Support de cours

Electronique analogique
FILIERE
Sciences de la matière physique (SMP)
Semestre 5

Année universitaire: 2022-2023 © Prof. S. DLIMI

Prof S. DLIMI Faculté des sciences El Jadida 1
 Programme du module

Electronique analogique
SMP5
Ch0: Introduction à l’électronique analogique

Ch1: Rappels sur les transistors BJT & FET

Ch2: Amplificateur de base à transistors BJT & FET

Ch3: Amplificateur différentiel

Ch4: Amplificateur opérationnel et ses applications

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 Ch0: Introduction à l’électronique analogique

Qu’est ce que l’électronique ?

• Domaine de la physique appliquée qui exploite les

variations de grandeurs électriques pour capter,
transmettre ou analyser des informations

• Le traitement de l’information est généralement

assuré par des circuits électroniques.

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 Ch0: Introduction à l’électronique analogique

❑ Qu’est ce qu’un circuit électronique ?

• Un ensemble de composants (résistances, condensateurs,
diodes, transistors, circuits intégrés: AOP, microprocesseurs, …)
qui agissent sur les courants et tensions électriques

Condensateurs chimiques
Selfs
Résistances
Microprocesseur

Transistors
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 Ch0: Introduction à l’électronique analogique
❑ A quoi servent les circuits électroniques ?

Les circuits électroniques produisent, modifient et utilisent des signaux

électriques.
Thermistance : capteur
de température

▪ Production ➔ Générateurs, capteurs,…

Capteur d’humidité

▪ Modification ➔ Amplificateur, redresseur, modulateur…

▪ Utilisation ➔ Commande, contrôle,…

Amplificateur à transistor bipolaire

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 Ch0: Introduction à l’électronique analogique

❑ L’électronique est omniprésente… dans les domaines :

▪ de l’informatique,
▪ des télécommunications et des réseaux sans fil,
▪ du multimédia,
▪ de l’automobile,
▪ de l’avionique,
▪ de la médecine,
▪ de l’instrumentation,
▪ de l’électroménager, ……

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 Ch0: Introduction à l’électronique analogique
❑ Quelques exemples de débouchés:
▪ R&D sur les composants électroniques : Réduction des dimensions, introduction de nouveaux
matériaux, nouveaux types de composants: composants nanométriques, mémoire vive, …
▪ R&D sur la simulation, la fabrication et le fonctionnement des circuits intégrés (C.I)
▪ Conception, simulation et réalisation de circuits électronique et de composants
Les spécialistes de l’électronique partent de l'infiniment petit (les composants) qu'ils fabriquent
et assemblent pour réaliser des systèmes complexes qui seront incorporés dans des produits finis
(radars, console de jeux vidéo, système de sécurité, téléphone portable, ordinateur, etc.)
❑ L’électronique : un domaine en pleine évolution
4004 d’intel
15/11/1971
2250 Transistors
108 kHZ, 4bits,
604 mots ad)

Le 1er C.I de J. Kilby 1958 En 1971: Le 1er Processeur

(Hoff, Faggin, prix 200$)
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 Ch0: Introduction à l’électronique analogique
❑ L’électronique : un domaine en pleine évolution

Il est actuellement possible d'assembler la

matière atome par atome, pour construire des Le nombre de transistors des processeurs devrait
transistors d'une conception entièrement doubler tous les 18 mois
nouvelle

la nanoélectronique

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 Ch0: Introduction à l’électronique analogique

❑ L’électronique : un domaine en pleine évolution

Transistor Bipolaire à 1er transistor à nanotube bio-

Hétérojonction ultra rapide assemblé sans lithographie
Transistor Mos entouré de ses connexions Technion, Israël
Longueur de grille 25 nm "pont à air" Science (2003)
(fmax > 1000 GHz)

1er transistor "tout-nanotube"

Univ. Of California, San Diego
Nature Materials (Sept. 2005)
Nanotube de carbone

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Introduction :
Deux classes principales de transistors:
▪ Transistors bipolaires: BJT (Bipolar Junction Transistor)
▪ Transistors à effets de champ: FET (Field Effect Transistors)

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Introduction :
▪ En régime de fonctionnement linéaire, le BJT est un amplificateur de courant (tension ou
puissance) commandé en courant. En commutation (régime saturé/bloqué), c’est un interrupteur
commandé en courant.
• En régime de fonctionnement linéaire, le FET est un amplificateur de courant (tension ou
puissance) commandé en tension. En commutation (régime saturé/bloqué), c’est un interrupteur
commandé en tension..

Un transistor est un morceau de Un transistor sert Un transistor bipolaire fonctionne

conducteur, dont la conductivité d'interrupteur comme un amplificateur de
est contrôlée par une troisième commandable courant/tension : il amplifie le
broche/borne. courant envoyé sur sa base.

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Transistor bipolaire :
▪ Le transistor bipolaire est créé en juxtaposant trois couches de semiconducteur dopés N, P puis
N pour le transistor NPN ou dopés P, N puis P pour le transistor PNP. Les deux zones du même
type sont appelées Emetteur (fortement dopé) et Collecteur (moyennement dopé) et la
troisième zone de type différent qui les sépare, est appelée Base (faiblement dopé).
• Un faible courant de base, 𝐼𝐵 , commande un fort courant de collecteur, 𝐼𝐶 .

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Transistor bipolaire sous polarisation :

▪ Polariser un transistor consiste à fixer les valeurs de courants et tensions de repos du transistor
à des valeurs dites de polarisation (ou de repos, ou encore de fonctionnement) telles qu’ensuite,
en présence d’un signal extérieur les valeurs de ces courants et tensions varient autour de ce
point de repos.

❑ Montages de base:
Pour faciliter l’étude du transistor, ce dernier est transformé en quadripôle par la mise en commun
l’une des trois pattes

Emetteur commun Collecteur commun Base commune

(Plus utilisé) (Parfois utilisé) (Peu utilisé)
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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Effet transistor :
Considérons le montage base
commune en régime normale:
• La jonction B-E est polarisée en
direct (𝑉𝐵𝐸 > 0
• La jonction B-C est polarisée en
inverse (𝑉𝐶𝐵 < 0)

▪ La jonction B-E, injecte les porteurs majoritaires (les électrons) de l’émetteur vers la base. De
même, les trous majoritaires de la base vont diffuser vers l’émetteur.
▪ Les électrons injectés de l’émetteur vers la base deviennent minoritaires. Certains d’entre eux
vont se recombiner avec les trous majoritaires de la base.
▪ Les électrons qui ont traversé la base sans avoir subi de recombinaison parviennent à la jonction
B-C. Le champ électrique qui y règne les entraine vers le collecteur.
En conclusion, la presque totalité des électrons émis par l’émetteur arrivent au collecteur.

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Relations fondamentales : montage émetteur commun

Bilan des courants en régime stationnaire :
• 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
• 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 + 𝐼𝐶𝐸0
Avec 𝛽 ≫ 1, 100 < 𝛽 < 300
et 𝐼𝐶𝐸0 = 1 + 𝛽 𝐼𝐶𝐵0

𝐼𝐶𝐵0 est le courant de fuite à émetteur ouvert (𝐼𝐸 = 0 )

𝐼𝐶𝐸0 est le courant de fuite à base ouverte (𝐼𝐵 = 0)

Dans la pratique, on néglige les courants de fuite, donc : 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵

Et 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 ≅ 𝛽𝐼𝐵 ≅ 𝐼𝐶

Le paramètre 𝛽 représente le gain statique en courant d’un montage émetteur commun.

Ordres de grandeurs : 𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸 ≈ 10 𝑚𝐴 et 𝐼𝐵 ≈ 100 𝜇𝐴
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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Réseaux de caractéristiques : Montage émetteur commun

Le transistor comporte trois accès, donc il est caractérisé par six grandeurs électriques: (𝐼𝐸 ,
𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝑉𝐵𝐸 , 𝑉𝐶𝐵 et 𝑉𝐶𝐸 ). Mais 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 et 𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸𝐵
 4 relations indépendantes sont nécessaire pour le caractériser:

𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 )ሿ𝐼𝐵=𝑐𝑡𝑒

𝐼𝐶 = 𝑓(𝐼𝐵 )ሿ𝑉𝐶𝐸 =𝑐𝑡𝑒

𝑉𝐵𝐸 = 𝑓(𝐼𝐵 )ሿ𝑉𝐶𝐸 =𝑐𝑡𝑒 𝑉𝐵𝐸 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 )ሿ𝐼𝐵=𝑐𝑡𝑒

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Caractéristique I B (V B E ) du transistor NPN:

▪ Pour débloquer (rendre passant) le transistor N P N , il faut que la jonction base-
émetteur soit polarisée en direct avec une tension supérieure à la tension de
seuil, V S , de cette diode : V B E > V S .
▪ La caractéristique I B (V BE ) est celle de la diode base -émetteur en ne
considérant que le courant de trous
▪ Ici le courant de trous est bien plus faible que le courant d’électrons

collecteur
IC I B (A)

IB N inverse directe
base VCE P
N+
VBE IE
émetteur 0 VS V B E (V)

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Caractéristique I C (V C E ) du transistor NPN:

▪ Si la jonction B C est polarisée en inverse, alors le courant d’électrons peut
traverser cette jonction.
▪ Dans ce cas le courant I C est indépendant de V C E : régime linéaire (I C = .I B )
▪ Si V C E = 0 alors aucun courant ne circule entre l’émetteur et le collecteur
▪ Le basculement entre ces deux fonctionnements se produit à la tension
de saturation V CE sa t : le courant I C n’est pas proportionnel à I B .
Saturé Linéaire
collecteur
IC I C (A) I B4
N I B3
IB
base VCE P B2
N+ I B1
VBE IE
émetteur 0 VCEsat V C E (V)
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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Polarisation du transistor :
Objectif de la polarisation : Fixer les valeurs des tensions VBE et VCE et des courants IB, IC
pour imposer la localisation des points de fonctionnement dans le réseau de caractéristiques
▪ Détermination de I B0 et V B E 0
La boucle d’entrée permet de déterminer IB :
1 𝑉𝐵𝐵
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵𝐵 − 𝑅𝐵 . 𝐼𝐵 ⇒ 𝐼𝐵 = − 𝑅 𝑉𝐵𝐸 + : c’est l’éq. de la droite d’attaque statique
𝐵 𝑅𝐵

𝑞𝑉𝐵𝐸 𝑞𝑉𝐵𝐸
I B (A) 𝐼𝐵 = 𝐼𝑆 𝑒 𝐾𝑇 −1 ≈ 𝐼𝑆 . 𝑒 𝐾𝑇
𝑉𝐵𝐵
𝑅𝐵

I B0

0 V S VBE0 𝑉𝐵𝐵 V B E (V)

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Détermination de I C0 et VC E0 :
▪ On considère que le transistor est en régime linéaire : 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
1 𝑉𝐶𝐶
▪ 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 . 𝐼𝐶 ⇒ 𝐼𝐶 = − 𝑅 𝑉𝐶𝐸 + : C’est l’éq. de la droite charge statique
𝐶 𝑅𝐶

▪ Si V C E > V CE sa t alors le transistor fonctionne en régime linéaire

▪ Si V C E < V CE sa t le transistor est en régime saturé et l’utilisation de la
droite de charge donne les vraies valeurs de I C0 et V C E 0

𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐶
𝐼𝐶0 𝐼𝐵0

0 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 𝑉𝐶𝐸0 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐸

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

▪ Détermination de I B0 et I C 0
• Il faut redéterminer la véritable valeur du courant de base.
• Les électrons qui passent de l’émetteur à la base ne sont pas tous propulsés
au collecteur et une partie sort par la base.
• Les valeurs de V S ( tension seuil de la diode) et r d (la résistance de diode BE)
sont donc différentes

I B (A)
𝑉𝐵𝐵
𝑅𝐵

I B0

0 V S VBE0 𝑉𝐵𝐵 V B E (V)

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Variation de R B avec R C constant

▪ On part d’une valeur de RB
suffisamment grande pour que le
transistor soit en régime linéaire

▪ L a droite de charge en sortie ne change

pas

▪ On diminue alors R B
𝐼𝐶
I B (A) 𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐶

𝑉𝐵𝐵
I B0
𝑅𝐵
0 VS 𝑉𝐵𝐵 V B E (V) 0 VCEsat 𝑉𝐶𝐶 V C E

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Variation de R B avec R C constant

▪ On part d’une valeur de RB
suffisamment grande pour que le
transistor soit en régime linéaire

▪ L a droite de charge en sortie ne change

pas

▪ On diminue alors R B
𝐼𝐶
𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐶
𝐼𝐵0
𝑉𝐵𝐵
𝑅𝐵
0 𝑉𝑠 𝑉𝐵𝐵 𝑉𝐵𝐸 0 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐸

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Variation de R B avec R C constant

▪ On part d’une valeur de RB
suffisamment grande pour que le
transistor soit en régime linéaire

▪ L a droite de charge en sortie ne change

pas

▪ On diminue alors R B
𝐼𝐶
𝐼𝐵
𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐶 𝐼𝐵0
𝑉𝐵𝐵
𝑅𝐵

0 𝑉𝑠 𝑉𝐵𝐵 𝑉𝐵𝐸 0 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐸

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Variation de R C avec R B constant

▪ On part d’une valeur de RC
suffisamment faible pour que le
transistor soit en régime linéaire

▪ L a droite d’attaque en entrée ne change

pas

▪ On augmente alors R C
𝐼𝐶
𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐵𝐵 𝑅𝐶 𝐼𝐵0
𝑅𝐵
𝐼𝐵0

0 VS EG 𝑉𝐵𝐸 0 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐸

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Variation de R C avec R B constant

▪ On part d’une valeur de RC
suffisamment faible pour que le
transistor soit en régime linéaire

▪ L a droite d’attaque en entrée ne change

pas

▪ On augmente alors R C
𝐼𝐶
𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐵𝐵 𝑅𝐶 𝐼𝐵0
𝑅𝐵
𝐼𝐵0

0 VS 𝑉𝐵𝐵 𝑉𝐵𝐸 0 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐸

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Variation de R C avec R B constant

▪ On part d’une valeur de RC
suffisamment faible pour que le
transistor soit en régime linéaire

▪ L a droite d’attaque en entrée ne change

pas

▪ On augmente alors R C
I𝐼𝐶C
𝐼𝐵
𝑉𝐵𝐵 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐵0
𝑅𝐵 𝑅𝐶 𝐼𝐶0
𝐼𝐵0

0 VS 𝑉𝐵𝐵 𝑉𝐵𝐸 0 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐸

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Détermination du point de fonctionnement statique

▪ P(IC0 , VCE0) est le point de repos en sortie

▪ Q(IB0, VBE0) est le point de repos à l’entrée

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Détermination du point de point de saturation et du point de

blocage du transistor
▪ Au point de saturation, le transistor idéal est équivalent à un interrupteur fermé.
▪ Au point de blocage, le transistor idéal est équivalent à un interrupteur ouvert.
▪ Autrement dit le transistor fonctionne en commutation (tout ou rien).

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Fonctionnement en régime dynamique petits signaux

▪ Ajoutons à l’entrée du montage du transistor en émetteur commun en régime statique
un générateur de tension sinusoïdale 𝑒 𝑡 = 𝐸𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡
▪ Pour un fonctionnement en petits signaux (E faible), on peut
écrire:
𝑖𝐵 𝑡 = 𝐼𝐵0 + 𝑖𝑏 (𝑡) 𝑣 𝑡 = 𝑉𝐵𝐸0 + 𝑣𝑏𝑒 (𝑡)
ቊ et ቊ 𝐵𝐸
𝑖𝐶 𝑡 = 𝐼𝐶0 + 𝑖𝑐 (𝑡) 𝑣𝐶𝐸 𝑡 = 𝑉𝐶𝐸0 + 𝑣𝑐𝑒 (𝑡)
𝑖𝑏 (𝑡), 𝑖𝑐 (𝑡), 𝑣𝑏𝑒 (𝑡) et 𝑣𝑐𝑒 (𝑡) représentent
des petites variations autour des tensions
et des courants continues 𝐼𝐵0 , 𝐼𝐶0 , 𝑉𝐵𝐸0 et
𝑉𝐶𝐸0 correspondants au point de repos.
𝑖𝐵 𝑡 = 𝑖𝑏𝑚 sin(𝜔𝑡) 𝑣 𝑡 = 𝑣𝑏𝑒𝑚 sin(𝜔𝑡)
ቊ ቊ 𝐵𝐸
𝑖𝐶 𝑡 = 𝑖𝑐𝑚 sin(𝜔𝑡) 𝑣𝐶𝐸 𝑡 = 𝑣𝑐𝑒𝑚 sin(𝜔𝑡)

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET

❑ Déplacement linéaire du point de repos

▪ Caractéristique d’entrée: le point P se déplace
entre P’ et P ’’
𝑃′ : 𝑉′𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸0 + 𝑣𝑐𝑒𝑚
ቊ ′′
𝑃 : 𝑉 ′′ 𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸0 − 𝑣𝑐𝑒𝑚

▪ Caractéristique de transfert en courant:

le point N se déplace entre N’ et N ’’
𝑁 ′ : 𝐼′𝐶 = 𝐼𝐶0 + 𝐼𝑐𝑒
ቊ ′′
𝑁 : 𝐼 ′′ 𝐶 = 𝐼𝐶0 − 𝐼𝑐𝑒

▪ Caractéristique d’entrée: le point

Q se déplace entre Q’ et Q ’’

𝑄′ : 𝐼′𝐵 = 𝐼𝐵0 + 𝐼𝑏𝑒

ቊ ′′
𝑄 : 𝐼′′ 𝐵 = 𝐼𝐵0 − 𝐼𝑏𝑒

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ Schéma équivalent du transistor en régime dynamique petits signaux
▪ En régime faible signaux le fonctionnement du transistor est linéaire, on peut donc le
considérer comme un quadripôle linéaire actif.

▪ On considère le montage émetteur commun et en ne s’intéressant qu’aux composantes

alternatives.

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ Schéma équivalent du transistor en régime dynamique petits signaux
Le quadripôle équivalent au transistor est représenté par ses paramètres hybrides ’’h ‘’ (les plus
utilisés en basse fréquence) tels que :

𝑣 = ℎ11𝑒 . 𝑖𝑏 + ℎ12𝑒 . 𝑣𝑐𝑒 𝑣𝑏𝑒 ℎ11𝑒 ℎ12𝑒 𝑖𝑏

ቊ 𝑏𝑒 en écriture matricielle =
𝑖𝑐 = ℎ21𝑒 . 𝑖𝑏 + ℎ22𝑒 . 𝑣𝑐𝑒 𝑖𝑐 ℎ21𝑒 ℎ22𝑒 𝑣𝑐𝑒

Le schéma équivalent du transistor en régime dynamique petits signaux devient:

B 𝒊𝒃 𝒉𝟏𝟏𝒆 𝒊𝒄
𝒉𝟐𝟏𝒆 . 𝒊𝒃 C

𝒉𝟏𝟐𝒆 . 𝒗𝒄𝒆 𝒉𝟐𝟏𝒆 . 𝒊𝒃

𝒗𝒃𝒆 𝟏ൗ 𝒗𝒄𝒆
𝒉𝟐𝟐𝒆

E E E

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ Interprétation physique des paramètres hybrides
𝑣𝑏𝑒 ∆𝑣𝐵𝐸
▪ ℎ11𝑒 = ቃ = ቃ : l’impédance d’entrée du transistor, n’est autre que la
𝑖𝑏 𝑣 =0 ∆𝑖𝐵 𝑉
𝑐𝑒 𝐶𝐸 =𝑐𝑡𝑒

résistance dynamique de la jonction base-émetteur : ℎ11𝑒 = 𝑟𝐵𝐸 .

𝑣𝑏𝑒 ∆𝑣𝐵𝐸
▪ ℎ12𝑒 = ቃ = ቃ : l’inverse du gain en tension (ou facteur de réaction de la sortie
𝑣𝑐𝑒 𝑖 =0 ∆𝑣𝐶𝐸 𝐼 =𝑐𝑡𝑒
𝑏 𝐵

sur l’entrée), souvent négligeable.

𝑖 ∆𝑖𝐶
▪ ℎ21𝑒 = 𝑐 ቃ = ቃ ≈ 𝛽 : le gain en courant du transistor à sortie fermée
𝑖𝑏 𝑣 =0 ∆𝑖𝐵 𝑉
𝑐𝑒 𝐶𝐸 =𝑐𝑡𝑒

𝑖𝑐 ∆𝑖𝐶
▪ ℎ22𝑒 = ቃ = ቃ : l’admittance de sortie du transistor. En pratique sa valeur est
𝑣𝑐𝑒 𝑖 =0 ∆𝑣𝐶𝐸 𝐼 =𝑐𝑡𝑒
𝑏 𝐵

1
faible, dans la suite on posera 𝜌 = (𝜌 résistance de sortie à entrée fermée)
ℎ22𝑒

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ Détermination graphiques des paramètres hybrides
Les paramètres hij dépendent du point de fonctionnement et peuvent être obtenus graphiquement.
Ils ne sont constants que si les variations autour du point de fonctionnement sont faibles.

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35
 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ Schéma équivalent simplifié du transistor en dynamique petits signaux

En général h22 est très faible de l’ordre de 10-5Ω-1 (ou 𝜌 est très grande). De même h12 est
très faible. On obtient un schéma équivalent simplifié du transistor .

B 𝒊𝒃 𝒊𝒄 C

𝒗𝒆 𝒉𝟏𝟏𝒆
𝜷. 𝒊𝒃 𝒗𝒔

E E

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36
 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ Schéma équivalent du transistor en basses fréquences en utilisant les
paramètres universels
Les paramètres universels sont plus signifiants en changeant juste les noms des paramètres
hybrides. B 𝒊𝒃 𝒊𝒄 C

𝒓𝑩𝑬 𝒈𝒎 . 𝒗𝑩𝑬
𝒗𝒆 = 𝒗𝑩𝑬 ou 𝝆 𝒗𝒔
𝝁. 𝒗𝒔 𝜷𝒊𝒃

E E E
▪ 𝑟𝐵𝐸 = ℎ11 : résistance d’entrée entre base et émetteur à sortie fermée. Ordres de grandeur:
𝐾𝑇 𝑉𝑇 26 𝑚𝑉
▪ 𝜇 = ℎ12 : coefficient de réaction interne, souvent négligeable (𝜇=0). • 𝑟𝐵𝐸 = = 𝑞𝐼𝑑
≈
𝐼𝐵0 𝐼𝐵0
▪ 𝛽 = ℎ21 : gain en courant à sortie fermée. 100
• 𝑟𝐵𝐸 =𝜌 ≈ (Ω)
𝐼𝐶0
▪ 𝑔𝑚 : pente ou transconductance à sortie fermée.
𝛽
1 • 𝑔𝑚 ≈ ≈38 𝐼𝐶0 (S)
▪ 𝜌 = 𝑟𝐶𝐸 = : résistance de sortie à entrée fermée. 𝑟𝐵𝐸
ℎ22

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ Amplificateur à transistor en émetteur commun avec R E découplée
• C1 et C2 sont des condensateurs de
liaison (de couplage). Ils se comportent
comme des circuits ouverts en courant
continu et des courts-circuits en courant
alternatif (aux fréquences des signaux à
amplifier).
• Le condensateur C1 est placé entre la
source alternative et le point d’entrée du
montage.
• Le condensateur C2 élimine la composante continue à la sortie. On recueille uniquement le
signal alternatif amplifié.
• Ces capacités sont choisies suffisamment grandes pour que l’on puisse négliger leurs
impédances aux fréquences de travail.
• Le condensateur CE est un condensateur de découplage qui sert à découpler RE en régime
alternatif.

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38
 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ Amplificateur à transistor en émetteur commun avec R E découplée
▪ Schéma équivalent du montage en dynamique
Pour établir le schéma équivalent en dynamique d’un montage à transistor :
• On supprime les générateurs de tension continue (on les court-circuite) tout en conservant leurs
résistances internes ;
• On court-circuite les capacités de liaisons ;
• On court-circuite les capacités de découplage ;
• On remplace le transistor par son schéma équivalent
RC
C2
On pose : R = R1//R2 C C
R1
B C1
B
RC Ru VCC
E Ru
E
R R2
e(t) e(t) RE CE

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39
 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ Amplificateur à transistor en émetteur commun avec R E découplée
▪ Schéma équivalent du montage EC en dynamique
Le schéma équivalent complet est le suivant :

𝑅 = 𝑅1 //𝑅2
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40
 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
▪ Caractéristiques du montage EC en dynamique
Quatre paramètres à déterminer dans l’étude dynamique :
▪ Gain en tension
𝑣𝑠 𝛽.𝑅𝑐
Le gain en tension à vide 𝐴𝑣0 , est : 𝐴𝑣0 = ቃ =−
𝑣𝑒 𝑅 =∞ ℎ11𝑒
𝑢
𝑅𝑢
Le gain en tension 𝐴𝑣 (gain en charge) est : 𝐴𝑣 = 𝐴
𝑅𝑐 +𝑅𝑢 𝑣0

▪ Gain en courant
𝑖𝑠 𝛽.𝑅.𝑅𝑐
Le gain en courant en charge (présence de Ru) est : 𝐴𝑖 = =
𝑖𝑒 (𝑅𝑐 +𝑅𝑢 )(𝑅+ℎ11𝑒 )
𝑖 𝛽.𝑅
Le gain en courant en sortie court-circuitée est : 𝐴𝑖0 = 𝑠 ቃ =
𝑖𝑒 𝑅 =0 𝑅+ℎ11𝑒
𝑢

▪ Impédance d’entrée :
𝑣𝑒 𝑅ℎ11
C’est le rapport entre la tension d’entrée et le courant d’entrée : 𝑍𝑒 = = 𝑅//ℎ11 =
𝑖𝑒 𝑅+ℎ11

▪ Impédance de sortie :
C’est le rapport entre la tension de sortie et le courant de sortie avec l’entrée court-circuitée, et Ru
débranchée.
𝑣𝑠
𝑍𝑠 = ቃ =𝑅𝐶
𝑖𝑠 𝑣 =0
𝑒

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41
 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ Transistor à effet de champ: TEC (FET)
▪ Le TEC est un transistor unipolaire car il ne faisant intervenir qu’un seul type de porteurs.
▪ Le TEC utilise une tension sur la borne d’entrée du transistor, appelée la base afin de contrôler le
courant qui le traverse.
▪ Le TEC utilise un champ électrique généré par l’électrode de base pour contrôler la forme et
donc la conductivité d’un « canal » dans un matériau semiconducteur (d’où le nom de transistor
à effet de champ).
▪ Le TEC se présente comme une résistance variable commandée par une tension extérieur
▪ Le TEC existe en deux types de technologie :
• TEC à jonction : JFET (Junction Field Effect Transistor).
• TEC à grille isolée : MOSFET (Metal Oxyde Semi-conductor FET).
Comparaison avec le transistor bipolaire :
• Fonctionnement lié au déplacement d'un seul type de porteur (porteur majoritaire)
• Très forte impédance d’entrée (MΩ)
• Faible niveau de bruit lié au fait qu’il n’ y a qu’un seul type de porteurs, donc pas de
recombinaison
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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ Transistor à effet de champ à jonction: JFET
▪ Principe

• Le TEC est réalisé dans un barreau de semiconducteur dopé N

(sur l'exemple ci contre) ou P. Sa conductance dépend du taux
de dopage et des dimensions du barreau.

• Pour moduler les dimensions du canal, on ajoute

deux zones de dopage P. En polarisant les
jonctions PN en inverse, on peut agir sur les
dimensions des zones déplétées et donc sur la
taille du canal. On peut ainsi moduler le courant
dans le transistor en intervenant sur le champ
existant dans les jonctions.

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ Transistor à effet de champ à jonction: JFET
▪ Symbole, tension et courant
• SOURCE : électrode par laquelle les porteurs majoritaires entrent dans le canal.
• DRAIN : électrode par laquelle les porteurs majoritaires quittent le canal.
• GRILLE: électrode de commande (IG = 0), elle constitue avec le canal une jonction PN qui est
toujours polarisée en inverse.

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ Transistor à effet de champ à jonction: JFET
▪ Fonctionnement
• Pour VGS=0
La conductance maximale du barreau est obtenu pour VGS = 0. Lorsque la tension VGS devient
négative, la zone de déplétion (zone de charge fixes) s'étend réduisant la taille du canal et sa
conductance (ID diminue). Lorsque VGS = VGSoff , les deux zones déplétées se rejoignent et le canal
est supprimé. La conductance tend alors vers 0 (impédance infinie).
Le TEC fonctionne en déplétion ou appauvrissement.
Dans ce cas, on peut considérer le TEC comme une résistance commandée en tension.

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ Transistor à effet de champ à jonction: JFET
▪ Fonctionnement
• Pour VGS>0
➀ Pour VDS > 0, le potentiel du drain est supérieur au potentiel de la source. La tension inverse grille
canal sera donc plus importante du coté du drain. La zone de déplétion s'élargit donc vers le drain
du transistor.
➁ Lorsque VDS ➚, il y a pincement du canal pour VDS = VP
➂ Si VDS ➚ encore, le canal se rétrécit et le courant est limité.

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
▪ Réseau de caractéristiques
Réseau de transfert Réseau de sortie

• Réseau de sortie:
• Pour VGS=0, ID est maximal: ID =IDSS
𝑉𝑃
• Zone 1: Zone Ohmique, lorsque VDS augmente, ID croit linéairement, 𝑅𝐷𝑆 ≈
𝐼𝐷𝑆

• Zone 2: Zone du coude due au début du pincement du canal

• Zone 3: Zone de pincement (ou de saturation ou linéaire). Le TEC se comporte comme une
source de courant commandée en tension VDS>VP.
• Zone 4: Zone de claquage, si VDS dépasse VDSmax le transistor est détruit par effet
d'avalanche.
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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
▪ Réseau de caractéristiques
• Réseau de transfert:
𝑉𝐺𝑆 2
• Equation du courant de drain: 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 +
𝑉𝑃

• La tension 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 est la tension de blocage (𝐼𝐷 = 0 ⩝ 𝑉𝐷𝑆 ), 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 = −𝑉𝑃

❑ JFET en régime continu ou statique

▪ Polarisation automatique
Soit le montage source commune de la figure ci-contre :
❖ Détermination du point de fonctionnement :
P(𝑽𝑫𝑺𝟎 , 𝑰𝑫𝟎 ) 𝒆𝒕 𝑸(𝑽𝑮𝑺𝟎 , 𝑰𝑫𝟎 )
A l’entrée :
𝑉𝐺𝑀 = 𝑅𝐺 𝐼𝐺 = 0 (𝐼𝐺 = 0)
𝑉𝐺𝑀 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼𝑆 = 0 ⇒ 𝑉𝐺𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷 = 0 (car 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 )
Donc : 𝑉𝐺𝑆 = −𝑅𝑆 𝐼𝐷 : Equation de la droite de transfert.
Le montage crée donc sa propre polarisation en utilisant la tension aux bornes de 𝑅𝑆 pour polariser
la grille en inverse.
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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ JFET en régime continu ou statique
En sortie :
𝑉𝐷 −𝑉𝐷𝑆
𝑉𝐷 = 𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 ⇒ 𝐼𝐷 = : Equation de la droite de charge
𝑅𝐷 +𝑅𝑆

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ JFET en régime dynamique faibles signaux
Cette étude consiste à analyser le fonctionnement d’un transistor FET polarisé en zone de saturation
lorsqu’on applique de petites variations à l’une des grandeurs électriques.

▪ Schéma équivalent en basses fréquences

𝑖𝑔 = 𝑦11 . 𝑣𝑔𝑠 + 𝑦12 . 𝑣𝑑𝑠
On choisit la matrice admittance : ൝
𝑖𝑑 = 𝑦21 . 𝑣𝑔𝑠 + 𝑦22 . 𝑣𝑑𝑠

⩝ 𝑣𝑔𝑠 et 𝑣𝑑𝑠 on a : 𝑖𝑔 = 0, donc : 𝑦11 = 𝑦12 = 0 ⇒ 𝑖𝑑 = 𝑦21 . 𝑣𝑔𝑠 + 𝑦22 . 𝑣𝑑𝑠

𝑖𝑑 ∆𝑖𝐷 𝑖𝑑 ∆𝑖𝐷
𝑦21 = ඐ = ቕ = 𝑔𝑚 et 𝑦22 = ቕ = ቕ = 𝑔𝑑𝑠 ∶ l’admittance du drain.
𝑣𝑔𝑠 ∆𝑣𝐺𝑆 𝑉 𝑣𝑑𝑠 𝑣 ∆𝑣𝐷𝑆 𝑉
𝑣𝑑𝑠=0 𝐷𝑆=0 𝑑𝑠=0 𝐺𝑆=0

𝑔𝑚 représente la transconductance

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ JFET en régime dynamique faibles signaux
▪ Schéma équivalent en hautes fréquences
• En hautes fréquences les capacités parasites interviennent. Toute jonction PN polarisée en
inverse constitue un condensateur. Pour le TEC, on considère deux condensateurs parasites,
l’un entre grille et source et l’autre entre grille et drain

Cgs : Capacité de la jonction grille source Cds : Capacité de la jonction drain source
Remarque :
En hautes fréquences la résistance d’entrée n’est plus infinie. D’autre part, il existe une réaction de
la sortie sur l’entrée due à la présence de la capacité Cgs.

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ Transistor à effet de champ à grille isolée: MOSFET
▪ Description du MOSFET
Le MOSFET est un dispositif électronique à quatre bornes (source, drain, grille, substrat) qui est
utilisé principalement comme un interrupteur dans les circuits intégrés, on ne s’en sert pas pour
amplifier un signal.
• La source (S) et le drain (D) sont des
conducteurs, faits de silicium dopé de type N.
• La grille (G) est en poly silicium, dopée de
type N pour être conductrice. La grille est
séparée du substrat par un oxyde mince
(SiO2) qui sert à isoler électriquement la
grille du substrat.
• Le substrat (B), dopé de type P, n’est pas
conducteur.

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ Transistor à effet de champ à grille isolée: MOSFET
▪ Symbole du MOSFET

MOSFET à appauvrissemnent Canal N (Substrat P) MOSFET à enrichissement Canal N (Substrat P)

Le MOSFET est caractérisé par une résistance d’entrée encore plus grande que celle du JFET.
Le schéma équivalent du MOSFET est identique à celui du JFET.

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 Ch1: Rappel sur les transistors BJT & FET
❑ Transistor à effet de champ à grille isolée: MOSFET
▪ Caractéristiques du MOSFET
Caractéristiques de sortie : 𝐼𝐷 = 𝑓(𝑉𝐷𝑆 ) à 𝑉𝐺𝑆 = 𝐶𝑡𝑒
On a le même type de caractéristique que pour le JFET, mais le paramétrage en 𝑉𝐺𝑆 est décalé (Le
MOSFET autorise une tension 𝑉𝐺𝑆 > 0) :

JFET MOSFET à Enrichissement MOSFET à Appauvrissemnent

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