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Chapitre 3 Capteurs Actifs
Chapitre 3 Capteurs Actifs
Ce sont des capteurs que l'on modélise par des générateurs de tension ou de
courant en fonction de l'intensité du phénomène physique mesuré. Ils n'ont pas
besoin d'une alimentation externe (exemple : thermocouple, photodiode, capteur
piézoélectrique).
Grandeur physique à
Effet utilisé Grandeur de sortie
mesurer
Thermoélectricité Tension
Température
Pyroélectricité Charge
Photo-émission Courant
Flux de rayonnement optique Effet photovoltaïque Tension
Effet photo-électrique Tension
Force
Pression Piézo-électricité Charge
Accélération
Induction
Vitesse Tension
électromagnétique
Position (Aimant)
Effet Hall Tension
Courant, champ magnétique
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- Capteur à Effet Hall : Un champ magnétique B et un courant électrique I créent
dans un matériau semi-conducteur une tension proportionnelle à B et à I. Exemple
: mesure de courant (pince ampèremétrique).
Soudure « froide »
Ou
Jonction de référence Deux matériaux différents
Conducteur A
Soudure « chaude »
Ou
Conducteur B Jonction de mesure
m
2
- l'effet Thomson est l'apparition d'une fem le long d'un conducteur lorsque celui-ci est
soumis à un gradient de température. θ1 θ2
Un thermocouple est une jonction entre deux matériaux conducteurs de nature
différente porté à une température non-nulle. Ce couple est le siège d'une tension ayant
deux origines distinctes qui se superposent.
- La soudure produit une tension liée à la nature des conducteurs et à la température
absolue. C'est l'effet thermoélectrique découvert par Seebeck en 1821.
Pour θ1=θ2=θ0 (jonction isotherme), on peut montrer que la tension mesurée est
fonction de l'écart (θ-θ0) quel que soit le matériau C utilisé.
Bornier isotherme
V = VCA(θ0) + V AB(θ) + V BA(θref ) + V AC(θ0)
=V AB (θ) + V BA(θref )
= V AB (θ)− V AB (θref )
En supposant la réponse linéaire (petits écarts) :
V = V AB (θ−θref )
3
Ce montage est peu employé de nos jours, car il est difficile de disposer d'une source de
température de référence. Elle nécessite un contrôle de température θref. Elle
nécessite un contrôle de température
4
- Platine - Blanc - Vert
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Exemple
Un thermocouple de type K est connecté sur un indicateur numérique (module voltmètre)
qui indique une tension de 12.3 µV
1/ En utilisant le tableau précédent, calculer la valeur de la température mesurée par la
soudure chaude (Tch).
2/ Quelle doit être la température de la soudure froide pour que l’indicateur délivre une
indication proportionnelle à la température de la soudure chaude soit :
V = A x Tch
3 / Calculer la valeur de A pour que l’indicateur affiche directement la température en
°C , soit par exemple : 125.4 lorsque la température = 125.4 °C .
4 / En prenant α = 42 μV/°C , calculer la valeur du gain d’un amplificateur inséré entre le
thermocouple et l’afficheur . Dessiner le schéma électrique du montage.
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Caractéristiques des capteurs de température
7
· grande plage de
mesure de température.
Montages utilisés.
On utilise :
- des diodes.
- des transistors montés en diodes.
- des transistors appairés (fabriqués sur la même "puce") montés en
diodes. Dans ce cas, le capteur fonctionne de façon quasi linéaire.
Les capteurs doivent être associés à une source de courant constante. Ils peuvent être
utilisés de -50 à +150 °C. Ils existent souvent sous forme de circuit intégré.
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Circuit intégré de LM335 :
Circuit de polarisation :
La tension entre les bornes (+) et (-) du LM 335 est fonction de la température.
Calcul de R4 :
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R4 = (Vcc - 2,98) / 1 mA
On prend R4 = 2,2 k qui est une valeur normalisée proche de celle calculée.
Il ne reste plus qu'à régler la tension de sortie à la valeur calculée. Pour cela, il
faut utiliser un voltmètre de précision et agir sur le potentiomètre P de 10 k .
10
Circuit de conditionnement électrique d’un thermocouple
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2- CAPTEUR PHOTOELECTRIQUE
Régime de photoconduction
C’est le régime le plus couramment utilisé. La jonction est polarisée en inverse par
une alimentation extérieure. On impose donc la tension VD à une valeur négative.
Dans ce cas précis : VD = - R. ID - E -E
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Photodiode PD
C’est une diode à jonction qui fonctionne en polarisation inverse. Son boîtier est
transparent à une de ses extrémités et comporte une lentille convergente pour la
concentration des rayons lumineux. Ces rayons éclairent la jonction, créant un courant
inverse, appelé courant photoélectrique, qui est proportionnel à l’intensité lumineuse
reçue.
La figure suivante représente un exemple de caractéristique d’une photodiode donnant
le courant qui la traverse en fonction du rayonnement.
Capteur de luminance
La diode peut être utilisée en deux modes :
- en générateur photovoltaïque
- en source de courant, la diode étant polarisée en inverse
La tension en générateur étant peu dépendante de
l'éclairement, seul le montage en courant est utilisable
BPW34 une mesure de lumière.
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Circuit de conditionnement électrique d’une photodiode
Le montage ci-contre effectue une conversion courant/tension doublée d'une
amplification.
Capteur pyroélectrique :
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3.LES CAPTEURS PIEZOELECTRIQUE
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La structure de base de la silice peut-être schématisée par un modèle hexagonal
(a). Les atomes de silicium sont chargés positivement tandis que les atomes
d'oxygène sont chargés négativement. En réalité le système est tridimensionnel
(pyramidal) et chaque atome de silicium est lié à 2 autres atomes d'oxygène,
symétriques par rapport au plan de la figure, de telle sorte que tous les angles
soient de 120°. Dans ce cas, le barycentre des charges positives et celui des
charges négatives sont confondus (dans le modèle pédagogique bidimensionnel le
triangle reliant les atomes de silicium est équilatéral de même que celui reliant
les atomes d'oxygène et ils ont même barycentre).
Par contre si l'on exerce une pression sur le matériau (figure b) on voit alors que
l'hexagone n'est plus régulier et en conséquence les barycentres des charges
positives et négatives ne sont plus confondus. C'est vrai pour l'ensemble de
l'échantillon et il en résulte l'apparition d'une charge négative sur la face
supérieure et positive sur la face inférieure (dans le cas illustré ici) c'est à dire
d'une ddp dont l'amplitude est effectivement représentative de l'amplitude de
la contrainte. De façon simple, on peut retenir que la charge électrique Q (Coulomb) qui
apparait sur les électrodes du capteur est proportionnelle à l'effort F, soit Q = βF et β
depend du materiau utilisé ( voir tableau suivant).
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Les matériaux piézoélectriques et leurs applications
• Le quartz est le plus connu, mais il n'est pas utilisé en pratique en capteur
piézoélectrique de force ou de pression.
On lui préfère certains matériaux céramiques ferroélectriques tels le titanate de
baryum (BaTiO3), le titanate zirconate de plomb (PZT) le titanate zirconate de lanthane
et de plomb (PLZT) qui génèrent des ddp plus importantes,
• de même que certains polymères ou composites tel le fluorure de polyvinylidène
(PVDF). Les polymères ont des propriétés piézo moins importantes que les céramiques,
mais ils présentent l'avantage de pouvoir être réalisés en films de grande surface donc
d'être destinés à certains types d'applications d'analyse des contraintes plutôt que de
capteur de pression classique, ou d'hydrophones (microphone en milieu aqueux).
• On a aussi récemment réalisé des matériaux composites céramiques-polymères qui
associent les hautes performances des céramiques et la souplesse de mise en forme des
polymères ainsi qu'une impédance réduite.
Notons en outre que les céramiques piézoélectriques ont un module d'Young très élevé,
aussi pour obtenir un signal important il faut leur appliquer des contraintes très élevées,
on va donc les utiliser préférentiellement dans ces cas et donc les réserver soit aux
capteurs pour très grande pression, soit plutôt aux capteurs de force industriels
(pesage de charges de plusieurs tonnes).
Lorsqu’un conducteur se déplace dans un champ d’induction fixe, il est le siège d’une
f.é.m. proportionnelle au flux coupé par unité de temps, donc à sa vitesse de
déplacement.
De même, lorsqu’un circuit fermé est soumis à un flux d’induction variable du fait de son
déplacement ou de celui de la source de l’induction (aimant par exemple), la f.é.m. dont il
est le siège est égale (et de signe contraire) à la vitesse de variation du flux d’induction.
Application : la mesure de la f.é.m. d’induction permet de connaître la vitesse du
déplacement qui est à son origine.
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Le système évolue de sorte que l'erreur de vitesse soit nulle.
Différents types
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2. génératrice synchrone (alternateur)
L'excitation (rotor) est aussi assurée par des aimants permanents. La tension de
sortie doit être redressée et filtrée avant d'être exploitée.
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avec :
KH : Constante de Hall (dépend du semi-conducteur).
I : Intensité du courant(A).
B : Intensité du champ magnétique(T).
d : Epaisseur du barreau de silicium(m).
Si on maintient le courant I constant, on a donc une tension proportionnelle au
champ magnétique B : e=k.B avec k=RH.I/d d’où la mesure de l’intensité du champ
magnétique.
Le rapport V.e / I.H est appelé coefficient de Hall (V est la tension de Hall, e
l'épaisseur du matériau, I l'intensité du courant électrique et H le champ magnétique).
Donc pour un matériau donné, parcouru par un courant I constant, la tension de Hall V
est proportionnelle au champ magnétique H. De même, si le champ H est constant alors V
est proportionnelle au courant I.
Exercice corrigé
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1- Quelle est la différence entre un conducteur et un semi-conducteur ? Citer deux
éléments chimiques aux propriétés semi-conductrices.
4- Dans la suite, ces porteurs de charge, animés de la vitesse v, ont une masse m, une
charge q et une densité volumique n (nombre de porteurs par unité de volume). Exprimer
le vecteur vitesse v des porteurs de la plaquette en fonction de j, n et q. Justifier.
7- Justifier l'intérêt de l'effet Hall dans la mesure des champs magnétiques. Définir et
exprimer en fonction de k, I et h la sensibilité de ce capteur.
10- Pour obtenir l'intensité I du courant qui traverse le capteur, est-il préférable
d'utiliser un générateur de courant ou de tension ? Justifier.
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corrigé
1- Différence entre un conducteur et un semi-conducteur : La conductivité d'un
semi-conducteur pur est faible, intermédiaire entre celle des métaux conducteurs et
celle des isolants. Le silicium, le germanium sont des semi-conducteurs.
j = I / S ux
d'où Idt = S v dt avec =nq , la charge volumique d’espace, densité volumique de
charges mobiles.
I = S v ; j = v ux =nq v ux ; v ux = j / (nq)
Fm= qv^B
• En présence du champ magnétique, ces électrons sont soumis à une force qui les
dévie. Il y a accumulation d'électrons sur la face A du ruban.
• Il apparait une différence de potentiel U entre les 2 faces A et A' du ruban et
un champ électrique E de module U/b.
Les électrons qui arriveront ensuite seront soumis en plus à une force électrique Fe= qE.
On arrivera rapidement à un régime permanent dans lequel les électrons seront soumis à
2 forces opposées.
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qE + qv^B = 0 ; E = -v^B ; or v= j / (nq)
Différence de potentielle de Hall U= V(A')-V(A) qui apparaît entre les faces A et A' de
la plaquette :
Intérêt de l'effet Hall dans la mesure des champs magnétiques : la valeur du champ
magnétique et la tension mesurée sont proportionnelles.
Le capteur est d'autant plus sensible que l'intensité du courant est plus grande ; mais
avec l'augmentation de l'intensité l'effet joule( proportionnel au carré de l'intensité)
augmente rapidement et on risque de détruire le semi-conducteur.
k = 3,0 10-4 m3C-1 ; I= 0,20 A ; h = 10 m = 10-5 m ; kI/h = 3,0 10-4x0,20 / 10-5 = 6 V T-1.
Un générateur de tension délivrerait une tension constante, mais une intensité non
constante.
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Ces capteurs sont constitués de matériaux conducteurs (métaux ou semi-
conducteurs) parcourus par un courant électrique et plongés dans un champ
magnétique extérieur.
Les premières applications de l'effet Hall furent donc les gaussmètres (mesure
des champs magnétiques) et les wattmètres. La production en série de circuits
intégrés à effet Hall a permis d’éliminer les problèmes inhérents à la fabrication
de composants discrets (coûts élevés, sensibilité aux bruits et aux variations de
température). Les circuits intégrés à effet Hall sont simples à mettre en œuvre,
bon marché, peu sensibles aux bruits et stables en températures. L'intégration
d'amplificateurs dans le même circuit permet l'obtention de signaux de sortie
aux niveaux électriques facilement utilisables
R1=10k
-
i vR uS
+
Flux photodiode
lumineux
Figure 7
Le montage a ampli op est bouclé sur l’entrée inverseuse donc il est linéaire et
=V+-V-=0
us = VR + R1 i donc us = R1 i = R1 k E
=0
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e = 52,94 + 0,0204 2 (e en microvolts et en degrés Celsius).
Avec =chaude -froide
o c2 = 20°C.
Soudure froide ou Soudure chaude ou
jonction froide jonction chaude
o c3 = 30°C.
o c4 = 80°C.
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On donne : R1 = R2 = 100kΩ et C = 10μF.
Les circuits AO1 et AO2 sont des amplificateurs opérationnels alimentés en -5V /
+5V.
La photodiode pourra être modélisée par une source de courant idéale.
1) Quel est le rôle du premier étage ? Préciser quelles sont les grandeurs d'entrée
et de sortie et calculer sa fonction de transfert.
2) Quel est le rôle du second étage ? Donner sa fonction de transfert et tracer son
diagramme de Bode en amplitude.
3) Rappeler les principaux défauts d'un ampli-op réel. Quel est celui qui doit être
minimisé dans le choix de l'AO1 pour l'application visée ?
Les principaux défauts d'un AO réel sont :
- la tension de décalage (offset)
- les courants de polarisation sur les bornes d'entrée
- la vitesse de balayage maximale (slew rate)
- l'impédance d'entrée
- l'impédance de sortie
4) Calculer l'étendue de mesure (en lux) et la sensibilité totale du montage (en
Volt/lux). Que faut il modifier dans le montage pour obtenir une sensibilité dix fois
plus importante ? Que vaut alors d'étendue de mesure ?
Solution
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3- Pour l'application visée (luxmètre) et compte tenu de la sensibilité de la
photodiode (10nA/lux), il faut choisir un AO avec de très faibles courants de
polarisation car ces courants vont s'ajouter à celui généré par la photodiode
et créer un décalage de la tension de sortie.
4- L'impédance de sortie du premier étage étant faible (du fait de la
rétroaction) devant l'impédance d'entrée du second (R2 = 100kΩ), on peut
écrire :
Vs= R1 I / (1 + jωR2C).
D
La valeur moyenne de la tension de sortie est donc Vs= R1 I (on néglige les courants
D
de polarisation de l'AO1).
-8
La sensibilité du montage vaut donc : σ = (100kΩ) x(10 A/lux) = 1 mV/lux
La tension de sortie minimale sera donc 0V lorsque en l'absence d'éclairage.
La tension de sortie maximale sera atteinte lors de la saturation de l'AO, soit
Vs=5V. Cette tension sera atteinte pour un éclairage de 5V/σ = 5000 lux.
L'étendu de mesure du luxmètre est donc [0 lux - 5000 lux].
Pour obtenir une sensibilité dix fois plus importante, il suffit de remplacer R1 par
une résistance de 1MΩ. Dans ce cas, l'étendu de mesure sera [0 lux - 500 lux].
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7. Autres capteurs.
Il existe d'autres capteurs pour mesurer d'autres grandeurs physiques. On peut
les classer en deux catégories. On a les capteurs :
- mesurant une grandeur d'une solution chimique.
- de grandeurs mécaniques.
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- les capteurs de force, pesage, couple. La mesure d'une force est
effectuée en réalisant un équilibre entre cette force et une
force antagoniste (liée à l'appareil de mesure) de sorte que la
résultante soit nulle (principe du dynamomètre).
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