INSTITUT SUPERIEUR D’ENVIRONNEMENT SOLIDAIRE

ET DEVELOPPEMENT DURABLE
« ISESOD » EN SIGLE

ENSEIGNER PAR :Ir ELONGA ELIKYA

TRAVAIL DIRIGE DE L’ELECTRONIQUE

PRESENTER PAR:
BATACHOKA MUHIYA
KAMBALE MOLIERE ISAAC
MAKURU MUHIMA LORIS
KAHAMBU MWENGE CHRIS
KAHAMBU KATSONGO REBECCA
LUNGONDE KABALA ASSANI
MBUSA MAHAMBA AMI
MUFANO KAMUNDU Taylor
LOBOBO ONOKOKO Maurice
ALOMBO OMBENI OSEE
KWENGABA OSWALD PADIA
BARAKA MUGISHO David
KAKULE KAMUHA ARISTOTE
MULUNGU GEORGES

JUILLET 2023
1. Recherche sur le transistor à effet de champ ou unipolaire
R// Un transistor à effet de champ est un transistor unipolaire son
fonctionnement est basé sur l’action d’un champ électrique sur un canal
composé d’un seul type de porteur de charges mobiles. Ce canal est un semi-
conducteur avec un excédent d’électron (Dopage de type N), ou de trous
(Dopage de type P).

2. On associe 2 Résistances de 22Ω en parallèle pour que la résistance

d’équivante soit de 11 Ω.

SOLUTION

𝑹𝟏.𝑹𝟐 𝟐𝟐𝑿𝟐𝟐 𝟒𝟖𝟒

Réq= =≫ = = 𝟏𝟏Ω
𝑹𝟏+𝑹𝟐 𝟐𝟐+𝟐𝟐 𝟒𝟒

3. Soit le réseau schématiser ci-dessous :

R2=2 Ω

R1=10 Ω R3=4 Ω
A C B

R4=6 Ω

a) Résistance d’équivalence des résistances placées en parallèles et quelle

est sa raison A et B ?
𝑹𝟐.𝑹𝟑.𝑹𝟒 𝟐𝑿𝟒𝑿𝟔 𝟒𝟖
 Réq= =≫ 𝟐+𝟒+𝟔 = 𝟒𝟒 = 𝟏, 𝟎𝟗Ω
𝑹𝟐+𝑹𝟑+𝑹𝟒

 Raison de A et B =R1+R3=≫ 𝟏𝟎 + 𝟒 = 𝟏𝟒Ω

b) on applique la tension UAB=6v calculer l’intensité du courant qui

circule en A et C. En déduire la tension entre C et B. calculer afin
l’intensité du courant dans chaque élément
SOLUTION
 L’Intensité Entre A et C =6/10 =0 ,6Am
 La tension U qui est entre C et B la tension U sera = R X I=>>
U=4X6=24v
 L’intensité sur chaque borne :
o I=6/11,09=0,54Am
o I1=0,54X1,09=0,5886V
o I2=0,5886 / 2=0,2943Am
o I3=0,5886 /4=0,14715Am
o L4=0,5886 /6=0,0981Am