Cours - Analogique - 2023 - 2024

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Chapitre 0 : Introduction Générale
1. Introduction générale :
Les composants électroniques tels que les diodes, les transistors et les circuits intégrés sont fabriqués à partir
d’un matériau semi-conducteur. Pour comprendre le fonctionnement de ces composants, vous devez posséder
une connaissance de base de la structure des atomes et de l’interaction des particules qui les composent. La
jonction PN, concept important introduit dans ce chapitre, est formée de deux types différents de matériaux à
semi-conducteurs joints ensemble.
La jonction PN est fondamentale au fonctionnement des composants comme la diode et certains types de
transistors. De plus, la fonction de la jonction PN est un facteur essentiel pour que les circuits électroniques
puissent opérer adéquatement.
2. Structure atomique :
Toute matière est composée d’atomes et tout atome est composé d’électrons, de protons et de neutrons. Dans
cette section, il sera question de la structure de l’atome, de l’orbite et de la couche d’un électron, des électrons de
valence, des ions et de deux matériaux semi-conducteurs: le silicium et le germanium. Le matériau semi-
conducteur est important puisque la configuration de certains électrons dans un atome est le facteur clé qui
détermine à quel point un matériau donné conduit le courant électrique.
Un atome est la plus petite particule d’un élément qui possède les caractéristiques de cet élément. Chacun des
109 éléments connus possède des atomes différents de ceux des autres éléments. Ceci donne à chaque élément
une structure atomique unique. Selon la théorie classique de Bohr, les atomes possèdent une organisation de type
planétaire avec un noyau au centre et des électrons en orbite autour de lui, comme l’illustre la figure 1–1. Le
noyau est constitué de particules chargées positivement, qu’on appelle protons et de particules non chargées
appelées neutrons. Les particules élémentaires qui portent la charge négative sont appelées électrons. Chaque
type d’atome contient un certain nombre d’électrons et de protons qui le distinguent des atomes de tous les autres
éléments. Par exemple, l’atome le plus simple qu’on connaisse est l’hydrogène, constitué d’un proton et d’un
électron (figure 1)
Électronique Analogique O.E

Figure 1 : Le modèle atomique de Bohr illustrant les électrons en orbite autour du noyau. Les «queues» des électrons indiquent qu’ils se déplacent.
2.1 Numéro atomique

Tous les éléments trouvent place dans le tableau périodique des éléments et sont classés dans l’ordre de leur
numéro atomique. Le numéro atomique équivaut au nombre de protons du noyau, qui correspond également au
nombre d’électrons pour un atome équilibré électriquement (neutre). Par exemple, le numéro atomique de
l’hydrogène est 1 et celui de l’hélium est 2. Dans leur état normal (ou neutre), tous les atomes d’un élément
donné possèdent le même nombre de protons que d’électrons, de sorte que les charges positives sont neutralisées
par les charges négatives. Ainsi, la charge nette de l’atome est nulle.
2.2 Couches d’électrons et orbites
Les électrons gravitent autour du noyau d’un atome à certaines distances de celui-ci. Les électrons près
du noyau possèdent moins d’énergie que ceux situés sur des orbites plus éloignées. Il n’existe que des quantités
d’énergie électronique discrètes (séparées et distinctes) à l’intérieur des structures atomiques. Les électrons
doivent donc demeurer en orbite seulement à ces distances du noyau.
2.3 Niveaux d’énergie
À chaque éloignement distinct (orbite) du noyau correspond un certain niveau énergétique. Dans un atome,
les orbites sont regroupées en bandes énergétiques appelées couches. Un atome donné possède un nombre fixe
de couches. Chaque couche possède un nombre maximal fixe d’électrons pour des niveaux d’énergie admissibles
(orbites). Les différences entre les niveaux d’énergie à l’intérieur d’une couche sont beaucoup plus petites que la
différence d’énergie entre les couches. Les couches sont désignées K, L, M, N, et ainsi de suite, K étant celle la
plus près du noyau. Ce concept énergétique est illustré à la figure 1–3, qui montre la couche K avec un niveau
d’énergie et la couche L avec deux niveaux d’énergie. Des couches additionnelles peuvent exister pour d’autres
types d’atomes selon l’élément.
Figure 2 : Le niveau d’énergie augmente à mesure qu’on s’éloigne du noyau de l’atome

2.4 Électrons de valence

Les électrons sur les orbites plus éloignées du noyau ont une énergie plus grande et sont moins fortement liés à
l’atome que ceux situés plus près du noyau. Ceci s’explique du fait que la force d’attraction entre les charges
positives du noyau et les charges négatives des électrons diminue à mesure qu’on s’éloigne du noyau. Les
électrons avec les niveaux d’énergie les plus élevées existent dans la couche la plus éloignée d’un atome et sont
relativement moins liés à cet atome. La couche la plus éloignée est connue sous le nom de couche de valence et
les électrons dans cette couche sont appelés électrons de valence. Ces électrons de valence contribuent aux
réactions chimiques et aux liaisons à l’intérieur de la structure d’un matériau, déterminant ses propriétés
électriques.
2.5 Ionisation
Lorsqu’un atome absorbe de l’énergie d’une source de chaleur ou de lumière, les niveaux énergétiques des
électrons sont augmentés. Lorsqu’un électron acquiert de l’énergie, il se déplace vers une orbite plus éloignée du
noyau. Puisque les électrons de valence possèdent plus d’énergie et qu’ils sont moins étroitement liés à l’atome
que les électrons situés à proximité du noyau, ils peuvent bondir vers des orbites supérieures plus facilement
lorsqu’une énergie externe est absorbée. Si un électron de valence reçoit une quantité suffisante d’énergie, il peut
en fait s’échapper de la couche extérieure et de l’emprise de l’atome. Le départ d’un électron de valence laisse
un atome, précédemment de charge neutre, avec un excédent de charge positive (plus de protons que
d’électrons). Le processus de la perte d’un électron de valence est appelé ionisation, l’atome résultant de charge
positive étant appelé ion positif. Par exemple, le symbole chimique de l’hydrogène est H. Lorsqu’il perd son
électron de valence et qu’il devient un ion positif, on le désigne alors H+ . L’électron de valence qui s’est
échappé est appelé électron libre. Lorsqu’un électron libre chute vers la couche extérieure d’un atome
d’hydrogène neutre, cet atome devient chargé négativement (plus d’électrons que de protons) et est appelé ion
négatif, désigné H− .
2.6 Nombre d’électrons dans chaque couche
Le nombre maximal d’électrons (Né) pouvant exister sur chaque couche d’un atome est un processus naturel et
peut être calculé à l’aide de la formule. é = 2
3. SEMI-CONDUCTEURS, CONDUCTEURS ET ISOLANTS
Par leurs propriétés électriques, les matériaux peuvent être classés en trois groupes: les conducteurs, les
semi-conducteurs et les isolants. Dans cette section, nous allons examiner les propriétés des semi-
conducteurs et les comparer aux conducteurs et aux isolants.
3.1 Conducteurs
Un conducteur est un matériau qui conduit aisément le courant électrique. Les meilleurs conducteurs sont
des matériaux constitués d’un seul élément comme le cuivre, l’argent, l’or et l’aluminium, ces éléments
étant caractérisés par des atomes ayant un seul électron de valence faiblement lié à l’atome. Ces électrons de
valence peu retenus peuvent facilement se détacher de leur atome respectif et devenir des électrons libres.
Par conséquent, un matériau conducteur possède beaucoup d’électrons libres qui, lorsqu’ils se déplacent
tous dans la même direction, engendrent le courant.

3.2 Isolants
Un isolant est un matériau qui ne conduit pas le courant électrique sous des conditions normales. La plupart
des bons isolants sont des matériaux composés de plusieurs éléments, contrairement aux conducteurs. Les
électrons de valence sont solidement rattachés aux atomes, laissant très peu d’électrons libres de se déplacer
dans un isolant.
3.3 Semi-conducteurs
Par son habilité à conduire le courant, un semi-conducteur est un matériau se situant entre le conducteur et
l’isolant. Un semi-conducteur à l’état pur (intrinsèque) n’est pas un bon conducteur ni un bon isolant. Les
éléments uniques les plus utilisés pour les semi-conducteurs sont le silicium, le germanium et le carbone.
Des éléments composés tels l’arséniure de gallium sont aussi couramment utilisés pour les semi-
conducteurs. Les semi-conducteurs à élément unique se caractérisent par des atomes à quatre électrons de
valence.
3.4 Bandes d’énergie
Rappelons-nous que la couche de valence d’un atome représente une bande d’un certain niveau énergétique
et que les électrons de valence sont confinés à cette bande. Lorsqu’un électron acquiert assez d’énergie
additionnelle d’une source externe, il peut quitter la couche de valence, devenir un électron libre et exister
dans ce que l’on désigne comme étant la bande de conduction. En terme d’énergie, la différence entre la
bande de valence et la bande de conduction est appelée un écart énergétique. Il s’agit en fait de la quantité
d’énergie que doit avoir un électron pour sauter de la bande de valence vers la bande de conduction. Une
fois dans la bande de conduction, l’électron est libre de se déplacer à travers le matériau et n’est plus lié à
aucun atome particulier.
La figure 3 montre les diagrammes d’énergie pour un isolant, un semi-conducteur et un conducteur. Notez à
la partie a) le vaste écart énergétique entre les bandes. Les électrons de valence ne peuvent sauter vers la
bande de conduction sauf lors d’une détérioration provoquée par des tensions extrêmement élevées
appliquées au matériau. À la partie b), on remarque qu’un semi-conducteur possède un écart énergétique

plus restreint, permettant à quelques électrons de sauter vers la bande de conduction et de devenir des
électrons libres. Par contraste, la partie c) illustre les bandes énergétiques se chevauchant dans un
conducteur. Dans un matériau conducteur, il existe toujours un grand nombre d’électrons libres.
Figure 3 : Diagrammes énergétiques pour les trois types de matériaux

3.5 Comparaison entre l’atome d’un semi-conducteur et l’atome d’un conducteur
Examinons maintenant quelques raisons qui font du silicium un semi-conducteur et du cuivre un conducteur. Les
diagrammes des atomes de silicium et de carbone sont illustrés à la figure 4. Notez que le noyau d’un atome de
silicium possède une charge nette de +4 (14 protons − 10 électrons) et que le noyau de l’atome de cuivre a une
charge nette de +1 (29 protons − 28 électrons).
L’électron de valence dans l’atome de cuivre «ressent» une force d’attraction de +1 comparativement à celui du
silicium qui lui ressent une force d’attraction de +4. Il y a donc quatre fois plus de force essayant de retenir un

électron de valence à l’atome dans le silicium que dans le cuivre. L’électron de valence du cuivre est dans la
quatrième couche, ce qui correspond à une plus grande distance du noyau que celui du silicium qui se situe dans
la troisième couche. Souvenez-vous que les électrons les plus éloignés du noyau possèdent le plus d’énergie.
Figure 4 : Diagrammes des atomes de silicium et de cuivre.

Par conséquent, il y a moins de force qui retient l’électron de valence à l’atome de cuivre que pour le
silicium. De plus, l’électron de valence du cuivre possède plus d’énergie que l’électron de valence du silicium. Il
est donc plus facile aux électrons de valence du cuivre d’acquérir suffisamment d’énergie additionnelle pour
s’échapper de leurs atomes et devenir des électrons libres dans la bande de conduction qu’il en est pour le
silicium. En fait, un grand nombre d’électrons de valence du cuivre ont déjà assez d’énergie pour être des
électrons libres, comme l’indique le chevauchement des bandes de valence et de conduction.
3.6 Silicium et germanium
Les structures atomiques du silicium et du germanium sont illustrées à la figur5 . Le silicium est le matériau le
plus largement utilisé pour les diodes, les transistors, les circuits intégrés et autres composants à semi-
conducteurs. Notez que le silicium et le germanium ont en commun la même caractéristique: quatre électrons de
valence.

Figure 5 : Diagrammes des atomes de silicium et de germanium

Les électrons de valence du germanium se situent dans la quatrième couche tandis que ceux du silicium sont
dans la troisième couche, plus près du noyau. Cela signifie que les électrons de valence du germanium sont à des
niveaux d’énergie supérieurs à ceux du silicium. Par conséquent, ils demandent une plus petite quantité d’énergie
additionnelle pour s’échapper de l’atome. Cette propriété rend le germanium plus instable à des températures
élevées; c’est la raison principale pour laquelle le silicium est le matériau semi-conducteur le plus largement
utilisé.
3.7 Liens covalents
Lorsque certains atomes se combinent en molécules pour former un matériau solide, ils se disposent en un
modèle fixe appelé cristal. Les atomes à l’intérieur de la structure du cristal sont retenus ensemble par des liens
covalents qui sont créés par l’interaction des électrons de valence de chaque atome. Un morceau solide de
silicium est un matériau cristallin.
3.8 Notion de la jonction N-P
Si on remplace dans un cristal de Silicium très pur, certains atomes par des atomes d’un autre corps simple,
on dit que l’on dope le cristal avec des impuretés. Le Silicium étant tétravalent, on peut choisir d’effectuer ce
dopage avec des atomes trivalents (Bore, Aluminium ou Gallium) ou pentavalents (Phosphore, Arsenic ou
Antimoine). Dans le premier cas on créera un déficit en électrons ou plutôt un apport de trous. On dit que le
semi-conducteur est dopé P et que les impuretés introduites sont accepteuses d’électrons. Dans le second cas, on
crée au contraire un apport d’électrons mobiles. Le semi-conducteur est dopé N et les impuretés sont dites
donneuses d’électrons.

Lors de cette mise en contact, les électrons de la zone N sont dirigés vers la zone P car les électrons sont
attiré par la zone « P »ositive (zone P) et compensent les trous existant dans cette zone par phénomène de
diffusion (et inversement, les trous de la zone P sont entraînés vers les électrons de la zone N) se neutralisant les
uns les autres

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)LJXUH 6\PEROHGHODGLRGH=HQHU
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)LJXUH &DUDFWpULVWLTXHFRXUDQWWHQVLRQGH ODGLRGH=HQHU
(QSRODULVDWLRQGLUHFWHXQHGLRGH=HQHUHVWpTXLYDOHQWHjXQHGLRGHQRUPDOH
(QSRODULVDWLRQLQYHUVHODGLRGHFRQGXLWORUVTXHODWHQVLRQLQYHUVH8LGHYLHQWVXSpULHXUHjODWHQVLRQ
=HQHU8]/DFDUDFWpULVWLTXHOLQpDULVpHFRQGXLWjO¶pTXDWLRQ 8L 8]5],L R5]HVWODUpVLVWDQFH
G\QDPLTXHLQYHUVH 'DQVFHFDV/DGLRGH=HQHUHVWpTXLYDOHQWHDXPRGqOHVXLYDQW
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8L
)LJXUH 6FKpPDpTXLYDOHQWjXQHGLRGH=HQHUSRODULVpHHQLQYHUVH
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6LODUpVLVWDQFHG\QDPLTXH5]HVWQpJOLJpHODWHQVLRQDX[ERUQHVGHODGLRGHORUVTX¶HOOHFRQGXLWHQ
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.,L $ .,L $
8L 8L 8]
)LJXUH 6FKpPDpTXLYDOHQWG¶XQHGLRGH=HQHULGpDOHSDVVDQWHHQLQYHUVH
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6FKpPDGHPRQWDJH
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3HQGDQWO¶DOWHUQDQFHQpJDWLYH GHODWHQVLRQX X ODGLRGH'HVWSRODULVpHHQLQYHUVHGRQFHOOH
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X X5
)LJXUH $OOXUHVGHVWHQVLRQVX HWX5
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6FKpPDGHPRQWDJH
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3HQGDQWO¶DOWHUQDQFHSRVLWLYHGHX
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x XHVWSRVLWLYH'FRQGXLWGRQF X5 X

x XHVWQpJDWLYH'EORTXpH
3HQGDQWO¶DOWHUQDQFHQpJDWLYHGHX
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x XHVWSRVLWLYH'FRQGXLWGRQF X5 X

x XHVWQpJDWLYH 'EORTXpH
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)LJXUH 5HGUHVVHXUGRXEOHDOWHUQDQFHjSRQWGH*UDHW]
+\SRWKqVH OHVGLRGHVVRQWVXSSRVpHVLGpDOHV
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3HQGDQWO¶DOWHUQDQFHQpJDWLYHGHX
x 'HW'FRQGXLVHQW 'HW'EORTXpHV GRQF X5 X
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)LJXUH$OOXUHVGHVWHQVLRQVXHWX5
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)LJXUH )LOWUDJHG¶XQHWHQVLRQUHGUHVVpH
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¾ I SRXUXQUHGUHVVHXUGRXEOHDOWHUQDQFH
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6FKpPDGHPRQWDJH
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6LX8= DORUVX6 X
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3RODULVDWLRQGXWUDQVLVWRU
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)LJXUH 3RODULVDWLRQGLUHFWHSDUUpVLVWDQFHGHEDVH
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LF KHLEKHYFH
/HVKLMVRQWDSSHOpVSDUDPqWUHVK\EULGHVGXWUDQVLVWRUPRQWpHQpPHWWHXUFRPPXQ&HVSDUDPqWUHVVRQW
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6FKpPDpTXLYDOHQWGXPRQWDJHHQUpJLPHG\QDPLTXHSHWLWVVLJQDX[
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L LE LF L
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3DUDPqWUHVFDUDFWpULVWLTXHVGXPRQWDJHDPSOLILFDWHXU
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5pVLVWDQFHGHVRUWLH5V YL 5& ȡ
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$PSOLILFDWLRQHQFRXUDQW$L LL Y5/ Y5H $Y5H5/
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)LJXUH$PSOLILFDWHXUj WUDQVLVWRUPRQWpHQFROOHFWHXUFRPPXQ
$PSOLILFDWHXUjWUDQVLVWRUPRQWpHQ%DVHFRPPXQH
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OD*ULOOH * HWOD6RXUFH 6
6\PEROHV
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* *
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HWODWHQVLRQ'UDLQ6RXUFHVRLWSRVLWLYH 9'6!
/H-)(7HVWFRPPDQGpSDUODWHQVLRQ9*6 OHFRXUDQW,*pWDQWQXO
&DUDFWpULVWLTXHVVWDWLTXHV -)(7FDQDO1

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,' I 9'6 j9*6 FRQVWDQWH &DUDFWpULVWLTXHGHVRUWLH
,' I 9*6 j9'6 FWH ,' ,' I 9'6 j9*6 FWH
,'66 9*6
JP 9*6
9*69*6
9*6 9*6RII 93 9'6

)LJXUH &DUDFWpULVWLTXHVVWDWLTXHVGX-)(7FDQDO1
9*6RIIWHQVLRQGHEORFDJH
,'66 FRXUDQWGUDLQGHVDWXUDWLRQPD[LPDOH j9*6
93 WHQVLRQGHSLQFHPHQW
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2QGLVWLQJXHGHX[]RQHVXWLOHVGpILQLVVDQWGHX[UpJLPHVGHIRQFWLRQQHPHQW
3RXU9'693 ]RQHRKPLTXHOH-)(7VHFRPSRUWHFRPPHXQHUpVLVWDQFHGpSHQGDQWGH9*6
3RXU9'6!93 ]RQHGHVDWXUDWLRQGDQVODTXHOOHOHFRXUDQW,'HVWSUDWLTXHPHQWFRQVWDQW
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9*6RII
9*6RIIHW,'66VRQWGRQQpHVSDUOHFRQVWUXFWHXU
(OHFWURQLTXHDQDORJLTXH 2(
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x 7UDQVFRQGXFWDQFH JP ǻ,' ǻ9*6 j9'6 FWH

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'pILQLWLRQ
/H026)(7HVWXQWUDQVLVWRUjHIIHWGHFKDPSGRQWODJULOOHHVWLVROpHGXVHPLFRQGXFWHXUSDUXQH
FRXFKHLVRODQWH 6LOLFH 6L2
6\PEROHV
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* *
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026)(7FDQDO1 026)(7FDQDO3
)LJXUH 026)(7jHQULFKLVVHPHQW
&DUDFWpULVWLTXHVVWDWLTXHV
'XIDLWTXHOHFRXUDQW*ULOOH,* OHVFDUDFWpULVWLTXHVGX-)(7VHOLPLWHURQW
,' I 9*6 j9'6 FRQVWDQWH &DUDFWpULVWLTXHGHFRPPDQGH
,' I 9'6 j9*6 FRQVWDQWH &DUDFWpULVWLTXHGHVRUWLH
,' I 9*6 j9'6 FWH ,' ,' I 9'6 j9*6 FWH
,'66 9*6
9*69*6
7HQVLRQGHVHXLOWKHUPLTXH 9*69*6
9*6 97K 93 9'6

)LJXUH &DUDFWpULVWLTXHVVWDWLTXHV GX-)(7
/HWUDQVLVWRUjHIIHWGHFKDPSHQDPSOLILFDWLRQ
6FKpPDpTXLYDOHQWGX-)(7HQUpJLPHG\QDPLTXH
(QUpJLPHG\QDPLTXHSHWLWVVLJQDX[RQSHXWpFULUH LG YGVUGVJPYJV
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L LJ LG L
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x $PSOLILFDWLRQHQWHQVLRQ$Y YY JPYJV5HTYJV JP5HTDYHF5HT 5/5'UGV
x $PSOLILFDWLRQHQFRXUDQW$L LL Y5/ Y5H $Y5H5/
/HWUDQVLVWRUjHIIHWGHFKDPSHQUpVLVWDQFHFRPPDQGpH
3RXUGHVWHQVLRQV9'6LQIpULHXUHVjODWHQVLRQGHSLQFHPHQWOH-)(7VHFRPSRUWHFRPPHXQH
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* *
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/
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9&&
&RPPDQGH
6LJQDOGHFRPPDQGH
HQSXLVVDQFH
IDLEOHSXLVVDQFH
LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS.
VI.1. Généralité.
VI.1.1. Introduction.
Comme nous avons pu le constater dans les chapitres précédents, les montages
amplificateurs de base à transistors ne sont pas très commodes d'emploi :
Ø Ils ne transmettent pas le continu ;
Ø Ils sont tributaires des dispersions des transistors, ce qui fait que leurs caractéristiques
sont imprécises et non répétables ;
Ø Leurs performances sont moyennes, et à moins d'aligner un montage à plusieurs
transistors, on ne peut pas avoir simultanément fort gain en tension, haute impédance
d'entrée et faible impédance de sortie.
Les amplificateurs opérationnels sont nés au début des années 60, quand on a commencé à
intégrer plusieurs transistors et résistances sur le même substrat de silicium ; cette technologie
a permis de bâtir des montages complexes, et de les faire tenir sur une petite plaquette de
silicium encapsulée dans un boîtier commode d'emploi.
Avec ces composants, on a eu accès à des amplificateurs simples d'utilisation, transmettant
des signaux continus. Ces amplificateur sont facile à mettre en œuvre à l'aide de quelques
composants annexes (résistances, condensateurs...) ; les caractéristiques des montages obtenus
ne dépendent quasiment plus de l'amplificateur opérationnel, mais uniquement des
composants passifs qui l'accompagnent, ce qui garantit une bonne fiabilité du résultat et
assure sa répétabilité.
Les amplificateurs opérationnels ont beaucoup progressé depuis leur création, et tendent
maintenant à devenir très proches de l'amplificateur idéal (l'amplificateur opérationnel parfait,
AOP).
VI.1.2. Brochage.
L’A.O. possède :
Ø Deux entrées :
ü broche IN+ (ou e+) : entrée «non inverseuse» ;
ü broche IN- (ou e-) : entrée «inverseuse».
Ø Une sortie :
ü broche OUT (ou s).
Ø Deux broches d’alimentation :
ü broche Vcc+ : alimentation en tension continue positive.
ü broche Vcc- : alimentation en tension continue négative.
Exemple : μA741 (Texas Instruments).

Il se présente sous la forme d’un boîtier à 8 broches (DIL 8) :
Electronique Analogique 1 O.E

Offset null 1 8 NC
Entrée
inverseuse 2 +
7 Vcc
Entrée non 3
inverseuse 6 sortie
V-
cc 4 5 Offset null
Fig.6.1. Brochage d’un amplificateur opérationnel (μA741).
Schéma interne du μA741.
Fig.6.2. Structure interne du μA741.
VI.1.3. Symboles.
Ø Symbole américain :

Fig.6.3. Symbole américain d’un amplificateur opérationnel.
Ø Symbole européen :
Fig.6.4. Symbole européen d’un amplificateur opérationnel.
VI.2. Caractéristiques électriques.

A la base, l'A.O est un amplificateur différentiel. On peut donner un schéma équivalent.
Fig.6.5. Schéma équivalent d’un amplificateur opérationnel.
On distingue deux types d'impédances d'entrée : l'impédance différentielle et celles de

mode commun.
La fonction de transfert complète en continu (en pratique, Avd et Avmc dépendent de la
fréquence) de cet amplificateur est donnée par la formule :
-. #-/
= ! ! ("# $ "% ) + & '* , 0
1 (6.1)
Ø Avd est le gain en tension différentiel de l'amplificateur ;

Ø Avmc le gain en tension de mode commun ;
Ø "# $ "% = 2 la tension différentielle d’entrée ;
- #-
Ø . 0 / la tension de mode commun.
Dans le cas d'un amplificateur parfait, on fait l'hypothèse que ces gains ne dépendent pas de
la fréquence.
Pratiquement tous les amplificateurs opérationnels possèdent la même structure interne. Ils
comportent en entrée un amplificateur différentiel suivi d’un étage adaptateur d’impédance ;
l’amplificateur de sortie, de type push-pull, fonctionne en classe B. Ils sont essentiellement
caractérisés par :
Ø Un gain en tension différentiel très important (105 à 107) ;
Ø La réjection du mode commun (Avcd/Avmc) très grande ;
Ø Une impédance d’entrée différentielle très grande (105 à 1012Ω) ;
Ø Une impédance d’entrée en mode commun très grande (108 à 1012Ω) ;
Ø Une impédance de sortie très faible (10 à 500Ω) ;
Ø La réponse en fréquence va du continu jusqu’à des fréquences assez élevées.
Exemples :
Un amplificateur opérationnel parfait (AOP) est un amplificateur de différence pur à gain

différentiel infini, rejetant parfaitement le mode commun, dont les impédances d'entrées sont
infinies et l'impédance de sortie est nulle.
En pratique, nous verrons que l'amplificateur opérationnel réel présente des défauts par
rapport à l'idéalisation que constitue l'AOP, mais le modèle de ce dernier est suffisant pour
étudier la plupart des montages simples sans faire des calculs laborieux et inutiles : en effet,
du point de vue impédances et gains, et sauf à utiliser les composants à leurs limites, les
amplis réels sont suffisamment près des AOP pour qu'on fasse les approximations avec une
erreur minime (très souvent mieux que le 1%). Seul le comportement fréquentiel pose
vraiment problème par rapport au modèle idéal.
VI.2.1. Caractéristique de transfert : vS(ε).

La tension de sortie dépend directement de la tension différentielle d’entrée.
Ø Amplificateurs opérationnel réel.

Fig.6.6. Caractéristique de transfert d’un amplificateur opérationnel réel.
Ces amplificateurs sont conçus pour avoir un gain en mode commun aussi faible que
possible afin de ne pas amplifier les signaux présents sur les deux entrées à la fois (mode
commun) et qui correspondent en général à un bruit parasite.
La tension de sortie varie entre les valeurs extrêmes –Vsat et +Vsat (tensions de saturations)
qui sont légèrement inférieures aux tensions d’alimentation. Le gain étant très grand, la
saturation de la sortie est obtenue pour des d’entrée très faibles.
Exemple : Pour Vsat = 12V et μ = 105 ; ε = 0,12mV.
Ø Amplificateur opérationnel parfait.
Fig.6.7. Caractéristique de transfert d’un amplificateur opérationnel parfait.
De façon générale on distingue trois zones :

Ø Zone de linéarité : -ε < ve ˃ +ε ; -Vsat < vs < +Vsat ;
Ø Zone de saturation haute : ve > +ε ; vs = +Vsat ;
Ø Zone de saturation basse : ve < -ε ; vs = -Vsat ;
Remarque : si ±Vcc = ±15 V : ±Vsat est de l’ordre de ±14 V.
VI.2.2. Réaction positive et contre-réaction.

Ø On dit qu’il y a réaction positive quand la sortie est reliée à l’entrée non inverseuse.
Ø On dit qu’il y a contre-réaction (ou réaction négative) quand la sortie est reliée à
l’entrée inverseuse.
Conséquences importantes :

Ø Une contre-réaction assure un fonctionnement linéaire de l’A.O. : ε ≈ 0V ;
Ø Une réaction positive provoque la saturation de l’A.O.
VI.3. Montages de base à AOP.

Dans "amplificateur opérationnel", il y a deux mots :
Ø Amplificateur : c'est la fonction de base de ce composant ;
Ø Opérationnel : les caractéristiques de cet ampli nous donnent la possibilité de créer
des fonctions mathématiques telles que dérivée, intégrale, Log... Ces fonctions ont
autrefois été utilisées dans des calculateurs analogiques, et permettaient notamment de
résoudre des équations différentielles, et ainsi de simuler des réponses de systèmes
physiques divers (mécaniques, acoustiques...). D'où le nom "opérationnel".
VI.3.1. L’A.O.P en régime linéaire.

Pour fonctionner en régime linéaire, l’A.O.P doit avoir une contre-réaction (condition
nécessaire mais pas toujours suffisante). On rappelle qu’en régime linéaire : ε ≈ 0V.
Par définition, l’amplification en tension est :
Par définition, le gain en tension est :

Gv =20log10|Av| (en décibels dB). (6.2)
VI.3.1.1. Montage «amplificateur inverseur».
Fig.6.8. Montage amplificateur inverseur.
Cherchons l’amplification en tension.

V+ = V- : fonctionnement linéaire.
V+ = 0 ;
En appliquant le théorème de Millman on a :
"# "'
&
! $% $(
= % % (6.3)
&
$% $(
*' ,(
)* = =+ (6.4)
*# ,%
Caractéristique de transfert uS(uE).

Fig.6.9. Caractéristique de transfert d’un amplificateur inverseur.
Fonctionnement en régime linéaire : uS est proportionnelle à uE.
Fig.6.10. Oscillogramme des signaux d’entrée et de sortie d’un amplificateur inverseur.
Fonctionnement en saturation : niveau d’entrée trop important ; la sortie sature.

Fig.6.11. Oscillogramme de saturation d’un amplificateur inverseur.
VI.3.1.2. Amplificateur non inverseur.
Fig.6.12. Montage amplificateur non inverseur.

* ,
)* = *' = 1 - ,( (6.5)
# %
VI.3.1.3. Montage suiveur.
Fig.6.13. Montage suiveur.
vs = ve (6.6)

Ce montage est une extrapolation de l'ampli précédent. On obtient un montage tout simple,
de gain unité, dont la seule fonction est l'adaptation d'impédance. On le placera donc en
tampon entre deux portions de circuit de façon à les isoler l'une de l'autre pour prévenir toute
interaction parasite.
Ce circuit est aussi idéal en entrée et en sortie d'un montage pour bénéficier d'impédance
d'entrée infinie (ou presque) et d'impédance de sortie très basse.
VI.3.1.4. Additionneur inverseur.
Fig.6.14. Montage additionneur.
En appliquant le théorème de Millman, on :

/#0 /#( /#% /'
& & &
! $0 $( $% $
. = % % % % = .& = 2
& & &
$0 $( $% $
Soit
6 6#( 6#%
.3 = +4 5 ,#0 - ,(
- ,%
7 (6.7)
0
En prenant R1=R2=R3=R, on obtient :
! = "( #$ + #% + #& ) (6.8)
VI.3.1.5. Montage soustracteur (différentiateur).

Ce montage permet d'amplifier la différence de deux signaux. C'est un montage de base très
important en mesures.

Fig.6.15. Montage amplificateur différentiel.
La formule du pont diviseur appliquée à l’entrée non inverseuse nous donne :

,-
'* = , '/0 (6.9)
. *,-
Le théorème de Millman appliqué à l’entrée inverseuse donne :

23- 26
* ,7 83- *,5 86
1
' = =
45 47
. .
,5 *,7
(6.10)
*
45 47
En posant R1 = R3 et R2 = R4 ; puisque V+ = V-, nous avons :
9
! = 9% ( #$ " #% ) (6.11)
$
VI.3.1.6. Montage intégrateur.

Nous attaquons ici les montages opérationnels plus sophistiqués que de simples additions
ou soustractions.
Fig.6.16. Montage intégrateur.
'/ = :;

$ $
! =" < = " < > ?@A = " 9< > # @A (6.12)
On retrouve en sortie l'intégrale du signal d'entrée. Ce montage est délicat à utiliser et devra
faire l'objet de précautions : en effet, la moindre tension continue présente à l'entrée (y
compris et surtout une tension parasite) sera intégrée et générera une rampe en sortie. Il faudra
donc prévoir des dispositifs annexes, soit un système de stabilisation, soit un système de
remise à zéro de la sortie.
VI.3.1.7. Montage dérivateur.

Ce montage est similaire au précédent et se traite de la même manière.
Fig.6.17. Montage dérivateur.

0 G83
'/ = 'B = B > ;CD E ; = F GH
@ #
! = "9? = "9< (6.13)
@A
La sortie est proportionnelle à la dérivée de l'entrée. Comme pour le montage précédent,

avec un amplificateur réel, on aura des difficultés à faire fonctionner ce circuit tel quel
(système instable), et il faudra rajouter des éléments pour le rendre pleinement fonctionnel.
VI.3.1.8. Montage logarithmique.

Dans ce montage, on retrouve la structure traditionnelle de l'amplificateur inverseur, mais
avec une diode en contre-réaction. Cette diode, dont la caractéristique courant/tension est
logarithmique va nous donner une fonction de transfert de ce type.

Fig.6.18. Montage logarithmique.
En entrée, on a :
'/ = :;
En sortie on a :
'I = "'J
Avec :
O2P
; = KL MN QR " ST (6.14)
Lorsque le terme en exponentielle est significativement supérieur à 1 (Vd > 50mV environ),
on peut écrire :
UV X
'J = ln Y W
(6.15)
Z
Soit, en remplaçant i par sa valeur :

[\
! =" ^_ #
(6.16)
] 9`a
En sortie, on trouve bien une fonction logarithmique du signal d'entrée. Tel quel, ce
montage aurait peu d'intérêt ; mais, si on se rappelle qu'additionner des logarithmes revient à
faire une multiplication, on en perçoit l'utilité !
En pratique, et une fois de plus, ce montage (bien que fonctionnel) n'est pas utilisé tel quel :
d'abord, il ne fonctionne que pour des tensions d'entrée positives, et il nécessite de sérieuses
compensations thermiques pour permettre des opérations précises. De plus, on remplace
souvent la diode par une jonction base-émetteur de transistor, linéaire sur une plus grande
plage de courant.
VI.3.1.9. Montage exponentiel.

Pour multiplier deux signaux, il ne suffit pas de prendre le logarithme de chacun des
signaux, et d'additionner ; il faut ensuite prendre l'exponentielle du résultat. Ce circuit est fait
pour ça.

Fig.6.19. Montage exponentiel.
Par des calculs analogues aux précédents, on démontre facilement et de la même manière :
'()
! = "#$% & *+ (6.17)
En pratique, on trouve des circuits intégrés tout faits comprenant le montage Log, le
montage exponentiel, ainsi que les compensations thermiques et diverses possibilités de
réglage de gain. Ces montages sont des multiplieurs analogiques, et servent notamment, en
mesures, à linéariser certains capteurs. A noter que ces composants sont délicats, coûteux, et
présentent des dérives importantes. L'utilité de tels montages est devenue douteuse avec
l'introduction massive du traitement numérique.
VI.3.2. Montages non linéaires.

Les montages précédents sont qualifiés de "linéaires" car l'amplificateur fonctionne avec la
condition V+ = V- (présence de la rétroaction), soit dans sa plage de fonctionnement en
amplificateur linéaire. Il convient de noter que certains des montages étudiés (ex : montage
logarithmique) ne sont pas linéaires ! Mais, l'amplificateur, lui, fonctionne en mode linéaire.
Nous allons voir maintenant plusieurs montages (et il en existe bien d'autres) dans lesquels
cette condition n'est plus vérifiée. Pour ce faire, on va forcer artificiellement les deux entrées
à des valeurs différentes, ce qui impliquera en sortie, du fait du gain infini (très grand pour les
amplificateurs réels), que l'amplificateur ne pourra prendre que deux valeurs : Vsat+ et Vsat-, qui
sont respectivement les tensions de saturation positive et négative de l'amplificateur. En effet,
ce dernier est alimenté par deux sources de tension dont on ne pourra pas dépasser les valeurs
en sortie.
Vu que l'amplificateur ne peut prendre que les deux valeurs des tensions en sortie, ces
montages sont appelés montages en commutation, et peuvent être interfacés avec des circuits
logiques, qui ne connaissent, eux aussi, que deux états.
VI.3.2.1. Comparateur simple de tensions.

C'est un montage qui sert de base à de nombreux autres schémas plus élaborés. Le principe
est simple : on compare un signal d'entrée à une tension de référence, et selon que la valeur du
signal est supérieure ou inférieure à la référence, l'amplificateur prendra l'une ou l'autre des
valeurs Vsat+ ou Vsat- en sortie.
Il existe deux configurations : le comparateur non inverseur (signal sur l'entrée +) et le
comparateur inverseur (signal sur l'entrée -). Dans tous les cas :
Ø Si V+ ˃ V-, Vs = Vsat+ ;

Ø Si V+ < V-, Vs = Vsat-.
Fig.6.20. Montage comparateur simple.
Si on applique un signal sinusoïdal à l'entrée, les chronogrammes d'entrée et de sortie sont :
Fig.6.21. Oscillogramme de sortie pour montage comparateur simple.
VI.3.2.2. Comparateur à hystérésis ou trigger de Schmitt.

Ce montage est très utilisé dans tout système de mesure où l'on doit détecter deux seuils : il
est donc fondamental.
Exemple d’application : Régulation de température.
Ø T > 20 °C : on coupe le chauffage.
Ø T < 18 °C : on met le chauffage.

Fig.6.22. Cycle d’hystérésis pour la régulation de température.
Fig.6.23. Montage comparateur à hystérésis.
A première vue, ce montage ressemble à un amplificateur inverseur, mais, il ne faut pas se

tromper : le réseau de résistances R1, R2 est relié à l'entrée +, ce qui fait que cette fois, le
signal de sortie revient en phase sur l'entrée ; on a non plus une contre réaction, mais une
réaction positive (effet boule de neige), ce qui entraîne la divergence de la tension de sortie
vers une des valeurs Vsat+ ou Vsat- .
On calcule aisément V+ et V-.
!
= "#$
% &' &(
=& # +& ) (6.18)
( %&' ( %&'
Le basculement de la sortie de l'amplificateur se fait pour V+ = V-. Le seuil de basculement a

ainsi pour expression :
&( %&' &(
#.)#*,- = "#$ / (6.19)
&' &' )
Dans cette formule, il faut garder à l'esprit que Vs ne peut prendre que les deux valeurs Vsat+ et
Vsat- :
&( %&' &(
#.)#*,-.0,1 = & "#$ / & )23% (6.20)
' '
&( %&' &(

#.)#*,-.024 = "#$ + (6.21)
&' &' )23%

En fait, tout se passe comme si on avait un comparateur de tension ayant deux seuils de
basculement liés aux états de la sortie : quand la sortie est à l'état bas, le seuil a une valeur
haute ; passé ce seuil, la sortie bascule à l'état haut, et le seuil prend une valeur basse. De ce
fait, pour faire rebasculer la sortie à l'état bas, il faut que le signal diminue d'une quantité
supérieure à la valeur l'ayant fait basculer précédemment : c'est l'hystérésis du trigger. Le
cycle d’hystérésis est donné à la figure ci-dessous.
Fig.6.22. Cycle d’hystérésis pour comparateur à double seuil.

Électronique analogique chapitre 9 : les filtres actifs
Chapitre :9 Les filtres actifs
I. Rôle
Il n’est pas un système électronique qui ne fasse appel à, au moins, un filtre. La plupart en comportent
en grande quantité.
Le filtrage est une forme de traitement de signal, obtenu en envoyant le signal à travers un ensemble de
circuits électroniques, qui modifient son spectre de fréquence et/ou sa phase et donc sa forme temporelle.
Il peut s ‘agir soit :
- d’éliminer ou d’affaiblir des fréquences parasites indésirables

- d’isoler dans un signal complexe la ou les bandes de fréquences utiles.
Applications :
Systèmes de télécommunications (téléphone, télévision, radio, transmission de données…)

systèmes d’acquisition et de traitement de signaux physiques (surveillance médicale, ensemble de
mesure, radars… )
Alimentation électrique….
II. Différents types de filtres
On classe les filtres en deux grandes familles : ANALOGIQUE et NUMERIQUE.
Les filtres numériques sont réalisés à partir de structure intégrée microprogrammable (DSP). Ils sont
totalement intégrables, souples et performants.
Ils sont utilisés chaque fois que c’est possible. Ils sont pour l’instant limités à des fréquences pas trop élevées ( <
100MHz ).
On ne les utilisera pas si on doit limiter la consommation et nécessitent un pré-filtrage pour éviter le repliement
spectrale avant la numérisation du signal et un post-filtre de lissage.
Les filtres analogiques se divisent eux mêmes en plusieurs catégories :
- les filtres passifs qui font appels essentiellement à des inductances de haute qualité et des
condensateurs. Jusque dans les années 70, c’était les seuls filtres conçus. Ils sont actuellement
utilisés pour les hautes fréquences. (utilisation de quartz)
- les filtres actifs sont constitués de condensateurs, de résistances et d’éléments actifs qui sont
essentiellement des AIL. Ils sont moins encombrants, faciles à concevoir et moins coûteux que les
filtres passifs mais restent limiter en fréquence ( < 1MHz à cause de l’AIL). Ils consomment plus et
nécessitent une source d’alimentation.
1 O.E
Remarque :
Depuis le début des années 60 sont apparus des filtres actifs à capacités commutés. Ils permettent de programmer
la fréquence de coupure et d’être intégrable.
TYPE COMPOSANTS SPECIFITES

Signaux numérisés
Filtre F < 100MHz
Circuit logiques intégrés
numérique convient en grande série
entièrement programmable
F élevée
Circuit discret L et C,
Filtres passifs pas d’alimentation
Composants piézoélectrique (quartz)
non intégrable
F < 1 MHz
Filtres actifs AIL, R et C besoin d’alimentation
tension filtrée faible < 12V
Filtres à F < qq MHz

AIL, Interrupteur commandé MOS, R et C besoin d’alimentation
capacités intégré intégrable
commutées fréquence programmable
III. Rappels sur la théorie du filtrage
1. Notion de fonction de transfert
Le comportement d’un filtre est défini par l’étude fréquentielle de la

V1 V2 fonction de transfert entre la tension de sortie et la tension d’entrée
H du filtre
V2
H(jw) =
V1
H dB = 20•log V2 ϕ = Arc tan[H(jw)]
V1
2. Notion de fonction d’atténuation
Parfois, on préfère définir un filtre par rapport à l’atténuation qu’il amène sur la grandeur d’entrée :
A(jw)= 1 = V1
H(jw) V2
2 O.E
3. Filtre réel – Gabarit
Un filtre idéal présente :
- un affaiblissement nul dans la bande de fréquence que l’on désire conserver (Bande passante)
- un affaiblissement infini dans la bande que l’on désire éliminer (Bande atténuée)
Il est impossible pratiquement de réaliser de tels filtres. Aussi se contente-t-on d’approcher cette réponse idéale
en :
- conservant l’atténuation A inférieure à Amax dans la bande passante

- conservant l’atténuation supérieure à Amin dans la bande atténuée
Cela conduit ainsi à définir un gabarit définissant des zones interdites et des zones dans lesquelles
devront impérativement se situer les graphes représentant l’atténuation du filtre en fréquence.
Suivant le type de réponse que l’on désire obtenir, on est amené à définir 4 familles de filtres :
Passe-bas Passe-haut
A(dB) A(dB)
f f
fp fa fa fp
Passe-bande
Coupe-bande
A(dB) A(dB)
f f
fa- fP- fP+ fa+ fP- fa- fa+ fP+
4. Notion de sélectivité et de bande relative
Au lieu de conserver explicitement les fréquences frontières comme paramètres de calcul, il est plus simple et
plus parlant de leur substituer les paramètres équivalents ( mais sans dimension ) que sont la sélectivité k et la
largeur de bande relative B.
3 O.E
Fréquence de
Type de filtre Sélectivité k Bande relative B
référence
fp
Passe-bas fp
fa
fa
Passe-haut fa
fp
f p+ − f p− f p+ − f p−
Passe-bande fo
f a+ − f a− fo
f a+ − f a− f a+ − f a−
Coupe-bande fo
f p+ − f p− fo
Pour un filtre très sélectif, k tend vers 1.
5. Notion de temps de propagation de groupe
dϕ
Il est défini par : τ=
dw
Il caractérise le retard apporté par le filtre sur les différents harmoniques du signal d’entrée.
Remarque : pour un signal audio, il faut qu’il soit constant
IV. Recherche de la fonction de transfert d’un filtre
1. Normalisation en fréquence
Elle consiste à choisir comme unité de fréquence, non plus le Hertz, mais une fréquence de référence
associée au gabarit.
On utilise généralement la fréquence de coupure :
- fp pour les filtres passe-bas

- fa pour les filtres passe-haut
- fo pour les filtres passe-bande et coupe-bande
On essaie le plus souvent possible de symétriser les gabarits des filtres coupe-bande et passe-bande.
4 O.E
Passe-bas normalisé
A(dB)
f
1 1
k
2. Transposition
On peut ramener l’étude d’un filtre passe-haut, passe-bande symétrique ou coupe-bande symétrique
normalisé à celle d’un filtre passe-bas.
C’est une simplification considérable qui justifie à elle seule que l’on recherche à représenter les
spécifications d’un filtre par un gabarit simplifié symétrique.
En effet, ces transformations s’appliquent aussi bien aux gabarits qu’aux fonctions de transfert et aux
impédances. (on peut vérifier qu’elle ne modifie pas la sélectivité)
Si l’on veut réaliser un filtre passe-haut, passe-bande ou coupe-bande dont les paramètres sont
Amax, Amin et k, il suffit alors d’étudier le filtre prototype passe-bas défini par ces même paramètres
et d’en transposer la fonction de transfert.
Filtre Passe-bas Filtre Passe-haut Filtre Passe-bande Filtre Coupe-bande
 
 
 p wo 
p→
p p→ wo p→ 1  +  p → B 1 
wo p B  wo p   p + wo 
 wo p 
 
3. Fonction de transfert de filtres analytiques
Lorsque l’on veut dimensionner un filtre, on ne sait calculer analytiquement qu’un petit nombre de fonctions
caractéristiques convenant à la réalisation d’un gabarit.
Les différentes fonctions que l’on peut utiliser fixeront les propriétés physiques de notre filtre.
Filtres de Butterworth
- ordre élevé si l’on veut une grande sélectivité (pb de réalisation)

- pas d’ondulation dans la bande passante
- temps de propagation de groupe # constant (déphasage quasi linéaire)
5 O.E
Filtre de Tchebycheff
- ordre plus petit pour une grande sélectivité

- si l’ordre est n, il présente n ondulations dans la bande passante
- temps de propagation de groupe non constant (déphasage non linéaire)
Filtre de Bessel
- coupure plus douce.

- temps de propagation de groupe constant (déphasage linéaire)
- minimisation des distorsions
Filtre de Cauer
- Filtre à coupure maximale
V. Structure de filtres actifs

L’inconvénient d’un filtre actif est qu’il faut l’alimenter est se contenter de signaux d’amplitudes limitée
par les AIL. Le niveau de bruit et la présence de tension d’offset peuvent aussi limiter les domaines
d’applications.
Son avantage est que chaque cellule élémentaire peut se cascader ( Re élevé et Rs faible ) afin de
former un filtre d’un gabarit plus complexe.
1. Structure du premier ordre
Passe-bas
Vs = − R2 • 1
Ve R1 1+ R2⋅C ⋅ jw
fc = 1
R2⋅C ⋅2π
Ve Vs
Passe-haut
Vs = − R2 • R1⋅C ⋅ jw
Ve R1 1+ R1⋅C ⋅ jw
fc = 1 Ve Vs
R1⋅C ⋅2π
6 O.E
2. Structure du deuxième ordre
Passe-bas
Cellule de Rauch
Vs = −1
Ve R²⋅C1⋅C2⋅ p² +3⋅R⋅C2⋅ p +1
fc = 1
2π ⋅R⋅ C1⋅C2
Ve Vs
Cellule de Sallen key
Vs = 1
Ve R²⋅C2⋅C1⋅ p + 2⋅R⋅C2⋅ p +1
1 Ve Vs
fc =
2π ⋅R C1⋅C2
Passe-haut
On effectue les transpositions :
Passe-bas Passe-haut
Structure
7 O.E
VI . Calcul et classification des filtres

Il existe un grand nombre de montages pour la réalisation des filtres actifs. Nous allons citer dans cette rubrique
quelques structures typiques que l'on rencontre très fréquemment.
1. Filtre passe-bas
k
La fonction de transfert se met sous la forme : ou k est une constante réelle et F ( jω ) = est la
ω
1+ j
ω0
ω0 pulsation de coupure.
2. Diagramme de Bode
Exemple :
3. Filtre passe-haut
ω
j
ω0
La fonction de transfert se met sous la forme : F ( jω ) = K ou k est une constante réelle et
ω
1+ j
ω0
ω0 est la pulsation de coupure
8 O.E
Electronique Analogique Chapitre : Les filtres actifs
Diagramme de Bode
w
FdB
w0
F =k Þ FdB = 20 log F +20 dB / decade
w 2
1+ ( ) kdB
w0 kdB 3dB
w w Bande passante Bp
FdB = k dB + 20 log( ) - 20 log 1 + ( ) 2 = f0
w0 w0 0 w
w0
p w
j = ArgA = - Arctg ( )
2 w0
ì FdB ® -¥ j(0)
ï
w << w 0 Þ í p
ïîj ® 2
+90
ì FdB = k dB - 3dB
ï
w = w0 Þ í p +45
ïîj = 4
0 w
ì F ® 20 log k = k dB w0
w >> w 0 Þ í dB Figure IV.3 : Courbes de gain et de phase
îj ® 0
Exemples
R2 R2
C R1 R1
- -
+ +
Ve
VS Ve C Vs
R
Figure IV.4a : Filtre passe-haut Figure IV.4b : Filtre passe-haut
ì 1
ï R 2Ve + ( R1 + )V s
Cp ì - R1 + RCp
ïV = 0 et V =
+ -
ïV = R + R Vs et V = 1 + RCp Ve
ï R1 + R 2 +
1 ï 1 2
í Cp í
ï ïF ( p) = (1 + R2 )( RCp )
ï R2 R1Cp ïî R1 1 + RCp
ï F ( p ) = -( )( )
î R1 1 + R1Cp
4Filtre passe tout ou déphaseur
La fonction de transfert d'un filtre déphaseur prend les formes suivantes :

1 - tp - 1 + tp
F ( p) = ou F ( p) = et soit tw0 = 1 où w0 est la pulsation de coupure du filtre.
1 + tp 1 + tp
2(
Diagramme de Bode
FdB
w
1- j ì FdB = 0
w0 ï
F ( jw ) = Þ F =1Þ í w
w ïj = -2 Arctg ( )
1+ j î w0
w0 0 w
w0
Le module de la fonction de transfert ne

j(0)
dépend pas de la fréquence, il est constant,
alors ce filtre laisse passer tout signal sans 0 w
w0
aucun affaiblissement doù l'appellation filtre
90
passe tout.
Le déphasage de la sortie par rapport à l'entrée 180
varie de 0 à p. Figure IV.5 : Courbes de gain et de phase
ì FdB = 0
ìF ® 0 ï ìF ® 0
w << w0 Þ í dB w = w0 Þ í p w >> w0 Þ í dB
îj ® 0 ïîj = - 2 îj ® -p
Exemples
R R
R R
- -
+ +
Ve R VS Ve C VS
C R
Figure IV.6a : Filtre passe tout Figure IV.6b : Filtre passe tout
ì + 1 ì + RCp
ïïV = 1 + RCp Ve 1 - RCp ïïV = 1 + RCp Ve - 1 + RCp
í Þ F ( p) = í Þ F ( p) =
ïV - = Ve + V s 1 + RCp ïV - = Ve + V s 1 + RCp
ïî 2 ïî 2
2(
Filtres classiques du second ordre
1Structures de circuits classiques pour la réalisation des filtres
2. Structure de Rauch
(V A / Z 3 ) + (V s / Z 5 )
V- = et V + = 0
(1 / Z 3 ) + (1 / Z 5 )
Z4 Z5
Z3
V + = V - Þ VA = - Vs Z1 Z3
Z5 -
-
N e
(Ve / Z 1 ) + (V s / Z 4 ) + (V / Z 3 ) +
VA = Ve Z2
(1 / Z 1 ) + (1 / Z 3 ) + (1 / Z 4 ) Vs
Z3
or V A = - V s et V - = V + = 0
Z5
Figure IV.7 : Structure de Rauch
Vs ( p) - Z2Z4Z5
F ( p) = =
Ve ( p ) Z 1 Z 2 ( Z 3 + Z 4 + Z 5 ) + Z 3 Z 4 ( Z 1 + Z 2 )
Structure de Sallen et Key

Z3
- R V Z4
V = V s = s et V + = Vs
R + (k - 1 )R k Z2 + Z4
Z1 Z2
(Ve / Z 1 ) + (V + / Z 2 ) + (V s / Z 3 ) +
VA = A
(1 / Z 1 ) + (1 / Z 2 ) + (1 / Z 3 ) -
Ve (k-1)R
Z V Z4
or V A = (1 + 2 )V + et V + = s Vs
Z4 k R
Z 2 Vs
d' ou V A = (1 + )
Z4 k Figure IV.8 : Structure de Sallen et Key
1 V ( p) 1 ì Z Z Z Z Z ü
= e = ( )í1 + (1 - k ) 1 + 1 + 2 + 1 2 ý
F ( p) Vs ( p) k î Z3 Z4 Z4 Z3Z4 þ
Les différentes fonctions de filtrage
A partir des structures classiques de Rauch et de Sallen et Key, on peut réaliser plusieurs filtres,
suite à un choix convenable des différentes impédances.
Filtre passe-bas
w 02
La fonction de transfert est de type : F ( p) =
p 2 + 2mw 0 + w 02
Ou m est coefficient d'amortissement et w0 est la pulsation de cassure.
2(
a) Exemples
C1
R C2 R R
+
R R N
- -
N
R2
+ Ve C2
Ve C1 Vs
Vs
R1
Figure IV.9a : FPB à Structure de Rauch Figure IV.9b : FPB à Structure de Sallen et Key
R2
(1 + )
Vs R1
V -1 F ( p) = =
F ( p) = s = Ve R2
Ve 1 + 3RC 2 p + R 2 C1C 2 p 2 1 + R(2C 2 - C1 ) p + R 2 C1C 2 p 2
R1
1 3 C2
w0 = et m = R2
R C1C 2 2 C1 2C 2 - C1
1 R1
w0 = et m =
R C1C 2 2 C1C 2
b) Représentation de la fonction de transfert
2(
Filtre passe-haut

p2
p 2 + 2mw 0 + w 02
a) Exemples
R3
C R2 C C
+
C C N
- -
N R2
+ Ve R4
Ve R1 Vs
Vs
R1
Figure IV.10a : FPH à Structure de Rauch Figure IV.10b : FPH à Structure de Sallen et Key
Vs R3 R 4 C 2 p 2
F ( p) = =
Vs - C R1 R2 p
2 2
Ve R R
F ( p) = = 1 + C ( 2 R3 - 2 4 ) p + R3 R 4 C 2 p 2
Ve 1 + 3R1Cp + C 2 R1 R2 p 2 R1
1 1 R1 R2 R4
w0 = et m = R3 -
C R1 R2 3 R2 1 1 R1
w0 = et m =
C R3 R 4 2 R3 R 4
2(
Filtre passe-bande

2mw 0 p
p + 2mw 0 + w 022

1
Souvent on introduit à la place du coefficient d'amortissement m, le paramètre q = appelé
2m
coefficient de qualité ou de surtension du filtre.
a) Exemples
R
C R3 R C1
+
R1 C N
- -
N
+ Ve 2R
Ve R2 C2 Vs
Vs
Figure IV.11a : FPbd à Structure de Rauch Figure IV.11b : FPbd à Structure de Sallen et Key
Vs - R2 R3 Cp
F ( p) = =
Ve R2 Vs RC 1 p
(1 + ) + 2 R1Cp + R1 R2 C 2 p 2 F ( p) = =
R1 Ve 1 + R(2C 2 + 1,5C1 ) p + R 2 C1C 2 p 2
R1 1 C1C 2
1+ w0 = et q =
R3 1 R2 R R C1C 2 2C 2 + 1,5C1
w0 = et q = (1 + 1 )
C R1 R2 2 R1 R3
2(
Filtre coupe-bande

w 02 + p 2
p 2 + 2mw 0 + w 02
1
Ou m est coefficient d'amortissement et w0 est la pulsation de cassure et q = coefficient de
2m
qualité ou de surtension du filtre.
a) Exemples C C
-
V 1 + R 2C 2 p 2 R/2
F ( p) = s = +
Ve 1 + 4 RCp + R 2 C 2 p 2
2C
1 1 Ve P Vs
w0 = et q =
RC 4 R R
Figure IV.12 : FCbd à Structure de Rauch
2(
IV.4.2.3 Filtre universel

Pour simplifier les éléments sont choisit volontairement de valeurs identiques, ce qui n'est pas le
cas dans la pratique.
L'ensemble utilise un additionneur soustracteur, un additionneur et deux intégrateurs.
R
C
S1 C
- R S2
R - R
e + -
+ S3
+
R R
R
-
S4
+
Figure IV.13 : Filtre universel
S1 ( p) R 2C 2 p 2
= sortie passe - haut
E ( p ) 1 + RCp + R 2 C 2 p 2
S 2 ( p) RCp
= sortie passe - bande
E ( p ) 1 + RCp + R 2 C 2 p 2
S 3 ( p) 1
= sortie passe - bas
E ( p ) 1 + RCp + R 2 C 2 p 2
S 4 ( p) 1 + R 2C 2 p 2
= sortie coupe - bande
E ( p ) 1 + RCp + R 2 C 2 p 2
En général on utilise un circuit intégré "quad" (quatre amplificateurs opérationnels dans un

même boîtier).
Un exemple pratique est le filtre universel type AF 150 (NSC).
2(
1. SYLLABUS DU MODULE
1.1. OBJECTIFS DU MODULE
Appliquer la fonction de transfert pour l’étude du comportement temporel et fréquentiel de processus physiques.
Analyser les performances dynamiques d’un système linéaire continu.
Déterminer les caractéristiques techniques et les fonctionnements statique/dynamique des composants électroniques semi-conducteurs.
Analyser et réaliser les fonctions de base de l’électronique analogique.
Dimensionner les circuits intégrés analogiques et les composants discrets adéquats d’un montage électronique.
Déterminer le fonctionnement des circuits logiques combinatoires et séquentiels.
1.2. PRE-REQUIS PEDAGOGIQUES (Indiquer le ou les module(s) requis pour suivre ce module et le semestre correspondant)
Electricité I : Semestre 1 (S1M5)
Electricité II et Automatisme : Semestre 2 (S2M2)
1.3. VOLUME HORAIRE (Les travaux dirigés sont obligatoires dans les modules majeurs. Les travaux pratiques, hors projet tutoré ou
stage, constituent 20% au minimum du volume horaire global dumodule nécessitant des travaux pratiques).
Volume horaire (VH)
Evaluation
Élément(s) de Activités Pratiques (Travaux de terrain, Travail des VH
module Cours TD TP Projets, Stages, …), Autres /préciser) personnel connaissances global
S3M2.1 10 12 4 2 28
Électronique
analogique
S3M2.2 10 12 4 2 28
Électronique
numérique
S3M2.3 10 12 4 2 28
Automatique
VH global du 30 36 12 0 6 84
module
% VH 36% 43% 14% 0% 7% 100%
1.4. DESCRIPTION DU CONTENU DU MODULE

Fournir une description détaillée des enseignements et/ou activités pour le module (Cours, TD, TP, Activités Pratiques, ….).
Pour le cas des Licences d'Etudes Fondamentales, se conformer au contenu du tronc commun national.
S3M2.1 Electronique analogique :
Structure des semi-conducteurs
o Structure et exemples de semi-conducteurs
o Notion de bande de valence, bande de conduction, énergie de gap
o Types de dopage
o Jonction PN : structure, fonctionnement, bande de transition

Composants semi-conducteurs
o Diodes : à jonction, Zener, Schottky
o Transistor bipolaire
o Transistor à effet de champ : JFET, MOS
Amplification
o Rôle, paramètres et classification des amplificateurs
o Amplificateur basse-fréquences : modèles, exemples à base d’un transistor bipolaire et d’un transistor MOS
o Amplification de puissance : principe et exemple
Amplification opérationnels
o Modèle réel d’un AOP : caractéristiques, technologies, conditions d’un AOP parfait
o Montages à base d’AOP parfait: applications linéaires
o Caractéristiques techniques d’un AOP intégré
Comparateurs analogiques
o Comparateurs à base d’AOP : à seuil, à hystérésis
o Comparateurs intégrés : exemple LM311
Filtrage analogique
o Types et gabarits d’un filtre
o Structures de réalisation : filtres passifs (RC, LC, RLC), quelques filtres actifs (Rauch, Sallen-key)
TP d’Electronique analogique :
o Polarisation et caractéristiques statiques d’une diode et d’un transistor
o Caractérisation d’un amplificateur de tension BF
o Mesures sur les montages de base à AOP
o Mesures et caractérisation de filtres passifs et actifs

2. EVALUATION
2.1. Modes d'évaluation
ELEMENT DE MODULE : S3M2.1 Electronique analogique
Examen de fin de semestre :

Contrôles continus :
Préciser (tests, épreuves orales, devoirs, exposés, rapports de stage ou autre moyen de contrôle) :
2.2. Modalités de Validation du module
Elément de module S3M2.1 : Electronique analogique
Note de l’élément du module : Note_S3M2.1 = (30 %) Contrôle continu + (50 %) Examen final + (20 %) Contrôle de Travaux pratiques
Note du contrôle continu = Note du contrôle écrit

Bibliographie
[8] Bernard Latorre , Corinne Berland, François de Dieuleveult, Christophe Delabie,

Olivier Français, Patrick Poulichet Électronique analogique Composants et systèmes
complexes
[9] Yves Granjon exercices & problèmes d’électronique
[10] Guy Chateigner ,Michel Boës ,Daniel Bouix, Jacques Vaillant ,Daniel Verkindère
manuel de génie électrique

Cours - Analogique - 2023 - 2024

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6XSSRUWGHFRXUV pourAnnées préparatoires(S3)

Électronique Analogique O.E

2.1 Numéro atomique

Figure 2 : Le niveau d’énergie augmente à mesure qu’on s’éloigne du noyau de l’atome

Électronique Analogique O.E

2.4 Électrons de valence

Électronique Analogique O.E

Électronique Analogique O.E

Figure 3 : Diagrammes énergétiques pour les trois types de matériaux

Électronique Analogique O.E

Figure 4 : Diagrammes des atomes de silicium et de cuivre.

Électronique Analogique O.E

Figure 5 : Diagrammes des atomes de silicium et de germanium

Électronique Analogique O.E

Électronique Analogique O.E

$ ODWHPSpUDWXUH.WRXWHVOHVOLDLVRQVFRYDOHQWHVVRQWPDLQWHQXHV&¶HVWXQERQLVRODQW SDV

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E 7DEOHGHIRQFWLRQQHPHQW HW 7DEOHGHYpULWp

Exemple : μA741 (Texas Instruments).

Electronique Analogique 1 O.E

Fig.6.1. Brochage d’un amplificateur opérationnel (μA741).

Schéma interne du μA741.

Fig.6.2. Structure interne du μA741.

Electronique Analogique 2 O.E

Fig.6.4. Symbole européen d’un amplificateur opérationnel.

VI.2. Caractéristiques électriques.

Fig.6.5. Schéma équivalent d’un amplificateur opérationnel.

On distingue deux types d'impédances d'entrée : l'impédance différentielle et celles de

Ø Avd est le gain en tension différentiel de l'amplificateur ;

Electronique Analogique 3 O.E

Un amplificateur opérationnel parfait (AOP) est un amplificateur de différence pur à gain

6XSSRUWGHFRXUV pourAnnées préparatoires(S3)

$ ODWHPSpUDWXUH.WRXWHVOHVOLDLVRQVFRYDOHQWHVVRQWPDLQWHQXHV&¶HVWXQERQLVRODQW SDV

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