CHAPITRE 3 LES TRANSISTORS et ses applications

I Description
I.

Transistor : dispositif semi-conducteur à trois électrodes qui permet le contrôle grâce à

une électrode d'entrée d'un courant ou d'une tension sur l'une des électrodes de sorties.

Le transistor comporte deux jonctions PN c’est-à-dire

c est à dire trois semi-conducteurs
semi conducteurs juxtaposés.
On a ainsi des transistors de type NPN ou bien, PNP.

(Emetteur) (Collecteur) (Emetteur) (Collecteur)

(Base) (Base)
 Transistor NPN en mode actif normal: la jonction EB polarisé en direct et la jonction
BC en inverse
Les symboles électriques conventionnels des transistors NPN et PNP sont les suivants

ATTENTION : Le transistor ne fonctionne pas de manière symétrique, c'est-à-dire que le

collecteur et l’émetteur ne peuvent pas être permutés..
Souvent le transistor est utilisé comme un quadripôle dont une de ses électrodes est
commune à l’entrée
l entrée et à la sortie. On distingue trois types de montages de transistors

6 paramètres pour décrire le fonctionnement du

transistor : IB, IC, IE, VCB, VCE, VBE

OR : IE = IB + IC ett VCB = VCE+ VEB

4 paramètres suffit pour décrire

le fonctionnement du transistor

Exemple (EC) : IB, VBE et IC, VCE.

Polarisation du transistor NPN en mode amplification :
II- Caractéristiques statiques du transistor NPN en émetteur commun
IB = 0, on a
IC ≈ 0 : le
Réseau de sortie
transistor
IC = f(VCE)
est bloqué
Réseau de transfert en courant IB = cste
IC = f(IB) VCE > 1 V 
VCE = cste d it presque
droites
horizontales, IC
en régime linéaire, est quasi
IC ≈ β.IB où β est indépendant de
appelé “coefficient de VCE : le transistor
transfert du courant fonctionne en
de base” ou encore, régime linéaire.
“gain
gain en courant du
transistor” avec VCE < 1 V, on est
20<β< 500. sur la ligne critique
le transistor est
saturé on a IB>IC)).
VCE ≈ 0

Réseau d’entrée
IB = f(VBE)
VCE = cste
Réseau de transfert en tension VBE = f(VCE)
IB = cste
La courbe
L b = lla caractéristique
té i ti d’une
d’ di
diode
d
“base-émetteur”. en régime linéaire, on a VBE ≈ 0,7 V.
En régime linéaire, on a alors : VBE ≈ 0,7 V
III. Polarisation du transistor NPN en régime linéaire

Polarisation en régime
g continu  imposer
p un p
point de fonctionnement “point p de p
polarisation” ou
“point de repos”, noté A : caractérisé par 4 valeurs : IB0, IC0, VBE0 et VCE0.

Suivant la position de A sur les

caractéristiques  on distingue 3
régimes de fonctionnement

Fonctionnement bloqué
VBE < 0,7 V et IB = 0
IB=IIC=IIE=0
0 : circuit ouvert entre E et C

Fonctionnement saturé : A sur la

ligne critique

VCE < 1 V

VCE ≈ 0 : court circuit entre E et C

Fonctionnement en régime linéaire

VCE > 1 V VBE ≈ 0,7

07V La polarisation s’effectue
s effectue par une seule source de
IC ≈ β.IB ≈ IE tension avec quelques résistances, choisies de telle
car IE=IB+IC avec IB<<IC façon que l’on soit en régime linéaire.
III.1. Montage à résistance de base
loi des mailles VBE+RBIB= E soit IB=(E-V
( BE))/RB

IB=f(VBE) appelée “droite de commande statique”

VCE+RCIC=E soit IC=(E-VCE)/RC

IC=f(VCE) appelée “droite de charge statique”

Inconvénient
 = f(T) : peut varier au cours du
fonctionnement du transistor 
instabilité du point de repos.
“dangereuse”
dangereuse car elle peut faire
sortir le point de fonctionnement de
la zone linéaire.
point de fonctionnement peut être déterminé graphiquement ou analytiquement

Méthode analytique

Ne connaissant pas l’état du transistor (bloqué, saturé ou linéaire), on partira

de l’hypothèse
l hypothèse “transistor
transistor linéaire
linéaire”, en n’oubliant
n oubliant pas de vérifier si cette
hypothèse est juste (c’est-à-dire VCE > 1) ou non !

E, RC, RB sont données, ainsi que le gain en courant β.

Conditions “internes” : VBE = 0,7 V

IC = β.IB

Conditions “externes” : IB = (E-VBE)/RB

IC = (E-VCE)/RC
De plus
plus, on sait que : IE = IB+IC ≈ IC
VCE = VCB + VBE

 système de 6 équations à 6 inconnues qui peut se résoudre facilement

pour trouver les valeurs du point de fonctionnement : IB0, IC0, IE0, VBE0,
VCE0, VCB0
Le résultat numérique trouvé pour VCE0 validera (ou non) notre hypothèse
si on a VCE0 > 1.
IV. Modèle dynamique du transistor : paramètres hybrides du transistor NPN et schéma
équivalent

IV.1. Régime dynamique

l diffé
les différentes
t grandeurs
d él
électriques
ti d
du ttransistor
i t varient
i t autour
t du
d point
i t de
d ffonctionnement
ti t statique
t ti A

Si ces variations sont suffisamment faibles, alors ces grandeurs varient de manière linéaire.

variation
i ti sinusoïdale
i ïd l d’
d’une grandeur
d  une variation
i ti sinusoïdale
i ïd l ddes autres
t grandeurs
d
associées au transistor autour du point de polarisation.

VBE(t) = VBE0 + vBE(t) IB(t) = IB0 + iB(t) VCE(t) = VCE0 + uCE(t) IC(t) = IC0 + iC(t)
IV.2. Les paramètres hybrides en émetteur commun

Le transistor fonctionne linéairement en régime

dynamique petits signaux  les relations entre grandeurs
d’entrée et de sortie dynamiques peuvent s’exprimer
grâce
â aux paramètresèt h b id :
hybrides

vBE = h11.iB + h12.vCE

iC = h21.iB + h22.vCE  forme matricielle
H est la “matrice hybride” du transistor

Nature de ces paramètres hybrides

Remarques : Ces paramètres hybrides dépendent du point de repos A.
• Puisqu’on a de petites variations, on peut écrire :

pente en A de la
caractéristique statique
IC=f(IB) à vCE cst.
IV.3. Schéma équivalent du transistor NPN
en régime linéaire de petits signaux

le schéma équivalent ne fait intervenir que des dipôles linéaires : on a un générateur de

Thévenin à l’entrée du quadripôle et un générateur de Norton à la sortie.

Si on néglige h12 ou bien à la fois h12 et h22 on aura les schémas équivalents plus simplifiés

Le schéma équivalent du transistor en régime dynamique petits signaux permet de remplacer le

transistor par des dipôles linéaires.
IV.4. Fonctionnement dynamique du transistor
Le choix de A est déterminante en fonctionnement dynamique
y q

on peut imposer la valeur continue du courant IB = IB0

grâce à une source de courant par exemple.
 le point de fonctionnement statique est parfaitement déterminé
sur le graphe, VCE0 et IC0

IB(t) = IB0 + iB = IB0 + iBm.cosωt

le point de fonctionnement
dynamique M se déplace sur la h22 = 0
droite de charge entre deux valeurs
extrêmes dépendant de iBm

Si iBm est assez faible  “excursion”

du point M faible : M  [SB], alors
si iB sinusoïdale  IC et vCE
sinusoïdales
signal
g de sortie sinusoïdal non
déformé !).
On a alors un fonctionnement
dynamique linéaire du transistor.
Par contre, si l’amplitude est trop grande,
le point M “sort” du segment [SB]  alors il
y a “écrêtage”
écrêtage de la tension VCE et du
courant IC  La partie variable vCE n’est
plus sinusoïdale : il y a distorsion c’est-à-
dire déformation du signal de sortie par
rapport au signal d’entrée.

Pour avoir la plus grande excursion

possible dans une zone linéaire, on a
intérêt de fixer le point de repos A au milieu
d segmentt [BS].
du [BS] On
O dit que lel transistor
t i t
est polarisé en classe A.
V. Amplificateurs à transistor

Amplificateur = quadripôle composé :

dipôle d’entrée caractérisé par (ve ; ie)
dipôle de sortie caractérisé par (vs ; is)

Les grandeurs de sortie dépendent de celles d’entrée suivant une relation caractéristique du quadripôle.

Amplificateur lorsque au moins une des grandeurs de sortie est supérieure à la grandeur d’entrée
Amplificateur” d entrée
correspondante : vs>ve ou/et is>ie

Théo. de Thévenin

tension e dans le dipôle de sortie est “commandée” par la tension d’entrée ve

Ze = impédance d’entrée du quadripôle. Zs est l’impédance de sortie du quadripôle
• Gains en tension
Le g
gain en tension de l’amplificateur est

Le gain en tension à vide de l’amplificateur est alors :

Le gain en décibels est défini par : GdB = 20.logGu.

• Gain courant

• Impédance
I éd d’entrée
d’ t é ett de
d sortie
ti

. (en ). Souvent est une résistance.

L’impédance d’entrée de l’amplificateur

L’impédance de sortie
on a : vs = e + Zs.is = Gu0.ve + Zs.is.

V.2. Les amplificateurs à transistor en classe A

Le point de fonctionnement statique est dans le domaine de fonctionnement linéaire du transistor.

O s’intéresse
On ’i té à un ffonctionnement
ti t dynamique
d i sinusoïdal
i ïd l d
de ffaible
ibl amplitude.
lit d
a. Le montage émetteur commun à résistance d’émetteur :

On cherche à exprimer les gains en tension, en intensité et

les impédances d’entrée et de sortie de cet amplificateur.

La source VCC et les résistances R1, R2, Re et RC

servent à polariser le transistor dans la zone linéaire
de fonctionnement statique.

C1 et C2 « condensateurs de liaison » servent à

séparer l’entrée de la charge en continu.

En pratique, C1 et C2 >> de façon à avoir 1/C1ω ≈ 0 et 1/C2ω ≈ 0

Ce « condensateur de découplage » sert à relier l’émetteur à la masse pour les

signaux dynamiques sans changer la polarisation du transistor.

Schéma équivalent en fonctionnement dynamique

Afin de simplifier les calculs, on supposera :

Rp = R1//R2 >> h11 et 1/h22 >> RC,
 ve = h11.iB
ie = iB
iC = h21.iB = β.iB
vs = -RRC.iiC = -R
RC. β.i
β iB
d’où :
Gu = vs/ve = - RC.h21/h11
Gi = is/ie = h21 = β
Ze = ve/ie = h11
Zs = (vs/is)ve=0 = ∞ (en réalité : Zs = 1/h22)

Conclusion :
le montage amplifiant à la fois la tension et le courant, on a un amplificateur de puissance.
b. Le montage collecteur commun
c. Le montage base commune