Le transistor bipolaire 07/01/2001 Patrick ABATI

Il possède 3 électrodes : Base, Collecteur, Émetteur.

Les deux types de transistors bipolaires

Détermination des 3 électrodes et du type

En l'absence d'effet transistor, le schéma équivalent d'un transistor est le

suivant:

Il est possible de déterminer le type et la base à l'aide d'un ohm-mètre sur la

position diode, sachant que la paire C - E est bloquée dans les deux sens.
On détermine ensuite la tension inverse de claquage à partir du montage
suivant:

pour le type NPN

La tension la plus faible correspond

au couple Base - Émetteur (V2 < V1)

1/3
L'effet transistor
Lorsqu'on applique sur la base du transistor une tension VE à travers une
résistance RB, un Courant IB circule de la base vers l'émetteur. Un courant IC
circule alors du collecteur vers l'émetteur: IC = hFE * IB , hFE étant
l'amplification de courant ou gain statique.

Caractéristiques

Caractéristique Base - Émetteur:

c'est la caractéristique d'une diode

Caractéristique Collecteur - Émetteur:

c'est un réseau de caractéristiques

Chaque courbe est obtenue pour une valeur de IB

Quelques considérations sur le transistor de puissance bipolaire...

Valeurs
limites
VCE0 150v

VEB 6v

IC 50A

IB 20A

PD 250W

200°
TJ
C

2/3
 La puissance que peut dissiper le
transistor dépend de la température de
son boîtier.
La dissipation maximale est de 250 W
si le boîtier est maintenu à une
température inférieure à 25°C.
Elle n'est plus que de 145 W
si la température du boîtier
monte à 100°C.

Pour TJ et VCE donnés

le gain statique hFE
est fonction du courant IC
hFE = 10 pour IC = 50A
hFE = 30 pour IC = 30A
hFE = 60 pour IC = 20A

Pour une température de jonction de 25°C, un VCE de 4v et un IC de 30A,

le courant de base est 0,6A.
Cela correspond à un gain statique de 30/0,6 = 50

VCEsat augmente avec IC

0,4V pour 10A

1,2V pour 30A

Object 1

3/3