EFECTO FOTOELECRICO El efecto fotoelctrico fue descubierto por Heinrich Hertz en 1887, al observar que el arco que salta

entre dos electrodos conectados a alta tensin alcanza distancias mayores cuando se ilumina con luz ultravioleta que cuando se deja en la oscuridad. Un Ao despus, Hallwachs hizo una importante observacin de que la luz ultravioleta al incidir sobre un cuerpo cargado negativamente causaba la perdida su carga, mientras que no afectaba a un cuerpo con carga positiva. Diez aos mas tarde, J. Thomson y P. Lenard demostraron independientemente, que la accin de al luz era la causa de al emisin de cargas negativas libres por la superficie del metal. Aunque no hay diferencia con los dems electrones, se acostumbra al denominar fotoelectrones a estas cargas negativas. Heinrich Hertz establece bsicamente que electrones de una superficie metlica pueden escapar de ella si adquieren la energa suficiente suministrada por luz de longitud de onda lo suficientemente corta. Hallwachs y Lenard estudiaron tambin este efecto aos despus. Posteriormente Einstein le dio el significado correcto en 1905, en el que dice que un haz de luz se compone de paquetes de energa llamados cuantos de luz o fotones. Cuando el fotn choca contra un electrn en la superficie de un metal, el fotn l e puede transmitir energa al electrn, con la cual podra este escapar de la superficie del metal.

Efecto fotoelctrico externo

Es la formacin y liberacin de partculas elctricamente cargadas que se produce en la materia cuando es irradiada con luz u otra radiacin electromagntica. El trmino efecto fotoelctrico designa varios tipos de interacciones similares. En el efecto fotoelctrico externo se liberan electrones en la superficie de un conductor metlico al absorber energa de la luz que incide sobre dicha superficie. Este efecto se emplea en la clula fotoelctrica, donde los electrones liberados por un polo de la clula, el fotoctodo, se mueven hacia el otro polo, el nodo, bajo la influencia de un campo elctrico. El estudio del efecto fotoelctrico externo desempe un papel importante en el desarrollo de la fsica moderna. Una serie de experimentos iniciados en 1887 demostr que el efecto fotoelctrico externo tena determinadas caractersticas que no podan explicarse por las teoras de aquella poca, que consideraban que la luz y todas las dems clases de radiacin electromagntica se comportaban como ondas. Por ejemplo, a medida que la luz que incide sobre un metal se hace ms intensa, la teora ondulatoria de la luz sugiere que en el metal se liberarn electrones con una energa cada vez mayor. Sin embargo, los experimentos mostraron que la mxima energa posible de los electrones emitidos slo depende de la frecuencia de la luz incidente, y no de su intensidad. En 1905, para tratar de explicar el mecanismo del efecto fotoelctrico externo, Albert Einstein sugiri que podra considerarse que la luz se comporta en determinados casos como una partcula, y que la energa de cada partcula luminosa, o fotn, slo depende de la frecuencia de la luz. Para explicar el efecto fotoelctrico externo, Einstein consider la luz como un conjunto de "proyectiles" que chocan contra el metal. Cuando un electrn libre del metal es golpeado por un fotn, absorbe la energa del mismo. Si el fotn tiene la suficiente energa, el electrn es expulsado del metal. La teora de Einstein explicaba muchas caractersticas del efecto fotoelctrico externo, como por ejemplo el hecho de que la energa mxima de los

electrones expulsados sea independiente de la intensidad de la luz. Segn la teora de Einstein, esta energa mxima slo depende de la energa del fotn que lo expulsa, que a su vez slo depende de la frecuencia de la luz. La teora de Einstein se verific por experimentos posteriores. Su explicacin del efecto fotoelctrico, con la demostracin de que la radiacin electromagntica puede comportarse en algunos casos como un conjunto de partculas, contribuy al desarrollo de la teora cuntica. El trmino efecto fotoelctrico tambin puede referirse a otros tres procesos: la fotoionizacin, la fotoconduccin y el efecto fotovoltico. La fotoionizacin es la ionizacin de un gas por la luz u otra radiacin electromagntica. Para ello, los fotones tienen que poseer la suficiente energa para separar uno o ms electrones externos de los tomos de gas. En la fotoconduccin, los electrones de materiales cristalinos absorben energa de los fotones y llegan as a la gama de niveles de energa en la que pueden desplazarse libremente y conducir electricidad. En el efecto fotovoltico, los fotones crean pares electrn-hueco en materiales semiconductores. En un transistor, este efecto provoca la creacin de un potencial elctrico en la unin entre dos semiconductores diferentes.

Efecto fotoelctrico interno

En el fotoefecto interno los electrones excitados permanecen dentro de la sustancia, contrario al fotoefecto externo. Cuando el material es irradiado, electrones de la banda de valencia son llevados a la banda de conduccin y aumenta la conductividad elctrica del material irradiado. Este aumento de conductividad se llama fotoconduccin. En el caso en de los metales, debido a su alta conductividad elctrica base, el aumento de conductividad por radiacin es insignificante, por eso el fotoefecto interno se emplea tanto en los semiconductores dopados como en los intrnsecos. La conductividad intrnseca es ocasionada por electrones y huecos trmicamente generados, que estn presentes en iguales concentraciones. Cuando la sustancia es irradiada, portadores de carga libres adicionales son producidos por la energa del fotn con lo que se mejora la conductividad. Mediante el dopado deliberado de un semiconductor con donantes o aceptores, se obtiene un semiconductor tipo P o N.

Fotoefecto de unin
El fotoefecto de unin es un fotoefecto interno y se utiliza en fotodiodos, diodos de avalancha, fototransistores, transistores de efecto de campo y fototiristores. Estos componentes se fabrican como semiconductores dopados donde energas cunticas ms pequeas son necesarias para elevar la conductividad que en el caso del semiconductor intrnseco. La construccin de un fotodiodo o un fototransistor es la misma en principio como en un diodo o un transistor.

Elementos bsicos
Los elementos bsicos del sistema de control tpico abarcan cuatro componentes principales:

1. Una fuente de radiacin tpica, esto, es algo especficamente diseado para emitir radiacin. 2. Un receptor de radiacin que contiene un elemento fotosensitivo para cambios sensibles en radiacin. 3. Un amplificador para aumentar la salida elctrica del elemento sensible a un nivel til. 4. Un dispositivo de salida que ejecute alguna funcin de control como resultado de la seal amplificada.

Medida de h por Millikan

La letra h en la ecuacin de Einstein, es importante porque es fundamental para la estructura de la materia y, por lo tanto, es una constante universal. Habiendo sido introducida primero por Planck, en 1901, el nombre de la constante de Planck s ha adherido firmemente a este smbolo h. La primera confirmacin experimental de la ecuacin fotoelctrica de Einstein vino en 1912, cuando A. L. Hugues; e independiente O. W. Richardon y K. T. Compton, observaron que la energa de los fotoelectrones aumentaba proporcionalmente con la frecuencia. La constante de proporcionalidad que ellos encontraron es aproximadamente igual a la constante h de Planck. Posteriormente, Millikan realizo una serie de experimentos exhaustivos que establecieron la ecuacin fotoelctrica de tan preciso, que sus trabajos se consideran ahora como los que dan el valor ms exacto de h. Para esto fue necesario medir los tres factores v, W y mv2, y despejar la incgnita h de la siguiente ecuacin: Ve = mv2 Experimentos previos realizados sobre el efecto fotoelctrico demuestran que obtenerse buenos resultados solo si las superficies metlicas estn adecuadamente limpias. Millikan logro obtener superficies metlicas no contaminadas preparndolas dispositivos.

Umbral fotoelctrico
Una vez hechas las mediciones, Millikan calculo las energas correspondientes a los fotones para diversas frecuencias de luz y represento los resultados sobre un grfico. El punto de interseccin entre la recta u el eje horizontal determinara la frecuencia umbral v0. El umbral fotoelctrico se define como la frecuencia para la cual la luz que incide sobre la superficie metlica solo puede liberar los electrones, pero sin comunicarles energa cintica adicional. Para esta frecuencia, la energa cintica mv2 de la ecuacin de Einstein es nula y la energa del fotn esta dada por W = hv0

El valor de h es 6.6261965 x 10-34 joule segundo. El Premio Nobel de Fsica asignado a Millikan en 1923 le fue otorgado en primer lugar por sus importantes trabajos experimentales de determinacin de la constante de Plank y en segundo lugar tambin por la carga electrnica e.

Clula fotoelctrica
Componente electrnico basado en el efecto fotoelctrico. En su forma ms simple, se compone de un nodo y un ctodo recubierto de un material fotosensible. La luz que incide sobre el ctodo libera electrones que son atrados hacia el nodo, de carga positiva, originando un flujo de corriente proporcional a la intensidad de la radiacin. Las clulas fotoelctricas pueden estar vacas o llenas de un gas inerte a baja presin para obtener una mayor sensibilidad. Una variante de la clula fotoelctrica, el fototubo multiplicador o fotomultiplicador, consiste en una serie de placas metlicas dispuestas de forma que la emisin fotoelctrica se amplifica mediante una emisin elctrica secundaria. El fototubo multiplicador es capaz de detectar radiaciones extremadamente dbiles, por lo que es una herramienta esencial en el rea de la investigacin nuclear. Las clulas fotoelctricas se emplean en alarmas antirrobo, semforos de trfico y puertas automticas. Una clula fotoelctrica y un rayo de luz (que puede ser infrarrojo o invisible al ojo humano) forman una parte esencial de este tipo de circuito elctrico. La luz producida por una bombilla en un extremo del circuito cae sobre la clula, situada a cierta distancia. El circuito salta al cortarse el rayo de luz, lo que provoca el cierre de un rel y activa el sistema antirrobo u otros circuitos. Se utilizan varios tipos de clulas fotoelctricas en la grabacin de sonido, en la televisin y en los contadores de centelleo