Electronique de puissance ISTA BM

CHAPITRE 1 :

COMPOSANTS POUR L’ELECTRONIQUE DE

PUISSANCE

Introduction :

On s’intéressera à la mise en évidence des caractéristiques des composants à semi

conducteurs utilisés dans les systèmes électroniques de puissance. On identifiera leurs
principales caractéristiques et les conventions simplificatrices permettant l’analyse des
montages fondamentaux : Redresseurs, Hacheurs, Gradateurs et Onduleurs.
Ces montages constituent ce que l’on appelle les convertisseurs statiques. Ce sont des
systèmes électroniques permettant le transfert de l’énergie depuis un réseau d’alimentation vers
un récepteur. Le but étant de pouvoir changer la forme de transfert de cette énergie :
 Sous tension continue fixe.
 Sous tension continue variable.
 Sous tension alternative à valeur efficace fixe et fréquence fixe.
 Sous tension alternative à valeur efficace fixe et fréquence variable.
 …..etc.
Le principe d’un convertisseur statique obéit à la configuration suivante :

Réseau Convertisseur Récepteur

statique

Electronique
de commande

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A/ Généralités :
1/Types de convertisseurs statiques :

On rencontre quatre types de convertisseurs statiques de base :

 Le redresseur ou convertisseur alternatif / continu.

Tension alternative Tension continu

monophasée ou triphasée fixe ou variable

Composants utilisés : Diodes, Thyristors.

 Le hacheur ou convertisseur continu / continu.

Tension continue Tension continue

fixe variable

Composants utilisés : Transistors, Thyristors.

 Le gradateur ou convertisseur alternatif / alternatif.

Tension alternative Onde alternative à tension et

monophasée ou triphasée fréquence variable

Composants utilisés : Thyristors, Triacs.

 L’onduleur ou convertisseur continu / alternatif.

Courant alternatif à fréquence

Courant continu fixe ou variable

Composants utilisés : Transistors bipolaires, Transistors MOS, Diodes, Thyristors.

2/Principes de base :
Le principe de fonctionnement d’un convertisseur statique repose sur la commutation de
courant d’un lieu à un autre d’un circuit électrique. L’élément de base est un interrupteur
(Composant électronique de puissance) assurant l’ouverture ou la fermeture d’un circuit
électrique. La caractéristique idéalisée de tel interrupteur est :

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Courant direct
I

V
Tension inverse Tension directe V

Courant inverse

Pratiquement, ces interrupteurs sont des composants à semi conducteurs basés sur la
propriété d’une jonction PN. Ils se différencient, en plus de leur façon de réalisation, par les
critères suivants (fonction d’interrupteur) :
 La caractéristique statique : le nombre de branches exploitées de la caractéristique
idéalisée (généralement 2 ou 3 branches).
 La caractéristique dynamique : la possibilité de commander ou non leur blocage et/ou
leur amorçage (la façon de passer d’une branche à l’autre).
B/ La diode :
1/Caractéristique statique :
Basée sur une jonction PN, elle est qualifiée d’être à amorçage et blocage spontanés ; c'est-à-
dire qu’elle conduit et se bloque d’elle-même sans avoir besoin d’un signal de commande.
Caractéristique idéalisée : Caractéristique réelle :

I I

Amrçage

Blocage
V
VRM V

Vd

Vd : Chute de tension en direct (seuil de conduction).

VRM : Tension inverse maximale (claquage par avalanche).

Anode A I Cathode K

Symbole : V

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Formes de diodes de puissance :

2/Valeurs limites usuelles : (exemple : 1N1190)

IF : Courant direct continu maximal …………..42A
Io : Courant moyen redressé maximal …………..35A
IFRM : Courant direct de pointe répétitive ……………120A
IFSM : Courant direct de surcharge accidentelle …………..500A
VRM : Tension inverse continue ………………..600V
VRRM : Tension inverse de pointe répétitive …………600V
VD : Chute de tension en direct …………..1,5V pour IF.
IR : courant inverse ………………20mA

3/Caractéristiques dynamiques :
Au blocage d’une diodes, un courant inverse la traverse pendant le temps de recouvrement
inverse trr (reverse recovery time). Ce courant inverse est du au fait que de chaque côté d’une
jonction polarisée en direct apparaît une charge stockée qu’il faut libérer au blocage. Cette
charge est l’origine de la durée de vie non nulle des porteurs majoritaires.
Ce temps de recouvrement inverse limite la fréquence d’utilisation. Il qualifie une diode d’être
rapide ou non rapide.
I
trr

Début de
V blocage
t

Poite de tension

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Le circuit commandé étant généralement inductif, il apparaît une surtension négative aux
bornes de la diode au moment de son blocage. Pratiquement, et pour protéger la diode contre le
risque de claquage, on place en parallèle un réseau RC.
R C

C/ Le thyristor :
1/Caractéristique statique :
Basé sur trois jonctions PN, il est qualifié comme étant à amorçage commandé et blocage
spontané. La commande au blocage est possible grâce à la troisième électrode : Gâchette.

Caractéristique idéalisée : Caractéristique réelle :

I
I
Amrçage

Blocage
V
VRM V

VDM

VDM : Tension de claquage direct (amorçage intempestif).

VRM : Tension inverse maximale.
V
Anode A I Cathode K

Symbole : Gachette G

Formes de Thyristors de puissance :

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2/Fonctionnement :
En l’absence du courant de gâchette et en sens direct, le thyristor est non conducteur pour une
tension inférieure à la valeur VDM. Au-delà de cette valeur, le thyristor s’amorce par effet
d’avalanche. Une fois amorcé, le courant de gâchette peut être coupé sans altérer la conduction.
Pour bloquer un thyristor, le courant anodique doit diminuer en dessous de la valeur du courant
de maintien Ih. Pour assurer le blocage, il faut appliquer aux bornes du thyristor une tension
anode – cathode négative pendant au moins le temps de désamorçage tq.
En présence d’une impulsion de courant suffisante (Ig >> Igt), le thyristor s’amorce pour une
tension anode – cathode positive.
Ordre de grandeurs du temps de désamorçage tq :
 Thyristor 400A : tq=200us.
 Thyristor 25A : tq=50us.
3/Directives pour un amorçage sûr :
 Attaquer la gâchette en courant. C’est la valeur du courant Ig qui détermine l’amorçage
et non la tension VGK.

Ig R
G
K
Vg

 Prévoir une impulsion de courant de gâchette nettement supérieure à la valeur du

courant d’amorçage Igt (4 à 5 fois Igt) ayant une montée rapide.
 Prévoir une durée d’impulsion suffisante pour que le courant anodique ait la possibilité
d’atteindre la valeur du courant d’accrochage IL .
 Limiter la vitesse de croissance du courant di/dt pour limiter la contrainte thermique.
On place ainsi une inductance en série avec le thyristor.

4/Effet du dV/dt :
Un thyristor peut, au moment de son blocage, se réamorcer d’une façon intempestive si la
vitesse de montée de la tension est assez élevée. En effet le thyristor est équivalent (au moment
du blocage) à une capacité qui sera parcourue par un courant i= C dV/dt. Pour les thyristors
usuels, le dV/dt doit être limité à 50V/us.
Pour protéger le thyristor contre un amorçage par dV/dt, il faut placer un réseau RC entre
anode et cathode ou encore une résistance de désensibilisation entre gâchette et cathode.

Résistance de C
désensibilisation

ou

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5/Caractéristiques limites :(Exemple : 2N692)

ITeff : Courant efficace à l’état passant …….25A
Io : Courant moyen à l’état passant ………16A
ITRM : Courant de pointe répétitive à l’état passant ………150A
ITSM : Courant de surcharge accidentelle (10ms) ……….. >300A
VDWM : Tension de crête directe maximale à l’état bloqué ……….800V
VRWM : Tension de crête inverse maximale à l’état bloqué ………..800V
Igt : Courant de gâchette d’amorçage ………..50mA
IH : Courant de maintien ………….20mA
VTM : Chute de tension à l’état passant ………2,2V pour 50A
tq : Temps de désamorçage ………..100us
dV/dt : Vitesse maximale d’accroissement de tension à l’état bloqué ……..50V/us
di/dt : Vitesse maximale d’accroissement du courant à l’état passant ……….20A/us

6/Commutation naturelle des thyristors :

Dans le circuit ci-dessous, le thyristors est amorcé à l’instant angulaire α . On appelle α angle
de retard à l’amorçage.

R
Ve Vs Vs

Circuit
d'amorçage t

α
Au passage de la tension Vs par zéro, le courant traversant le thyristor s’annule et celui-ci se
bloque spontanément. La commutation (passage de l’état passant à l’état bloqué) est dite
naturelle. C’est le type de commutation qui existe au niveau des redresseurs.

7/Commutation forcée thyristors :

Soit le montage :

D
L
C 1 R1
Ic
+ E
K 2
Vc
Th
V
A
K IA

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Le commutateur K est en position 1 et le thyristor Th est amorcé. La diode D est bloquée

et le condensateur C se charge à travers la résistance R1 à la valeur –E. Lorsque le
commutateur K est basculé en position 2 , le condensateur C se décharge à travers le
générateur et le récepteur R. Le courant Ic extrait fait diminuer considérablement le
courant anodique IA jusqu’à l’annuler. Le thyristor se bloque ainsi. On dit que la commutation
dans le thyristor est de type forcée. Ce type de commutation est utilisé dans les hacheurs et
les onduleurs.

8/Variantes des thyristors :

 Le GTO (Gate turn off) : Il est pratiquement identique à un thyristor ordinaire mais
son blocage s’obtient par inversion du courant de gâchette.

 Le TRIAC : Il est équivalent à deux thyristors montés en opposition. Il peut être

considéré comme un thyristor bidirectionnel.

D/ Le transistor bipolaire :
1/Caractéristique statique :
Basé sur deux jonctions PN, il est qualifié comme étant à amorçage et blocage commandés.
L’électrode de commande est la base. La commande est de type courant. A l’état passant
(IB>IBsat), le transistor voit une tension collecteur émetteur VCE de l’ordre du Volt ; le
transistor est dit saturé. A l’état bloqué (IB=0), la tension VCE doit être limitée au maximum
imposé par le constructeur sous risque de claquage par avalanche.

Caractéristique idéalisée : Caractéristique réelle :

IC IC

Amrçage

Blocage

VCE
IB=0 VCE

V
E
C
s
a
t

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VCE

Emetteur E Collecteur C

Ic

Base B
Symbole :
Formes de Thyristors de puissance :

2/Caractéristiques dynamiques :
A l’amorçage, le courant Ic met un temps de montée tr pour s’établir à 90% de sa valeur
finale. Au blocage, le transistor doit libérer les charges stockées au collecteur. Ceci se
manifeste par un courant relativement important ts (temps de stockage). Ensuite, le courant
collecteur s’effondre pour atteindre 10% de son minimum pendant le temps de descente tf .
IB

Ic

tr ts tf

Ordre de grandeurs : Pour le BUW38 (40A) tr=1.5us ts=1.65us tf=0.5us

E/ Le transistor MOSFET :
1/Principe :
Un transistor MOSFET (Metal oxyde semiconductor field effect transistor) à canal N consiste
en un substrat de type P sur lequel sont diffusée deux zones de type N constituant le drain et la
source. La troisième électrode qui est la grille est isolée de l’ensemble grâce à une fine couche de
silice SiO2.

Grille G
Source S Drain D
D
SiO2
N N
G Diode de structure
P

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Pour une tension Vgs suffisante (Vgs > Vgsth), le MOSFET conduit : induction d’un canal de
type N entre le drain et la source par effet capacitif. Sinon, le MOS reste bloqué et le courant
Id s’annule. En inverse, il se comporte comme une diode (diode de structure interne
correspondant à la jonction drain substrat). Cette diode n’est pas rapide et constitue le défaut
majeur d’un transistor MOS.

Caractéristiques réelles : Caractéristique idéalisée:

Id Id Id

Amorçage
Vgs>Vgsth

Blocage
Vgs Vgs<Vgsth Vds Vds
Vgsth

On peut qualifier le MOSFET comme étant :

 A amorçage commandé.
 A blocage commandé dans le sens direct.
 A blocage spontané dans le sens inverse (diode de structure).

2/Paramètres importants :
On note la valeur Vdsmax provoquant le claquage et la résistance drain source à l’état passant
Rdson. Cette résistance limite le courant drain admissible pour assurer une chute de tension
Vds=Rdson.Id raisonnable. Elle détermine également la contrainte thermique imposée au MOS
(puissance dissipée : Pd=Rdson Id2).

3/Extraits de Catalogue constructeur :

 Le STP7NB60 :

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 Le RFG70N06 :

F/ Le transistor IGBT :( Insulated Gate Bipolar Transistor)

1/Principe :

C’est un transistor bipolaire à grille isolée. Il possède les mêmes propriétés d’un transistor
bipolaire au niveau de la puissance et celle d’un transistor MOS au niveau de la commande.

Symbole et équivalence MOS/Bipolaire :

Les transistors IGBTsont caractérisés par un seuil de tension grille/émetteur et une

impédance d'entrée capacitive. Pour amener le transistor bloqué à un état passant, il faut
charger la capacité d'entrée sous une tension supérieure à VGE(th). Le courant de collecteur
ne circulera pas avant que soit franchi ce seuil de commutation. Pour bloquer le transistor IGB
passant, il faut décharger ce condensateur d'entrée. Cette décharge s'effectuera à travers
une résistance câblée entre grille et émetteur (RGE).

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2/Caractéristique statique :

On note que le courant collecteur d’un tel transistor est commandé par une tension (VGE) et
non plus un courant.
Ce type de transistor associe les avantages des transistors bipolaires pour Vcesat (au lieu de
Rdson Id pour un MOSFET) et ceux des transistors MOS pour la simplicité de commande.

3/Extrait de Catalogue constructeur :

 Le HGTH12N40C1D :

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 Module intégré à IGBT CM200DU-12H :

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