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Chapitre 1

Jonction PN Diode jonction

1.1 NOTIONS DE SEMI-CONDUCTEURS


Lappellation des matriaux semi-conducteurs provient de leurs conductivits lectriques, intermdiaires entre celles des conducteurs et des isolants. Une autre particularit importante, qui sera explique plus loin, est que cette conductivit, contrairement aux conducteurs courants, dpend beaucoup de la temprature et augmente avec celle-ci. Ordres de grandeur. Isolant s < 106 S/m (S = Siemens, cest--dire V1 ) Conducteur s 108 S/m Semi-conducteur s 0,1 104 S/m Les effets non linaires (dtection) associs lutilisation des semi-conducteurs ainsi que leffet transistor furent dcouverts et utiliss avant que la physique du solide nait pu les expliquer.

1.1.1 Historique
Lutilisation de semi-conducteur sous forme cristalline remonte au dbut du sicle dernier. On constata que la galne (sulfure de plomb polycristallin) jouait le rle dune diode lorsquon ralisait un contact entre une pointe mtallique et un de ses cristaux. Les redresseurs loxyde de cuivre, puis au silicium ont t galement utiliss, grce leur caractre unidirectionnel. Vers 1942-1945, on fabrique le premier monocristal de germanium. Lquipe de la Bell, forme de Shockley, Bardeen et Brattain cre, en 1947, le premier transistor bipolaire jonctions. En 1952, ce dernier publie la thorie du transistor effet de champ ; Dacey et Ross ralisent le premier lment en 1953, avec du germanium.

1 Jonction PN Diode jonction

Puis le silicium prend peu peu lavantage sur le germanium, grce sa gamme de temprature dutilisation plus large et son traitement plus facile. En 1962, partir de la thorie labore deux ans auparavant par Kahng et Attala (Bell), Hofstein et Heiman (RCA) ralisent le premier transistor MOS. Vers la mme poque, en 1959, Texas brevte le circuit intgr et Fairchild, en 1960, met au point le procd planar. Lre du circuit intgr est commence !

1.1.2 Semi-conducteur intrinsque


a) Introduction

Les corps simples semi-conducteurs sont obtenus dans le groupe IV de la classication priodique des lments (voir le tableau 1.1). Ce sont le germanium, et surtout le silicium.
Tableau 1.1 Classication priodique de Mendeleiev

III
5 6

IV
7

V N
(Azote) 15 16

B
(Bore) 13 14

C
(Carbone)

Al
(Aluminium) 30 31 32

Si
(Silicium) 33

P
(Phosphore) 34

S
(Soufre)

Zn
(Zinc) 48 49

Ga
(Gallium)

Ge
(Germanium) 50 51

As
(Arsenic)

Se
(Slnium)

Cd
(Cadmium)

In
(Indium)

Sn
(Etain)

Sb
(Antimoine)

Les corps simples semi-conducteurs ont la caractristique principale dtre ttravalent, cest--dire que leur couche extrieure comporte 4 lectrons. Ils cristallisent dans le systme du carbone (diamant) qui est le systme cubique prsent la gure 1.1. Chaque atome est au centre dun ttradre rgulier dont les 4 sommets sont occups par les atomes voisins les plus proches.

Figure 1.1 Systme cubique

1.1 Notions de semi-conducteurs

Les liaisons entre atomes sont des liaisons de valence, trs stables, chaque atome mettant un lectron priphrique en commun avec chaque proche voisin. Leur couche priphrique se trouve ainsi complte huit lectrons, ce qui est une conguration trs stable. Au zro absolu, il ny a pas dagitation thermique et tous les lectrons priphriques participent aux liaisons covalentes ; aucun nest donc libre pour participer la conduction lectrique : le corps est isolant. Lorsquon lve la temprature, lagitation thermique permet quelques lectrons de se librer de la liaison covalente, et dtre mobiles dans le cristal. Figure 1.2 (b).

Noyau atomique

Liaison covalente (2 lectrons en commun de spin oppos)

Trou dans la liaison covalente

Electron de conduction

(a)

(b)

Figure 1.2 Liaison de covalence en (a) et cration dune paire lectron trou en (b).

b) Notion de trou

Dunod La photocopie non autorise est un dlit

On voit que la perte de llectron a provoqu un site vacant, ou trou, dans le cristal. Latome considr est ionis positivement, mais lensemble du cristal reste lectriquement neutre. Le trou cr va participer la conduction lectrique. En effet, supposons que le matriau semi-conducteur considr soit baign dans un champ lectrique E . Les lectrons libres vont bien sr driver dans la direction oppose au champ, sous lac tion de la force F . F = q E Mais de plus, sous laction du champ lectrique et de la temprature, un lectron de liaison voisin du trou va pouvoir le combler, laissant sa place un nouveau trou qui pourra son tour tre combl par un autre lectron, etc. (Voir la gure 1.3). Tout se passe donc comme si le trou progresse dans le sens du champ lectrique, et participe la conduction dans le semi-conducteur, au mme titre que llectron libre. On dnit donc le trou comme un nouveau porteur de charge positive. Cela est bien sr ctif, et seul est rel le dplacement des lectrons de valence, mais le phnomne mis en jeu est fondamentalement diffrent de celui utilis par les lectrons de conduction.