Chapitre 2.

Les mémoires et les fonctions logiques

Partie A. Les fonctions logiques et algèbre de Boole

1. Définition
Un circuit logique est dit combinatoire si l'état de ses sorties est fonction uniquement de l'état
présent de ses entrées. Ainsi, à chaque combinaison des entrées correspond une seule combinaison des
sorties.
Fonctions logiques: Une fonction logique est une fonction qui agit sur une ou plusieurs variables
logiques.
Variable logique: c’est une variable qui peut prendre l’une de deux valeurs : vrai ou faux, 1 ou 0.
Circuit logique: c’est un circuit électronique servant à effectuer physiquement des fonctions logiques.
La fonction logique d’un circuit combinatoire peut se définir par le tableau de correspondance entre les
états d’entrée et les états de sortie. Un tel tableau est appelé table de vérité.
2. Les fonctions logiques
Fonction OUI

Fonction NON

Fonction ET (AND)

Fonction OU (OR)

Fonction NON ET (NAND)

1
Fonction NON OU (NOR)

Fonction OU Exclusif (XOR)

3. Propriétés et théorème

3. Universalité des fonctions NAND et NOR

Les fonctions NAND et NOR peuvent réalisées à elle seule n’importe quelle fonction logique. Elles sont
appelées fonctions complètes ou universelles.
Propriétés des fonctions NAND et NOR

2
4. Représentation des fonctions logiques.
Les fonctions logiques peuvent être représentées par plusieurs formes. Partons de l’exemple suivant:
Etude d’un exemple: Afficheur sept segments
• L'information, qui est un chiffre compris entre 0 et 9, est fournie par un nombre binaire sur 4 bits
d’entrées: E0, E1, E2 et E3.
• La sortie de l’afficheur est constituée par 7 segments Si (i=0 à 6). Chaque segment sera allumé ou
éteint, selon la combinaison des entrées affichant ainsi le chiffre correspondant.

Table de vérité

Combinaisons des variables en binaire

S6(E3 E2 E1 E0)(1) =(0010 ; 0011 ; 0100 ; 0101 ; 0110 ; 1000 ; 1001)
S6(E3 E2 E1 E0)(0) =(0000 ; 0001 ; 0111)
Combinaisons des variables en décimale
S6(E3 E2 E1 E0)=(2 ; 3 ; 4 ; 5 ; 6 ; 8 ; 9)(1)
S6(E3 E2 E1 E0)=(0 ; 1 ; 7)(0)
Formes canoniques
Une fonction est sous forme canonique (ou normale) si chaque terme contient toutes les variables.
L’écriture sous forme canonique est unique.
Première forme canonique ou forme normale disjonctive (somme des produits : Mintermes)
̅3 E
𝑆6 = E ̅2 E1 E
̅0 + E
̅3 E
̅2 E1 E0 + E
̅3 E 2 E
̅1 E
̅0 + E
̅3 E 2 E
̅1 E0 + E
̅3 E2 E1 E
̅0 + E 3 E
̅2 E
̅1 E
̅0 + E 3 E
̅2 E
̅1 E0

Deuxième forme canonique ou forme normale conjonctive produit des sommes : Maxtermes)
Pour aboutir à la 2ième forme canonique, on doit déterminer au préalable l’expression du complément de la
fonction à étudier ; c'est-à-dire déterminer l’expression de la fonction où elle s’annule :
𝑆6̅ = E
̅3 E
̅2 E
̅1 E
̅0 + E
̅3 E
̅2 E
̅1 E0 + E
̅3 E2 E1 E0
En utilisant le théorème de Demorgan, on en déduit la 2ième forme canonique :
̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅
𝑆6̅ = E
̅3 E
̅2 E
̅1 ̅
E0 + E ̅3 E
̅2 ̅
E1 E0 + E ̅3 E2 E1 E0

𝑆6̅ = (E
̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅
̅3 ̅
E2 E̅1 ̅ ̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅
̅3 E
E0 ). (E ̅2 ̅ ̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅
̅3 E2 E1 E0 )
E1 E0 ). (E
̅0 ). (E3 + E
Finalement: 𝑆6 = (E3 + E2 + E1 + E0 ). (E3 + E2 + E1 + E ̅2 + E
̅1 + E
̅0 )

3
Logigramme
Déterminons le logigramme de la fonction S6sous la2ième forme canonique :

Chronogramme

5. Simplification des fonctions logiques.

5.1. Méthode algébrique (algèbre de Boole)
Cette méthode exploite:
• Les propriétés des fonctions logiques,
• Les équations booléennes,
• Les théorèmes de Demorgan.
Règles de simplification :
• Deux mintermes adjacents: Il reste l’intersection commune. (Mintermes adjacents = 1 seule
variable qui change)

• Deux maxtermes adjacents : Il reste la réunion commune.

• On peut ajouter un terme déjà existant à une expression logique.

• On ne change pas le résultat en multipliant l'un des termes par 1 ou en ajoutant 0
Exemples: Soit la table de vérité suivante :
L’expression de S est alors :

Comme a· b · c = a · b · c + a · b · c + a · b · c,
l’expression de la fonction S peut être écrite comme suit:

Après regroupement et factorisation, on aura :

L’expression de S est alors :

Comme a· b · c = a · b · c + a · b · c + a · b · c,
l’expression de la fonction S peut être écrite comme suit:

4
Après regroupement et factorisation, on aura :

Or :

On en déduit une forme minimale :

Exemple 2. Simplifier l’équation:

La méthode algébrique est essentiellement intuitive. La simplification des fonctions logique devient
assez difficile quand le nombre de variables devient élevé.
Afin de surmonter ce problème, on fait recours à une méthode graphique qui est basée sur l’utilisation
d’un tableau dit: Tableau de Karnaugh.
Méthode graphique (Tableau de Karnaugh)
Le tableau de Karnaugh est un rectangle divisé en 2n cases, n étant le nombre de variables de la fonction
considérée.
On écrit dans chaque case la valeur correspondante de la fonction : 0 ou 1. Si cette valeur est
indéterminée, on met X ou Ø.
L’ordre des variables en abscisse et en ordonnée est tel que si on passe d’une case à la case adjacente, une
seule variable est varie: On utilisera ainsi le code binaire réfléchi ou code de Gray
Exemple: Passage de la table de vérité au tableau de Karnaugh
Il suffit de reporter dans chaque case du tableau de Karnaugh la valeur de la variable de sortie
correspondant à chaque combinaison des variables d’entrée.

On en déduit la forme simplifiée de F: 𝐹 = 𝑎̅𝑐 + 𝑎𝑏̅

Soit la fonction à 4 variables d’entrée définie par la table de vérité suivante :

𝑅 = 𝑧̅ + 𝑥. 𝑦

5
Partie B. Les mémoires (Mémoire Centrale ou Principale)
1. Introduction
Tout au long de l’histoire de l’informatique, la mémoire centrale (mémoire vive ou RAM : Random
Acces Memory) a été réalisée selon plusieurs principes (tubes à vide, tores magnétiques et semi
conducteurs) pour mémoriser l'information élémentaire ou le bit.
La mémoire vive est constituée de centaines de milliers de petits condensateurs emmagasinant des
charges. Lorsqu'il est chargé, l'état logique du condensateur est égal à 1, dans le cas contraire il est à 0.
Chaque condensateur représente un bit de la mémoire.
Les condensateurs sont rechargés (rafraîchis) à un intervalle de temps régulier appelé cycle de
rafraîchissement. (Exemple : les mémoires DRAM nécessitent des cycles de rafraîchissement de 15 ns).
Donc, une mémoire est un circuit à semi-conducteur permettant d’enregistrer, de conserver et de restituer
des informations (Programmes ou données). Ces informations peuvent être lues ou écrites.
Nous appelons « information » tout ensemble de données (textes, nombres, sons, images etc) ou
instructions composant un programme. Chaque donnée possède une adresse.
2. Organisation d’une mémoire
Une mémoire peut être représentée comme une armoire de rangement constituée de différents tiroirs.
Chaque tiroir représente alors une case mémoire (en générale 1octet = 8bits) utilisés pour stocker des
programmes (instructions) et des données. Chaque case est remplie par un mot mémoire de données
binaires de longueur (Largeur) m qui est toujours une puissance de 2 (ex : mot d’un octet = 8bits = 23).
Longueur : m bits
Adresses Case mémoire
0 0 1 0 1 1 0 1 0
Mot Mémoire de données
1 1 0 1 0 0 1 0 1 binaires : (1 Octet = 8bits)
Décodeur d’ Adresses

2
3 Taille :
Bus d’adresses : n bits M cases = 2n

M-2
M-1 1 1 0 1 0 0 1 0
Unité Centrale
Bit de poids fort (MSB) Bit de poids faible (LSB)
(Processeur)
Bus de données : m bits

Dans une mémoire de taille M, on a M cases mémoires, numérotés de 0 à M-1. Chaque case est repérée
par son numéro, appelé adresse. Chaque case sera adressée par un décodeur d’adresses de n bits, qui
permet de sélectionner le mot mémoire à lire ou à écrire en fonction de l’adresse qui lui est fournie en
entrée.
NB :
❖ L’adresse est le plus souvent écrite en hexadécimal.
❖ Avec une adresse de n bits il est possible de référencer à 2n = M cases mémoire.
La capacité C d’une mémoire est la quantité d’informations mémorisable dans cette mémoire. En effet, la
capacité (Taille) de la mémoire est le nombre de cases, d’adresses ou de mot mémoire M multiplier par la
longueur (largeur) m du mot mémoire. La capacité est exprimé en général en bits, octets, kilo-octets ou en
méga-octets, voire davantage.
Capacité = Nb mots (Nb adresses) x Longueur mot mémoire C=Mxm

6
 Exemple :
❖ Bus d’Adresses = 3fils = n M = 23 = 8 adresses (ou mots) C = M x m =23 x 8 = 64 bits
Bus de données = 8fils = m m = 8 bits/mot
❖ Une mémoire de capacité 16 octets contient M = 16 cases chacune est remplie par un mot mémoire de
Longueur : m = 8 bits avec n = 4 bits. Soit aussi : C = 16 x 8 = 128 bits.

1. Quel est le nombre minimal des fils nécessaire pour

adresser cette mémoire ?
0 à 7 emplacements 8 emplacements
8 = 23 3 fils sont nécessaires

100
2. Supposant que le processeur veut lire la 5ème case (98),
quel sera le contenu du bus d’adresse ainsi que le bus de 3 fils
données ? (voir figure).
Exemple : une mémoire centrale de 512 Kmots de 16 bits
équivaut à : 512 x 1024 mots = 512 x 1024 * 2 octets
= 512 x 1024 * 2 * 8 bits.
01100010

Nb : La capacité C d’une mémoire peut s’exprimer en :

❖ Bit : l’élément de base pour la représentation de l’information.
❖ Octet : 1 octet = 8bits = 8 x 2-3 octets
❖ Kilo-octet (Ko) : 1 ko = 1024 octets = 210 octets
❖ Méga-octet (Mo) : 1 Mo = 1024 Ko = 220 octets
❖ Géga-octets (Go) : 1 Go = 1024 Mo = 230 octets
❖ Téra-octet (To) : 1 To = 1024 Go = 240 octets
3. Structure générale et Opération sur la mémoire
3.1. Structure générale d’une mémoire Mémoire Principale

On peut schématiser un circuit mémoire par :

BUS D’ADRESSES (n bits)

(n bits)
̅̅̅̅ : Chip Enable
Mémoire
Processeur Validation 𝐂𝐄
̅̅̅̅ : Chip Select
Sélection 𝐂𝐒 Principale
BUS DE CONTRÔLE
̅ ∶ Signal de Commande
𝐑/𝐖 RIM:
Lecture/Ecriture

BUS DE DONNEES (m bits)

(m bits)
Les informations échangées entre la mémoire et le processeur circulent sur des bus. Il existe trois types de
bus : adresses, données et contrôle (Voir Chapitre 1).
➢ Le bus d’adresses véhicule l’adresse du mot mémoire à lire ou à modifier.
➢ Le bus de données véhicule l’information lue à partir de la mémoire ou l’information à écrire dans
la mémoire.
Nb : si le bus d’adresses est de taille n bits et le bus de données de taille m bits, alors la capacité de la
mémoire sera : C = 2n mots de m bits = m x 2n-3 octets. L’Octet en anglais byte.
➢ Le bus de contrôle véhicule les commandes provenant de l’unité centrale (processeur). On
distingue généralement deux types de signaux lignes dans le bus de contrôle :
❖ Ligne de commande (𝐑/𝐖 ̅ ) indique si la mémoire est accédée en écriture (mémorisation) 𝐑/𝐖 ̅ =
̅
0 ou en lecture (restitution) 𝐑/𝐖 = 1.
❖ Ligne de validation ̅̅̅̅
𝐂𝐄 (Chip Enable) ou de sélection ̅𝐂𝐒̅̅̅ (Chip Select) du bloc n’est autre que la
commande d’autorisation de la mémoire (bloc mémoire active : 𝐂𝐒 ̅̅̅̅ = 0 ou verrouillée : 𝐂𝐒
̅̅̅̅ =1).

7
Chaque case sera adressée par un décodeur d’adresses de n bits, qui permet de sélectionner le mot
mémoire à lire ou à écrire en fonction de l’adresse qui lui est fournie en entrée.
Tampon d’E/S (buffer) ou RIM (Registre d’Information Mémoire), appelé cache, est une zone mémoire
vive de petite taille utilisée pour le stockage temporaire des informations (données ou programmes) et
dans laquelle les opérations d'écriture et de lecture seront commandées par le bus de contrôle.
3.2. Opération sur la mémoire
Les seules opérations possibles sur la mémoire sont :
❖ Lecture d’une information :
1) Mise, dans le bus d’adresses, de l’adresse du mot mémoire qui stocke l’information à lire.
2) Décodage de l’adresse et sélection du mot mémoire associé ;
̅̅̅̅ = 0) ;
3) Sélection du boitier de la mémoire (𝐂𝐒
4) Lancement de la commande de lecture (𝐑/𝐖 ̅ = 1) ;
5) Transfert de l’information du mot mémoire vers le tampon d’E/S ;
6) Transfert de l’information du tampon d’E/S vers le bus de données au bout du temps d'accès ;
Exemple : Chronogramme d’un cycle de lecture (𝐑/𝐖 ̅ = 1 et ̅𝐂𝐒
̅̅̅ = 0).

Le temps d’accès (Ta) : durée du début

d’une opération (lecture/écriture) en mémoire
à la mise à disposition des données sur le BD.
Représente le temps qui sépare une demande
de lecture de l'obtention de l'information.
Le temps de cycle (Tc) : intervalle minimum
qui doit séparer deux opérations successives
de lecture ou d’écriture.
Nb : L'information reste présente jusqu'à la
fin du cycle.

Nb :
✓ La fréquence maximum Fmax de fonctionnement est égale à l'inverse du temps de cycle : 𝐅𝐦𝐚𝐱 = 1⁄𝐓𝐂 .
✓ La bande passante B qui caractérise le débit maximum en bits par seconde. En accès aléatoire cette
bande passante est égale à : 𝐁 = 𝐧⁄𝐓𝐂 , où n est le nombre de bits transférés par cycle.
✓ La bande passante maximum sera : 𝐁𝐦𝐚𝐱 = 𝐧⁄𝐓𝐚 . Le temps d’accès est un critère important pour
déterminer les performances d’une mémoire ainsi que les performances d’une machine.
❖ Ecriture d’une information :
1) Mise, dans le bus d’adresses, de l’adresse du mot où se fera l’écriture ;
2) Décodage de l’adresse et sélection du mot mémoire associé ;
̅̅̅̅ = 0) ;
3) Sélection du boîtier de la mémoire (𝐂𝐒
4) Mise, dans le bus de données, de l’information à écrire au bout du temps d'accès ;
5) Lancement de la commande d’écriture (𝐑/𝐖 ̅ = 0) ;
6) Transfert de l’information du bus de données vers le tampon d’E/S ;
7) Transfert de l’information du tampon d’E/S vers le mot mémoire ;
Exemple : Chronogramme d’un cycle de lecture (𝐑/𝐖 ̅ = 0 et ̅𝐂𝐒
̅̅̅ = 0) ;

Le temps d’accès (Ta) : durée du début

d’une opération (lecture/écriture) en mémoire
à la mise à disposition des données sur le BD.
Le temps de cycle (Tc) : intervalle minimum
qui doit séparer deux opérations successives
de lecture ou d’écriture.
Nb : L'adresse doit être stabilisée avant la
sélection et les données doivent être
stabilisées avant le signal de chargement.

8
 ❖ Cycle de lecture-modification-écriture
Ce cycle permet de lire une donnée à une certaine adresse, de modifier la donnée et de l'inscrire à la
même adresse. Le même résultat pourrait être obtenu avec deux cycles successifs de lecture et d'écriture,
mais plus lentement car il faut alors présenter l'adresse deux fois. Il faut que les lignes d'entrée et de sortie
soient distinctes. La procédure consiste à :
1) Mise, dans le bus d’adresses, de l’adresse du mot mémoire qui stocke l’information à lire ;
2) Décodage de l’adresse et sélection du mot mémoire associé (𝐂𝐒̅̅̅̅ = 0);
3) Lancement de la commande de lecture (𝐑/𝐖 ̅ = 1) ;
4) Transfert de l’information du mot mémoire vers le tampon d’E/S ;
5) L’information apparaît sur la sortie dans le bus de données au bout du temps d'accès;
6) Le système modifie l’information à écrire, dans le bus de données, qu'il applique sur l'entrée;
7) Lancement de la commande d’écriture (𝐑/𝐖 ̅ = 0).
Nb :
❖ La longueur d’un mot mémoire dépend du type de processeur :
➢ 1 octet dans les processeurs 8 bits (ex : Motorola 6502) ;
➢ 2 octets dans les processeurs 16 bits (ex : Intel 8086) ;
➢ 4 octets dans les processeurs 32 bits (ex : Intel 80486 ou Motorola 68030).
3.3. Caractéristiques d’une mémoire

4. Les catégories de mémoires intégrées

Associatives : CAM
Mémoires de petite taille :
Les Caches et les Registres
(RIM)

CAM : Content Addressable

Memory
RIM : Registre d’Information
Mémoire

9
4.1. Les mémoires vives (RAM)
Une mémoire vive sert au stockage temporaire des données. Elle doit avoir un temps de cycle très court
pour ne pas ralentir le microprocesseur. Les mémoires vives sont en général volatiles : elles perdent leurs
informations en cas de coupure d'alimentation. Certaines d'entre elles, ayant une faible consommation,
peuvent être rendues non volatiles par l'adjonction d'une batterie. Il existe deux grandes familles de
mémoires RAM (Random Acces Memory : mémoire à accès aléatoire) : SRAM et DRAM.
4.1.1. Les RAM statiques (SRAM)
Le bit mémoire d'une RAM statique (SRAM)
est composé d'une bascule. Chaque bascule
contient entre 4 et 6 transistors.

Nb : Les données d'une mémoire statique

ne s'effacent pas tant qu'elles sont alimentées
en courant.
4.1.2. Les RAM dynamiques (DRAM)
La mémoire dynamique (DRAM) est
constituée par un simple transistor MOS
et un condensateur (quelques picofarads)
qui conserve le bit. Le transistor joue le rôle
d'un interrupteur et le condensateur
mémorise la donnée.
Nb :
La cellule mémoire dynamique ne retient la donnée que pendant un temps limité (environ 2 ms), après
lequel la donnée est perdue. Pour éviter cela, il faut rafraîchir la donnée à intervalles réguliers, pour la
conserver. Cycle de rafraîchissement : Les condensateurs sont rechargés (rafraîchis) à un intervalle de
temps régulier appelé cycle de rafraîchissement. (exemple : les mémoires DRAM nécessitent des cycles
de rafraîchissement de 15 ns).
Avantage : Le coût d'une mémoire vive dynamique est beaucoup plus faible qu'une vive statique. Une
plus grande densité d'intégration, car un point mémoire nécessite environ quatre fois moins de transistors
que dans une mémoire statique. Sa consommation est aussi beaucoup plus faible (dissipe très peu de
puissance), et sont économiques.
Inconvénients : Elles sont généralement plus lentes. Plusieurs sources de tensions sont nécessaires pour
les RAM dynamiques. Le condensateur stocke l’information et doit être rafraîchi régulièrement pour
entretenir la mémorisation Augmentation du temps d’accès (Ta).
D’autre part, la lecture de l’information est destructive. En effet, elle se fait par décharge de la capacité du
point mémoire lorsque celle-ci est chargée. Donc toute lecture doit être suivie d’une réécriture.
4.1.3. Conclusions
En général les mémoires dynamiques DRAM, qui offrent une plus grande densité d'information et un coût
par bit plus faible, sont utilisées pour la mémoire centrale, alors que les mémoires statiques, plus rapides,
mais coûteuses et sont utilisées lorsque le facteur vitesse est critique, notamment pour des mémoires
associative CAM de petite taille comme les caches et les registres : RIM (Registre d’Information
Mémoire) qui stock l’information lu à partir de la mémoire ou l’information à écrire dans la mémoire.
4.2. Les mémoires mortes (ROM)
Pour certaines applications, il est nécessaire de pouvoir conserver des informations de façon permanente
même lorsque l'alimentation électrique est interrompue. On utilise alors des mémoires mortes ou
mémoires à lecture seule (ROM : Read Only Memory). Ces mémoires sont non volatiles. Dans un
ordinateur, elles contiennent le programme de démarrage, les données système et le BIOS (Basic Input
Output System). Ces mémoires, contrairement aux RAM, ne peuvent être que lue.

10
Il existe des ROM effaçables et reprogrammables :
➢ PROM (Programmable ROM) : C’est une ROM qui peut être programmée une seule fois par
l'utilisateur. La programmation est réalisée à partir d’un programmateur spécifique.
➢ EPROM (Erasable PROM) : reprogrammable et effaçables par rayonnement ultra-violet.
➢ EEPROM-E2PROM (Electrically EPROM) : mémoire programmable et effaçable électriquement.
➢ FLASH EPROM : mémoire morte reprogrammable plusieurs fois et effaçable électriquement. Elle
utilise la même méthode de programmation que l’EPROM standard, et la méthode d’effacement de
l’E2PROM. La mémoire flash utilise comme cellule de base un transistor MOS.
Nb : une cellule de Mémoire Flash peut être écrite entre 10.000 et 100.000 fois et lue à l'infini sans
aucun dommage. La mémoire Flash a de multiples applications en raison de sa vitesse élevée, de sa
durabilité, de sa grande résistance aux chocs et de sa faible consommation. On utilise ce type de mémoire
dans les téléphones cellulaires, les appareils photos numériques ainsi que les Imprimantes et les
ordinateurs portables ou systèmes de lecture et d'enregistrement sonore comme les baladeurs numériques,
les cartes SD, SDD et les clés USB.
Nb : Les principaux critères à retenir pour le choix d’une mémoire sont : Capacité, Vitesse,
Consommation et Coût. Le temps d’accès à la mémoire centrale et sa capacité sont deux éléments qui
influent sur le temps d’exécution d’un programme (performance d’une machine).
5. Hiérarchie des mémoires
Une mémoire idéale serait une mémoire de grande capacité, capable de stocker un maximum
d’informations et possédant un temps d’accès très faible afin de pouvoir travailler rapidement sur ces
informations. Mais il se trouve que les mémoires de grande capacité sont souvent très lente et que les
mémoires rapides sont très chères. La vitesse d'une mémoire (temps d'accès et débit) est inversement
proportionnelle à sa taille (Capacité).
Les registres sont les éléments de mémoire les
plus rapides. Ils sont situés au niveau du
processeur et servent au stockage des opérandes et
des résultats intermédiaires.
La mémoire cache est une mémoire rapide de
faible capacité destinée à accélérer l’accès à la
mémoire centrale en stockant les données les plus
utilisées.
La mémoire principale est l’organe principal de
rangement des informations. Elle contient les
programmes (instructions et données) et est plus
lente que les deux mémoires précédentes.
La mémoire d’appui sert de mémoire intermédiaire entre la mémoire centrale et les mémoires de masse.
Elle joue le même rôle que la mémoire cache.
La mémoire de masse est une mémoire périphérique de grande capacité utilisée pour le stockage
permanent ou la sauvegarde des informations. Elle utilise pour cela des supports magnétiques (disque dur,
ZIP) ou optiques (CDROM, DVDROM).
6. Méthodes d’accès aux mémoires
La méthode d'accès décrit comment accéder à une information en connaissant l'adresse et que le temps
mis pour obtenir cette information ne dépend pas de l'adresse. L'accès direct est similaire à l'accès à une
case d'un tableau, on accède directement à n'importe quelle case mémoire directement par son adresse. On
dira que l'accès à une telle mémoire est aléatoire ou direct. A l'inverse, pour accéder à une information sur
bande magnétique, il faut dérouler la bande en repérant tous les enregistrements jusqu'à ce que l'on trouve
celui que l'on désire. On dit alors que l'accès à l'information est séquentiel. Le temps d'accès est variable
selon la position de l'information recherchée. L'accès peut encore être semi-séquentiel : combinaison des
accès direct et séquentiel. Pour un disque magnétique par exemple l'accès à la piste est direct, puis l'accès
au secteur est séquentiel.

11
➢ Accès direct : chaque information possède une adresse propre, à laquelle on peut accéder directement.
On dira que l'accès à une telle mémoire est aléatoire, direct ou encore sélectif. exemple : mémoire
centrale de l'ordinateur.
➢ Accès séquentiel : pour accéder à une information, il faut parcourir toutes les informations qui la
précède jusqu'à ce que l'on trouve celui que l'on adresse. Le temps d'accès est variable selon la position
de l'information recherchée. exemple : bandes magnétiques.
➢ Accès semi-séquentiel : intermédiaire entre accès direct et séquentiel. Pour un disque magnétique par
exemple l'accès au cylindre ou à la piste est direct, puis l'accès au secteur est séquentiel.
➢ Accès par le contenu ou associatif : les informations ne sont pas accessibles par une adresse mais
sont adressables par le contenu en effet, les informations sont identifiées par une clé et la recherche
s’effectue sur cette clé de façon simultanée sur toutes les positions de la mémoire. Utilisé pour les
mémoires associatives CAM : Content Addressable Memory (mémoire cache ou registre : RIM).
Par exemple, si l’on considère la
mémoire associative de la figure
ci-dessous : Les clés sont des
noms de pays, alors que
l’information associée à chaque
clé est une ville de ce pays.
7. La mémoire cache
La mémoire cache est insérer entre le CPU et la mémoire centrale. C’est une mémoire associative qui
stock l’information lu à partir de la mémoire centrale ou l’information à écrire dans la MC. Elle est très
rapide (vitesse d’accès de 5 ns au moins, de type SRAM) mais pas très grande taille et qui va contenir les
informations (instructions, données) dont a besoin le CPU. Lorsque le processeur doit accéder à une
information, la recherche est effectuée d'abord dans la mémoire cache.
Une stratégie de tentative/échec est alors envisagée :

• Si l’information est présente dans le cache

et elle est alors envoyée directement au
CPU ➔ on parle de succès de cache.

• Sinon, il y a défaut de cache. La lecture doit se faire dans la mémoire principale ce qui bloque le
processeur pendant plusieurs cycles. C'est le gestionnaire de cache qui se charge de faire la copie de la
donnée de la mémoire principale vers la mémoire cache, par la suite la donnée peut être lue par le
processeur. Pour le processeur, cette gestion est transparente.
1 2

CPU Cache MC

4 3

8. Les mémoires auxiliaires

Les mémoires auxiliaires, appelés aussi secondaires ou périphériques, sont des mémoires
permettant le stockage permanant d’un très grand nombre d’informations. Elles sont composées
principalement de disques (magnétiques, magnéto-optique, optiques), de bandes magnétiques ou de
cartouches magnétiques. On trouve deux catégories de mémoires auxiliaires : les mémoires fixes et les
mémoires amovibles. Les mémoires fixes sont les disques durs magnétiques fixes. Les dispositifs
amovibles (bandes, disques) servent généralement de mémoire d’archivage.

12
 ANNEXE
Mémoire Flash :
La mémoire flash est un compromis entre les mémoires RAM et ROM : c’est une mémoire non volatile,
comme les mémoires mortes, mais qui possède par ailleurs les caractéristiques d'une mémoire vive. La
mémoire flash est l’une des principales technologies de stockage de données.
Il existe deux grandes familles de mémoires flash :
• Les cartes mémoires destinées aux petits matériels tels que les téléphones cellulaires, les appareils
photos numériques ainsi que les Imprimantes et les ordinateurs portables ou systèmes de lecture et
d'enregistrement sonore comme les baladeurs numériques, micro SD cartes SDD et les clés USB.
• Les disques électroniques, unités de stockage statiques destinées à remplacer progressivement les
disques durs. On les appelle souvent disques SSD (Solid-State Drive), Disque Statique à Semi-
conducteurs.

Mémoire interne d'un Smartphone :

La mémoire interne d'un smartphone peut être eMMC (embedded MultiMediaController) ou UFS
(Universal Flash Storage). Elle peut être étendue via une microSD dans certains cas et contient des
données utilisateur telles que des photos, des vidéos, de la musique, des documents et des données
d'applications. Elle n'est pas en "read only", contrairement à la ROM.
Sur les smartphones, l'utilisation de ROM a été remplacée par des partitions dédiées dans la mémoire
interne (eMMC ou UFS) en mode lecture seule via le logiciel.
Parfois, pour des raisons de commodité, nous parlons des mémoires d'un smartphone en indiquant "X" Go
de RAM et "Y" Go de ROM. Théoriquement c'est faux, il faudrait dire "X" Go de RAM et "Y" Go de
mémoire interne. Le terme de ROM est ici erroné, parce que les partitions du système Android se trouvent
dans la même puce eMMC ou UFS que la mémoire interne (qui peut être lue ou écrite librement) alors
que les mémoires ROM sont paramétrées en lecture seule via le logiciel.

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