Lopration consiste introduire des atomes ioniss projectiles avec suffisamment d'nergie pour pntrer dans l'chantillon cible (en gnral une plaquette). Cette pntration ne s'effectue que dans des rgions de surface.
IMPLANTATION IONIQUE
Cette opration est essentiellement utilise pour doper le semiconducteur durant la fabrication des dispositifs
cration de zones de source ou de drain d'un transistor MOS, d'une base et d'un metteur dans un transistor bipolaire,
Les atomes dopants sont en gnral : B, P, As, In, etc...
IMPLANTATION IONIQUE
Les nergies des atomes ioniss peuvent tre dans la gamme 3 keV 500 keV. En fonction de la nature du matriau implant, de la nature de l'ion acclr et de l'nergie d'acclration la profondeur moyenne de pntration peut aller de 100 1 mm. En effet, un calcul approximatif montre qu'une centaine d'lectron-volts est perdue par couche atomique (environ 2,5 ).
Intrt de cette technique
Elle permet un contrle prcis de la quantit totale d'atomes implants (dose d'implantation) et du profil de concentration du dopant. Cette prcision permet en particulier
l'ajustement de la valeur du gain en courant d'un transistor bipolaire ou l'ajustement de la tension de seuil d'un transistor MOS (choix de la nature d'un transistor - enrichissement ou appauvrissement).
Inconvnients
Le bombardement d'un monocristal par des atomes cre des dommages dans la structure cristalline implante. Il y a donc ncessit de restituer la cristallinit du matriau ; ceci est ralis par un recuit thermique.
Inconvnients
Ce recuit thermique permet aussi une redistribution des atomes dopants et donc une modification du profil de dopage par phnomne de diffusion. Notons que ce recuit peut aussi permettre l'activation du dopant implant (passage en site substitutionnel)
Cristal avant implantation
Cristal aprs implantation
L'implanteur
L'implanteur est en pratique un acclrateur d'ions. Il est compos des parties suivantes :
gnration des ions partir d'une source solide, liquide ou gazeuse dans un plasma excit 25kV, slection des ions par champ magntique effectuant le tri par le rapport masse sur charge, acclration des ions l'nergie d'implantation souhaite.
L'implanteur
L'implanteur est compos des parties suivantes :
mise en forme du faisceau d'ions par des lentilles lectrostatiques, dispositif de balayage en x et y afin d'implanter de faon uniforme les plaquettes. dviation du faisceau pour liminer les ions neutraliss sur le parcours et qui ne pourraient tre dnombrs, chambre d'implantation.
Schma simplifi d'un implanteur ionique d'nergie d'acclration maximale de 200keV
La dose implante
Celle-ci se mesure en nombre d'atomes par unit de surface. Cette mesure est possible car le flux d'ions atteignant la surface de l'chantillon correspond un courant. L'intgration du courant pour une surface bien dfinie sur la dure de l'implantation permet de mesurer la dose.
Mesure de la dose par intgration du courant d'ions sur une surface talonne
Profil de concentration
Les ions incidents vont perdre leur nergie par chocs successifs avec les atomes du rseau cristallin. Ceci explique d'une part, la dispersion des trajectoires et d'autre part, que l'on dfinisse statistiquement une profondeur moyenne de pntration.
Profil de concentration
La statistique qui convient assez bien est gaussienne. Nous dfinissons ainsi deux paramtres :
la profondeur moyenne de pntration (range en anglais). l'cart moyen latral (perpendiculaire la direction d'implantation).
volution d'un ion travers le cristal
Avant implantation Aprs implantation
Lion cre des dfauts ponctuels et amorphise les zones voisines de la trajectoire. Sa trajectoire est dvie alatoirement par les atomes du cristal.
Illustration de profils latraux aprs implantation travers un masque
