpp.
• Tenga una frecuencia inferior de corte del orden de 20 Hz.

• Los transistores son de silicio con β > 100 y hie despreciable.
V CC =10V
R1 R C2
C ∞
Q1
Q2
R2 R E1 R E2 C ∞
Resolución
Para que la oscilación sea lo mayor posible Q2 debe diseñarse en clase A ( de continua).
Fijando la tensión en los emisores en VE = 2 V, en los colectores en Vc =12 V, la corriente ID por los
divisores R1-R2 y R3-R4 igual a ID = 0.1 mA, la corriente de colector de Q1 en Ic1 = 1 mA y como la de
colector de Q2 forzosamente vale
VCC − VC 2 20 − 12
Ic2 = = = 0.8mA
RL 10
Inmediatamente se calcula
VE 2V
R’E2 = = = 2.5kΩ
IC 2 0.8mA
VE 2V
RE1+RE2 = = = 2kΩ
IC1 1mA
VCC − VC 20 − 12
RC1 = = = 8kΩ
IC1 1mA
VCC − (VE + VBE ) 20 − 2.7
R 1 = R3 = = = 173kΩ
ID 0.1mA
VE + VBE 2.7V
R 2 = R4 = = = 27 kΩ
ID 0.1mA
La ganancia de Q2 vale
RL
Aν2 = - = −4
R' E 2
Y la de Q1 es
RC1 // R 4 6kΩ
Aν1- =−
RE1 RE1
Que debe ser |Aν1|>50, por tanto,
6kΩ
RE1< = 120Ω ⇒ RE1 = 100Ω
50
Y en consecuencia RE2 = 2 kΩ-100Ω = 1.9 kΩ
La impedancia de entrada vale
Zimp = R1//R2//(β+1)RE1 ≈ 7 kΩ
7.10 Fuentes de corriente integradas.
7.10.1 Fuente de corriente de constante de transistor bipolar

Suponiendo que la impedancia de entrada de base es mucho más grande que R1 o R2,
R1
VB = (−V EE ) y VE = V B − 0.7V
R1 + R2
con
VE − (VEE ) VB − VBE − (−VEE )

IE = = ≈ IC
RE RE
Donde IC es la corriente constante proporcionada por el circuito de la figura.
IC
VB
Q1
+
V BE
-
R2
R1 IE RE
-V EE
7.10.2 Fuente de corriente transistor/zener.

Al reemplazarse el resistor R2 por un diodo Zener, como se ilustra en la figura 12.27, se
proporciona una fuente de corriente constante mejorada con respecto a la red de la figura 12.25.
El diodo Zener da por resultado una corriente constante que se calcula haciendo uso de la
ecuación KVL de base-emisor. El valor de I puede calcularse mediante el uso de:
VZ − VBE VB − (−VEE ) − VBE

I ≈ IE = =
RE RE
Un punto importante por considerar es que la corriente constante depende del voltaje del
diodo Zener, el cual permanece bastante constante, y del resistor de emisor RE. La fuente de
voltaje VEE no tiene ningún efecto sobre el valor de I.
I C =I E
VB
Q1
+
V BE VE
encend ido
+ - I E =I
Vz
-
R1 RE
-V EE
7.10.3 Ejemplo
Calcule la corriente constante I en el circuito de la figura siguiente.
Solución:
VZ − VBE 6.2V − 0.7V

I= = = 3.06mA ≈ 3mA
RE 1.8 KΩ
+
6.2 V
- 1.8 KΩ
2.2 KΩ
-18 V
7.10.4 Fuente de corriente de wildar.

Debido a la alta ganancia de un amplificador operacional, las corrientes de polarización
deben ser pequeñas. Las corrientes de colector típicas se encuentran alrededor de 5µA. A menudo
se requieren resistores grandes para mantener corrientes pequeñas, y estas resistencias grandes
ocupan áreas igualmente grandes en el circuito integrado. Por tanto, es deseable reemplazar estos
resistores grandes con fuentes de corriente. Uno de dichos dispositivos es la fuente de corriente
Widlar, como se ilustra en la figura siguiente. Los transistores Q1 y Q2 son iguales. Se suman las
tensiones alrededor del lazo de la base de los dos transistores para obtener:
VBE1 –VBE2 – IC2R2=0
Vimos que:
VBE
I C = βI 0 e VT
Despejando VBE, se obtiene
 I 
VBE = VT ln C 
 βI 0 
Sustituyendo la expresión de la ecuación anterior en la primera, obtenemos:
I  I 
VT ln C1  − VT ln C 2  − I C 2 R2 = 0
 βI 0   βI 0 
VC C
Ire f IE
R1
Ic1
Q2
Q1 + +
VB E 2 - R2
- V B E1
Se supone que los dos transistores son iguales, por lo que I0,β y VT son iguales para los
dos transistores. Por tanto:
I 
VT ln C1  = I C 2 R2
 IC2 
Para propósitos de diseño, en general se conoce IC1, ya que se utiliza como referencia e IC2
es la corriente de salida deseada. Esto permite resolver la ecuación anterior para encontrar el valor
requerido de R2.
7.10.5 Ejemplo.
Diséñese una fuente de corriente Widlar para proporcionar una corriente constante de
3µA con VCC=12 V,R1= 50 KΩ y VBE=0.7 V.
Solución.
Utilizar el circuito de la figura 7.8.Aplicar la LTK al transistor Q1 para obtener:
12 − 0.7
I C1 ≈ I ref = = 0.226mA
50.000
Mediante la ecuación:
I 
VT ln C1  = I C 2 R2
 IC2 
Obtenemos:
 0.0226 ⋅ 10 −3 
0.026 ln −6
 = 3 ⋅ 10 −6 R2
 3 ⋅ 10 
y
R2=37.5KΩ
Como R2 es inferior a 50 KΩ, se puede fabricar en un CI
7.10.6 Fuente de corriente Wilson.

La fuente de corriente Wilson, como se muestra en la figura siguiente, se utiliza tres
transistores y su operación es casi independiente de las características internas del transistor. La
retroalimentación negativa del colector a la base de Q3 aumenta la resistencia de salida de esta

fuente de corriente.
V CC
I ref
R
I C2
I B1+I B2 I E2
I C1
I B1 I B3 I C3
Q2 Q3
+ A +
- V BE1 V BE2 -
A) Se despeja IC2 para ilustrar la utilidad de este circuito. Aplicando LCK en el emisor de
Q2, se obtiene:
I E 2 = I B1 + I C 3 + I B 3
I C1  1 
IE2 = + 1 +  I C 3
β  β3 
Como se supone que los tres transistores son idénticos:

β 1=β 2=β 3=β, VBE1=VBE3
Con transistores idénticos, la corriente en el trayecto de retroalimentación se divide en
forma equitativa entre las bases de Q1 y Q3, lo que conduce al resultado de que IC1=IC3 y por lo
tanto:
 2
I E 2 = 1 +  I C 3
 β
La corriente de colector en Q2 es:
I E 2 β I C 3 (1 + 2 β ) β
IC2 = =
β +1 β +1
Despejando IC3, se obtiene:
IC2 β +1
I C3 = = IC2
(1 + 2 β )β (1 + β ) β +2
B) Sumando las corrientes en la base de Q2 se encuentra:
IC2
I ref = I C1 +
β
I C 2 = (I ref − I C1 )β
Como VBE1=VBE3 ⇒ IB1=IB3 ⇒ IC1=IC3, se sustituye IC3 por IC1 en la expresión anterior y
obtenemos:
β ( β + 1)
I C 2 = βI ref − IC2
β +2
y despejando IC2,
β 2 + 2β  2 
IC2 = I ref = 1 − 2  I ref
β + 2β + 2
2
 β + 2β + 2 
En la ecuación anterior se muestra que β tiene poco efecto sobre IC2 ya que ,para valores
razonables de β,
2
<< 1
β + 2β + 2
2
7.10.7 Espejo de corrientes

Un circuito de espejo de corriente suministra una corriente constante y se utiliza
principalmente en circuitos integrados. La corriente constante se obtiene de una corriente de salida
que es la reflexión en un espejo de una corriente constante desarrollada en un lado del circuito. El
circuito es particularmente apropiado para la fabricación de CI debido a que el circuito requiere
que los transistores empleados tenga un decaimiento de voltaje de base-emisor y valores de beta
idénticos. En la figura siguienteente Ix, establecida por el transistor Q1 y el resistor RX se reflejan
en la corriente I a través del transistor Q2.
+ V CC
Ix IE
Rx
IE 2I E /β
Q1 Q2
IE I E/β I E /β IE
Las corrientes IX e I se pueden obtener haciendo uso de las corrientes del circuito.
Suponemos que la corriente de emisor (IE) para ambos transistores es la misma ( con Q1 y Q2
fabricados cerca uno de otro sobre el mismo chip). Entonces, la corriente de base de los dos
transistores son aproximadamente:
IE I
IB = ≈ E
β +1 β
La corriente de colector de cada transistor por tanto:
IC≈IE
Por último la corriente a través del resistor RX, es decir, IX, es igual a:
2 I E βI E 2 I E β + 2
Ix = IE + = + = IE ≈ IE
β β β β
La corriente constante proporcionada en el colector de Q2 se refleja en el de Q1. Y ya que:
VCC − VBE
Ix =
RX
La corriente Ix establecida por VCC y Rx se refleja en la corriente correspondiente al

colector de Q2.
El transistor Q1 se conoce como un transistor conectado como diodo debido a que la base
y el colector se encuentran juntos en corto circuito.
i en i o1 =i C1 i o2 =i C2
Q1 Q2 Q3
-V
7.10.8 Ejemplo
Calcule la corriente reflejada en espejo I, en el circuito de la figura 12.31.
Solución.
VCC − VBE 12V − 0.7V
I = Ix = = = 10.27 mA
RX 1.1KΩ
+ 12 V
I
1.1 KΩ
Q1 Q2
7.10.9 Fuentes de corriente como cargas activas.

v 0 − RC − RC I CQ
Av = = =
vi hib VT
v2
i TH = β i B 2 +
r0
v 2 v1
β iB 2 + − + i B2 = 0
r0 R2
(
v 2 = i TH − β i B 2 r0 )
v 1 = −i B 2 h' ie
h' ie = hie + (hib || R1 )
 h' 
− i TH = i B 2 1 + ie 
 R2 
v TH
RTH =
i TH
r 0 1 + β + h' ie  + h'

 R 2  ie
RTH =
h'
1 + ie
R2
r0 >> h' ie
1 + β + h' ie   
 R2   β 
RTH = r0   = r0 1 + 
 1 + h ie
'   1 + h' ie 
 R2   R2 
h' ie
>> 1
R2
βVT
hie
I CQ
 
 β   I CQ R 2 β 
RTH = r0 1 +  = r0 1 + 
 hie   VT β 
 R2 
 I R2 
RTH = r0 1 + CQ 
 VT 
βr 0
RTH =
2
Figura 7.13 Amplificador EC con carga activa a)
V CC
Fuente de
corriente
Wildar
I ref
I CI
+ v0
vi
- -
b)
V CC
Q6 Q3 Q4
+ +
v o1 vo2
- -
Q2 R2 I Ref2
I Ref1 R1 Q1
+ +
v en 1 v en 2
- -
Q5 Q7
-V EE
7.11 Trasladadores de nivel.

VBB = I B R B + VEE + I C R E + V0
IC
IB =
β
RB IC
V0 = VBB − − I C R E − VBE
β
v i = i b1R B + i b1hie1 + i c R E + v 0
v 0 = i c r 02
v0
ic =
r 02
v 0 RB v 0 h ie1 v 0 RE
v en = + + + v0
βr 02 βr 02 r 02
v0 1
=
vi 1 + (R B / β + h ie1 / β + R E ) / r 02
V CC
RB
+
V CC ve
V BB RE
RB VS
+ R2
IC
ve IB
RE
V BB
VS R1
R' E
-V EE -V EE
Capítulo 8
AMPLIFICADORES DE POTENCIA.
Un sistema amplificador consta normalmente de varias etapas en cascada. Las de entrada e intermedias
suelen ser de pequeña potencia y su misión es amplificar la pequeña excitación de entrada a un valor suficiente
para atacar la etapa de salida. Esta etapa final suele atacar un transductor, un altavoz, servomotor, etc., y por
tanto debe ser capaz de entregar una tensión o corriente variable, todo ello con un mínimo de distorsión y con un
rendimiento máximo.
8.1 Clasificación.
Atendiendo a las características estáticas de funcionamiento, es decir, el llamado punto de reposo o Q,
se distinguen:
Clase A: Son aquellos por los que circula corriente en el circuito de salida en todo momento. El
amplificador clase A trabaja esencialmente sobre una porción lineal de su característica.
Clase B: En un amplificador de clase B su punto de trabajo está situado hacia un extremo de su
característica de forma que su potencia en reposo es muy pequeña. Si la señal de excitación fuera senoidal , solo
habría amplificación en un semiciclo.
Clase AB: Aquellos que trabajan entre los dos extremos citados para las clases A y B. Por tanto, la señal
de salida será cero durante menos de un ciclo mas de medio ciclo de la señal de entrada.
Clase C: En un amplificador clase C el punto de trabajo se elige de forma que la corriente (o tensión)
de salida sea nula durante más de medio ciclo de la señal de entrada.
Clase D: Son aquellos donde se modula en anchura un tren de pulsos de frecuencia superior a los 20
Khz. Un filtrado posterior permite que solo pasen las señales de baja frecuencia.
8.2 Amplificador clase A.

Los amplificadores clase A son básicamente idénticos a sus equivalentes de señal con la excepción de
que ahora los transistores serán del tipo de potencia.
Figura 8-1. Circuito amplificador clase A con carga acoplada directamente.

El punto de polarización estará situado en el centro de la recta de carga, para que la excursión de la
corriente de salida sea máxima. En estas condiciones la potencia entregada a la carga es:
2
VLef
PL = VLef I Lef = I Lef
2
RL = ( 8-1 )
RL
siendo VLef y ILef los valores eficaces de al tensión e intensidad de salida y RL la resistencia de carga.
Figura 8-2. Señales de corriente y tensión de salida en un amplificador clase A.

Estos valores eficaces pueden determinarse en función de los valores máximo y mínimo, como se indica
en la figura anterior, Si IP (VP) representa el valor de pico de la corriente (tensión) senoidal, tendremos:
I L ( p) I max − I min
I Lef = = ( 8-2 )
2 2 2
Vl ( p) Vmax − Vmin
Vlef = = ( 8-3 )
2 2 2
sustituyendo quedará:
VL ( p ) I L ( p ) I L2( p ) RL VL2( p )
PL = = = ( 8-4 )
2 2 2 RL
o también
 Martínez Bernia y Asoc. Capítulo 8. Amplificadores de potencia. 3
(Vmax − Vmin )( I max − I min ) I L ( p. p.) RL VL ( p. p.)

2 2
PL = = = ( 8-5 )
8 8 8 RL
La potencia máxima disipada por el transistor:
2
VCC VCC VCC
PQ = VCQ I IQ = = ( 8-6 )
2 2 RL 4 RL
La potencia proporcionada por al fuente de c.c. al circuito de salida es:
2
VCC VCC
PCC = VCC I CQ = VCC = ( 8-7 )
2RL 2 RL
El rendimiento de la conversión continua alterna:
VP I P
P
η = L = 100 22 ( 8-8 )
PCC VCC
2RL
Examinemos cualitativamente su rendimiento en dos caso limites.
1. Pequeña señal. Con pequeña señal de salida, la potencia de salida es consecuentemente pequeña. No
obstante, la potencia consumida por la polarización puede tener un valor apreciable, con lo que el rendimiento de
la conversión resulta extremadamente bajo.
2. Señal máxima. Con máxima señal el transistor puede llevarse desde saturación a corte, en estas
condiciones VP=0.5VCC y I P = VCC 2RL sustituyendo en (10.8):
2
VCC
8R
η = 100 2L = 25% ( 8-9 )
VCC
2R L
Es decir por cada 1 W de potencia de salida, se consumen internamente 3 W, por tanto el amplificador
clase A no resulta adecuado para amplificación de potencia.
8.2.1 Ejemplo 1
Calcula la potencias de entrada, potencia de salida y eficiencia del circuito
amplificador de la figura “a” para un voltaje de entrada que da como resultado una
corriente de base de 10mA pico.
Solución
Para determinar el punto de trabajo Q:
IBq = ( VCC - 0.7 V ) / RB = 19.3 mA
Icq = β∙ IB ≅ 0.48 A
VCEq = VCC - IC∙ RC = 10.4 V
Este punto de polarización está marcado en las características de colector del
transistor de la figura “b”. La variación de la señal de salida puede obtenerse gráficamente
con la recta de carga en la figura “b”, con
Vcc=20v
Ic
Ib=40 mA
Rb=1k 1000
30
Rc=20Ω
20
Ci Icq
β= 25 10
Vi
Vce
Vceq Vcc=20v
Fig.a Fig.b
VCE = VCC = 20 V, IC = VCC / RC = 1000 mA = 1 A, tal como se muestra.

Cuando la corriente de base de ac de la entrada se incrementa de su nivel de polarización,
la corriente de polarización aumenta en
IC (p) = β∙ IB(p) = 250 mA pico
La potencia de salida será entonces
Po(c.a.) = ( I2C (p) / 2 )∙ RC = 0.625 W
La de entrada será entonces
Pi(c.c.) = VCC∙ ICq = 9.6 W
Podemos ya calcular la eficiencia de potencia-
% η = Po(c.a.) / Pi(dc) x 100% = 6.5%
8.2.2 Ejemplo 2
Calcule la potencia de ac de entrada a la bocina de 8 Ω del circuito de la figura
“a”. Los valores de los componentes del circuito dan como resultado una corriente dc de
base de 6 mA y una señal de entrada ( Vi ) da como resultado una excursión de corriente
de base pico 4mA.
Vcc=10V IC
I B =14 mA
279 mA
R1 I cmax=225mA
V1 VL RL
I =140 mA
cq
Vi N 1 / N 2 =3:1
I B =6mA
I cmin =25 mA
CE
R2 RE V CE
V CEQ =10V V c =20V

V cqm in =1.7 V
V cqm ax =18.3V
Solución
La recta de carga dc se traza de forma vertical (véase figura “b”) a partir del punto
de voltaje
VCEq = VCC = 10 V
Para IB = 6 mA el punto de operación en la figura “b” es
VCEq = 10 V e Icq = 140 mA
Luego puede trazarse la recta de carga de ac con pendiente de -1/72 a través del
punto de operación indicado. Como ayuda para trazar la recta de carga, consideremos el
siguiente procedimiento. Para una excursión de corriente de
IC = VCE / R´L = 10 V / 72 Ω = 139 mA
marcar un punto ( A ):
ICEq + IC = 140 mA + 139 mA = 279 mA sobre el eje y
Conectar el punto A pasando por el punto Q para obtener la recta de carga de ac.
Para la excursión de la corriente de base dado de 4 mA pico, las corrientes de colector
máxima y mínima y el voltaje colector-emisor obtenido a partir de la figura “b” son
VCE min = 1.7 V Ic min = 25 mA
VCE max = 18.3 VIC max = 255 mA
La potencia entregada de ac
Po( ac ) = (VCE max - VCE min)∙ (IC max - Icmin) / 8 = 0.477 W
8.2.3 Ejemplo 3
Para el circuito del problema anterior calcular su eficiencia y su eficiencia máxima
Solución
Calculemos primero la potencia de entrada de dc y la disipada por el transistor
Pi(dc) = VCC∙ ICq = 1.4 W
PQ = Pi(dc) - Po(ac) = 0.92 W
entonces
% η = Po(ac) / Pi(dc) x 100% = 34.1 %
Para un amplificador de la clase A acoplado por transformador, llega hasta el 50
%. Con base en las señales obtenidas usando el amplificador, la eficiencia puede
expresarse como
% η = 50∙ ( (VCE max - VCE min) / (VCE max + VCE min) )2 %
Entre más grande sea el valor de VCE max y más pequeño el valor de VCE min , más
se acercará la eficiencia al límite teórico del 50 %.
8.3 Amplificadores en contrafase (push-pull) clase B2.

En el circuito de la figura siguiente, si la corriente de reposo IC=0, es por definición un amplificador
clase B. En este transistor ideal la curva de transferencia dinámica (IC=f(IB))es una recta que pasa por el origen.
Obsérvese que en este circuito de clase B, la corriente de carga IL≈IC es senoidal durante la mitad de cada periodo
y es cero durante el segundo semiciclo. Este circuito actúa por tanto como rectificador.
Para poder amplificar los dos semiciclo de señal de entrada es necesario emplear una etapa
complementaria de salida como la de la figura siguiente. A esta configuración se le denomina amplificador en
contrafase (puhs-pull) de clase B.
Figura 8-3. Seguidor de emisor con polarización nula, amplificador clase B.
Figura 8-4. Amplificador en contrafase, clase B.

Con valores positivos VE de la senoide de entrada, Q1 conduce y Q2 está en corte (I2=0), de forma que
I1 es la semionda positiva. Con valores negativos de VE, Q1 está en corte (I1=0) y Q2 conduce, resultando para I2
una senoide positiva desfasada 180° respecto a la anterior. Como la corriente de carga es igual a la diferencia
entre la corrientes de emisor de los dos transistores.
I L = I1 − I 2 ( 8-10 )
En consecuencia la corriente de carga es una senoide completa.

Las ventajas del funcionamiento en clase B respecto al de clase A son la siguientes: se puede obtener
mayor potencia de salida, el rendimiento es mayor, y la perdida de potencia en ausencia de señal es despreciable.
Los inconvenientes son: la distorsión debida a los armónicos puede ser mayor, y la fuente de tensión debe tener
una buena regulación.
8.3.1 Rendimiento
La tensión de pico de la carga es VP=IPRL, y la potencia de salida es
I PVP
PL = ( 8-11 )
2
La correspondiente corriente continua de colector en cada transistor bajo carga es el valor medio de la
semionda de la figura. Puesto que ICmed=IP/π en esta forma de onda, la potencia de entrada en continua
procedente de la alimentación será
I PVCC
PCC = 2 ( 8-12 )
π
El factor 2 es debido a que el sistema en contrafase emplea dos transistores.
El rendimiento de la conversión será por tanto:
PL π VP
η = 100 = 100 ( 8-13 )
PCC 4 VCC
Si la caída de tensión a través del transistor es pequeña frente a la tensión de alimentación, VP≈VCC, y en
estas condiciones la ecuación muestra que el rendimiento máximo posible es 78.5% para el sistema en clase B,
frente al 25% de la clase A. Esta diferencia es debida al hecho de que en clase B no existe corriente de
polarización. Podemos observar también que en un amplificador clase B la disipación en los colectores es nula en
el estado de reposo, aumentando con la excitación, mientras que en el sistema clase A el calentamiento de los
colectores es máximo con entrada cero y disminuye al aumentar esta.
En cuanto a la potencia disipada por los transistores, tenemos que está es la diferencia entre la potencia
de entrada al circuito de colector y la potencia suministrada a la carga. Como IP=VP/RL,
2 VCCVP VP2
PQ = PCC − PL = − ( 8-14 )
π RL 2 RL
Esta ecuación demuestra que la disipación del colector es nula si no hay señal (VP=0) sube cuando
aumenta VP, y pasa por un máximo a
∂PQ 2 VCC 2VP V

= − = 0; → VP = 2 CC ( 8-15 )
∂VP π R L 2 RL π
La disipación máxima es:

2
2VCC
PQmax = 2 ( 8-16 )
π RL
8.4 Amplificadores clase AB.

En el montaje anterior además de la distorsión introducida por el empleo de transistores no idénticos y
por la falta de linealidad de las características de colector, existe la distorsión por la fasta de linealidad de la
característica de entrada, por la base no circula una corriente apreciable si la unión base emisor no esta polarizada
en directo a la tensión umbral Vγ, que es 0.5 V para el silicio. En estas circunstancias una, una excitación con
tensión de base senoidal no dará una corriente de salida senoidal.
Figura 8-5. Distorsión de cruce.

En la región de las corrientes pequeñas para ( VB<Vγ ), la salida es mucho menor de lo que sería si la
respuesta fuese lineal, efecto que se denomina distorsión de cruce. Esta distorsión no existiría si la excitación se
obtuviera de una verdadera fuente de corriente; en otras palabras, si la corriente de base (en lugar de la tensión)
fuera senoidal.
V0 V CC -V CE(sat)
Q1
pendiente =1
-V BE 2
VE
Q2
V CC +ABS(V CE(sat))
Para minimizar la distorsión de cruce, los transistores deben trabajar en clase AB, en la que
aun con excitación nula, circula una pequeña corriente de polarización. El circuito de la figura siguiente
es usado para tal fin, los diodos proporcionan una tensión entre las bases de los transistores
aproximadamente de 2Vγ. Conforme VE se hace negativa comienza a conducir Q2 aumentando su
tensión VBE poco a poco. Debido a la existencia de los dos diodos, el transistor Q1 que sigue activo,
reduce en la misma proporción su tensión de polarización base emisor, con lo que proporciona una
pequeña corriente. Esta situación continuará mientras /Vi/</VBE/, en otro caso el transistor Q1
dejará de trabajar. Como se observa en la figura la frontera está ahora en –VBE.. Funcionando en clase
AB, hay menos distorsión que en clase B, pero hay un menor rendimiento y un mayor consumo de
potencia.
V CC
R1
Q1
D1
D2
RL
+ Q2
VE
-V CC
Figura 8-6. Amplificador clase AB.
8.5 Evacuación de calor en los semiconductores.

En general los semiconductores son muy sensibles a una temperatura interna demasiado
elevada, esencialmente por las propiedades físicas del monocristal de Ge o Si. Si bien existe una
temperatura límite teórica que no debe de ser sobrepasada, otros parámetros de los semiconductores
varían con la temperatura, haciéndose necesario para mantener dichos parámetros dentro de los límites
aceptables que la temperatura de la unión del semiconductor no sobrepase un valor predeterminado.
Hay que añadir el efecto de envejecimiento del monocristal que puede aparecer para valores de
temperatura próximos al límite teórico, en especial si a la temperatura de funcionamiento elevada se
superpone en ciertas zonas de la unión sobrecalentamientos localizados.
Existen tres criterios que obligan a limitar la temperatura máxima de la unión en un
semiconductor:
• Limitación teórica que permite obtener una distinción neta entre los diferentes medios P y N.
• Mantenimiento de ciertos parámetros dentro de límites aceptables.
• Reducción de dilatación-contracción en el complejo ensamblado de elementos metálicos y

semiconductores.
En definitiva el fabricante del dispositivo fija, después de reiterados ensayos, un límite superior
compatible con el buen funcionamiento del mismo y para el cual garantiza ciertos parámetros. Este
valor de θ j es en el caso de diodos de unión: para el Ge: 80 grados centígrados, y para el Si: 200
M
grados centígrados. En el caso de tiristores el valor admisible es más reducido siendo para el Si del
orden de 125 ºC. Para los transistores de germanio el límite máximo es del orden de 85 ºC, mientras
que para los de silicio es de unos 200 ºC.
Si bien éstos valores límites indicados para la temperatura de la unión del dispositivo
semiconductor corresponden a los que aparecen en régimen permanente, y que no deben de ser
sobrepasados ni en funcionamiento normal ni en caso de sobrecargas previsibles, se admiten valores
mayores en el caso de sobrecargas no previsibles durante el tiempo que ésta es interrumpida por el
dispositivo de protección. La temperatura admisible en éste régimen transitorio está limitada por la
necesidad de que no se produzca deterioro físico permanente.
La pérdida de potencia se encuentra localizada al nivel de monocristal de germanio o silicio en
forma de tableta de reducido espesor en el que se han creado las diferentes zonas P y N necesarias al
funcionamiento del dispositivo. En semiconductores de potencia las pérdidas alcanzan rápidamente
varias centenas de vatios. Téngase presente que el monocristal tiene unas dimensiones reducidas cuyo
volumen no alcanza el cm3, exceptuando dispositivos de elevada intensidad nominal, y en consecuencia
una elevada densidad de potencia elevándose en brevísimo tiempo la temperatura del monocristal hasta
valores destructivos. Es pues imprescindible canalizar la potencia perdida a nivel de monocristal hasta
un medio refrigerante capaz de evacuarla permanentemente de modo que la temperatura de aquel se
mantenga por debajo del valor máximo admisible, θ j .
M
Tecnológicamente en un semiconductor de potencia, el monocristal se encuentra alojado en

una caja(4) de forma especial que comprende una base plana o de forma hexagonal prolongada por un
vástago roscado, una caperuza aislante(5) y además de la pastilla o semiconductor propiamente
dicho(1), los contraelectrodos(2)(3) y elementos intermedios necesarios(7) para asegurar las conexiones
de ánodo y cátodo(6) mediante soldadura o dispositivos de presión especiales. La solución habitual
utilizada para canalizar la energía disipada en un semiconductor consiste en montar la caja sobre un
soporte metálico provisto de aletas, generalmente fabricado en aluminio por extrusión, denominado
radiador(8) y que se encuentra a su vez en contacto con un fluido adecuado, aire, agua, aceite etc.
Figura 7. Disposición para la evacuación de las pérdidas.

La disposición descrita puede presentar algunas variantes, pero la estructura esencial responde
siempre a la idea de la figura siguiente. A partir de un nucleo central (parte activa del dispositvo
semiconductor) en el que se disipa una energía a la temperatura θj un radiador intimamente en
contacto con dicho núcleo, permite transferirla hasta un medio refrigerante capaz de absorberla a la
temperatura θA partir de esta estructura básica, es posible utilizar diferentes disposiciones contructivas
o considerar el empleo de diferentes medios refrigerantes, por ejemplo:
• aire ambiente utilizado en convección natural.

• aire en ventilación forzada circulando a través del radiador.
• agua en circulación forzada al exterior de las aletas o al interior de orificios practicados en la masa
del radiador.
8.5.1 Esquema eléctrico equivalente del circuito térmico.

Basándonos en las analogías anteriormente es posible establecer un esquema eléctrico
equivalente del circuito térmico para elementos semiconductores de potencia. Supongamos que la
evacuación de las pérdidas se efectúa por la cara inferior del monocristal y consideremos únicamente
los siguientes elementos constitutivos de un diodo o tiristor de potencia, suponiendo que todos ellos
sean cilíndricos.
• El monocristal de silicio, S;
• El contraelectrodo inferior de molibdemo, M;
• La base de cobre de la caja, C;
• El contacto entre caja y radiador, co;
• El radiador de cobre o aluminio, R.
El esquema eléctrico equivalente del circuito térmico del dispositivo semiconductor se
representa en la figura 21.5. Este esquema es válido únicamente cuando el dispositivo parte del estado
de reposo en el que la temperatura en todo el conjunto es homogénea e igual a la temperatura
ambiente.
θs
θM
θc
θR
θa
Silicio
Molibdeno
Cobre(Caja)
Contacto
A Radiador
Wp R thS R thM R thC R thco R thR

θs
(θ j) C tha
C thS C thM C thC C thR R tha
B θa
R thS R thM R thC R thR
Wp
R tha
C thS C thM C thC C thR C tha
θs θa
(θ j)
Figura 8. Representación esquemática de una pastilla de silicio.

CthS representa la capacidad térmica de monocristal de silicio,
CthM representa la capacidad térmica del electrodo de molibdeno,
CthC representa la capacidad de la base de la caja,
CthR representa la capacidad del radiador,
RthS representa la resistencia térmica del monocristal de silicio,
RthM representa la resistencia térmica del contraelectrodo de Molibdeno,
RthC representa la resistencia térmica de la caja del dispositivo.
Rthco representa la resistencia térmica del contacto entre la caja y el radiador (depende de la
presión de contacto, de la calidad del mecanizado y de la utilización eventual de un producto -grasa de
silicona, grafito en suspensión).
RthR representa la resistencia térmica propia del radiador o más bien incluye la de éste y la
existente entre éste y el medio ambiente.
La capacidad térmica del medio refrigerante se supone por definición infinita, el medio
refrigerante debe ser capaz de absorber sin elevación de temperatura cualquier cantidad de calor. Esto
se representa en el esquema eléctrico equivalente por un cortocircuito.
El esquema eléctrico de la figura A no es más que aproximado. Entre otras por las siguientes
razones:
• Se ha supuesto que la energía disipada se originaba en su totalidad en la unión P-N siendo así que
todos los elementos constructivos del dispositivo presenta una cierta resistencia óhmica
perdiéndose en ellos una determinada potencia que también es necesario disipar,
• Por otra parte el esquema supone que la temperatura θa (masa térmica es uniforme para todos los
elementos lo que es cierto en el instante inicial pero no así cuando las diferentes superficies de
contacto van alcanzando temperaturas superiores a θa .
El esquema debería sustituirse por el de la figura B.
8.6 , Casos prácticos de evacuación de calor.

Al cabo de un cierto tiempo, desde el instante de comienzo del paso de la corriente eléctrica
por el dispositivo semiconductor, se llega a un equilibrio térmico en el que la potencia disipada en el
monocristal semiconductor es igual a la que cede todo el conjunto semiconductor al aire ambiente. Se
ha alcanzado el régimen permanente térmico. Dos problemas fundamentales se pueden presentar al
proyectista; a saber:
1. Partiendo de un semiconductor determinado, en unas condiciones de funcionamiento
eléctrico particulares, definir cuál ha de ser la resistencia térmica del radiador a utilizar.
2. Para un semiconductor de características determinadas montado en un radiador de
resistencia térmica conocida, calcular la potencia máxima disipables en unas condiciones de
refrigeración prefijadas y en consecuencia definir la intensidad de corriente admisible en el
semiconductor.
En la práctica las temperaturas que se consideran en el sistema semiconductor radiador, son
las siguientes:
θ j temperatura de la unión o más correctamente temperatura virtual o teórica de la unión.
θc :temperatura de la caja, medida en un punto especificado de la caja del dispositivo.
θr temperatura del radiador, medida en un punto especificado del mismo.
θa :temperatura ambiente, tomadas en las inmediaciones del radiador.
Se ha sustituido convencionalmente la noción de las temperaturas en las fronteras entre dos
elementos constructivos por la temperatura medida en una partre del dispositivo. Las resistencias
térmicas no serán ahora las propias de cada elemento constructivo, sino una resistencia térmicas
convencionales existentes entre cada dos puntos de medida de temperatura. Cabe distinguir:
Rthjc: Resistencia térmica unión-caja. Los fabricantes de dispositivos semiconductores facilitan para
cada uno de ellos, el valor de la resistencia térmica entre unión y caja que en los dispositivos de
potencia alcanza valores del orden de una fracción de grado centígrado por vatio. Varía ligeramente
con la forma de la onda de potencia perdida en el semiconductor.
Rthcr: Resistencia térmica de contacto entre caja y radiador. Variable con las condiciones de montaje:
contacto seco, o utilización de un producto específico para facilitar el contacto térmico.
Rthra: Resistencia térmica radiador-ambiente. Facilitada igualmente por los fabricantes para los diferentes
modelos de radiadores, utilizados en convención natural o en ventilación forzada. En este caso el
valor de la resistencia térmica varía con la velocidad del aire en las proximidades de la aleta del
radiador.
Rthja: Resistencia térmica total entre la parte activa del semiconductor y el ambiente.
8.6.1 Ecuaciones base.

Consideremos un diodo o tiristor montado en un radiador de aluminio según el esquema de
disposición de la figura 22.7. Sea Pp la potencia disipada en su parte activa. De lo expuesto antes se
deduce que la diferencia de temperatura entre la unión y el ambiente es la suma de las elevaciones
parciales medidas entre las parte unión, caja, radiador, y ambiente. Por tanto:
∆θ ja = θ j − θa = ∆θ jc + ∆θcr + ∆θra ( 17 )
La temperatura virtual o teórica de la unión será:
θ j = θa + Rthja Pp ( 18 )
El punto más fácil de acceder en un semiconductor es su caja (además de la temperatura

ambiente), por lo que es útil expresar :
θc = θ j − Rthjc Pp ( 19 )
θc = θ j + ( Rthra + Rthcr ) Pp ( 20 )
La representación de ambas rectas permite resolver gráficamente problemas relativos a la

disipación de potencia en un semiconductor.
8.6.2 Resolución de problemas.

Calculo de la resistencia térmica del radiador. Generalmente para el cálculo del radiador se dispone
de los siguientes datos:
Temperatura máxima admisible de la unión, θ j
M
Temperatura ambiente estimable, θa ;
Pérdidas directas medias o intensidad de corriente media;
Resistencia térmica unión-caja, Rthjc;
Resistencia térmica caja-radiador, Rthcr.
Con el dato de partida de la intensidad de corriente media se calculan las pérdidas de potencia
según lo indicado anteriormente o mediante las curvas Pp = f(Im) facilitados por el fabricante del
dispositivo. Debe tenerse muy en cuenta la forma de onda (rectangular, sinusoidad, etc.) y la duración
de conducción, con objeto de calcular correctamente el factor de forma si se sigue el procedimiento
analítico o de selección la curva adecuada si se opera gráficamente. Conocida la Pp, tendremos:
θ jM − θa
Rthra = − ( Rthjc + Rthcr ) ( 21 )
Pp
Para no superar la temperatura máxima de la unión la resistencia térmica del radiador

seleccionado tiene que ser menor a la calculada.
Del valor Rthra obtenido dependerá la necesidad de utilizar ventilación forzada o no. Si el
valor no se puede conseguir hay que escoger el semiconductor de mayor calibre y un radiador más
grande.
Ejemplo. Un diodo de Si, tipo WR 620, tiene una característica directa definida por los
parámetros siguientes: tensión de umbral UFS: 0,84 V, resistencia diferencial Rdif = 0.94 ⋅ 10 −3 Ω ,
Rthjc = 0,07 ºC/W (refrigeración por ambos lados del diodo),Rthcr=0,02 ºC/W (contacto lubrificado)
Determinar cúal ha de ser la resistencia térmica del radiador a utilizar para que conduciendo
una intensidad de corriente semionda sinusoidal de valor medio 220 A, con una temperatura
ambiente θa = 30 ºC, la temperatura de la unión no sea superior a θ j = 150 ºC.
M
Solución: Comprobado el factor de forma, la potencia perdida se calcula:

π
k f =
2
PF = I m U [ FS + R d if k 2f I m ]=
= 2 2 0 ⋅ ( 0 .8 4 + 1.5 7 2 ⋅ 0 .9 4 ⋅ 1 0 − 3 ⋅ 2 2 0 ) = 2 9 7 W .
La resistencia térmica total será:

θ j − θa 150 − 30
R th ja = = = 0 .4 0 4 º C / W
Pp 297
y la resistencia térmica del radiador

Rthra = Rthja − ( Rthjc + Rthcr ) = 0404
. − (0070
. + 0020
. ) = 0314
. ºC/W
Esta resistencia corresponde a un radiador de aluminio con ventilación natural.

Cálculo de la temperatura de unión. Son conocidas en este caso, los datos que se relacionan:
• Intensidad de corriente media, Im o las pérdidas medias;
• resistencia térmica unión-ambiente Rthja, suma de las resistencias térmicas, Rthjc, Rthcr y Rthra
• Temperatura ambiente, θa .
Para la determinación de la potencia perdida, si no se conoce, se procede como en el caso
anterior. La temperatura teórica de funcionamiento de la unión se calcula por la expresión 22.4.
Ejemplo. Supongamos ahora que con el diodo del ejemplo anterior se utilizara el mismo
radiador con ventilación forzada, de forma que su resistencia térmica se redujera a 0,1 ºC/W. ¿Cuál
será la temperatura de la unión?.
La nueva resistencia térmica unión-ambiente vale:
'
Rthja = 0.070 + 0.020 + 01
. = 019
. ºC /W
La temperatura de la unión es:
θ j' = θa + Rthja Pp = 30 + 019

. ⋅ 297 = 86.4º C
Evidentemente muy por debajo del valor máximo admisible para este tipo de diodo.
Cálculo de la intensidad media admisible en un montaje determinado. Conocido los datos de un
montaje, se puede obtener la intensidad media admisible prefijadas la temperatura de trabajo de la
unión y el ambiente. Normalmente los datos de partida son:
• Resistencia térmica total unión-ambiente, Rthja;
• Temperatura de la unión, θ j
• Temperatura ambiente, θa .
Determinará en primer lugar la potencia media que es posible disipar. Conocido este dato es
posible obtener gráficamente la intensidad media admisible, si se dispone de la curva Pp = f(Im) para el
semiconductor considerado (forma de onda y duración de conducción deseada). La resolución de

forma analítica se hace utilizando la siguiente ecuación:
− U FS ± U FS
2
+ 4 Pp Rdif k 2f
Im = ( 22 )
2 Rdif k 2f
Ambas soluciones son reales pero únicamente una es positiva y corresponde al valor buscado.
Ejemplo. ¿Cuál podría ser ahora la intensidad de corriente a través del mismo, montado sobre
un radiador de resistencia térmica 0,1 ºC/W para que la temperatura virtual de la unión alcance el valor
tolerado de 150 ºC ?.
La pérdida de potencia admisible será en estas condiciones
120
Pp = = 6316
.W
019
.
Lo que en onda senoidal corresponde a una intensidad de corriente media, tal que se verifique:
π2 2
. = 0.84 I m + 0.94 ⋅ 10 − 3
6316 I =
4 m
= 0.84 ⋅ I m + 0.00232 ⋅ I m2
La solución a esta ecuación de segundo grado nos da Im = 371,2 A.

Resolución gráfica. La resolución de los problemas planteados resuelta en régimen estacionario
muy fácil. Algunos fabricantes de semiconductores de potencia disponen de nomogramas que facilitan
el cálculo rápido de las condiciones de funcionamiento.
Para un tiristor o un diodo el diagrama de la figura permite relacionar entre sí la intensidad de
corriente, pérdidas y magnitudes térmicas en un semiconductor. La curva A debe trazarse para cada
valor del factor de forma y representa Pp=f(Im). La escala de ordenadas superpuestas a la izquierda
responde a la ecuación
La curva B tiene como pendiente la resistencia térmica unión-ambiente, es decir corresponde a
la suma de todas las resistencias térmicas incluida la de contactos y permite establecer la relación
Partiendo de la temperatura ambiente θa (punto 1) para una forma de onda y resistencia
térmica determinada, el diagrama permite obtener:
• La pérdida de potencia admisible Pp para que no se sobrepase la temperatura máxima de la unión
θ j M , (punto 7 o punto 5).
• La intensidad de corriente media admisible en las mismas condiciones, (punto 4).
• La temperatura máxima admisible en la caja del dispositivo θc (punto 6).
• Con otros datos de partida el ábaco permite igualmente resolver el problema.
Ejemplo. Para un transistor de potencia cuando la frecuencia a la que trabaja es baja así como
los valores de modulación, la temperatura de la unión oscila alrededor del valor medio, en este caso es
necesario elegir un radiador teniendo en cuenta el valor máximo de esta temperatura θ j , para ello se
M
utilizan las siguientes expresiones :
PpM =
(W on + Wcon + Woff ) ( 23 )
tp
θ jM = θc + Rthjc PpM ( 24 )
En el caso de que la frecuencia sea suficientemente elevada >3kHz y con altos índices de
modulación es usual aproximar la temperatura de la unión por su valor medio sin que existan
diferencias, para ello se recurre al cálculo de la potencia media, de manera que:
(
Ppmedia = f Won + Wcon + Woff ) ( 25 )
θ jmedia = θc + Rthjc Ppmedia ( 26 )
Ejemplo. Supongamos un transistor MOSFET del que se conocen los siguientes datos :
f = 20kHz; t p = 10µs; δ = 0.2

θc = 80º C; Won + Wcond + Woff = 10mJ .
Rthjc = 018
. º C / W;
De la figura del catálogo del componente obtenemos el valor de la impedancia
Z(thjc)p=0.036ºC/W
PpM=1000W ;Ppmedia=200W
θ jmedia = 80 + 200 ⋅ 018

. = 116º C
θ jM = 80 + 1000 ⋅ 0.036 = 116º C
Consideremos ahora las siguientes nuevas condiciones:
f = 100 Hz; t p = 10ms; δ = 01

.
θc = 80º C; Won + Wcond + Woff = 2 J .
Rthjc = 018
. º C / W;
De la figura anterior obtenemos el valor de la impedancia Z(thjc)p=0.025ºC/W

PpM=2000W ;Ppmedia=200W
θ jmedia = 80 + 200 ⋅ 018

. = 116º C
θ jM = 80 + 2000 ⋅ 0.025 = 130º C
Capítulo 9
TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO.

Los transistores de unión bipolares (BJT) descritos en los capítulos anteriores basan su
funcionamiento en dos tipos de portadores: electrones y huecos. Existen otros transistores cuyos
portadores son de un solo tipo por lo que se denominan unipolares; son los transistores de efecto
campo, llamados así porque el control de la corriente se ejerce mediante un campo eléctrico. El
término FET es genérico. Existen otros términos más específicos, como son el JFET (Junction Field
Effect Transistor) y el MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Transistor).
9.1 JFET.
En su configuración más simple, el FET está constituido por una barra de semiconductor tipo
N llamada canal, con materiales tipo P difundidos en él, como muestra la figura siguiente. Las
conexiones llamadas fuente y drenador están conectadas al semiconductor tipo N y la conexión de
puerta está conectada a los materiales tipo P. Cuando el canal es de semiconductor tipo P y las
regiones laterales tipo N recibe el nombre de FET canal P.
Los terminales citados son:
• Fuente o Surtidor S (source): Terminal por donde se introducen los portadores provenientes de la
fuente externa de polarización.
• Drenador D (drain): Terminal por donde salen los portadores procedentes de la fuente y que
atraviesan el canal.
• Puerta G (gate): Terminal constituido por regiones fuertemente impurificadas a ambos lados del
canal y que controla en éste la cantidad de portadores que atraviesan la barra de semiconductor.
Figura 9-1. Estructura y símbolo: a) fet canal N, b) fet canal P

La forma de polarizar un FET se muestra en la figura siguiente, también se indican las
tensiones y corrientes, despreciándose IG, ya que la unión puerta-surtidor está polarizada inversamente,
de lo que se deduce que, la corriente de puerta es despreciable.
Figura 9-2. Polarización de un FET. Tensiones y corrientes.
9.1.1 Funcionamiento.
El funcionamiento se basa fundamentalmente en los efectos que se producen en la zona de
transición (región carente de portadores libres y por tanto incapaz de permitir la conducción) que se
crea en las proximidades de toda la unión P-N (canal N) cuando ésta se polariza inversamente.
Si aplicamos una tensión positiva VDS a través del canal y la tensión VGS la hacemos cero, los
electrones serán atraídos hacia el terminal de drenaje, estableciendo la corriente convencional ID con la
dirección definida en la figura siguiente, además se observa que las corrientes de drenaje y surtidor son
equivalentes. Bajo estas condiciones el flujo de carga es relativamente permitido y limitado únicamente
por la resistencia del canal. Es importante observar que la zona de transición es más ancha cerca del
extremo superior de ambos materiales tipo P.
 Martinez Bernia y Asoc. Capítulo 9. Transistores de efecto campo. 3
Figura 9-3. JFET en la región de VGS=0 V y VDS > 0 V.

En cuanto la tensión VDS se aumenta de 0 a unos cuantos voltios, la corriente aumentará
según se determina por la ley de Ohm, y la gráfica de ID frente a VDS aparecerá como se ilustra en la
figura siguiente. Observando dicha gráfica se establece que existe un relativa linealidad para la región
de valores pequeños de VDS, es decir la resistencia es esencialmente constante. A medida que se
incrementa la tensión VDS y se aproxima a un nivel denominado VP, las zonas de transición se
ampliarán, ocasionando una notable reducción de la anchura del canal, lo que originará a su vez un
aumento de la resistencia. Si VDS se incrementa hasta un nivel donde las dos zonas de transición se
toquen, como se ilustra en la figura siguiente, se tendría que el canal se habría cerrado o estrangulado.
El nivel de tensión VDS que establece dicha condición se denomina tensión de estrangulamiento
(pinch-off), designada por VP.
En realidad, el término estrechamiento es inapropiado en cuanto que sugiere que la corriente
ID disminuye, al estrecharse el canal, a 0A. Sin embargo, como se muestra en la figura siguiente, ID
mantiene un nivel de saturación definido como IDSS, es decir, en realidad existe todavía un canal muy
pequeño, con una corriente de muy alta densidad.
A medida que VDS incrementa su valor más allá de VP, la región de estrechamiento entre las
dos zonas de transición aumentará en longitud a lo largo del canal, pero el nivel de ID seguirá siendo el
mismo. Por tanto, esencialmente, una vez que VDS > VP el FET posee las características de una fuente
de corriente. La corriente está fijada en ID=IDSS, pero la tensión VDS (para niveles > VP) se determina
por la carga aplicada.
Figura 9-4. Estrechamiento (VGS = 0 V, VDS = VP). ID frente a VDS para VGS = 0 V.
La tensión de la puerta a al surtidor se denomina VGS, y es la tensión del control para el JFET,
pueden por tanto, desarrollarse curvas de ID en función de VDS para varios niveles de VGS. Para un
dispositivo de canal N la tensión de control se hace mas negativa con respecto al nivel VGS = 0V.
En la figura siguiente se ha aplicado una tensión negativa entre los terminales de puerta y
fuente para un nivel bajo de VDS. El efecto de la polarización negativa aplicada a VGS es el de
establecer zonas de transición semejantes a las obtenidas con VGS = 0 V pero ahora cuando VDG = VP
se llegará al estrechamiento. Como VDG = VDS -VGS = VP , esto ocurre cuando VDS = VP +VGS, o sea
a menores niveles de VDS. Por tanto, el resultado de aplicar una polarización negativa a la puerta es el
de alcanzar el nivel de saturación a un nivel menor de VDS, como se ilustra en la figura siguiente. El
nivel de saturación ID resultante se ha reducido y continuará disminuyendo en tanto VGS continúe
haciéndose más negativo.
Figura 9-5. Aplicación de tensión negativa a la puerta y VDS>0 a un JFET. Características

para varios valores de VGS.
Finalmente, cuando VGS = -VP, VGS será lo suficientemente negativo para establecer un nivel
de saturación que es esencialmente de 0 A., y para todos los fines prácticos el transistor se habrá
cortado. En resumen:
 Corte ⇒ VGS ≤ VP ( negativo )
  Ohmico ⇒ VDG ≤ VP
NJFET 
Conducción ⇒ VGS > VP (negativo ) ⇒ 
 Z.Activa ⇒ VDG > VP

Para el canal P cambia el sentido de las desigualdades.
9.1.2 Características de transferencia.

Obtengamos la ecuación que relaciona la corriente con VDS, es decir, las ecuaciones de las
curvas dibujadas. Recordando lo que vimos en el diodo:
Vd
p n
Densidad de carga, ρ
N
p
0 Wn x
-W p
N A >> N
-Np D
Intensidad de campo,ε
W
x
0
−W p W
n
W p << W = W
n
Potencial, V
Vj
0 x
Figura 9-6. Densidad de carga, intensidad de campo eléctrico y potencial en una unión PN.
Puesto que en el equilibrio la carga neta total debe ser cero:
ND Wn = NA Wp ( 9-1)
En la zona abrupta: NA >>> ND ⇒ Wp <<< Wn ≈WLa ecuación de Poisson:
d 2V ρ qN D
=− =− ( 9-2)
dx 2
∈ ∈
dV
Integrando la ecuación anterior con la condición: ε=− =0 para x = Wn ya que
dx
fuera de la región de carga el campo es nulo.
dV − qN D
− ε (x) = = (x − W ) ( 9-3)
dx ∈
Análogamente volvemos a integrar para calcular el potencial, eligiendo: V(x) = 0 para x = 0.
− qN D 2
V = ( x − 2Wx ) ( 9-4)
2∈
Para x = W tenemos:
qN DW 2
V (W ) = = V0 ( 9-5)
2∈
Que es el potencial de contacto de la unión. Si aplicamos una tensión externa V, la expresión
quedaría:
1/ 2
 2 ∈ Vo 
W =   ( 9-6)
 qN D 
D
VDS
N P
P
VGS
2b W(x)
W(x)
2a
X
z
Figura 9-7. Polarización y zonas de transición en un JFET.

Si queremos saber la distancia que penetra la zona de carga espacial o de agotamiento al aplicar
una tensión inversa –VR(x):
1/ 2
 2∈ 
W(x) = a-b(x) =  (V0 + VR (x)) ( 9-7)
 qN D 
Podemos determinar la tensión de contracción haciendo b(x) = 0:
qN D 2
V0 + VR ( x ) = a ≈ VR ( x ) ( 9-8)
2∈
esta tensión la hemos llamado tensión de contracción:
qN D 2
Vp ≈ a ( 9-9)
2∈
Teniendo en cuenta la tensión VGS y la existente en cualquier punto x V(x) debida a la
aplicada VDS. La tensión inversa aplicada es: V = VGS – V(x). Por tanto la penetración W(x) será:
1/ 2
 2∈ 
W (x) =  (V0 − VGS + V ( x )) ( 9-10)
 qN D 
Incluyendo la tensión de contracción Vp:
1/ 2 1/ 2
 1  V − VGS + V ( x ) 
W (x) = a ⋅  (V0 − VGS + V ( x )) = a⋅ 0  ( 9-11)
 qN D a / 2 ∈ Vp
2
  
Como W(x) = a – b(x), tenemos:
  V − V + V(x) 1/ 2 
b(x) = a ⋅ 1 −  0 GS   ( 9-12)
  Vp  
 

Si la ley de Ohms en cualquier punto entre x = 0 y x = 2 es:
dV = ID dR ( 9-13)
y como dR = ρ ( dx/S) con S = 2 b(x) z y con la conductividad 1/ρ = σ = q µn ND, diremos

que:
dx
dR = ( 9-14)
2qµ n N D zb( x )
donde ID dx = 2 q µn ND z b(x) dv, integrando:

L VDS
∫I
0
D dx = ∫ 2 qµ
0
n N D zb( x )dV ( 9-15)
2qµn N D z VDS 2qµn N D za DS   V0 − VGS + V ( x )  

V 1/ 2
ID =
L ∫0 bdV = L ∫0 1 −  Vp


dV

( 9-16)
 
2qµ n N D za  2 (V0 − VGS + V )  DS

3/ 2 V
ID = V − 1/ 2  =
L  3 Vp  0
( 9-17)
2qµ n N D za  2 (V0 − VGS + VDS ) − (V0 − VGS ) 
3/ 2 3/ 2
= VDS − 
L  3 Vp1 / 2 
qN D a 2
Se introduce Vp = en la ecuación anterior y obtenemos:
2∈
 3/2 3/2

zµ n q 2 N D a 3 VDS 2  VDS + V0 − VGS   V − VGS 
2
ID = −  + 0   ( 9-18)
L∈  Vp 3  Vp 

 Vp


 
 
Esta ecuación se corresponde con las curvas ID = f(VDS, VGS) vistas en la pregunta anterior.
En la región de saturación, ID es casi independiente de VDS, y su valor se puede determinar
sustituyendo VDS = Vp + VGS :
 V 3/2 3/2 
2  V0 + Vp  2  V − VGS 
I D = G0 1 + GS −   +  0   ( 9-19)
 Vp 3  Vp 
 3  Vp  
 
 3/2 3/2

2  V0 + Vp  2 V 
I DSS = G0 1 −   +  0   ( 9-20)
 3  Vp 
 3  Vp 
 
VGS = 0  
zµ n q 2 N D2 a 3
Donde hemos llamado: G0 =
L∈
Si se utilizan las dos ecuaciones anteriores, normalizando ID a IDSS se representan frente a
VGS/Vp. Y es la figura siguiente izquierda. Esta representación se suele aproximar por la ecuación:
2
 V 
I D = I DSS  1 − GS  ( 9-21)
 Vp 
El término cuadrado de la ecuación dará como resultado una relación no lineal entre ID y VGS,
produciendo una curva que crece exponencialmente con el incremento de VGS.
Figura 9-8. Característica de transferencia.

En resumen:
• Cuando VGS = 0 V, ID = IDSS.
• Cuando VGS = VP, la corriente de drenaje es nula.
9.1.3 Resistencia controlada por tensión.

La región a la izquierda de la curva de estrechamiento de la característica del JFET se conoce
como región óhmica o región de resistencia controlada por tensión. En esta región, el JFET puede
emplearse como una resistencia variable. Adviértase que la pendiente de cada curva y, por tanto, la
resistencia del dispositivo entre el drenaje y la fuente para VDS<VP es una función de la tensión
aplicada VGS. A medida que VGS se vuelve más negativo, la pendiente de la curva se hace más
horizontal, en correspondencia con un nivel ascendente de resistencia. La ecuación siguiente
proporcionará una buena aproximación inicial, en función de la tensión de puerta VGS.
VDS ro
rd = 2
= 2
( 9-22)
 V  1 − VGS 
I DSS 1 − GS   V 
 Vp   P 
 
Donde ro es la resistencia con VGS=0 V y rd la resistencia a un nivel particular de VGS.
9.1.4 Circuito equivalente en pequeña señal.

La figura siguiente muestra el circuito equivalente de un dispositivo JFET. Se puede definir:
∂I D ∂I D 1
dI D = ⋅ dVGS + ⋅ dVDS = g m ⋅ vGS + v DS = i D ( 9-23)
∂VGS VDS =cte
∂VDS VGS =cte
rd
La tensión c.a. aplicada puerta-fuente, vGS, produce una corriente de drenaje, iD, de valor gm*vGS.
gm puede obtenerse de la expresión:
∂I D id 2 I DSS  VGS 
gm = = =− 1 −  ( 9-24)
∂VGS VDS = cte
v gs VP  VP 
VDS = cte
para VGS = 0
2I DSS
g mo = − ( 9-25)
VP
Nótese que el parámetro es la inversa de la resistencia, siendo sus unidades el Siemens o Mho.
El parámetro representa la tangente a la curva en un punto determinado, y tendrá por tanto, un valor
distinto en cada punto, lo que implica que gm no es cte.. El valor de gmo es el valor de la
transconductancia en el punto de polarización VGS = 0 V y representa la ganancia máxima del
dispositivo. Para cualquier punto de polarización en la región de operación, se obtiene un valor gm más
pequeño mediante la expresión:
 V  2I
g m = g mo 1 − GS ; donde → g mo = DSS ( 9-26)
 VP  VP
Figura 9-9. Circuito equivalente en c.a. del JFET.

El modelo c.a. podría también incluir la resistencia de salida del JFET, como se muestra en la
figura. Esta resistencia de salida suele venir definida en las hojas de características como yos (admitancia
de salida), siendo entonces la resistencia de salida
1
rd = ( 9-27)
y os
Figura 9-10. Modelo completo de JFET en c.a.

9.1.5 Hoja de especificaciones.

Algunos de los parámetros más importantes proporcionados por los fabricantes son:
Valores máximos:
• VDS: Drain-Source Voltaje. Máxima tensión aplicable entre drenador y fuente.
• VDG: Drain-Gate Voltaje. Máxima tensión aplicable entre drenador y puerta.
• VGS: Gate-Source Voltaje. Máxima tensión permitida entre puerta y fuente.
• IG: Gate Current. Máxima corriente de puerta permitida.
• PD : Power dissipation. Potencia máxima disipable a una temperatura determinada.
• TJ: Junction Temperatura Rage. Rango de temperatura en la unión.
• Tstg: Storage Channel Temperatura Range. Rango de temperaturas de almacenamiento
Otras características:
• V(BR)GSS: Gate-Source Breakdown Voltaje. Potencial de ruptura entre puerta y fuente con
VDS=0.
• IGSS: Gate-reverse current, output shorted. Corriente de puerta con salida cortocircuitada.
• IDSS: ( Zero gate voltaje drain current. gate shorted ) Corriente de drenador con la puerta
en cortocircuito con la fuente. Se especifica para una tensión VDS determinada.
• Gm o yfs : Transconductancia o transadmitancia y expresa la relación entre un incremento de
la corriente de drenador y la tensión puerta-fuente, manteniendo constante VDS.
9.2 Polarización del JFET.

Como en el caso de los transistores bipolares, polarizar un FET es llevarlo a un punto de
trabajo definido por unos determinados valores de tensiones y corrientes en el circuito. Existen por
tanto, como en el caso de los BJT, varios circuitos capaces de realizar esto, a continuación vamos a ver
los más significativos.
A contrario de lo que ocurre en el BJT, en el JFET la relación no lineal entre VGS y ID,
expresada por la ecuación de Shockey, puede complicar el diseño de las redes de polarización.
Otra diferencia importante con relación a los transistores bipolares, es que la variable de
control es una tensión, mientras que el BJT es un nivel de corriente. Sin embargo en los dos casos la
variable salida controlada es el nivel de corriente que también define los niveles de tensión del circuito
de salida.
Las relaciones generales que pueden aplicarse al análisis de c.c. para todos los amplificadores
FET son:
I G = 0A ( 9-28)
ID = IS ( 9-29)
2
 VGS 
ID = I DSS  1 −  ( 9-30)
 VP 
El los esquemas de los circuitos se incluyen los condensadores de desacoplo, los cuales no
tienen efecto en el análisis de c.c.
9.2.1 Configuración de polarización fija.

Es el más simple de los circuitos de polarización, es una de las pocas configuraciones que
puede resolverse directamente. El esquema está representado en la figura 10.1, la resistencia RG está
presente para asegurar que ve aparezca a la entrada del amplificador.
Figura 9-11. Configuración de polarización fija.

Para el análisis de c.c., se tiene
IG = 0A
( 9-31)
V RG = I G RG = (0 A) RG = 0
por lo que
VGS = −VGG ( 9-32)
Puesto que VGG es una fuente constante de c.c., la tensión VGS es de magnitud fija, de ahí la
denominación “configuración de polarización fija”. El nivel resultante de corriente de drenaje ID se
controla ahora por la ecuación de Shockley:
2
 VGS 
I D = I DSS  1 −  ( 9-33)
 VP 
Ya que VGS es una magnitud fija para esta configuración, su signo y magnitud simplemente se
sustituyen en la ecuación anterior, y puede de esta forma calcularse el valor de ID.
En el circuito de salida se tiene, aplicando la ley de Kirchhoff:
V DS + I D R D − V DD = 0
( 9-34)
V DS = V DD − I D R D
9.2.2 Autopolarización por resistencia de fuente.

La configuración de autopolarización elimina la necesidad de tener dos fuentes, el circuito
utilizado es el mostrado en la figura siguiente. La tensión de control puerta-fuente se determina por la
tensión a través de la resistencia RS.
Figura 9-12. Configuración de autopolarización.

La corriente a través de RS es la corriente de fuente IS, pero IS =ID y
VRS = I D RS ( 9-35)
Para la malla cerrada del circuito de puerta, encontramos que
VGS + VRS = 0
( 9-36)
VGS = −I D RS
La ecuación anterior y la ecuación Shockley relacionan las variables de entrada y de salida. Una
solución podría obtenerse simplemente al sustituir la ecuación 10.9 en la ecuación de Shockley como
se muestra a continuación:
2 2
 VGS   I D RS 
I D = I DSS  1 −  = I DSS  1 +  ( 9-37)
 VP   VP 
operando, puede obtenerse una ecuación de la forma
I DSS RS2  I DSS RS 

I D2 +  − 1 I D + I DSS = 0 ( 9-38)
V P2  VP 
La tensión VDS puede determinase aplicando la ley de Kirchhoff al circuito de salida, y

teniendo en cuenta ID = IS, se obtiene:
V RS + V DS + V RD − V DD = 0
( 9-39)
V DS = V DD − I D ( RS + R D )
9.2.3 Polarización por divisor de tensión.

Este tipo de polarización reduce el efecto de variación del punto de polarización, cuando
varían las características de transferencia máxima y mínima, y produce un mayor ajuste, permite a su
vez, utilizar valores más altos RS.
El circuito utilizado es el que muestra la figura a) siguiente. Para poder analizar el circuito será
necesario utilizar el equivalente Thévenin para el circuito de puerta.
Figura 9-13. a) Circuito de polarización por divisor de tensión. b) Equivalente Thévenin.

Obteniendo
R1 R 2
RG = R1 || R 2 = ( 9-40)
R1 + R 2
R2
VGG = VDD ( 9-41)
R1 + R 2
Para la malla del circuito de puerta, teniendo en cuenta que IG = 0, encontramos:
VGG − VGS − VRS = 0 ; VGS = VGG − I D RS ( 9-42)
R2
VGS = V DD − I D RS ( 9-43)
R1 + R2
Nótese que, como la corriente de puerta es cero, no existe caída de tensión a través de RG. Si
volvemos a aplicar la ley de Kirchhoff en el circuito de salida, obtenemos
VDD = VDS + I D (R D + R S ) ( 9-44)
y por último, podemos obtener otra ecuación de la relación entre las variables de entrada y las
de salida.
2
 V 
ID = I DSS  1 − GS  ( 9-45)
 VP 
Debido a la gran dispersión de las características de transferencia de los FET, en muchos

casos no es posible fijar un punto exacto de polarización, sino que es necesario fijar un rango de
valores de ID (IDmax e IDmin) , para la curva de transferencia máxima y mínima.
Si se considera el circuito de polarización de la figura anterior la caída de tensión en R2 es
VR2 = I D RS + VGS ( 9-46)
para los valores máximos de VP e IDSS, las ecuaciones anteriores dan lugar a
 I Dmax 
VGSmax = V Pmax  1 − 
 I DSSmax 
( 9-47)
V R" = I Dmax RS + VGSmax
si se toman los valores mínimos de VP e IDSS resulta
 I Dmin 
VGSmin = V Pmin 1 − 
 I DSSmin 
( 9-48)
V R2 = I Dmin RS + VGSmin
Teniendo en cuenta que no hay corriente de puerta, la tensión en R2 es constante, restando

resulta
0 = RS ( I Dmax − I Dmin ) + (VGSmax − VGSmin )

( 9-49)
VGSmin − VGSmax ∆VGS
RS = =
I Dmax − I Dmin ∆I D
Ecuación que permite determinar el valor de la resistencia de fuente necesaria para estabilizar
el punto de trabajo.
Uno de los inconvenientes de este circuito, si observamos la figura anterior, es que VGG se
obtiene a partir de VDD, mediante el divisor de tensión R1, R2. Así VGG debe ser una fracción de VDD,
siendo R2 << R1.
La impedancia de entrada es R1 || R2 ≅ R2, si interesa que ésta tenga un valor elevado,
tendremos que escoger R2 muy grande, lo que obligaría a R1 >> R2, presentándose ahora el problema
de que los valores altos de resistencia no tienen buena estabilidad.
Para corregir este problema, y poder utilizar resistencias de valores más bajos, sin disminuir la
impedancia de entrada, se utiliza el circuito mostrado en la figura siguiente.
Figura 9-14. Esquema mejorado para polarización del JFET.

Donde R3 puede tener un valor elevado para obtener un Zi muy alta, sin afectar a la
polarización.
Para este circuito se tiene que
Z i = R 3 + (R 2 || R1 ) ≅ R 3 ( 9-50)
Con lo que los valores de R1 y R2 pueden ser mucho más bajos.
9.3 Amplificadores con JFET.

Cualquier circuito típico de amplificador con FET incluye no solo las resistencias de
polarización, sino que además incluye unos condensadores denominados de desacoplo.
El circuito equivalente c.a. puede emplearse para el análisis de las diferentes configuraciones de
amplificadores con FET, también tendremos que sustituir todos los condensadores por un
cortocircuito (impedancia del condensador = 0 para c.a.) y conectar todas las fuentes de alimentación
de continua a tierra.
9.3.1 Amplificador en fuente común.

La figura siguiente muestra un circuito de este tipo en el que se incluye una resistencia de
autopolarización RS para ajustar la polarización, también se incluye en la misma figura el circuito
equivalente en c.a. La resistencia RS cortocircuitada mediante el condensador CS y no aparece en el
circuito equivalente, y la resistencia RD conectada a VDD aparece conectada ahora a tierra. El FET se ha
sustituido por su modelo en c.a.
Figura 9-15. Circuito amplificador en fuente común. Circuito equivalente en c.a.

La tensión de salida en c.a. es
rd R D
v S = −i D R D = − g m v GS ( 9-51)
rd + R D
teniendo en cuenta que vE = vGS, la ganancia en tensión del circuito es
vS rd R D
AV = = − gm ( 9-52)
vE rd + R D
La impedancia de entrada en c.a. vista hacia el amplificador es
Z E = RG ( 9-53)
y la impedancia de salida vista desde la carga es

rd R D
ZS = ( 9-54)
rd + RD
9.3.2 Ejemplo.
Calcule la ganancia en tensión, la impedancia de entrada y la de salida de un amplificador
autopolarizado con los siguientes datos: VDD = 9V., RD = 2.2kOhm, RG = 10Mohm, RS = 750 Ohm,
Vp = -4V, IDSS = 8mA, Yd = 40µS, C1 = C2 = C3 = 0.05μF
Solución:
2IDSS 2 ⋅ 8 ⋅ 10 −3
g mo = = = 4mS
Vp −4
El punto de trabajo es:
VGS + ID RS = 0
VGS = -ID RS
Llevando esto a la ecuación del JFET
2 2
 IDRS  −3  ID ⋅ 750   2mA
I D = I DSS 1 +  = 8 ⋅ 10 1 +  ⇒ I D − 500 ⋅ I D + 1 = 0; I D = 
2
 VP   −4  499mA
VGS = I D RG = 2 ∙10 - 3 ∙ 750 = -1,5 V
 VGS 
g m = g m o 1 −  = 2.5 mS
 Vp 
1 1
rd = = = 25kΩ
Yd 4 ⋅ 10 −6
En el modelo en pequeña señal de la figura anterior la ganancia en tensión es:
 Rdrd 
Vo − gmVgs  Rd +rd 
 
Av = = = 5.05
Vi Vgs
Y las impedancias de entrada y de salida respectivamente:
Rdrd
Zo = = 2.0 KΩ
Rd + rd
Zj = RG = 10MΩ
9.3.3 Amplificador con resistencia en el terminal de fuente.

Si el amplificador se construye con parte de la resistencia de fuente sin condensador la
ganancia en tensión puede determinarse empleando el circuito equivalente en c.a. de la figura
siguiente. Después de convertir la fuente de corriente en fuente de tensión, el circuito de salida
quedaría como se indica en la figura.
Figura 9-16. Circuito amplificador con resistencia de fuente. Modelo en c.a.

La tensión de salida sería entonces
RD
vS = − g r v ( 9-55)
rd + RS1 + R D m d GS
puesto que v GS = v E − v RS 1
vS = −
RD
(
g r v − v RS 1
rd + R S1 + R D m d E
) ( 9-56)
vS
De la figura anterior se desprende que v RS 1 = i D R S1 = − R , por lo tanto:
R D S1
g m rd R D  vS 
vS = − vE + RS1  ( 9-57)
rd + R D + RS1  RD 
Figura 9-17. Circuito equivalente para el circuito de salida.

Operando puede obtenerse la expresión de la ganancia en tensión de la forma
vS g m RD
AV = =− ( 9-58)
vE R D + RS1
1 + g m R S1 +
rd
9.3.4 Amplificador en drenaje común.

Una segunda configuración de amplificador es la de drenaje común o seguidor de fuente que
se muestra en la figura siguiente. El circuito es semejante a la configuración seguidor de emisor del
BJT. La ganancia en tensión es también menor que la unidad sin inversión de polaridad, y proporciona
una elevada resistencia de entrada y una resistencia de salida más baja que en la configuración de fuente
común.
Figura 9-18. Circuito amplificador en drenador común. Circuito equivalente en c.a.

Si se toma la salida desde el terminal de la fuente, no hay inversión de polaridad, y la amplitud
de la tensión se reduce. La ganancia en tensión se determina como sigue
v GS = v E − v S ( 9-59)
Puesto que
RS rd
v S = g m v GS ( 9-60)
R S + rd
la ecuación puede expresarse
RS rd
v GS = v E − g m v GS ( 9-61)
R S + rd
despejando
 RS rd 
v E = 1 + g m v ( 9-62)
 R S + rd  GS
La ganancia en tensión del montaje es entonces
R S rd
gm
vS RS + rd
AV = = ( 9-63)
vE  RS rd 
1 + g m 
 RS + rd 
La ganancia en tensión no se invierte y es menor que la unidad, acercándose a la unidad a

medida que el paralelo de RS y rd se hace mayor. La impedancia de entrada del amplificador es
Z E = RG ( 9-64)
en tanto que la impedancia de salida se obtiene de la siguiente expresión
vS rd || R S
ZS = = ( 9-65)
vS 1 + g m rd || RS
+ gmvS
rd || RS
9.4 Transistor MOSFET.

El transistor de efecto campo puede construirse con el terminal de puerta aislado del canal,
este dispositivo es conocido entonces como MOSFET. Existen fundamentalmente dos tipos el
MOSFET de deplexión y el MOSFET de acumulación.
En el modo de deplexión se construye un canal y la corriente entre drenaje y fuente será el
resultado de la tensión aplicada entre el drenaje y fuente. Sin embargo, el MOSFET de acumulación no
tiene canal formado cuando se construye. La tensión debe aplicarse en la puerta para generar un canal
de portadores de carga, de modo que se produzca una corriente cuando se aplique una tensión entre
drenaje y fuente.
9.4.1 MOSFET de deplexión.

La estructura de un MOSFET de deplexión canal n es la mostrada en la figura siguiente.
Figura 9-19. Construcción y símbolo del MOSFET de deplexión canal n.

Se forma sobre un sustrato de tipo p, y los terminales de fuente y drenaje se conectan
mediante un metal (aluminio) a las regiones de fuente y drenaje con impurezas de tipo n, las cuales son
conectadas internamente con un canal de impurezas tipo n. Por último se deposita encima del canal un
contacto metálico sobre una capa de dióxido de silicio (SiO2). Esta combinación de puerta metálica
sobre una capa de óxido y sobre un sustrato semiconductor forma el dispositivo MOSFET de
deplexión. Las tensiones negativas puerta-fuente expulsan los electrones de la región del canal, y una
tensión suficientemente elevada debe cerrar el canal. Sin embargo una tensión positiva puerta-fuente
originará un aumento de la conductividad del canal, atrayendo más portadores de carga, y por tanto,
una corriente más elevada en el canal.
En la figura siguiente se muestra la característica de transferencia del dispositivo, como puede
observarse opera con tensiones positivas y negativas de puerta, los valores negativos de VGS reducen la
corriente de drenaje hasta que a un nivel VP se llega a la oclusión.
Figura 9-20. Características del MOSFET de deplexión canal n.

La característica de transferencia es la misma que la del JFET para valores negativos de VGS,
pero a diferencia de ésta continua para valores positivos de VGS.
La relación entre ID y VGS viene definida por la expresión:
2
 VGS 
I D = I DSS  1 −  ( 9-66)
 VP 
Pero ahora VGS pude tomar valores positivos.

Puesto que la puerta se encuentra aislada del canal tanto para valores positivos como negativos
de VGS la corriente de puerta es despreciable. El símbolo se muestra en la primera figura de este
apartado, y se observa un terminal de sustrato, sobre el que se indica el dispositivo, la flecha indica un
sustrato p y, por tanto, se trata de un dispositivo de canal n. Para el MOSFET de canal p, es aplicable
todo lo anterior, salvo que las tensiones y corrientes tiene signos opuestos.
9.4.2 MOSFET de acumulación.

El MOSFET de acumulación no tiene canal entre el drenaje y la fuente como parte de la
construcción del dispositivo. La aplicación de una tensión positiva puerta-fuente expulsará los huecos
en la región del sustrato bajo la puerta dejando una zona de transición. Cuando la tensión de puerta
VGS es suficientemente elevada y se hace mayor que una tensión Vt umbral, se produce una inversión
local de la capa en material N. Aumentar VGS por encima de este valor proporciona electrones
adicionales reduciendo la resistencia del canal y aumentando la corriente.
Figura 9-21. Canal formado en un MOSFET de acumulación canal n. Símbolo.

Si ahora se contempla la tensión VDS, los valores altos de VDS reducen la tensión en canal en
las cercanías del drenador, con lo que se reduce la conductividad y por lo tanto disminuye la pendiente
de la curva ID VGS=k= f (VDS). En último extremos llegará al estrangulamiento del canal. Esto ocurrirá
cuando: VDS ≥ VGS - Vt ; -VDS ≤ Vt VGD ≥ Vt ; VDG ≥ -Vt
Así los estados serán:
 Corte ⇒ VGS ≤ Vt > 0

  Ohmico ⇒ VDG ≤ −Vt
NMOSFET 
Conducción ⇒ VGS ≥ Vt ⇒ 
 Saturación ⇒ VDG > −Vt

Para los dispositivos de canal P invertimos las desigualdades.
La característica de transferencia del MOSFET de acumulación de canal n se muestra en la
figura siguiente, en ella se observa que no hay corriente de drenaje hasta la tensión de puerta-fuente
supera el valor umbral VT. Las tensiones positivas sobre este valor de umbral producen un incremento
de la corriente de drenaje, la cual viene dada por la expresión anterior.
Figura 9-22. Característica de transferencia del MOSFET de acumulación canal n.

En el MOSFET de acumulación no puede asociarse ningún valor de IDSS, ya que no existe
corriente para VGS = 0 V. A pesar de que el MOSFET de acumulación está más restringido que el de
deplexión en el intervalo de operación, el primero resulta muy útil en los circuitos integrados.
El símbolo esquemático está representado en la primera figura de este apartado y muestra una
línea interrumpida entre le drenador y fuente, así mismo, la flecha del terminal de sustrato muestra un
sustrato p y un canal n.
9.4.3 Característica de transferencia del MOSFET de acumulación.

VGS
VG
VDS
D y
S
N+ N+
Q'(x)
dx
V(x)
x
L
Recordando que: 1/ρ = qµnN
dx 1 dx
dR = ρ ( x ) = ⋅ ( 9-67)
S qµ n n( x ) zy ( x )
Donde S = z y(x) es el área de la sección transversal y q n(x)y(x)=QI(x) es la carga de inversión

contenida en el canal x.
A una distancia x a lo largo del canal, la tensión respecto a la fuente es V(x) y en dicho punto
la tensión puerta-canal es VGS-V(x). Si esta tensión supera a Vt umbral:
QI(x)= Cox [VGS-V(x)-Vt ], siendo Cox la capacidad asociada a la estructura MOS. Por tanto:
dx
dR = ( 9-68)
zì nQI(x)
Luego la caída de tensión a lo largo del canal de longitud “dx”. Es:
dx
dV = I D dR = I D ( 9-69)
zµnQI (x )
Integrando:
L VDS
∫I
0
D dx = zµn C0 x ∫ (V
0
GS − V − Vt )dV ( 9-70)
zµ nC0 x  VDS
2

ID = (
V
 GS − Vt )
V DS −  ( 9-71)
L  2 
ID =
zµ nC0 x
2L
[( )
2 VGS −Vt VDS − VDS
2
] ( 9-72)
ID =
k
2
[
2(VGS − Vt )VDS − VDS
2
] ( 9-73)
Región óhmica: Si VDS se mantiene tan pequeña que el término cuadrado es despreciable: ID =
k(VGS-Vt)VDS, expresión que define la zona óhmica del MOSFET de acumulación, siendo la
resistencia lineal controlada por tensión:
1
R NMOS = ( 9-74)
k (VGSS − Vt ) )
D
IDS = f(VGS ,VDS)

G
VGS
Figura 9-23. Circuito equivalente región ohmica

Región Activa : En este caso se verifica que VDG = -Vt, lo que implica que VDS = VGS-Vt, luego
la expresión de la intensidad quedaría:
ID =
k
2
(VGS − Vt )
2
( 9-75)
ID
VGS
S Vt VGS
Figura 9-24. Circuito equivalente región activa.

Como en el caso del JFET o del MOSFET de deplexión, también puede obtenerse un valor de
transconductancia para un MOSFET de acumulación, siendo la relación en este caso:
gm =
K
(VGS − VT ) ( 9-76)
2
9.4.4 Polarización del MOSFET de acumulación.

El MOSFET de acumulación requiere una tensión puerta-fuente mayor que la tensión umbral
necesaria para activar el dispositivo. Un circuito común de polarización se muestra en la figura
siguiente. La resistencia RG cumple la misión de proporcionar una tensión adecuada para llevar el
MOSFET a conducción. La corriente de drenador se incrementa hasta que se alcance el equilibrio
entre la tensión drenador-fuente (puerta-fuente) y la corriente de drenador.
Figura 9-25. Circuito de polarización de un MOSFET de acumulación canal n.

La tensión de puerta determina la corriente de drenaje del MOSFET, que viene dada por la
expresión
ID =
K
(VGS − VT )2 ( 9-77)
2
la corriente ID también produce una caída de tensión a través de RD, por lo que
V DS = V DD − I D R D ( 9-78)
Ya que la corriente de puerta es despreciable, la tensión VGS = VDS, de modo que puede
escribirse:
ID =
K
(VDS − VT )2 ( 9-79)
2
La característica de drenaje del MOSFET puede obtenerse gráficamente para valores
determinados de VT y K, se eligen los valores de VDS calculando el valor resultante de ID.
Figura 9-26. Característica del MOSFET y recta de carga.

La figura anterior muestra una característica de drenaje típica de un MOSFET, junto a la recta
de carga. La intersección de las dos curvas proporciona los valores de polarización. Si por razones de
linealidad se desea que VGS ≠ VDS, puede emplearse el circuito de la figura siguiente.
Figura 9-27. Circuito de polarización para MOSFET canal n con VGS ≠ VDS.
Para este caso la tensión de puerta será
VDS
VGS = R ( 9-80)
R1 + R f 1
2
K  VDS 
ID =  R1 − VT  ( 9-81)
2  R1 + Rf 
para la malla de salida tendremos como en el caso anterior
V DS = V DD − I D R D ( 9-82)
Con ambos circuitos de obtiene un efecto de estabilidad debido a la realimentación a través de

la resistencia que une el drenador con la puerta.
9.4.5 Ejemplo 1
Determinar las tensiones y corrientes del MOSFET en el circuito polarizado con
realimentación de drenador ( apartado de polarización del MOSFET de acumulación) si está activo.
Con los siguientes datos: VDD = 10V., RD = 160 kOhm, RG = 10Mohm, RS = 0 Ohm, VEE = -10V. K
= 0.05 mA/V² y Vt = 2V.
Solución
Siempre se tendrá que para la compuerta del FET la corriente IG será prácticamente nula. Es
por eso que la magnitud de RG será de MΩ, puesto que lo que interesa es sólo el voltaje que induce la
compuerta. Debido a esta consideración se puede escribir que VG = VD. Por otro lado, suponiendo
estado activo:
ID = (VGS - Vt)² ∙ K/2
VDD = IDRD + VDS +VEE; Como VG = VD → VDS = VD – VS = VG – VS = VGS ;

VDS = VGS
De manera que:
VDD = IDRD+ VGS+VEE ; ID = ( VGS – Vt)² ∙ K/2 ; VDD = (VGS-Vt)² RDK/2 + VGS + VEE
→ V²GS K RD/2 + V²t RD K/2 + VGS(1-2Vt RDK/2 + VEE = VDD → V²GS –15VGS – 4 = 0 → VGS
= - 0.25V, 4V
Como el mosfet está activo, la solución correcta es aquella que verifique VGS>Vt. Como Vt =
2V, la solución correcta es VGS = 4V. De esta forma:
ID = (VGS – Vt)²K/2 = 0.1mA
VD = VG = -6V
Observamos que VDS = VD – VS = VD –VEE = -6-(-10) = 4V. O sea, se tiene que VDS>0 para
el fet. Veamos si VDS>VDSsat.
VDSsat = VGS –Vt = 4 –2 = 2V
Efectivamente, se verifica que VDS>VDSsat, lo cual nos indica que nuestra consideración inicial
de que el mosfet estaba en la suposición correcta.
9.4.6 Ejemplo 2.
Determinar las tensiones y corrientes del MOSFET en polarización por divisor de tensión si
está activo. Téngase en cuenta que VDD=12V, R1=3.3Mohm, R2=1.5Mohm, RD=3.9kOhm,
RS=3.9kOhm, K = 0.5mA/V² y Vt = 2V.
Solución
Como la corriente de compuesta debe considerarse nula, la corriente que pasa por la RG y Rl se
considera la misma y, por tanto, se llega a que:
VDD = I ( RG + Rl) ; VG = I R1 = VDD Rl/(RG + R1) = 8V =VG
Como IS = ID, podemos hallar VS, pero hallaremos en primer lugar ID. Si suponemos que el
transistor está en estado activo:
ID = (VGS – Vt)² 3K/2; VDD= IDRD + VDS + ISRS ; VG = VGS + ISRS
VDD = ID(RD + RS) + VDS ; ID =(VGS – Vt)² 3K/2; VG = VGS + ISRS→
VG =(VGS – Vt)² RS K/2 + VGS → V²GS K RS/2 + V²t RS K/2 + VGS(1 –2VtRSK) = VG→
→ V²GS – 3VGS –4 =0 → VGS = -1V,4V
La solución correcta si suponemos que el mosfet está en estado activo es:
VGS> Vt = 2V→ VGS = 4V
VGS = VG – VS → VS = VG – VGS = 8V – 4V = 4V= VS
ID = VS/RS = 4/4000 = 1mA
VDD – VD = IDRD → VD = VDD – IDRD = 20 . 0.01 ∙ 10000 = 10V = VD
Comprobamos que VDS = VD – VS = 10 – 4 = 6V> 0, por lo que el mosfet está encendido.

Veamos ahora si se encuentra en estado óhmico o activo.
VDsat = VGS – Vt = 4 – 2 = 2V
Como VDS> VDSsat, está en estado activo.
9.4.7 Ejemplo 3
Para el MOSFET de acumulación en configuración autopolarizada, calcular la ganancia en
tensión en los casos:
a) con Rs con condensador
b) con Rs sin condensador
con los siguientes datos: VDD = 9V., RD = 1.5kOhm, RG = 10Mohm, RS = 750 Ohm, Vp = -
3.5 V, IDSS = 10 mA, , IDQ = 1.3mA y VGSQ =-1.8V.Yd = 40µS, C1 = C2 = C3 = 0.05μF
Solución:
2I DSS  VGSQ  2 ⋅ 10 ⋅ 10 −3 
= 1.8 
gm = 1− 1 −  = 5.7ms ⋅ 0.486 = 2.77ms
Vp  Vp 
 3 .5  3.5 
Los circuitos en pequeña señal son:

G D
gm Vgs
G D RG RD
RG RD
Rs
gm Vgs
Fig. 1: Correspondiente al apartado a). Fig. 2: Correspondiente al apartado b).

a) La ganancia en tensión cuando tenemos una Rs con condensador es:
Av = -gm RD = - 2.77ms ∙ 1.5 KΩ = -4.155
b) Mientras que la ganancia en tensión cuando tenemos una Rs sin condensador:
Vds = -gm Vgs ∙ RD = V0
Vi = Vgs (1 + Rs ∙ gm)
g m RD − 4.155
AV = − = = −135
.
1 + RS ⋅ g m 1 + 2.77ms ⋅ 0.75kΩ
9.4.8 Ejemplo 4
Calcúlese la tensión de salida para el circuito de la figura Datos: Vts=-3 V Yd=20μS VGSP=-6.1
V ID=2.9mA K=0.6 10-3 A/V2
-12 V
PMOS
2K
10 M D
V i =10 mV
Calculemos el punto de trabajo:

VD=VDD-ID RD
VGS = VDS = VD = VDD – IDR D= -12 + 2 ID
k
Como I D = (V − Vt ) 2 ,tenemos:
2 GS
VGS + 12
= 0.3 10-3(VGS+3)2
2000
Expresión de la que despejamos VGS: VGS=-6.1V
Una vez conocida VGS, podemos calcular ID:
VGS + 12 − 6.1 + 12
ID= = =2.9 mA
2000 2000
Calculamos rd y gm:
1 1
rd = = =50KΩ
yd 20
gm=K(VGSQ-Vt)=1.86 10-3S
Y como el modelo en pequeña señal:
RG
Vgs Vo
Vi gm Vgs rd RD
Y calculando la ganancia en tensión:
 V 0 − Vi  RDrd
V0=-  + gmvgs 
 RG  RD + rd
como Vgs = Vi, tenemos:
 R Drd   1  RDrd
V0  1 +  =Vi  − gm 
 R D + rd   RG  RD + rd
 RDrd  RDrd
(1 − gmRG )  − gmRG
V0
=
 RD + rd 
= [gmRG >>> 1]=
RD + rd =  RG >>> rd  =
 RG >>> RD 
Vi RG + RDrd RG +
RDrd  
RD + rd
RD + rd
RDrd
=-gm
RD + rd
2 ⋅ 50
. ⋅ 10 − 3
AV = 186 = −3.6
2 + 50
Obtenemos fácilmente la tensión de salida, que es lo que nos pedían.
V0=Av Vi=-36mV
9.5 MOSFET de potencia.

El transistor de efecto campo puede construirse con el terminal de puerta aislado del canal,
este dispositivo es conocido entonces como MOSFET. Un MOSFET de potencia está orientado
verticalmente en una estructura de cuatro capas alternando dopados tipo p y tipo n como se muestra
en la figura siguiente para una celda simple de las muchas que componen un dispositivo completo. La
estructrura n+pn-n+ se denomina MOSFET de canal n. Evidentemente, también se puede fabricar una
estructura con el perfil de dopado opuesto, denominándose MOSFET canal p. El dopado de las dos
capas n+ extremas, denominadas fuente y drenador, es prácticamente el mismo en ambas capas y es
bastante grande, normalmente de 1019 cm-3. La capa media tipo p se llama cuerpo y es la región en la
que se establece el canal entre fuente y drenador siendo su dopado del orden de 1016 cm-3. La capa n-
es la región de deriva del drenador y se dopa entre 1014 y 1015 cm-3. Esta región de deriva va a
determinar la tensión de ruptura del MOSFET.
Figura 9-28. Estructura vertical del MOSFET de potencia.

En un primer momento, parecería que no hay ninguna forma de que la corriente pueda fluir
entre los terminales de drenador y fuente del dispositivo ya que una de las uniones pn (bien la unión
cuerpo-fuente bien la drenador-cuerpo) estará polarizada en inverso por la polaridad de la tensión
aplicada entre el drenador y la puerta. No puede haber inyección de portadores minoritarios en la
región de cuerpo por el terminal de puerta ya que esta está aislada del cuerpo mediante una capa de
dióxido de Silicio que es un buen aislante y de ahí que no haya funcionamiento del BJT parásito. Sin
embargo, una aplicación de tensión que polarizara la puerta positiva respecto a la fuente convertirá la
superficie de Si por debajo del dióxido de puerta en una capa tipo n o canal, conectando así la fuente al
drenador y permitiendo el flujo apreciable de corrientes. El espesor del óxido de puerta, la anchura de
ésta y el número de regiones puerta/fuente conectadas eléctricamente en paralelo son importantes al
determinar cuánta corriente fluirá para una tensión puerta-fuente dada.
La estructura mostrada en las figuras anteriores se llama VDMOS por la doble difusión del
MOSFET verticalmente. El nombre describe la secuencia de fabricación del dispositivo: el sustrato
inicial es normalmente el drenador n+ en el que la región de deriva n- de espesor específico crece
epitaxialmente, entonces el cuerpo central tipo p se difunde en la oblea desde el lado de la fuente de la
oblea seguido de la difusión de la fuente n+. Estas dos difusiones se enmascaran lo que significa que
partes de la oblea se protegen mediante el dióxido de Si para que los dopantes no puedan alcanzar la
oblea donde se ha puesto el SiO2. Los pasos que quedan incluyen el depósito de las metalizaciones de
puerta y fuente, siendo el paso final el empaquetamiento. Un MOSFET VDMOS es una pastilla simple
de silicio formada por un gran número de celdas hexagonales apiñadas muy cerca unas de otras. El
número de celdas varía de acuerdo con las dimensiones de la pastilla. Por ejemplo, una pastilla de 120
mm2 contiene alrededor de 5000 celdas; mientras que una de 240 mm2 tiene más de 25000 celdas. En
la estructura se muestran otros aspectos importantes del MOSFET:
• Se construye la fuente formada por numerosas áreas en forma de polígono que se conectan en
paralelo y rodean la región de puerta. Uno de los fines de la construcción de múltiples celdas es
minimizar el parámetro característico del MOSFET rDS(on) o resistencia de drenador a fuente
cuando el dispositivo está en estado conductor. La forma geométrica de estas regiones influye de
alguna manera en la resistencia en estado de conducción del MOSFET. La razón básica de las
numerosas regiones de fuente de reducido tamaño es maximizar la anchura de la región de puerta
comparada con su longitud. La anchura de puerta W del MOSFET es la periferia de cada célula
por el número de células que forman el dispositivo. Cuando rDS(on) es mínima, el dispositivo
proporciona un funcionamiento superior en la potencia de conmutación debido a que la caída de
tensión de drenador a fuente es también mínima para un valor dado de la corriente de drenador a
fuente. Se puede suponer que cada celda del dispositivo contribuye en una cantidad RN a la
resistencia total, a mayor número de celdas puestas en paralelo, menor será el valor de rDS(on) tal y
como se ve en la expresión:
r =R N ( 83 )
DS(ON) N
Donde N es el número de celdas.
• Hay un BJT parásito entre los contactos de fuente y drenador como se muestra en las figuras con el
cuerpo central tipo p sirviendo como base del BJT parásito. Para minimizar la posibilidad de que
este transistor se encienda, el cuerpo central se reduce a la región de fuente mediante solapamiento
de la metalización de fuente en el cuerpo central. Como consecuencia de esta reducción del cuerpo
hay un diodo parásito conectado entre en drenador y la fuente del MOSFET como se muestra.
Este diodo se puede usar en los convertidores de medio puente y puente completo.
• Hay un solapamiento de la metalización de puerta a través de la región de deriva n- que sobresale
de la superficie de la oblea. Este solapamiento sirve para dos fines: primero, tiende a intensificar la
conductividad de la región de deriva en la entre cara n--SiO2 al formar una capa de acumulación, de
modo que ayude a minimizar la resistencia en estado de conducción. Segundo, la metalización
tiende a actuar como un campo cuando el MOSFET está bloqueado que mantiene el radio de
curvatura de la región de deplexión de la unión pn drenador-cuerpo pequeño y, así, reduce la
tensión de ruptura del dispositivo.
9.6 El MOSFET en conmutación

En aplicaciones de electrónica de potencia, el MOSFET se usa como un conmutador para
controlar el flujo de corriente a la carga de manera análoga a la usada por el BJT. En estas aplicaciones,
el MOSFET atraviesa las características ID - VDS desde la región de corte a través de la región activa
hasta la región óhmica cuando el dispositivo es puesto en conducción y vuelve de nuevo cuando se
bloquea. La región de corte, la activa y la óhmica de las características se muestran en la figura
siguiente.
El MOSFET está en corte cuando la tensión puerta-fuente es menor que la tensión umbral VP
ó V GS(TH), que es de unos pocos voltios en la mayoría de los MOSFETs. El dispositivo es un circuito
abierto y debe esperar a que se suministre una tensión al circuito. Esto significa que toda la tensión es
soportada por el semiconductor entre drenador-fuente, por consiguiente el dispositivo debe tener una
tensión de ruptura drenador-fuente mayor que la anterior.
Cuando el dispositivo está conduciendo por una gran tensión puerta-fuente, lo hace en la
región óhmica donde la tensión drenador-fuente (VDS) es pequeña. En esta región la potencia disipada
se puede mantener dentro de unos límites razonable al minimizar VDS incluso si la corriente de
drenador es relativamente grande.
Figura 9-29. Características tensión intensidad del MOSFET.
VGS − VGS ( TH ) > VDS > 0 ( 9-84)
En la región activa, como hemos visto, la corriente de drenador es independiente de la tensión

drenador-fuente y depende tan sólo de la tensión puerta-fuente. La corriente se dice algunas veces que
está saturada y, en consecuencia, esta región se llama a veces región de saturación. Aquí se denominará
a esta región, región activa para evitar confusiones.
9.6.1 Conmutación.
Los MOSFETs son intrínsecamente más rápidos que los dispositivos bipolares ya que no
tienen exceso de portadores minoritarios que deban moverse dentro o fuera del dispositivo cuando se
enciende o se apaga. Las únicas cargas que se deben moverse son las que están en las capacidades
parásitas y en las capacidades de la capa de vaciamiento. Estas capacidades se pueden representar en el
circuito equivalente de la figura siguiente.
Figura 9-30 Capacidades parásitas en el MOSFET. Variación con VDS.

Existen tres tipos de capacidades parásitas:
• Capacidad puerta-fuente CGS. Su dieléctrico es la capa aislante de óxido de puerta fuente.
Esta capacidad se mantiene relativamente costante con las variaciones de tensión VDS.
• Capacidad puerta-drenador CGD. Esta varía considerablemente con la tensión VDS, desde un
valor similar a CGS cuando el transistor está en conducción has un valor despreciable cuando
el transistor está en corte.
• Capacidad drenador-fuente CDS. Esta es menos importante y su efecto es enmascarado por
CGD.
La suma de CGD y CGS se llama capacidad de entrada Ci.
Se examinará el comportamiento de conexión del MOSFET con una carga por la que circulará
una corriente IDO, una vez finalizado el transitorio. La puerta se dirige mediante una tensión de fuente
ideal, que se supone que es una tensión abrupta entre 0 y VGG en serie con una resistencia de puerta
externa RG.
Figura 9-31 Circuito para el estudio de los tiempos de conmutación.

Las formas de onda de la puesta en conducción se muestran en la figura siguiente, donde la
puerta dirige los cambios de tensión de forma abrupta en t = 0 desde 0 a VGG, que está por encima de
VGS(TH) debido a las corrientes que fluyen a través de CGS y CGD. La proporción de subida de VGS en
esta región es casi lineal aunque es parte de una curva exponencial, que tiene una constante de tiempo:
τ1 = RG(CGS + CGD1). Más allá de VGS(TH), VGS continua elevándose igual que antes, y la corriente de
drenador comienza a aumentar. La tensión drenador-fuente permanece en VDD mientras que ID < IDO.
El tiempo necesario para que ID se eleve de 0 a IDO es el tiempo de subida de la corriente tRI.
Figura 9-32 Fenómenos de conexión y desconexión.

Una vez que el MOSFET está llevando la corriente de carga total IDO pero está aún en la
región activa, la tensión puerta-fuente llega a unirse temporalmente a VGSO que es la tensión puerta-
fuente necesaria para mantener ID = IDO. La corriente de puerta IG, fluye a través de CGD , esto hace
que la tensión drenador-fuente caiga. La disminución de VGD se produce en dos intervalos de tiempo
distintos. El primer intervalo de tiempo corresponde al paso a través de la región activa donde CGD =
CGD 1 . El segundo intervalo de tiempo corresponde a la terminación del transitorio en la región
óhmica donde CGD = CGD2.
Una vez que la tensión drenador-fuente a caído hasta el valor en el estado de conducción IDO
rDS(ON) , la tensión puerta-fuente continua su crecimiento exponencial hasta VGG. Esta parte del
crecimiento ocurre en un tiempo constante τ2 = RG (CGS + CGD2) y, simultáneamente, la corriente de
puerta cae a cero con la misma constante de tiempo.
El transitorio de bloqueo del MOSFET, comprende la sucesión inversa de sucesos que
ocurren durante el transitorio de encendido. Se puede usar la misma aproximación analítica básica
usada para encontrar las formas de onda en el transitorio de encendido y los intervalos de tiempo
asociados para los correspondientes al transitorio de apagado. Para un cambio abrupto en la tensión de
puerta para t = 0 desde VGG a 0. Los valores actuales de los tiempos de conmutación variarán
dependiendo de si la corriente de puerta se hace cero o si se hace negativa para hacer el transitorio más
corto. Además, el valor de RG usado durante el transitorio de apagado puede ser diferente al usado
durante el de encendido.
Como hemos visto los cambios de nivel de las señales no se producen instantáneamente.
Genéricamente estos tiempos se llaman de subida y de bajada y se miden de la siguiente forma:
• Tiempo de subida tr : Tiempo que transcurre desde que la señal alcanza el 10 por ciento del valor
máximo hasta que alcanza el 90 por ciento del mismo valor.
• Tiempo de bajada tf : También llamado tiempo de caída y es el que transcurre desde que la señal toma
un valor del 90 por ciento del máximo hasta que alcanza un valor del 10 por ciento.
En resumen los tiempos de conmutación se denominan tiempo de conexión y tiempo de
desconexión.
• Tiempo de conexión tCON que se divide en dos:
- Tiempo de retardo td.
- Tiempo de subida tr.
• Tiempo de desconexión tOFF que también se divide en dos:
- Tiempo de retardo td.
- Tiempo de bajada tf.
Figura 9-33. Tiempos de conmutación.
9.7 Pérdidas de potencia en el MOSFET.

Excepto para frecuencias de conmutación muy altas, casi toda la potencia disipada en un
MOSFET en aplicaciones de potencia en modo de conmutación se produce cuando el dispositivo está
en el estado de conducción. La disipación de potencia instantánea en el estado de conducción viene
dada por:
Pd = I D2 RDS ( on ) ( 85 )
La resistencia en el estado de conducción tiene varias componentes. Para tensiones de ruptura

más bajas (unos pocos cientos de voltios o menos), todas estas componentes de la resistencia
contribuyen más o menos igual en la resistencia total en estado de conducción. El fabricante del
dispositivo debe intentar minimizar todas las contribuciones al usar el dopado más fuerte en cada
región pero teniendo en cuenta otros requerimientos del dispositivo tal como la tensión de ruptura. Un
ejemplo de la importancia que se da a estas contribuciones de la resistencia total viene dada por la
extensión de la metalización de puerta sobre la región de deriva del drenador que sobresale a la
superficie de Si entre las regiones del cuerpo tipo p.
El importante progreso que se ha hecho al reducir las pérdidas en estado de conducción en los
MOSFETs con tensión de ruptura baja se pone de manifiesto por el hecho de que, excepto a niveles
de corriente muy altos, los MOSFETs pueden tener pérdidas en conducción más bajas que los BJTs
para valores de la tensión de ruptura por debajo de unos pocos cientos de voltios.
Dos componentes de la resistencia, la resistencia del canal y la de la capa de acumulación, se
alteran por la polarización de puerta-fuente, además de por las consideraciones de dopado y
dimensionales. En ambas componentes, los valores más grandes de la polarización de puerta-fuente
harán más bajas estas componentes. De ahí que, es deseable usar tensiones de mando puerta-fuente de
valor tan grande como sea posible siempre y cuando esto sea compatible con otras consideraciones.
La resistencia en estado de conducción aumenta significativamente con el aumento de la
temperatura en la unión. Esto significa que la disipación de potencia en conducción aumentará con la
temperatura en la mayoría de las aplicaciones. El coeficiente de temperatura positivo de la resistencia
en estado de conducción se eleva a causa de la disminución de la movilidad de portadores cuando la
temperatura del semiconductor aumenta. Entonces las pérdidas en conducción directa se expresan
normalmente en términos de su resistencia directa, con la aproximación siguiente:
Pd = I 2
D R ds ( 25 º C ) {1 + α ( T j − 25 º C ) }(W ) ( 86 )
Donde α es el coeficiente de temperatura de la resistencia en conducción;
9.7.1 Perdidas producidas durante el estado de bloqueo

Durante el estado de no-conducción una pequeña corriente dependiente exponencialmente de
la temperatura I1 circula por el semiconductor. La pérdida de potencia será entonces:
P1 = I 1U S (1 − δ )(W ) ( 87 )
Normalmente su influencia es despreciable en los cálculos globales.
9.7.2 Perdidas debidas a la conmutación

Se pueden presentar principalmente dos casos:
En el primer caso, la tensión de alimentación continua durante todo el periodo de transición.
Este es la peor situación, dando las mayores pérdidas de potencia en la puesta en conducción y en el
bloqueo (este es el caso, general con carga inductiva).
I CM t 
i=  1
ton
1
ton
t I V t
t on  Pon =
T ∫ P ( t ) dt =
T ∫I CM V dt = f CM S on
t on S 2
( 88 )
v s = V S  0 0
Durante el bloqueo tendremos igual que antes:
I CM V S t off
Poff = f ( 89 )
2
En el segundo caso, la tensión de alimentación cae en la misma proporción en que la corriente
de conducción directa sube durante todo el periodo de transición. Este es el caso, general con carga
resistiva.
I CM t 
i= 

ton
t on 1 fI CMVS t on
 P = ∫ P(t )dt = ( 90 )
t T 0 6
v s = VS − VS 
t on 
Durante el bloqueo tendremos igual que antes:
t 
i = I CM (1 − )
t off  t
1 r fI oVS t off
 ⇒ P = ∫ P(t )dt = ( 91 )
t  T0 6
v s = VS
t off 
9.7.3 Pérdidas en la unión puerta-cátodo.

Una porción de la potencia de puerta es disipada en la unión puerta-cátodo o en el caso del
MOSFET o IGBT en la resistencia interna de puerta. En la mayoría de los casos esta pérdida es muy
pequeña en comparación con las restantes, por lo que puede ser ignorada.
Una excepción cabe en el caso de los transistores de potencia cuando conducen corrientes
elevadas, donde la ganancia directa es relativamente pequeña. La elevada corriente de base asociada
con la tensión base-emisor en saturación lleva a éste a una situación en la que sea una tensión mayor
que la colector-emisor en saturación, por lo tanto habrá que calcular:
Pg = ib v besat δ (W ) ( 92 )
9.8 Áreas de trabajo seguro en el MOSFET.

El área de funcionamiento seguro de un MOSFET de potencia se muestra en la Fig.13.6. Hay
tres factores que determinan la SOA del MOSFET: la corriente de drenador máxima IDmax, la
temperatura interna de la unión Tj, que se regula mediante la disipación de potencia en el dispositivo, y
la tensión de ruptura BVDSS. Estos factores de limitación ya se han estudiado en el apartado anterior y
son análogos a los del BJT de modo que no es necesaria una mayor profundización en ellos. El
MOSFET no tiene limitaciones de la segunda ruptura como el BJT y, por tanto, no se muestra en el
área de funcionamiento seguro. Para aplicaciones en modo de conmutación, la SOA del MOSFET es
cuadrada, como se indica en la figura. No hay distinción entre la polarización directa y la inversa de las
áreas de funcionamiento seguro para el MOSFET; son idénticas.
Figura 9-34. Áreas de funcionamiento seguro.
9.9 El IGBT.
En términos generales el IGBT es un compendio del MOSFET, el transistor bipolar y el
GTO. El dispositivo, cuyo símbolo se ve en la figura, también es conocido como MOSIGT,
COMFET ó GEMFET, pero su nombre original fue IGT ("Insulated Gate Transistor"). El IGBT
presenta en la actualidad marcadas ventajas frente al transistor bipolar y el MOSFET en convertidores
de frecuencias (hasta los 50 KHz.) y potencias medias ( entre el kilovatio y los cientos de kilovatios). Si
la tensión puerta-emisor es positiva (G-E), entre +10 y +15 V, el dispositivo entra en conducción;
mientras que si esta tensión es nula, el disposivo no conduce, provocando una caída de tensión
significativa, que para convertidores alimentados en tensión es inadmisible, siendo necesario conectar
un diodo en antiparalelo con el dispositivo. El tiempo de puesta en conducción del dispositivo es
similar, aunque algo más lento, al del MOSFET, pero el tiempo de bloqueo es complejo y
marcadamente superior al resto de los dispositivos. La impedancia de la puerta del IGBT presenta
valores tan elevados como en un MOSFET, por lo que se requiere muy poca tensión para ponerlos en
conducción. Como el transistor bipolar, el IGBT presenta una caída de tensión pequeña en
conducción incluso cuando se trabaja con tensiones altas. Al igual que los GTO los IGBT pueden
soportar tensiones de bloqueo inverso altas.
Un convertidor con IGBT puede utilizar un control de puerta en circuito integrados, donde las señales
de lógicas de entradan suelen ser controladas con disparadores de Schmitt. Las aplicaciones del IGBT
son recientes y entre ellas destacan: control de motores de CC y CA, fuentes de alimentación y
controladores para solenoides, relés y contactores. Se espera que en el futuro el IGBT supere y
reemplaze al transitor bipolar en todos los campos de potencia. Los módulos actuales llegan hasta los
1700 V. y 1200 A.
Figura 9-35. Estructura del IGBT
9.9.1 Estructura básica del IGBT.

La sección vertical de un IGBT de canal n se muestra en las figuras anteriores. Esta estructura
es similar a la del MOSFETs difundido verticalmente (VDMOSFET), con la excepción de que un
sustrato. p+ altamente dopado sustituye al drenador n- del VDMOSFET convencional. De esta
manera se forma una unión pn, llamada J1 en la Figura anterior, que inyecta portadores minoritarios,
huecos en este caso, en la zona n- (región de deriva) que aparecería como drenador del supuesto
MOSFET. Se puede decir que el IGBT funciona como un MOSFET cuya zona de deriva del drenador
fuera modulada en conductividad mediante la inyección de portadores minoritarios. También es
posible hacer un IGBT de canal p cambiando el tipo de dopado en cada capa del dispositivo.
La región de deplexión de la unión J2 se extiende principalmente en la región de deriva n-, ya
que la región de cuerpo tipo p se dopa mucho más fuertemente que la región de deriva. Si el espesor
de la región de deriva es lo suficientemente grande como para alojar la capa de deplexión de modo que
el límite de esta capa no toque la capa de inyección p+, no es necesaria la capa amortigüadora n+
mostrada en la figura anterior. Este tipo de IGBT se llama a veces simétrico y puede bloquear en
inversa tensiones tan grandes en magnitud como las tensiones directas que se diseñan para bloquear.
Sin embargo, es posible reducir el espesor necesario de la región de deriva a un factor
aproximadamente de 2 si se usa una estructura asimétrica similar al diodo de potencia. En esta
geometría, la capa de deplexión se puede extender en todas las direcciones a través de la región de
deriva con tensiones significativamente por debajo del límite de la tensión de ruptura deseada. El
contacto de la capa de deplexión a la capa p+ se evita insertando una capa amortiguadora n+ entre la
región de deriva y la región p+ como se muestra en la figura. Este tipo de estructura del IGBT se
denomina a veces IGBT asimétrico. La longitud de la región de deriva más corta, significa pérdidas
más bajas en conducción pero la presencia de esta capa amortiguadora trae como consecuencia que la
capacidad de bloqueo inverso de esta geometría asimétrica sea bastante baja (unas pocas decenas de
voltio) y, por consiguiente, no existe hasta que interese en los circuitos de aplicación.
El IGBT está diseñado para tener la alta impedancia de entrada de puerta del MOSFET de
potencia. Esto permite controlar tanto el tiempo de encendido como el de bloqueo. Se han diseñado
dispositivos con tiempos de apagado (turn-off) entre los 0.2 y los 20 µs. La disminución del tiempo de
apagado exige el sacrificio de disminuir la densidad de corriente.
9.9.2 Funcionamiento físico del IGBT.

En el bloqueo, la inyección de portadores reduce la resistencia de la zona de deriva y por tanto
su caída de tensión en estado de conducción, aumentando significativamente la densidad de corriente
de portadores sobre los MOSFET de potencia o los transistores bipolares. Para una caída directa de 2
V, la densidad de corriente es cinco veces mayor que la del BJT y veinte veces superior a la del
MOSFET.
Puesto que el IGBT es básicamente un MOSFET, la tensión puerta-fuente controla el estado
del dispositivo. Cuando vGS es menor que VGS(th), no hay inversión en la capa creada al conectar el
drenador a la fuente y, por tanto, el dispositivo está en el estado de bloqueo. La tensión drenador-
fuente aplicada cae a través de la unión denominada J2 y sólo fluye una muy pequeña corriente de fuga.
Este funcionamiento en bloqueo es prácticamente idéntico al del MOSFET.
Cuando se aplica una tensión negativa al drenador con respecto a la fuente, la unión J1 se
polarizará inversamente estando el dispositivo bloqueado. Cuando se aplica una tensión positiva al
drenador respecto a la fuente, la unión J1 estará directamente polarizada, pasando a soportar la tensión
inversa fuente-drenador la unión J2 circulando una ligera corriente. Si en estos términos vGS es menor
que VGS(th)no hay zona de inversión que conecte el drenador y la fuente, por lo que el dispositivo
seguirá bloqueado. Debido al intenso dopado de la zona P central, la zona de deplexión de la unión J2
se extiende a la zona n- de deriva.
Figura 9-36. Sección vertical del IGBT mostrando las corrientes.

Para la conducción, cuando la tensión puerta-fuente excede a la de umbral, se forma una
inversión de capa debajo de la puerta del IGBT. Esta inversión de capa une la región de deriva n- a la
región de fuente n+ como en el MOSFET, A través de esta inversión de capa fluye una corriente de
electrones como se ve en las figuras anteriores que vuelve a producir una inyección de huecos
importante de la capa del contacto de drenador p+ a la región de deriva n-, como se indica también en
estas figuras, y se extiende al cuerpo central tipo p que rodea la región de fuente n+. Tan pronto como
los huecos están en el cuerpo central tipo p, su carga espacial atrae a los electrones de la fuente que
están en contacto con el cuerpo central recombinándose rápidamente los huecos en exceso.
La unión formada por el cuerpo central tipo p y la zona n- de deriva actúa como el colector de
un transistor pnp. Este transistor, dibujado en la figura anterior, estará formado por la zona p de
drenador como emisor, la zona n- de deriva como base y la zona p+ del cuerpo central como colector.
De este modo, se podrá establecer el IGBT como el modelo equivalente de la figura en el que se
encuentra un transistor principal conducido por el MOSFET.
Figura 9-37. Circuito equivalente del IGBT
9.9.3 Curvas características del IGBT.

La característica i-v de un IGBT de canal n se muestra en la figura siguiente. En directa son
similares a las de un transistor de unión bipolar básico excepto que el parámetro que se controla es una
tensión de salida, la tensión puerta-fuente, en vez de una corriente de salida. Las características de un
IGBT de canal p serían lo mismo pero las polaridades de las tensiones y corrientes estarían invertidas.
Figura 9-38. Características estáticas del IGBT.

La unión denominada J2 bloquea cualquier tensión directa cuando el IGBT está bloqueado. La
tensión inversa de bloqueo indicada en la característica i-v se puede hacer tan grande como la tensión
directa de bloqueo si el dispositivo se fabrica sin la capa amortiguadora n+. Esta capacidad de bloqueo
inverso es útil en algunos tipos de aplicaciones. La unión denominada J1 es la unión de bloqueo
inverso. Sin embargo, si la capa amortiguadora n+ se usa en la construcción del dispositivo, la tensión
de ruptura de esta unión se reduce significativamente a unas pocas decenas de voltio debido al fuerte
dopado que presentan ahora las caras de esta unión y el IGBT no tiene ninguna capacidad de bloqueo
inverso.
La curva de transferencia iD - vGS mostrada en la figura anterior es idéntica a la del MOSFET
de potencia. La curva es prácticamente lineal para la corriente de drenador donde la tensión puerta-
fuente se aproxima a la umbral. Si vGS es menor que la tensión umbral VGS(th), el IGBT está en el
estado de bloqueo. La tensión máxima que se aplicaría a los terminales puerta-fuente estará
normalmente limitada por la corriente de drenador máxima que se permite que fluya en el IGBT.
9.9.4 Tiristor parásito en el IGBT.

Como se ve en la estructura del IGBT los transistores NPN y PNP un tiristor parásito. El
encendido de este tiristor es indeseable y, para evitar su activación, se han estudiado diversas
estructuras, basadas principalmente en la modificación de la zona central p que forma las uniones J2 y
J3 de manera que la resistencia base emisor del NPN, conocida como resistencia lateral, sea lo menor
posible. En esta linea, como en el MOSFET de potencia, se conserva la extensión de la metalización
de la fuente sobre la región central p. La unión cuerpo-fuente en el IGBT ayuda a minimizar el posible
encendido del tiristor parásito, como se explicará más adelante. No obstante desde el punto de vista
del diseñador para un IGBT con una geometría específica, hay un valor crítico de la corriente de deriva
que producirá una caída de tensión lateral lo suficientemente grande como para activar el tiristor. Por
tanto, los fabricantes de dispositivos especifican el pico permisible de la corriente de Colector ICM que
puede fluir sin que se produzca la falta de control. También hay una tensión puerta-fuente que permite
que este flujo de corriente no se exceda.
9.9.5 Corriente de cola en el IGBT.

Como la sección de MOSFET está bloqueada y no hay tensión inversa aplicada en los
terminales del IGBT, la cual podría originar una corriente de drenador negativa, no hay posibilidad de
traslado de la carga almacenada.
La única forma de que estos portadores en exceso se puedan trasladar, por lo menos en un
IGBT sin la capa amortiguadora n+ mostrada en la geometría del IGBT, es por recombinación dentro
de la región de deriva n-. Como es deseable que la vida media de los portadores en exceso en esta
región sea grande para que la caída de tensión en el estado de conducción sea baja, la duración del
intervalo de apagado será largo. Sin embargo, un largo intervalo es indeseable porque la disipación de
energía en este intervalo será más grande ya que la tensión de drenador-fuente está en su valor en
estado de bloqueo. Este tiempo aumenta con la temperatura, como el tiempo de cola en un BJT de
potencia. Así, se debe establecer una relación entre las pérdidas en el estado de conducción y los
tiempos de apagado más rápidos en el IGBT, lo cual es bastante similar a las hechas con dispositivos
de portadores minoritarios como los BJTs, los tiristores, los diodos. Con frecuencia, se utiliza la
irradiación de electrones del IGBT para que la vida media en la región de deriva tenga el valor deseado.
El traslado de la carga almacenada desde la región de deriva por difusión de huecos a la capa
p+ puede reducir significativamente el intervalo de bloqueo si el flujo de difusión de huecos se puede
hacer grande. En la estructura de un IGBT sin la capa amortiguadora n+, tal difusión no puede
producirse ya que el gradiente de la distribución de huecos está en la dirección equivocada, es decir, la
densidad de huecos en el lado p+ es mayor que la densidad de huecos en exceso en la región de deriva.
De ahí que, los huecos en exceso se quedan en la región de deriva. Sin embargo, la presencia de una
capa amortiguadora n+ diseñada convenientemente, modifica notablemente esta situación. Esta capa
tiene una vida media de portadores mucho menor y, de este modo actúa como sumidero para los
huecos en exceso. La mayor proporción de recombinación de huecos en la capa amortiguadora eleva el
gradiente de la densidad de huecos en la región de deriva durante el apagado el cual produce un gran
flujo de difusión de huecos hacia la capa amortiguadora. Esta eleva enormemente la proporción de
huecos trasladados desde la región de deriva y, por tanto, se reduce el intervalo de bloqueo. Los
IGBTs están disponibles comercialmente con tensiones de bloqueo de 1000 V y capacidades de
corriente en estado de conducción de 200 A con tiempos de apagado de 1 µs o menos. Se han
presentado dispositivos prototipo con tiempos de apagado similares pero con tensiones de bloqueo y
corrientes en estado de conducción mayores (1800 - 2000 V). Se observará que este método para
reducir el tiempo de apagado no necesita la reducción de la vida media del portador en la región de
deriva, por lo que no hay un aumento significativo en las pérdidas por conducción en el estado de
conducción.
9.9.6 Áreas de trabajo seguro del IGBT.

Las áreas de funcionamiento seguro o SOAs, son un método muy conveniente y compacto
para resumir los valores máximos de corriente y tensión que el transistor no sobrepasaría en ningún
caso. Se usan dos áreas de funcionamiento seguras distintas en las hojas de características:
• Área de trabajo segura en directa FBSOA Se activan varios mecanismos físicos diferentes al
determinar los límites de este área. La corriente es la máxima corriente de drenador y está
relacionada con la corriente que pueden soportar las metalizaciones de la oblea. La temperatura
interna de la unión TJ, que se regula mediante la máxima potencia disipada permitida en el
dispositivo. El límite impuesto por la segunda ruptura que solo se presenta en dispositivos de
portadores minoritarios como el BJT. La parte final del límite del FBSOA es el límite de la tensión
de ruptura. La expansión del SOA se da para el funcionamiento en el modo de conmutación ya
que la oblea de silicio y su empaquetamiento tiene una capacidad térmica y, por tanto, una
habilidad para absorber una cantidad finita de energía sin que la temperatura de la unión se eleve a
niveles excesivos. Si el transistor se enciende en unos pocos microsegundos o menos, la cantidad
de energía que se absorbe es demasiado pequeña para causar cualquier aumento apreciable en la
temperatura de la unión y, como resultado, la FBSOA es prácticamente cuadrada, estando limitada

sólo por I D y V DS .
Figura 9-39. Areas de trabajo seguro: directa e inversa.

• De forma similar, se construye el área de funcionamiento seguro en inversa RBSOA. Esta
comprende la máxima corriente (después del bloqueo) Este área es algo diferente a la FBSOA,
como se ilustra en la Fig.7.b. La esquina superior derecha de la RBSOA se corta progresivamente y
la RBSOA se hace más pequeña cuando el valor del cambio de la tensión de drenador a fuente
dvDS/dt reaplicada se hace más grande. La razón de esta restricción en la RBSOA como función
de la dvDS/dt reaplicada es para evitar la falta de control en el IGBT.
Capítulo 10
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
El Amplificador Operacional es un amplificador con realimentación que se encuentra en el mercado
como una pastilla de circuito integrado. Es difícil enumerar la totalidad de las aplicaciones de este circuito. De
modo general, podemos decir que sus aplicaciones están presentes en los sistemas electrónicos de control
industrial, en instrumentación nuclear, en instrumentación médica, en los equipos de telecomunicaciones y de
audio, etc. El que utilizaremos normalmente será el LM741.
10.1 Generalidades
La figura siguiente muestra las funciones de cada una de las patillas del A. O. integrado, indicar que la
alimentación se hará a ±15V como valor normal pudiéndose alimentar entre ±3V y ±22V.
Figura 10-1. LM741. Simbología de un Operacional.

En la siguiente figura se presenta el circuito equivalente de un amplificador operacional, con ella se
pueden ver las características más importantes de los amplificadores operacionales:
Figura 10-2. Circuito equivalente de un A.O.

• La ganancia en tensión que en cualquier circuito se define como la relación entre las tensiones de salida y
entrada se puede considerar Av=Vs/Ve≈-∞.
• El ancho de banda también se puede considerar como infinito. Aunque en la realidad en lazo abierto la
ganancia cae con una pendiente de 20db/década y para cada frecuencia existe un valor máximo de Vs (Slew-
rate).
• La impedancia de entrada Re≈∞ por lo que no actúa como carga (no consume corriente) y V1-V2=Ve.
• La impedancia de salida es Rs≈0 por lo que la tensión Vs es independiente de la existencia de carga y
Vs=AvVe.
• Puede trabajar en un amplio margen de temperaturas.
10.2 Circuitos básicos con A. Operacionales.
A continuación se verán las configuraciones más empleadas con los Amplificadores
Operacionales.
10.2.1 Configuración en lazo abierto.

También es conocida como sin realimentación. En ella la ganancia viene determinada por el propio
fabricante y sobre ella no se tiene ningún control. Esta configuración se utiliza para circuitos comparadores.
Figura 10-3. Montaje en lazo abierto.
10.2.2 Configuración con realimentación positiva.

Este tipo de configuración se denomina en bucle cerrado y tiene el inconveniente de desestabilizar el
circuito. Una aplicación práctica de la realimentación positiva se da en los circuitos osciladores, que se verán más
adelante.
Figura 10-4. Montaje con realimentación positiva.
10.2.3 Configuración con realimentación negativa

Es la configuración en bucle cerrado más importante en circuitos con operacionales, y sus aplicaciones
más comunes pueden ser: amplificador no inversor, amplificador inversor, sumador amplificador diferencial,
diferenciador, integrador, filtros activos, etc.
 Martinez Bernia y Asoc. Capítulo 10. Amplificadores Operacionales. 3
Figura 10-5. Montaje con realimentación negativa.

Las corrientes de polarización son del orden de nA, por lo que se pueden considerar nulas y podremos
escribir I1+I2=0. Aplicando Kirchhoff tenemos:
V1 − Va AvVe − Va
+ =0 ( 10-1)
R1 Rs + R2
Sustituyendo Ve = Vb-Va en la ecuación anterior obtendremos:
V1 (Rs + R2 ) − Va (Rs + R2 ) + AvVb R1 − AvVa R1 − Va R1

=0
R1 (Rs + R2 )
( 10-2)
V (A R + Rs + R1 + R2 ) − V1 (Rs + R2 )
Vb = a v 1
Av R1
Tomando el límite de Vb para Av tendiendo a infinito
lim(Vb ) A = Va ⇒ Ve = 0 ( 10-3)
v →∞
Hemos llegado a la conclusión de que existe un cortocircuito virtual entre las entradas inversora y no
inversora en el montaje con realimentación negativa, es decir, que en dicho montaje las dos entradas se
encuentran a la misma tensión. Dentro de esta configuración podemos distinguir las siguientes.
10.2.4 Configuración inversora

En este montaje R3 es igual al paralelo de R1 y R2. La ganancia de este amplificador es:
Ve − V2 Vs − V2
+ = 0;
R1 R2 ( 10-4)
V2 = 0;
Vs R
Av = =− 2 ( 10-5)
Ve R1
Así, si introducimos una señal senoidal de amplitud B por la patilla inversora y medimos la
señal de salida, veremos que esta es también senoidal de amplitud BR2/R1 y desfasada 1800 con la de entrada.
Figura 10-6. Montaje inversor.
10.2.5 Configuración no inversora:

Al igual que en el anterior R3 es igual al paralelo de R1 y R2. Para el análisis debemos de tener en cuenta
que en el circuito de entrada inversora lo que existe es un circuito serie de dos resistencias alimentadas a la
tensión Vs, ya que no se desvía ninguna corriente por el operacional:
Figura 10-7. Montaje no inversor.
Vs
I= ( 10-6)
R1 + R2
Por otro lado sabemos que la tensión en la entrada inversora es Ve ya que por la no inversora
no existe corriente y por tanto en R3 no hay c.d.t., luego:
Ve = IR1 ( 10-7)
La ganancia del montaje será:
Vs Vs R1 + R2  R2 
Ve = R ⇒ Av = = = 1 +  ( 10-8)
R1 + R2 1 Ve R1  R1 
10.2.6 Seguidor de tensión.

si para la configuración anterior hacemos R1=∞ y R2=0 obtenemos el seguidor de tensión o Buffer. Este
circuito presenta las características de impedancia de entrada y salida más próximas a las ideales
Figura 10-8. Buffer o seguidor de tensión.

En algunos casos, el seguidor de tensión recibe la señal a través de una resistencia en serie, con
el terminal no inversor. Entonces, con el fin de equilibrar la ganancia y las corrientes, se coloca otra resistencia del
mismo valor en el circuito de realimentación. Esto no es necesario cuando la tensión de entrada es relativamente
alta. Este montaje se utiliza como adaptador de impedancias, como por ejemplo entre un generador de señal y un
amplificador de baja impedancia de entrada.
10.2.7 El amplificador sumador inversor.

Partiendo de los montajes con realimentación negativa se obtiene el montaje sumador:
Figura 10-9. Sumador inversor.

Para este montaje Re=Rs//R1//R2//R3. Aplicando las leyes de Kirchhoff en el punto a
V1 V2 V3 Vs
+ + + =0 ( 10-9)
R1 R2 R3 Rs
es decir
 V1 V2 V3 
V s = − Rs  + +  ( 10-10)
 R1 R2 R3 
Podemos considerar los siguientes casos particulares:
a) Si R1=R2=R3=Rs obtendríamos el sumador inversor
Vs = −(V1 + V2 + V3 ) ( 10-11))
b) Si R1=R2=R3=3Rs podríamos obtener un circuito que proporciona la media aritmética negativa
 V1 + V2 + V3 
Vs = −  ( 10-12)
 3 
10.2.8 El amplificador sumador no inversor.
R´
R
-
V0
V´ 1
R´ 1 +
V´ 2
R´ 2
. . . .
V´ N
R´ N
Figura 10-10. Sumador no inversor.
R + R´
V0 = V
R
La tensión V la obtenemos por superposición de las tensiones parciales. Supongamos que V2´
´
a V N son cero, por lo tanto la situación quedará:
R´
R
-
V0
V1
V´ 1
R´ 1 +
R´ 2
. . . .
R´ N

La tensión V1 debida a V1´ será:
V1´ R ´p1
V1 =
R1´ + R ´p1
´
siendo R p1 el paralelo de todas las resistencias ahora a tierra.
Si todas las resistencias son iguales:
R1`
R ´
=
N −1
p1
R1`
´ ´ V1´
V R N − 1 V1´ R1` V1´
V1 = = = ` =
1 p1
R1´ + R ´p1 R1` R1 ( N − 1) + R1` N

R1 +
´
N −1
Procediendo lo mismo para las otras:
1 ´
V= (V1 + V2´ + .... + V N´ )
N
R + R´ R + R´ 1 ´
V0 = V= (V1 + V2´ + .... + V N´ )
R R N
Si R1=R2=R3 y Rs=0, aplicando las leyes de Kirchhoff en el punto b de la figura siguiente y despejando
de la ecuación Vb obtendríamos un circuito que proporciona la media aritmética
V1 − Vb V2 − Vb V3 − Vb
+ + =0 ( 10-13)
R1 R2 R3
 V + V2 + V3 
Vs =  1  ( 10-14)
 3 
10.2.9 Amplificador sustractor.

Este circuito permite obtener en la salida una tensión igual a la diferencia de las señales aplicadas
multiplicada por una ganancia.
Figura 10-13. Montaje sustractor o diferencial.

Aplicando al igual que antes las leyes de Kirchhoff en el punto a y b:
V1 − Va Vs − Va
+ =0 ( 10-15)
R1 R2
V2 − Vb Vb R3
− = 0 ⇒ Vb = ( 10-16)
R4 R3 R3 + R4
En este circuito como ya se expuso anteriormente las tensiones Va y Vb son iguales, luego podemos
sustituir Vb en la anterior
 R3   R3 
V1 −  V2 Vs −  V
 R3 + R4   R3 + R4  2
+ =0 ( 10-17)
R1 R2
Si en esta ecuación hacemos R1=R4 y R2=R3 la tensión de salida tendrá la expresión.
(V − V1 )
R2
Vs = ( 10-18)
R1 2
10.2.10 Convertidor corriente tensión.

El circuito permite obtener una tensión que es proporcional a una corriente, presentando una
impedancia de entrada nula (es decir, no perturba el camino de la corriente).
R
- V0
i
+
Obsérvese que se cumple V0=-iR

El cortocircuito virtual hace que la caida de tensión entre los terminales de entrada sea nula
como otras veces. Por tanto, la impedancia de entrada vista desde el terminal de entrada es nula.
10.2.11 Convertidor tensión corriente.

La corriente en la carga ZL es i=V1/R independientemente del valor de ZL.
i A B
R ZL
V1 -
i
El circuito se comporta, por tanto, como una fuente de corriente constante entre los
terminales A y B.
El convertidor tensión corriente puede también construirse con un A.O. no inversor. El
circuito sería:
R i
ZL
i -
Una vez más, debido a la tierra virtual la corriente i es independiente de la carga ZL. La
impedancia de entrada es muy alta debido a la configuración no inversora.
10.2.12 Amplificador de C. Alterna
10.2.13 Integrador
Este circuito, utilizado generalmente como regulador, realiza una integración de la tensión de
entrada. Si analizamos el circuito llegamos a la expresión donde v es la tensión inicial en el
condensador.
Q ∫
Idt 1 V
V0 =
C
=−
C
=−
RC RC ∫
Vi = − i t + v ( 10-19)
Fig.1.11 Regulador “I”
Si nos trasladamos al campo frecuencial, la función de transferencia de este circuito es la

expresada en 1.5, su módulo se exprea en 1.6. Esta última se representa en la Fig.1.13. donde f1
corresponde a la frecuencia en que la ganancia es de 0db. La frecuencia f2 corresponde a la frecuencia
en que el regulador se encuentra saturado y su ganancia vale 20log(15).
V0 ( s ) 1
G( s) = =− ( 10-20)
Vi ( s ) RCs
1
G( s) = ( 10-21)
wRC
10.2.14 Regulador Proporcional-Integral.

Como su nombre indica este regulador se comporta inicialmente como un escalón, y
superpuesto a el una componente integral como en el caso anterior. Seguidamente en Fig.1.14 se
muestra su esquema eléctrico:
,
Fig.1.14 Regulador “PI”

Si se realiza un estudio detallado del circuito, su respuesta a una entrada escalón viene dada
por la expresión 1.7 y es representada en Fig.1.15
 R' t 
V0 = − + Vi ( 10-22)
 R RC 
V0 ( s ) 1 + Tn s 1 + R ' Cs
G( s) = − =− =− ( 10-23)
Vi ( s ) Ti s RCs
 R'   1 
2 2
G( s) =   +   ( 10-24)
 R   RCw 
La frecuencia f0 es la frecuencia de corte, en la que la ganancia es 3db superior a la ganancia

constante 20logR’/R. El valor de dicha frecuencia de corte es:
1 1
f0 = = ( 10-25)
2πTi 2πRC
10.2.15 Derivador
Un circuito derivador sería el representado en figura siguiente. A continuación se representan sus
respuestas temporal y frecuencial.
Fig1.17 Regulador “D”

Las expresiones que definen estos comportamientos se indican a continuación:
dVi
V0 = − RC ( 10-26)
dt
G( s ) = − RCs
( 10-27)
G( s ) = RCw
El derivador práctico es el del esquema siguiente:
La función de transferencia del circuito es:
R2 C1 s
G ( s) = ( 10-28)
( R2 C2 s + 1) * ( R1C1s + 1)
R2 C1 w
G( s ) = ( 10-29)
R C w + 1 * R12 C12 w 2 + 1
2
2
2
2
2
Los valores aconsejables para el mejor funcionamiento son: R2C1 > R1C1 > R2C2. La respuesta en
frecuencia de este circuito viene dada por Fig.1.21 donde las pusaciones que determinan los extremos
de funcionamiento son (w=2πf):
1 1 1 1
w1 = , w2 = , w3 = , w4 = ( 10-30)
R2 C1 R1 C1 R2 C2 R1 C2
La ganancia en amplificador será 20logR2/R1.
10.2.16 Regulador Proporcional-Derivador.

El funcionamiento de este regulador se muestra en las siguientes figuras y ecuaciones:
Fig.1.22: Regulador “PD”.
 R' dVi 
V0 = − Vi + R ' C  ( 10-31)
R dt 
 R' 
G( s ) = − + R ' Cs 
R 
( 10-32)
 R' 
2
G( s ) =   + ( R ' Cw )
2
R
1
f0 = ( 10-33)
2πR ' C
10.2.17 Regulador Proporcional-Integral-Derivador.

Las ecuaciones de este regulador son:
 t RC + R ' C2  RC1R ' C2 dVi   t Tn + Tv  Tn Tv dVi 

V0 = − + 1 Vi +  = − + Vi +  ( 10-34)
 RC2 RC2  RC2 dt   Ti Ti  Ti dt 
G(s) =
( R' C2 s + 1)( RC1s + 1) ( 10-35)
RC2 s
2
 1 
G(s) = G0 1 +  T1 w −  ( 10-36)
 T2 w 
RR ' C1C2 R ' C1

T1 = T2 = RC1 + R ' C2 G0 = + ( 10-37)
RC1 + R ' C2 R C2
Fig.1.25: Regulador “PID”.
10.2.18 Resolución de ecuaciones diferenciales con A. Operacionales.

Como ejemplo vamos a resolver alguna ecuacion diferencial utilizando los circuitos vistos.
Deseamos diseñar un circuito capaz de resolver la ecuación diferencial
d2y dy
m 2 +C + ky = f (t ) ( 10-38)
dt dt
dividiendo por m la escribimos en la forma
d2y 1 C dy k
2
= f (t ) − − y ( 10-39)
dt m m dt m
El circuito que resuelve el problema y que pasamos a analizar es el siguiente:
C
R C
A -
B R - C
A1
2 A2
dy (t) /d t 2 +
+ R
m
-
A4
+
E
1/m R
1/C
-
+
A3
1 D
f(t)
Supongamos que en el punto A se introduce una tensión V A que varía con el tiempo en la
forma:
d2y
VA = ( 10-40)
dt 2
El integrador A1 integra V A y obtiene a la salida:
1 1 dy (t )
−
RC ∫ V A dt = −
RC dt
( 10-41)
Si hacemos que su constante RC valga 1 quedará a la salida

dy (t )
VB = − ( 10-42)
dt
a la salida de A2 se obtiene la integral de V B con RC también igual a 1, luego,
VC = y (t )
A3 es un sumador donde se suma la señal VB que es la primera derivada dy (t ) con la

dt
señal externa f(t). Si se toman para las resistencias los valores indicados la señal de salida V D de A3 es:
1 C dy
VD = − f (t ) + ( 10-43)
m m dt
y en A4 se suman VC y V E de modo que tenemos:
1 C dy k
VE = f (t ) − − y ( 10-44)
m m dt m
Vemos que esta tensión es el segundo miembro de la ecuación diferencial, es decir:
d2y
VE = ( 10-45)
dt 2
Los puntos E y A deben unirse para resolver el problema.
La señal f(t) es una señal de excitación según se quiera (sinusoide, escalón, etc).
Las condiciones iniciales se fijan mediante las baterías que aparecen en los integradores.
10.3 Circuitos no lineales con A. Operacionales.
10.3.1 Amplificador logarítmico.
i D = I S (eVD / VT − 1) ≈ I S eVD / VT
VD = VT (ln i D − ln I S ) ( 10-46)
VT ≈ 26mV
Vd
Id
D
R
Vi -
Vo
Vi
V0 = −VD = −VT (ln i D − ln I S ) = −VT (ln − ln I S ) ( 10-47)
R
10.3.2 Amplificador exponencial.

R
Vd
Vi -
Vo
Id Vd
D
+
vi = v D
vi
iD = I S e VT
( 10-48)
vi
v0 = − RI S e VT
10.3.3 Amplificador multiplicador.
SUMADOR
R3
NO IN VERSOR
R1 gananci a 1
-
V1 R -
-
+
+ R +
A. ANTILOGARITMICO
R2
-
R R
+
A. LOGARITMOS
v0 = v1 ⋅ v 2
( 10-49)
ln(v1 ⋅ v 2 ) = ln v1 + ln v 2
10.3.4 Rectificador de precisión.

Un diodo rectificador común no consigue rectificar señales de niveles muy bajos ya que no
conduce cuando está polarizado con tensiones inferiores a su tensión umbral. Sin embargo, en
ocasiones, se necesita rectificar señales de decenas de milivoltios o menos, por ejemplo cuando éstas
provienen de sensores o transductores utilizados en instrumentación industrial o bioelectrónica.
Estudiaremos a continuación los rectificadores de precisión de media onda y onda completa.
En la figura siguiente se encuentra el rectificador de onda completa.
Fig.4.2: Rectificador onda completa de precisión.

El circuito anterior consta, en realidad, de un rectificador de media onda al que se le asocia un
sumador. Pasemos a analizar el circuito considerando al A.O. ideal.
Fig.4.3: Señales en un rectificador de onda completa.

Cuando Ve<0 en el ánodo de D1 tenemos +Ve y en el cátodo (debido a la tierra virtual)
tenemos una tensión nula. En esta situación D2 está bloqueado y V0=0. Cuando Ve>0 sucede todo lo
contrario, D1 está bloqueado al tener entre ánodo y cátodo una tensión prácticamente igual a -Ve; luego
V0=-Ve.
El segundo operacional esta en montaje sumador para dos señales: una de ellas es la tensión de
entrada a rectificar y la otra señal es V0. Se puede comprobar que por la red de resistencias utilizadas
que la tensión V0 está siendo amplificada al doble. En la Fig.4.3 se puede comprobar que Vs=-
(Ve+2V0) =-(Ve-2Ve)=Ve.
10.3.5 Comparadores
A veces se necesita comparar dos magnitudes, o sea, dos tensiones, para obtener dos estados
perfectamente definidos, que nos determinen si la señal a comparar es mayor o menor que la tensión o señal
llamada de referencia.
Como muestra podemos pensar en la siguiente aplicación práctica: por medio de sensores de nivel
podemos detectar el estado de un recipiente de combustible líquido. Tomamos como referencia el nivel normal y
ajustamos una señal de tensión correspondiente al mismo. Cuando el nivel esté por encima (o por debajo) de lo
normal (referencia), el comparador deberá dar una señal de salida al sistema controlador, de forma que se
restablezca de inmediato el nivel normal. Evidentemente, la señal de referencia se conecta a una de las entradas
del comparador recibiendo la otra la señal de la variable controlada (en este caso, el nivel del recipiente).
Al igual que en otros montajes descritos tendremos comparadores inversores y no inversores, en las
figuras se muestra sencillos comparadores llamados “detectores de paso por cero”. El funcionamiento de este
comparador es bastante sencillo: la ganancia del A.O. será la máxima al estar en lazo abierto, luego en el caso de
existir una diferencia de potencial entre las entradas la salida del comparador pasará al estado de saturación
independientemente de que la citada diferencia sea pequeña.
 + V sat , cuando Ve > 0

Vs =  ( 10-50)
 − V sat , cuando Ve < 0
Figura 10-14. Comparador no inversor .
Figura 10-15. Comparador inversor.
 + V sat , cuando V e < 0

Vs =  ( 10-51)
 − V sat , cuando V e > 0
En los dos tipos de comparadores estudiados la señal de referencia era nula por estar conectada
a masa; ahora mostraremos un circuito en el que podemos variar la tensión de referencia. Se observará que en
este caso la conmutación de estados de saturación tiene lugar cuando el nivel de la señal que se quiere comparar
alcanza el valor de referencia.
Figura 10-16. Comparador con tensión de referencia variable.
 + V sat , cuando V e < V ref

( 10-52)
Vs = 
 − V sat , cuando V e > V ref
En este montaje no existe una relación obligada entre las resistencias R1 y R2, si bien es
aconsejable que sean de igual valor para la compensación de las corrientes de polarización. Por la misma razón, se
ha de procurar que la resistencia del potenciómetro sea mucho menor que R2, al menos diez veces menor, ya que
de lo contrario influiría excesivamente en la resistencia equivalente apoyada en la patilla no inversora.
A la hora de proyectar un comparador suele ser habitual la utilización de dos diodos en
antiparalelo, colocados entre los terminales de entrada, para proteger contra posibles sobretensiones o
sobrecorrientes que puedan dañar el integrado.
También se suele conectar a la salida una red formada por una resistencia y dos diodos zener
en serie con el ánodo o el cátodo común, esta disposición nos permitirá ajustar la tensión de salida al valor que
deseemos (de lo contrario Vs=±Vsat). Si se eligen los diodos zener de distintos valores las amplitudes positiva y
negativa de salida serán diferentes. La diferencia entre la tensión de los zener y la de saturación del comparador
será absorbida en la resistencia de salida R2.
Figura 10-17.Montaje con protección y limitación de salida.
10.3.6 Comparador realimentado, regenerativo o de Schmitt.

Uno de los problemas que presentan los comparadores en lazo abierto es que los cambios de
su salida se producen ante cualquier variación (por pequeña que sea) en la entrada. Si los cambios en la entrada
son debidos a una señal de ruido superpuesta a la entrada, la salida nos puede una información falsa sobre los
citados cambios. Con los comparadores realimentados conseguimos fijar un intervalo de valores entre los cuales
no se consideran los cambios habidos a la entrada, a este fenómeno se le denomina histéresis. A continuación se
muestran los resultados de los comparadores sin y con realimentación.
a)
b)
c)
Figura 10-18. a) Señal de entrada, b) salida comparador sin realimentación, c) salida

comparador con realimentación.
Para la construcción de un comparador regenerativo se deben establecer dos niveles de referencia,
denominados tensión de disparo superior (VDS) e inferior (VDI), separados por una cierta banda de tensión que
dependerá del valor de pico estimado para la señal de ruido. La diferencia entre estos dos niveles se denomina
margen de tensión de histéresis (VH). Las conmutaciones de salida se producen cuando la señal a comparar
alcanza los citados niveles de disparo.
En primer lugar analizaremos el comparador inversor regenerativo, representado en la figura siguiente.
Figura 10-19. Comparador de Schmitt inversor con referencia ajustable. Curva de histéresis.
Si los diodos zener son del mismo valor, la tensión de salida será igual a la tensión zener de uno de ellos
más la tensión directa del otro: ±Vs=±(Vz+Vd).
En el caso de que Ve<Vb la salida será +Vs, por tanto la tensión Vb será igual:
Vb = VR +
R2
(V − VR ) ≡ VDS
R1 + R2 s
( 10-53)
Expresión que nos da el valor de la tensión de disparo superior. Si ahora aumenta Ve, la salida se
mantendrá constante en +VS hasta que Ve=VDS. Cuando se cumpla esta última igualdad la salida cambiará a -Vs,
permaneciendo en este valor mientras Ve>VDS. La tensión en el terminal no inversor será ahora:
Vb = VR −
R2
(V + VR ) ≡ VDI
R1 + R2 s
( 10-54)
En la figura anterior se muestra la característica de histéresis de este montaje para el caso particular de
VR=0. En dicha característica se puede ver que para valores negativos de Ve superiores en módulo a VDI , la salida
del comparador estará en +Vs y la tensión de disparo (referencia) será VDS. Al alcanzar Ve a VDS, la salida cambia
de +Vs a -Vs y la tensión de disparo para la próxima conmutación pasa a ser VDI, situación que se mantiene
mientras Ve sea superior a VDS. Si Ve toma valores comprendidos entre VDI y VDS (margen de histéresis), la salida
permanecerá inalterada. No obstante, si Ve disminuye hasta alcanzar VDI, la salida conmutará nuevamente a +Vs
volviendo a ser VDS la tensión de disparo. Vemos, pues, que existe un cierto retardo de conmutación cuando la
señal de entrada se halla dentro del margen de histéresis (VH ).
Figura 10-20. Comparador no inversor.

En el caso de querer construir un comparador no inversor, bastaría con intercambiar la localización de
Ve y VR en Fig.3.6. En este caso las tensiones de disparo serían:
Vb = Ve +
R2
(V − Ve )
R1 + R2 s
( 10-55)
 R1 + R2 
V DI = R V R − R V s
R2
(V =V sat ) 
 
s
para Vb = V R ⇒ 
1 1
 ( 10-56)
+
V = 1
 DS
R R 2 R
V R − 2 Vs (Vs = −V sat )
R1 R1 
Para terminar, indicar unas relaciones importantes para el diseño de los comparadores: VDS - VDI
representa el ancho de la histéresis y la semisuma representa el valor central de la histéresis.
10.4 Amplificador diferencial.

El par de emisor acoplado o diferencial se muestra en la siguiente figura y es la configuración
de transistores más importante que se emplea en C.I. (circuitos integrados).
V cc
+
RC RC
Ic 1 Ic 2
+ V0
-
+ +
V 01 V 02
- -
Q1
Q2
+
V1 +
V2
I EE
El circuito utiliza una fuente de corriente constante que puede ser como la que hemos visto
anteriormente o similar.
Q1 y Q2 son dos transistores idénticos y las dos resistencias también son iguales.
Vamos a ver que este circuito puede emplearse como amplificador o como interruptor. Para
ello vamos a obtener la característica de transferencia en c.d. a partir de las mallas de base se puede
poner:
V1 = VBE1 − VBE 2 + V2 (*) ( 10-57)
Si el transistor va a polarizarse en la zona activa, vamos a despreciar la corriente inversa de

saturación en la unión colector-base.
De las ecuaciones de Ebbers-Moll podemos escribir para IC1 e IC2:
(1) I c1 = α F I ES eVBE1 / VT
( 10-58)
(2) I c 2 = α F I ES eVBE 2 / VT
donde hemos supuesto para estas ecuaciones (diodo en directa) que:
eVBE1 / VT >> 1
Dividiendo (1) y (2) queda:
I c1
(3) = e (VBE1 −VBE 2 ) / VT = eVd / VT ( 10-59)
I c2
Siendo Vd=VBE1-VBE2=V1-V2 de (*).

Aplicando Kirchoff al nudo de emisor se tiene,
I C1 I C 2
(4) I E1 + I E 2 = I EE = + ( 10-60)
αF αF
I C1
dividiendo ambos miembros de (4) por queda:
αF
α F I EE I C 2
(5) = +1 ( 10-61)
I C1 I C1
sustituyendo (3) en (5):
α F I EE
= 1 + e −Vd / VT ( 10-62)
I C1
α F I EE
(6) I C1 =
1 + e −Vd / VT
Procediendo igual para Ic2 se obtiene:
α F I EE
(7 ) I C 2 = ( 10-63)
1 + eVd / VT
El objetivo para obtener la característica de transferencia ha sido expresar IC1 e IC2 en función
de la tensión diferencia Vd.
I c2 I c1
α F I EE
I c2 I c1
1
α F I EE
2
Vd
- 44V T -3VT - 2V T - VT 0 VT 2V T 3V T 4V T
Vemos que aumentando Vd alrededor de 4VT entonces,
I C1 → α F I EE
( 10-64)
IC2 → 0
y simultaneamente si hacemos Vd < -4VT,
I C 2 → α F I EE
( 10-65)
I C1 → 0
Se puede obtener la característica de transferencia utilizando las tensiones de salida V01 y V02.
V01 = VCC – IC1RC
V02 = VCC – IC2RC

en donde basta sustituir IC1 e IC2 por sus expresiones (6) y (7).
Asimismo se puede obtener la característica V0 = V01 – V02.
Estas gráficas se muestran a continuación y pueden interpretarse de la forma siguiente:
 I C1 ≈ α F I EE
Si Vd > 4VT ⇒ 
I C 2 ≈ 0
por tanto quedará,
V02 = Vcc
V01 = Vcc − α F I EE RC
La salida de V01 puede hacerse pequeña eligiendo adecuadamente RC.
V0 = V01 – V02 = α FIEERC.
Podemos aproximar la salida de Q1 a un interruptor cerrado y Q2 a uno abierto.
El estado de Q1 y Q2 se invierte evidentemente si hacemos Vd < -4VT.
La salida diferencial V0 tendrá también dos niveles distintos, uno positivo y otro negativo al
variar Vd alrededor de 4VT.
Una observación importante es que en la zona –4VT < Vd < 4VT, IC1, IC2,V01, V02 y V0 tienen
una dependencia paracticamente lineal con Vd.
En esta zona el circuito puede funcionar como un amplificador (diferencial).
Estas propiedades de funcionamiento hacen que este circuito se emplee ampliamente como
interruptor en circuitos integrados digitales y como amplificador en circuitos analógicos.
V02 V01
V0
Vcc
V02 V01
α F I EE RC
Vd
- 44V T -3V T --2V T - VT 0 VT 2V T 3V T 4V T
VCC − α F I EE RC
V0
- 4V T - 2V T 2V T 4V T
V 0 = f (V d )
− α F I EE RC
10.4.1 Ganancia en modo común y modo diferencial.

La función de un Amplificador diferencial es en general amplificar la diferencia entre dos
señales de entrada V1 y V2. Sin embargo en un amplificador práctico la salida depende en alguna
medida de la suma de estas entradas.
Considerese el A.D. de la figura siguiente:
v1
v0
A. D.
v2
La salida V0 será igual a:

V0 = Ad(v1 – v2)
Siendo Ad la ganancia en modo diferencial. Cualquier señal común a ambas entradas no
afectará a la salida. Pero como se ha dicho ya, en los A.D. prácticos la salida no solo dependerá de la
señal diferencia Vd sino que en cierta medida depende del valor medio, denominado señal de modo
común vC donde:
vd = v1 − v2
v1 + v 2 (2) ( 10-66)
vC =
2
Con el objetivo de valorar esta situación ha sido defino un parámetro de mérito del A.D.
conocido como: “factor de rechazo en modo común”.
La salida de la figura anterior puede ser expresada como:
V0 = A1v1 + A2v2
Donde A1 (A2) son las ganancias en tensión de las entradas 1 (2) a la salida, con la condición
de que la entrada 2 (1) esté conectada a tierra.
De (2):
1 / 2Vd = 1 / 2V1 − 1 / 2V2

Vc = 1 / 2V1 + 1 / 2V2 ( 10-67)
Vc + 1 / 2Vd = V1
V1 = VC + 1 / 2Vd
( 10-68)
V2 = VC − 1 / 2Vd
V0 = A1(VC + 1/2Vd) + A2(VC -1/2Vd) = VC(A1 + A2) + 1/2Vd(A1 – A2)

con lo que:
V0 = ACVC+AdVd
Siendo la ganancia diferencial y común:
Ad = 1/2 (A1 – A2)
AC = (A1 + A2)
Para medir Ad se puede hacer V1= V2 = 0.5 V de manera que Vd = 1V y VC = 0, así el valor
medido en la salida V0 es la ganancia Ad.
Igualmente para medir AC se hace V1 = V2 = 1V, entonces Vd = 0, VC = 1V y V0 = AC.
Evidentemente lo que se quiere es que Ad sea grande y Ac idealmente nulo.
Se define por tanto el factor de rechazo en modo común como:
Ad
F.R.M.C. = ρ = ( 10-69)
Ac
Volviendo a la ecuación de salida V0 = AcVc + AdVd

quedará:
1 Vc
V0 = Ad Vd (1 + ) ( 10-70)
ρ Vd
10.4.2 Análisis en pequeña señal.

Obtengamos el valor del F.R.M.C. en un amplificador diferencial real en función de sus
parámetros. Sea el circuito de la figura.
V cc
RC RC
V 01 V 02
V1
V2
RE
Estudiemos primero el modo común, para ello vi=v2=vc. Como las dos entradas son iguales
y los transistores idénticos, las tensiones base emisor serán iguales. Por tanto las corrientes de colector
deben ser idénticas. Como las corrientes de emisor son iguales, no hay corriente entre ambas partes del
circuito. Entonces, siguiendo el teorema de Barttet, se puede analizar solo la mitad del circuito. Nótese
que la resistencia en el emisor se duplica, ya que la corriente real en esa resistencia es el doble.
VC C
V0
RC h fe
h ie
Vi
V0
RC
V 1 =V 2= V i
2R E
2R E
-V EE
v0 = − h fe ib Rc ( 10-71)
Como:
vi
ib = ( 10-72)
hie + 2(h fe + 1) RE
Queda:
vi
v0 = − h fe RC ( 10-73)
hie + 2(h fe + 1) RE
v0 − h fe RC − RC
AC = = ≈ ( 10-74)
vi hie + 2(h fe + 1) RE 2 RE
Para estudiar la ganancia en modo diferencial se utiliza otra vez el teorema de Barttet para
dividir el circuito en dos partes y analizar solo el semicircuito de la figura siguiente. Como la entrada es
simétrica v1=-v2=vd/2 las corrientes entre ambas partes del circuito son iguales y contrarias por lo
que las tensiones entre nodos comunes serán nulas.
V CC
V0
RC
h ie h fe
Vi
V0
RC
V 1=-V 2=V d/2
-V EE
− Rc h fe vi
v0 =
hie
v0 − Rc h fe
Ad = = ( 10-75)
vi hie
v0 − Rc h fe
Como v1= vd/2 ⇒ Ad = = ( 10-76)
vd 2hie
También podemos expresar la FRMC en forma logarítmica (por definición) como sigue:
Ad
FRMC = 20 log10 = ( 10-77)
Ac
10.5 Parámetros característicos en un A.O.

Tensión offset de salida: el hecho de que los transistores de la etapa diferencial de entrada no sean
idénticos provoca un desequilibrio interno del que resulta una tensión (del orden de mV) en la salida, denominada
tensión de Offset de salida, aun cuando las entradas estén puestas a tierra.
Para la corrección de esta tensión de offset se coloca un potenciómetro entre las patillas 1 y 5 del
LM741 y el cursor se lleva a la patilla 4. La importancia de este ajuste se aprecia en las aplicaciones en que se
trabaja con señales pequeñas como en instrumentación (en el área petroquímica, nuclear, electromedicina, etc).
Tensión offset de entrada (Veo): es la tensión que debe aplicarse entre los terminales de entrada para
que la tensión de salida sea cero
Corriente offset de entrada (Ieo): es la diferencia entre las corrientes de entrada de un amplificador
equilibrado:
I eo = I b1 − I b 2 cuando Vs = 0
Es importante conseguir, para un funcionamiento correcto de los montajes, que las corrientes de
polarización sean iguales para poderse compensar. Para ello es necesario que el paralelo de las resistencias
conectadas a cada una de las entradas sean iguales.
Corriente de polarización de entrada (Ib): se define como la semisuma de las corrientes de entrada en
un amplificador equilibrado:
Ib1 + Ib 2
Ib = cuando VS = 0
2
Tensión de saturación: es la tensión máxima que puede dar un operacional a la salida. Este valor
máximo es del orden del 90% del valor de la tensión de alimentación. Así, si alimentamos a ±15V la tensión de
saturación será ±13,5V.
10.6 Amplificador operacional práctico.

Como hemos dicho el amplificador operacional es un amplificador directamente acoplado de
gran ganancia para llevar a cabo una gran variedad de funciones.
V0 = − AvVi
R2
R1 I
- V0
V 1 =0 +
+ I
Av>0
V1 V1
+
- V 0= -A v V i -
Vi
+
V2 -
Etapa de Amplificador Operacional inversora

La siguiente figura (A) representa el circuito equivalente de una etapa inversora empleando
Amp-Op practicos. Para demostrar los efectos de las desviaciones respecto al ideal, hallaremos el
equivalente Thevenin de la etapa vista por la resistencia de carga RL (B). Obsérvese que cuando
Ri>>R1 , como es usual, estas magnitudes se reducen a V1 y R1 respectivamente. Así pues el efecto de
la resistencia de entrada del Amp-Op puede despreciarse supuesto que Ri>>R1. En lo que queda del
análisis supondremos que este es el caso.
R1 R2
+
+
V1 Vi R0
- Ri
- RL
-
-A VV 1
+
Etapa Inversora Práctica:
R' 1 R2
+
R0
V' 1
- RL
-
-A vV 1
+
v 0 = − A v v i + IR 0
v i = IR 2 + v0 ( 10-78)
v1 = I ( R1 + R 2 + R 0 ) − Av v i
Esta tercera ecuación sale aplicando Kirchhoff
v 0 = − Av ( IR 2 + v 0 ) + IR 0 ⇒ v 0 (1 + Av ) = I ( R 0 − Av R 2 )
( 10-79)
v1 = I ( R1 + R 2 + R 0 ) − Av ( IR 2 + v 0 ) ⇒ v1 = I ( R1 + R 2 (1 − Av ) + R 0 ) − Av v 0
Combinaremos las ecuaciones y despejaremos V0/V1
v 0 (1 + Av )
I =
( R 0 − Av R 2 )
( 10-80)
v 1 + Av v 0 v (1 + Av )
I = = 0
( R1 + R 2 (1 − Av ) + R 0 ) ( R 0 − Av R 2 )
v1  − Av 1 + Av 
= v0  + 
( R1 + R 2 (1 − Av ) + R 0 )  ( R1 + R 2 (1 − Av ) + R 0 ) R 0 − Av R 2 
1
v0 ( R1 + R 2 (1 − Av ) + R 0 ) 1
= =
v1 − Av 1 + Av ( R + R 2 (1 − Av ) + R 0 )(1 + Av )
+ − Av + 1
( R1 + R 2 (1 − Av ) + R 0 ) R 0 − Av R 2 R 0 − Av R 2
Operando la ganancia nos queda:
v0 R0 − Av R2
Av = = ( 10-81)
v1 R1 (1 + Av ) + R0 + R2
Haciendo las aproximaciones:Av>>1; AvR1>>R2+R0:
R2
Av = − ( 10-82)
R1
Si Av es suficientemente grande tendrá el mismo valor que en el caso ideal. El efecto de R0 es

despreciable siempre que AvR1 y AvR2 sean cada una de ellas mayor que R0. Podemos llegar a la
conclusión de que si Av es muy grande, la tensión de Thévenin es virtualmente independiente de las
desviaciones respecto al ideal del Amp-Op.
Capítulo 11
RESPUESTA EN FRECUENCIA.
Se puede definir sistema como un conjunto de componentes físicos, unidos o relacionados de
tal manera que forman y/o actúan como una unidad completa. Un sistema de regulación es un sistema
cuyos componentes físicos mandan, dirigen o regulan al mismo sistema o a otro. Es importante señalar
que los sistemas de regulación o control incluyen también los existentes en la naturaleza, los que se
componen de componentes fabricados y naturales, y aquellos formados por componentes
exclusivamente fabricados.
11.1 Definiciones básicas.

En todo sistema de control se distinguen dos partes fundamentales: la entrada o estímulo y la
salida o respuesta. Existen modelos de control con varias entradas y salidas; mientras que es posible que
un sistema tenga entradas no definidas introducidas por agentes externos.
Entradas Salidas
Sistema
Figura 1.Sistema genérico.

De otro lado, según la naturaleza del control se pueden distinguir dos tipos de sistemas:
sistemas de control en lazo abierto y en lazo cerrado. En el primer caso la acción de control es
independiente de la salida, mientras que el segundo ésta influye de alguna forma en la salida. El sistema
de control en lazo abierto genera menos problemas de estabilidad y los criterios de diseño necesarios
para hacer el sistema estable son mucho más sencillos. Además no requieren las señales de
realimentación tan precisas de los sistemas en lazo cerrado. Sin embargo, el control en lazo cerrado
presenta otras ventajas. Al depender la señal de referencia de la salida, la respuesta del sistema es más
sensible a variaciones de los parámetros y se atenúan los efectos de los ruidos y las distorsiones.
Otro concepto importante es la realimentación. La realimentación es la propiedad de los sistemas
de control en lazo cerrado que permite que la salida (o alguna variable controlada) se compare con la
entrada del sistema (o una entrada de algún otro componente o subsistema) de tal forma que la acción
de control apropiada se puede formar como alguna función de la entrada y la salida.
Regulador Planta
Figura 2. Sistema regulado en lazo abierto.

Por último, las señales de un sistema de control son funciones de alguna variable
independiente, generalmente el tiempo. Bajo este punto de vista se distinguen entre sistemas de control
continuos o discretos. El primer caso las señales del sistemas serán dependientes en todo momento de la
variable independiente t; la señal se denomina continua o analógica. Los sistemas de control discretos
poseen señales de interés sólo en instantes determinados de la variable independiente t; tales señales se
denominan discretas en el tiempo, de datos discretos, de datos muestreados o digital. Existen también sistemas
híbridos de ambos sistemas de control
11.2 Terminología de los sistemas regulados.

Generalmente los sistemas de control se representan haciendo uso de los llamados diagramas de
bloques. Un diagrama de bloques es una representación gráfica de la relación causa-efecto entre la
entrada y la salida de un sistema físico. La forma más simple de un diagrama de bloques es un sólo
bloque con una entrada y una salida, tal y como se muestra en la figura siguiente.
R(s) + E(s) C(s)

G(s)
-
Regulador+Planta
R'(s)
H(s)
Transductor
Figura 3. Sistema regulado en lazo cerrado

Usualmente en el interior del bloque contiene la descripción o el símbolo de la operación
matemática que se va a efectuar sobre la entrada para producir la salida, las flechas representan la
dirección de la información o flujo de la señal. De otro lado, las operaciones de adición y substracción
tienen una representación especial: se representa con un círculo al que se le añaden a las flechas que
entran en el círculo su correspondiente signo + ó -.En general el diagrama de bloques representa un
sistema de una única entrada y una única salida, en el dominio de la transformada de Laplace. La señal
de entrada es R(S), la salida C(S), la señal de realimentación R’(S) y la señal de error es E(S). La función
de transferencia del sistema es G(S) y la función de transferencia de la realimentación H(S).Esto
significa que el lazo de realimentación se considera abierto a su entrada. La función de transferencia del
sistema en lazo cerrado es: C(s)/R(s)=G(s)/(1+G(s)H(s)). A la ecuación 1+G(S)H(S) = 0 se la
denomina ecuación característica del sistema y sus raíces determinan la respuesta transitoria del sistema
en lazo abierto.
A continuación se exponen algunas definiciones relacionadas con los sistemas de control en
lazo cerrado:
• Planta, proceso o sistema controlado: es el sistema, subsistema, proceso u objeto comandado por
el sistema de control.
• Salida controlada: es la variable de salida de la Planta.
• Trayectoria directa: es la trayectoria seguida del punto de suma a la salida controlada.
• Elementos anticipativos: son los componentes de la trayectoria directa que generan las señales de
control aplicadas a la planta. Suelen ser controladores, compensadores y/o amplificadores.
• Señal de control: es la salida de los elementos anticipativos.
 Martínez Bernia y Asoc. Capítulo 11. Respuesta en frecuencia. 3
• Trayectoria de realimentación: es la ruta de transmisión de la salida controlada al punto de suma.

• Elementos de realimentación: son los que se disponen en la trayectoria de realimentación
estableciendo la relación funcional entre la salida controlada y la señal primaria de realimentación.
Son sensores, compensadores y/o elementos controladores.
• Entrada de referencia: es una señal externa aplicada al sistema de control con realimentación,
usualmente situada en el primer punto de suma, para ordenar una acción específica a la planta.
• Error: es la señal de entrada de referencia más o menos la señal primaria de realimentación.
• Realimentación positiva o negativa: simboliza que la entrada de la señal de realimentación en el
punto de suma es positiva o negativa respectivamente.
Otros conceptos suplementarios:
• Transductor: es un dispositivo que convierte una forma de energía en otra.
• Estímulo o entrada de prueba: es cualquier señal de entrada introducida externamente que afecta a
la salida controlada.
• Perturbación o ruido de entrada: es un estímulo no deseado que afecta al valor de la salida
controlada. Puede entrar en la planta, en el primer punto de suma o en cualquier punto intermedio.
• Respuesta en el tiempo: es la salida de un sistema, subsistema o elemento en función del tiempo.
• Sistema multivariante: es aquel que tiene más de una entrada (multientrada), más de una salida
(multisalida) o ambas.
• Servomecanismo: es un sistema de control con realimentación de amplificación de potencia, en el
cual la variable controlada es una posición mecánica o una derivada respecto al tiempo, tal como la
velocidad o la aceleración.
• Regulador: es un sistema de control con realimentación en el cual la entrada de referencia es
constante por largos períodos de tiempo. Un regulador se diferencia de un servomecanismo en que
la función primaria de un regulador es generalmente mantener una salida controlada constante,
mientras que la de un servomecanismo es, casi siempre, hacer que una entrada variable en el
sistema ocasione una salida.
11.3 La transformada de Laplace.

La resolución de los problemas en ingeniería utiliza técnicas para reemplazar las funciones de
variable real por ciertas representaciones dependientes de la frecuencia o por funciones de una variable
compleja que depende de la frecuencia. Un ejemplo típico es el uso de las series de Fourier para
resolver ciertos problemas eléctricos. En esta sección se presenta la transformada de Laplace, cuya
misión es relacionar funciones de tiempo con funciones dependientes de la frecuencia de una variable
compleja. El empleo de la transformada de Laplace, reduce considerablemente los cálculos en los
sistemas de control, produciendo además diagramas de bloques sencillos que se aproximan en gran
medida al modelo real del sistema.
11.3.1 Definición matemática.

Sea f(t) una función real de variable real t, definida para t>0. Entonces la transformada de
Laplace de f se define como:
T ∞
F ( s) = lim ∫ f ( t ) e − st d t = ∫ f ( t )e − st d t (1)
T→∞ ε 0+
ε→ 0
donde s es una variable compleja definida por: s = σ + jω .

Definición: Existe la transformada de Laplace de f(t) siempre que se cumple la condición
de convergencia:
∫ / f (t ) / e dt < ∞
− rt
Siendo r real y positiva.

Si se cumple que f(t) es de orden exponencial, y existe una función oscilante, con rc real y
positiva tal que:
e-rt/f(t)/ < M ∀ t>0
La integral convergerá para r>rc. La región de convergencia será rc<r<∞ y rc es conocido
como la abcisa de convergencia absoluta.
• Inversa de la Transformada de Laplace: el éxito de la transformada de Laplace en la
resolución de problemas de sistemas físicos, radica tanto en la facilidad de resolver los problemas en la
variable s, como en su posterior paso al dominio del tiempo. Al encontrar la solución de un problema,
es necesario encontrar la llamada inversa de la transformada de Laplace, es decir, pasar del dominio de
s a t. Matemáticamente la transformada inversa de Laplace se define como:
1 c+ j∞
f (t) = ∫ F ( s)e st ds (2)
2π j c − j ∞
Donde j= − 1 y c>r’ (de la definición anterior). Todos estos puntos justifican

matemáticamente la Transformada de Laplace, aunque en la práctica se harán uso de las propiedades y
tablas que se detallan más abajo.
• Propiedades:
1. Siendo F1(s) y F2(s) las t.d.l. de f1 y f2 respectivamente, entonces a1F1(s)+a2F2(s) es la t.d.l. de
a1f1(t)+a2f2(t), donde a1 y a2 son constantes arbitrarias. La inversa de ésta propiedad también es
válida.
 df 
2. L   = sF ( s ) − f ( 0 + )
 dt 
3. Teorema del valor inicial: f ( 0 + ) = lim f ( t ) = lim sF ( s )
t→∞ s→ 0
4. Teorema del valor final: f ( 0 ) = lim f ( t ) = lim sF ( s )

+
t→0 s→ ∞
5. Función retardo de tiempo:

f ( t − T ), t > T
L [ f ] = e − sT F ( s )
0, t ≤ T
Función f(t) Transformada de Laplace

Impulso unitario 1
Escalón unitario 1/s
1(t)
Rampa unitaria t 1/s2
Polinomio tn n!/sn+1
Exponencial e-at 1/(s+a)
Senoidal senωt ω/(s2+ω2)
Cosenoidal cosωt s/(s2+ω2)
Senoidal ω
Amortiguada e-at (s + a) 2 + ω 2
senωt
Cosenoidal s+a
Amortiguada e-at (s + a) 2 + ω 2
cosωt
Tabla 1. Valores resumidos de la Transformada de Laplace
11.4 Representación interna.

Un sistema lineal e invariante en el tiempo puede ser representado mediante un conjunto de
ecuaciones diferenciales de primer orden, que puestas en forma matricial podrían expresarse como:
x& = Ax + Bu
(3)
y = Cx + Du
donde:
u es el vector de señales de entrada.
x es el vector de variables de estado.
y es el vector de señales de salida.
11.5 Función de transferencia.

Se define la función de transferencia, como la relación de la transformada de Laplace de la
salida (función respuesta) con la transformada de Laplace de la entrada (función excitadora), bajo la
suposición de que todas las condiciones iniciales son nulas.
Entradas Salidas
Sistema
Figura 4.Sistema genérico.

Si existe un sistema lineal invariable en el tiempo, del que sólo se conoce los valores de su
salida para cada valor de la entrada, su respuesta se puede representar por una ecuación de términos
derivativos (o integrales) como:
(n) (n−1) • (m) (m−1) •
a0 y+ a1 y +...+ an−1 y+ an y =b0 x + b1 x +...+ bm−1 x+ bmx (4)
Con n≥m, siendo ”y” la salida del sistema, “x” la entrada y los coeficientes “ai” y “bi”
constantes.
Si se aplica transformada de Laplace a ambos miembros y suponiendo las condiciones iniciales

nulas:
(a 0 s n + a 1 s n −1 + ...+ a n −1 s + a n ) Y ( s) = ( b0 s m + b1 s m −1 + ...+ bm −1 s + bm ) X ( s) (5)
La función de transferencia será:
Y ( s ) b 0 s m + b1 s m − 1 + ...+ b m − 1 s + b m
G (s) = = (6)
X ( s ) a 0 s n + a 1 s n − 1 + ...+ a n − 1 s + a n
Esta expresión expresa la relación entre la entrada y la salida de un sistema independientemente

de su estructura física, luego puede servir para analizar un sistema distinto pero con igual relación
entrada-salida y trabajando sólo con relaciones algebraicas en ”s”.
Si partimos de la representación interna se tendrá que:
G ( s ) = C ( sI − A ) −1 B + D (7)
En el caso más general H(s) es una matriz tridimensional, estaremos hablando de un sistema
MIMO.
11.5.1 Representación factorizada.

Otra forma de interés para los sistemas SIMO y SISO es la factorizada, es decir, ganancia,
polos y ceros:
( s + z (1)) + ( s + z ( 2 )) + ....+ ( s + z ( n ))
H ( s) = K (8)
( s + p (1)) + ( s + p ( 2 )) + ...+ ( s + p ( n ))
En general se pueden encontrar los siguientes casos:

f (s) A B C
1. ⇒ + +
( s + a)( s + b)( s + c) s+a s+b s+c
f ( s) A B C N
2. ⇒ + + + ... +
( s + a) n
s + a (s + a) 2
( s + a) 3
( s + a) n
f (s) As + b
3. ⇒ 2
as + bs + c
2
as + bs + c
Factores cuadráticos con raíces imaginarias en el denominador
f ( s) As + B C
a) ⇒ 2 +
(as + bs + c)( s + d )
2
as + bs + c s + d
Si hay además algún factor lineal en el denominador:
11.5.2 Ejercicio1
Calcular la antitransformada de Laplace de la función:
s+5
2
→→→ s = −2, s = −1
s + 3s + 2
s+5 A B A(s + 2) + B(s + 1)
= + =
(s + 2)(s + 1) s + 1 s + 2 (s + 2)(s + 1)
A(s + 2) + B(s + 1) = s + 5
( A + B )s + 2 A + B = s + 5
A+B =1
2A + B = 5
A = 4, B = −3
4 3
−
s +1 s + 2
4 3
L−1( ) − L−1( ) = 4e −t − 3e −2t
s +1 s+2
11.5.3 Ejercicio 2
Calcular la transformada inversa de Laplace de:
s 2 + 2s + 3 A B C
F (s ) = → F (s ) = + +
(s + 1) 3
(s + 1) 3
(s + 1) 2
s +1
A + B(s + 1) + C(s + 1)2 = A + B(s + 1) + C (s 3 + 2s + 1) = s 2 + 2s + 3
C =1
B + 2C = 2 〉 → A = 2, B = 0,C = 1
A+B +C = 3
2 1
F (s ) = + → Antitransformadas :
(s + 1) 3
s +1
 2  1
L−1  3
= 2 t 2 e −t = t 2 e −t
 (s + 1)  2
 1 
L−1  =e
−t
 s + 1
f (t ) = (t 2 e −t + e −t )u o (t ) = (1 + t 2 )e −t u o (t )
11.5.4 Ejercicio 3
Calcular la transformada inversa de Laplace de:
s +1 − 1± 1− 4 − 1 3
F (s ) = 2
;s = = ± j
s(s + s + 1) 2 2 2
A Bs + C
+ 2 F (s ) =
s s + s +1
 A + B = 0
2 2   B = −1
, donde.As + As + A + Bs + Cs = s + 1 A + C = 1
 A =1 C =0
 
1 s s2 + s + 1 , wn = 1
F (s ) = − 2 ; 2 ⇒
s s + s + 1 s + 2ξw n + w n = 0 , ξ = 1/ 2
2
s s +1 1
− 2
=− 2
+ 2
s + 2ξw n + w n
2
s + 2ξw n + w n
2
s + 2ξw n + w n
2
s +1  1− 2 • 1 • 1− 1 −1 t 1− 1
−1  2 1 4)
L  2 = e 2 sen( 1 − t + φ );φ = arctg (
 s + s + 1 1− 1 4 1− 1
4 2
 1  1
L−1  2 → ; L−1( 1 ) = 1 → Escalon − Unitario.
 s + s + 1 s
1− 1
4
11.6 Impedancias complejas.
En las redes eléctricas se define la impedancia como la relación entre la tensión en extremos y
la corriente que circula; en cambio, hablaremos de impedancia compleja como la relación antes
mencionada se de mediante la transformada de Laplace. Como ejemplo las impedancias complejas de
los elementos pasivos más usuales serán:
a) Resistencia R
E ( s)
e( t ) = Ri( t ) ⇒ E ( s) = RI ( s) ⇒ Z ( s) = =R (9)
I ( s)
b) Capacidad C
1  I ( s) E ( s) 1
e(t ) =
1
C ∫ i(t )dt ⇒ E ( s) = 
C s
+ (∫ i(t )dt ) 

t =0 
⇒ Z ( s) = =
I ( s) Cs
( 10 )
siempre y cuando las condiciones iniciales sean nulas.

c) Inductancia L
di( t ) E ( s)
e( t ) = L
dt
⇒ [
E ( s) = L sI ( s) + i ( 0) ] ⇒ Z ( s) =
I ( s)
= Ls ( 11 )
con condiciones iniciales nulas.

Con esta nueva herramienta el cálculo de la función de transferencia de un circuito podrá
realizarse bien por el empleo de ecuaciones diferenciales o de impedancias complejas.
Figura 5. Circuito en cascada y equivalente complejo.

Así, en un circuito como el representado, de dos circuitos RC en cascada, las ecuaciones
diferenciales que lo definirían serían:
1 
C1 ∫ (i
1 − i2 )dt + R1i1 = ei 

 ( 12 )
1 1
∫ (i − i )dt + R i = − ∫ i dt = − e 
C1
2 1 2 2
C2
2 o

Tomando transformadas de Laplace en ambas y suponiendo nulas las condiciones iniciales, se

obtienen las expresiones:
1 
[I1 (s ) − I 2 (s )] + R1 I1 (s ) = Ei (s ) 
C1 s 
1 
[I 2 (s ) − I1 (s )] + R2 I 2 (s ) = − Eo (s ) ( 13 )
C1 s 
1 
I 2 (s ) = E o (s ) 
C2 
Si de estas tres igualdades despejamos en dos de ellas las corrientes y sustituimos en la tercera
obtendremos:
 1  C 
 + R1  ⋅ I 1 (s ) − 2 E o (s ) = Ei (s ) 
 C1 s  C1 
 ( 14 )
 1  1
 + R 2  ⋅ C 2 s ⋅ E o (s ) − I 1 (s ) = − E o (s )
 C1 s  C1 s 
Si se desarrolla la inferior y se sustituye en la superior:
 1  
I 1 (s ) = C1 s ⋅  ( )
+ R2  ⋅ C 2 s + 1 ⋅ E o (s ) = C1C 2 R2 s 2 + C 2 s + C1 s ⋅ E o (s ); ( 15 )
 C1 s  
 1 
 ( ) C
+ R1  ⋅ C1C 2 R2 s 2 + C 2 s + C1 s ⋅ E o (s ) − 2 E o (s ) = Ei (s ); ( 16 )
 C1 s  C1
Quedará finalmente:
Eo ( s) 1
= ( 17 )
Ei ( s) R1C1 R2 C2 s + ( R1C1 + R2 C2 + R1C2 ) s + 1
2
En el caso de operar con impedancias complejas el planteamiento que haremos será el

siguiente:
Eo ( s) E2 ( s) Eo ( s) Z5 ( s) Z4 ( s)
= ⋅ = ⋅ ( 18 )
Ei ( s) Ei ( s) E2 ( s) Z1 ( s) + Z5 ( s) Z2 ( s) + Z4 ( s)
( )
siendo Z5 = Z2 ( s) + Z4 ( s) Z3 ( s) . Operando nos resulta la misma ecuación 7.9 con lo que
nos hemos ahorrado el paso de 7.7 a 7.8 y el planteamiento de 7.7.
En 7.9 se muestra que el hecho de estar en cascada hace que la función de transferencia total
no sea igual al producto de las funciones de transferencias parciales de cada una de las redes RC:
Eo ( s) 1 1
≠ ⋅ ( 19 )
Ei ( s) R1C1s + 1 R2 C2 s + 1
Esto es debido a que el segundo circuito actúa como carga del primero, esto no sucedería si el
acoplamiento de los dos circuitos se hiciera por medio de un amplificador (de ganancia unidad). En
este caso la igualdad de 7.11 si sería correcta.
11.7 Conexión de sistemas.

Existe una serie de reglas que es necesario utilizar para simplificar los diagramas de bloques
formados por las funciones de transferencia de los sistemas. Se resumen en la siguiente tabla.
Transformación Diagrama original Diagrama equivalente

1. Combinación de
bloques en cascada
2. Movimiento de un
punto de suma anterior
a un bloque
3. Movimiento de un
punto de separación
posterior a un bloque
4. Movimiento de un
punto de separación
anterior a un bloque
5. Movimiento de un
punto de suma posterior
a un bloque
6. Eliminación de un
circuito de
retroalimentación
Tabla 2. Transformación de diagramas de bloques.
11.8 Respuesta temporal.

Un sistema genérico de primer orden presenta un diagrama de bloques como el representado
en la figura siguiente.
E(s) + 1 S(s)
− Ts
E(s) 1 S(s)
Ts + 1
Figura 6. Sistema genérico de primer orden.

La relación entre la entrada y la salida vendrá dada por la expresión:

S (s) 1 ( 20 )
=
E ( s ) Ts + 1
Físicamente este sistema puede representar un circuito RC, con T=RC. A continuación,
analizaremos la respuesta de este tipo de sistemas ante las diversas señales aperiódicas de prueba.
11.8.1 Respuesta impulso unitario.

Como la transformada de Laplace del impulso unitario es 1, reemplazando E(s) por 1 en la
ecuación anterior se obtiene:
1 1/ T
S (s) = =
Ts + 1 s + 1 / T ( 21 )
Tomando Transformadas inversas en la ecuación anterior:
1 −t/T
S (t ) = e
T ( t ≥ 0) ( 22 )
0.9
0.8
0.7
0.6
Amplitud
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 1 2 3 4 5
Tiempo (s) 1/T
Figura 7. Respuesta impulso unitario.
11.8.2 Respuesta al escalón unitario.

Como la transformada de Laplace del escalón unitario es 1/s, se obtiene:
1 1
S (s) =
Ts + 1 s ( 23 )
Desarrollando S(s) en fracciones parciales podemos expresar:
1 T 1 1
S (s) = − = −
s Ts + 1 s s + (1 / T ) ( 24 )
Tomando transformadas inversas en la ecuación anterior:
S (t ) = 1 − e − t/T ( t ≥ 0) ( 25 )
La función temporal deducida establece que inicialmente la salida, S(t), es nula y alcanza un
valor final unitario. Para un instante t=T el valor de S(t) será:
S ( t ) = 1 − e − 1 = 0 .6 3 2 ( 26 )
De lo que se deduce que la constante de tiempo del sistema, es el tiempo que tarda la salida
S(t) en alcanzar el 63% de su valor final. Cuanto más pequeña es la constante del tiempo del sistema,
mas rápida es la respuesta de este. Análogamente, puede demostrarse que la pendiente de la tangente en
t=0 es 1/T.
Figura 8. Respuesta al escalón unitario.

Sólo se alcanza el estado estacionario tras un tiempo infinito. Sin embargo, en la práctica una
estimación razonable de la respuesta temporal es el tiempo que necesita la curva de respuesta para
alcanzar la banda del 2% del valor final, o sea, cuatro veces la constante de tiempo.
11.8.3 Respuesta a la rampa unitaria.

Como la transformada de Laplace de la rampa unitaria es la 1/s2, tendremos:
1 1
S (s) =
Ts + 1 s 2 ( 27 )
Desarrollando S(s) en fracciones parciales:
1 1 A B C
S (s) = = 2 + + ⇒ A = 1; B = − T ; C = T 2
Ts + 1 s 2
s s Ts + 1 ( 28 )
es decir:
1 T T2 1 T T
S ( s) = − + = 2 − +
s 2
s Ts + 1 s s s + 1/ T ( 29 )
S (t ) = t − T + Te −t/T t≥0 ( 30 )
Figura Capítulo 11-9 Respuesta a la rampa unitaria.

En la figura anterior se representa la entrada rampa unitaria E(t) y la salida S(t), expresada
anteriormente. El error D(t), es la diferencia instantánea entre las señales de entrada y salida, será:
D ( t ) = E ( t ) − S ( t ) = t − ( t − T + Te − t / T ) = T − Te − t / T = T (1 − e − t / T ) ( 31 )
Conforme t tiende a infinito, e-t/T tiende a cero, y de este modo la señal de error D(t) tiende a
T:
D (∞ ) = T ( 32 )
El error en seguir a la entrada rampa unitaria es igual a T para t suficientemente grande. Es
decir, cuanto menor es la constante de tiempo T, menor será el error estacionario o permanente al
seguir la entrada rampa. Establecíamos que la respuesta S(t) ante una entrada rampa unitaria era de la
forma:
S ( t ) = t − T + Te − t / T ( t ≥ 0) ( 33 )
Análogamente, para una entrada escalón unitario, que es la derivada de la entrada en rampa
unitaria, la salida S(t), era:
S ( t ) = 1 − e − t/T ( t ≥ 0) ( 34 )
Finalmente, para una entrada impulsiva unitaria, que es la derivada de la entrada escalón
unitarios, la salida S(t), era:
1 −t/T
S (t ) = e
T ( t ≥ 0) ( 35 )
Comparando estas respuestas del sistema ante tres entradas, se deduce una propiedad
importante de los sistemas lineales invariantes en el tiempo, pues puede comprobarse que la respuesta a
la derivada de una señal entrada, puede obtenerse derivando la respuesta del sistema a la señal original.
11.9 Transitorio de Sistemas de segundo orden.

Considerando el circuito representado en la figura siguiente formado por una inductancia L
(henrios), una resistencia R (ohmios) y una capacidad C (faradios).
Figura 10 Circuito RLC.

Aplicando las leyes de Kirchhoff al sistema se obtiene:
di 1
L
dt
+ Ri +
C ∫ idt = V e
(36)
1
C ∫ id t = V s
(37)
Tomando transformadas de Laplace en ambos miembros de las ecuaciones anteriores, y
suponiendo nulas las condiciones iniciales se establecen las expresiones:
1 1
L sI ( s ) + R I ( s ) + I (s) = Ve (s)
C s (38)
1 1
I ( s) = Vs ( s)
C s (39)
De ambas se deduce:
Ve (s) − Vs (s)
V e ( s ) − V s ( s ) = I ( s )( R + Ls ) ⇒ I ( s ) =
R + Ls (40)
1
Vs (s) = I (s)
C s ( 41)
Considerando Ve como entrada y Vs como salida, el diagrama de bloques del sistema será el
representado en la figura siguiente.
E (s) + 1 1 S(s)
− R + Ls Cs
E (s) + 1 S (s)
( R + Ls ) Cs
−
Figura 11 Diagrama de bloques del circuito RLC.

Operando en el bloque representado en la figura anterior:
1 1
1 LC LC
= =
Cs ( R + Ls ) s ( s + R / L )  R C 1 
s s + 2 
 2 L LC 
(42)
En bucle cerrado la función de transferencia quedaría:
1
Vs (s) LC
=
Ve (s)  R C 1  1
s2 + 2 s +
 2 L LC  LC
(43)
Si designamos:
1
ωn = =
LC frecuencia natural no amortiguada.
R C
ε = =
2 L coeficiente de amortiguamiento.
Simbología cuya relación es evidente en electrotecnia, se obtiene los diagramas de bloques
genéricos de un sistema de segundo orden, esquematizados en la figura siguiente.
V e ( s )+ ωn2 V s(s)
− ( 2 εω n + s ) s
V e(s) ωn2 V s(s)

s 2 + 2 εω n s + ω n 2
Figura 12 Diagrama de bloques de un sistema genérico de segundo orden.
11.9.1 Respuesta al escalón unitario.

Según hemos establecido, el diagrama de bloques genérico de un sistema de segundo orden
será el indicado en la figura anterior. Las raíces del denominador de la función de transferencia en
cadena cerrada son:
s 2 + 2 εω n s + ω n2 = 0 ⇒
( 44)
⇒ s = −ω n ε ± (εω ) − ω
2
n
2
n (
= ωn − ε ± ε2 −1 )
De acuerdo con el valor de ε comprendido en tres categorías:
•Sistemas subamortiguados, correspondientes a valores de ε comprendidos en el rango 0<ε
<1.
•Sistemas críticamente amortiguados, en los que ε =1.
•Sistemas sobreamortiguados, caracterizados por ε >1.
Veamos la respuesta del sistema ante una entrada escalón, para las tres categorías mencionadas.
11.9.1.1 Sistemas subamortiguados.

Para entrada escalón unitario, Ve(s)=1/s. Sustituyendo este valor y despejando se obtiene:
ω 2n
Vs (s) =
s ( s 2 + 2 εω n s + ω 2n )
( 45)
 ω n2 
V s ( t ) = L− 1  2 =
 s( s + 2 εω n s + ω n ) 
2
A Bs + C 
= L− 1  + 2 2 
 s s + 2 εω n s + ω n  ( 46)
Fácilmente se deduce:
A = 1; B = − 1; C = − 2 εω n
Es decir:
1 s + 2 εω n 
V s ( t ) = L− 1  − 2 2  =
 s s + 2 εω n s + ω n 
1 s + εω n εω n 
= L−1  − 2 2 − 
 s s + 2 εω n s + ω n s + 2 εω n s + ω n2
2
 ( 47)
Las raíces de la ecuación característica, expresión (3.9), serán en este caso (0<e<1):
[
s = ωn − ε ± ε2 −1 = ]
[
= ωn − ε ± ] [
( − 1)(1 − ε 2 ) = ω n − ε ± j 1 − ε 2 ] (48)
Es decir, los polos de lazo cerrado son conjugados, y se encuentran en el semiplano s
izquierdo. Si hacemos:
ωd = ωn 1 − ε 2
(49)
Las raíces serán:
s = − ω n ε ± jω d (50)
Es decir:
s 2 + 2 εω n s + ω n2 =
= ( s + ω n ε + j ω d )( s + ω n ε − j ω d ) =
= ( s + ω n ε ) + ω d2
2
( 51)
La ecuación podrá expresarse, entonces, en la forma:
1 s + εω n εω n 
V s ( t ) = L−1  − − =
 s ( s + εω n ) + ω d ( s + εω n ) + ω 2d
2 2
2

1 s + εω n ε ω dn 
= L−1  − − 
 s ( s + εω n ) + ω 2d 1 − ε 2 ( s + εω n )
2 2
+ ω 2d 
( 52)
Finalmente la respuesta será:
 ε 
V s (t ) = 1 − e − εω n t  cos ω d t + sen ω d t  =
 1− ε 2

ε
= 1− e − εω n t sen (ω d t + φ )
1− ε 2
(53)
siendo t ≥ 0 y:
1− ε 2
φ = a rc. tg.
ε (54)
De acuerdo con su expresión matemática nos encontramos ante una respuesta oscilatoria de
frecuencia wd y cuya amplitud disminuye exponencialmente con el tiempo. Del hecho de que la
frecuencia de la oscilación transitoria sea ωd, y de su dependencia del amortiguamiento ε, se deriva la
denominación de ωd como frecuencia natural amortiguada.
11.9.1.2 Sistemas con amortiguamiento crítico.

Para entrada escalón unitario, Ve(s)=1/s. Sustituyendo este valor y despejando se obtiene:
ω 2n ω 2
V s ( s) = = n
s ( s 2 + 2ω n s + ω ) (s + ω )
2 2
n s
n
( 55)
 ω n2 
V s ( t ) = L− 1  =
 s( s + ω n )
2

A B C 
= L−1  + + 
 s s + ω n ( s + ω n )
2

(56)
A = 1; B = − 1; C = − ω n
Es decir:
1 1 −ω 
V s ( t ) = L−1  − − 2 n2 =
 s s + ω n ( s + ω n ) 
= 1 − e − ω n t (1 + ω n t ); ( t ≥ 0 )
( -57)
Las raíces de la ecuación característica serán en este caso (ε=1):
s = −ω n (58)
Es decir, los dos polos de la función de transferencia son iguales, reales y negativos.
11.9.1.3 Sistemas sobreamortiguados.

Sustituyendo igual que antes y despejando se obtiene:
ω n2
Vs =
s ( s 2 + 2 εω n s + ω n2 ) ( 59)
Las raíces de la ecuación característica, (3.9), serán en este caso:
s=ω n (− ε ± )
ε 2 − 1 = −ω n ε ± ω n ε2 −1
(60)
Dado que e>1 las raíces serán reales, distintas y negativas. Es decir:
s 2 + 2 εω n s + ω n2 =
(
= s + ωnε + ωn ε 2 − 1 s + ωnε − ωn ε 2 − 1 )( ) (61)
Tomando transformadas inversas.
 −1 ω n2 
Vs (t ) = L  2 =
 s( s + 2 εω n s + ω n ) 
2
 
ω n2
= L  −1 =
 n (
s s + ω ε + ω ε2 −1 s + ω ε − ω ε2 −1
n n n )( ) 

 
A B C
= L  + −1
+ 
s
 (
s + ωnε − ωn ε 2 − 1 s + ωnε + ωn ε 2 − 1 ) ( ) 
 (62)
A = 1;
1
B=− ;
2 ε −1 ε − ε2 −1
2
( )
1
C= ;
2 ε2 −1 ε + ε2 −1 ( )
Finalmente, calculando la antitransformada, la respuesta ante la entrada escalón unitario será:
ωn  e − s1t e − s2 t 
V s (t ) = 1 +  −  ; ( t ≥ 0)
2 ε 2 − 1  s1 s2  (63)
Siendo:
(
s1 = ε + ε2 −1 ω ) n
( 64)
s2 = (ε − ε2 − 1 )ω n
( 65)
Comparando las expresiones de s1 y s2 con las correspondientes a las raíces de la ecuación
característica indicadas vemos que s1 y s2 coinciden, cada una de ellas, con una de las raíces en valor
absoluto, diferenciándose únicamente en el signo. Vemos pues que la respuesta contiene dos sumandos
formados por exponenciales decrecientes. Para valores suficientemente elevados de ε, una de las
− s1t
exponenciales decrece mucho más rápidamente que la otra, pues si ε>>1 Þ s1>>s2 Þ e decrece
− s2 t
mucho más rápidamente que e , pudiendo despreciarse el efecto del término correspondiente a s1
para una solución aproximada. Es decir, una vez desaparecido el término exponencial de caída más
rápida, la respuesta es similar a la de un sistema de primer orden. Por tanto, puede escribirse como
sigue:
V s ( t ) = 1 − e − s2 t ( t ≥ 0) ( -66)
Las curvas obtenidas correspondientes a los distintos valores de ε, se representan de forma

conjunta en la figura siguiente. De esta última figura y del estudio realizado para las diferentes formas
de funcionamiento, pueden deducirse, a modo de resumen, las siguientes conclusiones:
• Si el amortiguamiento es nulo el sistema es oscilatorio no amortiguado y su frecuencia se denomina
frecuencia natural.
• Si el sistema es subamortiguado presenta una respuesta oscilatoria con amplitud exponencialmente

de creciente con el tiempo. La frecuencia es ahora menor que la natural, tanto menor cuanto mayor
es el amortiguamiento, y se denomina frecuencia natural amortiguada.
• Si el amortiguamiento toma el valor 1, el sistema presenta una respuesta no oscilatoria. Este valor
ε=1, marca la frontera entre las respuestas oscilatorias y no oscilatorias, de ahí la denominación de
amortiguamiento crítico.
• Si el sistema es sobreamortiguado la respuesta es no oscilatoria, siendo progresivamente mas lenta
conforme aumenta el valor de e. Si ε >> 1 el sistema puede aproximarse por uno de primer orden,
el correspondiente a la raíz dominante.
1.8 0.1
1.6
1.4 0.3
1.2 0.5
0.7
Amplitud
1 0.9
0.8
0.6 1.9
0.4
0.2
0
0 5 10 15 20
Tiempo (s)
Figura 13 Respuesta temporal para distintos valores de ε.
11.10 Especificaciones de respuesta transitoria.

Aunque los sistemas de control pueden someterse a entradas muy diversas dependiendo de su
cometido, pueden juzgarse sus características de funcionamiento, con suficiente exactitud, si se
conocen determinados parámetros de su respuesta transitoria ante una entrada escalón unitario. En la
figura siguiente se muestra una respuesta típica ante una entrada escalón unitario.
Figura 14 Especificaciones de la respuesta temporal.

En general, la respuesta se caracteriza mediante las siguientes especificaciones:
• Tiempo de retardo, td, es el tiempo invertido por la salida hasta alcanzar el 50% de su valor final.
• Tiempo de crecimiento o tiempo de subida, tr, es el transcurre desde que la respuesta pasa de un
valor del 10% al 90% de su valor final. A veces, estos limites se toman entre el 5% y el 95%, o
bien, entre el 0 y el 100%, dependiendo de los sistemas. Para sistemas de segundo orden
subamortiguados, frecuentemente se emplea el criterio de 0 al 100%, utilizándose los límites
inicialmente definidos (10-90%) para los sobreamortiguados.
• Tiempo de pico, tp, es el tiempo requerido por la señal para alcanzar la primera cresta de
sobreimpulso.
• Tiempo de establecimiento, ts, es el tiempo que precisa la respuesta para alcanzar y mantenerse
dentro de un porcentaje determinado (usualmente 5% ó 2%) de su valor final. Este parámetro se
relaciona con la mayor constante de tiempo del sistema.
• Máximo sobreimpulso, Mp, también denominado sobreelongación o rebase, indica la máxima
diferencia existente entre la respuesta y su valor estacionario. Usualmente se expresa
porcentualmente en la forma:
V s ( t p ) − V s (∞ )
M p = 100
V s (∞ )
Evidentemente el conocimiento de estos parámetros determina la curva de respuesta y, por
otra parte no todos ellos son aplicables a cualquier sistema. Así, un sistema sobreamortiguado no
presenta sobreelongaciones y no se aplican las especificaciones tp y Mp.
Las especificaciones de respuesta transitoria para un sistema subamortiguado son las siguientes:
• Tiempo de crecimiento, tr: corresponderá al tiempo en que la salida alcanza su valor final.
 ε 
C (t r ) = 1 = 1 − e − ε ⋅ω n ⋅t r  cos ω d t r + sen ω d t r 
 1− ε 2 
 ε 
e − ε ⋅ω n ⋅t r  cos ω d t r + sen ω d t r  = 0
 1− ε 2 
Como e − ε ⋅ω n ⋅t r no es cero, tenemos:

ε
cos ω d t r + sen ω d t r = 0
1− ε 2
sen ω d t r 1− ε 2
=−
cos ω d t r ε
1− ε 2
tg ω d t r = −
ε
 1− ε 2 
nπ − arctg 

 ε 
tr =
ωd
 1− ε 2  nπ − β
si β = arctg 
 ⇒ tr =
 ε  ωd
1− ε 2
π − arctg
tr =
ε
ωd
• Tiempo de pico, tp: puede estimarse derivando Vs(t) con respecto al tiempo e igualando a
cero la derivada.
dc −∈w t ∈ ∈w t ∈
= 0 =∈ wn e n p (cos wd t p + sen wd t p ) − e n p ( − wd sen wd t p + wd cos wd t r )
dt t = t p 1− ∈2
1− ∈2
como → wd = wn 1− ∈2
wn −∈w t
2
e n p (∈2 + 1− ∈2 ) sen wd t p = 0
1− ∈2
wn −∈w t
e n p sen wd t p = 0
1− ∈2
w → es0 ⇒ sen wd t p = 0
π
wd t p = nπ → t p =
wd
con n=0,1,2,.....
• Máximo sobreimpulso, Mp:
−∈wn t p ∈
M p = c( t p ) − 1 = − e (cos wd t p + sen wd t p )
1− ∈2
π ∈
π −∈wn π w ∈ −∈wn − π
tp = → M p = −e d
(cos π + sen π ) = e wd
=e 1−∈2
≈ 1 − ∈0.6
wd 1− ∈ 2
∀0 ≤∈≤ 0.6
π
t = tp =
ωd
con lo que el sobreimpulso porcentual será.
•Tiempo de establecimiento, ts: Para e comprendido entre 0 y 0.9 los valores de ts son:
criterio 2%: 4
t s ≈ 4T =
εω n
criterio 5%: 3
t s ≈ 3T =
εω n
11.10.1 Ejemplo
Para el sistema de la figura, determinar k y kh para que el máximo sobreimpulso Mp ante una
entrada en escalón sea 0.2, y el tiempo de pico sea 1 s. Con estos valores de k y kh obténgase el tiempo
de crecimiento tr y el de establecimiento ts.
 ε 
−   ⋅π

 1− ε 2 
Mp = e = 0.2
ε ⋅π
= 161
. ⇒ ε = 0.456
1− ε2
R(S)
K/ S ( S + 1 ) C(S)
+
-
1 + KnS
π ωd
tp = =1 ωd = 314
. ⇒ ωn = = 353
.
ωd 1− ε2
k
C ( s) s ⋅ ( s + 1) k k
= = = 2
R ( s) k ⋅ ( s + k h ⋅ s) s ⋅ ( s + 1) + k ⋅ (1 + k h ⋅ s) s + ( k ⋅ k h + 1) ⋅ s + k
1+
s ⋅ ( s + 1)
2ε ⋅ k n − 1
2ε ⋅ ωn = k ⋅ k h + 1 ⇒ kh = = 0178
.
k
ωn 2 = k = 12.5
11.11 Respuesta de la variable regulada.

A pesar de que todos los sistemas están diseñados para realizar diferentes funciones, todos
ellos tienen requerimientos comunes. Las principales características de un sistema típico de control son
la estabilidad, precisión, velocidad de respuesta y sensibilidad de las salidas ante variaciones en el
medio ambiente y en los componentes de sistema. La prioridad de cada una de estas características las
establece el diseñador en función de la naturaleza del sistema y su aplicación. Veamos más
detenidamente cada una de estas características:
• Estabilidad: Un sistema se dice estable si sus salidas alcanzan un cierto valor en un tiempo finito
después de aplicarle una entrada. Una vez que la salida del sistema permanece constante y no
cambia en función del tiempo, se dice que ha alcanzado el valor de régimen permanente. Un
sistema se dice inestable si nunca alcanza este valor. En general los sistemas con tiempos de
retardo y tiempos muertos tienden a ser inestables, por lo que se suele usar sistemas con
realimentación.
• Precisión: Estudia la desviación entre la salida real del sistema y su valor deseado. La exactitud se
suele obtener mediante métodos de control basados en reguladores proporcionales o PI. Además,
los sistemas en lazo cerrado son en general más exactos que los sistemas en lazo abierto.
• Velocidad de respuesta: Es la medida de la rapidez con que las salidas alcanzan el régimen
permanente después de aplicar la entrada. En la práctica la respuesta de un sistema en el dominio
del tiempo consta de una parte transitoria y otra permanente. Los sistemas de más de segundo
orden son difíciles de analizar, por lo que se aproximan a uno de segundo orden y se analiza su
respuesta al escalón.
• Sensibilidad: Mide lo sensibles que son las respuestas del sistema ante cambios en los valores de
sus componentes físicos o en las condiciones ambientales.
Los sistemas controlados presentan una respuesta temporal, esto es, si se aplica una señal
cualquiera en función del tiempo en la entrada, el sistema responderá con una salida temporal
dependiente de la entrada, aunque diferente. Se pueden encontrar seis tipos diferentes de respuestas:
Respuesta I) Periódica II) Aperiódica

Estable
Límite de
estabilidad
Inestable
11.12 Criterios de estabilidad

 1
2 ⋅ s + 
b(s) 2s + 1  2
= H (s) = =
a (s) s + 3 s + 2 (s + 1 )⋅ (s + 2 )
2
• Raices que hacen que H(s) → ∞ son aquellos a(s) = 0 , se denominan polos. s = -1, s = -2
• Raíces que hacen que H(s) → 0 son aquellos b(s) = 0 , se denominan ceros. s = -1/2
Excepto las constantes multiplicadoras (2) los polos y los ceros proporcionan una completa
descripción de H(s).
Si atacamos H(s) por una entrada impulso, la respuesta temporal será la F-1(s) de H(s),
estaremos ante la respuesta natural del sistema.
Si hacemos la expansión en fracciones parciales:
2s + 1 −1 3
H ( s) = = +
s + 3s + 2 s + 1 s + 2
2
h ( t ) = − e − t + 3e − 2 t b ≥ 0
h(t) = 0 t<0
Sus componentes de la respuesta temporal está determinada por los polos s = -1 y s = -2 ,
mientras que los ceros influencian los factores multiplicadores de cada componente.
2s + 1
Para el ejemplo: H ( s) =
s 2 + 2s + 5
Los polos son: s = -1 ± j2
Siendo la respuesta temporal
h( t ) = A ⋅ e− t cos( 2t − θ )
En general:
• Polos de 1er orden: s = -a ⇒ e-at
• Par de polos complejos: s = σ ± jω ⇒ e-σt cos(ωt+θ)
La parte real del polo en cualquier caso si es positiva supone una respuesta natural que crece y
podemos aventurar que el sistema es inestable.
Si la parte real es negativa la respuesta natural decae y el sistema será estable.
Si la parte real es cero tendremos en la frontera una inestabilidad.
Un sistema lineal invariante en el tiempo es estable si:

• Todos los polos de su función de transferencia tienen parte real negativa.
• Su respuesta impulsorial tiende a cero
• Ante una entrada acotada responde una salida acotada.
11.12.1 Criterio de ROUTH-HURWITZ.

Ejemplo 1.
s4 1 3 1
s3 2 4 0
2s + 1
s2 1 1 0
s + 2 s + 3s 2 + 4 s + 1
4 3
s1 2 0
s0 1
Como todos los elementos de la 1ª columna son positivos ⇒ Sistema Estable.
Ejemplo 2.
s4 1 1 1
s3 1 4
2s + 1
s2 − 3 1
s + s + s 2 + 4s + 1
4 3
s 1 13 3
s0 1
En la 1ª columna hay un nº negativo ⇒ sistema inestable.

Hay dos cambios de signo, con lo que hay dos polos con parte real positiva.
Ejemplo 3.
Determinar los valores de k para que el sistema sea estable.
s3 1 8
s 2 4 k
s 3 + 4 s 2 + 8s + k = 0 1
s1 8 − k 0
4
s0 k
Para que el sistema sea estable: k>0, 8-1/4 > 0, 8 > ¼ K , 32>k
0 < k < 32
11.13 Sistemas de orden superior.

Cualquier sistema de orden superior se puede establecer por la siguiente función de
transferencia. Nos encontramos con los ceros, los polos reales y los complejos conjugados genéricos.
K ( s − z1 )( s − z 2 )... ( s − z m )
G ( s) = =
(1 − p )(1 − p )... (1 − p )
1 2 n
(67)
K mj =1 Π ( s − z j )
=
s ( qj = 1 Π ( s − p j ) rk =1 Π ( s 2 + 2 ξk ω k s + ω 2 k ))
La respuesta al escalón unitario del sistema sería entonces:

q r
c(t ) = A + ∑ B j e − pjt + ∑ Bk e −ξω k t cosω k 1 − ξ k2 t +
j =1 k =1
r
+ ∑ C k e −ξω k t sen ω k 1 − ξ k2 t ;(t ≥ 0)
k =1
Para que las exponenciales sean decrecientes, la parte real de los polos debe ser negativa, esto
definiría la estabilidad absoluta. Además las raíces más próximas al eje jω se amortiguan más
lentamente en el periodo transitorio que las más alejadas, por esto se llaman raíces dominantes. En
muchos casos se puede simplificar el orden de un sistema despreciando las raíces menos dominantes.
11.14 Régimen permanente.

La medida de la respuesta de un sistema en régimen permanente es el error estacionario, que se
define como la diferencia entre las magnitudes de las variables de referencia y controlada, en instantes
alejados del momento de variación de la magnitud de referencia.
11.14.1 Coeficientes de error.

Sería deseable que este error fuese nulo, pero esto no podrá cumplirse totalmente y existirá en
todo sistema de regulación una desviación entre el valor real de la variable controlada y el valor deseado
para ella en régimen permanente. Supongamos el diagrama de la figura siguiente, se podrá decir que el
error es :
R( s) E(s) C( s) E ( s ) = R ( s ) − C ( s ) H ( s);
+
G (s) E ( s) C ( s) H ( s)
− = 1− ;
R ( s) R ( s)
E ( s) G ( s) H ( s)
R'(s) = 1− ;
H (s) R ( s) 1 + G ( s) H ( s)
E ( s) 1
= ;
R ( s) 1 + G ( s) H ( s)
Figura 1 Sistema realimentado
Así según esta definición y aplicando el teorema del valor final:
sR (s)
e ss = lim e ( t ) = lim E ( s ) = lim
t→ ∞ s→ 0 s→ 0 1 + G ( s ) H ( s ) ( 1)
Entradas Coeficientes estáticos de error.

Escalón s 1 De Posición:
1 e s s = li m = K p = lim G ( s ) H ( s )
s→ 0 1 + G ( s) H ( s) s
R (s) = s→ 0
s
1
=
1 + l im G ( s ) H ( s )
s→ 0
Rampa s 1 De velocidad :
1 e s s = lim 2 = K v = lim s G ( s ) H ( s )
R ( s) = 2 s→ 0 1 + G ( s ) H ( s ) s
s s→ 0
1
=
lim s G ( s ) H ( s )
s→ 0
Parábola s 1 De aceleración :
1 e ss = lim 3 = K a = lim s 2 G ( s ) H ( s )
R ( s) = 3 s→ 0 1 + G ( s ) H ( s ) s
s→ 0
s
1
= 2
lim s G ( s ) H ( s )
s→ 0
Para un sistema genérico será:

 1  1  1 
 1 + s   1 + s  ...  1 + s 
 z1   z2   zm 
G ( s) H ( s) =
 1  1   1 
s i 1 + s  1 + s  ...  1 + s 
 p1   p2   pn 
(2)
donde -z1,-z2,....-zn son los ceros de la fracción en s y -p1,-p2,....-pn los polos de la misma.
Con independencia del valor de los polos y los ceros, el tipo del sistema coincide con el nº de polos en
el origen, es decir sólo depende del exponente i . Así un sistema es de tipo 0 si i=0, si i=1 es de tipo 1,
sucesivamente. Si atacamos con una señal genérica:
1
R ( s) =
s j + 1 ( 3)
El error estacionario será :
s 1
e ss = lim j +1 =
s→ 0 1 + G ( s ) H ( s ) s
1
= j +1
lim s G ( s ) H ( s )
s→ 0
( 4)
El coeficiente de error :
K j = lim s jG ( s ) H ( s )
s→ 0 ( 5)
Si se tiene en cuenta la expresión general de la función de transferencia, la constante de error
estática, agrupando los ceros y los polos en G1(s), valdrá:
1 j−i
K = lim s j G ( s ) H ( s ) = lim s j
G ( s ) = lim s
j
s→ 0 s→ 0 si 1 s→ 0
( 6)
En resumen:
i,j Kj ess
i<j 0 ∞
i=j K 1/K
i>j ∞ 0
Es obvio que los valores de los coeficientes estáticos de error son números de mérito, siendo
el sistema tanto más preciso cuanto mayores sean, ya que menores serán los errores estáticos
originados.
Ejemplo 1º.-El Coeficiente de error de Posición para el sistema definido será:
2
G ( s) = ; H ( s) = 30
( s + 3 ) ( s + 1 )( s + 4 )
2
K p = lim × 30 = 5
s → 0 ( s + 3 )( s + 1 ) ( s + 4 )
1 1
e ss = =
1+ 5 6
Ejemplo 2º.-Los Coeficientes de error para el sistema definido será:
5( s + 2 ) 2
G ( s) = ; H ( s) =
( s + 3 )( s + 1 ) s
5( s + 2 ) 2
K = lim × = ∞
s → 0 ( s + 3 )( s + 1 )
p
s
5( s + 2 ) 2 20
Kv = lim s × =
s→ 0 ( s + 3 )( s + 1 ) s 3
Ejemplo 3º.-Los Coeficientes de error para el sistema definido será:
3( s + 2 ) 20
G ( s) = ; H ( s) =
s ( s + 5 )( s + 1 )( S + 6 ) s+ 4
3( s + 2 ) 20
K = lim × = ∞
s → 0 s ( s + 5 )( s + 1 )( S + 6 ) s+ 4
p
3( s + 2 ) 20 3
Kv = lim s × =
s→ 0 s ( s + 5 )( s + 1 )( S + 6 ) s+ 4 2
3( s + 2 ) 20
Ka = lim s 2 × = 0
s→ 0 s ( s + 5 )( s + 1 )( S + 6 ) s+ 4
Por lo tanto si se supone una entrada de excitación genérica como la siguiente, se podrá
obtener el error estacionario.
r (t ) = 3 + 2 t + 2 t 2
3 2 4
e ss = + + = ∞
1+ ∞ 3 0
2
11.15 Dominio del tiempo y de la frecuencia.

La descripción del comportamiento de un sistema en función del tiempo corresponde a la
representación en el “dominio del tiempo”. Si dicho sistema se alimenta con una variable de entrada
sinusoidal cualquiera, la descripción de su comportamiento en función de la frecuencia corresponde a

la representación en el “dominio de la frecuencia”. Así, la tensión que aparece en una inductancia L
recorrida por una corriente, es:
di ( t ) ( 7 )
u (t ) = L
dt
Si i(t) es la corriente alterna senoidal, la tensión será:
)
i ( t ) = I e jw t
) (8)
u ( t ) = jw L I e jw t
Si se represe la corriente en su notación compleja, quedará:
)
I = Ie jw t
(9)
U = jw L I
Igualmente para un condensador:
t
u(t ) = ∫ i ( t ) dt
0
1 ) ( 10 )
u(t ) = I e jω t
jω C
1
U = I
jω C
Con lo que se puede decir:
Dominio del tiempo d t
dt ∫ dt
0
Dominio de la frecuencia jω 1
jω
Para un elemento de retardo de primer orden, formado por un circuito RL:

di ( t )
u ( t ) = Ri ( t ) + L
dt
u(t ) L di ( t ) ( 11 )
= i (t ) +
R R dt
u(t ) di ( t ) L
= i (t ) + T ⇐ =T
R dt R
Si se vuelve al plano fasorial:
)
i ( t ) = I e jw t
u(t ) ) ) )
= I e jw t + jw T I e jw t = I e jw t (1 + jw T ) ( 12 )
R
U = I R (1 + jw T )
Se podrá obtener la función de transferencia:
Función de Parte real, Módulo Argumento

transferencia imaginaria
I ωT Im[ F ( jω )]
Re[ F( jω)] =
1
F ( jω ) = = ϕ (ω ) = arctg =
U R(1+ω2T2) R (1 + ω 2 T 2 ) Re[ F ( jω )]
1 1
= Im[ F( jω)] = = arctg(−ωT ) = − arctg(ωT )
R(1 + jwT ) R(1+ω2T2)
A partir de estas ecuaciones se puede obtener el diagrama de Bode. Consiste en presentar las
salidas que un sistema físico continuo va a generar, en función de una entrada dependiente de la
frecuencia f o w. Los diagramas del Bode constan de dos gráficas: el módulo o amplitud, que se calcula
como 20log F ( jω ) (dB), y la fase o argumento del sistema. A parte del reconocimiento de la
respuesta ante una entrada determinada las diagramas de Bode son útiles en el cálculo de la estabilidad
de un sistema de control.
Ganancia dB
-10
-20
-30 -1 0 1
10 10 10
Frequencia (rad/seg)
0
-30
Fase º
-60
-90
-1 0 1
10 10 10
Frecuencia (rad/seg)
Figura 2. Diagrama de Bode, ganancia y fase.
11.16 Respuesta en frecuencia.

En el apartado anterior se ha mostrado como se llega al cálculo de la función de transferencia
que caracteriza a un sistema. Mediante dicha función se puede conocer la respuesta del sistema ante
diferentes entradas tipo.
Un camino alternativo para el análisis y diseño de sistemas es el método de la respuesta en
frecuencia.
Definición: “La respuesta en frecuencia de un sistema se define como la respuesta del sistema
en estado estacionario a una señal sinusoidal de entrada”.
Ventajas: Disponibilidad de señales de prueba sinusoidales para diversos intervalos de
frecuencia y amplitud.
Desventaja: El vínculo entre el dominio del tiempo y de la frecuencia.
∞
F (s) = L{ f (t )} = ∫ f (t ) ⋅ e − st
dt
0
F ( jω ) = F { f (t )} = ∫ f (t ) ⋅ e − jωt
dt
−∞
Si f(t) ∃ ∀ t ≥ 0 los límites inferiores coinciden . Las dos ecuaciones sólo difieren en la
variable compleja.
Si Lf1(t) = F1(t)
La transformada de Fourier será haciendo
S = jω
F f1(t) = F1(jω)
11.16.1 Diagrama de bode

Supónganse el circuito RC.
Vo(s) = R⋅ I(s)
1
Z ( s) = +R
cs
Vj ( s)
I ( s) =
1
+R
cs
Supongamos que RC = ¼
V0 (s) R RCS
= =
Vi (s) 1 1 + RCS
+R
cs
V0 ( jω ) jωRC jω
= G ( jω ) = =
Vi ( jω ) 1 + jωRC jω + 4
jω ω
Amplitud A(ω ) = G ( jω ) = =
jω + 4 ω + 16
2
ω
Fase φ (ω ) = G ( jω ) = 90º − arctg 
 4
Si la entrada al sistema es vi(t) = 3cos(7t+30º) , su salida es una sinusoide de la misma
frecuencia 7 rad/s, pero con amplitud y fase diferente.
7 7
A(ω ) ω = 7 = = = 0,87
72 + 16 65
 7
φ (ω ) ω = 7 = 90º − arctg  = 90º −60º = 30º ⇒ vo= 2,6 cos(7t+60º)
 4
En general para un sistema:
bm sm + bm− 1sm−1 + bm − 2 sm− 2 +...+b1s + bO

G ( s) H ( s ) =
an sn + an − 1sn −1 + an − 2 sn − 2 +...+ a1s + aO
Su respuesta en alta frecuencia será:
b 
lim G ( jω )H ( jω ) =  m  ⋅ j m− n ⋅ ω m − n
ω →∞  am 
6s 3 + 2s 2 + 3s
Por ejemplo si G ( s) H ( s) =
s 5 + 4s 4 + 2s 3 + s 2 + 10
G ( jω ) 3 6
lim G ( jω ) H ( jω ) = 5 ⇒ A(ω ) = G ( jω ) H ( jω ) ≈
ω →∞ ( jω ) ω2
φ (ω ) = G ( jω )H ( jω ) ≈ −180º
Su respuesta en baja frecuencia será:
 3ω
3 jω  A(ω ) = G ( jω )H ( jω ) =
G ( jω )H ( jω ) ≈ ⇒ 10
10  φ (ω ) = G ( jω )H ( jω ) ≈ 90º

En este apartado veremos la respuesta de los sistemas ante entradas periódicas para conocer su
poder de amplificación y de desfase con respecto a la entrada. Para ello veremos los factores básicos
que pueden presentarse.
11.16.2 Ganancia K
Si la ganancia es mayor que la unidad su magnitud en decibelios es positiva, correspondiendo
los valores negativos a las inferiores a uno. El variar la ganancia en una función de transferencia sólo
significa desplazar ésta hacia arriba o hacia abajo, sin influir en el argumento.
G ( s) = K ⇒ G ( s ) = 20 log K = constante
( 1)
θ = arg K = 0 (K > 0)
30
Ganancia dB
20
10
0 2 3 4
10 10 10
1
Fase º
Figura 1 Respuesta en frecuencia de S ( s ) = K
11.16.3 Factores derivativos e integral.

Estos términos se diferencian entre si por el signo de las pendientes y del argumento, que
respectivamente tomarán valores múltiplos de 20 db/década y 900.
G (s) = ( jw T ) ± n ⇒ G ( s ) = ± n ⋅ 2 0 lo g w T
( 2)
arg ( w T ) =
±n
θ = ± n ⋅ 90
100
Ganancia dB
50
-50 -1 0 1 2 3 4
10 10 10 10 10 10
91
Fase º
90
89 -1 0 1 2 3 4
10 10 10 10 10 10
Figura 2 Respuesta en frecuencia de S ( s ) = Ts

Igualmente se pueden obtener las siguientes gráficas del factor integral, donde hemos
representado también las asíntotas
20
Ganancia dB
-20 -1 0 1
10 10 10
-89
Fase º
-90
-91 -1 0 1
10 10 10
Figura 3 Respuesta en frecuencia de S ( s ) = 1

Ts
En estos términos se denomina pulsación de corte a la pulsación de ganancia 0db, es decir,
cuando la curva corta al eje de pulsaciones.
11.16.4 Factores de primer orden.
( )
 2 0db si w T << 1
 (1 + j w T ) ⇒ n 2 0 l o g (1 + j w T ) = n 2 0 l o g 1 + w T ( 3)
n
= 
  n 2 0 l o g w T d b s i w T > >1



( ) (w T ) 0d b si w T << 1
−n 2
 1+ jw T ⇒ − n 2 0 l o g (1 + j w T ) = − n 2 0 l o g 1 + = 
  − n 2 0 l o g w T d b s i w T > >1
Figura 4 Respuesta en frecuencia de S ( s ) = 1

Ts + 1
Figura 5 Respuesta en frecuencia de S ( s ) = Ts + 1

La pulsación de corte será la intersección entre las asíntotas de ganancia 0db y de pendiente
20db/déc. En la curva real este punto corresponde al punto de ganancia ±3db.
El cálculo del argumento será:
  wT 
n
 (1 + jw T )
n
⇒ θ = a rg   = n a rc tg w T
  1  ( 4)
 −n
  1 
 (1 + jw T )
−n
⇒ θ = a rg   = − n a rc tg w T
  wT 
Como en el caso anterior, los términos se diferencian entre sí por el signo de las pendientes y
del argumento, que respectivamente tomarán valores múltiplos de 20 db/déc. y 900.
Como resumen, un polo establece en la ganancia una transición negativa de pendiente de +1 a
0, de 0 a -1, de -1 a -2 o de -2 a -3. Asociado con un retraso de fase en cada caso de 90º por década.
Los ceros por su lado causan una transición positiva de pendiente de -1 a 0, de 0 a +1, de +1 a +2 o de
+2 a +3. Asociado con un adelanto de fase en cada caso de 90º por década.
11.16.5 Factores cuadráticos.

2 2
 jw   jw 
2
 w 2   2 δw 
± 20 log 1 + 2 δ   +  = ± 20 log  1 −  +
2
 ( 5)
 wc   wc   wc   w c 
   0 db si w << w c
 jw   jw  
2
 
 20 log  1 + 2 δ  +
    =  w
 
  wc   wc  
  40 log w db si w>> w c
 c ( 6)



 2 −1  0 db si w << w c
  jw   jw   
 20 log 1 + 2 δ   +   =  w
   w c   w c    − 40 log w db si w>> w c
  c
Al igual que en el caso anterior la representación está formada por dos asíntotas, una nula y
otra de una pendiente de ±40db/déc. La intersección de ambas define la pulsación de corte, en la curva
real dicho pulsación será la que haga la ganancia igual a ±3db. Los argumentos para estos términos
serán:
  
 2  2 δw 
1 + 2δ  jw  +  jw  ⇒ θ = arctg wc 
      2
 wc   wc 
  1 −  w  
   wc   ( 7)

  
 2 −1  2 δw 
 jw   jw    wc 
 1 + 2δ   +    ⇒ θ = − arctg
   w c   w c    2
 1 −  w  
   w c  
 
Las asíntotas son independientes del valor de δ pero la curva real tiene una forma distinta en
los puntos próximos a ω=ωc debido a los diferentes valores que puede tomar el factor de
amortiguamiento. Para 0<δ<0.7 existe un máximo de ganancia a la pulsación de valor
ω = ω c 1 − 2 δ 2 . A dicho valor máximo se le denomina pico de resonancia. Dicho valor es:
( )
2 2
 w 2   2 δw 
± 20 log  1 − 2  +  = ± 20 log 2 δ 1 − δ 2 ( 8)

 wc   wc 
w = wc 1− 2 δ 2
Para valores δ>0.7 no existe pico de resonancia

20
0.1
0.3
Ganancia dB
0
0.9
-20
-40 -1 0 1
10 10 10
0
0.1
0.3
0.9
Fase º
-90
-180
-1 0 1
10 10 10
Frecuencia (rad/seg) w/wn
ω n2
Figura 6 Respuesta en frecuencia de s
2
+ 2 ε ω n s + ω n2
En los diagramas de Bode se suelen definir los siguientes conceptos: el margen de ganancia
(margen entre 0db y la ganancia a la frecuencia en que la fase es de -1800) y el margen de fase (margen
entre la fase de la frecuencia de ganancia 0db y -1800).
11.17 Respuesta en frecuencia en los amplificadores.

V L(s) h fe(RC||R L )(RB||hie )

CC → ∞,C E → ∞;AV (s) = =-
VS (s)  1 
 hie RS + + R B||hie 
 CS s 
v L = − h fe·ib(RC||R L )
 1 
hie·ib  hie RS + + RB||hie 
v L (RB||hie )  CS s 
vb = = hie·ib 
→ v S =
1 RB||hie
RS + + R B||hie
CS s
R B ·hie
h fe(RC||R L ) CS s
RB + hie h fe(RC||R L )RB C S s h fe(RC||R L )RB CS s
AV (s) = − =− =− ·
(RS + RB||hie )C S s + 1 (RB||hie )(1 + (RS + RB||hie )C S s ) R B||hie 1 + s(RS + R B||hie )
h fe(RC||R L )RB
R B||hie jω
AV (jω) = − ·
RS + R B||hie 1
jω +
(RS + RB||hie )C S
Operando con Avm:

(RC||R L )R B R B (RC||R L )(R B + hie ) R B (RC||R L )
Avm = − h fe · = −h fe · = − h fe ·
  (R B + hie )(RS (R B + hie ) + R B ·hie ) (RS R B + (RS + R B )hie )
(R B + hie ) RS + R B ·hie 

 R B + hie 
Ganancia a frecuencias medias

Esta expresión (puede comprobarse) coincide con la ganancia en tensión sin considerar CS, es
decir, haciendo CS =inf.
V L ( jω)
La representación de 20· log tiene un cero en el origen y un polo en
V S ( jω)
1 1
ω CS = =
T (RS + R B || hie )C S
Cálculo de la ganancia a frecuencias medias:
v L = −hfe i b (R c || R L )
v s (R b || hie )
i b hie =
R s + (R b || hie )
R b hie
− hfe (R c || R L )
v L − hfe (R b || hie )(R c || R L ) R b + hie hfe R b (R c || R L )
= = =−
vs hie (R s + (R b || hie )) hie (R s + (R b || hie )) (R s + (R b || hie ))(R b + hie )
CE
Cs → ∞
Cc → ∞
1
Z E = R E ||
CE s
En ambos circuitos (equivalentes) se conserva la tensión en VB
I.
VB = hie i b + Z E i b (hfe + 1)
II .
hie
VB = (1 + hfe )i b + Z E i b (1 + hfe )
1 + hie
Se conecta el resto del circuito:
Equivalente Thevenin:
Quedaría finalmente:
v L vL ic v i
Av = = ≈ L e
vs ic vs ie vs
vL
= −R c || R L
ie
v s RB 1 ie
ie = ⇒
R B + RS R' B hie vs
+ + ZE
1 + hfe 1 + hfe
R ' B = R B || R S
RE
1 CE s RE
Z E = R E || = =
CE s RE CE s + 1 1 + RE CE s
CE s
RB 1
AV = − (RC || R L )
Rs + RB R'B hie
+ + ZE
1 + hfe 1 + hfe
llamando:
RB
K= (RC || R L )
Rs + RB
R' B
A=
1 + hfe
hie
B=
1 + hfe
1 1 + RE CE s 1 + RE CE s
AV = −k = −k = −k =
A+B+
RE (1
A + B )(1 + R E C E s ) + R E
23
D + R E + DR E C E s
1 + RE CE s D
−k 1 + RE CE s
=
D + RE DR E C E s
1+
D + RE
DR E C E
llamamos : T1 =
D + RE
− k 1 + RE CE s
AV =
D + R E 1 + t 1s
1
424 3
AV Bajas
1
Cero simple en : ω c1 =
RE CE
1
Polo simple en: ω c 2 =
T1
ω C1 << ω c 2
1 + jω / ω c1
AV = − AVb
1 + jω / ω c 2
R 'B hie
d = A+B = +
1 + hfe 1 + hfe
R 'B +hie
R E CE
T1 =
1 + hfe
=
(R 'B +hie )RECE
R 'B + hie R 'B +hie + RE (1 + hfe )
+ RE
1 + hfe
1 R 'B + hie + RE (1 + hfe )
ωc 2 = =
T1 (R 'B +hie )RECE
Veamos la ganancia a frecuencias bajas:

RB
−
−k RS + R B R B (R c || R L )
AVbajas = = = =
D + RE R ' B + hie  R S R B  1 
+ R E (R + R ) + hie  + RE 
1 + hfe S B 
 R S + R B  1 + hfe 
R B (R c || R L ) R B (R c || R L )(1 + hfe )
=− =− =
R S R B hie (R S + R B ) R S R B + hie (R S + R B ) + R E (R S + R B )(1 + hfe )
+ + R E (R S + R B )
1 + hfe 1 + hfe
R B (1 + hfe )(R E || R L )
=
R S R B + (R S + R B )[hie + (1 + hfe )R E ]
A frecuencias medias χCE = 0
R B − (hfe + 1)(RC || R L )
AVmedias =
R S R B + (R S + R B )hie
CC
Como el primer caso:

jω
Av = AVm
1
jω +
CC (R C + R L )
Cuya frecuencia de corte es:
1
ωc =
CC ( RC + R L )
EFECTOS COMBINADOS:
 jω  jω + ω C1  jω 
Av = AVm    
 jω + ω Cs  jω + ω C 2  jω + ω Cc 
11.17.1 Ejemplo 1.
Dibujar el diagrama de Bode del amplificador de la figura siguiente, suponiendo que la
resistencia en la fuente es cero.
Solución.
20k ⋅ 2.2k 44k
RB = R1 || R2 = = = 1.98 kΩ
20k + 2.2k 22.2k
Calculemos la ganancia a f. Medias:
VL = - hfe⋅ib⋅(Rc||RL)
VS
ib =
(hie + (hfe + 1) RE
V L − hfe ⋅ ( RC || R L ) R || R2 500
= ≈− C = = −4
VS hie + (hfe + 1) R E hie 9.8 + 100
+ RE
hfe
RC||RL = 500 Ω
Impedancia de entrada. Frecuencia de corte CS.

Ren = RB || (hie+(hfe+1)RE) = 1.98K || (1.96K + (200+1)100) = 1.82 k
τCS =CS Ren = 50 10-6 1.82kΩ = 0.091 s
WCS = 1/τCS = 11 rad/s
Frecuencia de corte de CC.

τCc = CC (RC + RL) = 5 10-6 2kΩ = 0.01 s
WCc = 1/τCc = 100 rad/s
jw ⋅ jw ( jw) 2
Av = Avm = Avm
( jw + Wcs )( j `w + wcc ) ( jw + 11)( jw + 100)
Wcs = 11 rad/s
Wcc = 100 rad/s
11.17.2 Ejemplo 2.
Determinar la frecuencia inferior de corte para una amplificador E.C. sabiendo que :
CS = 10µF CE = 20µF CC = 1µF
RS = 1kΩ R1 = 40 kΩ R2 = 10 kΩ RE = 2 kΩ RC = 4 kΩ
RL = 2.2 kΩ
β = 100 r0 = ∞ Ω VCC = 20 V
Dibuje su respuesta en frecuencia.
Solución.
Ganancia f. medias
− hfe ⋅ RB ( RC || RL ) 100 ⋅ 8k ⋅1.41k 1.128 ⋅109

Avm= =− =− = 50.8 ≈ 51
RS ⋅ RB + ( RS + RB )hie 1k ⋅ 8k + (1 + 8)k ⋅1.576k 2.22 ⋅107
40k ⋅ 10k
RC || RL = = 8kΩ
50k
CS Ren = RB || hie ≈ 1.32 kΩ

1 1
fcs = = = 6.96 Hz
2π ( Rs + Ren )C s 2π (1k + 1.32k ) ⋅ 10 ⋅ 10 −6
CC
1 1
fCC = = = 25.68Hz
2π ( RC + RL )C C 2π (4k + 2.2k )10 −6
CE
1 1
fc1 = = = 3.97 Hz
2πRE C E 2π ⋅ 2k ⋅ 20 ⋅ 10 −6
R´ B + hie + R E (1 + hfe)
fc2 ⇒ = 330 Hz
2π ( R´ B + hie) RE C E
Capítulo 12
REALIMENTACIÓN Y ESTABILIDAD.
En todo sistema de control se distinguen dos partes fundamentales: la entrada o estímulo y la
salida o respuesta. Existen modelos de control con varias entradas y salidas; mientras que es posible que
u sistema tenga entradas no definidas introducidas por agentes externos. De otro lado, según la
naturaleza del control se pueden distinguir dos tipos de sistemas: sistemas de control en lazo abierto y
en lazo cerrado. En el primer caso la acción de control es independiente de la salida, mientras que el
segundo ésta influye de alguna forma en la salida.
12.1 Generalidades.
El sistema de control en lazo abierto genera menos problemas de estabilidad y los criterios de
diseño necesarios para hacer el sistema estable son mucho más sencillos. Además no requieren las
señales de realimentación tan precisas de los sistemas en lazo cerrado. Sin embargo, el control en lazo
cerrado presenta otras ventajas. Al depender la señal de referencia de la salida, la respuesta del sistema
es más sensible a variaciones de los parámetros y se atenúan los efectos de los ruidos y las distorsiones.
Regulador Planta
Figura 1. Sistema regulado en lazo abierto.

La función de transferencia del sistema en lazo cerrado es: C(s)/R(s)=G(s)/(1+G(s)H(s)). A la
ecuación 1+G(S)H(S) = 0 se la denomina ecuación característica del sistema y sus raíces determinan la
respuesta transitoria del sistema en lazo abierto.
R(s) + E(s) C(s)
G(s)
-
Regulador+Planta
R'(s)
H(s)
Transductor
Figura 2. Sistema regulado en lazo cerrado

Usualmente en el interior del bloque contiene la descripción o el símbolo de la operación
matemática que se va a efectuar sobre la entrada para producir la salida, las flechas representan la
dirección de la información o flujo de la señal. De otro lado, las operaciones de adición y substracción
tienen una representación especial: se representa con un círculo al que se le añaden a las flechas que
entran en el círculo su correspondiente signo + ó -.En general el diagrama de bloques representa un
sistema de una única entrada y una única salida, en el dominio de la transformada de Laplace. La señal
de entrada es R(S), la salida C(S), la señal de realimentación R’(S) y la señal de error es E(S). La función
de transferencia del sistema es G(S) y la función de transferencia de la realimentación H(S).Esto
significa que el lazo de realimentación se considera abierto a su entrada.
La realimentación es la propiedad de los sistemas de control en lazo cerrado que permite que la
salida (o alguna variable controlada) se compare con la entrada del sistema (o una entrada de algún
otro componente o subsistema) de tal forma que la acción de control apropiada se puede formar como
alguna función de la entrada y la salida.
Por último, las señales de un sistema de control son funciones de alguna variable
independiente, generalmente el tiempo. Bajo este punto de vista se distinguen entre sistemas de
control continuos o discretos. El primer caso las señales del sistemas serán dependientes en todo
momento de la variable independiente t; la señal se denomina continua o analógica. Los sistemas de
control discretos poseen señales de interés sólo en instantes determinados de la variable independiente
t; tales señales se denominan discretas en el tiempo, de datos discretos, de datos muestreados o digital. Existen
también sistemas híbridos de ambos sistemas de control
12.2 Clasificación de los amplificadores.

La clasificación que aquí hacemos se basa en el valor de las impedancias de entrada y salida del
amplificador en relación con las impedancias de la fuente y de la carga respectivamente. Se distinguen
cuatro tipos:
• Amplificador de tensión
• Amplificador de corriente
• Amplificador de transconductancia
• Amplificador de transresistencia.
12.2.1 Amplificador de tensión.

El amplificador se representa por el circuito equivalente de Thevenin de un cuadripolo. Dará
una tensión de salida proporcional a la tensión de entrada y el valor del factor de proporcionalidad es
independiente de la resistencia de la fuente y de la carga.
Debe cumplir que Ri >> Rs , R0<<RL por lo tanto se cumple que Α vVi ≅ V0 ≅ Α vVs y la
ganancia en tensión en lazo abierto es
V0
Αv =
Vi
 Ri = ∞
Si el sistema fuera ideal se cumpliría que 
 R0 = 0
 Martinez Bernia y Asoc. Capítulo 12. Realimentación y estabilidad. 3
Rs R0
+ +
+ +
Vs Vi Ri RL V0
- Av Vi
-
Figura 12.1.1
12.2.2 Amplificador de corriente.

Se representa por el equivalente Norton de un cuadripolo.
I 0 =I L
Ii
IS Rs Ri R0 RL
Ai Ii
Figura 12.1.2
En este caso se debe cumplir que R0 >> RL , Ri<<Rs. En el caso de que fuera ideal se daría que
Ri = 0 y R0 = ∞.
Vemos que con las condiciones anteriores se cumple que:
I L ≅ Ai I i ≅ Ai I s
Es decir, aumenta la salida principal a la corriente de la señal (fuente).
12.2.3 Amplificadores de transconductancia.

Se representan por el equivalente Thevenin en la entrada del cuadripolo y el equivalente
Norton a la salida.
RS I 0 =I L
VS Ri R0 RL
Vi
GmV i
Figura 12.1.3
En este caso se debe cumplir que R0 >> RL y Ri >> Rs. si fuera ideal se cumpliría que Ri = ∞ y
R0 = ∞.
I0
La conductancia viene dada por Gm = con RL = 0 (caso de cortocircuito).
Vi
Con las condiciones anteriores se cumple que:
I L = I 0 ≅ GmVi ≅ GmVs
Luego la corriente de salida es proporcional a la tensión de la fuente.
12.2.4 Amplificador de transresistencia.

Ii
R0 +
+
IS RS Ri V0
RL
R m Ii -
Figura 12.1.4
Se representa por el equivalente Norton en la entrada y el equivalente Thevenin en la salida.
En el caso ideal se daría que Ri = 0 y R0 = 0.
VL
Y además el valor de Rm viene dado por Rm = con RL= ∞ (circuito abierto).
Ii
Con las condiciones anteriores vemos que se cumple que:
VL = V0 ≅ Rm I i ≅ Rm I s
Y vemos que la tensión de salida es proporcional a la corriente de la fuente.
En el siguiente cuadro se resume lo anterior para amplificadores ideales.
PARÁMETRO TENSIÓN CORRIENTE TRANSCONDUCTANCIA TRANSRESISTENCIA

Ri ∞ 0 ∞ 0
R0 0 ∞ ∞ 0
Transferencia V0 = AV Vs IL = Ai Is IL = Gm Vs V0 = Rm Is
Circuito Thevenin Norton Thevenin Norton
entrada
Circuito salida Thevenin Norton Norton Thevenin
Debe observarse que el hecho de que para cada amplificador (por ejemplo el de tensión ) se
utilice el equivalente Thevenin, no significa que los generadores no puedan por ejemplo pasarse a
corriente como ya sabemos. Sin embargo, esto no afectará a las características del amplificador (Ri y
R0 en relación a Rs y RL ). Sólo sucede que las representaciones utilizadas son las adecuadas a cada
tipo.
12.3 Concepto de Realimentación.

Este concepto ya lo comentamos al poner algunos ejemplos en el tema anterior. Básicamente
la realimentación consiste en tomar una muestra de la señal de salida y aplicarla a la entrada previo
paso por el bloque de realimentación. En la figura siguiente se muestra un esquema general de un
amplificador con realimentación.
Ii I I 0 =I L
Red + + +
Fuente Amplificador básico Red
comparadora V if V 0f
de V if Trans. directa de
o
señal - A - muestreo -
mezcladora
Carga
If
+ Red de realimentación
Trans. inversa
Vf
-
β
AMPLIFICADOR
REALIMENTADO
Figura 12.2
12.3.1 Realimentación de tensión en serie.

+ + +
Vi RL V0
VS
- -
β V 0= V f
β V0
Figura 12.2.1
Vo V
La ganancia viene dada por: Α = ⇒ Α f = o . Como conocemos que Vs = Vi + V f y
Vi Vs
 V
 Vi = 0
además se cumple que  A entonces vemos que la ganancia tiene por expresión:
V f = βV0
V0 V0 V0 A
Af = = = =
Vs V f + Vi V0 1 + Aβ
+ βV0
A
A
Af =
1 + Aβ
12.3.2 Realimentación de tensión en paralelo.

Ii
IS A=V 0 /I i V0 RL
I f= β V 0
β V 0= V f
β V0
Figura 12.2.2
Vo Vo
La ganancia en este caso viene dada por: Α = ⇒ Αf = . Se ve que I s = I i + I f
Ii Is
 V
 Ii = 0
y se cumple que  A entonces:
 I f = βV0
V0 V0 V0 A
Af = = = =
I s I f + I i V0 1 + Aβ
+ βV0
A
A
Af =
1 + Aβ
12.3.3 Realimentación de corriente en serie.

I0= ΙL
Vi
A= I 0 /V i RL
β =V f /I 0
Figura 12.2.3
Io
La ganancia viene dada por: Α f = . Como conocemos que Vs = Vi + V f y además se
Vs
 I
 Vi = 0
cumple que  A entonces vemos que:
V f = βI 0
I0 I0 I0 A
Af = = = =
Vs V f + Vi I0 1 + Aβ
+ βI 0
A
A
Af =
1 + Aβ
El valor de A es el definido por la transconductancia.
12.3.4 Realimentación de corriente en paralelo.

Ii
I 0 =I L
IS A=I 0/I i RL
If
β=I f/I 0
Figura 12.2.4
 I
Io  Ii = 0
En este caso : Α f = . Con I s = Ii + I f y de nuevo se cumple que  A
Is  I f = βI 0
entonces vemos que la ganancia tiene por expresión:
I0 I0 I0 A
Af = = = =
Is I f + Ii I0 1 + Aβ
+ βI 0
A
A
Af =
1 + Aβ
El valor de A viene definido por el amplificador de corriente.
12.4 IMPEDANCIA DE ENTRADA CON REALIMENTACIÓN.

12.4.1 Realimentación en serie.

Ii
R0
R if Vi Ri V0 RL
AV i
Vf
β=V f /V 0
Figura 12.3.1
Vs
La impedancia de entrada viene dada por Ζ if =
. Como nosotros conocemos que
Ii
Vi + V f = Vs entonces Vi + V f = Vs = I i Ri + βV0 = I i Ri + βΑI i Ri = (1 + βΑ )I i Ri por lo
Vs
tanto el cociente viene dado por Z if = = Ri (1 + βΑ ) ⇒ Z if = Ri (1 + βΑ )
Ii
12.4.2 Realimentación en paralelo.

Ii
+
R0
IS V0 RL
AI i -
I f =βV 0
β=I f /V 0
Figura 12.3.2
Vi
Ζ if = . Como nosotros conocemos que Ii + I f = I s entonces
Is
V Ri
I i + I f = I s = i + βV0 = i + βΑ i = (1 + βΑ ) i por lo tanto Z if = i =
V V V V
⇒
R Ri Ri Ri I s 1 + βΑ
Ri
Z if =
1 + βΑ
12.5 IMPEDANCIA DE SALIDA CON REALIMENTACIÓN.
12.5.1 Realimentación de tensión.

I
R0
Vi Ri V0 RL
AV i
Vf
β=V f/V 0
Figura 12.4.1
Para poder obtener el valor de al impedancia de salida hacemos Vs = 0 por lo que nos queda
la relación siguiente:
V0
Vi = −V f = −V0 β . La expresión de la impedancia es Z0 f = . Como
I
V0 R0
V0 = IR0 + AVi = IR0 − AβV0 ⇒ Z0 f = =
I 1 + Aβ
R0
Z0 f =
1 + Aβ
12.5.2 Realimentación de corriente.
I I0
VS Vi Ri
AV i R0 V RL
Vf
β=V f/I 0
Figura 12.4.2
Haciendo la tensión de entrada igual a cero , como antes, y considerando que
Vi = −V f = − βI 0 = βI tenemos que la impedancia de salida viene dada por:
V V V V
Z0 f = donde I = − AVi = − AβI y de aquí sacamos que I (1 + Aβ ) =
I R0 R0 R0
Z 0 f = R0 (1 + Aβ )
12.6 EFECTO DE LA REALIMENTACIÓN SOBRE EL ANCHO DE BANDA.

A
Hasta ahora nosotros hemos visto que se cumple que A f = .
1 + Aβ
Si nosotros lo que tenemos es un amplificador operacional se cumplirá que
A 1
βΑ〉〉1 ⇒ A f = = , es decir que sólo depende de la red pasiva.
βA β
A0
Si por otro lado sabemos que A( jw) = donde A0 es la ganancia en frecuencias
1 + jwT
medias y 1/T es la frecuencia de corte, entonces 0
De aquí podemos deducir que al ganancia en frecuencia s medias A0f se ha reducido en
y la frecuencia de corte es wc1 = 1 / T1 que desplaza a la antigua wc (1 + A0 β ) .
1
1 + A0 β
 A0 f 〈 A0
Se cumple entonces que A0 f wc1 = A0 w0 ⇒  donde se ve incrementado el ancho
 wc1 〉 wc
de banda.
12.7 DESENSITIVACIÓN.
La sensitividad de una función de transferencia Af respecto a un parámetro x se define como:
dA f ( jw)
A f ( jw) x dA f ( jw)
Sx f = =
A
en general la ganancia en lazo abierto A(w)
dx A f ( jw) dx
x
varía en función de al temperatura y dispersión de los dispositivos semiconductores. El amplificador
realimentado apenas las detecta.
Af =
A
como
dA f
=
(1 + Aβ ) − Aβ =
1
sustituyendo nos queda que
1 + Aβ dA (1 + Aβ )2 (1 + Aβ )2
A dA f A(1 + Aβ ) 1 1
Sx f = = =
A
A f dA A (1 + Aβ ) 1 + Aβ
2
12.7.1 Ejemplo 12.5.1.

100
Si A = 100, β = 1 entonces A f = = 0.990 .
101
200
Si aumentamos A = 200, β = 1 entonces A f = = 0.995 .
201
Ante un salto en la linealidad Af es prácticamente lineal.
12.8 Circuitos prácticos de realimentación
12.8.1 Amplificador operacional
Vi
VS V0
-
R1
Vf R2
R2
β=
R1 + R2
Si A =100.000 y R1= 1,8kΩ, R2= 200Ω,
R2 200
β= = = 0,1
R1 + R2 200 + 1800
Realimentación de tensión en serie:
A 100.000 100.000
Af = = = = 9,999
1 + Aβ 1 + 0,1·100.000 10.001
1 1
Como βA>>1 entonces: Af ≈ = = 10
β 0,1
12.8.2 Seguidor de tensión
RB RC
V0
VS
Vf RE
Vi
RE β
V0 R β ib hie = R E β
A= = E =
Vi Vi Vi hie
Vf
β = =1
V0
Realimentación de tensión en serie
hie
βre
βib
Vf=0
RC RB hie
RB Vi
V0
V0 RE
RE β
A RE β
Af = = hie = ≈ 1 ⇒ RE β >> hie
1 + Aβ RE β hie + RE β
1+
hie
12.8.3 Emisor común.

V cc
RB RC
C V0
+
Vi
- I0
VS
Vf
RE
I0 βib β
A= =− =−
Vi hie·ib hie
Vf I 0 RE
β= =− = − RE
I0 I0
Realimentación de corriente en serie
I0
S i n R e a li m e n t a c i ó n
Ib
hie
β re
RC
VS RB V0
β ib
C o n R e a l i m e n ta c i ó n
RE
β
−
Af =
A
= hie = − 1
1 + Aβ β re + RE
1+ RE
hie
Z i = RB || hie ≈ hie
Z 0 = RC
 R 
Z if = Z i (1 + βA) ≈ βre 1 + E  = βre + βRE = β (re + RE )
 re 
 R 
Z 0 f = Z 0 (1 + βA) = RC 1 + E 
 re 
12.8.4 Amplificador operacional ideal
R0
If
R1
Vi -
Ii V0
+
V0
A= =∞
Ii
If If 1
β= =− =−
V0 I f R0 R0
Realimentación de tensión en paralelo
A 1
Af = = = − R0
1 + Aβ β
V0 I i 1 R
Si buscamos: Avf = · = ( − R0 ) = 0 , que es lo mas usual.
I i Vi R1 R1
12.9 DIAGRAMAS POLARES.
12.9.1 Factores integral y derivativo G ( jw) = ( jw)

±1
Vamos a estudiar cada uno de estos factores mediante los diagramas polares.
G ( jw) = ( jw)
−1
•
G ( jw) = ( jw) = = − j = (− 90° poniéndolo en módulo y argumento.

−1 1 1 1
jw w w
Vamos a estudiar su valor en dos casos importantes:
* w = 0 ⇒ G ( jw) = ∞
* w = ∞ ⇒ G ( jw) = 0
Su diagrama polar es en el eje imaginario negativo:
Im
1/jω
ω= Re
Figura 12.7.1.1
• G ( jw) = jw
G ( jw) = jw = w | 90°
De nuevo volvemos a estudiar los dos casos significativos:
* w = 0 ⇒ G ( jw) = 0
* w = ∞ ⇒ G ( jw) = ∞
Im
jω
ω=0 Re
Figura 12.7.1.2
12.9.2 Factores de primer orden (1 + jwT ) .

±1
G ( jw) = (1 + jwT )
−1
•
1 − jwT
G ( jw) = (1 + jwT ) =
−1 1 1
= | −arctg ( wT ) =
1 + jwT 1+ w T
2 2 1 + w 2T 2
w 2T 2
G ( jw) =
1
+ | − arctg ( wT )
(1 + w T ) (1 + w T )
2 2 2 2 2 2
* w = 0 ⇒ G ( jw) = 1 | 0º
* w = ∞ ⇒ G ( jw) = 0 | − 90º
*w = 1 ⇒ G ( jw) = 1 | − 45º
T 2
Im
ω=0
ω= 1/2
|
Re
ω=1/Τ
Figura 12.7.2.1
• G ( jw) = 1 + jwT
G ( jw) = 1 + jwT = 1 + w 2T 2 | arctgwT
* w = 0 ⇒ G ( jw) = 1 | 0º
* w = ∞ ⇒ G ( jw) = ∞ | 90º
Im
ω=0
1 Re
ω=1/Τ
Figura 12.7.2.2
12.9.3 Factores cuadráticos.

En este caso vemos que se cumple que:
±1
  w   w 
2

G ( jw) = 1 + 2ξ  j  +  j  
  wn   wn  
G ( jw) =
1 1
=
 w  w
2
w 2
2ξw
1 + 2ξ  j  +  j  1− 2
+ j
wn wn
 w n   w n 
2
 w  2ξw
1 −  
G ( jw) =  wn  −j
wn
2 2
  w 
2
  2ξw  2
  w 
2
  2ξw  2
1 −    +  1 −    + 
  wn    wn    wn    wn 
   
y el módulo viene dado por:
G ( jw) =
1
2
 2 
1 − w  +  2ξw 
 
 w  2  
 n   wn 
lim w→0 G ( jw) = 1 − j 0 = 1 | 0º
lim w→∞ G ( jw) = 0 | − 180º
Podemos concluir que no depende de ξ.
El corte con el eje imaginario es
2
1 −  w 
 wn  = 0 ⇒ w = wn
2
  w 
2
  2
1 −    +  2ξ w 
  wn    wn 
 
y este punto y es igual a:
w
− 2ξ
wn − 2ξ − 1
y w= w = = =
n
  w 2 2
  2 4ξ 2 2ξ
1 −    +  2ξ w 

  wn    wn 
  w = wn
Im
ω ω=0
1 Re
ωn
ε aumenta
Figura 12.7.3.1
12.10 CRITERIO DE ESTABILIDAD DE NYQUIST.

“Cuando un sistema es atacado por una entrada senoidal, la salida será senoidal de igual
frecuencia angular pero con diferente amplitud y con diferencia de fase.
El método de Nyquist establece que: Un sistema da lazo cerrado es inestable ante una entrada
senoidal cuando en lazo abierto para un retraso de fase de 180º,la ganancia es mayor que 1.”
Esto es, si el sistema ocasiona un cambio de fase de 180º, la señal de realimentación estará en
fase con la entrada y se sumará a ella en lugar de restarse. Si la amplitud es menor que la entrada,
podemos alcanzar el régimen permanente, pero si es mayor que la entrada, al pasar a través del sistema
continuará creciendo.
Im
Inestable
(−1,jω) Re
φ=180 º
Estable
Figura 12.8
12.10.1 Margen de ganancia.

Es el factor en que puede incrementarse la ganancia antes de que ocurra la inestabilidad.
1 = MG G ( jw) φ =180°
En decibelios:
MG = 20 log 1 − 20 log G ( jw) φ =180°
Cuanto más negativo, más estable es.

Si la curva nunca corta al eje de abcisas el MG =∞, mientras que si la curva corta al eje de
abcisas antes que 1 el MG es positivo , cuando rodea al punto (-1 + j0) será negativo o puede ser 0.
12.10.2 Margen de fase.

Es el ángulo que hay que girar para que la magnitud alcance el punto (-1 + j0), o sea, que
G ( jw) = 1
|G(jω)| =1 80º
MG
1=|G(jω )|
Figura 12.8.2
12.11 Osciladores
vi vi +v f v0
+ A
+
vf
Figura 12.9.a
v0 = A(vi + v f ) = A(vi + βv0 )
v0 A
v0 (1 − βA) = Avi ⇒ A f = =
vi 1 − Aβ
Queremos que v0 ≠ 0 siendo vi = 0 , de forma que obtenemos: 1 − Aβ = 0
Re( Aβ ) = 1
Aβ = 1 
Im( Aβ ) = 0
Si A no es reactivo, entonces:

Re(β ( jw0 )) =
1
 A
Im(β ( jw0 )) = 0
Esta condición se conoce como criterio de Barkhausen, y es suficiente para que se

produzcan oscilaciones autosostenidas, aunque lo que realidad sucede es que:
Re( Aβ ) > 1
El sistema empieza a oscilar amplificando la tensión de ruido que siempre está presente.
Figura 12.9.b
RLC  E − V0 E − V0 1
1 →I = =
V0 = ∫ idt   R 1  L S + 2ξwn S + wn
2
C  L S 2 + S + 
 L CL 
... donde
R C 1
ξ≡ , y wn =
2 L LC
i (t ) =
E − V0 1
L wn
wn
1−ξ 2
(
e −ξwnt sen wn 1 − ξ 2 ·t )
12.11.1 Oscilador senoidal
V amp V0
R0
+
Z1 AvV 13 Z1
Z3 Z3
Z2 Z2
v amp v0
V=0
Av Z L /(R 0 +Z L )
-
Z 2 /(Z 1 +Z 2 )
Figura 12.9.c
Av Z 2
A=
R0 + Z L
Z2
β=
Z1 + Z 2
Z1 Z2 Z3
Colpitts C C L
Hartley L L C
Se puede utilizar también etapas con BJT o FET.
12.11.2 Oscilador Colpitts

1 1
Z1 = Z2 =
SC1 SC 2 Z 3 = SL
 1 1  SC + SC 2
SL +  SL 12
L(SC1 + SC 2 )
ZL =  1
SC SC 2  S C1C 2 LS
= = =
SL +
1
+
1 SC1 + SC 2 + SL S C1C 2
2
( )
C1 + C 2 + S LC1C 2
2
S 2
L
C1C 2
+1
SC1 SC 2 S 2 C1C 2 C1 + C 2
LS C1C 2
ZL = Ceq =
S LC eq + 1
2
C1 + C 2
LS LS 
S LC eq + 1
2 
Av Z L R0 
A= = Av = Av
Z L + R0 LS LS 
+ R0 S 2 LC eq + +1 
S LC eq + 1
2
R0 

1 1 
Z2 SC 2 SC 2 SC1 C1 
β= = = = = 
Z1 + Z 2 1 1 SC1 + SC 2 SC1 + SC 2 C1 + C 2 
+
SC1 SC 2 S 2 C1C 2 
LS
R0 C1
Aβ = Av · ≡ AL en donde AL es la ganancia del lazo.
LS C1 + C 2
S LC eq +
2
+1
R0
En este circuito existe un amortiguamiento debido a la parte negativa de los polos, por lo
tanto, si se añade R+ de manera que aumente R0 y L → 0 , entonces:
R0
LS
Av
C1 R0 1
AL = f oscilación =
C1 + C 2 S LC eq + 1
2
2Π LC eq
Se utiliza en los sintonizadores no electrónicos de televisión, donde los condensadores son
fijos y variamos L para sintonizar cada emisora.
12.11.3 Oscilador en puente de Wien.
Fig.5.3: Puente de Wien para medida de frecuencias.
R4 R3
4 - V0 3
+ V' 0
C1
R2
R1
C2
2
Fig.5.4: Generador senoidal en puente de Wien.
Se desconecta P y se aplica V0| entre los puntos 3 y 4.
V0 AvVi
= | = − βAv
V0| V0
Vi V2 − V1 V2 V1 Z2 R4
−β = = = | − | = −
V0|
V0|
V0 V0 Z 1 + Z 2 R3 + R4
R
CS
1
R+
Z2 CS 1 1
= = =
Z1 + Z 2 R  1 
2
1
R +  RCS + 3 +
1 CS RCS
R+ + 1+  CS 
CS 1
R+ R
CS CS
Sustituyendo S=jω, obtengo:

Z2 1 1 1
= = , con w0 ≡
Z1 + Z 2 1  w w0  RC
jwRC + 3 + 3 + j  − 
jwRC  w0 w 
De esta forma obtengo:
1 R4
−β = −
 w w0  R3 + R4
3 + j  − 
 w0 w 
Figura 12.9.2.1
A  Re( Aβ ( jw)) = 1
Af = ⇒ 1 − Aβ = 0
1 − Aβ Im( Aβ ( jw)) = 0
Si A es no reactivo, entonces:
1  1
Re(β ( jw)) =
1 R4 R4 1 1 R4 1
→  −  = → = − → <
A  3 R3 + R4  A R3 + R4 3 A R3 + R4 3
R3
>2 R3 debe ser algo superior a 2R4 para que se autodispare el oscilador.
R4
 
 
Im(β ( jw)) = 0 → Im =0
1
  w w0  
3 + j  −  
  w0 w  
w = w0
El circuito final se presenta en la figura siguiente donde los diodos llevan a cabo el control
automático de la ganancia. Si la tensión de salida aumenta, la resistencia del diodo que esté
conduciendo disminuye por incrementarse la corriente instantánea que circula por él. En consecuencia,
el factor de realimentación negativa disminuye y la ganancia toma un valor inferior a 3, amortiguando
la amplitud de la oscilación. En la situación contraria (si disminuye la salida) la resistencia del diodo
aumentará y la ganancia sobrepasará el valor de 3, provocando en la salida oscilaciones de amplitud
creciente.
Fig.5.5: Generador senoidal práctico.

Por último haremos algunas consideraciones de orden práctico. Según la expresión anterior el ajuste de
la frecuencia de oscilación puede hacerse a través de R o de C. Normalmente es preferible variar las dos
resistencias R de forma continua e idéntica mediante un potenciómetro doble. La variación de C debe hacerse
con valores discretos dentro de los disponibles en el comercio, evitando utilizar condensadores electrolíticos. Es
habitual la colocación de un BUFFER a la salida del oscilador para proteger el circuito de posibles sobrecargas y
permitir la alimentación de cargas de baja impedancia de entrada.
Señalar por último que utilizando un operacional más rápido se conseguirían mejorar los resultados y
ampliar el margen de frecuencias con que diseñar los circuitos.
12.12 Multivibrador astable (onda cuadrada).

Un multivibrador es un circuito que presenta solamente dos estados de salida: alto y bajo. El primero de
una cierta amplitud en relación al segundo, que normalmente está en el nivel cero, o sea, en la tensión de
referencia. La forma de la señal de salida tiene como patrón un impulso rectangular (o cuadrado). Los
multivibradores se clasifican en tres tipos:
• monoestable: posee un único estado estable de salida al que siempre vuelve
• biestable: conmuta entre dos estados estables si se cumplen ciertas condiciones
• astable: conmuta constantemente de estado entre los dos posibles, dando lugar a un tren de impulsos de
determinada frecuencia, es decir, no existen estados estables.
El multivibrador astable que veremos será el representado en Fig.5.1:
Fig.5.1: Generador onda cuadrada y señales de salida.

El circuito anterior genera una señal cuadrada cuya amplitud varia entre ±Vsat y cuya frecuencia puede
ser seleccionada a través de R1. Al alimentar el operacional a ±V su salida se encontrará inicialmente en uno de los
estados de saturación. En la entrada no inversora existe una frácción de esta tensión de salida:
R3
Vi = Vc − Vb = Vc − Vsat = Vc − βVsat
R2 + R3
Si Vi < 0 ⇒ V S = +Vsat
Si Vi > 0 ⇒ VS = −Vsat
Consideremos un instante en el que Vi < 0 o bien Vc < βV sat . El condensador se va

cargando exponencialmente hacia Vsat . La salida VS = Vsat hasta que Vc = βVsat , momento en el que
la salida VS = −Vsat , y Vc se carga hacia Vsat .
 −
t

Vc = Vsat 1 − (1 + β )e R1C

 
Se cumple que VS = Vsat cuando t=T/2 :
 −
T /2
 1+ β 
βVsat = Vsat 1 − (1 + β )e R1C  ⇒ T = 2 R1CLn 
  1− β 
 2R 
T = 2 R1CLn1 + 3 
 R2 
Figura 12.9.3.2
1
C∫
E = Ri + idt
I (S ) U 0 E 1 q
RI ( S ) + + = donde U 0 = ∫ idt = 0 , y q0 es la carga inicial.
CS S S C t = 0 C
E/S resulta de hacer la transformada de Laplace al potencial escalón.
 1  E −U0
⇒ I ( S ) = (E − U 0 )
C
I ( S ) R + =
 CS  S RCS + 1
E −U0 1
I (S ) =
R 1
S+
RC
Haciéndole la transformada inversa:
E − U 0 − RC
t
i (t ) = e
R
t
−
U R = R·i (t ) = (E − U 0 )e RC
t
−
U C = E − U R = E − (E − U 0 )e RC
En este caso:
U 0 = − βVsat   −
t

⇒ U C = Vsat 1 − (1 + β )e RC
E = Vsat   
Para obtener una salida de un valor distinto al de ±Vsat podemos utilizar a la salida la red de
resistencia y diodos zener mostrada en la Fig.3.4, aunque también podemos reducir la tensión de alimentación al
valor que nos convenga.
12.13 Generador de onda triángular.
Mostramos a continuación un generador de onda triángular que requiere dos A.O.: uno para generar una
rampa mediante la carga de un condensador (generador de rampa o integrador) y otro que conmute el signo de la
tensión de carga (un comparador). El primero se encuentra en configuración inversora y el segundo en no
inversora, esto significa que en cada semiperiodo cada una de las salidas evolucionan a signo opuestos.
Fig.5.2: Generador de onda triángular y señales de salida.

Como ya se vio cuando estudiamos el comparador, éste se encuentra siempre en uno de los estados de
saturación. Y dependiendo de dicho estado, el condensador del integrador se cargará a una tensión positiva o
negativa. Con los valores de resistencias nos podemos ir a la ecuación 3.7 y calcular las tensiones de disparo o
márgenes de la histéresis:
 1 
V DI =  1 +  V R − ( + V sat ) 
1
 n n  nR '
 siendo n = (5.6)
 1
V DS =  1 +  V R − ( − V sat )
1 R
 n n 

Estas expresiones son las generales para el caso de que se aplicase una tensión de referencia en la
entrada no inversora del integrador. En este montaje estamos en el caso particular de VR=0.
Partiendo de los primeros instantes de funcionamiento del circuito podemos suponer que inicialmente la
salida del comparador VS2 está en saturación positiva, y que el condensador esta descargado. En estas condiciones
VS1 tendería a -Vsat (por ser un montaje en inversor), el condensador se cargará a dicha tensión pero sólo lo podrá
hacer hasta el valor VDI, pues al alcanzar dicho valor el comparador basculará a +Vsat, e igualmente basculará el
sentido de carga del condensador.
Para el cálculo de la frecuencia estudiamos la señal de salida del integrador representada en la figura 5.2,
considerando el origen de estudio t0=0:
1 t V 1 t 
V S1 (t ) = − ∫ Vsat dt = − sat t + V DS = Vsat  −  (5.7)
R1C t 0 = 0 R1C  n R1C 
junto con 5.6 y 5.7 obtenemos que para t1 :
1 t1  1 t1 
V S 1 (t 1 ) = Vsat  −
1
 = V DI ⇒ Vsat  −  = − Vsat (5.8)
 n R1C   n R1C  n
simplificando :
t1 2 2 R1C 1 n
= ⇒ t1 = ⇒ f = = (5.9)
R1C n n 2t 1 4 R1C
En este mismo montaje podemos obtener simultáneamente ondas cuadradas (VS2) y ondas triangulares
(VS1).
12.14 El C. Integrado 555.
Para aplicaciones tales como: osciladores, generadores de pulso, generadores de rampa u onda
cuadrada, multivibradores de un disparo, y alarmas de robo, requieren circuitos capaces de producir
señales a intervalos de tiempo concretos. El circuito temporizador integrado más popular es el 555.
Este es en realidad una aplicación de los A.O., ya que su circuito interno consta: de dos comparadores,
un transistor de descarga, un biestable RS, una etapa de potencia y tres resistencias de 5KΩ (de ahí su
nombre). La Fig.6.1 muestra su diagrama de bloques.
Fig.6.1: Diagrama de bloques funcional del 555.

Terminales de suministro de alimentación (1-8): El terminal 1 es el de tierra, y el terminal 8 es el de
suministro de tensión positiva Vcc, dicha tensión puede estar comprendida entre +5V y +18V (apreciar
que con estos valores la salida de los comparadores sólo puede ser positiva). La circuitería interna
requiere cerca de 0.7mA por voltio suministrado para establecer las corrientes internas de polarización.
La disipación máxima de la pastilla es de 600mW.
Terminal de salida (3): El terminal de salida puede actuar como fuente o drenador de corriente
según la salida esté a alta o a baja. Tolera corrientes de salida de hasta 200mA y por tanto puede
accionar diversas cargas TTL, así como pequeños altavoces y relés conectados directamente. El nivel
alto de tensión de salida es (Vcc−0.5) y el nivel bajo es de 0.1V para cargas de corriente de 25mA.
Terminal de restablecimiento o reset (4): Este terminal permite poner a cero el 555. Cuando dicho
terminal no se utiliza debe conectarse a Vcc, para poner la salida a baja independientemente del valor de
entrada es necesario reducir el potencial de este terminal por debajo de 0.4V.
Terminal de descarga (7): permite la descarga de un condensador externo durante el tiempo que la
salida está a baja. Cuando la salida esta a alta, dicho terminal actúa como un circuito abierto y permite
que el mencionado condensador se cargue.
Terminales de disparo y de umbral (2-6): El 555 posee dos estados posibles de operación y de
memoria. Están determinados tanto por la entrada de disparo (2), como por la entrada de umbral (6).
La entrada de disparo es comparada con una tensión igual a Vcc/3. Por otro lado la entrada de umbral
es comparada con una tensión 2Vcc/3. Cada salida tiene dos niveles posibles de tensión, ya sea por
encima o por debajo de su referencia. Por tanto, con dos entradas hay cuatro combinaciones posibles
que causarán cuatro estados diferentes.
Estado de Terminal 2 Terminal 6 Estado de terminales

Oeración Salida 3 Descarga 7
A <1/3Vcc <2/3Vcc alta abierta
B <1/3Vcc >2/3Vcc recuerda el último estado
C >1/3Vcc <2/3Vcc recuerda el último estado
D >1/3Vcc >2/3Vcc baja tierra
Se puede apreciar viendo los estados A y D que el 555 actúa como un inversor. También se
aprecia que existen dos estados de memoria : B y C.
Terminal tensión de control (5): generalmente se le suele conectar un condensador de 0.01µF entre
dicho terminal y tierra, con el se deriva a tierra el posible ruido. También puede utilizarse para cambiar
ambos niveles de umbral y disparo. Por ejemplo, la conexión de una resistencia de 5KΩ entre los
terminales 5 y 8 cambia la tensión de umbral a 0,8Vcc y la tensión de disparo a 0.4Vcc. Una tensión
externa aplicada a este terminal cambiará tanto la tensión umbral como la de disparo y también puede
usarse para modular la forma de onda de salida.
Para comprender mejor los diferentes montajes que se expondrán describiremos brevemente
el funcionamiento interno del 555:
La existencia de las tres resistencias internas de 5KΩ fija unos valores de tensión de referencia
para cada uno de los comparadores: COM-1 bascula en 2/3Vcc y COM-2 en 1/3Vcc. Dicho
basculamiento hace que sus salidas estén a Vcc o a 0V, es decir a 1 o a 0, lo que hará que el biestable
cambie su salida y con ello cambiará también el estado del transistor pasando de corte a saturación y
viceversa. A continuación mostramos la tabla correspondiente al biestable RS:
R S Q( t ) Q( t + 1) Q( t + 1)
0 0 0 0 1
0 0 1 1 0
0 1 0 1 0
0 1 1 1 0
1 0 0 0 1
1 0 1 0 1
1 1 0 indeterminación
1 1 1 indeterminación
12.14.1 Funcionamiento como monoestable.

En este modo de funcionamiento el circuito tiene un único estado estable y mediante una
señal de disparo el circuito realiza una transición desde dicho estado a otro inestable en el que se
mantiene durante un periodo de tiempo controlable con una red exterior, transcurrido este vuelve al
estado estable por si sólo. Un circuito igual al descrito se representa a continuación.
Fig.6.2: Montaje monoestable con el 555.

Analizando conjuntamente las figuras 6.1 y 6.2 se puede ir analizando el funcionamiento:
Si la señal aplicada en el terminal 2 es una tensión <1/3Vcc (un flanco de bajada) tendremos a
la salida de COM-1 0V y en COM-2 Vcc, es decir, R=0 y S=1 ⇒ Q=1 con lo que el transistor está en
corte y el condensador puede comenzar a cargarse. La salida está a alta.
−t
 
Vc = Vcc  1 − e 
 RC (6.1)
 
Al estar el transistor en corte el condensador C ya no está cortocircuitado y puede cargarse a Vcc,
cuando alcanza 2/3Vcc COM-1 pasa a Vcc: R=1 ⇒ Q=0 lo que pone en este caso al transistor en
saturación y el condensador se cortocircuita a masa anulándose su tensión. La salida está a baja.
− Talta
2  
Vcc = Vcc 1 − e RC  ⇒ Talta = RC ln 3 = 11
 , RC (6.2)
3  
Debe observarse que la situación R=1 y S=1 no debe darse, por ello antes de que R haya
pasado a 1, S (que estaba a 1) ha de pasar a 0, para ello la señal de entrada debe de ser >1/3Vcc antes
de que le tensión del condensador sea 2/3Vcc.
Si la carga del condensador es muy lenta puede que entre dos flancos de bajada consecutivos el
condensador no llegue a cargarse hasta 2/3Vcc, con lo que no se produce ninguna variación a la salida,
hasta que llegue el tercer flanco. Esto quiere decir que la señal de salida no será de la misma frecuencia
que la de entrada y habremos obtenido un divisor de frecuencia.
12.14.2 Funcionamiento como astable.

Para este modo de funcionamiento el 555 oscila permanentemente, para analizar su
comportamiento trabajaremos con las figuras 6.1 y 6.3:
Fig.6.3: 555 en modo astable.

Supongamos que para un instante inicial (t=0) el condensador C se encuentra cargado a una
tensión >2/3Vcc, en estas condiciones la salida de COM-1 es Vcc y la de COM-2 0V, es decir, R=1 y
S=0 lo que corresponde a una salida Q=0. El transistor conduce y C se descarga a través de RB. Salida
en baja.
Para t=T1 (desde que comenzó la descarga) la tensión del condensador habrá decrecido hasta
1/3Vcc, lo que hace que COM-2 cambie a Vcc y COM-1 a 0V. R=0 y S=1 siendo por tanto Q=1, el
transistor entra en corte y C puede volver a cargarse. La salida pasa a alta. Analizando
matemáticamente la descarga tenemos :
−t − T1
2 1 2
Vc = Vcc e RB C para t = T1 ⇒ Vcc = Vcc e RB C (6.3)
3 3 3
T1 ( descarga) = R B C ln 2 = 0.693R B C (6.4)
Para t=T2 C habrá llegado a 2/3Vcc y con ello COM-2 estará a 0V y COM-1 a Vcc,
encontrándonos como al comienzo. En la carga influye RA y RB, y en la descarga RB, dependiendo de
los valores de dichas resistencias y evidentemente del valor de C, se puede variar el periodo, y los
tiempos en nivel alto T2 y bajo T1.
Para calcular el tiempo de carga t=T2-T1=∆T tendremos que plantear la ecuación que
representa dicha carga, para ello debemos considerar que el condensador está inicialmente cargado a
una tensión igual a 1/3Vcc. Por tanto la carga será la superposición de un efecto de carga entre [0, Vcc]
(primer sumando de 6.5)y otro de descarga entre [1/3Vcc, 0] (segundo sumando):
−t −t
  1

Vc = Vcc 1 − e ( R A + RB ) C 
+ V e ( R A + RB ) C
(6.5)
  3 cc
 
tomando como origen de tiempos t=T1, cuando t=∆T Vc=2/3Vcc:
− ∆T − ∆T
  1
Vcc = Vcc  1 − e A B  + Vcc e A + RB ) C
( ) (
2 R + R C R
(6.6)
3   3
 
∆T = T2 − T1 = ( R A + R B )C ln 2 = 0.693( R A + R B )C (6.7)
por otro lado nos puede ser útil saber las siguientes relaciones entre niveles:
T1 RB T1 RB ∆T RB
= ; = ; =1− (6.8)
∆T R A + R B T R A + 2 RB T R A + 2 RB
la frecuencia de la señal será:
T = T1 + ∆T = ( R A + 2 R B )C ln 2 ⇒ f =
144
.
(6.9)
( R A + 2 R B )C
Fig.6.4: Un periodo del 555 como astable.

CAPÍTULO 13
FILTROS ACTIVOS
8.0. OBJETIVOS.
• Proyecto y análisis del funcionamiento de filtros paso alta, baja, banda y rechazo de banda.
8.1. CONCEPTO DE FILTRO, VENTAJAS DE LOS FILTROS

ACTIVOS.
Un filtro eléctrico es un cuadripolo capaz de atenuar determinadas frecuencias del espectro de la
señal de entrada y permitir el paso de las demás. Se denomina espectro a la representación de las
amplitudes de los armónicos de una señal en función de la frecuencia. Experimentalmente se puede
obtener mediante un analizador de espectros. Obsérvese que mientras el osciloscopio es un instrumento
que analiza la señal en relación con el tiempo, el analizador lo hace con relación a la frecuencia.
En el presente tema estudiaremos los filtros activos que están construidos con circuitos
electrónicos basados en los amplificadores operacionales.
Las ventajas que se pueden enumerar de los filtros activos sobre los pasivos serían:
• Permiten eliminar las inductancias que, en bajas frecuencias, son voluminosas, pesadas y caras.
• Facilitan el diseño de filtros complejos mediante la asociación de etapas simples.
• Proporcionan una amplificación de la señal de entrada (ganancia), lo que es importante al trabajar con
señales de niveles muy bajos.
• Permiten mucha flexibilidad en los proyectos.
Por otro lado se podrían enumerar una serie de inconvenientes:
• Exigen una fuente de alimentación.

• Su respuesta de frecuencia está limitada por la capacidad de los A.O.’s utilizados.
• Es imposible su aplicación en sistemas de medida y alta potencia (por ejemplo, en los filtros que
emplean los convertidores e inversores construidos con tiristores que se utilizan en la industria).
8.2. CLASIFICACIÓN.
La clasificación de los filtros dependerá del aspecto diferenciador elegido, así, podemos considerar
aspectos como:
- frecuencias atenuadas
- tecnología empleada
- función matemática o aproximación utilizada para proyectar el filtro
Según las frecuencias atenuadas, nos encontramos con:

58 AMPLIFICADORES OPERACIONALES
• Filtros paso bajo: sólo permite el paso de las frecuencias inferiores a una determinada fc (frecuencia
de corte). Las frecuencias superiores resultan atenuadas.
• Filtro paso alto: deja pasar las frecuencias inferiores a una determinada fc, atenuando las inferiores.
• Filtro pasabanda: permite el paso de las frecuencias situadas dentro de una banda delimitada por una
frecuencia de corte inferior y otra superior. Las frecuencias que están fuera de esta banda son
atenuadas.
• Filtro de rechazo de banda: permite el paso de las frecuencias que se encuentren fuera de la banda
delimitada por dos frecuencias de corte, atenuando las que se encuentren dentro de la banda.
Fig.8.1: Respuesta ideal de los diferentes filtros:

a) paso bajo, b) paso alto, c) paso banda, d) rechazo de banda.
Si consideramos la tecnología empleada, tenemos:
• Filtros pasivos: están construidos exclusivamente con elementos pasivos como resistencias,
condensadores y bobinas. Estos filtros son inviables en bajas frecuencias al exigir inductancias muy
grandes.
• Filtros activos: constan de elementos pasivos asociados a otros activos (A.O.).
• Filtros digitales: estos filtros llevan componentes digitales. La señal analógica es convertida en digital
mediante un sistema de conversión A/D. La señal binaria resultante se trata en el filtro digital y a
continuación se convierte en analógica en un conversor D/A. Estos filtros son útiles para procesar
simultáneamente muchos canales de transmisión. Se pueden definir como programas software.
En el caso de la función matemática utilizada, no creemos interesante entrar en el análisis

matemático y nos limitaremos a exponer las funciones de transferencia de los tipos más comunes:
Butterworth y Chebyshev.
FILTROS PASIVOS
Filtros pasa-baja
La figura 1 representa el esquema de un filtro eléctrico pasa-baja utilizando una

resistencia y un condensador. Suponiendo que la impedancia de carga del condensador
el elevada, se puede suponer que i2 ≈0,
R
+
i1 i2
V1 C V2
-
FILTROS ACTIVOS 59
Aplicando las leyes de Kirchhoff, a las mallas de entrada y de salida, se obtienen las
ecuaciones:
 1 
V =  R +  I
jω C
1
 
I
V =
jω C
2
La ganancia de tensión introducida por el filtro es:

1
V2 jωC 1
= =
V1 1 jωC (R + 1)
R+
jωC
1
G( jω ) =
(ωCR )2 + 1
Tomando los valores crecientes a la frecuencia, se obtiene la curva de variación de la
tensión de salida V2 del filtro, figura 2. Como se observa, al crecer f la tensión de salida
disminuye y con ella disminuye la ganancia de tensión del sistema, es decir, la
atenuación introducida por el filtro aumenta.
Se denomina frecuencia de corte del filtro, al valor de f que hace que la tensión de salida
V2
V1
V 2 =Ψ(f)
V1
2
BP
0 fc f
V2 del filtro sea igual a 1 de la tensión de entrada V1.

2
Por consiguiente, para que el filtro eléctrico actúe como un filtro pasa-baja de banda
pasante:
∆f = f c − 0
es necesario diseñar la resistencia y el condensador de tal manera que cumplan las
ecuaciones:
V2 1
=
V1 2
1
fc = Hz
2πRC
Ejemplo 1:
Diseñar un filtro pasa-baja de frecuencia de corte fc = 100 Hz.

Solución: Adoptando como resistencia el valor R = 1 k, la
capacidad que debe tener el condensador viene dada por la ecuación
1
100 =
2π 1000C
10
C= µF
2π
Ahora presentamos la configuración de un filtro eléctrico pasa-

baja utilizando como componentes una resistencia y una bobina:
+ +
i1
V1 R
V2
i 2 =0
- -
Las ecuaciones del filtro son:

V1 = I (R + jωL )
V2 = IR
V2 R 1
= =
V1 R + jωL jωL
1+
R
1
G( jω ) =
2
 ωL 
1+  
 R 
La frecuencia de corte será aquella que haga G(jω) = 1/√2
R
ωc =
L
Ejemplo 2:
Diseñar un filtro pasa-baja de frecuencia de corte 100 Hz, a base de una

resistencia y una bobina.
Solución: tomando como resistencia el valor R= 1k, el valor de la inductancia de
la bobina viene dada por la ecuación:
1000
100 =
2πL
5
L= H
π
Filtros pasa-alta disipativos.
La figura siguiente representa el esquema de un filtro eléctrico

pasa-alta utilizando como componentes una resistencia y un
condensador:
FILTROS ACTIVOS 61
C
+
i1 i 2 =0
V1 V2
R
Aplicando las leyes de Kirchhoff, a las mallas de entrada y salida, se obtienen

las ecuaciones:
 1 
V1 =  R + I
 jωC 
V2 = IR
V2 R jωCR
= =
V1 1 1 + jωCR
R+
jωC
Dando valores crecientes a la frecuencia, se obtiene la curva de variación de la tensión de
salida V2 del filtro, figura 5:
V2
V1
V 2 = Ψ( f )
V1
2
BP
0 fc f
Como se observa, al crecer la frecuencia, la tensión de salida crece hasta alcanzar el
valor de V1 para f=∞. La frecuencia de corte del filtro eléctrico será aquella que hace que
la tensión de salida V2 sea igual a 1/√2 de la tensión V1. Por consiguiente, para que el
filtro eléctrico actúe como un filtro pasa-alta, de banda pasante
∆f = ∞ − fc
es necesario diseñar la resistencia y el condensador de tal manera que cumpla la
ecuación:
V2 1
=
V1 2
de forma que la frecuencia de corte será:
1
ωc =
RC
Ejemplo 3:
Para diseñar un filtro eléctrico pasa-alta, se han elegido los componentes R=

10
500Ω, C = µF. Determinar la frecuencia de corte del filtro.
2π
Solución: La frecuencia de corte del filtro pasa-alta es:
1
fc = = 200 Hz
10 −6
2π 500 10
2π
Si se adoptan como componentes del filtro una resistencia y una bobina, la composición del filtro pasa-
alta será la representada en la figura 6.
R
+ +
i1
V1 L
V2
i 2 =0
- -
Las tensiones del filtro son:

V1 = I (R + jωL )
V2 = IjωL
jωL
V2 jωL R
= =
V1 R + jωL jωL
1+
R
de forma que la frecuencia de corte será:
R
fc =
2πL
EJEMPLO 4:
Supongamos que el filtro de la figura 6 disipa 100 vatios, que el amperímetro
mide una corriente I1= 1 A y que L=1/2π H, determinar la frecuencia de corte y la tensión
v1.
Solución: Como I2 ≈0 e I1= 1ª, el valor de la resistencia viene dado por la
ecuación:
RI 2 = 100
R = 100Ω
Al ser L=1/2π H, la frecuencia de corte será:
R 100
fc = = = 100 Hz
2πL 1
2π
2π
El valor eficaz de la tensión v1 es:
2
 1 
V1 = 1 (100 ) +  2π 100  = 100 2V
2
 2π 
El valor instantáneo de la tensión v1 a la frecuencia de corte es:
v 1 = 200sen100t
Filtros pasa-banda disipativos.

FILTROS ACTIVOS 63
La figura 7 representa el esquema de un filtro eléctrico pasa-banda, utilizando una

resistencia, una bobina y un condensador.
+ +
i1
V1 R
V2
i 2 =0
- -
Aplicando las leyes de Kirchhoff, a las mallas de entrada y de salida, se obtienen

las ecuaciones:
 1 
V1 = I  jωL + + R 
 jωC 
V2 = IR
V2 R
=
V1 jωL + 1 + R
jωC
Dando valores crecientes a la frecuencia, se obtiene la curva de variación de la
tensión de salida V2 del filtro, figura 8.
V2
V1
V 2 = Ψ( f )
V1
2
BP
0 f c1 fr f c2 f
Como se observa, a medida que crece la frecuencia, la tensión de salida crece

hasta alcanzar el valor de V1 para una frecuencia, denominada frecuencia de resonancia,
que haga
1
2πf r L − =0
2πf r C
1
2πf r =
LC
Para valores de f>fr, la tensión de salida del filtro comienza a disminuir hasta
hacerse cero para f=∞. Se denominan frecuencias de corte inferior fc1 y superior fc2, a los
valores de f que hacen que la tensión de salida sea igual a 1/√2 de la tensión de entrada.
Por consiguiente, para que el filtro actúe como un filtro pasa-baja, de banda pasante
∆f = fc 2 − fc1
es necesario diseñar sus componentes de tal manera que se cumpla la ecuación
V2 1
=
V1 2
Hora bien, como para fc1<fr
1
> 2πfc1L
2πfc1C
se debe resolver la ecuación
1 1
=
2 2
 1 
R 2 +  − 2πfc1L 
 2πfc1C 
La expresión de la frecuencia de corte inferios es:
2
R 1 R 4
fc1 = − +   +
4πL 4π L LC
ahora bien, como para fc2>fr
1
< 2πf c 2 L
2πfc 2C
La expresión de la frecuencia de corte superior es:
2
R 1 R  4
f c1 = +   +
4πL 4π L LC
El ancho de banda del filtro eléctrico pasa-baja es:
R
∆f = f c 2 − f c1 = Hz
2πL
Al suponer que la corriente i2 es despreciable, el filtro eléctrico pasa-banda se comporta como
un circuito serie resonante RLC. El factor de calidad o de sobretensión del filtro, tiene por valor:
ωr L 1
Qs = =
R ω r RC
EJEMPLO 5:
Diseñar un filtro eléctrico pasa-banda que tenga un factor de sobretensión Qs= 50,
entre en resonancia a la frecuencia de 1000 Hz, sabiendo que las lecturas del amperímetro y
del vatímetro en la resonancia son A=0.25 A W=50 W. Determinar las frecuencias de corte, el
ancho de anda y las tensiones de salida a las frecuencias de corte.
Solución:
L C
+ +
V1 V2
R
A
- -
De las expresiones
2π 1000L 1
50 = =
R 2π 1000RC
50 = R 0.25 2
FILTROS ACTIVOS 65
se obtiene:
R = 400 Ω
10
L= H
π
1
C= µF
40π
Las frecuencias de corte son:
2
400 1  400 
fc1 = − +   + 4 10 = 900
4π 10
4π  10  10 1
π  π  π 40π
2
400 1  400 
fc 2 = +   + 4 10 = 1010
4π 10
4π  10  10 1
π  π  π 40π
El ancho de banda es:
∆f = fc 2 − fc11010 − 900 = 20 Hz
A la frecuencia de resonancia
1
ωr L =
ωr C
se tiene
V1 = V2 = RI1 4000.25 = 100 V
Por consiguiente, a las frecuencias de corte tendremos:
100
V2fc 2 = V2fc 1 = = 50 2 V
2
8.3. RESONANCIA, FACTOR QO Y SELECTIVIDAD.

Utilizando el circuito serie RLC veremos algunos puntos que nos van a ser de utilidad para el
estudio de filtros activos. En dicho circuito la relación (o función de transferencia) entre la tensión en la
resistencia y la de entrada vendrá dada por la expresión :
VR IR R
G( s) = = = (8.1)
Ve IZ Z
Donde Z (impedancia compleja) viene dada por la expresión:
 1 
Z i = R + j  wL −  (8.2)
 wC 
Se dice que el circuito está en resonancia cuando en al anterior expresión sólo existe parte real, es
decir:
1 1
wL − =0 ⇒ w = w0 = (8.3)
wC LC
y tendremos la máxima corriente en el circuito. En Fig.8.2 se muestra la variación de fase y de ganancia

de este circuito. Nótese que se produce una atenuación de la ganancia por encima y por debajo de la
frecuencia de resonancia w0. Si consideramos los puntos en los que la ganancia a descendido en 0,707 o -
3db (pulsaciones de corte), tendremos una banda cuyo ancho viene dado:
BW = w c 2 − w c1 o BW = f c2 − f c1 (8.4)
Para el cálculo de estos puntos partiremos de :
R 1
G( s) = = = 0.707 (8.5)
2 2
 1 
R 2 +  wL − 
 wC 
Fig.8.2: Ganancia y fase del circuito RLC serie.
Se define el factor de calidad para el circuito RLC serie cuando está en resonancia, como
Q0=w0L/R. o Q0=1/(w0CR) Ahora las pulsaciones de corte pueden expresarse en términos de los
elementos del circuito, o de w0 y Q0, de la manera siguiente:
  1 1 
wc 2 = w0  1 + 2
+ 

  4 Q 0
2 Q0
 (8.6)
  1 1 
wc1 = w0  1 + − 
  4Q02 2Q0 
Restando miembro a miembro las anteriores expresiones se tiene:
w0 2πf 0
BW = = (8.7)
Q0 Q0
lo que indica que cuando mayor sea el factor de calidad, tanto más estrecho será el ancho de banda, o sea,
mayor será la selectividad del circuito. Adviértase que Q0 es un factor adimensional.
8.4. DISEÑO DE FILTROS.

El diseño o cálculo de filtros consiste en calcular los valores de los componentes que asociados a
un A.O. nos permitirán realizar un filtrado a partir de una frecuencia de corte predeterminada.
Las operaciones para calcular dichos componentes dependerán : de la utilización de células (o

circuitos base) de 1º o 2º orden; que dicha célula sea de Rauch o de Sallen y Key; y por último de las
características que se desea que tenga la respuesta del filtro, por lo que nos encontraremos con filtros :
Butterwoth, Chebyshev, Thomson, elípticos, Cauer, etc.
La célula de 2º orden de un filtro paso bajo posee la siguiente expresión :

FILTROS ACTIVOS 67
H0
H ( s) = 2
(8.8)
s s
2
+ 2δ +1
w0 w0
donde si consideramos la relación w0

2
= bwc2 (siendo wc la pulsación de corte deseada) podríamos
escribir la anterior ecuación del modo :
H0
H ( s) = 2
(8.9)
s s
+ 2δ +1
bw c2 bw c
El parámetro “b” determinará que el filtro sea Butterworth o Chebyshev si b=1 o b≠1
respectivamente.
En la anterior ecuación el polinomio en “s” del denominador es el que caracteriza a los filtros y
define su comportamiento, operando sobre 8.9 quedaría :
H 0 bwc2
H ( s) = (8.10)
s 2 + 2δ bwc s + bwc2
Para el punto en que wc=1rad/s el polinomio del denominador queda :
s 2 + 2δ bs + b ≡ s 2 + as + b (8.11)
polinomio al que se le conoce como polinomio normalizado. Existen tablas de polinomios normalizados
donde se dan para cada orden de filtro los parámetros a y b.
Por otro lado 2δ=1/Q0 que nos relaciona el factor de amortiguamiento y de calidad.
Si deseamos construir un filtro de 3er orden utilizaremos uno de 1º y otro de 2º en serie; para
construir uno de 4º orden conectaremos dos de 2º orden en serie. Esto quiere decir que para el diseño de
un filtro de cualquier orden nos basta conocer dos montajes básicos o células, una de 1º y otra de 2º
orden. Para el cálculo de cada una de estás células deberemos conocer los polinomios de su denominador,
para esto nos serviremos de las tablas 8.1 y 8.2.
Para un filtro Butterworth de 3er orden su denominador sería: [(s+1)(s2+1s+1)]. Si deseamos

construir un filtro Chebyshev de 4º orden y amplitud de rizado de 0.1db, su denominador sería:
[(s2+0.528313s+1.330031)(s2+1.275460s+0.622925)]. Con estos coeficientes podremos calcular los
componentes de cada una de las células.
Tabla 8.1: Parámetros a Tabla 8.2: Parámetros a y b para filtros Chebyshev hasta el sexto
y b para filtros orden con rizado de 0.1db, 0.5db, 1db, 2db y 3db de amplitud.
Butterworth hasta el Pueden encontrarse tablas más completas en textos específicos
octavo orden. sobre filtros activos.
n a b n γ a b n γ a b
2 1.414214 1 2 0.1 2.372356 3.314037 5 0.1 0.333067 1.194937
0.5 1.425625 1.516203 0.871982 0.635920
3 1 1 1.0 1.097734 1.102510 1/w0 0.538914
1/w0 1 2.0 0.803816 0.823060 0.5 0.223926 1.035784
3.0 0.644900 0.707948 0.586245 0.476767
4 0.765367 1 1/w0 0.362320
1.847759 1 3 0.1 0.969406 1.689747 1.0 0.178917 0.988315
1/w0 0.969406 0.468410 0.429298
5 0.618034 1 0.5 0.626456 1.142448 1/w0 0.289493
1.618034 1 1/w0 0.626456 2.0 0.134922 0.952167
1/w0 1 1.0 0.494171 0.994205 0.353230 0.393150
1/w0 0.494171 1/w0 0.218308
6 0.517638 1 2.0 0.368911 0.886095 3.0 0.109720 0.936025
1.414214 1 1/w0 0.368911 0.287250 0.377009
1.931852 1 3.0 0.298620 0.839174 1/w0 0.177530
1/w0 0.298620
7 0.445042 1 6 0.1 0.229387 1.129387
1.246980 1 4 0.1 0.528313 1.330031 0.626696 0.696374
1.801938 1 1.275460 0.622925 0.856083 0.263361
1/w0 1 0.5 0.350706 1.063519 0.5 0.155300 1.023023
0.846680 0.356412 0.424288 0.590010
8 0.390181 1 1.0 0.279072 0.986505 0.579588 0.156997
1.111140 1 0.673739 0.279398 1.0 0.124362 0.990732
1.662939 1 2.0 0.209775 0.928675 0.339763 0.557720
1.961571 1 0.506440 0.221568 0.464125 0.124707
3.0 0.170341 0.903087 2.0 0.093946 0.965952
0.411239 0.195980 0.256666 0.532939
0.350613 0.099926
3.0 0.076459 0.954830
0.208890 0.521818
0.285349 0.088805
8.5. FILTROS DE BUTTERWORTH.

FILTROS ACTIVOS 69
En general se cumple que el módulo de la función de transferencia de un filtro paso bajo

Butterworth viene dado por :
 G0
 G( jw) = 2n
  w
 1+   (8.12)
  wc 
n = 1,2,3,...

Dicho módulo nos sirve para conocer su representación de Bode, consta de un factor constante G0 que nos
indica la ganancia ante una señal de entrada continua (w=0), el valor wc es la pulsación de corte y n el
orden del filtro (cuanto mayor sea el orden del filtro, más se aproximará a la curva ideal a) de la Fig.8.1).
Si en la ecuación 8.12 w>>wc tendremos:
  wc 
n
 G( jw) ≈ G0  
  w
 (8.13)
 
20 log G( jw) ≈ 20 log G0 − 20n log w 
 w
 c
donde el segundo término nos permite saber su grado de atenuación en la banda de corte [wc, +∞]. Así un
filtro Butterworth de paso bajo y de primer orden (n=1) tendría una pendiente de atenuación de
20db/década en dicho intervalo; uno de segundo orden de 40db/década, etc.
Otra característica de los filtros que nos ocupa es la forma plana de su banda pasante debido a que
al ser b=1 todas las células colocadas en serie poseen la misma pulsación.
8.6. FILTROS DE CHEBYSHEV.

Un filtro de Butterworth para frecuencias próximas a la de corte comienza a atenuar, pero de modo
progresivo; si deseamos una respuesta que se acerque más a la ideal podemos recurrir a los filtros de
Chebyshev. Este filtro siendo de igual orden que el de Butterworth, posee una respuesta mejor,
presentando una mayor pendiente decreciente. Sin embargo presenta un rizado en la banda pasante.
El módulo de la función de transferencia de un filtro paso bajo Chebyshev es:
G0 n = 1,2,3,...
G( jw) =  (8.14)
1 + E 2 Cn2 ( )
w
wc
 ( 0 < E ≤ 1)
donde G0 es la ganancia del filtro paso bajo para señal de entrada continua (w=0), wc es la pulsación de
corte, E es una constante que determina la amplitud del rizado en la banda pasante, n el orden del filtro y
Cn(w/wc) el polinomio de Chebyshev definido de la siguiente forma :
   w  w
cos n arccos   para 0 ≤ ≤1
   wc   wc
Cn ( )
w
wc =
  w 
(8.15)
 w
cosh  n arccosh    para >1
   wc   wc
Se puede comprobar fácilmente en la expresión anterior que para una entrada continua (w=0), la
función G(jw) tomará el valor G0 si el orden es impar y en el caso de ser par el valor alcanzado será
G0/ 1 + E 2 .
De la ecuación 8.15 se desprende que en la banda de paso existe un rizado a diferencia de la banda
de paso en los filtros Butterworth que es plano, como ya se ha comentado. Dicho rizado posé los valores
máximos y mínimos indicados en el párrafo anterior, de donde se puede deducir su amplitud en
decibelios :
 G0 
γ (db) = 20 log G0 − 20 log  =
 1+ E2  (8.16)
( )
γ
= 20 log 1 + E 2 ⇒ E = 10 10 −1
Tras estas expresiones se puede concluir que la amplitud del rizado sólo depende del parámetro E;
que el rizado en la banda de paso depende del orden del filtro, y que dicho número de orden indicará el
número de máximos y mínimos que se alcanzan en la banda de paso.
El valor de γ caracteriza al filtro, su valor máximo permitido es de 3db y se da para un valor de

E≈0.99763. El diseño de un filtro Chebyshev tiene la particularidad de que a mayor amplitud del rizado,
mayor atenuación en la banda de corte. Por lo que el diseñador se ve en la necesidad de elegir lo que
mejor se adapte a sus necesidades dependiendo de la repercusión en el circuito de tal amplitud de rizado
en la banda de paso.
La razón de dicho rizado se encuentra en que al tener dos o más valores distintos de “b” en un
filtro, ocasiona que existan dos o más pulsaciones distintas.
El porcentaje de atenuación del filtro Chebyshev en decibelios es, en la mayoría de los casos,
superior a n20db/década. Su valor aproximado viene dado por la expresión:
 w
20 log G( jw) ≈ 20 log G0 − 20 log( E ) − 6(n − 1) − n20 log  (8.17)
 wc 
FILTROS ACTIVOS 71
Fig.8.3: Bode de filtros Chebyshev para diferentes ordenes y 1db de rizado. Detalle para n=3.
8.7. CÉLULAS DE 1ER Y 2º ORDEN PARA FILTROS PASO BAJO Y

ALTO.
8.7.1. Célula de 1er orden para filtros paso bajo.

La estructura de la célula, es la representada en la siguiente figura:
Fig.8.4: Filtro de 1er orden, paso-bajo.
Su función de transferencia es :
R3
1+
R2
H ( s) = (8.18)
R1Cs + 1
de esta expresión se desprende :
R3
• ganancia del circuito: H0 = 1 +
R2
1
• pulsación de corte: wc = 2πf c ; w 0 = = bwc . El valor de C deberá de ser fijado por el
R1C
diseñador.
• para anular los efectos de la tensión de offset es necesario que R1 sea igual al paralelo de R2 y
R2 R3
R3: R1 =
R2 + R3
H 0 R1
• se puede deducir R2 y R3: R2 = ; R = H 0 R1 .
H0 − 1 3
En el caso de H0=1 las ecuaciones serían otras: la pulsación de corte sería la misma pero R2 sería
un circuito abierto y R3 sería un cortocircuito.
8.7.2. Células de 2º orden para filtros paso bajo.

Podemos utilizar dos tipos de células, ambas con buena estabilidad, baja impedancia de salida,
facilidad de ajuste de la ganancia y frecuencia, necesidad de pocos componentes externos, etc.
CÉLULA DE RAUCH O DE REALIMENTACIÓN MULTIPLE

FILTROS ACTIVOS 73
Fig.8.5: Filtro de 2º orden paso-bajo (de Rauch).
Con una función de transferencia:
R2
R1
H ( s) = − (8.19)
 1 1 1
s R2 R3 C1C2 + sR2 R3 C1 
2
+ +  +1
 R1 R2 R3 
equivalente a
H0
H ( s) = − 2
(8.20)
 s    1 1 1   s 
  +  w0 R2 R3 C1  + +    + 1
 w0    R1 R 2 R 3    w0 
• el signo negativo indica que la salida está invertida respecto de la entrada

R2
• ganancia del circuito: H0 =
R1
• del termino independiente de 8.17 deducimos que la pulsación de corte es :
1
w 02 = = bwc2 ⇒ wc = 2πf c
R2 R3 C1C2
1
• de la expresión anterior : R3 =
bwc2 C1C2 R2
 1 1 1
• para calcular R2 conocemos la relación: 2δ b = a = bwc R2 R3 C1  + + 
 R1 R2 R3 
a  a  ( H 0 + 1)
2
±   −4
bC1  bC1  bC1C2
• operando : R2 =
2 wc
• deberá comprobarse que el radicando de R2 es ≥0, de lo contrario deberán variarse los valores que no
deban ser fijos
CÉLULA DE SALLEN Y KEY

Fig.8.6: Filtro de 2º orden paso-bajo (de Sallen y Key).
Función de transferencia:
R4
1+
R3
H ( s) = (8.21)
 C R C  R 
R1 R2 C1C2 s 2 + R1C2 1 + 1 + 2 1 −  1 + 4   s + 1
 C2 R1C2  R3  
equivalente a :
H0
H ( s) = 2
(8.22)
 s   C1 R2 C1  s 
  + w0 R1C2  1 + + − H0    + 1
 w0   C2 R1C2   w0 
• entrada y salida tienen igual signo

R4
• ganancia del circuito: H 0 =1+
R3
1
• w 02 = = bwc2 ⇒ wc = 2πf c
R1 R2 C1C2
1
• R2 =
bwc2 C1C2 R1
 C R C 
2δ b = a = bwc R1C2  1 + 1 + 2 1 − H 0 
• para calcular R1 tenemos la relación:
 C2 R1C2 
2
• operando : R1 =
 C 
a ± a 2 − 4b 1 + 1 − H 0   wc C2
  C2 

• para anular los efectos de la tensión de offset es necesario que R1 mas R2 sea igual al paralelo de R3 y
H 0 ( R1 + R2 )
R4: R3 =
H0 − 1
(H 0 > 1)
• R4 = H 0 ( R1 + R2 )
FILTROS ACTIVOS 75
• deberá comprobarse que el radicando de R1 es ≥0, de lo contrario deberán variarse los valores que no
deban ser fijos
Con la combinación de las tres células vistas de filtros paso bajo, se puede construir un filtro paso
bajo de orden cualquiera.
8.7.3. Célula de 1er orden para filtros paso alto.

Su estructura sería la vista en Fig.8.5 pero intercambiando las posiciones de R1 y C, como se
representa a continuación :
Fig.8.7: Filtro paso-alto de 1er orden.
Función de transferencia :
 R3 
1 +  R Cs
 R2  1
H ( s) = (8.23)
R1Cs + 1
Ecuaciones :
( H > 1)
R3 1 1 R2 R3 H 0 R1
H0 = 1 + ; w0 = bwc = ; R1 = = ; R3 = H 0 R1 ; R2 =
R2 R1C w0 C R2 + R3 H0 − 1 0
8.7.4. Células de 2º orden para filtros paso alto.

Como en los filtros paso-bajo nos encontramos con dos células posibles, que para el caso de filtros
paso alto se diferenciaran de los de paso bajo: en cambiar las resistencias por condensadores y viceversa,
en la rama de entrada de la señal a filtrar.
Fig.8.8: Filtro de 2º orden paso alto (de Rauch).

s 2 R1 R2 C1C3
H ( s) = −
s 2 R1 R2 C2 C3 + sR1 ( C1 + C2 + C3 ) + 1
(8.24)
Equivalente a :
2
C1  s 
 
C 2  w0 
H ( s) = − 2
(8.25)
 s   s 
[
  + w0 R1 (C1 + C2 + C3 )   + 1
 w0   w0 
]
donde:
C1 a C + C2 + C3 1
H0 = − ; R1 = ; R2 = 1 ; w0 = = bwc
C2 (C1 + C2 + C3 )bwc aC2 C3 wc R1 R2 C2 C3
Fig.8.9: Filtro de 2º orden paso alto (de Sallen y Key).
 R 
s 2 R1 R2 C1C2  1 + 4 
 R3 
H ( s) =
[ ]
(8.26)
s 2 R1 R2 C1C2 + s R2 ( C1 + C2 ) + R1C2 (1 − H 0 ) + 1
Equivalente a :
2
 R  s 
1 + 4   
 R3   w0 
H ( s) = 2
(8.27)
 s   s 
[
  + w0 R2 (C1 + C2 ) + R1C2 (1 − H 0 )   + 1
 w0   w0 
]
donde
FILTROS ACTIVOS 77
 R4 2(C1 + C2 )
H0 = 1 + ; R1 = ;
 R3  (C + C2 )( H 0 − 1) 
 a ± a 2 + 4b 1  wc C1C2
  C1 
  

R3 = 0 1 ( H 0 > 1); R4 = H 0 R1 ; w0 =
1 H R 1
 R = ; = bwc

2
bwc2 C1C2 R1 H0 − 1 R1 R2 C1C2
8.8. FILTROS PASO-BANDA.

Este tipo de filtro se obtendrá colocando
en cascada un filtro paso bajo de orden n y un
filtro paso alto de igual orden. Sus frecuencias
de corte deberán guardar la siguiente relación:
f c2 filtro > f c1 filtro
paso − bajo paso − alto
8.9. FILTROS RECHAZO DE

BANDA.
Este tipo de filtro se
obtendrá colocando en paralelo un
filtro paso bajo de orden n y un
filtro paso alto de igual orden. Las
frecuencias de corte de dichos
filtros deberán guardar la siguiente
relación:
f c1 filtro < f c2 filtro
paso − bajo paso − alto
8.10.
RECOMENDACIONES.
Pasamos a dar una serie de recomendaciones para el diseño de filtros:
• En cada una de las células descritas, el valor de uno de los condensadores debe de ser fijado por el
proyectista, una norma práctica aconseja que el valor elegido sea próximo a 10/fc(Hz), siendo dicho
valor en µF.
• En filtros de orden superior a dos, cada célula se proyectará individualmente atendiendo a los valores
de a y b para dicho orden.
• Las células a conexionar podrán ser MFB o de Sallen y Key pero evitando mezclarlas entre sí.
• En un filtro de m etapas, la ganancia es el resultado de multiplicar las ganancias parciales de cada una
de las células que lo componen. Es conveniente que dicha ganancia esté repartida por igual entre ellas.
Por ello si la ganancia del filtro final es de KT, la ganancia parcial de cada etapa será: K = m KT
8.11. EJERCICIO EXPERIMENTAL.
8.11.1. Material.
- Fuente de alimentación- - 1 resistencia de 1KΩ

- Osciloscopio - 1 resistencia de 10KΩ
- 1 LM741 - 2 condensadores de 10nF
8.11.2. Proceso I.
1.- Se desea diseñar un filtro paso alto con célula de Sallen y Key de 2º orden y ganancia 1. Banda
de paso plana y frecuencia de corte de 5KHz. Escribir polinomio, calcular componentes y dibujar el filtro
indicando los valores calculados.
2.- Montarlo y representar su diagrama de Bode utilizando la siguiente tabla :
Vs
f Ve Vs G= 20Log|G| θ
Ve
FILTROS ACTIVOS 79
8.11.3. Proceso II.

1.- Se desea construir un filtro de 5º orden paso bajo para una fc=6.6KHz, una H0=8 repartida por
igual entre las distintas células, dichas células darán una banda pasante lo más plana posible y no
originarán inversión del signo. Indicar el número, tipo, ganancia (en db) y pulsación de corte de cada
etapa o célula.
2.- Escribir los polinomios de los denominadores de las distintas células que componen el filtro, así
como la función de transferencia total del filtro de 5º orden.
1er polinomio:
2º polinomio:
3er polinomio:
3.- Calcular los componentes de la primera célula sabiendo que sólo se dispone del siguiente
material : 1 condensador de 10nF y resistencias de 1.5KΩ, 1.8KΩ, 2.2KΩ, 3.9KΩ, 4.7KΩ. Indicar su
pulsación de corte real.
4.- Calcular los componentes de la segunda célula con las mismas consideraciones que en el
apartado 3. Indicar su pulsación de corte real.
5.- Calcular los componentes de la tercera célula con las mismas consideraciones que en el
apartado 3. Indicar su pulsación de corte real.
6.- Con ayuda de los aparados anteriores dibujar el esquema completo del filtro, indicando el valor
de los componentes.
7.- A continuación representar el Bode ideal de este filtro. Señalar la escala en db.
FILTROS ACTIVOS 81
8.11.4. Proceso III.

1.- Se desea construir un filtro rechazo de banda de 3º orden Chebyshev, para aproximadamente
fc1=1KHz y fc2=30KHz, con ganancia 1, amplitud de rizado de 1db y con células de Rauch. Indicar el
número y características de las etapas que compondrán el filtro, la ganancia de cada una de ellas.
2.- Escribir los polinomios de los denominadores de las distintas células que componen el filtro, así
como la función de transferencia total del filtro.
filtro paso bajo filtro paso alto

1er polinomio: 1er polinomio:
2º polinomio: 2º polinomio:
3.- Calcular las células que componen el filtro de paso bajo sabiendo que se dispone para el
montaje total del filtro de : 5 condensadores de 470pF y otros dos de 47nF, la resistencia R1 de la célula
de primer orden del filtro paso bajo (fig.8.4) debe ser igual a 6.8KΩ.
4.- Calcular las células que componen el filtro de paso alto con el material que reste del apartado
anterior.
5.- Con ayuda de los apartados anteriores dibujar el esquema completo del filtro, indicando los
valores de los componentes. Representar su respuesta frecuencial aproximada:
6.- Si se desea un filtro de rechazo de banda de 2º orden, de ganancia 4db, ¿cuál será la ganancia
de cada una de las células ? ¿ Por qué?
PROBLEMAS: TEMA 1.
PROBLEMA 1
Dado la malla siguiente averiguar su equivalente Thevenin.
-j5
5
50|0º
j5
1) Hallamos la impedancia thevenin Z´, que es la impedancia de entrada entre los

terminales AB con todas las fuentes internas iguales a cero:
(5 + j 5)(− j 5)
Z´ = = 5-5j
5+5j −5j
2) Hallamos la tensión equivalente thevenin V´, que es la tensión entre los terminales
AB con todas las fuentes internas iguales a cero:
50∠0°
Necesitamos la intensidad en la malla: I = = 10∠0°
(5 + j 5 − j 5)
V´ = VAB = I (5+j5) = 10∠0° 7,07∠45° = 70,7∠45°
PROBLEMA 2
Sustituir la malla dada por su equivalente Norton.
-j5
5
50|0º
j5
1) La fuente de corriente I´ es la corriente de cortocircuito aplicado a los terminales del
circuito activo AB:
50∠0°
I´ = = 10∠90°
(− j 5)
2) L impedancia Z´ es como antes:
Z´ = 5-j5
PROBLEMA 3
Resolver el siguiente circuito.
R1=1k R2=9k
R3=2k
6V 1 2 -14V
Aplicando las leyes de Kirchhoff:
1) Elijo (n-1) nodos, siendo n el número total de nodos de nuestro circuito y aplico a
1ª Ley de Kirchhoff obteniendo (n-1) ecuaciones linealmente dependientes. Como
criterio consideramos las corrientes que entran en el nodo señalado positivas:
I1 + I2 + I3 =0 ; I3 = -( I1 + I2 )
2) Necesitamos r – (n-1) ecuaciones más que obtenemos de la 2ª Ley de Kirchoff,

siendo r el número de ramas del circuito. Como criterio consideramos el signo positivo
como el de las flechas semicirculares del circuito y para las fuentes si la corriente entra
por su cátodo:
1ª malla: I1 - 2I3 – 6 = 0
2ª malla: 9I2 -2I3 + 14 = 0
Junto con la anterior se forma un sistema de 3 ecuaciones de cuya resolución se obtiene

que las intensidades son:
I1 = 0.758 mA; I2 = 1.83 mA; I3 = - 2.588 mA

Si resolvemos ahora el mismo circuito con el método de mallas con el signo positivo
para las intensidades el indicado en el dibujo y para las fuentes si entran por el cátodo:
1
R1=1k 2
R2=9k 3
R3=2k
+
I1 I2 -
6V -14V
- +
4
-6 + I1 R1 + ( I1 - I2 ) R3 = 0 -6 + 3I1 - 2I2 = 0 6 I1 - 4I2 = 12
-14 + ( I2 - I1 ) R3 + I2 R2 = 0 -14 + 11I2 +2I1 = 0 -6 I1 + 33I2 = 42
Resolviendo este sistema por reducción obtenemos los mismos resultados que antes.
Para hallar I3 restamos ambas intensidades, siendo su dirección la de la intensidad
mayor.
PROBLEMA 4
Resuélvase el siguiente circuito, utilizando el principio de superposición.
I1 I2
1 2 3
6V -14V
R 1 =1kΩ R 2 =9kΩ
I3 R 3 =2kΩ
Tomamos primero la fuente de 6V. La resistencia equivalente a R2 y R3 en paralelo es:
R2∙ R3 9⋅2
= = 1.636kΩ
R2 + R3 9 + 2
Las intensidades que circulan por cada rama son:
6
I '1 = = 2.276mA
1 + 1.636
− I '1∙ R3 − 2.276 ⋅ 2
I '2 = = = −0.414mA
R2 + R3 9+2
− I '1∙ R2 − 2.276 ⋅ 9
I '3 = = = −1.862mA
R2 + R3 9+2
Por otro lado, tomamos la fuente de -14V. La resistencia equivalente a R1 y R3 en

paralelo es:
R1 ∙ R3 1⋅ 2 2
= = kΩ
R1 + R3 1 + 2 3
Las intensidades que circulan por cada rama son:
1.448 ⋅ 2
I ' '1 = = 0.9655mA
1+ 2
− 14
I ' '2 = = −1.448mA
9 + 0.667
1.448 ⋅1
I ' '3 = = −0.4826mA
1+ 2
Así, finalmente:
I1 = I’1 + I’’1 = 2.276 + 0.9655 = 3.2415 mA
I2 = I’2 + I’’2 = -0.414 - 1.448 = -1.862 mA
I3 = I’3 + I’’3 = -1.862 + 0.4826 = -1.3794 mA
PROBLEMAS: TEMA 3.
PROBLEMA 5
Obtener la corriente de colector en la figura siguiente.
+5V
8kΩ
5kΩ
+1V βF=10
-10V Transistor en estado desconocido.
Suponemos el caso en que el transistor está funcionando en activo directo dado

que hay tensión positiva en serie con la base y negativa en serie con el emisor, con lo
que probablemente el transistor esté conduciendo. En este caso la figura es la siguiente
+5V
8kΩ
C
5kΩ
B 10IB
+1V
IB
0.7 E
-10V Circuito equivalente suponiendo el estado activo

directo.
Aplicando Kirchhoff al circuito de base obtenemos IB:
1 – ( 5 K ) ( I B ) – 0.7 = -10 → IB = 2.06 mA
Dado que la corriente de base es positiva, lo único que queda por comprobar es VCE
VC = 5 – ( 8 K ) ( 10 ) ( 2,06 mA) = -159.8 V como VC = -10 V
VCE = -159.8 – ( -10 ) = -149.8 V ( solución en el 2º cuadrante )
Vemos que la suposición hecha no es válida pues VCE < 0.2 V.

La posibilidad de soluciones incorrectas como son debidas a que usamos modelos
lineales simples para representar dispositivos no lineales.
Probemos la saturación. La siguiente figura es el circuito a que obliga la
saturación
+5V
8kΩ
C
5kΩ
B
+1V 0.2
IB
0.7 E
-10V Circuito equivalente suponiendo saturación.
La corriente de base es todavía 2.06 mA. La corriente de colector es
5 − (−10 + 0.2)
IC = = 1.85 mA
8K
La inecuación
βF IB = 20.6 mA > 1.85 mA = IC ( funcionamiento en el 1º cuadrante )
confirma que el transistor está saturado.
PROBLEMA 6
Probar que el transistor del problema anterior permanece saturado cuando la

resistencia de base cambia a 50 kΩ Ω. Obtener entonces la resistencia de base RB que
lleva el transistor al borde del funcionamiento activo.
Respuesta: βF IB = 2.06 mA > 1.85 mA = IC ; RB = 55.7 kΩ.

PROBLEMA 7
Hallar el estado del transistor de la siguiente figura
+15V
8kΩ
551kΩ
βF=10
10kΩ
VBB=11V 0.2
Circuito original.
Debido a la elevada tensión positiva en el circuito de base, suponemos que el

transistor está saturado. Sin embargo, cuando sustituimos el transistor por su modelo de
saturación y aplicamos el teorema de Thèvenin, obtenemos la siguiente figura
+15V
8kΩ IC
C
9.82kΩ B 0.2
IB
0.7 E
0.196
Circuito suponiendo el transistor

saturado.
En este circuito es obvio que IB es negativa, contradiciendo la hipótesis de saturación y
sugiriendo el corte.
La siguiente figura muestra el circuito con el modelo de corte sustituyendo al
transistor. Se observa que VBE = 0.196 V, un valor considerablemente menor que la
tensión de codo. Por lo tanto, el transistor está en corte.
PROBLEMA 8
Si se incrementa lentamente VBB en la figura del anterior problema a valores

mayores que 11 V, el transistor comienza a dejar el corte. Obtener el valor de VBB
donde esto ocurre.
Solución. VBB = 28.1 V.
PROBLEMA 9
Uno de los transistores de la siguiente figura está cortado y el otro activo directo.
Verificar el corte del primero y obtener el punto de trabajo para el último.
300Ω 300Ω
-1.0V Q1 Q2 -1.3V
β=80
1.2kΩ
-5.2V Circuito original.
Excepto por las fuentes de tensión aplicadas a las bases, el circuito es simétrico
respecto a un eje que pase por el centro del diagrama. Como la tensión de base de Q1 es
más positiva que la de Q2 , suponemos que Q1 está activo y Q2 cortado y dibujamos la
siguiente figura
+
300Ω 300Ω
-
C1
C2
B1 80IB1
-1.0V -1.3V
0.7 E2 B2
E1
IB1
IE1 1.2kΩ
-5.2V Circuito equivalente suponiendo Q1

activo y Q2 cortado.
El diagrama muestra que IE1 = ( 80 +1 ) IB1 , por lo tanto IB1 = 36 µA. Como la corriente
de base es positiva, establecemos que Q1 conduce; sin embargo podrá estar saturado.
Como
IC1 = 80 IB1 = 2.88 mA
VC1 = 0 – ( 300 ) ( 2,88⋅10-3 ) = -0.864 V
por lo tanto
VCE1 = -0.864 – (- 1.7 ) = 0.836
Como VCE > 0.2 V, Q1 está activo, no saturado.
PROBLEMA 10
Realizar los siguientes apartados:

a) Dibuje la salida y determine el nivel de cd de la salida para la red de la figura.
b) Repita el inciso a) si el diodo se sustituye por un diodo de silicio.
c) Repita los incisos a) y b) si se incrementa a 200 V y compare las soluciones
usando las ecuaciones:
Vcd = 0.318∙Vm Vcd = 0.318∙(Vm - VT)
vi
20V
vi R 2kΩ
0 T T t
2
a) En esta situación, el diodo conducirá durante la parte negativa de la entrada, como se

ilustra en la figura de abajo, y v0 aparecerá como se muestra en la misma figura. Para el
periodo completo, el nivel de cd es:
Vcd = -0.318∙Vm = -0.318 ∙ 20 V = -6.36 V
El signo negativo indica que la polaridad de la salida es opuesta a la polaridad definida

en la figura anterior.
vi
+
20
vi I 2kΩ v o
0 T T t +
2
20
v0
0 T T t
2
20V
b) Al emplear un diodo de silicio, la salida tiene la apariencia de la figura siguiente, y:

Vcd = -0.318∙(Vm - 0.7 V) = -0.318 ∙ 19.3 V = -6.14 V
La caída resultante en el nivel de cd es de 0.22 V o de aproximadamente 3.5%.
v0
0 T T t
2
20V-0.7V=19.3V
c) Las ecuaciones en nuestro caso son:
Vcd = -0.318∙Vm = -0.318 ∙ 200 V = -63.6 V
Vcd = -0.318∙(Vm - VT) = -0.318∙(200 V - 0.7 V) = -0.318 ∙ 199.3 V = -63.38 V
Esta diferencia puede, sin duda, despreciarse para la mayoría de las aplicaciones. Para la
parte c), el desplazamiento y la caída en la amplitud debida a VT no serían perceptibles
en un osciloscopio común y corriente si se visualizara el patrón completo.
PROBLEMA 11
Determínese la forma de onda de salida para la red de la figura, y calcule el nivel

de salida de cd y el VPI requerido para cada diodo.
Vi
10
2kΩ
vi
v0
0 T T
2 t
2kΩ 2kΩ
La red aparecerá como se presenta en la figura siguiente para la región positiva del
voltaje de entrada. Al redibujar la red, se obtendrá la configuración de la figura, donde
v0 = ½ vi ó Vomax = ½ Vimax = ½ ∙10 V = 5 V. En la parte negativa de la entrada se
intercambiarán los papeles de los diodos, y v0 aparecerá como se indica.
Vi
10V
2kΩ
vi
v0
0 T
2 t
2kΩ 2kΩ
+ +
2KΩ v0 v0
vi
- 2KΩ 5V 5V
2KΩ
0 T t 0 T T t
- 2 2
El efecto de eliminar los dos diodos de la configuración puente consistió, por tanto, en
la reducción del nivel de cd disponible al valor siguiente:
Vcd = 0.636 ∙ 5 V = 3.18 V
o al nivel disponible de un rectificador de media onda con la misma entrada. Sin
embargo, el VPI determinado es igual al voltaje máximo en R, que es de 5 V o la mitad
del que se requiere para el rectificador de media onda con la misma entrada.
PROBLEMA 12
Determinar la tensión de salida v0 en el circuito de la figura con las tensiones de

entrada siguientes:
a) v1 = v2 = 5 V
b) v1 = 5 V; v2 = 0
c) v1 = v2 = 0
Se usa un diodo de silicio que tiene Rt = 30 Ω, Vγγ = 0.6 V, It = 0 y Rt → ∞.
+5V
D1
4.7kΩ D2
270Ω
270Ω D1
4.7Ω V0
v1 V0 270Ω
+ + +
V1 V2 5V
270Ω D2
v2
Observemos que en la figura no están señaladas las referencias (tierra). Todas las
tensiones indicadas están medidas respecto a la referencia con caídas de tensión
consideradas positivas. El circuito de la figura está reproducido a la derecha con el
punto de referencia incluido.
a) Con v1 = v2 = 5 V, supondremos que D1 y D2 están en corte. Podemos sustituir los
diodos de manera que quede el circuito de la figura siguiente. La observación de este
circuito pone en evidencia que no circula corriente alguna. En consecuencia, la caída de
tensión a través de cualquier resistencia es nula, y por la ley de Kirchhoff, VD1 = VD2 =
0, confirmando así la primera suposición.. Por tanto, v0 = 5 V.
V D1
+
V D2 +
270kΩ 270kΩ 4.7kΩ

VO
+ + +
5V 5V 5V
b) Supongamos que D1 está en corte y D2 en conducción, con v1 = 5 V y v2 = 0.

Obtenemos el circuito:
V D1
+
+
+
30Ω 0.6V
I D2
270kΩ 270kΩ 4.7kΩ
VO
+ +
5V 5V
Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo interior, tendremos que:

4700∙ID2 + 30∙ID2 + 270∙ID2 = 5 - 0.6
de donde, despejando ID2:
5 − 0.6
I D2 = = 0.88mA
4700 + 30 + 270
Como ID2 es positiva (en sentido directo), la suposición de que D2 está en conducción es
correcta. En el lazo exterior no hay corriente, por lo que:
v0 = 5 - 4700∙ID2 = 5 - 4700 ∙ 0.00088 = 0.864 V
También puede calcularse de:
v0 = 0.6 + 270∙ID2 + 30∙ID2 = 0.6 + 300 ∙ 0.00088 = 0.864 V
Al no existir corriente en el exterior:
VD1 = v0 - 5 = 0.864 - 5 = -4.136 V
El valor negativo de VD1 confirma nuestra suposición de que D1 está en corte. Así, el
último circuito representa las condiciones del circuito y el valor calculado de v0 = 0.864
V es la tensión de salida. Si en lugar de suponer que D2 está en conducción hubiéramos
supuesto que está en corte, ID2 hubiera sido cero. Sin corriente en ningún diodo, v0 = 5
V, haciendo que VD2 = 5 V. Como este valor es mayor que Vγ = 0.6 V, nuestra
suposición hubiera sido errónea. De igual forma, si se considera D1 en conducción y D2
en corte, la ley de Kirchhoff aplicada al lazo exterior nos daría un valor negativo de ID1,
y el supuesto sería falso.
c) El circuito equivalente que sigue es aplicable cuando v1 = v2 = 0, suponiendo ambos

diodos D1, D2, en conducción. Por razones de simetría, en ambos diodos existe la
misma corriente I. La ley de Kirchhoff exige suministrar una corriente 2I a estas ramas.
30Ω 0.6V
+
+
I
30Ω 0.6V +
I
270kΩ 270kΩ 2I
4.7kΩ VO
+ +
5V 5V
Para el lazo interior, la expresión es:

4700 ∙ 2I + (30 + 270)∙I = 5 - 0.6
de donde, despejando la I:
5 − 0.6
I= = 0.454mA
9400 + 300
El valor positivo indica que la suposición es correcta, y por tanto:

v0 = 0.6 + (30 + 270)∙I = 0.6 + 300 ∙ 0.000454 = 0.736 V
Hemos observado, en este ejercicio, que existen valores dispares de V0 que dependen
del estado de los diodos. Cuando ambas entradas son “altas” (por ejemplo, de 5 V), la
salida también es alta. La salida es “baja” cuando una o las dos entradas son también
bajas. Los circuitos con este tipo de comportamiento se denominan “puertas AND”.
PROBLEMA 13
Necesitamos un medidor analógico para medir tensiones senoidales con valores de

pico entre 0 y 400 V. El circuito es el de la figura, con R = Rx + rm, donde rm es la
Ω de un mecanismo de medida disponible y Rx es una resistencia
resistencia de 10 kΩ
en serie desconocida. El diodo es ideal. Hallar el valor de R, si la senoide de 400 V
genera una medida de corriente continua de 2 mA.
+ +
v i (t) R v o (t)
-
-
v i (t)=V M senω o t
Cuando aplicamos una senoide de VM = 400 V, aplicando la ecuación:
T /2 T
1 VM
Vdc =
T ∫V
0
M sen ϖ 0tdt + ∫ 0dt =
T /2
π
la tensión continua en R es 400 / π = 127.3 V. La corriente medida de 2 mA viene de:
127.3
0.002 =
Rx + 10000
De donde despejamos Rx = 53.7 kΩ
PROBLEMA 14
Diseñar un cargador de baterías para entregar IDC = 4 A a una batería de 12 V.

Diseñar implica hallar las especificaciones de los diodos, TIP y corriente de pico,
además de R y VM. Suponer que nuestras ecuaciones basadas en un diodo ideal son
suficientemente precisas.
+ +
v i (t) i(t) V BB
- -
Si conociésemos θ1 y θ2, podríamos usar la ecuación VM sen θi = VBB para hallar VM, ya
que VBB = 12 V. Así, con los valores conocidos para VM e IDC, podríamos resolver la
ecuación:
θ
1 2 VM sen θ − VBB
2π θ∫1
I DC = dθ
R
y hallar R. La siguiente figura muestra que θ1 y θ2 son simétricos respecto a 90º:
i(t)
I pico I DC
ωt=θ
θ1 θ2 π 2π
Así que podemos seleccionar arbitrariamente θ1 = 20º y θ2 = 160º, por ejemplo. Con
VBB = 12V nos queda:
VM sen 20º = 12
de donde obtenemos VM = 35.1 V. Para una corriente de carga 4A, tenemos que:
2.79
1 1
R= ∫ (35.1sen θ − 12)dθ =8π (−35.1cosθ − 12θ ) = 1.46Ω
2.79
0.349
4∙ 2π 0.349
con los ángulos expresados en radianes.

Este valor es menor que el que encontramos normalmente en circuitos
electrónicos, pero razonable para una aplicación de potencia. A continuación, hallamos
las especificaciones para el diodo rectificador.
Vemos que el pico de la corriente por el diodo ocurre cuando vi es máxima, a 35.1 V.
Con el diodo ideal en cortocircuito:
35.1 − 12
I pico = = 15.8 A
1.46
La siguiente figura muestra que en este circuito, el diodo debe resistir una tensión
inversa de VM + VBB = 35.1 + 12 = 47.1 V. Un diseñador prudente añade un 20% o más
a los valores de TIP e Ipico como factor de seguridad. Esto completa el diseño inicial:
R
A C
- +
E V BB
+
-
Examinemos ahora la decisión arbitraria que hicimos acerca de los ángulos de

conducción. Como la corriente debe ser de 4A, elegir un intervalo de conducción menor
incrementa la corriente de pico ya que el área encerrada por la curva de la corriente debe
ser la misma. Pero con VBB = 12 V esto implica un valor mayor de VM, incrementando
el TIP que debe soportar el diodo. En general, un intervalo de conducción menor
necesita diodos más caros. El ángulo de conducción original parece ser un compromiso
satisfactorio.
PROBLEMA 15
Diseñar el regulador básico de la figura, para una salida de 10 V y 20 A.
21+1V 10V
- Z C 20mA
a) Funcionamiento del circuito.

El circuito es el regulador básico con diodo zener. Omitiendo el rizado, por la
resistencia R circula una corriente constante I. Dicha corriente se divide en dos, la que
circula por la carga, IL, y la que circula por el zener, IZ, de forma que en todo momento
se cumple:
IL + IZ = I
Así pues, el zener proporciona tensión constante a la salida del regulador y ello obliga a
que absorba la corriente que no quiere la carga.
Omitiendo el condensador C, el rizado a la salida del regulador, VRS, vale:
VRe
VRS = ∙ rz
R + rz
siendo VRe el rizado a la entrada y rz la resistencia dinámica del diodo zener.. El papel
del condensador C aparece, pues, claro; forman junto con R y rz un filtro de paso bajo
para rechazar el rizado. El valor de C puede calcularse teóricamente para una atenuación
del rizado deseada. Sin embargo, en un diseño práctico suele tomarse C = 2.500 µF o
mayor.
b) Método de diseño.
Se trata de elegir la resistencia R y diodo zener conforme a las especificaciones
deseadas. La tensión de ruptura del zener debe ser la tensión de salida deseada. La
corriente que como mínimo deberá poder soportar será la máxima corriente que circule
por R, y la potencia que debe de ser capaz de disipar será la máxima corriente por R
multiplicada por la tensión de ruptura.
R debe diseñarse de forma que con las condiciones más desfavorables de
funcionamiento (tensión mínima de entrada y máxima corriente a la carga), provea la
corriente de carga y la necesaria para polarizar al zaner (del orden de 1 mA).
c) Diseño.
De lo que precede, R se calcula por la fórmula:
Vemin − Vz 20 − 10
R= = = 470Ω
I Lmax + I zmin 21
El zener será uno de tensión de ruptura Vz = 10 V que deberá poder soportar una
corriente Iz max dada por:
Vemax − Vz 22 − 10
I zmax = = = 25.5mA
R 470
y una potencia Pz:
Pz = Iz max ∙ Vz = 255 mW
Finalmente, se elige C = 2.500 µF.
d) Tabla de valores estándar.

Vz = 10 V R = 470 Ω C = 2.500 µF
PROBLEMA 16
Determine V0 para la red de la figura.
D1
E=10V D2
R=1kΩ
Note en primer término que sólo hay un potencial aplicado (10 V en la terminal 1). La
terminal 2 con una entrada de 0 V se encuentra en esencia en un potencial de conexión a
tierra, como se muestra en la red dibujada. Esta figura “sugiere” que es probable que D1
esté en el estado “encendido” debido a los 10 V aplicados, en tanto que es posible que
D2, con su lado “positivo” en 0 V, esté en estado “apagado”. La suposición de estos
estados dará como resultado la configuración siguiente:
VD=0,7V
V0=E; VD=VR=IR
E=10V I
R=1kΩ
El siguiente paso consiste sólo en verificar que no hay contradicciones en nuestras

suposiciones. Esto es, note que la polaridad en D1 es tal que debe “encender” y que la
polaridad en D2 es mantenerlo apagado. En D1 el estado “encendido” establece V0 a:
V0 = E - VD = 10 V - 0.7 V = 9.3 V
Con 9.3 V en el lado cátodo (-) de D2 y 0V en el lado del ánodo (+), D2 se encuentra
definitivamente en el estado “apagado”. La dirección de la corriente y la trayectoria
continua que resulta para la conducción confirman aún más nuestra suposición de que
D1 está conduciendo. Nuestras suposiciones parecen confirmarse por los voltajes y la
corriente resultantes, y puede considerarse correcto nuestro análisis inicial. El nivel de
voltaje de salida no es de 10 V como se definió para una entrada de 1, pero el valor de
9.3 es lo suficientemente grande como para considerarse un nivel 1. La salida, por tanto,
se encuentra en un nivel 1, con sólo una entrada, lo que sugiere que la compuerta es una
compuerta OR.
Un análisis de la misma red con dos entradas de 10 V dará como resultado que ambos
diodos estén en el estado de conducción y que la salida sea de 9.3 V. La entrada de 0 V
en ambas entradas no brindará los 0.7 V que se requieren para que conduzcan los diodos
y la salida será igual a 0 al nivel de salida de 0 V. En la red de la figura 2, el nivel de
corriente se determina mediante:
E − VD 10V − 0.7V
I= = = 9.3mA
R 1kΩ
PROBLEMA 17
Determine el nivel de salida para la compuerta AND de lógica positiva de la figura.
D1
D2
R=1kΩ
E=10V
Observe en este caso que una fuente independiente aparece en la conexión a tierra de la
red. Por razones que pronto serán obvias, se elige al mismo nivel que el nivel lógico de
entrada. La red se encuentra redibujada abajo, con nuestras suposiciones iniciales en
cuanto al estado de los diodos. Con 10 V en el lado del cátodo de D1 se supone que éste
se encuentra en el estado “encendido”, aun cuando haya una fuente de 10 V conectada
al ánodo de D1 a través del resistor. Sin embargo, recuerde que señalamos que el empleo
de un modelo aproximado sería una ayuda para el análisis. Para D1, ¿de dónde
provendrán los 0.7 V si la entrada y los voltajes de la fuente se encuentran al mismo
nivel y crean “presiones” opuestas? Se supone que D2 se encuentra en el estado
“encendido” debido al bajo voltaje en el cátodo y a la disponibilidad de la fuente de 10
V a través del resistor de 1 kΩ.
VD=0,7V
- + V0=VD=0,7V
E=10V R=1kΩ
I
E=10V
En esta red, el voltaje en V0 es 0.7 V a causa del diodo D2 polarizado directamente. Con
0.7 V en el ánodo de D1 y 10 V en el cátodo, D1 se encuentra definitivamente en el
estado “apagado”. La corriente I tendrá la dirección indicada, y una magnitud igual a:
E − VD 10V − 0.7V
I= = = 9.3mA
R 1kΩ
De este modo se confirma el estado de los diodos y nuestro análisis anterior fue
correcto. Aunque no se definió el valor de 0 V para el nivel 0 como antes, el voltaje de
salida es suficientemente pequeño como para considerarse un nivel 0. Para la compuerta
AND, en consecuencia, una sola entrada producirá una salida de nivel 0.
PROBLEMA 18
El diodo de la figura es ideal. Obtener VA.
+12V
R=10kΩ
VA
-8V
La figura introduce un tipo de circuito ampliamente utilizado en electrónica. Las flechas

indican el sentido de las tensiones respecto a una referencia de masa de cero voltios.
Esta referencia es explícita, pero a menudo se omite en el diagrama. La figura que viene
a continuación es la notación más convencional del mismo circuito. La notación
compacta muestra cómo se conectan los componentes a los terminales de alimentación y
masa.
R=10kΩ +12V
VA
R=10kΩ
+12V
A VA
8V ID
C
-8V
Se espera que la corriente fluya del terminal de +12 V a través del diodo, en sentido
positivo, hacia la fuente de -8 V; por lo tanto suponemos que el diodo está en
conducción. A la derecha se muestra el modelo del circuito resultante. De este circuito
equivalente se obtiene:
12 − (−8)
iD = = 2mA
10000
Vemos que nuestra suposición inicial era correcta. Podemos concluir que:
VA = -8 V
PROBLEMA 19
El diodo de la figura es ideal. Hallar VC.
+10V
R=5kΩ
R=2,5kΩ
VC
VC A C
ID R=5kΩ
R=5kΩ
R=5kΩ 5V
6V
6V
Supongamos el diodo en conducción. Se obtiene la figura de la derecha. Está claro que

iD es negativa, así que la suposición inicial es incorrecta.
Suponer que el diodo está cortado genera la figura de abajo. Como circula corriente nula
por el circuito, vA = 5 V y vC = 6 V; por lo tanto vD = vA - vC = -1 V. Del diagrama, VC
= 6 V.
R=2,5kΩ
A C
VC
+ VD -
R=5kΩ
5V
6V
PROBLEMA 20
Hallar Ii en la figura de la izquierda cuando:

a) Vi = +12 V
b) Vi = -6 V
Suponer ideales los diodos.
ID
D1
A C
D1
Ii 5kΩ Ii 5kΩ
+ +
A
Vi 2kΩ D2 12V 2kΩ D2
C
- -
a) Cuando Vi > 0, esperamos una corriente positiva Ii que se divide en dos partes, una
por el diodo y otra por la resistencia de 5 kΩ, así que suponemos el diodo D1 en
conducción. Esta corriente continuaría a través de la resistencia de 2 kΩ, con D2
cortado, puesto que la conducción inversa es imposible.
La figura de la derecha muestra nuestro modelo de circuito. Como D1 cortocircuita la
resistencia de 5 kΩ, Ii = 12 / 2000 = 6 mA. Para D1, iD1 = +6 mA porque la tensión en la
resistencia de 5 kΩ es cero. D2 está cortado porque vD2 = -12 V. Por lo tanto, las
suposiciones iniciales se verifican.
b) Cuando Vi = -6 V, esperamos una corriente negativa en nuestro circuito. Esto sugiere
que D1 está cortado y D2 conduce, dando la figura siguiente. De este circuito, Ii = -6/5
mA. Como iD2 es positiva y vD1 negativa, no hay contradicción.
A C
D1
Ii 5kΩ
+
A
6V 2kΩ D2
C
-
PROBLEMAS DIODOS ZENER.
Procedimiento sugerido:
Similar al de diodos semiconductores normales.
1) Se determina el estado del diodo.
2) Se sustituye por un modelo apropiado y una determinación de las
otras cantidades desconocidas de la red.
Análisis para el caso de Vi y R fijas:
1) Determinar el estado del diodo Zener extrayéndolo del circuito y calculando

el voltaje a lo largo del circuito abierto resultante.
2) Sustituir el circuito equivalente apropiado y resolver para las incógnitas
deseadas.
PROBLEMA 21
(a) Para la red de diodo Zener de la siguiente figura, determinar VL, VR, IZ y PZ.
Ω.
(b) Repita la parte (a) con RL = 3 kΩ
+ VR -
R
1 ΚΩ
-
V =10 V
Z RL 1.2 KΩ V
V 16 V L
i
+
PZM =30 mW
(a) Calculamos el voltaje a través del circuito abierto:

RLVi 1.2kΩ(16V )
V= = = 8.73 V
R + RL 1kΩ + 1.2kΩ
Dado que V = 8.73 V es menor que VZ = 10V, el diodo está en estado de no conducción,
como se ve en la representación de iz frente a VZ que se muestra a continuación; con lo
que lo sustituimos por un circuito abierto:
I R i (mA)
Z
R
I
L
I
1 KΩ Z
+ V Z -
V
L
+
16 V V =10 V
Z
V R L 1 KΩ
V
Z
8.73 V
-
Donde hallamos que:
VL = V = 8.73 V dado que estamos en paralelo
VR = Vi - VL = 16 V – 8.73 V = 7.27 V
IZ = 0 A
y PZ = VZ IZ = VZ ( 0 A ) = 0 W
(b) Hallamos la tensión en vacío del diodo Zener:
RLVi 3kΩ(16V )
V= = = 12 V
R + RL 1kΩ + 3kΩ
Dado que V = 12 V es mayor que VZ = 10 V, el diodo está en el estado de conducción y

se tendrá la red de la siguiente figura:
+ VR -
IZ
1 KΩ
V 10 V R 3 kΩ
i 16 V V
Z L V
L
Dado que los voltajes a través de los elementos en paralelo deben ser los mismos,
encontramos que:
VL = VZ = 10 V
y VR = Vi – VL = 16 V – 10 V = 6 V
VL 10V
con IL = = = 3.33 mA
RL 3kΩ
VR 6V
y IR = = = 6 mA
R 1kΩ
de modo que mediante la ley de corrientes de Kirchhoff
IZ = IR - IL = 6 mA – 3.33 mA = 2.67 mA
La potencia disipada es
PZ = VZ IZ = (10 V ) ( 2.67 mA ) = 26.7 mW
La cual es menor que el valor especificado de PZM = 30 mW
Análisis para el caso de Vi fijo, RL variable:
Por causa del voltaje VZ, hay un intervalo de valores del resistor y, por tanto, de
la corriente de carga, que asegurarán que el Zener esté en estado de
conducción. Una resistencia de carga demasiado pequeña RL originará un
voltaje VL en el resistor de carga menor que VZ y el dispositivo Zener se
encontrará en el estado de corte.
PROBLEMA 22
(a) Para la red de la figura siguiente, determinar el rango de RL e IL que dará

como resultado a VRL mantenido a 10 V.
(b) Determinar el voltaje nominal del diodo.
IR
1 KΩ I
L
+ R I
Z
V = 50 V
V = 10V R
i L
Z
I =32 mA
- ZM
(a) Para determinar el valor de RL que llevará el diodo Zener al estado de conducción,
basta con calcular RL tal que produzca un voltaje de carga VL = VZ. Esto es,
RLVi RVZ (1kΩ)(10V ) 10kΩ

VL = VZ = ; RLmín = = = = 250 Ω
R + RL Vi − VZ 50V − 10V 40
El voltaje en el resistor R, que permanece fijo ahora que estamos en el estado de

conducción, se determina mediante
VR = Vi – VZ = 50 V – 10 V = 40 V
e IR permanece fijo en
VR 40V
IR = = = 40 mA
R 1kΩ
Dado que la corriente Zener IZ = IR - IL , vemos que IZ mínimo cuando IL es máximo, y

viceversa, dado que IR es constante. Con lo que el nivel mínimo de IL viene dado por
ILmín = IR - IZM = 40 mA- 32 mA = 8 mA

y la resistencia de carga máxima
VZ 10V
RLmáx = = = 1.25 kΩ
ILmín 18mA
En las siguientes figuras se muestra una gráfica de VL versus RL y VL versus IL.
VL V
L
10 V
0 250 Ω 1.25 kΩ R 0 8 mA 40 mA
L IL
(b) Pmáx = VZ IZM = (10 V ) ( 32 mA ) = 320 mW
Análisis para el caso de RL fijo, Vi variable:
PROBLEMA 23
Determinar el intervalo de valores de Vi que mantendrán en el estado de

conducción al diodo Zener de la siguiente figura.
R IR
I
L
+ 220 KΩ I
Z
+
V R 1.2 KΩ V
V = 20V L L
i
Z -
I =60 mA
- ZM
El mínimo voltaje para activar Vi = Vimín se determina mediante
RLVi ( RL + R)VZ (1200Ω + 220Ω)(20V )

VL = VZ = ; Vimín = = = 23.67 V
R + RL RL 1200Ω
VL VZ 20V
IL = = = = 16.67 mA
RL RL 1.2kΩ
El valor máximo de Vi está limitado por la corriente Zener máxima IZM. Puesto que
IZM = IR – IL
IRmáx = IZM + IL = 60 mA + 16.67 mA = 76.67 mA
Como IL se fija a VZ/RL e IZM es el valor máximo de IZ, el Vi máximo se define

mediante
Vimáx = VRmáx + VZ = IRmáx R + VZ = ( 76.67 mA ) ( 0.22 kΩ ) + 20 V =
= 16.87 V + 20 V = 36.87 V
En la siguiente figura se presenta una gráfica de VL versus Vi
V
L
20 V
0 10 20 40 V
i
23.67 V 36.87 V
PROBLEMA 24
En el circuito de la figura: Determinar la tensión en la resistencia RL, La caída de

tensión en el diodo VD y la resistencia en continua equivalente del diodo. Suponer
el modelo lineal con Vr = 0.7 V, Rd = 30 Ω.
+
E=20V -
i RL=2kΩ
Sustituyendo el diodo por un modelo equivalente
Vγ Rd
+ -
+
E i RL
-
E − Vr 20 − 0.7
i= = = 9.5 mA
Rd + RL 2030
VL = RLi = 19 V
La tensión en los bornes del diodo es:
VD = Vr + Rd id = 0.7 + 9.5⋅10-3 30 = 0.98 V
VD 0.98
Rcc = = = 103 Ω
ID 0.0095
PROBLEMA 25
Determinar la tensión de salida VL utilizando el modelo equivalente del diodo

anterior y ( ¿? ) un diodo ideal. Vi = 5 sen wt.
D
Ω002=L R
Vi VL
En directo tendremos el siguiente circuito:
Vγ Rd
Vi i RL
La conducción comienza a partir de Vi = Vr
0.7
5 sen X1 = 0.7 X1 = arcsen = 8.04°
5
Vi − Vr
i= cuando Vi >Vr
Rd + RL
5senwt − 0.7
i= ; VL = i RL = 4.34 sen wt –0.6
230
Las gráficas i, VL ( ¿? ) se muestra a continuación:
Vi VL=i∙RL
π 0,7 2π
x=ωt
x1=8,04º x1
En el ciclo negativo, más exactamente en X = π - X1 el diodo se polariza inversamente

siendo un circuito abierto Rr = ∞ y VL = 0
PROBLEMA 26
Obtener la tensión Vd en los extremos del diodo, con el montaje de la figura.

Ω, Vpp = 0.026 sen wt, E = 2V.
Vr = 0.7 V, Rd = 4Ω
R=100Ω
Vpp=26mV
i Vd
E=2V
Sustituimos el diodo por su modelo para polarización directa
Vpp Vγ
Vd
i
E Rd
Para que comience la conducción deberá ser:
E + Vpp ≥ Vr
Vd = VAC = VA – VC = Σ Ri - Σ ε = Rd i + Vr
E + Vpp − Vr 2 + 0.026 senwt − 0.7

i = = = ( 0.0125 + 2.5⋅10-4 sen wt ) A
R + Rd 104
Vd = Vr + Rd I = 0.7 + (0.0125 + 2.5⋅10-4 sen wt ) 4 = 0.75 +1⋅10-3 sen wt =
= 0.75 V + 1 sen wt (mV)

Vd
0,75V 1mV
PROBLEMA 27
En el circuito de la figura. Calcular:

a) Corriente en el diodo.
b) Tensión en el diodo y a la salida.
Vi = Vm sen wt, Vr = 0 V. Rf finita, Rr = ∞
Vm
Vi RL VS π 2π
x=ωt
VmsenX Im senX Vm
a) 0 < X < π ; i= = =
RL + Rf ¿? RL + Rf
π < X < 2π; i =0
El valor medio de la corriente será
π
1 Im Im
[− cos X ]0 =
π
Imedia =
2π ∫I
0
m senXdX =
2π π
b) VL = VS = RL i = Im RL sen X 0 < X< π
VL = VS = 0 π < X < 2π
Media
Im RL
VLmedia = Imedia RL =
π
La tensión en bornes del diodo será
conducción 0<X<π Vd = i Rf = Im Rf sen X
bloqueo π < X < 2π Vd = Vi = Vm sen X ya que VL = 0
i
Im
π 2π x
0
VL
ImRL
π 2π x
0
Vd
ImRf
π 2π x
0
-Vm
El valor medio de la tensión en el diodo Vd será

1  
π 2π
Vd medio = ∫ Im Rf senXdX + ∫ VmsenXdX  =
2π  0 π 
1
= [Im Rf − Im( Rf + RL )] = - Im RL
π π
( ¿? ) Vm = Im ( RL + Rf )
Obsérvese que el valor medio es negativo tal como aparece en la figura.

PROBLEMA 28
Se tiene un diodo de unión cuya característica corresponde a la figura adjunta.

Determinar para el circuito de la figura V2 en función de V1, utilizando la gráfica
V I del diodo, en el intervalo –5 < V1 < +5. Supongase RS = 100 Ω y trazar la
gráfica V2.
El cálculo debe hacerse ( ¿? ) vista de la característica.

I(mA)
100
80
60
RS
40
20 D1 D2
V1 V2
V(Voltios)
0 0,1 0,2 0,3 0,4
V1 = 0 V. Ningún diodo conduce, no cae tensión en RS al ser i = 0 y V2 = V1 = 0 V.
V1 = 0.1 V ⇒ No hay conducción ⇒ V2 = 0.1 V.
V1 = 0.2 V ⇒ No hay conducción ⇒ V2 = 0.2 V.
V2 = 0.3 V ( ¿? ) como D1 conduce. D2 bloqueado, es decir, para

que comience la conducción se precisa una tensión en bornes de ( ¿? )
según la gráfica. Es decir V2 = 0.3V.
En la gráfica determinamos la corriente aproximadamente Id = 6 mA; de aquí a la vista

del circuito podemos obtener la tensión V1.
V1 = RS Id + VD1 = RS Id + V2 = 6⋅10-3 100 + 0.3 = 0.9 V
V2 = 0.35 V ⇒ Id ≅ 15 mA V1 = 15⋅10-3 100 + 0.35 = 1.4 V
V2 = 0.4 V ⇒ Id ≅ 40 mA V1 = 40⋅10-3 100 + 0.4 = 4.4 V
Para valores negativos sucede algo smilar y el diodo que conduce es D2
V1 = 0 V → V2 = 0 V V1 = -0.9 V → V2 = -0.3 V
V1 = -0.1 V → V2 = - 0.1 V V1 = -1.4 V → V2 = -0.35 V
V1 = -0.2 V → V2 = -0.2 V V1 = -4.4 V → V2 = -0.4 V

V2 V2
V1
0,5
0,4 V1
0,3 1
0,2
0,5
0,1
-5 -4 -3 -2 -1 1 2 3 4 5 V2 0 t
-0,1 0
-0,2 -0,5
-0,3
-1
-0,4
-0,5
PROBLEMA 29
Las corrientes de saturación de los diodos D1 y D2 son 1 y 2 µA. La tensión de

ruptura es la misma en ambos e igual a 100 V.
Calcular la corriente y la tensión en cada diodo si V = 90 V y V = 110 V.
Ω.
Repetir lo anterior si a cada diodo se le coloca en paralelo una R = 10 kΩ
D1
D2
Debemos suponer que la característica ( ¿? ). Se mantiene en la

corriente de saturación I0 ≅ cte hasta que se alcanza la tensión de ruptura.
Id
Vi=100V I0
Vd
IL
En esta situación los dos diodos están inversamente polarizados y circulará la corriente
inversa menos ( ¿? ) ambos.
I = I01 = 1 µA
Como por el diodo D2 circula la corriente inversa I01, se tendrá
I2 = I02 ( eV2/ηVT – 1 ) = -I01
 I 01 
Despejando V2 queda V2 = η VT ln 1 − 
 I 02 
η=2
Considerando los diodos de Si ⇒
VT = 0.026 V
V2 = 2 ⋅ 0.026 ln( 1 – 0.5 ) = -36 mV
V1 = V – V2 = 90 - 36⋅10-3 = -89.964 V
Obsérvese como el diodo que posee menos corriente inversa es el que soporta
prácticamente toda la tensión. En la gráfica siguiente puede apreciarse lo anterior. Se ha
supuesto para verlo más claro una cierta dependencia de la corriente inversa con la
tensión:
I
VR=VZ=100V V1 V2
0
V
I01
D1
D1
Vemos que la tensión V2 < V1 para un I01 en ambos diodos.

Supongamos ahora V = 110V.
Según el apartado anterior vemos que D1 ha alcanzado la tensióin de ruptura zener.
Luego VD1 = VZ = -100 V V2 = -10 V ( V = V1 + V2 )
Pasará la corriente inversa de saturación de D2, I02 = 2 µΑ , ya que D2 no ha llegado a la
zona de ruptura. ( V2´ = -10 V )
PROBLEMAS: TEMA 4.
PROBLEMA 30
a) Calcular el punto de reposo.

b) Factores de estabilidad.
V = 10 V
CC
R = 7 KΩ
R1 90 KΩ C
RE= 1 KΩ
R2 10 KΩ
a)
RC= 7 KΩ
RB
VBB R E= 1 kΩ
R1R 2 900 ⋅ 10 6
RB = = = 9⋅103 = 9kΩ
R1 + R 2 100 ⋅ 10 3
R2 10 ⋅ 10 3
VBB = VCC = 10 = 1V
R1 + R 2 100 ⋅ 10 3
VBB = IBRB + VBE + IERE
VBB = ICRB /β + VBE + ICRE

VBB − VBE 1 − 0.6 4 ⋅ 10 −1 4 ⋅ 10 −4
IC = = = = = 0.4 mA
RE + RB / β 1 ⋅ 10 3 + 9 ⋅ 10 3 / 100 1.09 ⋅ 10 3 1.09
VCC = ICRC + VCE + IERE
VCC = IC (RC + RE) + VCE
VCE = VCC - IC (RC + RE) = 10 – 4⋅10-4 (7⋅103 + 1⋅103) = 10 – 4⋅10-4 8⋅103 = 10 – 32⋅10-1
= 10 – 3.2 = 6.8 V
(VBB − VBE )( RB + RE ) (1 − 0.6)(9 ⋅ 10 3 + 1 ⋅ 10 3 ) 0.4 ⋅ 10 4 4 ⋅ 10 5

b) Sβ = = = = = 4 ⋅ 10 − 7
[RB + RE (1 + β )]2 [
9 ⋅ 10 3 + 1 ⋅ 10 3 (100)]2
[
1.09 ⋅ 10 5 ]
2
1 ⋅ 1010
= 4⋅10-7 = 4⋅10-4 mA
PROBLEMA 31
Calcular la red de polarización de este circuito para que el punto de reposo sea
Q(SC,VCE)≡(4mA,7V)
Datos: a) SIco = 17 β = 200

b) I1 = 10IB
V = 15 V
CC
R
R1 I1 C
I
C
IB IE
RE
I2
R2
a)
VCC = ICRC + VCE + IERE
VCC − VCE 15 − 7
VCC = IC (RC + RE) + VCE → RC + RE = = −3
= 2 ⋅ 10 3 = 2kΩ
IC 4 ⋅ 10
RC = 4RE → RE = 0.4 kΩ ; RC = 1.6 kΩ
RB RB
SI = 1 + =1+ = 1.7 → RB = 6.4 kΩ
RE 0.4
VB = VBE + VE = 0.7 + 4⋅10-3 0.4⋅105 = 2.3V
R2 15
VB = VCC → 2.3 = ⋅ R2 R1 = 41.58 kΩ
R1 + R 2 R1 + R 2
R1 ⋅ R 2
6.4 = R2 = 7.56 kΩ
R1 + R 2
b)
VCC = ICRC + VCE + IERE ⇒ RC + RE = 2 kΩ
RC = 4RE ⇒ RE = 0.4 kΩ RC = 1.6 kΩ
IC 4
IB = = = 0.02 mA
β 200
I1 = 10 IB = 0.2 mA; VB = 2.3V
15 − 2.3
VCC – VB = I1R1 → R1 = = 63.5 → R1 = 63.5 kΩ
0.2
VB = I2R2 = (I1-I2) R2 = (0.2-0.002) R2 → R2 = 12.7 kΩ
PROBLEMA 32
Hallar R1 y R2 del circuito de la figura, para que trabaje en el punto:

Q(IC,VCE)≡(3.75mA,4.5V)
+ 9V
RC = 1 KΩ
R1
β= 100
RE= 200 KΩ
R2
Datos: VBE = 0,7 V
VB = VBE + IERE
VB = VBE + ICRE
VB 0.7 + 3.75 0.2 = 1.45 V
RC= 1 KΩ
RB
+ 9 V
VBB R = 200 kΩ
E
VBB = VB = 1.45 V
R2 VBB 1.45
VBB = VCC = = = 0.161
R1 + R 2 VCC 9
Como RB << (β +1) RE ≈ β RE = 100 RE = 20k
RB << 20kΩ ⇒ RB = 2kΩ
R1 R 2
= 2 ⋅ 10 3 ; R1R2 = 2⋅103 (R1+R2) = 2⋅103 R1 + 2⋅103 R2
R1 + R 2
R2
= 0.161 ; R2 = 0.161R1 + 0.161R2 ⇒ R2 0.839 = 0.161 R1
R1 + R 2
R2 = 0.192 R1
R1 0.192 R1 = 2⋅103R1 + 2⋅103 0.192 R1
0.192 R12 = 2⋅103R1 + 0.384⋅103R1
2.384
0.192 R1 = 2.384⋅103; R1 = ⋅ 10 3 = 12.4 ⋅ 10 3 = 12.4 kΩ
0.192
R2 = 0.192 12.4⋅103 = 2.4⋅103 = 2.4 kΩ
PROBLEMA 33
Hallar el punto de reposo para:

a) RB = 1kΩ
b) RB = 10kΩ
Datos: VBE = 0.7

α = 0.99
ICBO = 0
RC= 1 KΩ
RB + 10 V
+ 1 V
R E= 100 kΩ
PROBLEMA 34
Hallar R1 y R2 conociendo ICQ = 10 mA según los siguientes criterios:

a) Para que sea estable frente a variaciones de β.
b) Imponiendo la estabilidad frente a ICBO.
c) Asegurando la estabilidad de VBE.
Datos: VBE = 0.6 V

β = 100
+ 10 V
RC = 150 KΩ
R1
RE= 50 KΩ
R2
PROBLEMA 35
Calcular el punto Q de reposo del transistor del siguiente circuito.

Caso de que el factor SI no esté entre11 y 21, diseñar de nuevo la red ( R1 y R2 ) para
que cumpla esta condición, sin variar el punto de polarización.
V = 10 V
CC
R = 1 KΩ
C
R1
9 KΩ
R2 RE= 1 KΩ
1 KΩ
PROBLEMA 36
Calcular la red de autopolarización de un transistor de ganancia 100 < β < 200 para
alimentarlo a 20 V y que dé trabajo en el punto Q≡(6mA,5.5V); sabiendo que RC ha de
ser de valor 1kΩ, por necesidades del diseño.
PROBLEMA 37
Calcular el valor de VBB necesaria para que el transistor trabaje en saturación.

Datos: β = 15
VBE = 0.7
VCesat = 0.1 V
+ 10 V
R = 1KΩ
C
RB= 10 KΩ
R =1 KΩ
E
PROBLEMA 38
Hallar el punto de reposo del amplificador de la figura, para:

a) RB = 1kΩ
b) RB = 10kΩ
Datos:
VBEQ = 0.7V
α = 0.99
ICBO = 0
+ 15 V
1KΩ
RB
1V
100 Ω
PROBLEMA 39
Hallar R1 y R2 para que VCEQ = 5V, teniendo en cuenta que ICQ no debe variar más de un
10% cuando β varíe entre 20 y 60.
Datos: VBE = 0.7V.
+ 25 V
1'5 KΩ
R2
1 KΩ
R1
PROBLEMA 40
Calcular R1 y R2 de un circuito de autopolarización para que ICQ = 10 mA, de forma que

éste sea muy estable frente a las variaciones de β.
PROBLEMA 41
En el circuito de autopolarización RE = 4.7 kΩ y RB = 7.75 kΩ, la tensión de

alimentación y RC se ajustan para que ICQ = 1.5 mA:
a) Calcular las variaciones de ICQ en el margen de temperaturas de –65ºC a +175ºC.
b) Si R1 = 1kΩ, calcular VCC, RC y VCE para que el punto de reposo permita la
máxima excursión simétrica en tensión.
T-2.CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES.
Transistor = dispositivo de 3 capas
I I
C C
COLECTOR N
N
BASE
P
P
I I
B B
EMISOR
N
N
I I
E E
C C
IC IC
+ +
IB IB
V
B CE
B
- -
IE IE
E E
E C
+ +
VEB VCB
B
- -
E C
+ +
VEB VCB
B
- -
Componentes de la corriente del transistor.
P N P
I pE I
PC1
I E IpE -I
pC
IC
E I
nE I nCD I CD C
I
PCD
IB
A) IE = IPE + INE
Como el emisor está más drogado ⇒ IPE >> INE esto es deseable porque los
electrones que atraviesan la unión desde la Base al Emisor no contribuye con portadores
que alcacen el colector.
No todos los huecos IPE alcanzan el colectro, IPC1.
B) IPE – IPC1 se recombinan con los electrones que entran en el circuito

del exterior.
C) Si abrimos el circuito emisor por colector ICO saturación
-ICO = INCO + IPCO
Así:
IC = ICO – IPC1 = ICO - αIE
Donde α representa los huecos del emisor que atravesando la base llegan al colector.
IPC = IPC1 + IPCO
⇒ En un NPN las corrientes tendrán sentido contrario.
→→→→ desde el corte IE = 0 hasta IC

IC = ICO IE
IC − ICO
Puede definirse α = Ganancia corriente
IE − 0
para grandes señales.
PROBLEMAS: TEMA 5.
Ejemplo de circuito con polarización fija.
PROBLEMA 42
Determine las siguientes cantidades para la configuración de polarización fija de la

siguiente figura
a) IBQ e ICQ.
b) VCEQ.
c) VB y VC.
d) VBC.
V CC =+12V
R B =240kΩ IC R C =2.2kΩ
Salida
IB +
Entrada de ca
de ca C 2 =10µF
V CE
C 1 =10µF
- β=50
a) Consideramos primero la malla circuito base-emisor y aplicando Kirchhoff
VCC − V BE 12V − 0.7V

+VCC – IBRB – VBE = 0; IBQ = = = 47.08 µΑ
RB 240kΩ
En realidad, la expresión es sólo la ley de Ohm.
Consideramos ahora la sección de colector-emisor a partir de ahora. La magnitud de la

corriente de colector se relaciona directamente con IB
ICQ = β IBQ = (50)(47.08 µA) = 2.35 mA
b) Aplicando Kirchhoff a la malla colector-emisor en el sentido de las manecillas del

reloj
VCE + ICRC – VCC = 0; VCEQ = VCC – ICRC =
= 12V – (2.35 mA)(2.2kΩ)= 6.38 V

c) Recordamos brevemente que VCE = VC – VE donde VCE es el voltaje colector emisor
y VC y VE son los voltajes de colector y emisor a tierra, respectivamente. Nos damos
cuenta que en este caso
VE = 0V ⇒ VC = VCE = 6.83V
Además, puesto que VBE = VB – VE
VE = 0V ⇒ VB = VBE = 0.7V
d) VBC = VB – VC = 0.7V – 6.83 V = -6.13 V
PROBLEMA 43
Determine el nivel de saturación para la red del problema anterior.
Para un transistor que opera en la región de saturación, la corriente es un valor

máximo para el diseño particular. Si se varía el diseño, este nivel se elevará o caerá.
Para conocer la corriente máxima de colector aproximada (nivel de saturación) para un
diseño en particular, se inserta un corto circuito equivalente entre el colector y el emisor
del transistor y se calcula la corriente de colector resultante. Es decir hacemos VCE = 0V,
ocasionando que el voltaje a través de RC sea el voltaje aplicado VCC. Por tanto,
VCC 12V
ICsat = = = 5.45 mA
RC 2.2kΩ
Fijémonos que en el ejemplo anterior ICQ = 2.35 mA que está alrededor de la mitad del
valor máximo para el diseño.
Ejemplo de circuito de polarización estabilizada de emisor.
PROBLEMA 44
Para la red polarizada de emisor de la figura siguiente, determine:

a) IB
b) IC
c) VCE
d) VC
e) VE
f) VB
g) VBC
Este circuito tiene un resistor en el emisor para mejorar el nivel de estabilidad sobre el
de la configuración de polarización fija.
+20V
430kΩ 2kΩ
v0
vi β=50 10µF
10µF
1kΩ 40µF
a) Consideremos la malla de base a emisor. Aplicando Kirchhoff en dirección de las

manecillas del reloj
+VCC – IBRB –VBE –IERE = 0 y recordando IE = (β +1) IB
operando obtenemos
VCC − VBE 20V − 0.7V 19.3V

IB = = = = 40.1µA
RB + β ( RC + RE ) 430kΩ + (51)(1kΩ) 481kΩ
b) IC = βIB = (50)(40.1 µΑ) ≅ 2.01 mA
c) Consideremos a partir de ahora la malla de colector-emisor. Aplicando Kirchhoff

para dicha malla
+IERE + VCE + ICRC –VCC = 0 y sustituyendo IE ≅ IC y agrupando términos
VCE = VCC – IC(RC+RE) = 20V – ( 2.01 mA)(2kΩ + 1kΩ) = 20 V – 6.03 V =

= 13.97 V
d) Mientras que el voltaje del colector a tierra se puede determinar a partir de
VC = VCE + VE = VCC –ICRC = 20 V – (2.01 mA) (2kΩ) = 20V – 4.02V = 15.98 V
e) VE = VCE – VC = 15.98 V – 13.97 V = 2.01 V
o bien se puede hallar así
VE = IERE ≅ (2.01 mA)(1kΩ) = 2.01 V

f) VB = VBE + VE = 0.7 V + 2.01V = 2.71 V
g) VBC = VB – VC = 2.71 V – 15.98 V = -13.27 V (polarizado inversamente como se

se requiere)
PROBLEMA 45
Determine la corriente de saturación para la red del ejemplo anterior.
Mediante el mismo enfoque usado en la configuración de polarización fija, se

aplica un corto circuito entre las terminales colector-emisor y se calcula la corriente del
colector resultante
VCC 20V 20V

ICsat = = = = 6.67 mA
RC + RE 2kΩ + 1kΩ 3kΩ
La adición del resistor de emisor reduce el nivel de saturación del emisor debajo del
nivel que se obtiene con una configuración de polarización fija por medio del mismo
resistor del colector. Fijémonos que es más de dos veces el nivel de ICQ para el ejemplo
anterior.
PROBLEMA 46
La configuración con polarización de emisor de la figura siguiente tiene las

siguientes especificaciones ICQ = 12 ICsat, ICsat = 8 mA, VC = 18 V y β = 110.
Determine RC, RE y RB.
28 V
RB RC
V C =18V
β=110
RE
ICQ = 1
2 ICsat = 4mA
VRC VCC − VC 28V − 18V

RC = = = = 2.5 kΩ
ICQ ICQ 4mA
VCC
ICsat =
RC + RE
VCC 28V
y R C + RE = = = 3.5 kΩ
ICsat 8mA
RE = 3.5 kΩ - RC = 3.5 kΩ - 2.5 kΩ = 1 kΩ
ICQ 4mA
IBQ = = = 36.36 µA
β 110
VCC − VBE
IBQ =
RB + ( β + 1) RE
VCC − VBE
y RB + (β + 1) RE =
I BQ
VCC − VBE 28V − 0.7V

con RB = - (β+1)RE = - (111)(1kΩ) =
I BQ 36.36 µA
27.3V
= - 111 kΩ = 639.8 kΩ
36.36 µA
Para valores estándar
RC = 2.4 kΩ
RE = 1 kΩ
RB = 620 kΩ
PROBLEMA 47
Determine los valores de los resistores para la red de la figura siguiente, para la
fuente de voltaje y el punto de operación indicados.
V CC =20V
RB I C =2mA
Q R C C 2 =10µF
Salida
Entrada de ca
de ca V CE =10V
Q
VB
C 1 =10µF
β=150 -
RE C E =50µF
VE = 1
10 VCC = 1
10 (20 V) = 2 V
VE VE 2V
RE = ≅ = = 1 kΩ
IE IC 2mA
VRC VCC − VCE − VE 20V − 10V − 2V 8V

RC = = = = = 4 kΩ
IC IC 2mA 2mA
IC 2mA
IB = = = 13.33 µA
β 150
VRB VCC − VBE − VE 20V − 0.7V − 2V

RB = = = = 1.3 MΩ
IB IB 1.33µA
PROBLEMA 48
Estudiemos ahora el diseño de un circuito de ganancia en corriente estabilizada

(independiente de β)
Determine los niveles de RC, RE, R1 y R2 para la red de la siguiente figura, para el
punto de operación indicado.
V CC =20V
R1 I C =10mA
Q R C C 2 =10µF
Salida
Entrada de ca
de ca V CE =8V
VB
Q
C 1 =10µF
β(min)=80 -
RE C E =100µF
El valor de las cuatro resistencias se obtiene para un punto de operación

especificado. Como tal se suele elegir un valor para el voltaje emisor, VE, que conduce a
una solución directa para todos los valores de las resistencias. Todos los pasos de diseño
se muestran a continuación:
VE = 1
10 VCC = 1
10 (20 V) = 2 V
VE VE 2V
RE = ≅ = = 200 Ω
IE IC 10mA
VRC VCC − VCE − VE 20V − 8V − 2V 10V

RC = = = = = 1 kΩ
IC IC 10mA 10mA
VB = VBE + VE = 0.7 + 2 V = 2.7 V
Para el cálculo de R1 y R2 obtendremos una ecuación usando el voltaje de base, VB, y el

voltaje de la fuente, VCC, y otra ecuación sabiendo que para que el circuito opere con
eficacia la corriente a través de estos dos resistores debe ser aproximadamente igual y
mucho mayor que la corriente de base (al menos en proporción 10:1). Este hecho y la
ecuación de divisor de voltaje son las dos relaciones necesarias para determinar los
resistores de base:
R2 ≤ 1
10 βRE
R2
VB = VCC
R1 + R 2
La sustitución conduce a R2 ≤ 1
10 (80)(0.2kΩ) = 1.6 kΩ
(1.6kΩ)(20V )
VB = 2.7 V =
R1 + 1.6kΩ
2.7R1 + 4.32 kΩ = 32 kΩ
2.7R1 = 27.68 kΩ
R1 = 10.25 kΩ (10 kΩ en números redondos).

PROBLEMA 49
Determine el voltaje polarizado de cd VCE y la corriente IC para la configuración

con divisor de voltaje de la figura siguiente.
+ 22V
39 KΩ 10 KΩ
Vi V0
+
10 µF 10 µF
V CE
β=140
3'9 KΩ 1'5 KΩ -
50 µF
Vamos a buscar el equivalente Thevenin. La fuente de voltaje se reemplaza por un

cortocircuito equivalente y hallamos la resistencia Thevenin:
RTH = R1 < R2
39 ⋅ 3.9
RTH = = 3.55kΩ
39 + 3.9
Hallamos la tensión Thevenin:
R2 ⋅ VCC 3.9 ⋅ 22
ETH = = = 2V
R1 + R2 39 + 3.9
Hallamos ahora las intensidades:
ETH − VBE 2V − 0.7V 1.3V

IB = = = = 6.05µA
RTH + ( β + 1) RE 3.55kΩ + (141)(1.5kΩ) 3.55kΩ + 211.5kΩ
donde hemos puesto en el numerador la diferencia de los dos niveles de voltaje, y en el

denominador la resistencia de base más el resistor de emisor reflejado por (β + 1).
I C =βI B = (140)(6.05µA) = 0.85mA
El voltaje polarizado de cd es:
VCE = VCC - IC(RC + RE) = 22 V - (0.85 mA)(10 + 1.5)kΩ = 22 V - 9.78 V = 12.22 V

PROBLEMA 50
Repita el análisis del problema anterior utilizando la técnica aproximada y

compare las soluciones para ICQ y VCEQ.
+ 22V
39 KΩ 10 KΩ
Vi V0
+
10 µF 10 µF
V CE
β=140
3'9 KΩ 1'5 KΩ -
50 µF
La aproximación mencionada consiste en tomar βRE ≥ 10∙R2. Probémoslo en nuestro

caso:
140 ∙ (1.5 kΩ) ≥ 10 ∙ (3.9 kΩ) ⇒ 210 kΩ ≥ 39 kΩ (resultado satisfactorio)
En este caso, podemos calcular la tensión VB utilizando la ecuación:
R2 ⋅ VCC (3.9kΩ)(22V )
VB = = = 2V
R1 + R2 39kΩ + 3.9kΩ
Nótese que el nivel de VB es el mismo que el de ETH determinado en el problema 1. Por

consiguiente, la principal diferencia entre las técnicas exacta y aproximada es el efecto
de RTH en el análisis exacto que separa a ETH y VB.
VE = VB - VBE = 2 V - 0.7 V = 1.3 V
VE 1.3V
I CQ ≅ I E = = = 0.867 mA
RE 1.5kΩ
comparada con 0.85 mA correspondiente al análisis exacto. Por último:
VCEQ = VCC - IC(RC + RE) = 22V - (0.867mA)(10kΩ + 1.5kΩ) = 22V - 9.97V = 12.03 V
contra los 12.22 V obtenidos en el problema anterior.
Los resultados para ICQ y VCEQ realmente están muy cercanos y, tomando en
consideración la variación real en los valores de los parámetros, se puede considerar con
certeza que uno es tan preciso como el otro. Cuanto mayor sea el nivel de Ri en
comparación con R2, más cercana será la aproximación a la solución exacta.
PROBLEMA 51
Repita el análisis exacto del problema anterior si β se reduce a 70, y compare las
soluciones para ICQ y VCEQ.
+ 22V
39 KΩ 10 KΩ
Vi V0
+
10 µF 10 µF
V CE
β=140
3'9 KΩ 1'5 KΩ -
50 µF
Este ejemplo no es una comparación de los métodos exacto y aproximado, sino más
bien una prueba de qué tanto se trasladará el punto Q si el nivel de β se trunca a la
mitad. RTH y ETH son iguales:
RTH = 3.55 kΩ ETH = 2 V
ETH − VBE 2V − 0.7V 1.3V

IB = = = = 11.81µA
RTH + ( β + 1) RE 3.55kΩ + (71)(1.5kΩ) 3.55kΩ + 106.5kΩ
I CQ =βI B =70 ⋅ 11.81µA =0.83mA
VCEQ =VCC − I C ( RC + RE ) = 22V − (0.83mA)(10kΩ + 1.5kΩ) = 12.46V
Si tabulamos los resultados para los dos valores de β:
β ICQ (mA) VCEQ (V)

140 0.85 12.22
70 0.83 12.46
Los resultados muestran claramente la relativa insensibilidad del circuito al cambio en

β. Aun cuando β se trunca en forma drástica a la mitad de su valor, de 140 a 70, los
niveles de ICQ y VCEQ son esencialmente los mismos.
PROBLEMA 52
Determine los niveles de ICQ y VCEQ para la configuración de divisor de voltaje de

la figura siguiente, utilizando las técnicas exacta y aproximada, y compare las
soluciones. En este caso, las condiciones de la ecuación βRE ≥ 10∙R2 no se
satisfacen, pero los resultados revelarán la diferencia en la solución si se ignora el
criterio de esta ecuación.
18 V
82 KΩ 5'6 KΩ
I CQ
Vi V0
+
10 µF
10 µF
V CEQ
β=50
3'9 KΩ 1'2 KΩ - Errata: no son 3.9 kΩ,
sino 22 kΩ
- Análisis exacto:
βRE ≥ 10∙R2 ⇒ (50)(1.2 kΩ) ≥ 10(22 kΩ) ⇒ 60 kΩ ≥ 220 kΩ, lo cual no es cierto.
Buscamos el equivalente Thevenin:
RTH = R1 || R2 = 82 kΩ || 22 kΩ = 17.35 kΩ
R2VCC 22kΩ ⋅ 18V

ETH = = = 3.81V
R1 + R2 82kΩ + 22kΩ
Con lo que obtenemos los resultados pedidos:
ETH − VBE 3.81V − 0.7V 3.11V

IB = = = = 39.6 µA
RTH + ( β + 1) RE 17.35kΩ + (51)(1.2kΩ) 78.55kΩ
I CQ =βI B = (50)(39.6 µA) = 1.98mA
VCEQ = VCC − I C ( RC + RE ) = 18V − (1.98mA)(5.6kΩ + 1.2kΩ) = 4.54V
-Análisis aproximado:
VB = ETH = 3.81 V
VE = VB - VBE = 3.81 V - 0.7 V = 3.11 V

VE 3.11V
I CQ ≅ I E == =2.59mA
RE 1.2kΩ
VCEQ = VCC - IC(RC + RE) = 18 V - (2.59 mA)(5.6 kΩ + 1.2 kΩ) = 0.388 V
PROBLEMA 53
Determine los niveles quiescentes de ICQ y VCEQ para la red de la figura siguiente.
10 V
4'7 KΩ
250 KΩ 10 µF
V2
Vi β=90
10 µF
1'2 KΩ
Usaremos la ecuación de una malla de base a emisor:
VCC − VBE 10V − 0.7V 9.3V 9.3V

IB = = = = =11.91µA
RB + β ( RC + RE ) 250kΩ + (90)(4.7 kΩ + 1.2kΩ) 250kΩ + 531kΩ 781kΩ
I CQ =βI B =(90)(11.91µA) = 1.07mA

PROBLEMA 54
Repita el ejemplo anterior empleando una beta de 135 (50% más que en el anterior
caso).
10 V
4'7 KΩ
250 KΩ 10 µF
V2
Vi β=90
10 µF
1'2 KΩ
Es importante advertir que en la solución para IB en el ejemplo anterior, el segundo

término en el denominador de la ecuación es mayor que el primero. Recordemos que
cuanto mayor sea este segundo término comparado con el primero, menor será la
sensibilidad a los cambios con beta. En este ejemplo, el nivel de beta aumenta en un
50%, lo que incrementará la magnitud de este segundo término aún más en comparación
con el primero. Sin embargo, es más importante notar en estos ejemplos que una vez
que el segundo término es relativamente grande comparado con el primero, la
sensibilidad a los cambios en beta es significativamente menor.
Resolviendo para IB, obtenemos:
VCC − V BE 10V − 0.7V 9.3V

IB = = = = 8.89 µA
R B + β ( RC + R E ) 250kΩ + (135)( 4.7 kΩ + 1.2kΩ ) 250kΩ + 796.5kΩ
I C = βI B = (135)(8.89 µA) =1.2mA
Aun cuando el nivel de β se ha incrementado en un 50%, el nivel de ICQ solamente

aumentó un 12.1%, mientras que el nivel de VCEQ disminuyó cerca de un 20.9%. Si la
red fuera un diseño de polarización fija, un aumento del 50% en β habría resultado en
un 50% de aumento en ICQ y en un cambio dramático en la localización del punto Q.
PROBLEMA 55
Para la red de la figura, calcular ICQ, VCEQ, VB, VC, VE, y VBC.
V CC=20 V
R c =4'7 KΩ
10 µF
RB
V2
250 KΩ C2
C1
Vi β=120
10 µF
La ausencia de RE reduce la reflexión de los niveles resistivos a simplemente el nivel de

RC, y la ecuación para IB se reduce a:
V − VBE 20V − 0.7V 19.3V

I B = CC = = = 23.7 µA
RB + βRC 250kΩ + (120)(4.7kΩ) 814kΩ
I CQ =βI B =(120)(23.7 µA) = 2.84mA
VCEQ = VCC - ICRC = 20 V - (2.84 mA)(4.7 kΩ) = 6.65 V
VB = VBE = 0.7 V
VC = VCE = 6.65 V
VE = 0 V
VBC = VB - VC = 0.7 V - 6.65 V = -5.95 V

PROBLEMA 56
Determine VCEQ e IE para la red de la figura siguiente.
C1
Vi β=90
10 µF C2
V0
RB 240KΩ 10 µF
RE 2 KΩ
V EE -20 V
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada, obtenemos:
-IBRB - VBE - IERE + VEE = 0

pero
IE = (β + 1)IB
y
VEE - VBE - (β + 1)IBRE - IBRB = 0
con
VEE − V BE 20V − 0.7V 19.3V 19.3V
IB = = = = = 45.73µA
RB + ( β + 1) R E 240kΩ + (91)(2kΩ) 240kΩ + 182kΩ 422kΩ
I C = βI B = (90)(45.73µA) = 4.12mA
Aplicando la ley del voltaje de Kirchhoff al circuito de salida, tenemos:
-VEE + IERE + VCE = 0

pero
IE = (β + 1)IB
y
VCEQ = VEE - (β + 1)IBRE = 20 V - (91)(45.73 µA)(2 kΩ) = 11.68 V
IE = (91)(45.73 µA) = 4.16 mA
PROBLEMA 57
Determine el voltaje VCB y la corriente IB para la configuración de base común de

la figura siguiente.
β=60
Vi V0
RE 1.2 KΩ RC 2.4KΩ
V EE 4V V CC 10 V
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada, llegamos a:
VEE + IERE + VBE = 0
VEE − VBE 4V − 0.7V

IE = = = 2.75mA
RE 1.2kΩ
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida, tenemos:
-VCB + ICRC - VCC = 0
VCB = VCC - ICRC con IC ≅ IE
VCB = VCC - IERC = 10 V - (2.75 mA)(2.4 kΩ) = 3.4 V
I C 2.75mA
IB = = = 45.8µA
β 60
PROBLEMAS: AMPLIFICADORES.
PROBLEMA 58
Calcular la ganancia en tensión del amplificador CASCODE.
Ω
hie = 760Ω
Ω
hfe = 200Ω
v1 ib 1 E2 C2 v 02
R B2 ||R B3 h ie 1 h ie 2 h fbie 2 RC
Base Q 2
V CC =18V
R B1=6.8kΩ R C =1.8kΩ
C 1 =10µF V 02
Q2 C=5µF
R B2∙4.7kΩ V 01
C S =5µF
Q1
R B3∙4.7kΩ
R E =1.1kΩ C E =5µF
− hfeZE 2 − 200 ⋅ 3.782

AV1 (emisor común) = = = -0.99
hie 760
hie 760
ZE2 = hib2 = = = 3.78 Ω
1 + hfe 1 + 200
hfb − 0.99 ⋅ 1 ⋅ 8 ⋅ 10 3
AV2 = - RC = − = 471.4
hiRb 3.78
hfe
hfb = − = −0.99
1 + hfe
AV = AV1⋅AV1 = -466.6
PROBLEMA 59
Amplificador Multietapa (análisis)
Caso en que los amplificadores se conectan en serie (cascada):

• La carga en el primero es la resistencia de entrada del segundo.
• La ganancia en una etapa se determina por la carga de ésta, que se gobierna
por la resistencia de entrada a la siguiente etapa. Así, al diseñar o analizar
amplificadores multietapa, se empieza por la salida y se continúa hacia la
entrada.
Determínese las ganancias de tensión y corriente para el amplificador de dos

etapas acoplado por condensador que se muestra en la siguiente figura. Todos los
condensadores son suficientemente grandes para considerarse cortocircuitos de la
señal de ca.
12V
i 500kΩ
R 2 =7kΩ 600kΩ 10kΩ
V0
is 2
V1 R L =600Ω
2kΩ
R 2 =1kΩ 50kΩ
50kΩ
Se desarrolla el circuito equivalente híbrido para el amplificador multietapa de la

figura dada. El circuito híbrido es el siguiente.
iE i s1
i s2
i b1 i c1 i c2
Las variables prima denotan cantidades de salida de la etapa, mientras que las variables
normales denotan cantidades de entrada a ella. Los cálculos para la etapa de salida son:
10000 ⋅ 2000
R´B = = 1.67 kΩ
10000 + 2000
12 ⋅ 2000
V´BB = =2 V
10000 + 2000
VBB − VBE 2 − 0.7
IĆQ = = = 22 mA
R´/ β + RÉ 1670 / 200 + 50
híb = 26 mV / |IĆQ| = 1.17 Ω híe = 235.17 Ω
Para la etapa de entrada:
7000 ⋅ 1000
RB = = 8.75 Ω
7000 + 1000
12 ⋅ 2000
VBB = = 1.5 V
7000 + 1000
VBB − VBE 1.5 − 0.7

ICQ = = = 1.47 mA
R´/ β + RÉ 875 / 200 + 50
26mV
hib = = 1.77 Ω hie = 355.77 Ω
14.7 mA
La resistencia de entrada se determina usando la ecuación siguiente:
875 ⋅ 200 ⋅ (1.77 + 50)

Ren =RB || β(hib + RE) = = 807Ω
875 + 10354
La ganancia de corriente, Ai, se encuentra de la siguiente forma
RB ien 875in
ib = = = 0.078ien
RB + β (hib + RE ) 875 + 200(1.77 + 50)
La resistencia de entrada de la segunda etapa es
Rén = R´B || híe = 205 Ω
La corriente Rén es iL y está dada por
600
i´L = 15.6 ien = 11.63 ien
805
Nuevamente, iL se divide en la entrada de la segunda etapa. Entonces,
− R´B i L − 1670(11.63ien
i´b = = = −10.38ien
R´ B + híe (1670 + 205)
La corriente de salida:
10.38ien ⋅ 200 ⋅ 500

ió = = 941 ien
500 + 600
La ganancia de corriente es
Ai = 941
Y la ganancia en tensión es
941⋅ 600
Av = = 700
807
PROBLEMA 60
Calcule la ganancia en tensión, la tensión de salida, la impedancia de entrada y de

salida para un amplificador de dos etapas en E. C. Ambos autopolarizados con
divisor de tensión y acoplados por condensador.
VCC = 20 V, hie = 1260 Ω, hfe = 200, VE = 25 µV, RL = 10 kΩ

Ω, R1 = 15 kΩ
Ω,
Ω, RC = 2.2 kΩ
R2 = 4,7 kΩ Ω, RE = 1 kΩ Ω, CE →∞, Cacoplo→∞.
20V
2.2kΩ
15kΩ
V0
β=200 1µF
RL
4.7kΩ +
V 1 =25µV
1kΩ C E =20µF
+
ZB1 = hie1 (RE está cortocircuitada)
ZE1 = RB1 || ZB1 = R11 || R22 || hie1 = 15 k || 4.7 k || 1.26 k = 932 Ω
ZE2 = R21 || R22 || hie2 = 15 k || 4.7 k || 1.26 k = 932 Ω
 2.2 ⋅ 0.932 
200 
hfe ( RC || ZE 2)  2.2 + 0.932 
AV1 = − =− = -103
hie1 1.26
hfeRC 200 ⋅ 2.2

AV2 = − = = -349.2
hie 1.26
AV = AV1⋅AV2 = 84507
ZS = RC 2.2 kΩ
La tensión de salida VS = AV ⋅VE = 84507⋅25⋅10-6 = 2.1 V
Si ahora se conecta una resistencia RL:
ib 1
ib 2
RB h ie h fbie 1 Rc RB h ie h fbie 2 RC RL
En este caso se cumple que (RC || RL) = 1.80 kΩ
hfe ( RC || RL )
A´V2 = = -186.24
hie
A´V = AV1⋅A´V2 = 36281.8
VS = A´V ⋅ VE = 0.74 V.
PROBLEMA 61
Determinar la ganancia en corriente del siguiente circuito.
12V
i 500kΩ
R 2 =7kΩ 600kΩ 10kΩ
V0
is 2
V1 R L =600Ω
2kΩ
R 2 =1kΩ 50kΩ
50kΩ
Dibujamos primero el circuito híbrido equivalente

iE i s1
i s2
i b1 i c1 i c2
Calculamos primero RB1 y RB2 del circuito híbrido equivalente:
7000 ⋅ 1000
RB1 = = 875 Ω
4000 + 1000
10000 ⋅ 2000
RB2 = = 1.67 kΩ
10000 + 2000
A continuación calculamos los siguientes parámetros:
ZB1 ≅ hie1 + hfe1 RE1 = 355.77 + 200 ⋅ 50 = 10356 Ω
875 ⋅ 10356
ZE1 = RB1 || (hie + hfe RE) = = 807Ω
875 + 10356
ZE2 = RB2 || hie2 = 1.67 k || 355.77 Ω = 205 Ω
i s 2 i s 2 ib 2 i s1 ib1
Ai = = ⋅ ⋅ ⋅ =
i E ib 2 i s1 ib1 i E
h fe 2 ⋅ Rc 2  RB 2   h fe1 ⋅ Rc1  R B1
=− ⋅  +  ⋅  − ⋅
 R + h + (1 + h R ) =
823
Rc 2 + R L  R B 2 + hie 2   Rc1 + Z E 2  B1 ie1 fe1 E1
PROBLEMA 62
Para la red de la figura, sin CE (sin derivación) determine:

a) re
b) Zi
c) Z0
d) Av
e) Ai
20V
I0
270kΩ 5.6kΩ
C1=10µF
C2=10µF
Vi .β=120
Ii
Zi
Z0
1.2kΩ
CE=10µF
a) CD.
VCC − V BE 20V − 0.7V

IB = = = 46.5µA
RB + ( β + 1) RE 270kΩ + (121)1.2kΩ
I E = ( β + 1) I B = (121)(46.5µA) = 5.63mA
26mV 26mV
re = = = 4.62Ω
IE 5.63mA
b)
Zb = βre + (β + 1)RE = (120)(4.62Ω) + (121)1.2kΩ = 145.75kΩ
contra 144 kΩ utilizando Zb ≅ βRE
Zi = RB || Zb = 270kΩ || 145.75kΩ = 94.65kΩ

contra 93.91 kΩ empleando Zi ≅ RB || βRE
c) Z0 = RC = 5.6kΩ
d)
βRC (120)(5.6kΩ)
Av = − =− = −4.61
Zb 145.75kΩ
contra -4.67 utilizando Av ≅ -RC / RE
e)
βRB (120)(270kΩ)
Ai = = = 77.93
RB + Z b 270kΩ + 145.75kΩ
o bien
Zi 94.65kΩ
Ai = − Av = −(−4.61) = 77.92
RC 5.6kΩ
PROBLEMA 63
Repita el problema anterior con CE colocado en su sitio.
a) El análisis de cd es el mismo, y re = 4.62 Ω.
b) RE es cortocircuitado por CE para el análisis de ca. Por consiguiente:
Zi = RB || Zb = RB || βre = 270 kΩ || (120)(4.62 Ω) = 270 kΩ || 554.4 Ω = 553.26 Ω
c) Z0 = RC = 5.6 kΩ
d)
RC 5.6kΩ
Av = − =− = −1212.12
re 4.62Ω
lo cual es un incremento significativo con respecto al caso anterior.
e)
βRB (120)(270kΩ)
Ai = = = 119.75
RB + Z b 270kΩ + 554.4Ω
PROBLEMA 64
Para la red de la figura, determine (empleando aproximaciones apropiadas):

a) re
b) Zi
c) Z0
d) Av
e) Ai
16V
I0
2.2kΩ
90kΩ C2
C1 +
Vi β=210
Z0
Ii
Zi V0
10kΩ
0.68kΩ CE
a) Al probar βRE > 10R2:
(210)(0.68 kΩ) > 10(10 kΩ) ⇒ 142.8 kΩ > 100 kΩ ⇒ se satisface
R2 10kΩ
VB = VCC = ⋅ 16V = 1.6V
R1 + R2 90kΩ + 10kΩ
V E = V B − V BE = 1.6V − 0.7V = 0.9V
VE 0.9V
IE = = = 1.324mA
RE 0.68kΩ
26mV 26mV
re = = = 19.64Ω
IE 1.324mA
b) El circuito de ca equivalente se proporciona en la figura siguiente:
Ii +
I0 Z0
+
Zi V0 -
2.2kΩ
Vi 10kΩ 90kΩ
0.68kΩ
- -
R'
La configuración resultante tiene ahora R’ = R1 || R2 = 9 kΩ. Al utilizar las
aproximaciones adecuadas, llegamos a:
Zb ≅ βRE = (210)(0.68 kΩ) = 142.8 kΩ
Zi = RB || Zb = 9 kΩ || 142.8 kΩ = 8.47 kΩ
c) Z0 = RC = 2.2 kΩ
d)
RC 2.2kΩ
Av = − =− = −3.24
RE 0.68kΩ
e)
Zi 8.47 kΩ
Ai = − Av = −(−3.24) = 12.47
RC 2.2kΩ
PROBLEMA 65
Repita el problema anterior con CE en su sitio.
a) El análisis de cd es el mismo, y así, re = 19.64 Ω.
b) A partir del circuito de ca equivalente de la segunda figura:
Zb = βre = (210)(19.64 Ω) = 4.12 kΩ
Zi = RB || Zb = 9 kΩ || 4.12 kΩ = 2.83 kΩ
c) Z0 = RC = 2.2 kΩ
d)
RC 2.2kΩ
Av = − =− = −112.02
re 19.64Ω
lo cual es un incremento significativo.
e)
Zi 2.83kΩ
Ai = − Av = −(−112.02) = 144.1
RC 2.2kΩ
PROBLEMA 66
Para la red de la figura, determine:

a) Zi
b) Z0
c) Av
d) Ai
8V
I0
2.7kΩ
330kΩ
V0
Vi hfe=120
hie=1.175kΩ Z0
Ii hfe=20µA/V
Zi
a) Zi = RB || hie = 330 kΩ || 1.175 kΩ = 1.171 (vemos que Zi ≅ hie)
b)
1 1
r0 = = = 0.05MΩ = 50kΩ
h0 e 20 µA / V
1
Z0 = || RC = 50kΩ || 2.7 kΩ = 2.56kΩ ≅ RC
h0 e
c)
h fe RC (120)(2.7 kΩ)
Av = − =− = −276.69
hie 1.171kΩ
d) Ai ≅ hfe = 120
PROBLEMA 67
Para la red de la figura, determine:

a) Zi
b) Z0
d) Av
e) Ai
Ii
+ +
I0
Z0
Zi
2.2kΩ hfb=-0.99 3.3kΩ
Vi hib=14.3Ω V0
hob=0.5µA/V
4V 10V
- -
a) Zi = RE || hib = 2.2 kΩ || 14.3 Ω = 14.21 (vemos que Zi ≅ hib)
b)
1 1
r0 = = = 2 MΩ
h0b 0.5µA / V
1
Z0 = || RC = 2 MΩ || 3.3kΩ = 3.3kΩ ≅ RC
h0b
c)
h fb RC (−0.99)(3.3kΩ)
Av = − =− = 229.91
hib 14.21kΩ
d) Ai ≅ hfb = -1
PROBLEMA 68
Diseñar el amplificador estabilizado por divisor de tensión de la figura para que

trabaje en clase A, tenga una ganancia de tensión Av = -4 y una frecuencia inferior
de corte de aproximadamente 50 Hz. En el circuito diseñado, ¿cuál es la máxima
señal de entrada para una salida sin distorsión? Suponer el BJT de silicio con β >
100.
VCC=10V
RL
R1
CB
+
Vi R2
RE
Para que el amplificador trabaje en clase A, se debe cumplir:

½ VCC = ICQ (RL + RE)
y para que la ganancia de tensión valga -4, se debe verificar:
Av = -4 = -RL / RE ⇒ RL = 4RE
Sustituyendo en la primera ecuación, y fijando ICQ = 1 mA, inmediatamente se obtiene:
½ VCC = ICQ 5RE ⇒ 5V = 1 mA∙5RE ⇒ RE = 1 kΩ
con lo que:
RL = 4 kΩ
Con los valores de RE e ICQ anteriores, la tensión en el emisor vale VE = 1 V, y en
consecuencia, la tensión en la base es VB = 1.7 V. Eligiendo la corriente ID por el
divisor R1 - R2 igual a ID = 0.1 mA >> IB, fácilmente se determina:
R2 = VB / ID = 17 kΩ
R1 = (VCC - VB) / ID = 83 kΩ
La impedancia que ve el condensador CB es igual a la impedancia de entrada Zinp del
amplificador, que vale:
Zinp = R1 || R2 || (β + 1)RE = 12.38 kΩ
y, en consecuencia:
Zinp = (CBω1)-1 = 12.38 kΩ ⇒ CB = (12.38 kΩ ∙ 2π∙50 Hz)-1 = 257 nF
Veamos cuál es la máxima amplitud posible de la señal de entrada. El BJT se cortará
cuando en su emisor la tensión valga cero voltios o, lo que es lo mismo, cuando en la
base la tensión valga VB = 0.7 V. En consecuencia, la máxima amplitud de la señal de
entrada es de 1 V.
PROBLEMA 69
En el circuito de la figura, hallar R1 y R2 para que el circuito trabaje en clase A de

alterna. Con los valores de R1 y R2 obtenidos, ¿cuál es la máxima amplitud de la
salida sin distorsión? El BJT es de Ge (VBE ≈ 0) y con β > 100.
VCC=10V
RL=150Ω
R1
CB→∞
R2
RE
CE→∞
100Ω
La ecuación de la recta estática de carga es:
VCC = ICQ (RL + RE) + VCEQ

y de la recta dinámica:
(iC - ICQ)RL = -(vCE - vCEQ)
Para una excursión máxima simétrica se debe verificar:
vCE = 0 ⇒ ic = 2ICQ ⇒ ICQ = VCEQ / RL
Sustituyendo el este valor en VCC:
VCC = ICQ(RL + RE) + ICQRL
VCC 10V
I CQ = = = 25mA
2 RL + RE 2 ⋅ 150Ω + 100Ω
Es decir, para que el circuito trabaje en la clase A de alterna, el transistor debe
polarizarse mediante R1 y R2 para que la corriente de colector en el punto Q valga ICQ
= 25 mA. En ese caso, la tensión en el emisor valdrá VE = ICQ∙RE = 2.5 V, tensión que
será igual a la que hay en la base VB por ser VBE = 0. Fijando la corriente ID por el
divisor en ID = 2.5 mA, inmediatamente se determina:
VCC − VB 10V − 2.5V

R1 = = = 3kΩ
ID 2.5mA
VB 2.5V
R2 = = = 1kΩ
I D 2.5mA
La máxima amplitud de salida, dado que el punto Q está centrado en alterna, vale:
ICQRL = 3.75 V
PROBLEMA 70
En el amplificador de la figura, hallar:
a) R2 de modo que ICQ = 5 mA.

b) El máximo valor de la amplitud de la tensión de salida sin distorsión con ICQ =
5mA
c) El valor de R2 que hace que el amplificador trabaje en clase A de alterna y
calcular en ese caso el máximo valor de la amplitud de la salida sin distorsión.
VCC=12V
hfb=-0.99
BJT hib=14.3Ω
R2 hie=1kΩ
CB
CE
+
Vi
RE RL
1k 2k
a) Si ICQ = 5 mA, la tensión en la base debe valer:
VB = VE = ICQRE = 5 V
Como la corriente continua de base vale IB = ICQ / β = 0.1 mA, resulta:
VCC − VB 12V − 5V
R2 = = = 70kΩ
IB 0.1mA
b) La tensión VCEQ es igual a:
VCEQ = VCC - ICQRE = 12 V - 5 mA ∙ 1 kΩ = 7 V
por tanto, el punto Q está más próximo a la zona de corte que a la de saturación, y será
precisamente el corte del BJT la causa que limite la amplitud de la oscilación.
La ecuación de la recta dinámica de carga es:
(iC - ICQ)R = -(vCE - VCEQ)
siendo R = RE || RL. Cuando el transistor se corta (iC = 0) la tensión vCE vale:
vCE = VCEQ + ICQR = 7 V + 5 mA ∙ 2/3 kΩ = 10.33 V
por lo que, en ese instante, la tensión en el emisor vale:
vE = vC - 10.33 V = VCC - 10.33 V = 12 V - 10.33 V = 1.67 V
de donde, la máxima amplitud V0 de la señal de salida es:
V0 = VE - vE = 5 V - 1.67 V = 3.33 V
c) Para que el seguidor trabaje en clase A de alterna, vCE = 0 y iC = 2ICQ por lo que nos
queda:
(iC - ICQ)R = -(vCE - VCEQ) ⇒ ICQR = VCEQ
Por otro lado, la ecuación de la recta estática de carga es:
VCC = ICQRE + VCEQ
Combinando estas dos últimas ecuaciones:
VCC 12V
I CQ = = = 7.2mA
RE + R 1kΩ + 0.67 kΩ
Con el valor anterior de ICQ, la tensión en la base es VB = 7.2 V, de donde:
VCC − VB 12V − 7.2V

R2 = = = 33kΩ
IB 0.144mA
La amplitud máxima V0 de la oscilación de salida vale en este caso:
V0 = ICQR = 7.2 mA ∙ 0.67 kΩ = 4.8 V
PROBLEMA 71
Ω y R2
Determínese el punto Q para el circuito mostrado en la figura si R1 = 1.5 kΩ
Ω. Se utiliza un transistor 2N3903, con β = 140, RE = 100 Ω y RC = RL = 1kΩ
= 6 kΩ Ω.
VCC=5V
RC=1kΩ
R2 C→∞
2N3903
+
VBE=0.7V
v0
Vi R1 RE RL
100Ω C→∞
1kΩ
R1VCC 1500Ω ⋅ 5V
VBB = = = 1V
R1 + R2 1500Ω + 6000Ω
R1 R2
RB = = 1200Ω
R1 + R2
Se determina si el amplificador tiene estabilidad con cambios en β mediante a

verificación de RB < 0.1βRE = 0.1(140)(100 Ω) = 1400 Ω. Como la desigualdad se
cumple, se tiene estabilidad. Se encuentra el punto Q como sigue:
VBB − V BE 1V − 0.7V
I CQ = = = 2.76mA
RB / β + RE 1200Ω / 140 + 100Ω
Se encuentran Rca = RC || RL = 500 Ω, y Rcd = RC + RE = 1.1 kΩ

Calculamos VCEQ:
VCEQ = VCC - ICQRcd = 5 V - 2.76 mA ∙ 1.1 kΩ = 1.96 V
Entonces:
V’CC = VCEQ + ICQRac = 1.96 V + 2.76 mA ∙ 500 Ω = 3.34 V
Como el punto Q se halla en la mitad inferior de la línea de carga de ca, la máxima

excursión simétrica en la tensión de salida es:
2ICQ(RC || RL) = 2(2.76 mA)(500 Ω) = 2.76 V
En este ejemplo, el punto Q no se encuentra en la mitad de la línea de carga, de manera

que la excursión en la salida no es máxima. Sin embargo, si la señal de entrada es
pequeña y no se requiere máxima salida, se puede utilizar una ICQ pequeña para reducir
la potencia disipada en el circuito.
PROBLEMA 72
Selecciónese R1 y R2 para máxima excursión en la tensión de salida en el circuito

del ejemplo anterior.
Determinamos la ICQ:
VCC 5V
I CQ = = = 3.13mA
Rca + Rcd 500Ω + 1100Ω
pues Rca = RC || RL = 500 Ω, y Rcd = RE + RC = 1100 Ω.
Para máxima excursión:
V’CC = 2VCEQ
Entonces, VCEQ está dado por:
VCEQ = (3.13 mA)(500 Ω) = 1.56 V
La intersección de la línea de carga de ca con el eje vCE es V’CC. Así:
V’CC = 2VCEQ = 3.12 V
De las especificaciones del fabricante, β = 140, luego:
RB = 0.1(140)(100) = 1400 Ω
VBB = 3.13 mA (1400 / 140 + 100) + 0.7 = 1.044 V

Con esto, se encuentra R1 y R2:
RB 1400Ω
R1 = = = 1.77 kΩ
1 − VBB / VCC 1 − 1.044 / 5
RBVCC 1400Ω ⋅ 5V
R2 = = = 6.7 kΩ
VBB 1.044V
La máxima excursión en la tensión de salida, ignorando las no linealidades de

saturación y corte, sería entonces:
2ICQ(RC || RL) = 2(3.13 mA)(500 Ω) = 3.13 V

Introduccion A La Electronic A - Book

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Introduccion A La Electronic A - Book

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Capítulo 1

1.1 Contenido de la electrónica

Bases Física de Estado Tª de Circuitos Tª de Señales Tª de

1.2 Funciones básicas de la electrónica.

Figura 1-1. Flujo generalizado del tratamiento electrónico de la información.

1.3 Clasificación de los semiconductores.

1.3.1 Características deseables en un dispositivo controlable.

tdc tri tfv tdb trv tfi

Figura 1-2. Tiempos de conmutación.

Al abrir el interruptor igualmente tendremos:

Ps = 1 V d I o f s [t con + t des ]; ( 1-4 )

• Coeficiente de temperatura de la resistencia directa positivo. Se consigue de ésta forma que la

1.4 Evolución de estos semiconductores.

Figura 1-3. Evolución de los Dispositivos de Potencia.

Tabla 2. Datos comparativos de diferentes semiconductores

1.5 Repaso de teoría de circuitos.

1.5.1 Constitución de un circuito eléctrico

1.5.2 Sentidos y polaridades de corrientes y tensiones

El sentido convencional de una corriente continua es el contrario al que seguirían los

1.5.3 Elementos activos

v(t ) v(t ) = b ⋅ v(t ) v(t ) = r ⋅ i (t ) V v(t )

Figura 1-4. Fuentes de tensión: independiente, dependiente controlada por tensión,

Figura 1-5. Fuentes de corriente: independiente, dependiente controlada por tensión,

1.5.4 Formas de onda

f (t) = f (t +T) = f (t + nT)

Una característica de las señales periódicas es el concepto de alternancia, de modo que

1.5.5 Valor medio y valor eficaz

1 2π  1 − cos(2ωt )  1 ωt sen(2ωt )

Donde R es una constante que determina el valor de la resistencia en ohmios.

Podemos expresar la f.e.m. autoinducida en la inductancia, sustituyendo en la ecuación (1) el

Según se indica en la figura anterior, la diferencia de potencial v(t) establecida en una

Por otro lado, despejando la corriente de la ecuación anterior, tenemos:

La potencia en una inductancia es:  di (t ) 

La energía en la inductancia se encuentra almacenada en el campo magnético.

W = ∫ p(t )dt = L ∫ i(t )di(t )

Integrando entre i(t0) e i(t), se tiene: W=

La tensión que presenta un condensador dependerá por tanto de la carga acumulada:

Sustituyendo, tenemos la tensión del condensador en función de la intensidad de corriente:

Cuando se utiliza un condensador en un circuito de corriente continua, como la intensidad

Despejando i(t) de la ecuación, tenemos: dv(t )

La energía en el condensador se encuentra almacenada en el campo eléctrico.

Integrando entre v(t0) y v(t), se tiene: W=

1.6.1 Leyes de Kirchhoff.

En un circuito se denomina rama, al conjunto de elementos activos y pasivos conectados en

1.6.2 Fuente de tensión

la corriente de cortocircuito es la máxima posible. Esta situación se ha de evitar en

1.6.3 Fuente de corriente

En la comparación entre fuente o generador de tensión real y fuente o generador de intensidad

1.6.4 Equivalencia de fuentes

ER + ERs = IRs R + IRS R g (

1.6.5 Principio de superposición

Si cortocircuitamos todas las fuentes, excepto las de la malla 2: ∆ 2k

si realizamos lo mismo, dejando las de la malla k: k ∆ kk

Que nos demuestra el enunciado de este teorema de superposición.

1.6.6 Teorema de Thevenin.

1.6.7 Teorema de Norton.

El valor de la fuente de intensidad será el que corresponde a la corriente de cortocircuito del

Si consideramos una impedancia exterior, Z e , conectada a los circuitos equivalentes de

igualando ambas expresiones, obtenemos:

Como habíamos indicado anteriormente.

1.6.8 Teorema de Miller

y se elimina del circuito la impedancia Z .

Aplicando la ley de Ohm al circuito de la figura siguiente, resulta: