CATHALA Christian

ERII 3 Gr5
TP COMPOSANT
L’objectif de ces travaux pratiques est de découvrir la simulation de composant. Lors de ces TPs nous
avons utilisé le logiciel Silvaco. C’est un ensemble d’outils de simulation et d’outils interactifs
permettant la conception et l’analyse de la plupart des dispositifs semi-conducteurs.

1. Réalisation d’une Diode

a. Réalisation avec ATHENA
#Lancement du simulateur diffus time=150 temp=1100 nitro press=1.00
go Athena c.boron=2e20
#Définition du maillage #Dépôt et gravure du métal
mesh deposit alumin thick=0.2 divi=2
line x loc=0.0 spac=0.4 etch alumin right p1.x=9
line x loc=10.0 spac=0.4 etch alumin left p1.x=1
line y loc=0 spac=0.5 #Définition des électrodes
line y loc=3.8 spac=0.1 electrode name=anode x=2.0 y=-0.2
line y loc=10 spac=1 electrode name=cathode backside
#Définition d'un substrat #Sauvegarde de la structure
init silicon phosphor resistivity=9 structure outfile=diode.str
orientation=100 two.d #Lancement Tonyplot pour la visualisation
#Diffusion en surface pour créer la zone tonyplot diode.str
dopé P quit

Avec ATHENA on obtient :

On observe que les dopages correspondent bien à ce qui a été programmé. Le bore est
principalement en haut du composant car il a été implanté par diffusion. Le phosphore lui est
constant car il a été implanté lors de la création du substrat. La densité du phosphore est de
et est en corrélation avec si ρ = 9.

b. Simulation électrique avec ATLAS

#Lancement du simulateur solve init
go atlas log outfile=diode.log
#Chargement du composant solve vanode=0.0 vstep=-0.05 vfinal=-1
mesh infile=diode.str name=anode
#Utilisation du modèle tonyplot diode.log
models consrh fldmob cvt quit
#Résolution suivant la polarisation

Avec ATLAS on obtient :

Plus le dopage de Bore

diminue plus la tension de
coude est petite et
inversement.
Plus la polarisation augmente
plus la valeur du champ
électrique et la largeur de la
zone de charge d’espace
diminuent
 Vd(V) -5 -1 -0.2 0.5 1
E max(V/cm) 26600 13250 8850 3200 2150
Vbi(V) 5.85 1.86 1.07
W(μm) 4 2 1.4 0.2 0

2. Réalisation d'un transistor NMOS

a. Réalisation avec ATHENA
Avec ATHENA on obtient :

Création de deux zones

dopées N sur les côtés et
d’une zone dopées P.

a. Simulation électrique avec ATLAS

Avec ATLAS on obtient :

Vseuil est de 0.7V. La courbe

est particulièrement linéaire
par rapport à la technologie
bipolaire.

Lorsque le transistor est

passant sa résistivité n’est
pas constante

Plus Vg augmente, plus le couloir d’électrons est passant.

Tendances de Id=f(Vg) en jouant sur plusieurs paramétres

Oxide de grille Vt-adjust Défauts d’interfaces

 3. Réalisation d'un transistor PMOS
a. Réalisation avec ATHENA
En reprenant le code du NMOS il fallait logiquement d’abord inverser les dopages afin d’inverser les
zones N et P. Ceci fait, après une simulation électrique avec ATLAS, nous remarquons que le
transistor est passant à l’état de repos. L’astuce était de jouer sur la concentration du phosphore lors
du dopage du vt-adjust. Il fallait également augmenter les concentrations de phosphore lors des
dopages de la source et du drain ou baisser la concentration de bore du substrat afin d’obtenir des
jonctions plus abrupte.

Avec ATHENA on obtient :

Après chaque ajustement nous obtenons un

composant ressemblant de mieux en mieux à
ce que nous cherchons. Nous pouvons
également nous aider d’ATLAS afin de vérifier
les caractéristiques électriques recherchées.

b. Simulation électrique avec ATLAS

Avec ATLAS on obtient :

Avec quelque ajustement on

obtient une tension de seuil
de 0.7V avec une courbe
ressemblant plus à la
technologie bipolaire.
On remarque également que
la résistivité du transistor est
plus stable que le précédent.

Avec beaucoup de chance on tombe sur des caractéristiques à première vue plus intéressantes que le
premier transistor.

Pour conclure ces TPs m’ont permis de mieux me familiarisé avec le monde du semi-conducteur et de
mieux comprendre les étapes de fabrication.